CN104360443A - 一种刻蚀方法 - Google Patents

一种刻蚀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104360443A
CN104360443A CN201410648582.4A CN201410648582A CN104360443A CN 104360443 A CN104360443 A CN 104360443A CN 201410648582 A CN201410648582 A CN 201410648582A CN 104360443 A CN104360443 A CN 104360443A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photopolymer layer
etched
mask
layer
preset pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410648582.4A
Other languages
English (en)
Inventor
向舟翊
李朝阳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd
Original Assignee
Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd filed Critical Sichuan Feiyang Science And Technology Co Ltd
Priority to CN201410648582.4A priority Critical patent/CN104360443A/zh
Publication of CN104360443A publication Critical patent/CN104360443A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本发明提供了一种刻蚀方法，包括：在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，所述干膜层为感光抗刻蚀膜层；对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形；以所述干膜层为掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。由于本发明的方案采用干膜层为掩膜，从而避免了采用金属膜层作为掩膜时，制备金属膜层的设备的腔体温度过高导致粘片，影响生产时间和生产效率的问题，进而提高了器件的生产效率。

Description

一种刻蚀方法
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，更具体地说，涉及一种刻蚀方法。
背景技术
平面光波导器件的基本结构，如图1所示，包括：衬底101；位于衬底101表面的下包层102；位于下包层102表面的芯层103；覆盖芯层103的上包层104。在制作上述平面光波导器件的过程中，需要采用金属膜层作为掩膜，来对下包层102、芯层103以及上包层104进行刻蚀，以制备出所需的深度大于等于50微米的深槽结构。
在采用金属膜层作为掩膜的刻蚀工艺中，需要将器件的生产片放在镀膜设备中制备金属膜层，但是，当待刻蚀的凹槽的深度超过50μm时，就需要制备约2μm的金属膜层，此金属膜层的制备时间较长，而制备金属膜层的靶材在经过长时间的电浆的持续轰击后会产生热能，造成设备的腔体内部温度过高，这就很容易导致生产片粘贴在腔体内部，从而必须打开腔体取出该生产片，才能进行后续金属膜层的制备，这将严重影响金属膜层的生产时间，导致器件的生产效率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种刻蚀方法，以解决现有的采用金属膜层作为掩膜制作深槽的刻蚀工艺中，设备的腔体温度过高导致粘片，影响金属膜层的生产时间，导致刻蚀生产较低的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种刻蚀方法，包括：
在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，所述干膜层为感光抗刻蚀膜层；
对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形；
以所述干膜层为掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。
优选的，所述对所述干膜层进行曝光显影的过程具体为：
以具有预设图形的掩膜板为掩膜，对所述干膜层进行曝光显影。
优选的，在所述形成与预设图形对应的多个凹槽之后，还包括：
去除所述待刻蚀器件表面剩余的干膜层。
优选的，所述待刻蚀器件为平面光波导器件，包括下包层、芯层和上包层。
优选的，所述在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，包括：
通过贴膜设备在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层。
优选的，所述干膜层的厚度为30μm、50μm或70μm。
优选的，所述对所述待刻蚀器件进行刻蚀的工艺为干刻工艺。
优选的，所述凹槽的深度大于等于50μm。
与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：
本发明所提供的刻蚀方法，在待刻蚀器件表面粘贴干膜层，并以曝光显影后具有预设图形的干膜层为掩膜，对待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。由于本发明采用干膜层为掩膜，从而避免了采用金属膜层作为掩膜时，制备金属膜层的设备的腔体温度过高导致粘片，影响生产时间和生产效率的问题，进而提高了器件的生产效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中平面光波导器件的基本结构示意图；
图2为本发明的一个实施例提供的刻蚀方法的方法流程图；
图3为本发明的另一个实施例提供的刻蚀方法的方法流程图；
图4a～4d为本发明的另一个实施例提供的刻蚀方法的工艺流程图。
具体实施方式
正如背景技术所述，在采用金属膜层作为掩膜的深槽刻蚀工艺中，当待刻蚀的凹槽的深度超过50μm时，就需要制备约2μm的金属膜层，此金属膜层的制备时间较长，因此，会造成制备金属膜层的设备的腔体内部温度过高，会很容易导致生产片粘贴在腔体内部，从而必须打开腔体取出该生产片，才能进行后续金属膜层的制备，这会严重影响金属膜层的生产时间，导致器件的生产效率较低。
基于此，本发明提供了一种刻蚀方法，以克服现有技术存在的上述问题，包括：
在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，所述干膜层为感光抗刻蚀膜层；对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形；以所述干膜层为掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。
本发明提供的刻蚀方法，在待刻蚀器件表面粘贴干膜层，并以曝光显影后具有预设图形的干膜层为掩膜，对待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。由于本发明采用干膜层为掩膜，从而避免了采用金属膜层作为掩膜时，制备金属膜层的设备的腔体温度过高导致粘片，影响生产时间和生产效率的问题，进而提高了器件的生产效率。
以上是本发明的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
其次，本发明结合示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
本发明的一个实施例提供了一种刻蚀方法，其方法流程图如图2所示，包括：
S201：在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，所述干膜层为感光抗刻蚀膜层；
本实施例中，并未对待刻蚀器件的结构具体限定，只要其需要进行刻蚀都可以采用本实施例提供的刻蚀方法，当然，本实施例提供的方法更适用于刻蚀深度超过50μm的凹槽。在进行刻蚀之前，在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，该干膜层为感光抗刻蚀膜层。其中，该干膜层的厚度为30μm、50μm或70μm。
由于干膜层具有粘性，因此，通常在制备完成干膜层之后，会在干膜层的上下表面贴附PE(Polyethylene，聚乙烯)保护膜和PET(Polyethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂)保护膜，因此，采用贴膜设备在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层之前，需先将PE保护膜去除，对干膜层进行曝光之后显影之前，需将PET保护膜去除。
S202：对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形；
干膜层为经过紫外线照射后会发生聚合反应，形成附着于物体表面的稳定物质的一种高分子化合物，因此，本实施例中，可以在干膜层表面覆盖预先制作好的具有镂空图形的掩膜板，并对掩膜板和干膜层进行紫外线照射，使得镂空区域对应的干膜层吸收紫外线后固化，并附着在待刻蚀器件的表面，采用溶液对干膜层进行显影后，形成与镂空区域图形相对的干膜层图形，即在干膜层上形成预设图形。。
在采用金属膜层作为掩膜的刻蚀工艺中，制备完成金属膜层后，需要在金属膜层上涂覆光刻胶，采用具有图形的掩膜板对光刻胶进行曝光显影后，以具有图形的光刻胶为掩膜，对金属膜层进行刻蚀，然后再采用具有图形的金属膜层作为掩膜，对待刻蚀器件进行刻蚀。其经过了两次刻蚀过程来制备刻蚀掩膜，即其先将图形从掩膜板转移到光刻胶上，然后再将图形从光刻胶转移到金属膜层上，最后再以金属膜层作为刻蚀掩膜。而本实施例提供的刻蚀方法中，只经过了一次刻蚀过程，即将图形从掩膜板上转移到干膜层上，然后以干膜层作为掩膜，从而既不需要制备金属膜层，也不需要涂覆光刻胶作为掩膜来对干膜层进行刻蚀，简化了工艺，节约了成本，且能够有效控制关键尺寸等尺寸的偏差，提高了产品良率。
虽然现有技术中也有采用光刻胶作为掩膜进行凹槽刻蚀的工艺，但是，当形成的凹槽的深度大于等于50μm时，需要厚度约20μm的光刻胶才能保证刻蚀的深度，但是，对于当前的涂胶工艺而言，这一厚度的光刻胶的均匀性较差，这必然会影响刻蚀的凹槽的精度，也对器件的性能产生影响，也就是说，与光刻胶作为掩膜的刻蚀方法相比，本实施例提供的采用干膜层作为掩膜的刻蚀方法，更适用于深度大于等于50μm的深槽的刻蚀。
S203：以所述干膜层为掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽；
以具有预设图形的干膜层为掩膜，采用干刻工艺对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成预设深度且与预设图形对应的多个凹槽。其中，所述多个凹槽的深度均大于等于50μm。
本实施例提供的刻蚀方法，在待刻蚀器件表面粘贴干膜层，并以曝光显影后具有预设图形的干膜层为掩膜，对待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。由于本发明采用干膜层为掩膜，从而避免了采用金属膜层作为掩膜时，制备金属膜层的设备的腔体温度过高导致粘片，影响生产时间和生产效率的问题，进而提高了器件的生产效率。
本发明的另一个实施例提供了一种刻蚀方法，其方法流程图如图3所示，包括：
S301：在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，所述干膜层为感光抗刻蚀膜层；
本实施例中，待刻蚀器件为平面光波导器件，包括下包层201、芯层202和上包层203，当然本发明并不仅限于此。在进行刻蚀之前，需要先制备待刻蚀的器件，具体为：在硅片上制备下包层201；在下包层201上制备芯层薄膜，并对芯层薄膜进行刻蚀，形成芯层202；形成覆盖芯层202的上包层薄膜203。
在待刻蚀器件制备完成后，在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层204，如图4a所示，该干膜层204为感光抗刻蚀膜层。其中，干膜层204的厚度为30μm、50μm或70μm。同样，采用贴膜设备在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层之前，需先将PE保护膜去除，曝光之后显影之前，需将PET保护膜去除。
S302：以具有预设图形的掩膜板为掩膜，对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形；
本实施例中，对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形的过程具体为：在干膜层表面覆盖预先制作好的具有镂空图形的掩膜板，并对掩膜板和干膜层进行紫外线照射，使得镂空区域对应的干膜层吸收紫外线后固化，并附着在待刻蚀器件的表面，采用溶液对干膜层进行显影后，形成与镂空区域图形相对的干膜层图形，即在干膜层204上形成了预设图形，如图4b所示。
S303：以所述干膜层为掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽；
如图4c所示，以具有预设图形的干膜层204为掩膜，采用干刻工艺对所述待刻蚀器件进行刻蚀，即对下包层、芯层和上包层进行刻蚀，形成预设深度的与预设图形对应的多个凹槽。其中，所述多个凹槽的深度均大于等于50μm。
S304：去除所述待刻蚀器件表面剩余的干膜层。
在刻蚀形成凹槽后，去除所述待刻蚀器件表面剩余的干膜层，形成所需结构的器件，如图4d所示。
本实施例提供的刻蚀方法，在待刻蚀器件表面粘贴干膜层，并以曝光显影后具有预设图形的干膜层为掩膜，对待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。由于本发明采用干膜层为掩膜，从而避免了采用金属膜层作为掩膜时，制备金属膜层的设备的腔体温度过高导致粘片，影响生产时间和生产效率的问题，进而提高了器件的生产效率。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (8)

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：
在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，所述干膜层为感光抗刻蚀膜层；
对所述干膜层进行曝光显影，以在所述干膜层上形成预设图形；
以所述干膜层为掩膜，对所述待刻蚀器件进行刻蚀，形成与预设图形对应的多个凹槽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述干膜层进行曝光显影的过程具体为：
以具有预设图形的掩膜板为掩膜，对所述干膜层进行曝光显影。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述形成与预设图形对应的多个凹槽之后，还包括：
去除所述待刻蚀器件表面剩余的干膜层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述待刻蚀器件为平面光波导器件，包括下包层、芯层和上包层。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层，包括：
通过贴膜设备在待刻蚀器件的表面粘贴干膜层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述干膜层的厚度为30μm、50μm或70μm。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述待刻蚀器件进行刻蚀的工艺为干刻工艺。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述凹槽的深度大于等于50μm。
CN201410648582.4A 2014-11-14 2014-11-14 一种刻蚀方法 Pending CN104360443A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410648582.4A CN104360443A (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种刻蚀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410648582.4A CN104360443A (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种刻蚀方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104360443A true CN104360443A (zh) 2015-02-18

Family

ID=52527723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410648582.4A Pending CN104360443A (zh) 2014-11-14 2014-11-14 一种刻蚀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104360443A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106028716A (zh) * 2016-07-15 2016-10-12 信利光电股份有限公司 一种盖板及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1335742A (zh) * 2000-05-25 2002-02-13 奥克-三井有限公司 制造用于印刷电路板的严格容限埋入元件的方法
CN1953643A (zh) * 2005-10-18 2007-04-25 电子科技大学 一种在挠性印制电路板聚酰亚胺基材上开窗口的方法及其刻蚀液
CN103794470A (zh) * 2013-11-22 2014-05-14 中航（重庆）微电子有限公司 硅片正面保护方法
CN103811333A (zh) * 2012-11-01 2014-05-21 杰圣科技股份有限公司 线路的制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1335742A (zh) * 2000-05-25 2002-02-13 奥克-三井有限公司 制造用于印刷电路板的严格容限埋入元件的方法
CN1953643A (zh) * 2005-10-18 2007-04-25 电子科技大学 一种在挠性印制电路板聚酰亚胺基材上开窗口的方法及其刻蚀液
CN103811333A (zh) * 2012-11-01 2014-05-21 杰圣科技股份有限公司 线路的制造方法
CN103794470A (zh) * 2013-11-22 2014-05-14 中航（重庆）微电子有限公司 硅片正面保护方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106028716A (zh) * 2016-07-15 2016-10-12 信利光电股份有限公司 一种盖板及其制作方法
CN106028716B (zh) * 2016-07-15 2018-11-16 信利光电股份有限公司 一种盖板及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102540284B (zh) 基于负性光刻胶和掩膜移动曝光工艺的微透镜阵列制备方法
CN104102094B (zh) 掩模挡板及其制造方法
CN103172019B (zh) 一种干粘附微纳复合两级倾斜结构的制备工艺
CN113703081A (zh) 一种微透镜阵列结构的制作方法
TW201200942A (en) Flexible display panel and method of fabricating the same
US20170176853A1 (en) Nano-imprinting template, system, and imprinting method
WO2015010605A1 (zh) 利用剥离-粘贴法在光纤端面制作金属微纳米结构的方法
CN102695375B (zh) 一种2mil微盲孔的加工方法
CN104465337A (zh) 一种使用pmma/neb双层胶制作金属纳米狭缝的方法
CN216671575U (zh) 一种激光转印装置
CN101837951A (zh) 图型化电极诱导和微波固化制作纳米结构的装置和方法
CN108242398A (zh) 在晶片表面形成复杂曲面的方法
CN104360443A (zh) 一种刻蚀方法
CN103488046A (zh) 一种纳米压印光刻装置及其方法
JP2008055665A (ja) 転写用金型の製造方法及び凹凸付基板の製造方法
CN207490301U (zh) 一种半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基板
TW200520925A (en) A manufacturing method of a light guide plate
CN104359342A (zh) 一种金属表面的强化沸腾微结构及其制备方法
CN104425216A (zh) 具有沟槽的半导体衬底的光刻方法
CN104808265A (zh) 一种微透镜的制备方法
KR101311450B1 (ko) 소프트 몰드 및 그 제조방법, 소프트 몰드의 사용방법, 소프트몰드를 이용해 제조되는 광학필름
CN108107683B (zh) 具有高台阶结构的硅片表面光刻方法
JP2006023661A (ja) フィルム光導波路及びその製造方法並びにフィルム光導波路用基材
KR101499123B1 (ko) 태양전지용 유리기판 텍스처링 방법
TWI574344B (zh) 支承板及其製造方法、基板處理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150218