JP2003075466A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0808—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate
- G01P2015/0811—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass
- G01P2015/0814—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining in-plane movement of the mass, i.e. movement of the mass in the plane of the substrate for one single degree of freedom of movement of the mass for translational movement of the mass, e.g. shuttle type
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 最大定格を超過するような加速度が作用した
場合に於いても、安定して動作する半導体加速度センサ
を提供すること。 【解決手段】 半導体基板１に、浮遊状態で設けた錘部
２１と、一端が錘部２１と弾性的に連結され他端が半導
体基板１に支持された架橋部２４と、錘部２１の側壁に
突設された可動電極プレート部２２を有すると共に、可
動電極プレート部２２と容量結合するように対向し半導
体基板１に片持ち支持された固定電極プレート部２３
ａ、２３ｂと、を具備し、作用した加速度によって可動
電極プレート部２２と固定電極プレート部２３ａ、２３
ｂに生じる距離変化を電気量に変換して加速度を検出す
る半導体加速度センサである。可動電極プレート部２２
又は固定電極プレート部２３ａ、２３ｂの少なくとも一
方に吸着防止部２５が形成されている。
場合に於いても、安定して動作する半導体加速度センサ
を提供すること。 【解決手段】 半導体基板１に、浮遊状態で設けた錘部
２１と、一端が錘部２１と弾性的に連結され他端が半導
体基板１に支持された架橋部２４と、錘部２１の側壁に
突設された可動電極プレート部２２を有すると共に、可
動電極プレート部２２と容量結合するように対向し半導
体基板１に片持ち支持された固定電極プレート部２３
ａ、２３ｂと、を具備し、作用した加速度によって可動
電極プレート部２２と固定電極プレート部２３ａ、２３
ｂに生じる距離変化を電気量に変換して加速度を検出す
る半導体加速度センサである。可動電極プレート部２２
又は固定電極プレート部２３ａ、２３ｂの少なくとも一
方に吸着防止部２５が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体加速度セン
サに関し、特に、静電容量型の半導体加速度センサ及び
その製造方法に関するものである。
サに関し、特に、静電容量型の半導体加速度センサ及び
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、加速度を検出するために用い
られる半導体加速度センサとしては、ピエゾ抵抗型、静
電容量型等が提案されている。この種の半導体加速度セ
ンサは、半導体基板に可動部と固定部とを有する構造と
しており、加速度が入力した際に、可動部と固定部との
間に微小な変位が生じるように形成されている。この微
小な変位を、可動部と固定部との間に形成された検知手
段、例えば、ピエゾ抵抗やコンデンサ等で電気的に検知
することにより加速度を検出することができる。
られる半導体加速度センサとしては、ピエゾ抵抗型、静
電容量型等が提案されている。この種の半導体加速度セ
ンサは、半導体基板に可動部と固定部とを有する構造と
しており、加速度が入力した際に、可動部と固定部との
間に微小な変位が生じるように形成されている。この微
小な変位を、可動部と固定部との間に形成された検知手
段、例えば、ピエゾ抵抗やコンデンサ等で電気的に検知
することにより加速度を検出することができる。
【０００３】このような半導体加速度センサのうち、例
えば、図５に示すような静電容量型の半導体加速度セン
サは、半導体基板１００に錘部１０１が浮遊状態で設け
られており、錘部１０１には、加速度が作用した際の錘
部１０１の変位方向に対して平行な面から櫛歯状の可動
電極プレート部１０２が突設されている。さらに、錘部
１０１の変位方向に対して直交する面には半導体基板１
００にアンカー部１０３ａでもって支持された架橋部１
０４が錘部１０１と弾性的に連結されている。また、可
動電極プレート部１０２と容量結合するよう間隔をおい
て対向するように、櫛歯状の固定電極プレート部１０５
ａ、１０５ｂがアンカー部１０３ｂを介して半導体基板
１００に片持ち支持されている。
えば、図５に示すような静電容量型の半導体加速度セン
サは、半導体基板１００に錘部１０１が浮遊状態で設け
られており、錘部１０１には、加速度が作用した際の錘
部１０１の変位方向に対して平行な面から櫛歯状の可動
電極プレート部１０２が突設されている。さらに、錘部
１０１の変位方向に対して直交する面には半導体基板１
００にアンカー部１０３ａでもって支持された架橋部１
０４が錘部１０１と弾性的に連結されている。また、可
動電極プレート部１０２と容量結合するよう間隔をおい
て対向するように、櫛歯状の固定電極プレート部１０５
ａ、１０５ｂがアンカー部１０３ｂを介して半導体基板
１００に片持ち支持されている。
【０００４】上記構成の半導体加速度センサによれば、
半導体加速度センサに加速度が作用すると、錘部１０１
は加速度の作用方向とは相対的に反対方向に変位する。
この場合、可動電極プレート部１０２と固定電極プレー
ト部１０５ａ、１０５ｂとの距離のうち一方が増加し他
方が減少するので、その距離変化に応じた静電容量変化
を差動検出することにより加速度を検出することができ
る。
半導体加速度センサに加速度が作用すると、錘部１０１
は加速度の作用方向とは相対的に反対方向に変位する。
この場合、可動電極プレート部１０２と固定電極プレー
ト部１０５ａ、１０５ｂとの距離のうち一方が増加し他
方が減少するので、その距離変化に応じた静電容量変化
を差動検出することにより加速度を検出することができ
る。
【０００５】ところで、上記のような半導体加速度セン
サにおいて、可動電極プレート部１０２と固定電極プレ
ート部１０５ａ、１０５ｂとの間隔は、加速度の検出感
度と反比例の関係にあるため、許容される範囲で狭くす
ることが求められる。一方、加速度検出の定格範囲内に
おいては、可動電極プレート部１０２と固定電極プレー
ト部１０５ａ、１０５ｂは接触しないよう十分広い間隔
に形成しなければならず、これら二つの条件を満足する
ように半導体加速度センサは最適設計されている。さら
に、このように設計された半導体加速度センサに対して
求められる性能は、過大入力に対する衝撃耐性である。
実際、加速度検出の最大定格に対して１０００倍を越え
る加速度を受けても破壊しないことが求められる場合も
ある。
サにおいて、可動電極プレート部１０２と固定電極プレ
ート部１０５ａ、１０５ｂとの間隔は、加速度の検出感
度と反比例の関係にあるため、許容される範囲で狭くす
ることが求められる。一方、加速度検出の定格範囲内に
おいては、可動電極プレート部１０２と固定電極プレー
ト部１０５ａ、１０５ｂは接触しないよう十分広い間隔
に形成しなければならず、これら二つの条件を満足する
ように半導体加速度センサは最適設計されている。さら
に、このように設計された半導体加速度センサに対して
求められる性能は、過大入力に対する衝撃耐性である。
実際、加速度検出の最大定格に対して１０００倍を越え
る加速度を受けても破壊しないことが求められる場合も
ある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体加
速度センサが最大定格を超過するような加速度を受けた
場合、可動電極プレート部１０２と固定電極プレート部
１０５ａ、１０５ｂとが瞬間的に接触することが避けら
れず、この接触があると静電気力により可動電極プレー
ト部１０２と固定電極プレート部１０５ａ、１０５ｂと
が吸着してしまうという現象が生じる。
速度センサが最大定格を超過するような加速度を受けた
場合、可動電極プレート部１０２と固定電極プレート部
１０５ａ、１０５ｂとが瞬間的に接触することが避けら
れず、この接触があると静電気力により可動電極プレー
ト部１０２と固定電極プレート部１０５ａ、１０５ｂと
が吸着してしまうという現象が生じる。
【０００７】このような現象を防止するものとして、図
６に示す、特開２０００−２０６１４２で提案されてい
る半導体加速度センサは、重錘部２０１と可動電極２０
２よりなる可動部２００の変位方向には、半導体基板
（図示せず）にアンカー部２０３ａ、２０３ｂを介して
固定されたストッパ部２０４ａ、２０４ｂを、容量結合
された可動電極２０２と固定電極２０５との間隔よりも
狭い間隔を持って可動部２００に対向して設けている。
さらに、ストッパ部２０４ａ、２０４ｂの可動部２００
と対向する面に、この面から可動部２００に向かって突
出する突起部２０６ａ、２０６ｂを設けることにより、
最大定格を超過するような加速度が作用した場合に、可
動電極２０２と固定電極２０５が当接することによって
生じる両電極２０２、２０５の吸着の防止を図るもので
ある。
６に示す、特開２０００−２０６１４２で提案されてい
る半導体加速度センサは、重錘部２０１と可動電極２０
２よりなる可動部２００の変位方向には、半導体基板
（図示せず）にアンカー部２０３ａ、２０３ｂを介して
固定されたストッパ部２０４ａ、２０４ｂを、容量結合
された可動電極２０２と固定電極２０５との間隔よりも
狭い間隔を持って可動部２００に対向して設けている。
さらに、ストッパ部２０４ａ、２０４ｂの可動部２００
と対向する面に、この面から可動部２００に向かって突
出する突起部２０６ａ、２０６ｂを設けることにより、
最大定格を超過するような加速度が作用した場合に、可
動電極２０２と固定電極２０５が当接することによって
生じる両電極２０２、２０５の吸着の防止を図るもので
ある。
【０００８】これにより、可動電極２０２と固定電極２
０５の吸着がかなりの程度防止できたのであるが、この
ものの場合、ストッパ部２０４ａ、２０４ｂは、可動部
２００に複数ある可動電極２０２のうち端部にあるもの
にのみ対向して設けられている。そのため、半導体加速
度センサに過大な加速度が作用すると、可動電極２０２
とストッパ部２０４ａ、２０４ｂとが当接した後で、可
動電極２０２が撓んでしまい、すべての可動電極２０２
と固定電極２０５に対して吸着防止を図ることが困難で
ある。また、このものにおいて、すべての可動電極２０
２と固定電極２０５に吸着防止を図るためには、ストッ
パ部２０４ａ、２０４ｂは可動電極２０２や固定電極２
０５を跨ぐように配設しなければならず、配線構造が複
雑になってしまう。
０５の吸着がかなりの程度防止できたのであるが、この
ものの場合、ストッパ部２０４ａ、２０４ｂは、可動部
２００に複数ある可動電極２０２のうち端部にあるもの
にのみ対向して設けられている。そのため、半導体加速
度センサに過大な加速度が作用すると、可動電極２０２
とストッパ部２０４ａ、２０４ｂとが当接した後で、可
動電極２０２が撓んでしまい、すべての可動電極２０２
と固定電極２０５に対して吸着防止を図ることが困難で
ある。また、このものにおいて、すべての可動電極２０
２と固定電極２０５に吸着防止を図るためには、ストッ
パ部２０４ａ、２０４ｂは可動電極２０２や固定電極２
０５を跨ぐように配設しなければならず、配線構造が複
雑になってしまう。
【０００９】本発明は、上記の点に鑑みてなしたもので
あり、その目的とするところは、最大定格を超過するよ
うな加速度が作用した場合に於いても、安定して動作す
る半導体加速度センサを提供することにある。
あり、その目的とするところは、最大定格を超過するよ
うな加速度が作用した場合に於いても、安定して動作す
る半導体加速度センサを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明の半導体加速度センサは、半導
体基板に、浮遊状態で設けられて作用する加速度に応じ
て前記半導体基板と相対的に変位する錘部と、一端が前
記錘部と弾性的に連結され他端が前記半導体基板に支持
された架橋部と、前記錘部の側壁に突設された可動電極
プレート部と、前記可動電極プレート部と容量結合する
ように間隔をおいて対向し前記半導体基板に片持ち支持
された固定電極プレート部と、を具備し、作用した加速
度によって前記可動電極プレート部と前記固定電極プレ
ートに生じる距離変化を電気量に変換して加速度を検出
する半導体加速度センサにおいて、前記可動電極プレー
ト部又は前記固定電極プレート部の少なくとも一方に吸
着防止部が形成されていることを特徴としている。
に、請求項１に係る発明の半導体加速度センサは、半導
体基板に、浮遊状態で設けられて作用する加速度に応じ
て前記半導体基板と相対的に変位する錘部と、一端が前
記錘部と弾性的に連結され他端が前記半導体基板に支持
された架橋部と、前記錘部の側壁に突設された可動電極
プレート部と、前記可動電極プレート部と容量結合する
ように間隔をおいて対向し前記半導体基板に片持ち支持
された固定電極プレート部と、を具備し、作用した加速
度によって前記可動電極プレート部と前記固定電極プレ
ートに生じる距離変化を電気量に変換して加速度を検出
する半導体加速度センサにおいて、前記可動電極プレー
ト部又は前記固定電極プレート部の少なくとも一方に吸
着防止部が形成されていることを特徴としている。
【００１１】これにより、最大定格を超過するような加
速度を受けたときの可動電極プレート部と固定電極プレ
ート部との接触は、吸着防止部による微小な面積部分の
みとなり、同時に静電気力も微小となるので、両電極プ
レート部の吸着を防止することができる。
速度を受けたときの可動電極プレート部と固定電極プレ
ート部との接触は、吸着防止部による微小な面積部分の
みとなり、同時に静電気力も微小となるので、両電極プ
レート部の吸着を防止することができる。
【００１２】請求項２に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項１記載の構成において、吸着防止部を、可動
電極プレート部又は固定電極プレート部と同じ材質で形
成したものとしている。これにより、吸着防止部は、可
動電極プレート部又は固定電極プレート部を形成するた
めのマスクパターンの変更のみで各電極プレート部と一
体形成することができるので、電極プレート部の吸着防
止に優れた半導体加速度センサを簡易に形成することが
できる。
は、請求項１記載の構成において、吸着防止部を、可動
電極プレート部又は固定電極プレート部と同じ材質で形
成したものとしている。これにより、吸着防止部は、可
動電極プレート部又は固定電極プレート部を形成するた
めのマスクパターンの変更のみで各電極プレート部と一
体形成することができるので、電極プレート部の吸着防
止に優れた半導体加速度センサを簡易に形成することが
できる。
【００１３】請求項３に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項２記載の構成において、吸着防止部の表面又
は該吸着防止部と相対する部位の表面の少なくとも一方
に絶縁層を形成したものとしている。これにより、半導
体加速度センサが最大定格を超過するような加速度を受
けた際に、可動電極プレート部と固定電極プレート部と
が接触しても、絶縁層により互いに絶縁されているの
で、静電気力による可動電極プレート部と固定電極プレ
ート部との吸着を防止できると共に、電位の異なる部分
が短絡することによる信号処理回路部等の周辺回路の電
気的な破壊や誤動作を防止することができる。
は、請求項２記載の構成において、吸着防止部の表面又
は該吸着防止部と相対する部位の表面の少なくとも一方
に絶縁層を形成したものとしている。これにより、半導
体加速度センサが最大定格を超過するような加速度を受
けた際に、可動電極プレート部と固定電極プレート部と
が接触しても、絶縁層により互いに絶縁されているの
で、静電気力による可動電極プレート部と固定電極プレ
ート部との吸着を防止できると共に、電位の異なる部分
が短絡することによる信号処理回路部等の周辺回路の電
気的な破壊や誤動作を防止することができる。
【００１４】請求項４に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項３記載の構成において、絶縁層を、熱酸化法
により形成したものとしている。これにより、絶縁層は
半導体プロセスにより形成されるので、絶縁層の膜厚を
均一に形成することができ、可動電極プレート部と固定
電極プレート部との間隔のばらつきが低減されて、加速
度の検出感度を向上させることができる。
は、請求項３記載の構成において、絶縁層を、熱酸化法
により形成したものとしている。これにより、絶縁層は
半導体プロセスにより形成されるので、絶縁層の膜厚を
均一に形成することができ、可動電極プレート部と固定
電極プレート部との間隔のばらつきが低減されて、加速
度の検出感度を向上させることができる。
【００１５】請求項５に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項３記載の構成において、絶縁層を、ＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により形成したものとしている。これにより、絶
縁層は高温の半導体プロセスを経ることなく形成される
ので、絶縁層と可動電極プレート部あるいは絶縁層と固
定電極プレート部との熱応力の差による可動電極プレー
ト部や固定電極プレート部の変形を防止することができ
る。
は、請求項３記載の構成において、絶縁層を、ＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により形成したものとしている。これにより、絶
縁層は高温の半導体プロセスを経ることなく形成される
ので、絶縁層と可動電極プレート部あるいは絶縁層と固
定電極プレート部との熱応力の差による可動電極プレー
ト部や固定電極プレート部の変形を防止することができ
る。
【００１６】請求項６に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項１記載の構成において、吸着防止部を、絶縁
材により形成したものとしている。これにより、吸着防
止部が可動電極プレート部又は固定電極プレート部と同
材質であることによる両電極プレート部間の容量ばらつ
きを低減することができるので、加速度の検出感度を向
上させることができる。
は、請求項１記載の構成において、吸着防止部を、絶縁
材により形成したものとしている。これにより、吸着防
止部が可動電極プレート部又は固定電極プレート部と同
材質であることによる両電極プレート部間の容量ばらつ
きを低減することができるので、加速度の検出感度を向
上させることができる。
【００１７】請求項７に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項６記載の構成において、吸着防止部を、可動
電極プレート部又は固定電極プレート部にシリコン窒化
膜を堆積形成し、所定のパターンでエッチングすること
により形成したものとしている。これにより、堆積させ
たシリコン窒化膜をエッチングする一工程の追加のみで
吸着防止部が形成できるので、電極プレート部の吸着防
止に優れた半導体加速度センサを簡易に形成することが
できる。
は、請求項６記載の構成において、吸着防止部を、可動
電極プレート部又は固定電極プレート部にシリコン窒化
膜を堆積形成し、所定のパターンでエッチングすること
により形成したものとしている。これにより、堆積させ
たシリコン窒化膜をエッチングする一工程の追加のみで
吸着防止部が形成できるので、電極プレート部の吸着防
止に優れた半導体加速度センサを簡易に形成することが
できる。
【００１８】請求項８に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項６又は７記載の構成において、吸着防止部
を、可動電極プレート部又は固定電極プレート部にシリ
コン窒化膜を堆積形成し、所定のパターンでエッチング
した後、エッチバックによるサイドウォール層により形
成したものとしている。これにより、さらに微小な吸着
防止部を形成することができるので、電極プレート部の
吸着防止により優れた半導体加速度センサを簡易に形成
することができる。
は、請求項６又は７記載の構成において、吸着防止部
を、可動電極プレート部又は固定電極プレート部にシリ
コン窒化膜を堆積形成し、所定のパターンでエッチング
した後、エッチバックによるサイドウォール層により形
成したものとしている。これにより、さらに微小な吸着
防止部を形成することができるので、電極プレート部の
吸着防止により優れた半導体加速度センサを簡易に形成
することができる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づき説明する。 ［第１の実施形態］
に基づき説明する。 ［第１の実施形態］
【００２０】図１は、本実施形態に係る半導体加速度セ
ンサを示す平面図であり、図２の（ａ）は図１のＡ−Ａ
線に沿った断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線に沿った断
面図である。
ンサを示す平面図であり、図２の（ａ）は図１のＡ−Ａ
線に沿った断面図、（ｂ）は図１のＢ−Ｂ線に沿った断
面図である。
【００２１】この半導体加速度センサは、半導体基板１
上に設けられた錘部２１及び錘部２１に一体形成された
可動電極プレート部２２並びに固定電極プレート部２３
ａ、２３ｂと、錘部２１に弾性的に連結された架橋部２
４、そして可動電極プレート部２２と固定電極プレート
部２３ａ、２３ｂに一体形成された吸着防止部２５によ
って構成されている。
上に設けられた錘部２１及び錘部２１に一体形成された
可動電極プレート部２２並びに固定電極プレート部２３
ａ、２３ｂと、錘部２１に弾性的に連結された架橋部２
４、そして可動電極プレート部２２と固定電極プレート
部２３ａ、２３ｂに一体形成された吸着防止部２５によ
って構成されている。
【００２２】錘部２１は、半導体基板１上にシリコン酸
化膜層（後に消滅）を介し、厚さ約３００μｍとして設
けられた多結晶シリコン層２にて形成されており、その
形状は矩形状をしている。
化膜層（後に消滅）を介し、厚さ約３００μｍとして設
けられた多結晶シリコン層２にて形成されており、その
形状は矩形状をしている。
【００２３】可動電極プレート部２２は、錘部２１と同
じ多結晶シリコン層２にて形成されており、錘部２１の
可動方向（図１におけるＸ−Ｘ方向）に対して平行な側
面（側方）に櫛歯状に突設して一体形成された矩形梁状
をなしている。また、可動電極プレート部２２は、後述
するアンカー部２６ｃを介して、後述する配線抵抗３ｃ
と電気的に接続されている。
じ多結晶シリコン層２にて形成されており、錘部２１の
可動方向（図１におけるＸ−Ｘ方向）に対して平行な側
面（側方）に櫛歯状に突設して一体形成された矩形梁状
をなしている。また、可動電極プレート部２２は、後述
するアンカー部２６ｃを介して、後述する配線抵抗３ｃ
と電気的に接続されている。
【００２４】固定電極プレート部２３ａ、２３ｂは、２
種類の長さの電極プレートで構成されており、可動電極
プレート部２２同様、多結晶シリコン層２にて形成され
ている。そして、それぞれが可動電極プレート部２２の
長辺方向と対向するように櫛歯状に配設されており、そ
の形状は矩形梁状をなしている。また、両電極プレート
部２３ａ、２３ｂは、後述するアンカー部２６ａ、２６
ｂを介して後述する配線抵抗３ａ、３ｂと電気的に接続
されており、可動電極プレート部２２に対して同一側
（図１において、可動電極プレート部２２における上側
又は下側）に配設された固定電極プレート部２３ａ、２
３ｂ同士が、配線抵抗３ａ、３ｂによって接続されてい
る。
種類の長さの電極プレートで構成されており、可動電極
プレート部２２同様、多結晶シリコン層２にて形成され
ている。そして、それぞれが可動電極プレート部２２の
長辺方向と対向するように櫛歯状に配設されており、そ
の形状は矩形梁状をなしている。また、両電極プレート
部２３ａ、２３ｂは、後述するアンカー部２６ａ、２６
ｂを介して後述する配線抵抗３ａ、３ｂと電気的に接続
されており、可動電極プレート部２２に対して同一側
（図１において、可動電極プレート部２２における上側
又は下側）に配設された固定電極プレート部２３ａ、２
３ｂ同士が、配線抵抗３ａ、３ｂによって接続されてい
る。
【００２５】架橋部２４は、同じく多結晶シリコン層２
にて形成され、錘部２１の可動方向に対して直交する方
向の面に連設されている。その形状は、錘部２１の可動
方向に対して直交する方向に伸長した矩形枠形状をして
おり、架橋部２４の伸長方向と平行な部位は、錘部２１
が弾性可動するように薄膜状に形成されている。
にて形成され、錘部２１の可動方向に対して直交する方
向の面に連設されている。その形状は、錘部２１の可動
方向に対して直交する方向に伸長した矩形枠形状をして
おり、架橋部２４の伸長方向と平行な部位は、錘部２１
が弾性可動するように薄膜状に形成されている。
【００２６】ここで、錘部２１、可動電極プレート部２
２、架橋部２４及び固定電極プレート部２３ａ、２３ｂ
は、半導体基板１と多結晶シリコン層２の間のシリコン
酸化膜層をエッチングにより除去することによって、半
導体基板１から分離浮遊して設けられる。これを、半導
体基板１に突設したアンカー部２６ａ、２６ｂ、２６ｃ
によって、架橋部２４並びに固定電極プレート部２３
ａ、２３ｂを支持することにより、錘部２１と可動電極
プレート部２２及び固定電極プレート部２３ａ、２３ｂ
を浮遊状態で保持している。
２、架橋部２４及び固定電極プレート部２３ａ、２３ｂ
は、半導体基板１と多結晶シリコン層２の間のシリコン
酸化膜層をエッチングにより除去することによって、半
導体基板１から分離浮遊して設けられる。これを、半導
体基板１に突設したアンカー部２６ａ、２６ｂ、２６ｃ
によって、架橋部２４並びに固定電極プレート部２３
ａ、２３ｂを支持することにより、錘部２１と可動電極
プレート部２２及び固定電極プレート部２３ａ、２３ｂ
を浮遊状態で保持している。
【００２７】吸着防止部２５は、多結晶シリコン層２に
て形成され、可動電極プレート部２２及び固定電極プレ
ート部２３ａ、２３ｂの形成の際に、両電極プレート部
２２、２３ａ、２３ｂと一体形成されており、対向する
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂに対して、異なる
位置で互いに突出するように設けられている。この突設
位置は、両電極プレート部２２，２３ａ、２３ｂの先端
近傍であり、その突出量は、半導体加速度センサに作用
する加速度が最大定格を超過したときにのみ可動電極プ
レート部２２と固定電極プレート部２３ａ、２３ｂが接
触するように調整されている。
て形成され、可動電極プレート部２２及び固定電極プレ
ート部２３ａ、２３ｂの形成の際に、両電極プレート部
２２、２３ａ、２３ｂと一体形成されており、対向する
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂに対して、異なる
位置で互いに突出するように設けられている。この突設
位置は、両電極プレート部２２，２３ａ、２３ｂの先端
近傍であり、その突出量は、半導体加速度センサに作用
する加速度が最大定格を超過したときにのみ可動電極プ
レート部２２と固定電極プレート部２３ａ、２３ｂが接
触するように調整されている。
【００２８】なお、配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃは、半導
体基板１上に設けられた電極４と電気的に接続されてい
る。
体基板１上に設けられた電極４と電気的に接続されてい
る。
【００２９】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、半導体基板１の表面にシリコン酸化膜（図示せず）
を形成する。次いで、後に架橋部２４並びに固定電極プ
レート部２３ａ、２３ｂ、２３ｃのアンカー部２６ａ、
２６ｂ、２６ｃとなる部位のシリコン酸化膜を除去し、
不純物を拡散して配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃを形成した
後、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜の上に多結晶シリ
コン層２を形成する。次いで、多結晶シリコン層２を所
望の錘部２１、架橋部２４、可動電極プレート部２２、
固定電極プレート部２３ａ、２３ｂおよび吸着防止部２
５となるように異方性エッチングしてパターニングした
後、多結晶シリコン層２下部のシリコン酸化膜をエッチ
ング除去する。そして、半導体基板１及び多結晶シリコ
ン層２を熱酸化してシリコン酸化膜よりなる絶縁層５を
半導体基板１及び多結晶シリコン層２上に形成させた
後、配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃ上の所定の部位の絶縁層
５をエッチングし、電極４を形成して半導体加速度セン
サを完成する。
ず、半導体基板１の表面にシリコン酸化膜（図示せず）
を形成する。次いで、後に架橋部２４並びに固定電極プ
レート部２３ａ、２３ｂ、２３ｃのアンカー部２６ａ、
２６ｂ、２６ｃとなる部位のシリコン酸化膜を除去し、
不純物を拡散して配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃを形成した
後、ＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜の上に多結晶シリ
コン層２を形成する。次いで、多結晶シリコン層２を所
望の錘部２１、架橋部２４、可動電極プレート部２２、
固定電極プレート部２３ａ、２３ｂおよび吸着防止部２
５となるように異方性エッチングしてパターニングした
後、多結晶シリコン層２下部のシリコン酸化膜をエッチ
ング除去する。そして、半導体基板１及び多結晶シリコ
ン層２を熱酸化してシリコン酸化膜よりなる絶縁層５を
半導体基板１及び多結晶シリコン層２上に形成させた
後、配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃ上の所定の部位の絶縁層
５をエッチングし、電極４を形成して半導体加速度セン
サを完成する。
【００３０】以上説明した半導体加速度センサによる
と、最大定格を超過するような加速度が作用した場合、
可動電極プレート部２２と固定電極プレート部２３ａ、
２３ｂは、シリコン酸化膜よりなる絶縁層５で被覆され
た吸着防止部２５の微小な面積でのみ接触するので、静
電気力も微小となり、可動電極プレート部２２と固定電
極プレート部２３ａ、２３ｂの吸着を防止できる。しか
も、絶縁層５により両電極プレート部２２、２３ａ、２
３ｂの短絡による電気的な破壊や誤動作を防止すること
ができる。さらに、吸着防止部２５及び絶縁層５共に半
導体プロセスにて形成するので、両電極プレート部２
２、２３ａ、２３ｂ間の間隔のばらつきが低減でき、加
速度の検出感度の優れた半導体加速度センサを簡易に形
成することができる。
と、最大定格を超過するような加速度が作用した場合、
可動電極プレート部２２と固定電極プレート部２３ａ、
２３ｂは、シリコン酸化膜よりなる絶縁層５で被覆され
た吸着防止部２５の微小な面積でのみ接触するので、静
電気力も微小となり、可動電極プレート部２２と固定電
極プレート部２３ａ、２３ｂの吸着を防止できる。しか
も、絶縁層５により両電極プレート部２２、２３ａ、２
３ｂの短絡による電気的な破壊や誤動作を防止すること
ができる。さらに、吸着防止部２５及び絶縁層５共に半
導体プロセスにて形成するので、両電極プレート部２
２、２３ａ、２３ｂ間の間隔のばらつきが低減でき、加
速度の検出感度の優れた半導体加速度センサを簡易に形
成することができる。
【００３１】なお、多結晶シリコン層２の厚さは、上記
厚さに限定されるものではなく、加速度検出の仕様に応
じて適宜設定する。
厚さに限定されるものではなく、加速度検出の仕様に応
じて適宜設定する。
【００３２】また、吸着防止部２５において、対向する
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂが加速度検出の定
格範囲内で接触しない位置であれば、その突設位置は特
に限定されるものではない。
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂが加速度検出の定
格範囲内で接触しない位置であれば、その突設位置は特
に限定されるものではない。
【００３３】また、可動電極プレート部２２又は固定電
極プレート部２３ａ、２３ｂのどちらか一方に形成され
ていれば、吸着防止の効果が得られることは言うまでも
ない。
極プレート部２３ａ、２３ｂのどちらか一方に形成され
ていれば、吸着防止の効果が得られることは言うまでも
ない。
【００３４】また、絶縁層５の形成方法も熱酸化法に限
定されるものではなく、例えばＣＶＤ法を用いて形成し
てもよい。 ［第２の実施形態］
定されるものではなく、例えばＣＶＤ法を用いて形成し
てもよい。 ［第２の実施形態］
【００３５】図３は、本実施形態に係る半導体加速度セ
ンサを示す平面図であり、図４は、図３のＣ−Ｃ線に沿
った断面図である。
ンサを示す平面図であり、図４は、図３のＣ−Ｃ線に沿
った断面図である。
【００３６】この実施形態の半導体加速度センサは、吸
着防止部６１が第１の実施形態と異なるもので、他の構
成要素は第１の実施形態のものと実質的に同一であるの
で説明を省略する。また、同一部材においては第１の実
施形態と同一の番号を付す。
着防止部６１が第１の実施形態と異なるもので、他の構
成要素は第１の実施形態のものと実質的に同一であるの
で説明を省略する。また、同一部材においては第１の実
施形態と同一の番号を付す。
【００３７】本実施形態の吸着防止部６１は、シリコン
窒化膜６により形成されており、可動電極プレート部２
２及び固定電極プレート部２３ａ、２３ｂの、対向する
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂに対して異なる位
置で互いに突出するように設けられている。突設位置
は、両電極プレート部２２，２３ａ、２３ｂの先端近傍
であり、その突出量は、半導体加速度センサに作用する
加速度が最大定格を超過したときにのみ可動電極プレー
ト部２２と固定電極プレート部２３ａ、２３ｂが接触す
るように調整されている。
窒化膜６により形成されており、可動電極プレート部２
２及び固定電極プレート部２３ａ、２３ｂの、対向する
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂに対して異なる位
置で互いに突出するように設けられている。突設位置
は、両電極プレート部２２，２３ａ、２３ｂの先端近傍
であり、その突出量は、半導体加速度センサに作用する
加速度が最大定格を超過したときにのみ可動電極プレー
ト部２２と固定電極プレート部２３ａ、２３ｂが接触す
るように調整されている。
【００３８】次に、その製造方法について説明する。ま
ず、半導体基板１の表面にシリコン酸化膜（図示せず）
を形成する。次いで、後に架橋部２４並びに固定電極プ
レート部２３ａ、２３ｂのアンカー部２６ａ、２６ｂ、
２６ｃとなる部位のシリコン酸化膜を除去し、不純物を
拡散して配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃを形成した後、ＣＶ
Ｄ法を用いてシリコン酸化膜の上に多結晶シリコン層２
を形成する。次いで、多結晶シリコン層２を所望の錘部
２１、架橋部２４、可動電極プレート部２２、固定電極
プレート部２３ａ、２３ｂとなるように異方性エッチン
グしてパターニングする。次いで、ＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜６を多結晶シリコン層２上に形成し、可動電
極プレート部２２並びに固定電極プレート部２３ａ、２
３ｂ先端近傍の、相対する電極プレート部２２、２３
ａ、２３ｂと対向する部位のシリコン窒化膜６の一部を
残し、それ以外をエッチング除去して吸着防止部６１を
形成する。そして、多結晶シリコン層２下部のシリコン
酸化膜をエッチング除去し、半導体基板１及び多結晶シ
リコン層２を熱酸化してシリコン酸化膜よりなる絶縁層
５を半導体基板１及び多結晶シリコン層２上に形成した
後、配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃ上の所定の部位の絶縁層
５をエッチングして電極４を形成し半導体加速度センサ
を完成する。
ず、半導体基板１の表面にシリコン酸化膜（図示せず）
を形成する。次いで、後に架橋部２４並びに固定電極プ
レート部２３ａ、２３ｂのアンカー部２６ａ、２６ｂ、
２６ｃとなる部位のシリコン酸化膜を除去し、不純物を
拡散して配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃを形成した後、ＣＶ
Ｄ法を用いてシリコン酸化膜の上に多結晶シリコン層２
を形成する。次いで、多結晶シリコン層２を所望の錘部
２１、架橋部２４、可動電極プレート部２２、固定電極
プレート部２３ａ、２３ｂとなるように異方性エッチン
グしてパターニングする。次いで、ＣＶＤ法によりシリ
コン窒化膜６を多結晶シリコン層２上に形成し、可動電
極プレート部２２並びに固定電極プレート部２３ａ、２
３ｂ先端近傍の、相対する電極プレート部２２、２３
ａ、２３ｂと対向する部位のシリコン窒化膜６の一部を
残し、それ以外をエッチング除去して吸着防止部６１を
形成する。そして、多結晶シリコン層２下部のシリコン
酸化膜をエッチング除去し、半導体基板１及び多結晶シ
リコン層２を熱酸化してシリコン酸化膜よりなる絶縁層
５を半導体基板１及び多結晶シリコン層２上に形成した
後、配線抵抗３ａ、３ｂ、３ｃ上の所定の部位の絶縁層
５をエッチングして電極４を形成し半導体加速度センサ
を完成する。
【００３９】以上説明した半導体加速度センサによる
と、吸着防止部６１はシリコン窒化膜６による絶縁材で
形成されているので、可動電極プレート部２２又は固定
電極プレート部２３ａ、２３ｂと同材質の吸着防止部２
５によって生じる両電極プレート部２２、２３ａ、２３
ｂ間の容量のばらつきを低減することが可能となり、両
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂの吸着防止が図れ
ると共に、加速度の検出感度の優れた半導体加速度セン
サを簡易に形成することができる。
と、吸着防止部６１はシリコン窒化膜６による絶縁材で
形成されているので、可動電極プレート部２２又は固定
電極プレート部２３ａ、２３ｂと同材質の吸着防止部２
５によって生じる両電極プレート部２２、２３ａ、２３
ｂ間の容量のばらつきを低減することが可能となり、両
電極プレート部２２、２３ａ、２３ｂの吸着防止が図れ
ると共に、加速度の検出感度の優れた半導体加速度セン
サを簡易に形成することができる。
【００４０】なお、上記吸着防止部６１に対してエッチ
バックを施すことにより、さらに吸着防止部６１を微小
化することができ、より加速度の検出感度の優れた半導
体加速度センサを簡易に形成することができる。
バックを施すことにより、さらに吸着防止部６１を微小
化することができ、より加速度の検出感度の優れた半導
体加速度センサを簡易に形成することができる。
【００４１】
【発明の効果】請求項１に係る発明の半導体加速度セン
サは、可動電極プレート部又は固定電極プレート部の少
なくとも一方に吸着防止部を形成することにより、最大
定格を超過するような加速度に対しても、可動電極プレ
ート部と固定電極プレート部との接触は、吸着防止部に
よる微小な面積部分のみとなり、同時に静電気力も微小
となるので、可動電極プレート部と固定電極プレート部
の吸着を防止することができる。
サは、可動電極プレート部又は固定電極プレート部の少
なくとも一方に吸着防止部を形成することにより、最大
定格を超過するような加速度に対しても、可動電極プレ
ート部と固定電極プレート部との接触は、吸着防止部に
よる微小な面積部分のみとなり、同時に静電気力も微小
となるので、可動電極プレート部と固定電極プレート部
の吸着を防止することができる。
【００４２】請求項２に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項１の効果に加え、吸着防止部を、可動電極プ
レート部又は固定電極プレート部と同じ材質で形成する
ことにより、両電極プレート部を形成するマスクパター
ンの変更のみで各電極プレート部と一体形成することが
できるので、電極プレート部の吸着防止に優れた半導体
加速度センサを簡易に形成することができる。
は、請求項１の効果に加え、吸着防止部を、可動電極プ
レート部又は固定電極プレート部と同じ材質で形成する
ことにより、両電極プレート部を形成するマスクパター
ンの変更のみで各電極プレート部と一体形成することが
できるので、電極プレート部の吸着防止に優れた半導体
加速度センサを簡易に形成することができる。
【００４３】請求項３に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項２の効果に加え、吸着防止部の表面又は該吸
着防止部と相対する部位の表面の少なくとも一方に絶縁
層を形成することにより、可動電極プレート部と固定電
極プレート部とが接触しても、絶縁層により互いに絶縁
されているので、電位の異なる部分が短絡することによ
る信号処理回路部等の周辺回路の電気的な破壊や誤動作
を防止することができる。
は、請求項２の効果に加え、吸着防止部の表面又は該吸
着防止部と相対する部位の表面の少なくとも一方に絶縁
層を形成することにより、可動電極プレート部と固定電
極プレート部とが接触しても、絶縁層により互いに絶縁
されているので、電位の異なる部分が短絡することによ
る信号処理回路部等の周辺回路の電気的な破壊や誤動作
を防止することができる。
【００４４】請求項４に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項３の効果に加え、絶縁層を、熱酸化法により
形成することにより、絶縁層の膜厚を均一に形成するこ
とができるので、可動電極プレート部と固定電極プレー
ト部との間隔のばらつきを低減させ、加速度の検出感度
を向上させることができる。
は、請求項３の効果に加え、絶縁層を、熱酸化法により
形成することにより、絶縁層の膜厚を均一に形成するこ
とができるので、可動電極プレート部と固定電極プレー
ト部との間隔のばらつきを低減させ、加速度の検出感度
を向上させることができる。
【００４５】請求項５に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項３記載の効果に加え、絶縁層を、ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法により形成することにより、絶縁層は高温の半導体プ
ロセスを経ることなく形成されるので、絶縁層と可動電
極プレート部或いは絶縁層と固定電極プレート部との熱
応力の差による可動電極プレート部や固定電極プレート
部の変形を防止することができる。
は、請求項３記載の効果に加え、絶縁層を、ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
法により形成することにより、絶縁層は高温の半導体プ
ロセスを経ることなく形成されるので、絶縁層と可動電
極プレート部或いは絶縁層と固定電極プレート部との熱
応力の差による可動電極プレート部や固定電極プレート
部の変形を防止することができる。
【００４６】請求項６に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項１記載の効果に加え、吸着防止部を、絶縁材
により形成することにより、吸着防止部が可動電極プレ
ート部又は固定電極プレート部と同材質であることによ
って生じる両電極プレート部間の容量ばらつきを低減す
ることができるので、加速度の検出感度を向上させるこ
とができる。
は、請求項１記載の効果に加え、吸着防止部を、絶縁材
により形成することにより、吸着防止部が可動電極プレ
ート部又は固定電極プレート部と同材質であることによ
って生じる両電極プレート部間の容量ばらつきを低減す
ることができるので、加速度の検出感度を向上させるこ
とができる。
【００４７】請求項７に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項６記載の効果に加え、吸着防止部を、可動電
極プレート部又は固定電極プレート部にシリコン窒化膜
を堆積形成し、所定のパターンでエッチングすることに
より形成することにより、堆積させたシリコン窒化膜を
エッチングする一工程の追加のみで吸着防止部が形成で
きるので、電極プレート部の吸着防止に優れた半導体加
速度センサを簡易に形成することができる。
は、請求項６記載の効果に加え、吸着防止部を、可動電
極プレート部又は固定電極プレート部にシリコン窒化膜
を堆積形成し、所定のパターンでエッチングすることに
より形成することにより、堆積させたシリコン窒化膜を
エッチングする一工程の追加のみで吸着防止部が形成で
きるので、電極プレート部の吸着防止に優れた半導体加
速度センサを簡易に形成することができる。
【００４８】請求項８に係る発明の半導体加速度センサ
は、請求項６又は７記載の効果に加え、吸着防止部を、
可動電極プレート部又は固定電極プレート部にシリコン
窒化膜を堆積形成し、所定のパターンでエッチングした
後、エッチバックによるサイドウォール層により形成す
ることにより、さらに微小な吸着防止部を形成すること
ができるので、電極プレート部の吸着防止により優れた
半導体加速度センサを簡易に形成することができる。
は、請求項６又は７記載の効果に加え、吸着防止部を、
可動電極プレート部又は固定電極プレート部にシリコン
窒化膜を堆積形成し、所定のパターンでエッチングした
後、エッチバックによるサイドウォール層により形成す
ることにより、さらに微小な吸着防止部を形成すること
ができるので、電極プレート部の吸着防止により優れた
半導体加速度センサを簡易に形成することができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態に係る半導体加速度
センサを示す平面図である。
センサを示す平面図である。
【図２】 同上の半導体加速度センサを示すもので、
（ａ）は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｂ）は図１
のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
（ａ）は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、（ｂ）は図１
のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図３】 本発明の第２の実施形態に係る半導体加速度
センサを示す平面図である。
センサを示す平面図である。
【図４】 同上の半導体加速度センサを示すもので、図
３のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
３のＣ−Ｃ線に沿った断面図である。
【図５】 従来の半導体加速度センサを示す平面図であ
る。
る。
【図６】 従来の半導体加速度センサの可動部及び固定
電極を示す平面図である。
電極を示す平面図である。
１ 半導体基板
５ 絶縁層
６ シリコン窒化膜
２１ 錘部
２２ 可動電極プレート部
２３ａ 固定電極プレート部
２３ｂ 固定電極プレート部
２４ 架橋部
２５ 吸着防止部
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体基板に、浮遊状態で設けられて作
用する加速度に応じて前記半導体基板と相対的に変位す
る錘部と、一端が前記錘部と弾性的に連結され他端が前
記半導体基板に支持された架橋部と、前記錘部の側方に
突設された可動電極プレート部と、前記可動電極プレー
ト部と容量結合するように間隔をおいて対向し前記半導
体基板に片持ち支持された固定電極プレート部と、を具
備し、作用した加速度によって前記可動電極プレート部
と前記固定電極プレートに生じる距離変化を電気量に変
換して加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、
前記可動電極プレート部又は前記固定電極プレート部の
少なくとも一方に吸着防止部が形成されていることを特
徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 前記吸着防止部は、前記可動電極プレー
ト部又は前記固定電極プレート部と同じ材質で形成され
ている請求項１記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項３】 前記吸着防止部の表面又は該吸着防止部
と相対する部位の表面の少なくとも一方には絶縁層が形
成されている請求項２記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項４】 前記絶縁層は、熱酸化法により形成され
てなる請求項３記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項５】 前記絶縁層は、ＣＶＤ法により形成され
てなる請求項３記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項６】 前記吸着防止部は、絶縁材により形成さ
れている請求項１記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項７】 前記吸着防止部は、前記可動電極プレー
ト部又は前記固定電極プレート部にシリコン窒化膜を堆
積形成し、所定のパターンでエッチングすることにより
形成されてなる請求項６記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項８】 前記吸着防止部は、前記可動電極プレー
ト部又は前記固定電極プレート部にシリコン窒化膜を堆
積形成し、所定のパターンでエッチングした後、エッチ
バックによるサイドウォール層により形成されてなる請
求項６又は７記載の半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264893A JP2003075466A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001264893A JP2003075466A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003075466A true JP2003075466A (ja) | 2003-03-12 |
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ID=19091428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001264893A Pending JP2003075466A (ja) | 2001-08-31 | 2001-08-31 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003075466A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007263744A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量式センサ |
| JP2008180710A (ja) * | 2008-01-08 | 2008-08-07 | Denso Corp | 加速度センサの製造方法 |
-
2001
- 2001-08-31 JP JP2001264893A patent/JP2003075466A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007263744A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Works Ltd | 静電容量式センサ |
| JP2008180710A (ja) * | 2008-01-08 | 2008-08-07 | Denso Corp | 加速度センサの製造方法 |
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