TW511429B - Process to manufacture tight tolerance embedded elements for printed circuit boards - Google Patents

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A7 發明說明（i B7 t I 1 I才 土 璧1明背吾 t塑範疇 本發明係關於具有阻抗 言，係關於在) P刷电路基材，更特足而 圖案的一印刷+ 、支旱上具有—阻抗元件圖案及一導體 刷二：刷電路基材。依此方式，具有阻抗元件的一印 4以製成爲具有高度精密的電子誤差。 氣li技墊説1 工 佴二::製造印刷電路板的方法中，-絕緣支撑係提 材料：二個表面上的一電阻層，並配置-高導電性 罩/丨/“阻層上。藉由此習用方法，_由-扣除的遮 ^万法來形成印刷電路基材，-絕緣區域，—電阻區 :及：”在另一種先前技藝方法中，—印刷電路 丞何你田復盍'高導電性材料層，例如銅箔，& 一可移除 的遮罩板來製造，藉由電子沉積來形成_電阻層在該高 :包性材料層的其它表面上。然後，該遮罩板被移除，接 :」巴:彖支撑即結合於該電阻層。接下來，該銅箔的表面 覆蓋有光阻，並用影像化曝光及顯影出組合的一導電圖案 及一電阻圖案，使得該光阻可殘留在該圖案區域中。在該 區域中並不被光阻所覆蓋的銅箔係由蝕刻來移除，而所暴 露的電隘層即使用一蝕刻溶液來移除，使得該絕緣支撑的 表面被暴露出來。然後，左方的光阻即使用一移除溶液來 移除。接下來，該基材再次地以光阻覆蓋，經由具有該導 體圖案的一負片攝影來曝光，而顯影該基材來保留該光阻 在遠導體圖案區域中。在該區域中並未被該光阻所覆蓋的 -4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁} 裝 丨線· 五、發明說明（2 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 銅羯即由蝕刻來㈣，因 域的·雷阳S AA 士 ·χ *路出對應於該電阻圖案區 堞的及包阻層的表面。然後， 溶液來蒋哙 t 邊殘留的光阻即使用一移除 ，合及不私除。一焊料阻絕物 士穸兩阳F1妥r~ 1 >者，係由印刷來施加於 S %阻0案區域中的該電阻屉， 猝以續苔兮不 ㈢ 然後即進行加熱及硬化， 精復孤邊毛阻層來獲得具有雷阳 前虛理φ ΜI ,私阻的一印刷電路板。在先 刖處理中的缺點是，該電阻 0 S tL ^ ^ q很寿，而其機械強度非常低 變化。 、心坆成琢板電阻及多個其它特性的 這些不同的困難，其提出有其它的方法，其中 材的導體圖案區域係由—鍍金薄膜來保護，並在 ,^ , “有對應電阻圖案區域之架構的銅绪 丄、.、一、、技云的專業人士將可立即瞭解 到:在此方法中，該處理本身需要相當多的技術。另一種 J 卩w % 基材❸^法係說明於美國專利4,368，⑸中 此技術元成-電阻圖案薄膜及—導體圖案薄膜在一鋼搭 勺兩個表面上的預足位置上。一絕緣支撑係直接或間接地 結合於1¾導電性材料層上的電阻圖案薄膜。由上述可明顯 看，ϋ〃用的印刷電路基材處理技術會有不同的缺點，其 2含大量的複雜處理步驟。因此，其需要相當長的時間來 處理二其製造成本很高，良率受到限制，兩輔助材料的成 本也高。此外，使用一電阻箔所製成的内嵌式電阻，其電 子疾差比所需要的値要高得多，約在土 1 0%。此變化的主要 邵份係因爲其不能解決較高精度的電阻圖案。本發明即可 解決這些問題。 _ -5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 χ 297公髮） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明說明（3 ) 根據本發明，可製 ^ 形成阻抗元件的丄=一高導電性材料的平板上具有預 ^ ^ %路基材，並附著於一支撑。_噔 '.彖板係犯加於在其間且 导 、、、巴 該導+ Μ Μ # ^ ~有阻柷元件的導電材料板。在移昤

忑等％材科板的支撑 仗矽L -所需要的圖案，使得L導電材料板即被1虫刻來形成 份阻抗元件。可依需I =些導電線可接觸到至少-部 .案力令^ @# ΛΑ, 形成另—個阻抗元件及導電線圖 有較多改盖之電0此，阻抗兀件可形成在具 。^包子祆是的絕緣板上。 發明概jjl 本發明係提供形成且有 _ 甘4人 风/、有阻饥儿件的印刷電路板的方法， 其包含以下步驟，並φ丰& 、 乃忠 ”中步1(a)及（b)的順序可對調： (a)沉積一層阻抗材料名_古 ⑴…一、、丄、# 在冋導電性材料板之第一表面上； m耆涊高導電性村料板第- 布—么叫μ 一又傳；然後 ()她加—層光阻材料在該層阻抗材料層上； (d)衫像化曝光該弁卩且姑沐 χ, 元阻材科，並猎此形成影像及非影像的區 或’然後即移除該非影像區域，而保留該影像區域； ⑷姓刻掉在該総材料的移除之非影像區域之下的該阻 抗層材料的部份’然後即視需要來移出該光阻材料的影 像區域’並遣留-阻抗元件的圖案在該高導電性材料板 上。 較佳地是該處理進一步包含後續的步驟： ⑴形成複數個目標孔洞來穿過該高導電性材料板； (g)將-絕緣材料板的—側附著到高導電性材料的板上，使 得該阻抗元件係位在該絕緣材料板及該高導電性材料 -6 - 表纸張尺度適帛+目目家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 -----------Ϊ裝— (請先閲讀背面之注意_項再填寫本頁) 訂，- •線· 經濟部智慧財產局員X-消費合泎法印製 A7 B7 五、發明說明（ 4 板之間； (h)由該高導電性材料板移除該支撑； (1)施加一額外的光阻材科 二表面上； w问導電性材料板的該第 ⑴影像化地曝光額外的光阻 像區域―梅- : = ’虫刻掉在該光阻材料的 導雷WI此认、 卜以爆&域（下的孩鬲 :二”分，然後依需要來移除該光阻材料的 〜像£域，因此留下該高 …0 得至少-些導電線可接觸到至少==圖案，使 更佳地是，該處理提供以下額 ： ㈣的順序可以對調： ”既，其中步驟⑴及 向導電性材料板的 (l) 沉積一第二層的阻抗材料在—第 第一表面上； (m) 附著該第二高導電性材料板 線 後 矛一表面到一支撑；然 (η)施加一層光阻材料到該第二阻抗 (〇)影像化地曝光該光阻材料， „ ^ 0 , U此^成影像及非影像區域 Ά即㈣該非影像區域而保留該影像區域； (P)紅刻掉在該光阻材料的移除的非影像區域之下 :二導料層的部份，然後依需要來移除該光阻材 :的應域’因此在該第二高導電性材料板上留下— 弟二阻抗元件的圖案； I__ ___ 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21G X 297 g A7 A7 B7

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（5 (q)形成複數個目標孔、、 、广、 一计礼洞，其通過琢第二高導電性材料板； 附著Γ第Γ高導電性材料板到該絕緣材料板的另-御 _使彳寸4第—阻柷元件位於該絕緣材料層及該第二高辱 電性材料板之間； (S):該第二高導電性材料板的該第二支撑； 力I外的光阻材料層到該第二高導電性材料板於 後側； ’ (U)影像化地曝光額外的# _ Γ的先阻材枓層，因此形成影像及非最 像區域，然後即移除哕 . 陈g非〜像£域，而保留該影像區场 (V)蝕刻掉在菽光阻材料的移除的非影像區域之下的該第 :高！電性材料板的部份，然後依需要來移除該光阻材 饤汾像區域，因此留下該高導電性道 線圖案，使得至少一此亏第_道+46 不一于电 y 二该罘一導電線可接觸到至少一此 該第二阻抗元件。 二 =明的另—具體實施例提供以下步驟，其中 (b)的順序可以對調： )久 ⑷沉：：層阻抗材料在一高導電性材料板之第一表面上； (b)附耆孩向導電性材料板的一第二表面到一支撑； ⑷形成複數個目標孔润來穿過該高導電性材料柘. ⑷將-絕緣材料板的一側附著到高導電性材料的板上 f靠抗元件係位在該絕緣材料板及該高導電性材料 板之間； ^才寸 (e)由該鬲導電性材料板移除該支撑 ------—裝--- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐

J丄丄 J丄丄 第二支 A7 五、發明說明（6 ) ⑴t加一光阻材料層到該高導電性材料板的該第二表面 (g)影像化地曝光該光阻材料声， .,,„P竹層因此形成影像及非影像區 域，然後即㈣該非影像區域，而保留該影像區域. ⑻在該光阻材料的移除的非影像區域之下的該高 板的料，然後依需要來移除該光阻材 =區域，因此留下該高導電性材料的導電線圖案，使 仔土）一些導電線可接觸到至少一些阻抗元件。 較佳地是，此具體實施例包含 G)的順序可對調： 其中步膝⑴及 (i)沉積一阻抗元件的第二圖案在一 „ .. ^ 口木在昂—高導電性材料板 的一罘一表面上； vj)附著孩第二高導電性材料板的一筮一* 撑；然後 ^ ㈨形成複數個目標孔洞來穿過該第二高導電性材料板； ⑴將孩第二高導電性材料板附著到—絕緣材料板的另一 側’使传·该弟_ 一阻抗元件係位在兮绍给 卞货1在4纟巴緣材料層及該第二 咼導電性材料板之間； (m)由該第二高導電性材料板移除該第二支撑· ㈤施加-額外的光阻材料層到該第二高導電科好靡 後側； 〃 (〇)影像化地曝光該額外的光阻材料層，因此形成影像及导丨 影像區域，然後即移除該非影像區4，而=影像g 域； w Μ *

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297TW --------------裝·-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 線· (pm刻：：該光阻材料的移除的非影 二高導电性材料板的部份，然後依 \下的㈣ 料的影像區域，因此留下該：::移除孩光阻材 的圖案，使得至少一些該第 h一導私線 該第二阻抗元件。 導…接觸到至少一些 本發明的一第三具體實施例提供 印刷電路板的方法，其包本以下牛、-成：有阻抗元件的-順序可對調： 以下步驟，其中步驟⑷及⑻的 ⑷沉積-層感光阻抗材料在一高導電性材料板之 面上； (b)附著該高導電性材料板的一第二表面到—支撑"火後 ⑷影像化地曝光該感光阻抗材料層，因此形成影像及非影 像區域，然後即移除該非影像區域，而保留該影像區域 ，精此遺留-阻抗元件圖案在該高導電性材料板上； ⑷形成複數個目標孔洞來穿過該高導電性材料板； ⑷^絕緣材料板的_側附著5lj高導電性材料的板上，使 得孩阻抗元件係位在該絕緣材料板及該高I電性材料 板之間； (f) 由該高導電性材料板移除該支撑； (g) 施加一光阻材料層到該高導電性材料板的該第二表面 上； (h)影像化地曝光該光阻材料層，因此形成影像及非影像區 域，然後即移除該非影像區域，而保留該影像區域； ⑴1虫刻掉在孩光阻材料的移除的非影像區域之下的該高 A7五、 發明說明（8 ) 導電性材料板的部份，然後依需要來移除 影像區域，因此留下該高導電性 Λ先阻材料的 π r 材科的導電線*1安从 侍土少_些導電線可接觸到至此、 囷衣，使 >,Ώ 二阻抗元件 0 此具體實施例進一步提供以下♦- 廿山 順序可對調： 下八，其中步驟⑴及㈨的 (J)沉積一第二層感光阻抗材料層在—丄 板的一第一表面上； 弟—向導電性材 (k)附著該第二高導電性材料板的— 樘：蚀仪 昂一表面到一第二 料 撑；然後 化地曝光該感光阻技材料，因此形成 =遺移=非影像區域，而保留該影像區: 和此逍^ 一罘二阻抗兀件圖案力 _丄 ㈣形成複數個目標孔润來穿過；板上 ，該第二高導電性材料板附著到該另 =使得㈣二阻抗元件係位在該絕緣材料層及 南導電性材料板之間； (〇)由泫第二咼導電性材料板移除該第二支撑· 阻材料層到該第二高導電性材料板的後側； Γ==光::材料層，因此形成影像及非影像 η二:: ，影像區域，而保留該影像區域； ❹在m光阻材料的移除的非影像區域之下的咳 二導：性材料板的部份，然後依需要來移除該光阻 像區域，因此留下該高導電性材料的第二導電 •’圖术丫吏仔至少—些該第二導電線可接觸到至少— 支 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} - ---r---•訂----------- -n n n I n n , 第 材 線

* I I I ί I n - L_______ 細 11 - 本紙張尺度適用中關冢標準（CNS)A4297公墓 經齊郎智慧財產局員X消費ZVD阼；印製 511429 五、發明說明（9 ) 該第二阻抗元件。 單説明 二圖1所π爲在一南導電性材料板的一側上之一沉積的阻 *材料層’在該導電材料板的另-表面上的-支撑，及在 該阻柷材料上的一光阻層。 &圖2所示爲在影像化曝光該光阻材料之後，然後移除該非 影像區域，而保留該影像區域的結果。 圖3所不爲在該阻杬材料被影像化地蝕刻掉位在嗲户阻 材料的移除的非影像區域之下的該阻抗層材料的區=f然 後即移除該光阻的結果。 圖4所示爲在該阻抗材料被影像化地蝕刻掉位在該光阻 材料的牙多除的非影像區域之下的該阻抗層材料的區域，而 綠光阻並未被移除的結果。 ’ 二圖5所示爲鑽過該高導電性材料板的目標孔洞，及附著到 違南導電性材料板的一絕緣材料板。 圖6所示爲在移除該支撑後的結果。 圖7所tf爲施加於該鬲導電性材料板後側的另一層光阻。 圖8所示爲在曝光及顯影之後的光阻。 斗圖9所示爲在蝕刻掉位在該光阻材料的移除區域之下的 〜巧導電性材料層之後，而留下_導電線_案接觸—此跟 抗元件的結果。 > ^ 抖圖爲在ί第二高導電性材料板上一第二層阻抗材 、/、附著到一第二支撑，並在該第二阻抗材料層上具有 另一層光阻材料。 _ 一 -12- 本紐尺度翻中ϊϋϋ (CNS)A4規格（210 χ 297公爱） ，裝—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： --線- A7 A7 五、發明說明（1〇 圖11所示爲 非影像材料而 圖12所示爲 材料的移除的 後即移除該光 圖1 3所示爲 圖14所示爲 的後側之結果 圖1 5所示爲 並施加另一層 圖1 6所示爲 在影像化曝光該光阻材料之後，然後移除該 保留該影像區域的結果。 在$阻抗材料被影像化地蝕刻掉位在該光阻 非〜像區i成之下的該阻抗層材料的區域，然 阻的結果。 … 鑽過該高導電性材料板的目標孔洞。 附著fl第二高導電性材料板到該絕緣材料板 〇 由琢第二高導電性材料板移除該第二支撑， 光阻到該導電板之後。 在这光阻被影像化地曝光及顯影之後的結果 叫▲ ’ 為在涊罘二導電板被蝕刻來形成導電線，並已 經移除該光阻的結果。 叙體實施級邊jy細説明 圖1所示爲形成一印刷電路基材的該方法之第一步驟。其 。"斤可對凋順序’沉積-阻抗材料層4在一高導電性板2 的第表面上，然後附著該鬲導電性材料板2的一第二表 面到支撑8然後，其施加一層光阻材料6到該阻抗材料 層4。在所有的圖面中，該尺寸並未成比例。 ::用方、S回導包性材料的適當材料，纟非排除性地包含金 屬薄片、，其包含銅，1呂，鎳，黃鋼，金，銀，不銹鋼，錫 ’鋅’或其組合。較佳地是，這種薄片的厚度由約12 _到 名勺3 5 μιη 。 1 _ 嫌 13 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公髮y*" 511429 A7 B7 五、發明說明（11 ) 琢阻抗材料較佳地是爲一 導-材料，“疋丹"阻材枓，用以沉積電阻在該 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 二⑭一 T包含電容’電感或活化材料來形成電晶 骨豆或Έ：微電裝置。基本上，其 曰日 /子/又〇馬1 〇〇 nm到約1 〇〇〇 nm。電阻材料可白本4自 ,, :枓了包-包含合金的鎳，一半導體，或 二：屬或金屬合金的組合，及至少_絕緣體。較佳地 疋忑私阻材料的電阻値由每平方約25到約;1000歐姆。適 當的電容材料包含一聚合材料，—金屬氧化物，一半導體 材料’或其組合。較佳地是，該電容材料的電容値是由‘ 平方么刀約.01到約3000 nan〇farads，其較佳地是由每平方 公分約0.5到約2000 nan〇farads。適當的電感材料非排除性 地包含非晶形金屬，例如鐵，及二氧化矽的合成物，例 如 Honeywell Amorphous Metals的產品 2605 SA；l，及鈷，鐵 7 ,久一虱化矽的合成物 7 如 Honeywell Amorphous Metals 的產叩27 1 4 A。這些係由投入該融熔金屬到一冰冷的鼓中 來快速地冷卻該材料，並使其結果留在一非晶形狀態中來 產生。該電感材料可以沉積到該導電材料上，例如藉由電 鐘’錢鍍或氣相沉積的技術。較佳地是該電感材料具有一 電感値由約0.00 1到1 henry。 經齊節智慧財產咼員X消費合阼；印製 汶支择可包含一金屬，一聚合物或其組合。適當的金屬 多r排除性地包含銘及不绣鋼。較佳地是，這種支撑的厚度 由約0 · 12 m m到約〇. 5 1 m m。較佳地是，該支撑包含一種材 料’其能夠超音波連結到該高導電性材料板。最佳地是， 該支撑係超音波地連結或焊接到該高導電性材料板，其係 由美國專利5,942,3 14所揭示的技術-，在此引用做爲參考。 ‘紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

S.齊茚一曰慧时奎苟員31肖費^，乍i 超骨波連結的好步A 、+ A占連結能夠承受化學或熱侵害。此 可使本技術可應用及處理阻抗材料。 該光阻可以是1 τ从 。去 ’疋正工作或負工作型，其可爲液體或乾薄膜 作光阻合成物以影像化地曝光於照射之下，該曝 光於照射的區域即屮Ρ 、、 、 ^ 、 或ρ比較不落於顯影溶液，而該光阻的未暴 。=域則維持H於_顯影溶液。因此，以―顯影劑來處 里Α曝光2負工作電阻，可移除該電阻披覆的未曝光區域 、，藉2暴路出底下基材表面的所需要的部份，其上沉積有 光阻ϋ成物。當正工作光阻合成物係影像化曝光於照射時 那些曝光於照射的區域即比較溶於該顯影劑溶液，而未 :=區域仍維持相對性地不溶於顯影劑溶液。因此，以該 颂：:]處理-曝光的正工作光阻，可移除該電阻披覆的曝 π政％，並在該光隘披覆中產生一正影像。在任一狀況中 ，孩辰層基材表面的所需要部份仍保持未覆蓋。正工作光 阻口成物取好是在負工作電阻之上，因爲前者通常具有較 佳的解析度。適當的光阻合成物在本技藝中爲人所熟知， 其:包含o-quinone diazides及一水溶性鹼溶液或可擴散連 結劑樹脂的混合物，例如 _n〇v〇la]^p〇ly(4_hydr〇xystyrene〕 。適當的光阻係描述於美國專利4,692,398 ; 4,835,〇86 ; ，，863,827及4,892,801。適當的光阻可購自美國New Jersey 州的 Somervnie 之 Claimant公司，型號AZ-4620及 AZ]11。 在本發明的方法中，其係披覆及乾燥前述的光阻合成物 於一適當的基材上。該預備好的電阻溶液可利用任何習用 的光阻技藝中的方法來施加於一基材上，其包含沉浸，喷 一 -15 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

五、發明說明（13) 齋 i 讨 t 賢 鐵，浓壓，旋轉塗佈。例如當使用旋轉塗佈時，该心阻、六 液可以調整成固態内容的百分比，藉以提供給定；：用： 旋轉設備形式所需要厚度的披覆，以及該旋轉方法所允許 的時間。纟本發明的_較佳具體實施例中，該光阻層係由 术中式地犯加-欲態光阻合成物到—旋轉輪的上表面來形 成，其速度範圍是由約500到約6〇〇〇rpm，其較佳地是約從 1500到約4000 rpm，並運轉約5到約⑽秒，而其較佳地是約 1〇到約30秒，藉以均勻地塗佈該合成物在該上表面。該光 阻層的厚度可依據所施加的液態絲合成物的量來改變， 但基本上該厚度可由約·入到約5〇,〇〇〇人，較佳地是由約 2,000A到約12,〇〇〇A。纟户斤施加的該％阻合成物的量可由約 1 ml改變到約1{) m卜其較佳地是依據該基材的尺寸，而由 約2 ml改變到約8 ml。 、在茲光阻合成物溶液被覆蓋到該基材上之I，該基材即 、大勺20 C到200 C的溫度來處理。此溫度處理的進行是爲 了降低及控制該光阻中殘留溶劑的濃度，而不會造成該感 光劑潛在的熱劣化…般而言，丨需要使溶劑U度最小 因此’此溫度處理會進行到大致所有的溶劑皆苯發掉 ，而殘留厚度約微米級的光阻合成物層在該基材上。在一 較佳具體實施倒中，該溫度係在約5 抱 。一更佳的範圍是從㈣WX：。此處理會進〜行^容 劑移除的速率改變、点艮i曰丄 又成馬相對地不重要時。該溫度及時間選 擇：根據使用者所需要的電阻特性，即所使用的設備，以 及貫用上所需要的披覆時間。對於熱板處理的營運上可接 ------------i — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · -丨線*

511429 A7 B7 五、發明說明（14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 受的處理時間最高可到約3分鐘，更佳地是最多到1分鐘。 在一例中，在9CTC下進行30秒的處理較爲有用。當在這些 溫度下於一對流爐中進行時，處理時間可增加到約20到約 40分鐘。 在沉積到該基材上之後，該光阻層即被影像化曝光，例 如透過A;rF雷射，或透過光化學輻射的蝕刻遮罩。此曝光造 成該光阻的影像及非影像區域之間的影像化差異。然後該 非影像區域即在一顯影溶液中被溶解掉。較佳地是，使用 足量的UV照射來使得該光阻層的曝光部份可影像化地溶 解於一適當的顯影劑。U V曝光劑量較佳地是由約5 m J / c m2 到約300 mJ/cm2，更佳地是由約5 mJ/cm2到約1 00 mJ/cm2， 而更佳地是由約1 0 mJ/cm2到約30 mJ/cm2。 痤齊IF1 曰慧讨臺荀員11有費.da乍： 該顯影步驟可由沉浸在一適當的顯影溶液中來進行。該 溶液較佳地是由像是氫氣爆炸方式來攪拌。該基材被允許 來維持在該顯影劑中，直到所有的，或大致上所有的電阻 披覆可由該照射區域溶解。該水性驗溶液的典型例子適用 於該顯影劑者，包含 sodium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide，或屬於週期表I族及II族金屬的氫氧化物水溶液 ，例如氫氧化鉀。有機鹽的水溶液中不含有金屬離子，像 是 tetraalkylammonium hydroxide ? j列 i口 ： tetramethyiamnioiiium hydroxide (TMAH)，tetraethylammonium hydroxide (TEAH)及 tetrabutylammonium hydroxide (TBAH)。更佳地是，其爲 tetramethylammonium hydroxide (TMAH)。再者，如果需要的話 ，做爲顯影劑的水性基溶液可額外地包含任何的添加劑， -17 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 511429 &濟部智慧財產局員工消費合作钍印製 五、發明說明（15 )

例如一表面活化劑，藉以改善所得到的顯影效果。 圖2所示爲在影像化曝光該光阻材料之後的結 成影像及非影像區域，然後移除 知此/ 像區域。該阻抗材料即被物==二留該影 影像區域之下的該阻抗層材料部 、广除的非 丁 Η刀，而在同導電性材料板6 二:下-阻抗凡件的圖案，如圖3所示。該 可精由將該阻抗㈣㈣劑來完成，其可由^平2 垂直傳送的喷灑形式設備爽6 士 姓刻該材料。在圖3中，，光'° 電漿系統來乾 /後，—絕緣材料板12的—側㈣著到該高導電性板， 猎此该阻抗π件係位在該絕緣材料板丨2及高導電性板2之 圖5所示的本發明具體實施例中，其即鑽出兩個或多 個目標或導引孔1〇,穿過該高導電性材料板2,支撑8,絕 ==視需要的一些阻抗元件4,該孔洞可做爲構成 阻饥材料圖案與後續形成的金屬線之登錄。 該絕緣材料板可包含一熱固性或熱塑性聚合物，其可且 有或不含補強物。適當的絕緣材料可爲環氧樹脂玻璃布， =玻塌布，聚疏亞氨玻璃布，玻璃布，酉分 樹践，環氧樹腊紙，p〇b,imide，聚醋，购㈣id〇i⑹心 ’及-彈性的絕緣板，或以彈性環氧樹脂玻璃布或 弹性聚醯胺紙製成的薄膜。無機材料，例如陶似玻璃 板，其中樹脂及橡膠，像是環氧樹脂，聚酿，聚亞胺脂， 聚硫亞風及橡膠’係做爲黏結層，其可做爲絕緣材料。較 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂·- -線· -n n n

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佳地是，該絕緣材料板包含一環氧樹脂或聚硫亞氨。 然後該支撑8即被移除而形成圖6的結果。然後即施加 —層光阻6到該咼導電性板的背側，如圖7所示。然後匕“ 阻即可用類似的方式曝光及顯影，如上述，以形成圖二: 果。其即蝕刻掉在該光阻材料的移除非影像區域之下的、； 高導電性材料板部份，然後依需要來移除該光阻材料的： 像區域，而留下該高導電性材料的導電線圖案，使得至^ 一部份該導電線接觸至少一些該阻抗元件，如圖9所二 人所熟知的蝕刻溶液可做爲該導電材料層的蝕刻溶液。= 例而言，在銅结的例子中，其可爲氯化鐵，高硫酸銨，^ 化銅，鉻酸硫酸混合溶液，並考慮該阻抗材料的材料腐蝕 阻杬來使用不同的螯化銨蝕刻溶液。該導電線的形成使得 至少一部份阻抗元件接觸至少兩條導電線在該阻抗元件= 不同接點，其中該接觸點之間的距離由約.〇25 mm到約ι〇〇 mm 〇 圖10到17所示爲本發明的另一具體實施例，其中在該絕 緣材料板12的相反側產生另一層阻抗元件及線。此圖⑺所 示爲在一弟一咼導電性材料板1 02的一第一表面上的第二 沉積阻抗材料層104，然後即附著該高導電性板1〇2的一第 一《面钊一第二支撑1 0 g。然後，其即施加另一光阻材料層 1 0 6到$亥弟_阻抗材料層1 〇 4。 圖Π所示爲在影像化地曝光該第二光阻材料〗〇6，然後移 除該非影像區域，而保留該影像區域之後的結果。圖12所 示爲該第二阻抗材料1 〇4被影像化地蝕刻掉在該光阻材料

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I I ± 五、發明說明（17) 106的該移除非影像區域之下該阻抗層材料的區域，然後即 移除該光阻。該蚀刻及光阻移除係以類似於上述的步驟來 冗成。該保留光阻的選擇性並爲示出。圖丨3所示爲目枝孔 洞1 0 0 ’其係鑽過該鬲導電性材料板1 〇 2，支撑1 〇 $，及視兩 要的一些阻抗元件104。圖14所示爲附著該第二高導電性材 料板1 0 2的後側到該絕緣材料板的後側，使得該第-阻彳。元 件1 04係在該絕緣材料層12及該第二高導電材料板1 〇2之間 。然後，該第二支撑108即由該第二高導電性材料板1〇2中 移除’並施加另一光阻層1 〇6到板1 〇2的後側，如圖丨5所示 。圖16所示爲在該光阻1〇6已被影像化地曝光及顯影之後的 t果。圖1 7所示爲該弟二南導電性材料板1 q 2被姓刻，並形 成一第二導電線圖案，而接觸於該第二阻抗元件圖案在該 絕緣材料板1 2的後側上之產物。雖然一絕緣材料板已經以 阻抗元件及導電線製備於兩側上，其在本發明的想法中， 其結構可形成具有額外的阻抗元件層，導電線及刺激板或 層。 雖然削述的細節中，該阻抗元件係透過應用一完整的祖 元件板到一導電材料板來形成，其後續的圖案化是藉由 光阻成像及蝕刻來形成阻抗元件，其係在本發明的想法中 ’該阻抗元件也可由沉積阻抗元件圖案在該高導電性材料 板上。這些可藉由例如直接地沉積一具有不同的金屬負載 之I合物墨水來完成，做爲阻抗元件的圖案。這種聚合物 墨水包含美國加州San Diego的Ormet，英國Kent的Electra -20 本紙張尺度適用中國國家標準(0^4規格（21〇x 297公爱 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· --線· 511429 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作、社印製 五、發明說明（18) 沉積可使用熟知的網板印刷處理來完成。另外，該阻抗材 料本身可以爲感光性的。其中一層可施加於該導電材料上 ’並以標準的彳政影成像及顯影技術來成像。適當的感光阻 k材料’其包含#疋供自瑞士的Basii的ciba Geigy’及Electra Polymers 〇 接下來的非限制性範例可用來説明本發明。 範例1 一磷酸鎳的電阻層係電鍍到一卷電沉積的銅箔。該銅箔 卷係穿過一超音波連結機器，以及一卷鋁做爲一支撑元件 。此可沿著邊緣焊接兩種材料，以及面向外的電阻層。然 後其即切成個別的板（以下稱之爲面板）。一光阻乾膜係藉由 使用一熱滚壓輾壓器而施加於該電阻層，並使用鹵化銀圖 片及一U V曝光裝置來曝光。該未曝光的電阻係顯影於一碳 酸溶液中，曝光該磷酸鎳層。此層係由在一氯化銅溶液中 触刻來移除，藉此留下現在定義的電阻元件。然後該光阻 即在一侵蝕溶液（KOH)中被切成長條。此外，目標係定義在 孩參考面板的邊界區域中。藉由這些目標，工具用孔洞即 鑽入面板中。這些工具用孔洞將用於參考値，即由上端影 像化該電路到銅之中，到另一側的電阻。然後該面板即被 牛U化來純態化該暴露的銅，並在下一步驟中提供良好的零占 結性。然後該面板即放置在一登錄板中的工具用检上，— 環氧基預浸潰即放置在該電阻層。在另一側上，在由銘所 支撑的銅之上有一電阻層的另一面板，其可配置，或可使 用一鋼層。該面板係在加熱及壓力之下壓製，以便於硬化 -21 -

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· •線· 511429 A7 五、發明說明（19 ) 該樹脂。在壓製之後，該面板被裁切來移除樹脂閃光，並 移除該鋁間隔器。所形成的核心將可藉由施加一光阻層到 兩側，並使用一 _化銀圖片及UV曝光裝置來曝光。該圖片 係使用先如製成的工具用孔洞來對準於該核心。該未曝光 的區域即被顯影，而該銅即使用一氨蚀刻來進行蝕刻，其 不會影響在其下方的磷酸鎳電阻。然後該光阻即被切成長 條而留下一完成的核心。該導電路徑即形成在該電阻元件 之上，藉以完成該電路。 該核心係被氧化來鈍態化該銅，並構成較佳的黏結性， 並以其它的核心來覆蓋到一多層印刷電路板。， 範例2 範例1的處理一直重複進行，除非該光阻在蝕刻該電阻元 ’丨卞之俊並木被丨刀成長條。 範例3 一卷銅箔係使用一超音波連結機器來附著到一卷鋁支撑 元件。該卷即被切成個別的面板。工具用孔洞被鑽入該參 考面板做爲後續的運作。在該面板的銅側上（該銅箔係連結 到該铭，而該處理側則可面向内或面向外），係使用一網板 印刷技術來施加一電阻墨水。另外，該墨水可使用一自動 化分配系統來旅加。該墨水係在一烤爐中被乾燥及硬化。 此即形成該電阻元件。該面板係放置在一登錄板中的工具 用检之上，而預浸潰體（在玻璃纖維上的半硬化環氧基）被置 於琢電阻元件。在該預浸潰體的另一側上，係放置另一具 有電阻元件的面板或只是一銅箔板（也附著到鋁）。該面板係 22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) »裝 訂·· ，線· 511429

五、發明說明（20 ) f加法及壓力之下壓輾來硬化該預浸潰體。該面板即由該 鉴製及裁切來^^余。該|g即被移除，而成像該銅，如範例i 中的處理。 範例4 範例3係一直進行，除非該電阻材料爲光阻，並放下到整 個銅表面上。然後即使用一 _化銀圖片來影像化，而UV曝 光裝置即使彳于该未曝光區域來顯影。所剩下的電阻材料即 在一烤爐中完全被硬化，然後即依循在範例3中的處理流程 〇 當本發明已藉由較佳具體實施例來顯示並説明，本技藝 的專業人士可立即瞭解到，其可在不背離本發明的精神及 範圍下來進行不同的改變及修正。該申請專利範圍可被解 釋术/幽蓋所调示的具體實施例，那些在上述討論的其它選 擇，及其相等者。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經齊邹智慧財產咼員X消費合阼f£印製 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 511429 六、申請專利範圍 1. 一種形成具有阻抗元件的印刷電路基材的方法，其包本 以下步驟，其中步驟（a)及（b)的順序可對調： — (a) 2積一層阻抗材料在一高導電性材料板之第—表面 (b) 附著該高導電性材料板的一第二表面到一支撑. (c) %加層光阻材料在該層阻抗材料層上； ⑷影像化曝光該光阻材料，並藉此形曰成影像 的區域，然後即移除令韭旦彡務 區域· 钞除4非衫像區域，而保留該影像 (e)蝕刻掉在該光阻材料的移除之非影像區域之， 阻抗層材料的部份，然後即視需要移除該光阻材: 的影像區域’並遺留-阻抗元件的圖案在該高導· 性材料板上。 等包 2·如申請專利範圍第】項之 驟· " ^ 延步包含以下的步 ⑴形成複數個目標孔润來穿過該高導電性材料板； ⑷將料板的—側附著到高導電性材料的板上 :，：：孩阻抗元件係位在該絕緣材料板及該高導電 性材料板之間； (h)由孩高導電性材料板移除該支撑； ⑴，加：額外的光阻材料層到該高導電性材料板的該 第二表面上； ⑴影像化地曝光額外的光阻材料層1此形成影像及 f請先閱讀背面之>i意事項再填寫本頁) 訂 ----- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 511429 六、申請專利範圍 非影像區域，然後即移除該非 影像區域； a，而保留孩 (k)=在該光阻材料的移除的非影像區域之下的， :料：Γ:料板的邵份，然後依需要來移除該光阻 材科的影像區域，因此留下該高 線圖案，使得至少-此導”材枓的導電 二導电線可接觸到至少一些阻 抗元件。 一 3.如申請專利範_2項之方法，其進—步包含以下的步 驟，其中步驟⑴及（m)的順序可以對調·· (1) ’几積一第一層的阻抗材料在_繁_古^ 的第一表面上；才科“一電性材料板 ⑽附著孩第二高導電性材料板的一第二表面一 支撑；然後 (η)施加一層光阻材料到該第二阻抗材料層； (〇)影像化地曝錢光阻材料，因此形成影像及非影像 區域，然後即移除該非影像區域而保留該影像區域 (Ρ)蝕刻掉在该光阻材料的移除的非影像區域之下的該 第二高導電性材料層的部份，然後視需要移除該光 阻材料的影像區域，因此在該第二高導電性材料板 上留下一弟一阻抗元件的圖案； (q) 形成複數個目標孔洞，其通過該第二高導電性材料 板； (r) 附著該第二高導電性材料板到該絕緣材料板的 -25- 本紙張尺度刺巾闘家標準(CNS)A4規格(2i^T297公£

   .訂： ά. ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 側：使得m第二阻抗元件位於該絕緣材料層及該第 一咼導電性材科板之間，· (s)_二高導電性材料板移除該第二支撑； ⑴她加一額外的光阻材料層到該第二高導電性材料板 的後側； (U)影像化地曝光額外的光阻材料層，因此形成影像及 Γ影像區域，然後即移除該非影像區域，而保留該 影像區域； (vm刻掉在該光阻材料的移除的非影像區域之下的該 :::導電性材料板的部份，然後視需要移除該光 J的影像區域，因此留下該高導電性材料的一 二 1電線圖案，使得至少一些該第二導電線可接 觸到至少一些該第二阻抗元件。 / 4·如申請專利範圍第丨項之方法， 光阻材料的影像區域的移除。在4(e)中執行該 5_ :申請專利範圍第3項之方法，其中在 光阻材料的影像區域的移除。 執仃彥 6. t:請Γ範圍第1項之方法，其中該高導電性材料包 錄，鋁，金，銀，黃銅或不銹鋼。 7. 如申請專利範圍第丨項之方法，其中 電阻材料。 U「且如材料包含一 8. 如申請專利範圍第7項之方法，其中 ，-含有合金的鎳，一半導體，或至少枓包含鎳 金的組合，及至少一絕緣器。· 王、及金屬合 齊 1 !才 I 申請專利範圍 9·如申请專利範圍第7項之方法 是由每平方約25到約1〇00歐姆 1〇·如申請專利範圍第1項之方法· 電容材料。 / ^ U·如申請專利範圍第1〇項之 聚合物材料，—金屬氧化：：…谷材料包含 12. 如申請專利範圍第〗。項之方法，：組合。 値由每平方公分約綱約30〇〇n_f：：；；；：材科的電容 13. 如Π!專利範圍第1項之方法，其中該支撐包含-材料 、、叱夠超骨波地連結到該高導電性材料板。， 14=申請_專二範圍第1項之方法，其中該支撑係超音波地 連結到该1¾導電性材料板。 15·如申請專利範圍第1項之方法 ’ 一聚合物或其組合。 16·如申請專利範圍第1項之方法 17.如申請專利範圍第1項之方法 其中該電阻材料的電阻 ) 其中該阻抗材料包含_ 其中該電容材料包含_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 其中遠支撑包含_金屬 其中該支撑包含|呂。 其中該支撑包含不銹鋼 18·如申請專利範圍第1項之方法，其中該光阻材料係 爲液體。 19·如申清專利範圍第i項之方法，其中該光阻材料係使用 爲一乾薄膜。 20. 如申請專利範圍第2項之方法，其中該絕緣材料板包含 一環氧基或聚亞醯胺。 21. 如申请專利範圍第2項之方法’其中該絕緣材料板包含 使用 訂· -線· 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

   六、 申請專利範圍 一熱固性或熱塑性聚合物，其可具有或不具有補強物。 22.如申請專利範園第2項之方法，其中至少一些阻抗元件 接觸到在該阻抗元件的不同接點之兩條導電線，其中該 接點之間的距離由約.025 mm到約1〇〇 mm。 23·如申請專利範圍第1項之方法，其中該高導電性材料包 含銅，該阻抗材料包含鎳或一鎳合金，而該支撑包含鋁 〇 24·如申请專利範圍第2項之方法，其中該高導電性材料包 含銅’該阻抗材料包含鎳或一鎳合金，該支撑包含鋁， 而該絕緣材料包含_環氧基。 &如申請專利範圍第3項之方法，其中該高導電性材料包 含銅，該阻抗材料包含鎳或一鎳合金，該支撑包含鋁， 該絕緣材料包含_環氧基，該第二高導電性材料包含銅 ，该第二阻抗材料包含鎳或一鎳合金，而該第二支撑包 含鋁。 匕 26. —種形成具有阻抗元件的印刷電路基材的方法，其包本 以下步驟，其中步驟（a)&(b)的順序可對調： " U)沉積一層阻抗材料在一高導電性材料板之第一表面上 ， (b) 附著該高導電性材料板的一第二表面到一支撑； (c) 形成複數個目標孔洞來穿過該高導電性材料板； (d) 將一絕緣材料板的一側附著到高導電性材料的板上， 使得該阻抗元件係位在該絕緣材料板及該高導電性 料板之間； - ^ -28- <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -線· 本紙張尺度_ 家標準㈣⑽規格⑽心公愛 511429

   支撑； 電性材料板的 該第二表面 (e)由該鬲導電性材料板移除該 (0施加一光阻材料層到該高導 上； 此形成影像及非影像 ’而保留該影像區域 (g)影像化地曝光該光阻材料層，因 區域，然後即移除該非影像區域 ⑻餘刻掉在該光阻材料的移除的非影像區域之下的該高 導電性材料板的部份，然後依需要來移除該光阻材料 的影像區域，因此留下該高導電性材料的導電線圖案 使知至/ &導包線可接觸到至少一些阻抗元件。 27.如申請專利範圍第26項之方法，其包含以下步驟，其中 步驟⑴及⑴的順序可對調： V ⑴沉積-阻抗S件的第：圖案在—第二高導電性材料 板的一第一表面上； C0附著琢第二高導電性材料板的一第二表面到一第二 支撑；然後 _ (k)形成複數個目標孔洞來穿過該第二高導電性材料板 (l) 將該第二高導電性材料板附著到一絕緣材料板的另 一側，使得綠第二阻抗元件係位在該絕緣材料層及 該第二高導電性材料板之間； (m) 由該第二高導電性材料板移除該第二支撑； (n) 施加一額外的光阻材料層到該第二高導電性材料板 的後側； - __ - 29 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（210 X 297公髮）一

   A8B8C8D8 申請專利範圍 (〇)影像化地曝亦$絲& ^ , 光咸額外的光阻材料層，因此形成影像 、、P像區域，然後即移除該非影像區域，而保留 該影像區域； (р) :刻掉在琢光阻材料的移除的非影像區域之下的該 第一鬲導電性材料板的部份，然後視需要移除該光 阻材料的影像區域，因此留下該高導電性材料的第 二導電線的圖案，使得至少一些該第二導電線可接 觸到至少一些該第二阻抗元件。 28·如申請專利範圍第26項之方法，其中該阻抗元件包含一 聚合物墨水。 29. 如申請專利範圍第26項之方法，其中該阻抗元件係由一 網板印刷方法來沉積。 30. —種形成具有阻抗元件的印刷電路基材的方法，其包含 以下步驟1 ’其中步驟（a)及（b)的順序可對調： U)沉積一層感光阻抗材料在一高導電性材料板之第一 表面上； (b)附著該高導電性材料板的一第二表面到一支撑；然 後 ' (с) 影像化地曝光該感光阻抗材料層，因此形成影像及 非影像區域，然後即移除該非影像區域，而保留該 影像區域，藉此遺留一阻抗元件圖案在該高導電性 材料板上； (d) 形成複數個目標孔洞來穿過該高導電性材料板； (e) 將一絕緣材料板的一側附著到高導電性材料的板上 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   511429 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ，使得該阻抗元件 性材料板之間； 在n緣材料 ⑴由該高導電性材料板移除該支撑. ⑷施加-光阻材料層到該高導電性材料 面上； ⑻影像化地曝光該光阻材料層，因此米 像區域，然後即移除該非影像區域： 區域； (Ο 2刻掉在該光阻材料的移除的非影像 南導電性材料板的部份，然後視需要 料的影像區域，因此留下該高導電性 圖案，使得至少一些導電線可接觸到 元件。 31·如申請專利範圍第30項之方法，其包含以 步驟⑴及（k)的順序可對調·· 板及該高導電 板的該第一表 成影像及非影 而保留該影像 區域之下的該 移除該光阻材 材料的導電線 至少一些阻抗 下步驟，其中 ⑴沉積-第二層感光阻抗材料層在一第二高導電性材 料板的一第一表面上； (k) 附著該第二咼導電性材料板的一第二表面一# 一 齊 ϊβ i Η £ δ 支撑；然後 # — (l) 影像化地曝光該感光阻抗材料，因此形成影像及非 影像區域，然後即移除該非影像區域，而保留該$ 像區域，藉此遺留一第二阻抗元件圖案在該第二= 導電性板上； μ (m) 形成複數個目標孔洞來穿過該第二高導| 门子i性材料板 31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） 六、申請專利範圍 (η)將該第二高導+地 -側，使二 附著到該絕緣材料板的另 ’ m _上道 '"弟—阻虹7件係位在該絕緣材料層及 咸弟一鬲導電性材料板之間； (〇):該第二高導電性材料板移除該第二支撑； (p) 施加-光阻材料層到該第二高導電性材料板的後側 (q) 影像化地曝央兮# _ a π , 、+九忑先阻材枓層，因此形成影像及非影 區域然後即移除該非影像區域，而保留該影像 區域； ⑴蝕刻掉在該光阻材料的移除的非影像區域之下的該 第二高導電性材料板的部份，然後視需要移除該光 阻材料的影像區域，因此留下該高導電性材料的第 二導電線的圖案，使得至少一些該第二導電線可接 觸到至少一些該第二阻抗元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： -32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公爱）