KR100491855B1 - 박막 구조체의 제조방법 - Google Patents
박막 구조체의 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100491855B1 KR100491855B1 KR10-2003-7003989A KR20037003989A KR100491855B1 KR 100491855 B1 KR100491855 B1 KR 100491855B1 KR 20037003989 A KR20037003989 A KR 20037003989A KR 100491855 B1 KR100491855 B1 KR 100491855B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- substrate
- thin film
- manufacturing
- sacrificial film
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 87
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 13
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 10
- 239000005360 phosphosilicate glass Substances 0.000 description 9
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 6
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- -1 for example Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
- B81C1/00349—Creating layers of material on a substrate
- B81C1/00365—Creating layers of material on a substrate having low tensile stress between layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0118—Cantilevers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0136—Comb structures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0102—Surface micromachining
- B81C2201/0105—Sacrificial layer
- B81C2201/0109—Sacrificial layers not provided for in B81C2201/0107 - B81C2201/0108
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
본 발명은, 반도체 가공기술을 사용하여 형성되는 박막 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 열수축시에 희생막과 기판 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있는 박막 구조체의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 그리고, 상기 목적을 달성하기 위해, 이 박막 구조체의 제조방법에서는, 기판(1) 상에 형성하는 희생막(51)이, 인 농도가 3mol%보다 크고, 4mol%보다 작은 값으로 설정된 PSG 막에 의해 형성된다. 희생막(51)은, 그 위에 박막층(53)이 형성되고, 그 박막층(53)이 패터닝된 후, 에칭처리에 의해 제거된다.
Description
본 발명은, 기판과, 이 기판 상에 형성된 희생막 위에 형성되고, 희생막의 제거에 의해 기판과 소정 간격을 두어 배치된 박막체를 구비한 박막 구조체의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명이 적용되는 이러한 종류의 박막 구조체에 있어서는, 기판과 희생막과의 열수축 특성의 차이에 의해, 예를 들면 희생막의 막형성 후에 행해지는 어닐링 처리후에, 기판과 희생막 사이에 응력차가 발생하여, 이 응력차에 의해 기판, 또는 희생막, 또는 기판 및 희생막의 양쪽에 크랙이 발생하는 경우가 있다.
이것에 관해 종래의 박막 구조체의 제조방법에서는, 기판 상에, 희생막으로서 TE0S(tetraethylorthosilicate) 산화막이 형성되고, 그 TEOS 산화막 상에 박막체가 형성된 후, TE0S 산화막이 제거된다.
그렇지만, 종래와 같이 TEOS 산화막에 의해 희생막을 형성한 경우에는, 열수축시에 희생막과 기판 사이에 생기는 응력차가 크다고 하는 문제가 있다.
(발명의 개시)
본 발명은, 상기한 것과 같은 문제점을 해결하여, 열수축시에 희생막과 기판 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있는 박막 구조체의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 관한 박막 구조체의 제조방법의 제 1 국면에서는, 기판(1)과, 상기 기판 상에 형성된 희생막(51) 위에 형성되고, 상기 희생막의 제거에 의해 상기 기판과 소정 간격을 두어 배치된 박막체(21, 23, 25)를 구비한 박막 구조체의 제조방법에 있어서, 상기 희생막을, 인이 3mol%보다 큰 농도값으로 혼입된 실리콘 산화막에 의해 형성한다.
이 국면에 따르면, 희생막을, 인이 3mol%보다 큰 농도값으로 혼입된 실리콘 산화막에 의해 형성하는 것에 의해, 실리콘 산화막 중에 있어서 인의 편석을 억제하면서, 열수축시에 희생막과 기판 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있고, 이것에 의해 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 관한 박막 구조체의 제조방법의 제 2 국면에서는, 상기 인의 상기 농도값이, 3mol%보다도 크고, 4mol%보다도 작은 값으로 설정된다.
이러한 국면에 따르면, 인의 농도값이 3mol%보다도 크고, 4mol%보다도 작은 값으로 설정되기 때문에, 실리콘 산화막 중에 있어서 인의 편석을 억제하면서, 열수축시에 희생막과 기판 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있다.
본 발명에 관한 박막 구조체의 제조방법의 제 3 국면에서는, 상기 희생막이, PSG막에 의해 형성된다.
이 국면에 따르면, 희생막이 에칭레이트가 높은 PSG 막에 의해 형성되어 있기 때문에, 에칭처리에 의해 희생막을 용이하게 제거할 수 있다.
본 발명에 관한 박막 구조체의 제조방법의 제 4 국면에서는, 상기 희생막이, BPSG 막에 의해 형성된다.
본 국면에 따르면, 희생막이 에칭레이트가 높은 BPSG 막에 의해 형성되어 있기 때문에, 에칭처리에 의해 희생막을 용이하게 제거할 수 있다. 또한, BPSG 막 중에 혼입된 붕소의 영향에 의해 희생막의 리플로우성의 향상이 도모할 수 있다.
본 발명에 관한 박막 구조체의 제조방법의 제 5 국면에서는, 상기 기판은, 가속도 센서에 구비되는 센서 기판을 구성하고, 상기 박막체는, 상기 가속도 센서에 구비되는 가속도의 검출을 행하는 기능을 갖는 센서부(3)의 적어도 일부를 구성한다.
이러한 국면에 따르면, 가속도 센서의 센서부의 제조공정에서의 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 목적, 특징, 국면 및 이점은, 이하의 상세한 설명과 첨부도면에 의해 더욱 명백해진다.
도 1은, 본 발명의 실시예 1에 관한 박막 구조체의 제조방법이 적용되는 반도체 가속도 센서의 주요부의 구성을 나타낸 평면도이다.
도 2는, 도 1의 A- A단면을 나타낸 단면도이다.
도 3 및 도 4는, 도 2에 나타낸 구조의 제조공정을 도시한 도면이다.
1. 실시예 1
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 본 발명의 실시예 1에 관한 박막 구조체의 제조방법이 적용되는 반도체 가속도 센서는, 센서 기판인 기판(1)과, 이 기판(1) 상에 형성되고, 가속도를 검출하는 기능을 갖는 센서부(3)를 구비하고 있다.
센서부(3)는, 도 1에 도시된 것과 같이, 가동전극으로서 기능하는 질량체(21)와, 복수의 고정전극(23)과, 복수의 대들보(25)를 구비하고 있다. 질량체(21), 고정전극(23) 및 대들보(25)는, 본 발명의 박막체에 해당하며, 도전재료, 예를 들면 폴리실리콘에 불순물, 예를 들면 인이 도프되어 이루어진 도프드 폴리실리콘에 의해 형성되어 있다.
질량체(21)는, 기판(1)과 소정 간격을 두어 배치되고, 검출해야 할 가속도의 방향 B에 대해 수직한 방향 C를 따라 연장되는 복수의 가동전극부(21a)를 갖고 있다. 대들보(25)는, 질량체(21)와 일체로 형성되어, 기판(1) 상에 있어서 질량체(21)를 복원력을 갖고 방향 B로 이동가능하게 현가하는 기능을 갖는다. 각 대들보(25)는, 기판(1) 상에서 돌출하는 지지부(25a)와, 그 지지부(25a)와의 결합부(25b)와, 그 결합부(25b)와 질량체(21)의 방향 B에 관한 단부 가장자리 사이에 설치되는 스프링부(25c)를 구비하고 있다. 이 스프링부(25c)가 탄성적으로 소성변형하는 것에 의해, 결합부(25b)와 질량체(21) 사이의 방향 B에 따른 거리를 확대, 축소시킨다.
각 고정전극(23)은, 방향 B로 서로 소정 간격을 두어, 방향 C를 따라 설치되어 있다. 또한, 고정전극(23)은, 기판(1)으로부터 소정 간격을 두어 배치되는 부유부인 고정전극부(23a)와, 이 고정전극부(23a)를 지지하는 지지부(23b)를 구비하고 있다.
이와 같은 각 고정전극(23)의 고정전극부(23a)와 질량체(21)의 가동전극부(21a)는, 방향 B에 관해 간격을 두어 교대로 배치되어, 콘덴서를 구성하고 있다. 그리고, 가동전극부(21a)의 이동에 의해 생기는 그 콘덴서의 용량변화에 근거하여 가속도가 검출된다.
기판(1)은, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 반도체, 예를 들면 실리콘에 의해 형성된 기판 본체(31)와, 기판 본체(31) 상에 형성된 제 1 절연막인 실리콘 산화막(33)과, 실리콘 산화막(3) 위에 선택적으로 형성된 복수의 배선(41, 43, 45)과, 배선(41, 43, 45)의 표면 및 실리콘 산화막의 표면을 선택적으로 덮는 제 2 절연막인 질화막(47)을 구비하고 있다.
배선(41)은, 기판(1) 상의 질량체(21)와 대향하는 대향 영역에서 기판(1) 상에 노출된 상태로 배치되는 노출부(41a)와, 지지부(25a)의 아래쪽에 배치되어 지지부(25a)와 전기적으로 접속되는 콘택부(41b)를 구비하고 있다. 배선(43, 45)은, 고정전극(23)으로부터의 신호를 추출하기 위한 것으로, 그것의 콘택부(43a, 45a)를 통해 각 고정전극(23)에 접속된다.
이것에 대응하여, 질화막(47)에는, 윈도우부(47a) 및 개구부(47b, 47c)가 설치되어 있다. 윈도우부(47a)를 통해 배선(41)의 노출부(41a)가 기판(1) 상에 노출되는 동시에, 콘택부(41b)가 지지부(25a)와 전기적으로 접속된다. 개구부(47b, 47c)를 통해, 배선(43, 45)의 콘택부(43a, 45a)가 고정전극(23)과 전기적으로 접속된다.
이러한 반도체 가속도 센서의 구성에 대응하여, 본 실시예에서는, 이하와 같은 제조방법에 의해 질량체(21), 대들보(25) 및 고정전극(23)을 제조한다.
우선, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(1) 상에 실리콘 산화막인 PSG(phosphosilicate glass)막에 의해 희생막(51)이 형성된다. 본 실시예에서는, 이 PSG막 중의 인 농도를, 3mol%보다 크고, 4mol%보다 작은 값으로 설정하는 것에 의해, 열수축시에 희생막(51)과 기판(1) 사이에 생기는 응력차의 저감을 도모하고 있다.
여기서, 인 농도의 설정범위의 기준이 되는 3mol% 및 4mol%의 값은, 시험 결과에 근거하여 설정된 것이다. 3 mo1%의 하한을 설정한 것은, 인 농도가 그것보다 낮게 되면, 유효한 응력차의 감소효과를 얻을 수 없기 때문이다. 또한, 4mol%의 상한을 설치한 것은, 인 농도가 그것보다 커지면 PSG 막 중에서 인이 편석하여, 에칭처리시에 희생막(51) 중의 인의 편석부가 제거되지 않고 잔류하여 버리기 때문이다.
이어서, 지지부(25a, 23b)를 형성하고자 하는 희생막(51)의 부분이 선택적으로 제거되어 앵커홀부(51a)가 형성되고, 잔류하고 있는 희생막(51) 위 및 앵커홀부(51a)를 통해 노출된 기판(1) 상에, 도전재료, 예를 들면 도프드 폴리실리콘에 의해 박막층(53)이 형성된다. 이것에 의해 도 4에 나타낸 구조를 얻을 수 있다.
이어서, 박막층(53)이 선택적으로 제거되어 패터닝되고, 그 박막층(53)의 잔류하고 있는 부분에 의해 질량체(21), 대들보(25) 및 고정전극(23)이 형성된다. 이때, 그것의 잔류하고 있는 부분 중의 앵커홀부(51a) 끼워넣어져 있는 부분이 지지부(25a, 23b)가 되고, 희생막(51) 상에 위치하고 있는 부분이 질량체(21), 스프링부(25c), 결합부(25b) 및 고정전극부(23a)로 된다. 이어서, 희생막(51)이 에칭처리에 의해 제거되어, 도 1 및 도 2에 나타낸 구조를 얻을 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 따르면, 희생막(51)을, 인이 3mol%보다 크고, 4mol%보다 작은 농도값으로 혼입된 PSG 막에 의해 형성하는 것에 의해, PSG 막 중에 있어서 인의 편석을 억제하면서, 열수축시에 희생막(51)과 기판(1) 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있으며, 이것에 의해 반도체 가속도 센서의 센서부(3)의 제조공정에서의 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 희생막(31)이 에칭레이트가 높은 PSG 막에 의해 형성되고 있기 때문에, 에칭처리에 의해 희생막을 용이하게 제거할 수 있다.
2. 실시예 2
본 실시예에 관한 박막 구조체의 제조방법도 전술한 도 1 및 도 2에 나타낸 반도체 가속도 센서에 적용된다. 또한, 본 실시예에 관한 제조방법이 전술한 실시예 1에 관한 제조방법과 실질적으로 다른 점은, 희생막(51)의 제조방법이 다른 점 뿐이다. 이 때문에, 여기서는 본 실시예에 관한 제조방법이, 실시예 1에 관한 제조방법과 실질적으로 다른 점만에 대해 설명하는 것으로 한다.
본 실시예에 관한 제조방법에서는, 희생막(51)이, 인 농도가 소정 범위 내로 설정된 실리콘 산화막인 BPSG(borophosphosilicate glass)막에 의해 형성된다. 본 실시예에 있어서도, BPSG 막 중의 인 농도가 3mol%보다 크고, 4mol%보다 작은 값으로 설정된다. 이때, BPSG 막 중의 붕소 농도는, 일반적인 값, 예를 들면 2.2mol%로 설정된다.
이것에 의해, 본 실시예에 있어서도, 희생막(51)을 형성하는 BPSG 막 중에 있어서 인의 편석을 억제하면서, 열수축시에 희생막(51)과 기판(1) 사이에 생기는 응력차를 저감할 수 있고, 이것에 의해 반도체 가속도 센서의 센서부(3)의 제조공정에서의 크랙의 발생을 방지할 수 있다.
또한, 희생막(51)이 에칭레이트가 높은 BPSG 막에 의해 형성되어 있기 때문에, 에칭처리에 의해 희생막을 용이하게 제거할 수 있다.
더구나, BPSG 막에 혼입된 붕소의 영향에 의해 희생막(51)의 리플로우성의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명을 상세히 설명하였지만, 상기한 설명은, 모든 국면에 있어서, 예시로서, 본 발명이 그것에 한정되는 것이 아니다. 예시되어 있지 않은 무수한 변형예가, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서 상정될 수 있는 것으로 해석된다.
Claims (5)
- 기판과, 상기 기판의 윗쪽에 상기 기판과 간격을 두어 형성된 박막층을 구비한 박막 구조체의 제조방법에 있어서,상기 기판 상에, 인이 3∼4mol% 농도값으로 혼입된 실리콘 산화막에 의해 희생막을 형성하는 공정과,상기 희생막을 선택적으로 제거하는 공정과,상기 희생막의 잔류 부분 위 및 상기 기판 상에, 상기 박막층을 형성하는 공정과,상기 희생막의 상기 잔류 부분을 제거하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 박막 구조체의 제조방법.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2001/006360 WO2003010828A1 (fr) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | Procede de fabrication d'une structure a couche mince |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20030038753A KR20030038753A (ko) | 2003-05-16 |
| KR100491855B1 true KR100491855B1 (ko) | 2005-05-27 |
Family
ID=11737578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2003-7003989A KR100491855B1 (ko) | 2001-07-23 | 2001-07-23 | 박막 구조체의 제조방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6784011B2 (ko) |
| JP (1) | JP4558315B2 (ko) |
| KR (1) | KR100491855B1 (ko) |
| CN (1) | CN1227746C (ko) |
| DE (1) | DE10196643B4 (ko) |
| TW (1) | TW514985B (ko) |
| WO (1) | WO2003010828A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6797534B1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-09-28 | Macronix International Co., Ltd. | Method of integrating the fabrication process for integrated circuits and MEM devices |
| JP2018179575A (ja) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量センサー、電子機器、および移動体 |
| KR20200143605A (ko) | 2019-06-14 | 2020-12-24 | 삼성전자주식회사 | 열분해막을 이용한 반도체 소자의 제조 방법, 반도체 제조 장비 및 이를 이용하여 제조된 반도체 소자 |
| CN113054093B (zh) * | 2021-03-04 | 2024-01-30 | 苏州汉天下电子有限公司 | 填充层和包括其的谐振器以及制造方法 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US555090A (en) * | 1896-02-25 | Secondary electric clock | ||
| JPH0499026A (ja) | 1990-08-06 | 1992-03-31 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置 |
| JP2780236B2 (ja) | 1993-01-21 | 1998-07-30 | キヤノン販売 株式会社 | 平担化膜の形成方法 |
| JPH07142707A (ja) * | 1993-06-17 | 1995-06-02 | Kawasaki Steel Corp | Ｍｏｓトランジスタの製造方法 |
| US5616513A (en) * | 1995-06-01 | 1997-04-01 | International Business Machines Corporation | Shallow trench isolation with self aligned PSG layer |
| US5922212A (en) * | 1995-06-08 | 1999-07-13 | Nippondenso Co., Ltd | Semiconductor sensor having suspended thin-film structure and method for fabricating thin-film structure body |
| JPH08335706A (ja) * | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Nippondenso Co Ltd | 半導体力学量センサの製造方法 |
| US5550090A (en) * | 1995-09-05 | 1996-08-27 | Motorola Inc. | Method for fabricating a monolithic semiconductor device with integrated surface micromachined structures |
| DE19600400C2 (de) | 1996-01-08 | 2002-05-16 | Infineon Technologies Ag | Mikromechanisches Bauteil mit planarisiertem Deckel auf einem Hohlraum und Herstellverfahren |
| JP3163973B2 (ja) * | 1996-03-26 | 2001-05-08 | 日本電気株式会社 | 半導体ウエハ・チャック装置及び半導体ウエハの剥離方法 |
| JP3893636B2 (ja) | 1996-03-27 | 2007-03-14 | 日産自動車株式会社 | 微小機械の製造方法 |
| US5882532A (en) * | 1996-05-31 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Fabrication of single-crystal silicon structures using sacrificial-layer wafer bonding |
| JP4000615B2 (ja) * | 1997-03-21 | 2007-10-31 | 日産自動車株式会社 | 微小機械の製造方法 |
| US6228275B1 (en) * | 1998-12-10 | 2001-05-08 | Motorola, Inc. | Method of manufacturing a sensor |
-
2001
- 2001-07-23 JP JP2003516107A patent/JP4558315B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 US US10/380,476 patent/US6784011B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 KR KR10-2003-7003989A patent/KR100491855B1/ko active IP Right Grant
- 2001-07-23 DE DE10196643T patent/DE10196643B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 WO PCT/JP2001/006360 patent/WO2003010828A1/ja active IP Right Grant
- 2001-07-23 CN CNB018161359A patent/CN1227746C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-27 TW TW090118402A patent/TW514985B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW514985B (en) | 2002-12-21 |
| US20030186480A1 (en) | 2003-10-02 |
| DE10196643B4 (de) | 2008-12-11 |
| DE10196643T5 (de) | 2004-04-22 |
| JPWO2003010828A1 (ja) | 2004-11-18 |
| CN1227746C (zh) | 2005-11-16 |
| US6784011B2 (en) | 2004-08-31 |
| WO2003010828A1 (fr) | 2003-02-06 |
| JP4558315B2 (ja) | 2010-10-06 |
| CN1462482A (zh) | 2003-12-17 |
| KR20030038753A (ko) | 2003-05-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6030850A (en) | Method for manufacturing a sensor | |
| USRE42083E1 (en) | Acceleration sensor and process for the production thereof | |
| US6076404A (en) | Micromechanical sensor including a single-crystal silicon support | |
| US6388300B1 (en) | Semiconductor physical quantity sensor and method of manufacturing the same | |
| DE69936590D1 (de) | Vibrationskreisels und sein herstellungsverfahren | |
| JP4665942B2 (ja) | 半導体力学量センサ | |
| US6346735B1 (en) | Semiconductor sensor structure and method of manufacturing the same | |
| KR100562061B1 (ko) | 박막구조체 및 그 제조방법 | |
| KR100491855B1 (ko) | 박막 구조체의 제조방법 | |
| US5920013A (en) | Silicon micromachine with sacrificial pedestal | |
| US6812568B2 (en) | Electrode structure, and method for manufacturing thin-film structure | |
| KR20000028948A (ko) | 각속도 센서 제조방법 | |
| KR100511019B1 (ko) | 박막구조체의 제조방법 | |
| US7041593B2 (en) | Method for manufacturing thin-film structure | |
| KR100555616B1 (ko) | 박막구조체 및 그 제조방법과, 가속도 센서 및 그 제조방법 | |
| JP4134384B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| JPH11186566A (ja) | 微小装置の製造方法 | |
| JP2000040830A (ja) | 力学量センサとその製造方法 | |
| JP2000082824A (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| US20010045610A1 (en) | Micro-machined surface structure | |
| JP4122572B2 (ja) | 半導体力学量センサの製造方法 | |
| US10479675B2 (en) | Method of production of semiconductor device having semiconductor layer and support substrate spaced apart by recess | |
| JPH06196721A (ja) | 半導体加速度センサ及びその製造方法 | |
| JP2003075466A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| JPH07245415A (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130502 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140418 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150417 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160418 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170421 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180503 Year of fee payment: 14 |