JP6650522B2 - Oled発光ダイオード及び表示装置 - Google Patents

Oled発光ダイオード及び表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6650522B2
JP6650522B2 JP2018533989A JP2018533989A JP6650522B2 JP 6650522 B2 JP6650522 B2 JP 6650522B2 JP 2018533989 A JP2018533989 A JP 2018533989A JP 2018533989 A JP2018533989 A JP 2018533989A JP 6650522 B2 JP6650522 B2 JP 6650522B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
material layer
layer
substrate
light
refractive index
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018533989A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018529213A (ja
Inventor
徐超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Publication of JP2018529213A publication Critical patent/JP2018529213A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6650522B2 publication Critical patent/JP6650522B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/813Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/82Cathodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/80Composition varying spatially, e.g. having a spatial gradient
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/211Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by selective transformation of an existing layer

Description

本発明は、ディスプレイの製造分野に関し、特にOLED発光ダイオード及び表示装置に関する。
近年、OLED(有機発光ダイオード、Organic Light-Emitting Diode)は、自発光性、広い視野角、高応答速度、高コントラスト、低エネルギー消費、環境に優しい、長寿命、超薄型及びフレキシブルな表示構造などの利点を有するため、次世代の表示技術として広く注目されている。
図1に示すように、典型的なOLED発光ダイオードは、ガラス基板10、ITO(indium tin oxide、インジウム錫酸化物)陽極(Anode)20、有機発光層30(Emitting Material Layer)、及び陰極40(Cathode)などからなり、有機発光層30は、ITO陽極20と金属陰極40との間に挟まれるように設けられている。有機発光層30には、電圧印加により、陽極20から注入された正孔(Hole)と陰極40からの電子(Electron)とが結合することで励起された有機材料は、光A1を発光することができる。
しかしながら、ガラス基板10と空気との間にある表面層による反射及び屈折などの影響により、ほとんどの光A1は、OLED発光ダイオードの発光表面より出射することができず(図示せず)、発光表面の側面から出射されてしまう。これによって、OLEDの発光表面から出射できる光は、有機発光層30で生じられた光A1の全体に対して、低い割合(即ちOLED発光ダイオードの発光効率)であり、OLED発光ダイオードの発展に大きく制限されている。したがって、どのようにOLED発光ダイオードの発光効率を向上させるのは、重要な課題である。
本発明の目的は、既存のOLED発光ダイオードにおける低発光効率、輝度不十分な課題を解決できる、OLED発光ダイオード及び表示装置を提供することである。
上記の技術的な課題を解決するために、本発明は、OLED発光ダイオードを提供し、前記OLED発光ダイオードは、陰極と、発光層と、陽極と、基板と、光取り出し層とを備え、前記発光層は、前記陰極と陽極との間に位置され、前記基板は、前記陽極と光取り出し層との間に位置され、前記光取り出し層の頂面と底面とが平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層と第2材料層とを備え、前記第1材料層は、前記基板の上に位置され、前記第2材料層は、前記第1材料層の上に位置され、前記第1材料層と第2材料層とが、それぞれ、互いに接触している第1接触面と第2接触面とを有し、前記第1接触面と第2接触面との縦断面は、互いに嵌合している規側的な鋸歯状構造を呈し、前記第1材料層の屈折率nA、基板の屈折率n基板及び第2材料層の屈折率nBは、nA>n基板>nBの条件を満たし、
前記鋸歯状構造は、複数の同様な二等辺三角形で形成され、且つ前記第1材料層の二等辺三角形の底辺と前記基板の表面とが重ね合わせて位置され、
前記光取り出し層は、第3材料層をさらに備え、前記第3材料層は、前記第2材料層の上に位置され、前記第3材料層の屈折率ncは、前記第2材料層の屈折率nBより小さい。
さらに、前記第1材料層の二等辺三角形の底角は、前記第1材料層の屈折率に応じて算出される。
本発明は、OLED発光ダイオードをさらに提供し、前記OLED発光ダイオードは、陰極と、発光層と、陽極と、基板と、光取り出し層とを備え、前記発光層は、前記陰極と陽極との間に位置され、前記基板は、前記陽極と光取り出し層との間に位置され、前記光取り出し層の頂面と底面とが平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層と第2材料層とを備え、前記第1材料層は、前記基板の上に位置され、前記第2材料層は、前記第1材料層の上に位置され、前記第1材料層と第2材料層とが、それぞれ、互いに接触している第1接触面と第2接触面とを有し、前記第1接触面と第2接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、前記第1材料層の屈折率nA、基板の屈折率n基板及び第2材料層の屈折率nBは、nA>n基板>nBの条件を満たす。
さらに、前記鋸歯状構造は、複数の同じの二等辺三角形で構成され、且つ前記第1材料層の二等辺三角形の底辺と前記基板の表面とが重ね合わせて配置される。
さらに、前記第1材料層の二等辺三角形の底角は、前記第1材料層の屈折率に応じて算出される。
さらに、前記光取り出し層は、第3材料層をさらに備え、前記第3材料層は、前記第2材料層の上に位置され、前記第3材料層の屈折率ncは、前記第2材料層の屈折率nBより小さい。
さらに、前記第1材料層は、圧印加工により前記基板の上に形成される。
さらに、前記第2材料層は、塗布により前記第1材料層の上に形成される、前記第2材料層の頂面は、平面構造である。
さらに、前記第1材料層はポリカーボネートで作製されている。
さらに、前記OLED発光ダイオードは、集光層をさらに備え、前記集光層は、前記基板と陽極との間に挟まれ、前記集光層と陽極とが、それぞれ、互いに接触する第3接触面と第4接触面とを有し、前記第3接触面と第4接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則の鋸歯状構造を有し、前記集光層の屈折率n1は、前記陽極の屈折率nより大きい。
さらに、前記陽極は、化学気相成長法により前記集光層の上に堆積され、且つ前記基板の表面に隣接する面は平面構造である。
本発明は、さらに、OLED表示装置を提供し、前記OLED表示装置は、OLED発光ダイオードと備え、前記OLED発光ダイオードは、陰極と、発光層と、陽極と、基板と、光取り出し層とを備え、前記発光層は、前記陰極と陽極との間に位置され、前記基板は、前記陽極と光取り出し層との間に位置され、前記光取り出し層の頂面と底面とが平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層と第2材料層とを備え、前記第1材料層は、前記基板の上に位置され、前記第2材料層は、前記第1材料層の上に位置され、前記第1材料層と第2材料層とが、それぞれ、互いに接触している第1接触面と第2接触面とを有し、前記第1接触面と第2接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、前記第1材料層の屈折率nA、基板の屈折率n基板及び第2材料層の屈折率nBは、nA>n基板>nBの条件を満たす。
さらに、前記鋸歯状構造は、複数の同じの二等辺三角形で構成され、且つ前記第1材料層の二等辺三角形の底辺と前記基板の表面とが重ね合わせて配置される。
さらに、前記第1材料層の二等辺三角形の底角は、前記第1材料層の屈折率に応じて算出される。
さらに、前記光取り出し層は、第3材料層をさらに備え、前記第3材料層は、前記第2材料層の上に位置され、前記第3材料層の屈折率ncは、前記第2材料層の屈折率nBより小さい。
さらに、前記第1材料層は、圧印加工により前記基板の上に形成される。
さらに、前記第2材料層は、塗布により前記第1材料層の上に形成される、前記第2材料層の頂面は、平面構造である。
さらに、前記第1材料層はポリカーボネートで作製されている。
さらに、前記OLED発光ダイオードは、集光層をさらに備え、前記集光層は、前記基板と陽極との間に挟まれ、前記集光層と陽極とが、それぞれ、互いに接触する第3接触面と第4接触面とを有し、前記第3接触面と第4接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を有し、前記集光層の屈折率n1は、前記陽極の屈折率nより大きい。
さらに、前記陽極は、化学気相成長法により前記集光層の上に堆積され、且つ前記基板の表面に隣接する面は平面構造である。
本発明の有益な効果は、本発明に係るOLED発光ダイオード及び表示装置が、基板において、第1接触面と第2接触面とを有する第1材料層と第2材料層とを設け、第1接触面と第2接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を有し、且つnA>n基板>nBの条件を満たすことによって、OLED発光ダイオードの側面からの光出射を低減し、OLED発光ダイオードの発光表面からの光出射を増加することができ、OLED発光ダイオードの発光効率を向上させることができる。
図1は既存の技術で光がOLED発光ダイオード内に伝送される経路を示す図である。 図2は本発明の第1実施例における光がOLED発光ダイオード内に伝送される経路を示す図である。 図3は本発明第2実施例における光がOLED発光ダイオード内に伝送される経路を示す図である。 図4は本発明第3実施例における光がOLED発光ダイオード内に伝送される経路を示す図である。
本発明による技術的問題を解決するために、本発明の技術的解決策および有益な効果は、添付の図面を参照しながらより詳しく説明する。本明細書に記載された特定の実施形態は、単に本発明を説明するためのものであり、本発明を限定するものではないことを理解されたい。
図2に示すように、本発明は、OLED発光ダイオードを提供し、前記OLED発光ダイオードの一つの好ましい実施形態は、陰極1と、発光層2と、陽極3と、基板4及び光取り出し層5とを備え、発光層2は、陰極1と陽極3との間に位置され、基板4は、陽極3と光取り出し層5との間に位置される。光取り出し層5の頂面と底面とが、平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層51と第2材料層52とを備える。第1材料層51は、基板4の上に位置され、第2材料層52は、第1材料層51の上に位置され、第1材料層51と第2材料層52とは、互いに接触している第1接触面511と第2接触面521とを有し、第1接触面511と第2接触面521との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈する。第1材料層51の屈折率nA、基板4の屈折率n基板及び第2材料層52の屈折率nBは、nA>n基板>nBの条件を満たす。ここで、nA:n基板=sinβ1:sinβ2、nA:nB=sinβ4:sinβ3であり、β1とβ2とは、それぞれ、光B1が基板4から第1材料層51に入射する入射角と屈折角であり、β3和β4は、それぞれ、光B1が第1材料層51から第2材料層52に入射する入射角と屈折角である。
本実施例において、前記鋸歯状構造は、複数の同じ二等辺三角形で構成され、且つ第1材料層51での二等辺三角形の底辺と基板4の表面とが重ね合わせて配置され、その底角θは、第1材料層51の屈折率に応じて算出される。基板4は、ガラス板又は石英基板であり、その屈折率は1.52〜1.53である。第1材料層51は、ポリカーボネートで作製され、その屈折率は1.58〜1.59であり、透過率は90%より大きい。第2材料層52は、ポリメチルメタクリレートで作製され、その屈折率は1.49であり、透過率は92%より大きい。
製造過程においては、まず、RFスパッタリングにより陽極3を、表面が洗浄された基板4に堆積させ、前記陽極3の表面を平坦化にする。ここでの陽極3材料は、インジウム錫酸化物(ITO)である。そして、陽極3には、真空蒸着により発光層2と陰極1とが形成され、前記発光層2は、発光効率の良い有機材料からなり、前記陰極1の材料は、通常、Agと、Alと、Mgとを含む。最後に、第1材料層51が、圧印加工により基板4に形成され、第2材料層52が、塗布加工により第1材料層51に重なって形成され、第2材料層52の頂面が平坦な面になるようにする。
電圧を陽極3と陰極1との間に印加すると、発光層2が励起され、光B1が生じる。光B1は、基板4を通して第1材料層51と第2材料層52とに入射して、第2材料層52より空気に出射する。第1材料層51と第2材料層52との接触面511、521の縦断面が互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、且つ第1材料層51の屈折率nA>基板4の屈折率n基板>第2材料層52の屈折率nBの条件を満たしているため、第1材料層51に入射する光B1の透過方向を、第2材料層52の中央に近付くように最大限に変化させることができる。
他の好ましい実施例において、光B1をさらに中央部に集光させるため、光取り出し層5は、第3材料層53をさらに備え、第3材料層53は、第2材料層52の上に位置され、その屈折率については、第3材料層53の屈折率nc>第2材料層52の屈折率nBの条件を満たしている。図3に示すように、nB:nC=sinβ6:sinβ5であり、ここで、β5とβ6とは、光B1が第2材料層52から第3材料層53に入射する入射角及び屈折角である。
他の好ましい実施例において、陽極3とガラス基板10との間にある表面層での反射及び屈折などの影響を抑え、フォトンが陽極3の側面から射出することを回避するために、OLED発光ダイオードは、集光層6をさらに備える。集光層6は、基板4と陽極3との間に挟まれ、集光層6と陽極3とは、互いに接触する第3接触面61と第4接触面31とを有し、第3接触面61と第4接触面31との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、その屈折率については、集光層6の屈折率n1>陽極3の屈折率nの条件を満たしている。本実施例において、陽極3が、化学気相成長法により集光層6の上に成膜され、且つ、図4に示されているように、基板4に隣接する表面が、平面構成である。集光層6は、高透過率、高屈折率の材料、例えば、ZnO、TiO2からなる。
さらに、本発明は、上述した実施例のOLED発光ダイオードを備えるOLED表示装置(図示せず)を提供する。前記表示装置は、デレビ、ディスプレイ、デジタルカメラ、携帯電話、及びタブレット(図示せず)などの表示機能を有する任意の製品及びデバイスである。
本発明の実施例における前記OLED発光ダイオード及び表示装置は、基板4上に、第1接触面511と第2接触面521とを有する第1材料層51と第2材料層52とが設けられ、且つ第1接触面511と第2接触面521との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈する。また、その屈折率については、第1材料層51の屈折率nA>基板4の屈折率n基板>第2材料層52の屈折率nBの条件を満たす。これにより、光B1がOLED発光ダイオードの側面から射出することを低減し、OLED発光ダイオードの発光表面での光B1の出射率を増加させ、OLED発光ダイオードの発光効率を向上させることができる。
上記した内容は、本発明の好ましい実施形態であり、本発明は、これに限定されるものではない。本発明の精神および原理、均等な置換および改良等の範囲内でなされたいかなる変更も、本発明の範囲内に含まれるべきである。

Claims (13)

  1. OLED発光ダイオードであって、
    陰極と、発光層と、陽極と、基板と、光取り出し層とを備え、
    前記発光層は、前記陰極と陽極との間に位置され、
    前記基板は、前記陽極と光取り出し層との間に位置され、
    前記光取り出し層の頂面と底面とが平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層と第2材料層とを備え、
    前記第1材料層は、前記基板の上に位置され、
    前記第2材料層は、前記第1材料層の上に位置され、
    前記第1材料層と第2材料層とが、それぞれ、互いに接触している第1接触面と第2接触面とを有し、前記第1接触面と第2接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、前記第1材料層の屈折率n、基板の屈折率n基板及び第2材料層の屈折率nは、n>n基板>nの条件を満たし、
    前記鋸歯状構造は、複数の同じ二等辺三角形で構成され、且つ前記第1材料層の二等辺三角形の底辺と前記基板の表面とが重ね合わせて配置され、
    前記光取り出し層は、第3材料層をさらに備え、
    前記第3材料層は、前記第2材料層の上に位置され、
    前記第3材料層の屈折率nは、前記第2材料層の屈折率nより小さい、OLED発光ダイオード。
  2. OLED発光ダイオードであって、前記OLED発光ダイオードは、陰極と、発光層と、陽極と、基板と、光取り出し層とを備え、前記発光層は、前記陰極と陽極との間に位置され、前記基板は、前記陽極と光取り出し層との間に位置され、前記光取り出し層の頂面と底面とが平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層と第2材料層とを備え、前記第1材料層は、前記基板の上に位置され、前記第2材料層は、前記第1材料層の上に位置され、前記第1材料層と第2材料層とが、それぞれ、互いに接触している第1接触面と第2接触面とを有し、前記第1接触面と第2接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造状を呈し、前記第1材料層の屈折率n、基板の屈折率n基板及び第2材料層の屈折率nは、n>n基板>nの条件を満たし、
    前記鋸歯状構造は、複数の同じ二等辺三角形で構成され、且つ前記第1材料層の二等辺三角形の底辺と前記基板の表面とが重ね合わせて配置され、
    前記第1材料層の二等辺三角形の底角は、前記第1材料層の屈折率に応じて算出され、
    前記光取り出し層は、第3材料層をさらに備え、前記第3材料層は、前記第2材料層の上に位置され、前記第3材料層の屈折率nは、前記第2材料層の屈折率nより小さい、OLED発光ダイオード。
  3. 前記第1材料層は、圧印加工により前記基板の上に形成される、請求項2に記載のOLED発光ダイオード。
  4. 前記第2材料層は、塗布加工により前記第1材料層の上に形成され、前記第2材料層の頂面は、平面構造である、請求項2に記載のOLED発光ダイオード。
  5. 前記第1材料層はポリカーボネートで製作されている、請求項2に記載のOLED発光ダイオード。
  6. 前記OLED発光ダイオードは、集光層をさらに備え、前記集光層は、前記基板と陽極との間に挟まれ、前記集光層と陽極とが、それぞれ、互いに接触している第3接触面と第4接触面とを有し、前記第3接触面と第4接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、前記集光層の屈折率nは、前記陽極の屈折率nより大きい、請求項2に記載のOLED発光ダイオード。
  7. 前記陽極には、化学気相成長法により前記集光層の上に堆積され、且つ前記基板の表面に隣接する前記集光層の面は平面構造である、請求項6に記載のOLED発光ダイオード。
  8. OLED発光ダイオードを備える、OLED表示装置であって、前記OLED発光ダイオードは、陰極と、発光層と、陽極と、基板、光取り出し層とを備え、前記発光層は、前記陰極と陽極との間に位置され、前記基板は、前記陽極と光取り出し層との間に位置され、前記光取り出し層の頂面と底面とが平面構造であり、前記光取り出し層は、少なくとも第1材料層と第2材料層とを備え、前記第1材料層は、前記基板の上に位置され、前記第2材料層は、前記第1材料層の上に位置され、前記第1材料層と第2材料層とが、それぞれ、互いに接触している第1接触面と第2接触面とを有し、前記第1接触面と第2接触面の縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を呈し、前記第1材料層の屈折率n、基板の屈折率n基板及び第2材料層の屈折率nは、n>n基板>nの条件を満たし、
    前記鋸歯状構造は、複数の同じの二等辺三角形で構成され、且つ前記第1材料層の二等辺三角形の底辺と前記基板の表面とが重ね合わせて配置され、
    前記第1材料層の二等辺三角形の底角は、前記第1材料層の屈折率に応じて算出され、
    前記光取り出し層は、第3材料層をさらに備え、前記第3材料層は、前記第2材料層の上に位置され、前記第3材料層の屈折率nは、前記第2材料層の屈折率nより小さい、OLED表示装置。
  9. 前記第1材料層は、圧印加工により前記基板の上に形成される、請求項8に記載のOLED表示装置。
  10. 前記第2材料層は、塗布により前記第1材料層の上に形成され、前記第2材料層の頂面は、平面構造である、請求項8に記載のOLED表示装置。
  11. 前記第1材料層はポリカーボネートで製作されている、請求項8に記載のOLED表示装置。
  12. 前記OLED発光ダイオードは、集光層をさらに備え、前記集光層は、前記基板と陽極との間に挟まれ、前記集光層と陽極とが、それぞれ、互いに接触する第3接触面と第4接触面とを有し、前記第3接触面と第4接触面との縦断面は、互いに嵌合している規則的な鋸歯状構造を有し、前記集光層の屈折率nは、前記陽極の屈折率nより大きい、請求項8に記載のOLED表示装置
  13. 前記陽極には、化学気相成長法により前記集光層の上に堆積され、且つ前記基板の表面に隣接する前記集光層の面は平面構造である、請求項12に記載のOLED表示装置
JP2018533989A 2015-09-22 2015-10-20 Oled発光ダイオード及び表示装置 Active JP6650522B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510608837.9A CN105280838B (zh) 2015-09-22 2015-09-22 一种oled发光器件及显示装置
CN201510608837.9 2015-09-22
PCT/CN2015/092308 WO2017049685A1 (zh) 2015-09-22 2015-10-20 一种 oled 发光器件及显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018529213A JP2018529213A (ja) 2018-10-04
JP6650522B2 true JP6650522B2 (ja) 2020-02-19

Family

ID=55149492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018533989A Active JP6650522B2 (ja) 2015-09-22 2015-10-20 Oled発光ダイオード及び表示装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9722210B2 (ja)
JP (1) JP6650522B2 (ja)
KR (1) KR102033162B1 (ja)
CN (1) CN105280838B (ja)
EA (1) EA035106B1 (ja)
GB (1) GB2558109B (ja)
WO (1) WO2017049685A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107808934A (zh) 2017-11-30 2018-03-16 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板和显示装置
CN108766244B (zh) * 2018-06-06 2021-02-09 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法、显示装置
CN111668282A (zh) 2020-07-03 2020-09-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN113328052B (zh) * 2021-05-17 2024-02-13 武汉华星光电技术有限公司 显示面板
CN114415267A (zh) * 2022-01-14 2022-04-29 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种光学膜片及显示屏

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4660143B2 (ja) * 2004-08-27 2011-03-30 富士フイルム株式会社 有機電界発光素子及びその製造方法
JP4923456B2 (ja) * 2005-07-11 2012-04-25 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法、並びにカメラ
US20090116221A1 (en) * 2006-05-31 2009-05-07 Konica Minolta Holdings, Inc. Surface light emitter and display device
KR101469979B1 (ko) * 2008-03-24 2014-12-05 엘지이노텍 주식회사 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및 이의 제조방법
KR20100080094A (ko) * 2008-12-31 2010-07-08 삼성전자주식회사 방사형 이종접합 구조의 나노 막대를 이용한 발광 다이오드
JP5731830B2 (ja) * 2010-01-19 2015-06-10 パナソニック株式会社 面状発光装置
JP5216806B2 (ja) * 2010-05-14 2013-06-19 株式会社日立製作所 有機発光ダイオード及びこれを用いた光源装置
US8547015B2 (en) * 2010-10-20 2013-10-01 3M Innovative Properties Company Light extraction films for organic light emitting devices (OLEDs)
KR101830301B1 (ko) * 2011-10-24 2018-02-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI446018B (zh) * 2011-12-20 2014-07-21 Au Optronics Corp 光取出膜及應用其之發光元件
IN2014DN09995A (ja) * 2012-06-11 2015-08-14 Jx Nippon Oil & Energy Corp
KR101654360B1 (ko) * 2012-06-22 2016-09-05 코닝정밀소재 주식회사 유기 발광소자용 기판 및 그 제조방법
CN105122491B (zh) * 2013-03-12 2019-06-07 Vitro可变资本股份有限公司 具光提取层的有机发光二极管
KR101530047B1 (ko) * 2013-12-06 2015-06-22 주식회사 창강화학 광학 부재 및 이를 구비하는 표시 장치
CN104362260A (zh) * 2014-11-18 2015-02-18 上海交通大学 一种利用微结构提高光萃取效率的oled器件

Also Published As

Publication number Publication date
US9722210B2 (en) 2017-08-01
GB2558109A (en) 2018-07-04
EA035106B1 (ru) 2020-04-28
KR102033162B1 (ko) 2019-10-16
US20170084872A1 (en) 2017-03-23
GB201805242D0 (en) 2018-05-16
CN105280838A (zh) 2016-01-27
KR20180041760A (ko) 2018-04-24
CN105280838B (zh) 2017-08-25
WO2017049685A1 (zh) 2017-03-30
EA201890792A1 (ru) 2018-08-31
JP2018529213A (ja) 2018-10-04
GB2558109B (en) 2020-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6650522B2 (ja) Oled発光ダイオード及び表示装置
CN104037357B (zh) 一种有机发光显示装置及其制造方法
US9502691B2 (en) Organic light-emitting diode display panel and manufacturing method thereof
US20180198093A1 (en) Oled display panel and manufacture method thereof
US8987767B2 (en) Light emitting device having improved light extraction efficiency
EP3018721B1 (en) Substrate for organic light emitting device and organic light emitting device comprising same
JP2012204103A (ja) 有機電界発光素子、表示装置および照明装置
CN101176214A (zh) 电致发光光源
US9634281B2 (en) Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same
WO2011161998A1 (ja) 有機el素子
JP2010176928A (ja) 有機el発光装置
JP6198561B2 (ja) 有機発光素子用の金属酸化物薄膜基板及びその製造方法
JP6626570B2 (ja) 有機発光素子
US8492967B2 (en) Light emitting device and display panel
KR100843551B1 (ko) 광 확산층을 포함하는 유기 전계 발광 표시 소자 및 그제조방법
US10818869B2 (en) Top-emitting type organic electroluminescent device, manufacturing method thereof and display apparatus
KR20140074446A (ko) 광추출 효율이 향상된 발광 소자 및 그 제조 방법
KR101861630B1 (ko) 발광장치 및 그 제조방법
WO2017084177A1 (zh) 显示器及其有机发光二极管器件
US20180331324A1 (en) Light out-coupling in organic light-emitting diodes (oled)
JP2005203142A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
TWI520396B (zh) 有機發光裝置
TWM472951U (zh) 有機發光二極體結構
KR20210015344A (ko) 임프린팅 공정을 통해 나노 패턴이 형성된 oled 및 그 제조 방법
KR20110094964A (ko) 대면적 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 이용한 투과형 조명 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180502

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190122

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190123

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190422

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190910

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191209

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200107

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200120

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6650522

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R154 Certificate of patent or utility model (reissue)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R154

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250