CN104409654A - 发光器件及其制备方法 - Google Patents

发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104409654A
CN104409654A CN201410664579.1A CN201410664579A CN104409654A CN 104409654 A CN104409654 A CN 104409654A CN 201410664579 A CN201410664579 A CN 201410664579A CN 104409654 A CN104409654 A CN 104409654A
Authority
CN
China
Prior art keywords
hyaline membrane
thickness
light
bottom electrode
top electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410664579.1A
Other languages
English (en)
Inventor
敖伟
刘玉成
罗志忠
赵长征
周斯然
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Original Assignee
Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd, Kunshan Guoxian Photoelectric Co Ltd filed Critical Kunshan New Flat Panel Display Technology Center Co Ltd
Priority to CN201410664579.1A priority Critical patent/CN104409654A/zh
Publication of CN104409654A publication Critical patent/CN104409654A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明公开了一种发光器件及其制备方法，该发光器件包括：上电极、与所述上电极相对设置的下电极、设置在上电极远离下电极的一侧的有机膜层、以及设置在所述上电极和所述下电极之间的透明膜；其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域的透明膜的厚度依次减小。上述发光器件，采用顶发光方式，在上电极和下电极之间设置透明膜，光在发出的过程中需要来回两次通过透明膜，可以影响两次光程，节约了制造成本。同时，可以通过改变透明膜的厚度来实现不同的微腔，由于在透过红色、绿色和蓝色光线的区域中的至少一个区域的上电极与下电极接触，无需开设接触孔，工艺简单，易于大规模生产。本发明还公开了上述发光器件的制备方法。

Description

发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，特别是涉及发光器件及其制备方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)具有主动发光、发光效率高、反应时间快、工作电压低、功耗低、工作温度范围广、可以实现柔性显示等诸多优点，得到了大规模的应用。白光有机发光二极管(White OrganicLight-Emitting Diode，WOLED)属于面光源，相较于发光二极管(Light-EmittingDiode，LED)的点光源，可以制造成大面积、任意形状的平板光源，更适合液晶显示器的背光源及全彩色的OLED显示器。
OLED按照出光方式分为底发射器件和顶发射器件。一般地，WOLED技术是通过在上电极的上方制备不同厚度的有机或无机层来实现不同微腔。即在透过红、绿和蓝颜色光线的区域中的至少一个区域上的上电极进一步形成有机或无机层，进而控制与微腔效应有关的光程，进而提高有机发光器件的发光效率。
然而，上述WOLED技术在上电极上制备有机层或无机层需要高精度的蚀刻工艺，进而完成RGB(Red，Green，Blue，红色，绿色，蓝色)像素的不同厚度，工艺复杂而且价格昂贵，不利于大规模生产。
发明内容
基于此，有必要提供一种工艺简单、价格低廉、易于大规模生产的发光器件及其制备方法。
一种发光器件，包括：
上电极；
下电极，与所述上电极相对设置；
有机膜层，设置在所述上电极远离所述下电极的一侧；以及
透明膜，设置在所述上电极和所述下电极之间；
其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域的所述透明膜的厚度依次减小。
在其中一个实施例中，透过红色光线区域的所述透明膜的厚度与透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度的差值为60nm-140nm，透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度与透过蓝色关系区域的所述透明的厚度的差值为60nm-140nm。
在其中一个实施例中，在透过蓝色光线区域的所述上电极与所述下电极接触。
在其中一个实施例中，所述透明膜由无机材料制成。
在其中一个实施例中，所述上电极为氧化铟锡膜，所述下电极为银膜。
上述发光器件的制备方法，包括以下步骤：
制备上电极和下电极，所述上电极和所述下电极相对设置；
在所述上电极和所述下电极之间制备透明膜，其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域的所述透明膜的厚度依次减小；
所述上电极在远离所述下电极的一侧制备有机膜层。
在其中一个实施例中，在所述上电极和所述下电极之间制备有机膜层的步骤中，透过红色光线区域的所述透明膜的厚度与透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度的差值为60nm-140nm，透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度与透过蓝色关系区域的所述透明的厚度的差值为60nm-140nm。
在其中一个实施例中，在所述上电极和所述下电极之间制备有机膜层的步骤中，在透过所述蓝色光线区域的所述上电极和所述下电极接触。
在其中一个实施例中，所述透明膜由无机材料制成。
在其中一个实施例中，所述上电极为氧化铟锡膜，所述下电极为银膜。
上述发光器件，采用顶发光方式，在上电极和下电极之间设置透明膜，光在发出的过程中需要来回两次通过透明膜，可以影响两次光程，即，在实现同样光程的情况下，上述发光器件的透明膜的厚度更小，节约了制造成本。同时，可以通过改变透明膜的厚度来实现不同的微腔，工艺简单，易于大规模生产。上述发光器件的制备方法，步骤少，节约了制造成本。
附图说明
图1为一实施方式的发光器件的结构示意图；
图2为一实施方式中采用图1所示的发光器件的AMOLED结构示意图；
图3为一实施方式的发光器件制备方法的流程示意图；
附图标记：
10、发光器件；100、上电极；110、下电极；120、有机膜层；130、透明膜；200、缓冲层；202、半导体层；204、第一隔离层；206、第一金属层；208、第二隔离层；210、第二金属层；212、平坦化层。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
在顶部发光型有机发光器件中，上电极和设置在下电极下部的反光层起到镜子的作用，从而从有机发光器件的发光层发出的光被镜子反射。因此，发生光的相消干涉和相长干涉，导致只保持预定波长的光的强度而降低其它波长的光的强度，这种现象称作微腔效应。在顶部发光型有机发光器件中，由于上述现象，发光谱发生偏移或者颜色坐标发生改变，在这种情况下，镜子之间的距离称作光程。
如图1所示，一实施例的发光器件10，包括上电极100、下电极110、有机膜层120和透明膜130。其中，上电极100和下电极110相对设置，有机膜层120设置在上电极100远离下电极110的一侧。其中，有机膜层120包括发光层及空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层的结合。上电极100为ITO(氧化铟锡)膜，下电极110为银膜。在本实施例中，光程为ITO膜与银膜之间的距离。
透明膜130设置在上电极100和下电极110之间，其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域中透明膜130的厚度依次减小。透明膜130的材质为SiOx，例如，可以是二氧化硅。
图1中，R对应的是透过红色光线的区域，G对应的是透过绿色光线的区域，B对应的是透过蓝色光线的区域。R、G、B三个区域依次排列。
可以通过改变透明膜130的厚度来改变光程，进而实现不同的微腔，因此，透明膜130的厚度可以根据实际的需要进行设计。在本实施例中，透过红色光线区域的透明膜130的厚度与透过绿色光线区域的透明膜130的厚度的差值为60nm-140nm。透过绿色光线区域的透明膜130的厚度与透过蓝色光线区域的透明膜130的厚度60nm-140nm。其中，透过蓝色光线的透明膜130的厚度为0μm-1μm。在本实施例中，透过蓝色光线区域的透明膜的厚度为0μm。即，在透过蓝色光线区域的上电极100和下电极110之间是直接接触的，二者之间没有设置透明膜130。上电极100和下电极110直接接触，实现电流的导通。另外，当透过蓝色光线区域的透明膜130的厚度为0时，这样得到的透过红色光线区域的透明膜130的厚度与透过绿色光线区域的透明膜130的厚度均最小，分别为160nm-280nm和60nm-140nm。可以使得发光器件的NTSC(National TelevisionStandards Committee，国家电视标准委员会)色域较高。
由于红色光、绿色光和蓝色光的波长依次减小，当透过红色光线区域与透过绿色光线区域的透明膜厚度差值和红色光与绿色光的波长差值相等，以及透过绿色光线区域与透过蓝色光线区域的透明膜厚度差值和绿色光与蓝色光的波长差值相等时，可以使发光器件呈现预期的颜色。
在本实施例中，在透过蓝色光线区域的上电极100和下电极110接触。蓝色光的波长大约在450nm左右，绿色光的波长大致在500nm左右，红色光的波长大致在600nm左右，即在蓝色光、绿色光和红色光中，蓝色光的波长最小。上电极100和下电极110直接接触，可以将电流从下电极110向上传输至有机膜层120，以便实现发光过程。可以理解的是，在其它实施例中，也可以选择在透过绿色光线区域或者红色光线区域的上电极100和下电极110接触。
透明膜130由无机材料制成。其中，无机材料可以为氧化硅。在其它实施例中，透明膜130也可以为有机材料层，只要该有机材料为透明的即可。
上述发光器件可以用于有源矩阵有机发光二极体面板(ActineMatrix/Organic Light Emitting Diode，AMOLED)中。如图2所示，该AMOLED从下到上依次包括缓冲层200、半导体层202、第一隔离层204、第一金属层206、第二隔离层208、第二金属层210、平坦化层212和发光器件10。其中，缓冲层200的材质为SiNx或SiOx，例如可以为SiO2。第一金属层204的材质为Mo。第一隔离层206和第二隔离层208的材质可以为SiNx或SiOx，例如可以为SiO2。第二金属层210的材质为MoAlMo或TiAlTi。平坦化层212的材质可以为光刻胶或其它无机材质。
如图3所示，上述发光器件的制备方法，包括以下步骤：
步骤S310，制备上电极和下电极，上电极和下电极相对设置。上电极和下电极的制备均可采用磁控溅射工艺来实现。其中，上电极为ITO、IZO(铟锌氧化物)、ZZO(掺锆的氧化锌)、FTO(掺氟的氧化锡)或纳米银等透明导电膜。下电极为Ag、Al、Ag合金或Al合金等。制备顺序为先准备下电极，再制备上电极。
步骤S320，在上电极和下电极之间制备透明膜。其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域的透明膜的厚度依次减小。透明膜的制作可以采用液态涂布的方式或者化学气相沉积的方式制作。当透明膜制作完成后，用等离子刻蚀或湿法刻蚀的方式在透明膜上刻蚀孔洞，即接触孔，以便上电极与下电极接触。在本实施例中，透过蓝色光线区域的透明膜厚度为0，即上电极与下电极直接接触，无需开设接触孔，工艺简单，易于大规模生产。
步骤S330，在上电极远离下电极的一侧制备有机膜层。有机膜层包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电荷产生层、电子传输层、电子注入层和阴极层。采用蒸镀的方式依次在上电极远离下电极的一侧制备空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电荷产生层、电子传输层、电子注入层和阴极层，最后制备CF(Color Filter)层。实现WOLED和CF的屏体显示。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：
上电极；
下电极，与所述上电极相对设置；
有机膜层，设置在所述上电极远离所述下电极的一侧；以及
透明膜，设置在所述上电极和所述下电极之间；
其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域的所述透明膜的厚度依次减小。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，透过红色光线区域的所述透明膜的厚度与透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度的差值为60nm-140nm，透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度与透过蓝色关系区域的所述透明的厚度的差值为60nm-140nm。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，在透过蓝色光线区域的所述上电极与所述下电极接触。
4.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述透明膜由无机材料制成。
5.根据权利要求1-4任一项所述的发光器件，其特征在于，所述上电极为氧化铟锡膜，所述下电极为银膜。
6.一种发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备上电极和下电极，所述上电极和所述下电极相对设置；
在所述上电极和所述下电极之间制备透明膜，其中，透过红色、绿色和蓝色光线的区域的所述透明膜的厚度依次减小；
所述上电极在远离所述下电极的一侧制备有机膜层。
7.根据权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在所述上电极和所述下电极之间制备有机膜层的步骤中，透过红色光线区域的所述透明膜的厚度与透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度的差值为60nm-140nm，透过绿色光线区域的所述透明膜的厚度与透过蓝色关系区域的所述透明的厚度的差值为60nm-140nm。
8.根据权利要求7所述的发光器件的制备方法，其特征在于，在透过所述蓝色光线区域的所述上电极和所述下电极接触。
9.根据权利要求6所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述透明膜由无机材料制成。
10.根据权利要求6-9任一项所述的发光器件的制备方法，其特征在于，所述上电极为氧化铟锡膜，所述下电极为银膜。
CN201410664579.1A 2014-11-19 2014-11-19 发光器件及其制备方法 Pending CN104409654A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410664579.1A CN104409654A (zh) 2014-11-19 2014-11-19 发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410664579.1A CN104409654A (zh) 2014-11-19 2014-11-19 发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104409654A true CN104409654A (zh) 2015-03-11

Family

ID=52647266

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410664579.1A Pending CN104409654A (zh) 2014-11-19 2014-11-19 发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104409654A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275503A (zh) * 2017-06-30 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制作方法
CN110085775A (zh) * 2019-05-07 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101257035A (zh) * 2007-02-26 2008-09-03 统宝光电股份有限公司 顶部发光有机电致发光显示器
CN101466178A (zh) * 2007-12-18 2009-06-24 统宝光电股份有限公司 顶部发光主动式矩阵电激发光装置
CN101661951A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 富士胶片株式会社 彩色显示装置及其制造方法
US20120001182A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN103928495A (zh) * 2013-12-31 2014-07-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101257035A (zh) * 2007-02-26 2008-09-03 统宝光电股份有限公司 顶部发光有机电致发光显示器
CN101466178A (zh) * 2007-12-18 2009-06-24 统宝光电股份有限公司 顶部发光主动式矩阵电激发光装置
CN101661951A (zh) * 2008-08-29 2010-03-03 富士胶片株式会社 彩色显示装置及其制造方法
US20120001182A1 (en) * 2010-07-02 2012-01-05 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
CN103928495A (zh) * 2013-12-31 2014-07-16 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种oled显示面板及其制备方法、显示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107275503A (zh) * 2017-06-30 2017-10-20 京东方科技集团股份有限公司 Oled器件及其制作方法
CN110085775A (zh) * 2019-05-07 2019-08-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
WO2020224141A1 (zh) * 2019-05-07 2020-11-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103000662B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103000640B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US9018621B2 (en) Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same
CN100477872C (zh) 有机电致发光组件及有机电致发光显示面板
CN103647026B (zh) 全彩化顶发射oled器件及其制备方法
CN103000641B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103022049B (zh) 阵列基板及其制作方法、显示装置
US10446798B2 (en) Top-emitting WOLED display device
CN103456764A (zh) Oled阵列基板及其制造方法、显示装置
CN105720081A (zh) 一种有机发光二极管阵列基板、显示装置和制作方法
US9679953B2 (en) WOLED back panel and method of manufacturing the same
CN103000580A (zh) 阵列基板及其制作方法
CN104952791A (zh) Amoled显示器件的制作方法及其结构
CN1816228A (zh) 主动式发光元件与主动式发光显示装置
CN104681736A (zh) 一种oled单元及其制造方法、显示面板
US10403686B2 (en) Color film substrate and display device
CN109742266A (zh) 一种oled微腔结构的制作方法
WO2015027532A1 (zh) 有机发光二极管阳极连接结构及其制作方法
CN103996693A (zh) Oled面板及其制备方法、显示装置
JP6198561B2 (ja) 有機発光素子用の金属酸化物薄膜基板及びその製造方法
WO2019001362A1 (zh) 显示基板及其制造方法、显示面板及显示装置
CN104409654A (zh) 发光器件及其制备方法
CN202930382U (zh) 阵列基板及显示装置
CN103915466A (zh) 有源矩阵有机发光二极管面板及其制造方法
CN104157793A (zh) Oled发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150311