TW512424B

TW512424B - Hybrid phase-shift mask

Info

Publication number: TW512424B
Application number: TW090108300A
Authority: TW
Inventors: Jang Fung Chen; Roger Caldwell; Thomas Laidig; Kurt E Wampler
Original assignee: Asml Masktools Bv
Priority date: 2000-05-01
Filing date: 2001-04-06
Publication date: 2002-12-01
Also published as: US20040067423A1; US6835510B2; KR20010106197A; KR100483513B1; US20020015899A1; EP1152289A3; US6623895B2; JP2001356466A; EP1152289A2

Description

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本發明係關於用於微影製程之光罩設計，更特定而言，係關於使用一混合式光罩，其可提供以一單一曝光來同時形成相移及非相移特徵。本發明亦關於使用這種光罩在一微影裝置中，其包含像 " 才疋供輕射的投影光束的輕射系統； - 用以夾持該光罩的一光罩台； -用以夾持一基板的一基板台； -用以投射至少該光罩上圖案的一部份到該基板的_目標部份。發明背景：微影裝置例如可用於製造積體電路（j c s )。在此例中，忒光罩可包含對應到該I c的個別層之電路圖案，而此圖案可以成像到一基板（矽晶圓）上的一目標部份（如包含一個或多個模），其覆蓋有一層感光材料（光阻）。一般而言，一單一晶圓將包含一相鄰目標部份的整體網路，其係一次 -個地連續地透過該投影系統來照射。在_種微影投射裝置中，每個目標部份係在一製程中將整個光罩圖案曝光在該目標部份上來照射；這種裝置通常稱之為一晶圓步進器。在另-裝置中’其通常稱之為_步進掃描裝置，每個目標部份係以一給定的參考方向（該”掃描”方向）來在核投射光束之下漸進式地掃描該光罩圖案來照射，而同步地以平行或反平行於此方向來掃描該基板台；因為一般而十，

裝訂

線

512424 A7 ______ B7 五、發明説明（2 ) 該投射系統將具有一放大因子Μ (通常小於1),該基板台被掃描的速度V將為一因子Μ乘以該光罩台被掃描的速度。關於微影裝置所收集的更多資訊，例如可見於美國專利6,046,792，其在此引用做為參考。在使用一微影投射裝置的製程中，一光罩圖案係成像於一基板上’其至少部份是由一層感光材料（光阻）所覆蓋。在此成像步騾之前，該基板可進行不同的程序，例如製備，光阻披覆，軟烘烤。在曝光之後，該基板可接受其它的程序，例如後曝光烘烤（ΡΕΒ)，顯影，一硬烘烤，及該成像特徵的量測/檢查。此程序的陣列係做為一基礎來圖案化一裝置的個別層，例如一 I C。這種圖案化層接著可進行不同的製程，例如蝕刻，離子植入（摻雜），金屬化，氧化’化學機械研磨等，所有皆是要完成一個別層。如果需要數個層時，則整個程序或其變化，將必須對每個新層來重複。最後，一裝置陣列將可存在於該基板（晶圓）之上。然後’這些裝置可由像是切片或切割的技術來彼此分開，因而該個別裝置可安裝在一載具上，連接到腳位等。關於這種製程的進一步資訊可由像是Peter van Zant所著， Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor

Processing”，第三版，McGraw Hill 1997 出版，ISBN 0-07- 067250-4，其在此引用做為參考。為了簡化起見，該投射系統在此處稱之為，，鏡片”；但是’此名詞必須廣義地解釋為包含不同形式的投射系統，例如包含折射光學，反射光學，及反射兼折射系統。該輻本紙張尺度適用巾g國家標準(CNS) A4規格(21GX挪公寶) 512424 A7

射系統也可包含元件，其根據任何這些設計形式用於導引成形或控制輕射的投射光束，及這種元件也可在下述統％或單獨稱之為”鏡片”。再者，該微影裝置可具有兩個或多個基板台的形式（及/或兩個或多個光罩台）。在這種，，夕1¾段，裝置中，該額外的台可以平行使用，或可對一個或多個台進行預備步驟，而一個或多個其它的台則用於曝光。雙階段微影裝置可見於像是美國專利5,969,441及W〇 98/40791，其在此引用做為參考。雖然在本文中構成特定的參考到微影裝置及光罩的使用於製造1C中，其可明確地瞭解到這種裝置及光罩可具有許多其它可能的應用。例如其可用於製造整合的光學系統，

磁性領域記憶體的導引及偵測圖案，膜磁頭等。該專業人士將可瞭解到，谷中’任何在此文中使用的名詞，，線必須視為可由更通用的名詞”光罩”，所分別取代。液晶顯示器面板，薄在這種其它應用的内網π，π晶圓”，”模子”， ”基板”及π目標部份” 在本文件中，所使用的名詞"輻射"及"光束"係包含所有形式的電磁輻射，其包含紫外線輻射（如波長為365 248, 193Μ57或126_’及EUV(過度紫外線輻射例如且波長範圍在5-20 nmp ' 美國專利5,34〇,7〇0 (在此引用做為參考）—今亏）揭不一種由影像分解所定義的印刷次解析度特徵法。更特丄 A 又符疋而T，該方法揭示了先分解該次解析度特徵到更大的特冑，使得該特徵邊緣係彼此相隔足夠遠，所以該特徵邊絡人* 迓、·彖的2氣影像彼此

裝訂

線 512424 五、發明説明（4 A7 B7

並播關聯。換言之，該邊緣係光學地隔離。藉由利用預定的多重曝光步驟來曝光這樣的分解光罩，其顯示出可以良好地定義出接近半波長的接觸孔特徵。對於印刷線特徵，美國專利5,340,700的方法利用負動作光阻，因為該負動作光阻本身具有較差的解析度，該多重曝光，影像分解法最適用於印刷接點孔特徵。雖然其具有非常高的印刷解析度可能性，在美國專利5,340,700中所揭示的方法並未廣泛$ 應用到業界，其主要是因為分解該影像的相對複雜度。再者’任何使用多重曝光光罩步驟的方法，皆會負面地影響讀微影曝光裝置的產量。近年來，該相移光罩（"PSM”）已逐漸地被業界接受，其做為次曝光波長製造的可實行的選擇。因為早期的設計 (Levenson等人，1982)，許多形式的Psm已發展多年。在那些當中，兩種基本的PSM形式已經過最多的檢查，即圖 1(a)及1(b)所示的交替pSM ("aitPSM”），及圖2所示的衰變 PSM (’，attPSM，丨）。由影像形成的觀點，對於大約是1 : i之線··空間特徵， altPSM可消除第〇階折射，並以兩個光束形成該影像圖案，即+/-第1階折射。此種PSM也稱之為·，強” pSM。”弱” P S Μ係指存在有第〇階折射成份用於影像成形。該p s M愈強’該第0階折射成份愈小，反之亦然。理論上，μ 可以兩倍於原始空間頻率。因此，圖案解析度可以達到兩倍。AltPSM通常稱之為”強” PSM，因為其提供了最佳的解析度改良可能性。為了達到altPSM的最高可能解析度的本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 裝訂

線 512424 A7 _____________ _ B7 五、發明説明（5 ) 可flb性，其通常使用相當清晰的照明。但是，此會加強已經非常強的光學接近效應（ΟΡΕ)。這種強的ΟΡΕ基本上會限制一廣範圍的特徵強度之altPSM的使用，其主要是因為難以使關鍵尺寸（C D )的變化在控制之下。一 altPSM可以是一明亮的場或一黑暗的場光罩，如圖 1(a)及1(b)所示。如圖1(a)及1(b)所示，該特徵10係放置在由元件1 4及1 2所形成的〇 -冗相移配對之間。在圖面中’ S代表該光罩基板（載具板）’例如由石英或以匕製成，而C代表鍍鉻區域。目前，對於實施光罩設計的明亮場altPSM有明顯的障礙；其一為在不產生相位衝突下來指定〇 - 7Γ相位配對是接近不可能的工作；通常，許多設計必須要妥協，或是解析度加強的有效性必須被明顯地降低。然而’對於發生在不想要區域中的相位轉移（由〇到7或反之亦然），其將形成不想要的光阻圖案。為了修正前者，必須使用高複雜度的相位轉移，或再分類成一額外的曝光光罩來消除這些不想要的光阻圖案（參考美國專利編號 5,573,890及5,858,580 ’其在此引用做為參考）。最近’對於黑暗場的實施已受到明顯的注意。此部份是因為事實上該相位指定項目比較容易處理，而不想要的光阻圖案可以有政地由一第二曝光光罩來裁切。為了利用黑暗場altPSM於線/空間圖案，其需要兩個曝光光罩，一個是非相移鐘絡光罩’另一個曝光光罩為一黑暗場altpsM。對於一典型的實施，該altPSM僅能在進行鍍鉻光罩曝光之後，裁切該閘電極特徵的寬度。因為該二元值鍍鉻光罩為 -8 -

A7 B7 五、發明説明（6 ) 一明党％形式，此曝光光罩也可用來在該ahpSM曝光期間由不想要的相位轉移所形成的不想要的光阻圖案。一上述之範例係示於圖3(a)及3 (b)，其顯示出所得到的光阻圖案。尤其疋’圖3(a)及3(b)所示為該黑暗場altPSM的光學接近效應’及該空氣影像強度（〗）可被該〇 _冗窗口配對的尺寸及接近度所影響，其示於元素2〇及22。雖然相位指定的複雜度可以利用黑暗場ahpSM來大為降低’該過於強的光學接近效應（〇 p E )的課題仍會嚴格地限制閘極特徵的關鍵尺寸的控制。當該〇 _冗窗口配對的長度及寬度係在次微米尺寸時，其可被接受為強〇 ρ Ε。相鄰的 0 - 7Γ配對’及0- 7Γ -〇或冗-0-兀窗口，也會造成強的〇 ρ Ε，如圖3(a)及3(b)所示。其它形式的ΟΡΕ為角落圓角效應。因為使用相當明亮的照明，電場在角落處會較強。如果該 0-7Γ窗口配對並不夠大，該印刷窗口圖案會成為橢圓形。因此，該”裁切”的閘特徵即會成為彎曲，如圖5(a)-5(d) 所示。雖然可應用積極的光學接近修正（〇 p C ),該加入的光罩設計複雜度及仍然很強的殘餘〇 ρ E，皆會對最小特徵強度造成一基本上的限制。再者，如上所述，該兩個需要的曝光會不利地降低該微影曝光裝置的產量。

AttPSM可依習慣上稱之為’’弱n p s Μ。對於K r F曝光波長應用，該商用衰變光罩原件具有光化學波長的5 〇/〇到8 〇/〇的傳輸範圍。AttPSM可允許第0階折射來形成影像圖案，所以該解析度加強可能性並不像是altPSM那麼好。另一方面，其具有ΟΡΕ的較少程度。此外，該光罩設計與altpsM -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 512424 A7

相比，較不^複雜，因為5%_8〇/“々attpsM設計與該二元值鍍鉻光罩並無不同，當其要來製作線/空間樣式的光罩圖案。為了獲得較好的解析度，其可觀察到其必須使用較高 %的傳輸，因為該〇階折射的大小可進一步降低。因此， attPSM的最佳可能解析度加強為不包含空氣波長衰變，例如圖4所示的無鉻相移光罩（"CLM，，）。本發明人在歐洲專利申請EP 〇 980 542 (在此引用做為參考），孩CLM可用來配合非明亮照明（σ>〇 6)來做較佳的 CD控制。使用先進的偏軸照明（”〇ΑΙ"),該圖案化效能仍可進一步改善。其顯示出半色調CLM及ΟΑΙ可印出特徵寬度為薇曝光波長的i /4。但是，這種高％傳輸的下端在該曝光期間為該光化學波長的洩漏。此會發生在兩個相位邊緣係相隔地足夠遠，而不能夠形成破壞性的干涉。然後孩光阻將被曝光而造成不想要的圖案。為防止此效應，，，寬度開放”區域必須由該不透明鉻所封鎖，或以定期的相位邊緣圖案（半色調圖案）來保證對於整個圖案區域的連續性黑暗干涉。為了避免處理複雜的接近效應，目前兩種方法皆以限制用在非常大的特徵圖案。因此’其對於一光罩仍有需要來允許印刷高解析度的，，關鍵π特徵’而同時允許印刷低解析度”非關鍵”特徵，藉以對於光學接近修正技術降低其整體需求，並對於”關键，，特徵提供改良的C D控制。發明總結·· 為了滿足上述的需要，本發明的目的即在於提供一 ”混合 ___ -10- t紙張尺度適财g a家標準(CNS) Μ規格(21GX297公爱) 裝訂

線：)丄 2424

式光罩，其中僅有所要成像的需要裝置（如積體電路）的關鍵特徵係由很強的相移光罩圖案所形成，其它的"非關鍵”特徵係由弱相移或非相移鍍路光罩圖案來形成。更特定而言，本發明係關於一"混合式”光罩，其中該高解析度精細光罩特徵，例如積體電路的閘電極，係以一高 % (如>10%)的傳輸之attpsM (或一 clM)來設計，而該較粗的特徵’例如局部内連接及接觸著陸墊，其係以非相移鉻或該標準（如5_8%)低傳輸來設計。重要地是，該精細及該較粗的特徵係同時由本發明的該混合式光罩的單一曝光來形成。本發明也關於形成該混合式光罩的方法。該方法包含在使用一低傳輸相移光罩（圖案）或一非相移光罩（圖案）之一來在該光罩上形成至少一個非關键特徵之步驟，以及使用一高傳輸相移光罩（圖案）來在該光罩上形成至少一個關鍵特徵。如下述詳細說明，本發明提供了比先前技藝要好的明顯好處。最重要地是，本發明的混合式光罩允許印刷高解析度”關鍵”特徵，而同時允許印刷低解析度（”非關鍵”）特徵’藉此而降低光學接近修正技術的整體需要，並提供對 π關鍵”特徵的改良c D控制。此外’因為本發明的混合式光罩僅需要一次曝光來形成所需要的特徵，該製程的整體產量較佳地是藉由消除執行雙重曝光及對準的需求而增加。本發明的額外好處，對於本技藝的專業人士將可藉由接 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐) 512424 A7 ------- —___ B7__ 五、發明説明（9 ) 下來的本發明的範例具體實施例而更加瞭解。本發明本身及其它的目的與好處，將可藉由下述詳細說明及所附架構圖來更加地瞭解。 I式簡單_說明：圖1 ( a)所示為一明亮場交替相移光罩的範例。圖1(b)所示為一黑暗場交替相移光罩的範例。圖2所示為一具有〇 - π相移配對1 6及1 8的衰變相移光罩的範例。圖3 ( a)及3 (b )所示為一黑暗場交替p s μ的光學接近效應。如所示’該空氣影像強度可受到該〇 _疋窗口配對的尺寸及接近度所影響。圖4所示為一無鉻相移光罩（CLM)的範例。圖5(a)-5(d)所示為使用一交替Psm所造成的光學接近效應的範例。圖5 ( a )所示為包含特徵2 4及2 6的所需要特徵光罩23 (Ml)，該交替PSM25 (M2)包含〇_冗相移元件 28及3 0，及該得到的結合曝光光罩27 (MC)。圖5(b)所示為使用結合曝光光罩而得之模擬二維空氣影像（其中〗為強度）^圖5 ( c )所示為該顯影光阻的外形。圖5 ( d )所示為所知·到的特徵，其並不具有平直邊緣（如箭頭所示）。該彎曲的邊緣係由該0-7Γ窗口配對的角落中的強〇pE所造成。圖6(a)所示為一邏輯電路設計範例，其覆蓋一閘電極及一主動區域光罩配線。圖6(b)所示為圖6(a)的設計如何而能夠區分成較少鍵特徵，及該閘電極特徵（即關鍵特徵），及根據本發明所

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形成的混合式光罩。圖7 (a)-7(f)所示為根據本發明的範例。八』先罩製程順序圖8 ( a) - 8 ( c )所示為該分散棒如. 人斗、，变肖-如何用於配合本發明的混 ^ 双悴勾逆/扣合式光罩所得到的結果0 圖9⑷·9(〇所示為不同的光學接近修正樣式其能夠用於防止線端點短路，及其修正的結果。圖10⑷-10⑷所示為辨識線端點的另—種方法，及應用 OPC的方法。圖11 (a)所示為當使用成角度的特徵而能夠發生的光學接近效應。圖1 1 ( b )所示為使用〇 P c修正的圖1丨（a)的圖案。圖12(a)-12(c)所示為特徵轉移接點的〇 p c技術範例。圖13(a)-13(d)所示為本發明的該混合式光罩的一可能的變化。圖14所示為一微影曝光裝置。在圖面中，相同的符號代表相同的零件。本發明的詳細說明：接下來對於本發明的，’混合式”光罩的詳細說明，係關於該光罩本身，以及形成該光罩的方法。其要注意到，在盡力促進對於本發明的瞭解時，接下來詳細說明該混合式光罩如何用來形成”關鍵”閘極特徵，其係包含在目前最先進的互補金屬氧化物（” CMOS”）裝置。但是，其也要注意 -13-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 512424 A7

到’本發明並不限於用在CM〇S裝置。實際上，本發明可用於許多不同形式的半導體設計及製程，其係用^這種導體的形成，以及其它裝置的形&，例如薄膜頭，磁性領域記憶體，微機械裝置等。當製造積體電路（IC)時，最關鍵的光罩層為該問電極光罩。特別是，當製造最先進的CM〇S裝置時，該閘電極的寬度決定了速率效能。為了獲得—高效能Ic，基本上為較小及更為均勻的閘極特徵。事實上，前述為該日漸縮小^ I C之關鍵目的之一。請參考圖6(a)，在一典型的閘光罩中，其有三個主要的設計特徵形式，該閘電極32 ,接點的著陸墊34，及局部的内連接軌跡3 6。當縮小該裝置時，對所有三種形式的設計原則必須同時依比例來縮小。但是，該接點著陸墊34 2 局部内連接軌跡36的尺寸設計原則對於該閘極特徵是更為放鬆的。此是因為由所使用的曝光特徵的對準精度的限制，及需要來維持與該對應的光罩層的成比例關係，例如接點及主動區域38光罩層。對於一閘極特徵，該最關鍵的尺寸為其直接負貴形成該閘電極3 2的部份。基本上，此關鍵部份可由覆蓋該主動區域光罩及使用一邏輯AND運算來辨識。此在現今的電腦輔助配線設計（C A D )工具來簡易地完成。圖6 ( a )所示為一邏輯電路設計的範例，其可覆蓋該閘極與該主動區域光罩配線。因此該關鍵閘極特徵即可簡易地識別出來。特別是，該閘極與該主動覆蓋區域係稱之為該主動區域。在此覆蓋 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 裝訂

線區域中的該閘極特徵的部份係為該關鍵閘極特徵。二其可〉王意到，不像是先前的產品，該I C的比例縮小，目 =面對了比以前更高的障礙。例如，其有許多限制到用於製U I C的微影曝光裝置。日漸增加的是，較為緊密的對準么差及來自孩 248 nm Krypton Fluoride(KrF) excimer 雷射到茲193 nm Argon Flu〇ride (ArF)來源的變化以及更低（如 157 nm，EUV),其需要更嚴謹的控制。因此，其可立即瞭解到，對於所有電路來維持一共通的縮小比例，藉以獲得較小的模具尺寸，其按照目前的微影限制較不適用。但是，藉由使用本發明，其有可能漸進地縮小該閘電極特徵 3 2，而對孩接點著陸墊3 4及内連接特徵3 6來限制該最小的縮小比。在本發明的一具體實施例中，該創新的混合式光罩係用來形成一 CMOS裝置。更特定而言，該混合式光罩對於該閘私極特徵3 2利用一相當強的p § M設計，但對於較鍵的特徵，該混合式光罩可利用一二元值鉻或一弱psM。舉例而3，圖6 ( b )所示為圖6 ( a)的邏輯電路設計的閘電極特徵3 2 (即關鍵特徵）如何根據本發明而形成。首先，該問電極特徵3 2係與其它較不關鍵的特徵3 7隔開，並配置在與該非關鍵特徵相隔的配線資料檔案中。然後該閘電極特徵32即使用一PSM來設計，而較不關鍵的特徵37即使用像是非或弱PSM來設計。然後，該兩個隔開的配線資料檔案即結合來形成該混合式相移光罩，如圖6(b)所示。如圖6(b)所示，所有的關鍵閘特徵32係使用一較高％傳 -15- 本紙張尺度適财S國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) 512424 A7 B7 五、發明説明輸pSM (標示為Η )來形成，而較不關键的閘特徵則使用一較低。/。傳輸P S Μ或弱PSM (標示為L )來形成；W代表該閘電極寬度。一般而言，本發明的混合式光罩的設計需要以下的設計步騾： (1) 關鍵特徵的隔離（如該閘電極特徵），其使用在一 CAD配線工具中的一般AND/AND-NOT邏輯運算。然後該關鍵特徵即放置在一獨立的配線層，如前所述。 (2) 根據一預定組的PSM-OPC規則來使用一 c AD工具設计该關鍵特徵（例如一高％ (>1〇%)傳輸attpSM或一 c L Μ )，及該非關鍵特徵的設計，例如局部内連接，其可藉由非相移鉻’或該標準5-8%低傳輸&«?8]^1。 (3 )使用兩個寫入路徑及對應的處理來製造該混合式罩。更特定而言，該第三步驟包含以下的處理程序：（] 重新旋轉該光阻，（ii)重新對準該第一寫入路徑及曝光】開放區域，及（iii)顯影該曝光的光阻區域。一一典型的光罩製程順序係示於圖7(a)_7(f)。更特定^ 言，在所示的範例中，其需要形成如圖7(a)所示的兩個; 徵。該第-特徵42 ’其係垂直地放置，其代表該特徵^ 高解析度。該第二特徵44，其係水平地放置，其代㈣不關鍵的元件需要一降低的解析度層級。 =戶:述’該混合式光罩包含一弱相移特徵(如4_ 皮PSM)，被用來形成特徵“，及一叫其用來形成特㈣。"弱,.PSM:=:;;

装訂

線

512424 A7 _____B7 五、發明説明（14 ) 傳輸，與該強P S Μ相較之下。舉例而言，如果該強p s M 係定義為18%，則該弱即可為6%或更低（約於1〇-12%點較少傳輸）。如果該％傳輸為〇，則其為非相移。如果該強 P S Μ為播絡（100%)，則1 8 %傳輸將構成弱p s M。其它形式的弱相位偏移可以表示成相位偏移的程度。例如，一 180度相位偏移代表強PSM，其中一 9〇度或6〇度相位偏移代表弱P S Μ。由前述可以明瞭，強p s Μ及弱p s Μ係由彼此相對性來定義。請參考圖7(b)-(f)，該混合式光罩的形成製程的一範例具體實施例代表圖7(a)所示的特徵，現在加以說明。其可注意到，圖7(b)-7(f)代表該混合式光罩沿著圖7 ( a )的線j _工的橫截面。本製程的第一步驟，如圖7 ( b )所示，其定義了該弱或非相移圖案，並需要沉積一 MoSi層45在一石英基板43上，然後沉積一絡層46在該MoSi層45，最後沉積一光阻層47在該整個基板上。然後該光阻即以一方式來曝光及移除’使仔該Μ 〇 S i層4 5 ’該路層4 6及該光阻4 7維持在定義該非關鍵特徵4 4的位置，如圖7 ( b )所示。其可注音到，該三個前述的疊層及其選擇性移除可使用在本業界熟知的標準技術來完成。在步驟2中，參考圖7(c)，停留在該MoSi層45之上該光阻層4 7及該鉻層4 6即被移除。再次地，這些疊層即使用標準技術來移除。停留在該基板上的該MoSi層45定義了要形成的該非關鍵特徵44。因此，在步驟2完成之後，該第一光罩寫入步驟即完成，而定義了該非關鍵特徵4 4。 -17-

五、發明説明（15 需=1步驟3-5代表該第二光罩寫入步驟，並定義了而要強相移圖案的關鍵特中，整個基板43再次地心Λ參考圖7(d)，在步驟3 以一種方十膜丄覆现了光阻47，然後該光阻47即 …：除，使得僅有對應於該關鍵特徵42所

要:成：孩石英基板43的部份被曝光。然後，參考圖 J )在步驟4中，.該石英基板43被蝕刻，藉以產生一 A 刻，藉以形“相位偏移。二：:=3 _ 光阻47即被移除，該所得到二（）’剩下的裝 =:用弱或非相移圖案來形成非關鍵特徵，及使用強 :目移争徵來形成關鍵特徵’其係透過一單一曝光(在圖訂们^表4_6%attPSM，而P2代表石英中的π相位偏 =)。其可注意到，當圖7⑷.7⑴顯示僅有—單一非相移争徵及一早一關鍵特徵的形成，實際上一典型的混合罩將包含-些關鍵及非關鍵特徵。如前述處理中可：出， ^這樣的具體實施例中’所有的非關鍵特徵較佳地是在同時形成，接著形成所有的關鍵特徵。當然，其可能有其它的形成順序。、其另可注意到，在目前的具體實施例中，當該混合式光罩利用一弱相移特徵（如4-6%衰變PSM)來形成該非關鍵凡件，其可被接受來利用鉬矽（MoSi)薄膜為主的衰變 :SM料，如上所述。當然，本發明並不限於使用Μ。。薄膜。舉例而言，嵌入的相移鉻材料或一 CrF2薄膜可以用來做為另一選擇。但是，如果需要非相移特徵，舉例而 -18-

五、發明説明（16 ) 1· ’則可利用_般的㈣件做為該啟始材科。在這樣的且體實施例+，該製程步驟基本上與前述的相同，如圖 7(b)-7(f)所示，除非不牵涉到河〇“層，因此，有需要減少必要的製程步驟數目。由前述可知，本發明的該混合式光罩需要兩個光罩窝入步驟。因此，其需要該第二光罩寫入步騾來對準該第一光罩寫入步驟。因為此對準基本上發生在該4又或5又光罩層級，該精度需要並不像是該”裁切PSM光罩，，般的關鍵，其中兩個曝光步驟發生在該1XA圓表面。但是，很重要地是使對準精度比大約50 nm的光罩層級要好。此需要轉奐當使用-4X光罩時，在Μ圓層級大約為= 度。因為目前可用的工具/裝置提供光罩窝入器對準精度優於50 nm ,本發明可使用目前可用的設備來實施。在顯影本發明的該混合式光罩中，其已觀察到有四種〇 P E可因為使用這樣的混合式光罩而發生，即相鄰的p s % 特徵，線末端縮短，成角度的p s Μ特徵，及由強p s Μ特徵轉換到該弱或非相移特徵。這些效應有可能造成關於尺寸控制的不可接受的誤差。用以修正前述的0PEs的〇 p c方法現在將進行討論，以及該光罩需要。

1 ·線及空間P S Μ特徵的Ο P C 請再參考圖6 ( b )，該關鍵閘電極特徵3 2可以取出為垂直與水平線特徵的陣列。此會大為降低該〇 p E的複雜度。特別是，因為所有的相鄰特徵基本上具有相同的線寬，該 PSM設計與該0PC可用非常直接的方式來完成。舉例而 512424 A7 ____B7___ 五、發明説明（17 ) 言，該Ο P C可以僅使用分散棒（s B )或具有分散棒加特徵偏壓，細節示於美國專利5,242,770，美國專利5,447,810，美國專利5,7〇7,765及美國專利5,821，014 (在此引用做為參考）。基本上，該Ο P C應用係由根據一預定的〇 p c規則組合來加入S B及/或偏壓到該實際的設計特徵來完成。再者，其有可能根據相鄰線特徵之間的空間寬度來發展一組0 P C規則。這種0 P C規則可由先檢查該關鍵特徵寬度 (C D )為一特徵間隔（或節距）的函數來決定。因為光學接近效應的結果，該C D被預期在不同的間隔即不相同。對一給定特徵間隔的一最佳化S B及/或特徵偏壓設定可由實驗來決定或透過使用一校準的光阻圖案化模型來做空氣影像模擬。因此，每個特徵間隔的0 P C規則即可得到。前述方式允許縮小該閘電極特徵3 2，而不須改變整體的配線设计規則。舉例而吕’對於根據〇 · 1 8 # m線寬度的晶片設計規則，該最小的特徵節距基本上在0 36到〇·6〇之間改變。雖然該閘線寬度已被重新設定為像是〇〇7 # 0· 10 /zm之間’其有可能該特徵節距將必須保持相同。因為使用相同的曝光裝置（即為曝光波長及數值光圈），其已觀察到可以應用該分散棒（SB) OPC法（參考美國專利5,242,77〇 US 5,447,810及US 5,7〇7,765)。在此例中，該86特徵可用來形成該混合式光罩的該弱或分相移特徵。換言之，僅降低了琢閘寬度，非如原先設計的特徵與特徵間的節距。舉例而言，如果該原始設計特徵節距為〇·36 ，其具有-閘寬度〇·18 _，該閘極特徵與特徵間的間隔為 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 五、發明説明（18 ) 〇·18 //m (對整體為〇·36 特徵節距）。本發明的混合式光罩允許孩閘寬度降低為〇· 1〇。然後該特徵間隔成為〇 26 Am，因為該特徵節距並未改變（〇·36 #m)。在前例中，該SB OPC法仍可利用。特別是，因為對於該間電極特徵使用強PSM，其有可能對於SB 〇pc特徵來使用違較弱P S Μ或非相移特徵，使得該sb OPC特徵無法成為可印刷的。再者，藉由該混合式光罩，該閘特徵空間因為該閘特徵節距維持相同而變得較寬。因為SB 〇pc法基本上是根據該特徵間隔而需要改變〇 P C規則。一表I顯示根據0·18 設計規則的一〇PC規則的範例組合’其閘電極縮小到〇·〇8 目標CD。圖8(a)所示為CD 特徵節距為1·〇的一 0PC範例。更特定而言，圖8(a)所示為一 PSM特徵節距（巧為厂』〇pc範例。該psM主要特徵51寬度已被偏壓成為〇·〇75 。該分散棒52宽度為〇·〇8 #m，而該棒係放置在距離該psM主要特徵邊緣 (d)。在給定範例中，該分散棒52為非相移鉻特徵。、圖8(b)所示為在為施加〇pc時，所量測到光阻截面cd 資料（RC)繪製在特徵節距（1?1))的範圍内。如所示，該 ΟΡΕ造成CD明顯地在該中間特徵節距範圍中振湯。相： 2 ’圖8⑷所示為對於-特徵節距㈣到以_的範圍，對-〇·〇8 _的目標CD的分散棒㈣法的效能。在中，T C D代表目標c D，F Ο則代表隹點 θ j n衣焦點。比較這兩個紝果，其很明顯地使用SB OPC較為有利。在額下使用分散棒OPC，其有可能料整個特徵距範= 稍微超過0.4 的焦點深度。犯固仔到五、發明説明（19 A7 B7

0.520 -~二…^ 以”队％巧 0 0 偏壓+5 nm 0.560 偏壓+2.5 nm ---——----- 0.600 偏壓+ 2.5 nm 0.640 偏壓+2.5 nm 0.680 偏壓+5 nm 0.720 偏壓+7.5 nm 0.760 偏壓-5 nm，以80nm SB距離特徵邊緣3〇〇 0.800 偏壓-5 nm ’以80mn SB距離特徵邊緣32〇 nm 0.840 偏壓-5nm，以80nmSB在220nm，SB與SB間隔 160nm 0.880 偏壓-5nm，以80nmSB在240nm，SB與SB 間隔 160nm 0.920 偏壓-5nm，以80nmSB在260nm，SB與SB 間隔 160nm 0.960 偏壓-5 nm，以 80nm SB在240 nm 1.000 偏壓-5 nm，以 80nm SB在240 nm 1.040 偏壓-7.5 nm，以 80nm SB在220 nm 1.120 偏壓-7.5 nm，以 80nm SB在220 nm 1.200 偏壓-7.5 nm，以 80nm SB在220 nm 2.000 偏壓-7.5 nm，以 80nm SB在220 nm 裝訂 -22-本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 512424 A7 ________B7_ 五、發明説明（2〇 ) 曝光條侔_ ： NA=0.68 ;亮度設定=環形（〇·8/〇 6);又=248 nm ;曝光能量 —19.5 mJs ;焦點設定=-〇·35 #m，-0.2 "m (中心），+0.05 /zm。處理條件：

Shipley UV6光阻，厚度= 0.33 /zm ;複晶矽基板晶圓；抗反射覆盍，Shipley AR2，厚度= 0.6 nm。

所有尺寸為在1X晶圓比例 2 ·線末端〇 p C 對於一 CMOS電晶體，如所知，該複閘必須延伸超過在兩側上的主動區域。其必須防止任何在該電晶體的源極與汲極之間任何可能的漏電流。延伸超過該主動區域的閘極特徵部份係稱之為’’末端蓋"3 1，如圖6 ( a)所示。在該設計規則中設定的該末端蓋的量對於該晶片尺寸有直接的影響。為了節省空間，其有需要該末端蓋3 1的量能最小化。由於在將近所有的微影處理中觀察到的線末端縮短效應’一更小量的退縮末端蓋3 1需要更多的積極〇 p C。利用該混合式光罩，其可觀察到該線末端縮短效應可藉由p S μ 特徵來強化。因此，有必要應用〇 P C技術。為了實施適當的Ο P C，該第一步驟即是要檢查末端蓋3 1的量。此可利用在CAD工具中使用一 AND-NOT邏輯運算來完成，並對於量測及後續的處理來分離該末端蓋3 i。依據設計規則組合，該末端蓋3丨的量將會隨著〗c設計而改變。其已觀察到，如果在執行該AND-NOT邏輯運算之後的該末端蓋31的最小尺寸當使用一最先進的KrF曝光工具 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 512424 A7 B7 五、發明説明（21 ) 時，其係等於或小於0.25 U/NA),或約〇1 ，該末端蓋 31則可能太小。其可注意到，λ為曝光波長，而Na為該曝光工具的數值光圈。此估價係關於在製作光罩時的困難度，及達到所需要Ο P C效率的需求。在此例中，其更佳地是移除該弱或非相移末端蓋特徵，並僅延伸該psM閘電極線。藉由使用該P S Μ線末端的截線〇pc (參見美國專利 5,707,765)，其有可能來達到一像樣的修正。岫述的一個範例係不於圖9(a)_9(c)，其中EC代表所需要的末端蓋。圖9(a)所示為具有或不含〇pc的四種可能的線末端型式。線末端型式A代表在執行該AND_N〇T邏輯運算之後的一典型線末端。線末端型式B使用截線〇pc到該末端蓋。線末端型式C僅延伸該閘P s M特徵。最後，線末端型式D應用截線OPC到該PSM線末端。圖9(b)[空氣影像1 及9(c)[以所要的配線覆蓋的光阻圖案的上視圖]，其顯示該opc的結果。如所示，使用型式A，B或c的修正層次會最小。該最佳修正可使用型式D來獲得。其可注竟到，所使用的該曝光條件示於表I。再者，如果該末端言大於 0.25( λ /NA)，對於-更佳的微影製程，其仍為較利，、雖然不是基本的方法來使用此〇 P C方式。

裝訂

線其另可注意到，在該閘電極被"切開"之後，其很難分部末端蓋及内連接特徵。因此，另一種CAD方法可來先二名該線末端，然後使用此資訊來由内連接軌跡與接點墊分= 出末端蓋。然後，縮小該線特徵（同時對電極與末端並因此來指定相移屬性。接下來，對於該末端概特"徵 -24-

512424 A7 -___ B7 五、發明説明（22 ) 使用線寬度及線末端Ο P c，但僅使用線寬度〇 p c做為閘電極特徵。然後，重新結合該閘電極與末端蓋。在該連接接點，孩末端蓋OPC特徵可因為其現在覆蓋該閘電極而被取消。此C AD操作程序係示於圖1〇(a)_1〇(d)。更特定而言’圖10(a)所示為該覆蓋閘電極61及該主動區域62光罩的識別。圖i〇(b)所示為運算，其執行來分離該閘電極61，並將其放置在一獨立的記憶體位置。圖1 0 ( c )所示為濾波該接點著陸墊6 3的處理，然後同時縮小特徵及指定相位屬性。如上述，〇pc即應用到該末端盖的線寬度及線末端，而線末端〇pc即應用到該閘電極。圖10(d)所示為該末端蓋及該閘電極的組合，其可取消該不想要的截線OPC。因此，該接點著陸墊63及該閘電極 6 1在光罩成形時已經在獨立的資料層。 3·成角度的PSM特徵之〇pc ▲當成直線的電路設計因為使用偏軸的微影照明的改良的解析度好處而成為更普遍時，對於記憶體形式ICs的成角度的特徵仍然相當普遍。在大多數的例子中，肖成角度的特徵王要用於局部内連接。因此，c D控制並不像是閘極特徵那樣的關鍵。然而’為了設計更小的記憶體單元，該角度特徵CD幾乎與該閘極相同。其已觀察到，如果使用強P S Μ做為成角度的特徵，該〇 p e則因太過度而無法控制。因此，相鄰的閘極特徵成為過於失真，如圖11(&)所示因為其目的在於對準該成角度的特徵之所要的c D , '、已可觀察到，藉由使用弱或非相移設計，該Ο Ρ Ξ可被最 -25 本紙張尺規^^297公釐） 512424 A7 B7

小化，並由適當的尺寸規則，可得到合理的印刷圖案，如圖11(b)所示《在圖U⑷’⑻中，F1代表強相移角度特徵，F 2代表非相移角度特徵。 4·由強PSM轉換特徵到該弱或非相移特徵的〇pc 其再次可注意到，由於PSM特徵的〇PE之過度的層次，圖案失真可發生在由相移到該弱會非相移特徵之特徵轉換接點。對於一相當長的閘極（即相度電晶體寬度），此圖案失真可被忽略。但是，對於一較短的閘極，該失真可負面地影響菽CD控制，其類似於圖5(a)-5(d)所示的"彎曲 C D π特徵現象。為了保證平直邊緣的閘極特徵，其很重要地是在該轉換接點使用〇 p C。由實驗的結果可觀察到，該”短”閘極特徵的圖案失真在當孩閘電極直接附著到一接點著陸墊時會更加明顯。此係示於圖12(a)[在OPC之前]，其中，，clm”代表CLM (強PSM) 特徵及’’PSM”代表6% attPSM (弱PSM)特徵。幸運地是，一般的配線實施可防止該主動區域接觸該接點著陸墊，如圖6 ( a)所示。此可協助減輕角落區域的〇 p e。為了額外減輕Ο P E ’其有可能在該閘電極末端產生一”空間缝隙"，其連接到該接點著陸螯。根據該接點著陸整的性質（即無相移或弱相移），為了最佳的圖案保真度，該縫隙必須小於 0.125(又/NA)。對於一 0.63NA KrF步進器，該缝隙必須以 1 X晶圓比例距離0.05 /zm。在一 4X光罩中，此為0.2 /zm。移除該接點著陸墊及該閘電極之間的連接片段產生一•，空間缝隙π。如圖1 2 (b )所示，此〇 p C形式可足夠來最小化 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

裝訂

線 512424 A7 B7 五、發明説明（24 ) 該角落圓角效應’降低圖案失真，並保證該，，短，，閘極的平直邊緣。其可注意到對於該接點著陸墊亦需要額外的〇 p c。最號’對於較大的特徵，其已觀察到該尺寸化的偏壓OPC係可接受的，如圖i2(c)所示。再參考圖12(a)-12(c)，其可注意到圖12(約-12((：)的最上列所示為具有及不含OPC的光罩配線。該第二列包含空氣影像圖案，而該第三列為該顯影的光阻圖案的上視圖。該使用的鑤光條件係示於表I。如所示，若沒有〇 p C (圖 12(a))，該角落圓角對於該”短”閘極特徵將非常嚴苛。在實施OPC之後，如圖12(b)及12(c)所示及上述，該角落圓角可明顯地最小化。如上所述，本發明方法可提供比先前技藝更明顯的好處。更重要地是，本發明的混合式光罩允許印刷高解析度 π關鍵”特徵，而同時允許印刷低解析度，，非關鍵，，特徵，藉此降低孩光學接近修正技術的整體需求，並提供"關鍵，，特徵的改良C D控制。此外，因為本發明的混合式光罩僅需要一次曝光來形成該需要特徵，該製程的整體產量可較佳地增加，其係藉由消除執行一雙重曝光及對準的需要。此外，孩創新的混合式光罩允許分離該關鍵特徵及非關鍵特徵成兩個$同％的傳輸。此使得選擇_定曝光來更多地聚焦在該關鍵特徵，且對該非關鍵者較少的關注，其可促進決定出這種光罩的最佳曝光。類似地，該曝光裝置設定的最佳化，例如亮度設定（如财，σ)，其可大致僅依據 -27-

A7 τ—----— Β7 五、發明説明（25 ) ---—- 該關鍵特徵。其它的好處在於因為該關鍵特徵現在被簡化，主要藉由線及空間，此可允許利用一較強的偏軸照明來以更深的焦點來達到較佳的解析度可能性。 •此外，因為茲混合式光罩利用較弱的p s Μ給該關鍵特徵，其可允許非關鍵特徵的印刷更為準確，因為弱P s Μ仍可改善該圖案化。另一個好處在於一混合式光罩的設計與該雙重曝光 altPSM法相比，係相當平直。特定而t，藉由該混合式光罩不而要考慮到潛在的相位衝突。相反地，該相位衝突解析度演算法對於該交替PSM是相當地複雜。取後，其也可注意到，該創新混合式光罩的關键特徵可以設計成具有一均句的線宽度，其大為簡化了該光罩製作處理。本發明的混合式光罩也有可能來變化。舉例而言，當該混合式揭示於所提出的範例具體實施例係利用4 _ 6 % attPSM來形成該弱相移特徵，及無鉻p s M來形成該強相移特徵，也有可能有其它選擇。在前述具體實施例的另一個變化中，一混合式光罩可用一雙重曝光光罩來實施。在此變化中，所有的關鍵特徵係置於一獨立的光罩。此”關鍵特徵”光罩為一高％傳輸 attPSM或一無鉻pSM (CLM)。該，，非關鍵，，光罩包含所有的非關鍵特徵，其可為一非相移或一較弱的PSM (如4 %到 6 % attPSM)。在此例中，需要使用相同的sb 〇pC法來用 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 512424

於該關鍵曝光光罩。前述的變化係示於圖13(a)-13(d)。圖13(a)描述一範例特徵，用以印刷具有一閘極特徵7丨及一主動區域72。圖 13(b)所示為該”非關鍵”光罩73 ,其代表所形成的該非關鍵特徵7 4。圖1 3 ( c )所示為該”關鍵，，光罩7 5 ,其代表要形成的該非關鍵特徵？ 6。在形成所需要的特徵時，首先曝光孩非關鍵光罩7 3，然後曝光該關鍵光罩7 5。該最後的結果，其示於圖13(d)，其類似於使用上述的該混合式光罩的單一曝光光罩版本來形成的曝光的圖案。其可注意到該關鍵光罩7 5必須由不透明的鉻7 7來環繞，藉以阻隔不想要的曝光，而僅曝光那些關鍵閘極特徵的立即相鄰的區域。關於該非關鍵光罩73，其可與原始形成的相同’或其可稍微修改，所以該閘電極區域7 8，其具有稍微較大的寬度。此需要來允許由於多重曝光之更多的誤差空間。使用該雙重曝光光罩方式的好處在於其可能來完全地退_遠關鍵及非關鍵特徵，因為其可在兩次獨立光罩曝光又下被圖案化。但是，一個缺點是降低了曝光流量，因為其需要兩次曝光來形成一圖案。一微影曝光裝置的說明圖14所示為一微影裝置，其中使用了根據本發明的光罩。該裝置包含·· 輕射系統E X，I L，用以供應一輻射的投射光束p B (例如輻射）。在此特殊的例子中，該輻射系統也包含一輻射源L A ;

B7 五、發明説明（27 ) 一第一物件台（光罩台）MT，其提供—光罩夾持器來夾持-光罩MA (如：標線）’並連接到第一定位裝置用以正確地定位關於項目p L的光罩；一第二物件台（基板台）WT ,其提供—基板爽持器來夾持基板W (如.一光阻披覆梦晶圓），並連接到第二定位裝置來正確地定位關於項目P L的基板；才又射系統（鏡片”）P L (如：一折射，反射或反射兼折射系統），用以成像該光罩MA的照射部份到該基板w的一目標部份C (如：包含一個或多個模）。如此處/斤述，該裝置為一傳遞形式（如具有一傳遞光罩）。但是，一般而言，例如其也可為一反射形式（具有一反射光罩）。Θ外，該裝置可使用另一種圖案化裝置，例如上述的一可程式化形式的鏡像陣列。該來源L A (例如一燈或excimer雷射）產生一輻射光束。此光束進入一照明系統（照明器）IL，其可直接地或在包含一側向凋整裝置之後，例如一光束擴張器E X。該照明器 IL可包含調整裝置八1^，其用以設定該光束中強度分佈的外部及/或内部輻射範圍（其通常分別稱之為σ _外部或· σ 内部）。此外，其通常將包含其它不同的元件，例如一整合器IN及一聚光器C0。依此方式，照射在該光罩“八上的光束PB，其具有在其橫截面上所需要的均勻性及強度分佈。其須瞭解到，關於圖1 4，該來源L a可位在該微影投射裝置的外殼之内（通常像是該來源LA為一水銀燈時），但 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格 512424 A7 B7 五、發明説明（28 ) 其也可遠離該微影投射裝置，其所產生的該照射光束被引入孩裝置（如藉由適當的導引鏡）；後者的方式通常是當該來源L A為一 excimer雷射 ° 該光束P B接下來即截斷該光罩μ a，其係夾持於一光罩台MT。經由行經該光罩MA，該光束pB穿過該鏡片Pl，其可永焦该光束P B到該基板W的一目標部份c。藉助於該第二足位裝置（及干涉量測裝置IF)，該基板台WT可以正確地移動’例如可以定位不同的目標部份C在該光束p b的路徑中。類似地，該第一定位裝置可用來正確地定位關於琢光束P B的路徑之光罩Μ A，例如在由一光罩庫機械式地取得該光罩Μ A，或在一掃描期間。一般而言，該物件台 MT，WT的移動將可藉由一長衝程模組（粗略定位）及一短衝程模組（精細定位）的協助來達成，其並未明確地描述於圖1 4。但疋，在一晶圓步進器的例子中（相對於一步進及掃描裝置），該光罩台Μ T可只連接到一短衝程致動器，或可為固定。該描述的裝置可以用於兩種不同的模式： -在步進模式中，該光罩台ΜΤ可保持基本的穩定，而整個光罩影像即一次地投射到一目標部份C (即單一 ”閃光 )。然後該基板台WT即偏置於該X及/或y方向，所以一不同的目標部份C可由該光束PB所照射； -在掃描模式中，基本上可應用相同的方式，除了一給足的目標部份C並未在一單一，，閃光”下曝光。而是，該光罩台MT係以一速率v來在一給定的方向中移動（所謂的，，掃 -31 -

裝訂

線 512424

描方向，，，如y方向），所以該投射光束PB即產生來掃描整個光罩影像；$時，該基板台WT同時地以相同或相反的万向利用速率V==Mv來移動，纟中Μ為該鏡片ρι^放大率 (基本上Μ叫/4或1/5)。依此方式，可曝光一相當大的目標部份C，而不需要對解決方案有妥協。、雖然此處已揭示了本發明的某些特定具體實施例，其可注意到本發明可以用其它形式實施，而不背離其精神:戈基本特性。因此本具體實施例在各方面皆應視為說明用，而非限制’本發明的範圍是由所附申請專利範圍來指定，因此所有在該中請專利範圍相等的意義及範圍之内的改變，皆是在包含於其中。 -32-

Claims

一微影圖案到一基板 T種藉由一微影曝光裝置來轉換之光罩，該光罩包含：低傳輸相移光罩及一非至/ 一非關鍵特徵’其利用一相移光罩之一來形成，及高傳輸相移光罩來形成。 ’其中該光罩係形成在一至少一闕鍵特徵，其利用一如申清專利範圍第1項之光罩單一支撐平板上。 •如申请專利範圍第1或2項之也當a入貝又先罩，其中該低傳輸相移先罩包含一5-8%傳輸衰變的相移光罩。 •如申凊專利範圍第1或2項土 ^ ^ ^ A 飞2員义先罩，其中該低傳輸相移尤罩包含一非相移路光罩。 5 ·如申请專利範圍第1或甘A，、上你从貝疋先罩，其中該鬲傳輸相移 I σ至少一 1 〇 %傳輸衰變相移光罩。 6 ·如申請專利範圍第1或甘|，、丄&士乂2負又先罩，其中該向傳輸相移九罩包含至少一 10%傳輸無鉻相移光罩。 7·如申请專利範圍第i或2項之光罩，其中該光罩包數個=非關鍵特徵及複數個該關鍵特徵。。 •種藉由一微影曝光裝置來轉換一微影圖案到一基以形成光罩之方法，該方法包含以下步驟：形成至少一非關鍵特徵在該光罩上，該至少一非特徵係利用一钣值私4η Μ 1 低傳輸相移光罩及一非相移光罩 — Ψλ ^ , ΊΧ 形成土少一關鍵特徵在該光罩上，該至少一關鍵係利用-高傳輸相寿多光罩來形 - A8 B8

9·=藉由-微影曝光裝置來由—微影光罩轉換—微影到基板之方法，該方法包含以下步驟：形成該微影光罩，該微影光罩包含至少一非關鍵特徵，孩至少-非關键特徵係利用一低傳輸相移光罩及一非相移光罩之-來形成，及至少—關鍵特徵，該至少一關鍵特徵係利用一高傳輸相移光罩來形成，利用該微影曝光裝置來將該微影光罩承受一單一曝光，該單一曝光係用來同時印刷該關鍵特徵及該非關鍵特徵在該基板上。 10·如申請專利_第9項之方法’其中該微影光罩為根據申請專利範圍第2 - 7項之光罩。 11 一種藉由一微影曝光裝置來由一微影光罩轉換—微影圖案到一基板之方法’該方法包含以下步驟· / 形成一第一微影光罩，該第一微影光罩包含至少一非關鍵特徵，該至少一非關鍵特徵係利用一低傳^相光罩及一非相移光罩之一來形成； ’ 形成一第一微影光罩’遠第一微影光罩包含至少一闕鍵特徵，該至少一關鍵特徵係利用一高傳‘光‘ 來形成，利用該微影曝光裝置來將該第一微影光罩 _ 文曝光，及利用該微影曝光裝置來將該第二微影光罩承# —暖光。 ’ 12.如申請專利範圍第1 1項之方法’其中該低傳輪相移光 -34- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱) 512424 申請專利範圍罩包含一5·8%傳輸衰變的相移光 13·如申請專利範圍第1 1 法，其中該高傳輸相移光罩。罩包含一非相移路光罩、。=其中該低傳輸相移光 14·如申請專利範圍第1 1到1 移光罩包含至少一 1 〇 %傳 15·如申請專利範園第i i到b 、移光罩包含至少一 1〇%傳輸光^邊兩傳輸相裝置之製造方法，其包含以下步驟罩 ⑷基板，其至少部份地由-層輻射敏感材料所 ⑻使用射系統來提供—輕射的投射光束； (C)對一光罩使用一圖案炎 7 中的圖案；®衣來賦丁琢投射光束在其橫截面訂 ⑷投射琢圖案化的輕射光束到該輕射敏感材料層目標部份上，其特徵在於，於步驟（C)中，使用一光罩，其包含：至V非關鍵特徵，其利用一低傳輸相移光罩及一非相移光罩之一來形成，及至少一關鍵特徵，其利用一高傳輸相移光罩來形成。 -35- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(2ι〇χ297公爱）