TW514985B - Method for making a thin film structure - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 16
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 15
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013589 supplement Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 abstract 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 229910052778 Plutonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N plutonium atom Chemical compound [Pu] OYEHPCDNVJXUIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
- B81C1/00365—Creating layers of material on a substrate having low tensile stress between layers
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0136—Comb structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0102—Surface micromachining
- B81C2201/0105—Sacrificial layer
- B81C2201/0109—Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
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Description
514985 A7 " 1 B7 五、發明說明(1 ) " [技術領域】 本發明係有關一種具備基板及形成於該基板上所形成 之犧牲膜上,藉由去除犧牲膜,與基板保持預定間隔而配 置的薄膜體之溥膜構造體之製造方法。 [習知之技術] 在使用本發明之此種薄膜構造體中,藉由基板與犧牲 膜之熱收縮特性的不同,例如會有以下之情形發生:於犧 牲膜成膜後進行回火處理,使基板與犧牲膜之間產生應力 差,藉由該應力差使基板或犧牲膜,或基板及犧牲臈兩方 產生龜裂。 與此相關之以往之薄膜構造體的製造方法,係於基板 上形成作為犧牲膜之TEOS(tetraethylorthosilicate)氧化 膜,接著於TEOS氧化膜上形成薄膜體後,將TE〇s氧化 膜去除。 了疋’如以隹所示’在由TEOS氧化膜形成犧牲膜的 情況下’於熱收縮時,會有犧牲膜與基板之間所產生之應 力差較大的問題。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 [發明之開示] 本發明之目的在於提供一種薄膜構造體之製造方法, 可解決上述之問題點,同時於熱收縮時,可減少犧牲膜與 基板間所產生之應力差。 關於本發明之薄膜構造體之製造方法的第一樣態,在 具備:基板(1);及形成於前述基板上所形成之犧牲膜(51) 上’籍由去除前述犧牲膜,與前述基板保持預定間隔而配
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514985 A7 ----- -B7________ 五、發明說明(2 ) 置之薄膜體(21、23、25)的薄膜構造體之製造方法中,藉 由混入有濃度值高於3mol%的鱗的石夕氧化膜來形成前述犧 牲膜。 依此樣態,藉由混入有濃度值高於3mol0/〇的鱗的矽酸 化膜來形成犧牲膜,可抑制梦氧化膜中填的冷凝,並於熱 收縮時減少犧牲臈與基板間所產生的應力差,而防止龜裂 產生。 關於本發明之薄膜構造體之製造方法的第二樣態,其 中,前述磷之前述濃度值係設定為高於3mol%,低於4mol% 之值。 依此樣態,因為將磷之濃度值設定為高於3mol%,低 於4mol%之值,所以可抑制矽氧化膜中磷的冷凝,且在熱 收縮時減少犧牲膜與基板間所產生的應力差。 關於本發明之薄膜構造體之製造方法的第三樣態,其 中,前述犧牲膜係由PSG膜所形成。 依此樣態,因犧牲膜係由蝕刻速率高之PSG膜所形 成,所以藉由蝕刻處理可容易地將犧牲膜去除。 關於本發明之薄膜構造體之製造方法的第四樣態,其 中,前述犧牲膜是以BPSG膜所成。 依本樣態,由於犧牲膜係由蝕刻速率高之BPSg膜所 形成,所以藉由蝕刻處理可容易地將犧牲膜去除。 此外,藉由混入BPSG膜中之硼的影響,可使犧牲膜 之回流性提升。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝
•ΗΜ MB I 一51、e MB* I 關於本發明之薄膜構造體之製造方法的第五樣態,其
312840 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514985 A7 --------B7_^_ 五、發明說明(3 ) _ ’前述基板構成在加速度感測器所具備之感測基板’前 述薄膜體構成前述加速度感測器所具備之具有可檢出加速 度之功能之感測部(3)的至少一部分。 依本樣態,可防止在加速度感測器之感測部的製程申 產生龜裂。 本發明之目的、特徵、樣態及優點,藉由以下之詳細 說明及附圖,可清楚明瞭。 [圖面之簡單說明] 第1圖為說明使用本發明實施形態1之薄臈構造體之 製造方法的半導體加速度感測器的要部構成俯視圖。 第2圖為說明第1圖之A-A剖面的剖視圖。 第3圖及第4圖為說明第2圖所示構造的製程圖。 [元件符號說明] 1 基板 3 感測部 21 質量體 21a 可動電極部 23、 23a固定電極 23b 、25a 支持部 25 梁 25b 結合部 25c 彈簧部 31 基板本體 33 矽氧化膜 41、 43、 45配線 41a 露出部 41b 、43a 、45a接觸部 47 氮化膜 47a 開窗部 47b 、47c孔部 51 犧牲膜 51a 錨定孔部 53 薄膜層 [發明之最佳實施形態] 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) ~ 裝·丨丨丨丨 ---訂---- 514985
五、發明說明(4 ) 1.實施形態1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第1圖以及第2圖所示,使用關於本發明實施形態 1之薄膜構造體之製造方法的半導體加速度感測器,係具 備:感測基板,即基板1 ;及形成於該基板1上,具有可 檢出加速度之機能的感測部3。 如第1圖所示,感測部3具備有:作為可動電極而作 用的質量體21,複數固定電極23,及複數梁25。質量體 21、固定電極23以及梁25,係相當於本發明之薄膜體, 且由導電材料,例如於多晶矽中摻入雜質,例如摻雜磷之 經摻雜之多晶石夕(doped p〇lySiiicon;^形成。 質量體2 1係配置成與基板1保持預定間隔,且具有沿 著垂直於須檢出加速度之方向B的方向C延伸之複數可動 電極部21a。梁25與質量體21係一體形成,其具有懸架 質量體21之作用’使質量體21在基板1上具有回復力而 可朝方向Β移動。各個梁25具備有:突出於基板j上之 支持部25a ’與該支持部25a相結合之結合部25b,及設置 於該結合部25b與質量體21在方向B上之邊緣之間的彈 簧部25c。藉由彈簧部25c之彈性彎曲變形,使沿著結合 部25b與質量體21間之方向b的距離擴大或縮小。 各固定電極23,於方向b上相互保持預定間隔,並沿 著方向C設置。另外,固定電極23具備有:從基板1保 持預定間隔而配置之作為浮遊部的固定電極部23a及支持 該固定電極部23a之支持部23b。 如此之各固定電極23的固定電極部23a與質量體21 本紙張尺度i中_家標準(CNS)A4規格⑵G x 297公餐) 312840 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 一 ^裝----- ---訂---- A7 五、發明說明(5 ) 2:!:極部21a’係在方向B上保持間隔交互地配置, 構成電谷器。然後,以可動電極部21a之移動 電容器容量變化為基準,檢出加速度。 產生的 如第1圖以及第2圖所示,基板i具備有:例 等半導體材f所形成的基板主體31,形成於基板主髅31 上之作為第一絕緣膜的梦氧化_33,選擇性的形成於珍氧 化膜33上的複數配線41、43、45,及選擇性地覆蓋配線 41、43、45表面和魏化膜表面之作為第二絕緣獏化 膜47 〇 配線41具備有:在與基板1上之質量體21相對之相 對領域中,以露出於基板j上之狀態而配置之露出部4u; 配置於支持部25a之下方,與支持部25a作電連接之接觸 邻41b。配線43、45,係用於讀取來自固定電極之信號 者,藉由接觸部43a以及45a而與各固定電極23相連接。 與此相對應,在氮化膜47上設有開窗部47a以及孔部 47b、47c。籍由開窗部47a使配線41之露岀部4U露出於 基板1上’且使接觸部41a與支持部25a作電連接。藉由 孔部47b、47c,配線43、45之接觸部43a、45a可與固定 電極23作電連接。 對應上述之半導體加速度感測器之構成,本實施形態 以下述之製造方法製造質量體21'梁25以及固定電極23。 首先’如第3圖所示,藉由作為矽氧化膜之pSG臈 (phosphosilicategiass>,在基板1上形成犧牲臈51。於本 實施形態中,藉由將該PSG膜令之磷濃度設定為高於 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)~' 5-312840---- 「裝 f請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) • H 1· n
ϋ n I ϋ^OJ an ϋ I n I ·ϋ ϋ I _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514985
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3m〇1%,低於4mol%之值,使得熱收縮時能減低犧牲膜 51與基板1之間所產生之應力差。 於此,作為磷濃度之設定範圍基準之3m〇1%以及 4m〇l%的值,係依照試驗之結果而設定。以3m〇i%為下限, 是因為磷濃度比其低時,無法獲得有效地降低應力差之效 果。此外’以4mol%為上限,是因為磷濃度比其高時,磷 於PSG膜中會分凝,進行蝕刻處理時,不能完全去除犧牲 膜51中磷之分凝部,以致產生殘留。 接著,選擇性地去除應形成支持部25a、23b之犧牲膜 51的部分而形成錨定孔部51a,且在殘留之犧牲膜51上以 及藉由錨定孔部51a而露出之基板丨上,利用導電材料, 例如經摻雜之多晶矽,形成薄膜層53。藉此可獲得第4圖 所示構造。接著,選擇性地去除薄膜層53雨圖案化,並藉 由薄臈層53之殘留部分形成質量體21、梁25以及固定電 極23。此時,嵌入該殘留部分中之錨定孔部51a内的部份 即成為支持部25a、23b,而位於犧牲膜51上的部分則成 為質量體21、彈簧部25c、結合部25b以及固定電極部 23a。然後,藉由蝕刻處理去除犧牲膜5 1,即可得到第i 圖以及第2圖所示構造。 如上所述,根據本實施形態,藉由混入有高於3m〇1%, 低於4mol%之濃度值的磷的PSG膜形成犧牲膜51,可抑 制PSG膜中磷的分凝,並在熱收縮時減低犧牲膜51與基 板1之間產生的應力差,進而於半導體加速度感測器之感 測部3的製程中,防止龜裂產生。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·· Μ-------- —訂----- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 6 312840 514985 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(7 ) 此外,由於犧牲膜51係由蝕刻速率高之PSG膜所形 成,故藉由蝕刻處理可容易地除去犧牲膜。 2.實施形態2 關於本實施形態之薄膜構造體之製造方法也適用於前 述第1圖以及第2圖所示半導體加速度感測器。此外,本 實施形態之製造方法與前述實施形態1之製造方法,其實 質上之差異點在於犧牲膜5 1之製法的不同。因此,只就本 實施形態之製造方法與實施形態1之製造方法於實質上之 差異點加以說明。 本實施形態之製造方法中,犧牲膜51係由磷濃度設定 於預定範圍内之矽氡化膜,BPSG(borophosphosilicateglass) 膜形成。於本實施形態中,BPSG膜中之磷濃度值也是設定 為高於3mol%,低於4mol%之值。而BPSG膜_硼濃度值 則設定為一般之值,例如2.2mol%。 因此,於本實施形態中,也可抑制用以形成犧牲膜51 之BPSG膜中磷的分凝,並於熱收縮時減低犧牲膜51與基 板1之間產生的應力差,進而防止在半導體加速度感測器 之感測部3的製程中產生龜裂。 此外,由於犧牲膜51係由姓刻速率高之BPSG膜所形 成,所以藉由蝕刻處理可容易地去除犧牲膜。 再者,藉由混入BPSG膜中硼之影響,可使犧牲膜51 之回流性提升。 本發明雖已詳細說明如上,但是上述之說明僅是所有 樣態中的一種例示,所以本發明並不限於上述所說明之例 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公楚) -- 度, 7 312840 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 裝·丨丨— ----訂---- 514985 A7 _B7_____ 五、發明說明(S ) 示。而未例示之無數變形,在不脫離本發明之範圍下即可 推知。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝----- ---訂----- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
S 312840
Claims (1)
- 9U mi: 1 e於正/f正/補λ. Η3 第90118402號專利申請案 申請專利範圍修正本 (91年1〇月30日) 1 · 一種薄膜構造體之製造方法,包括: "在基板上利用混入有濃度值高於3瓜〇1%的構的矽 氧化膜形成犧牲膜之步驟; 選擇性地去除前述犧牲膜之步驟; 在遠擇性的去除後殘留的前述犧牲膜上及前述基 板上形成薄膜層之步驟;以及 去除殘留的前述犧牲膜之步驟。 2·如申請專利範圍第丨項之薄膜構造體之製造方法,其 中,’别述磷之前述濃度值係設定為高於3m〇1%,低於 4mol%之值。 3 ·如申請專利範圍第2項之薄膜構造體之製造方法,其 中,前述之犧牲膜係由PSG膜所形成。 4.如申請專利範圍第2項之薄膜構造體之製造方法,其 中,前述犧牲膜係由BPSG膜所形成。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 / 〇两如5 ·如申請專利範圍第1項至第4項中任一項之薄膜構造體 之氣ie方法,其中’前述基板係構成加速度感測為'所具 備之感測基板,前述薄膜層係構成前述加速度感測器所 具備之具有檢出加速度之功能之感測部的至少一部 分0 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規袼(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2001/006360 WO2003010828A1 (fr) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | Procede de fabrication d'une structure a couche mince |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW514985B true TW514985B (en) | 2002-12-21 |
Family
ID=11737578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW090118402A TW514985B (en) | 2001-07-23 | 2001-07-27 | Method for making a thin film structure |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6784011B2 (zh) |
JP (1) | JP4558315B2 (zh) |
KR (1) | KR100491855B1 (zh) |
CN (1) | CN1227746C (zh) |
DE (1) | DE10196643B4 (zh) |
TW (1) | TW514985B (zh) |
WO (1) | WO2003010828A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6797534B1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-09-28 | Macronix International Co., Ltd. | Method of integrating the fabrication process for integrated circuits and MEM devices |
JP2018179575A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器、および移動体 |
KR20200143605A (ko) | 2019-06-14 | 2020-12-24 | 삼성전자주식회사 | 열분해막을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 반도체 제조 장비 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자 |
CN113054093B (zh) * | 2021-03-04 | 2024-01-30 | 苏州汉天下电子有限公司 | 填充层和包括其的谐振器以及制造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US555090A (en) * | 1896-02-25 | Secondary electric clock | ||
JPH0499026A (ja) | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
JP2780236B2 (ja) | 1993-01-21 | 1998-07-30 | キヤノン販売 株式会社 | 平担化膜の形成方法 |
JPH07142707A (ja) | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Kawasaki Steel Corp | Mosトランジスタの製造方法 |
US5616513A (en) * | 1995-06-01 | 1997-04-01 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation with self aligned PSG layer |
JPH08335706A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Nippondenso Co Ltd | 半導体力学量センサの製造方法 |
US5922212A (en) * | 1995-06-08 | 1999-07-13 | Nippondenso Co., Ltd | Semiconductor sensor having suspended thin-film structure and method for fabricating thin-film structure body |
US5550090A (en) * | 1995-09-05 | 1996-08-27 | Motorola Inc. | Method for fabricating a monolithic semiconductor device with integrated surface micromachined structures |
DE19600400C2 (de) | 1996-01-08 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Mikromechanisches Bauteil mit planarisiertem Deckel auf einem Hohlraum und Herstellverfahren |
JP3163973B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 |
JP3893636B2 (ja) | 1996-03-27 | 2007-03-14 | 日産自動車株式会社 | 微小機械の製造方法 |
US5882532A (en) * | 1996-05-31 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of single-crystal silicon structures using sacrificial-layer wafer bonding |
JP4000615B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2007-10-31 | 日産自動車株式会社 | 微小機械の製造方法 |
US6228275B1 (en) | 1998-12-10 | 2001-05-08 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a sensor |
-
2001
- 2001-07-23 CN CNB018161359A patent/CN1227746C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 KR KR10-2003-7003989A patent/KR100491855B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-23 WO PCT/JP2001/006360 patent/WO2003010828A1/ja active IP Right Grant
- 2001-07-23 DE DE10196643T patent/DE10196643B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 JP JP2003516107A patent/JP4558315B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 US US10/380,476 patent/US6784011B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-27 TW TW090118402A patent/TW514985B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1227746C (zh) | 2005-11-16 |
KR20030038753A (ko) | 2003-05-16 |
JP4558315B2 (ja) | 2010-10-06 |
JPWO2003010828A1 (ja) | 2004-11-18 |
DE10196643T5 (de) | 2004-04-22 |
US20030186480A1 (en) | 2003-10-02 |
DE10196643B4 (de) | 2008-12-11 |
CN1462482A (zh) | 2003-12-17 |
US6784011B2 (en) | 2004-08-31 |
WO2003010828A1 (fr) | 2003-02-06 |
KR100491855B1 (ko) | 2005-05-27 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |