TW508627B - A method and system for reducing photo-assisted corrosion in wafers during cleaning processes - Google Patents

Description

508627 -—_____ 89120499_年月曰 修正__ 五、發明說明（1) 【發明領域】 本發明大體上係關於一種半導體晶圓之潔淨程序，尤 關於用來減少作為半導體裝置製造之用的晶圓之光腐蝕的 技術。 【習知技術】 在半導體晶片的製造程序中，如普遍所人熟知的，在 進行化學機械拋光（CMP，Chemical Mechanical Pol 1 shing )程序後，必須將晶圓的表面予以潔淨。一種 銅（Cu)的CMP程序會在晶圓表面上遺留許多類型的污染 物’例如微粒和金屬離子。因此，對於避免電介值之電子 特徵的劣質化來說，予以潔淨乃是必要的。 圖1顯示具有一刷洗盒100的簡化晶圓潔淨系統101， 其僅作為說明之用。在銅的CMP程序之後，有時會將晶圓 201透過包括氳氟酸（HF，hydrofluoric)的潔淨程序而 1I0置於晶圓潔淨系統101中。該晶圓201隨即進入一刷洗盒 中於该處’該晶圓2 0 1可被嵌入一頂部刷1 〇 4 a和一底 ^席i = 4b之間。該晶圓2〇1基本上係藉由刷子1〇4和一組滾 :顯示）而旋轉，藉之使刷子1〇4得以充分地清洗該 1 02爽i ^頂部和底部表面。該潔淨製程可透過刷洗盒蓋 材料^製造看的，。該刷洗盒蓋102基本上乃是用一透明的塑膠

第5頁 508627 _案號89120422__年月日 條正 ， 五、發明說明（2) 範性之半導體晶片2 0 1的部分橫剖面圖。利用標準雜質植 入、光刻、及蝕刻技術，P型電晶體2〇5和N型電晶體206可 被組裝到P型石夕基板2 0 0中。如圖所示，每個電晶體都具有 一匣極2 0 7、源極2 0 8、和吸極2 〇 g，而它們都被組裝到適 當的井中。P型和N型電晶體206的交替型態可產生一互補 的金屬氧化半導體（CMOS，complementary metal oxide semiconductor )裝置。 一第一氧化層202係在電晶體和基板20 0上產生。習知 的光刻、時刻、和植入技術係用來產生鎢插塞2丨〇和銅線 21 2。該鎢插塞2 1 〇係用來提供銅線21 2和電晶體的活性特 徵之間的電連接。一第二氧化層204可在該第一氧化層202 和該銅線2 1 2上所形成。習知的光刻、蝕刻、和植入技術 可用來在該第二氧化層2〇4中產生銅介層洞220和銅線 214。該銅介層洞220可提供在第二氧化層中之銅線214和 第一氧化層中之銅線2 1 2或鎢插塞之間的電連接。 基本上，晶圓201接著會經歷一銅的CMP程序來將晶圓 201表面磨平，產生如圖2A所示的水平表面。在該銅的CMP 程序後，該晶圓201即在該晶圓潔淨系統101中被清洗乾 淨，如以上的圖1所述。 圖2B係顯示在晶圓20 1經歷了如圖1之晶圓潔淨系統 1 〇 1中的清洗後，如圖2A的習知半導體晶圓20 1之部分橫剖 面圖。如圖所示，在頂部層之銅線21 4在潔淨製程中已經

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，歷了光腐蝕的作用。而光腐蝕的現象，有部分原因被認 定是由穿越刷洗盒100之透明塑膠蓋102並到達P/N接合點 的光子所導致的，该光子係如同太陽能蓄電池般運作。該 光子係藉由一般無塵室照明的方式而投射到該透明塑膠蓋 1 02上。很遺憾地，通常用來觀看潔淨製程（亦即，觀看 刷ΐ是否有正確地清洗晶圓201)所需的正常光度，會導 致嚴重的腐餘效應。 、在忒検剖面範例中，該銅線、銅介層洞、或鎢插塞係 以電力的方式來跟Ρ/Ν接合點的不同部分連接。用來清洗 晶圓201表面的潔淨溶液（其基本上為電解液），在電子 ^和電洞h+穿越該Ρ/Ν接合點的時候會將電路予以閉合。在 ，接合點中，由光電方式所產生的電子/電洞對係藉由電 場來加以區隔。被導入的載體會在該接點的兩侧之間誘發 出了電位。同樣地，在連接到該接點之P侧的電極上，銅 係以下列方式被腐蝕·· Cu — Cu2+ + 2e_。其產生的各種可 溶解離子可擴散到其它電極，於該處，會產生以下的還原 作=:、Cu2+ + 2 e_ —Cu。吾人需注意，任何金屬的通用腐 蝕公式為M—Mn+ + ne-，且任何金屬的通用還原公式為Mn+ + ne~ 〇 彳艮运憾地，此型態的光腐蝕會移除銅線並破壞銅類特 徵的預期之實質表面結構，如圖2Β所示。在ρ型電晶體2〇5 上之a曰圓201表面的幾個位置，該光腐蝕作用可能會產生 銅線224或完全溶解的銅線2 26 〇換言之，光腐蝕可 508627

完全將銅線腐蝕為此般，使得該銅線從此消 面’在N型電晶體206上，光腐餘作用 处 222。在該被破壞的結構表面（包括銅犯生銅沈積/勿 導致的裝置缺陷將使得整個晶片益法運、、、蝕），，、所 装f就思未者整個曰曰片必須被棄置，因此，合 的減少和製程成本的巨幅增加、然 二 在整個晶圓川上’因此會摧毀晶隨 ： 然，如此會增加製造的成本。 们所有曰曰片 田 目前已經有人做了許多久猶爾步 _。使由一你告m 士夕谷種用來降低腐蝕現象的嘗 ^ 旨^卩用來清洗晶圓表面的化學清洗溶液 ::Ϊ:Γ 而腐钱抗化劑的範例即包括有複合劑 ί: Ϊ。，、、'❿’此般改變化學清洗溶液的方法尚未被證 貫的確有效。欲獲得有關光腐蝕作用的更多資訊，可參考 在1 999年10月於夏威夷的檀香山市所舉辦的第196屆ecs會 議中，由A· Beverina等人所發表的文章_"在銅的互 ^期間所發生的光腐蚀作用"。該文章在此被併入作為參 考之用。 鑑於巧述情形，吾人丞需有一潔淨製程，㈣程係在 潔>f •期間精由改良技術的實施來降低晶圓的光腐蝕作用， 以避免先前技術所遭遇的問題。 【發明概要】 廣泛而言，本發明可藉由提供在晶製

508627 _案號89120422_年月日__ 五、發明說明（5) 實質地消除半導體晶圓之光腐蝕作用的方法及系統來滿足 這些需要。吾人需瞭解，本發明可用許多方式來實施，包 括一程序、一設備、一系統、一裝置或一方法的型態。本 發明的一些發明實施例係說明如下。 在一實施例中，揭露了 一個用來製作合成材料的方 法。其形成了一第一透明層。一透明度可調層係在該第一 透明層上所形成。電力連接係發生在該透明度可調層的第 一部份和第二部分之間。同時5 —第二透明層係在該透明 度可調層上形成。 在另一實施例中，揭露有一半導體晶圓潔淨系統。該 系統包含了 一具有第一部份和第二部分的蓋子，且該蓋子 是由多層合成材料所製成。該蓋子包括：一第一透明層； 一位於第一透明層上的透明度可調層；一第一組電連接， 其附著於第一部份上之透明度可調層；一第二組電連接， 其附著於第二部分上之透明度可調層；及一位於該透明度 可調層上的第二透明層。 在又另一實施例中，揭露有一透明可調蓋。該蓋子具 有一第一侧和一第二侧，並包含有：一第一透明層，其在 第一侧和第二侧之間延伸；一透明度可調層，其覆蓋於該 第一透明層上；一第一組電連接，其係以傳導的方式來整 合到覆蓋在第一侧上的透明度可調層；一第二組電連接， 其係以傳導的方式來整合到覆蓋在第二側上的透明度可調

皇號 89120422 五、發明說明（6) f ;及一第二透明層，其係覆蓋於該透明度可調層上並在 第一側和第二側之間延伸。 、 本發明係藉由提供一晶圓潔淨系統的蓋子來解決光增 進^腐餘的問題，該系統的蓋子最好可從實質上為透明的 ^ $被調整為不透明的狀態。當該蓋子為不透明時，該潔 ^ t程可在完全沒有光線的狀態下進行，因此幾乎可消除 晶圓表面上之光能的破壞作用。除了獨立存在的潔淨系統 之外，該蓋子也可以被整合到一後化學機械拋光 jP^ost-CMP，post-chemical mechanical p〇Ushing)潔 淨$統中，以將光增進型腐蝕的作用減低到最小程度。也 可藉由將此般的蓋子整合到一整CMp工具中，而將光增 進型腐蝕的作用予以最小化。所謂整體CMp工具，即指那 =時施行潔淨模組和CMP模組者。基本上，❹模組係 糟由特殊的晶圓處理設備來結合或連接。 因此，正在清洗中的晶圓 毀銅類特徵之預期結構表面的 致整個晶片無法運作的裝置缺 的晶片數量將會減少，產能將 本也不會過度增加。 最好不要被會移除銅線並摧 光腐飯所影響。結果，會導 陷將實質地減少。必須丟棄 更為增加，且製程的實施成 本發明的其它實施樣態和優點 明、並結合隨附圖式和藉由本發明 解釋後，將變得更為明顯。

在參考以下的詳細說 之原理的實施例來加以 508627 ^1歷422--生^月日 修t 五、發明說明（7) ------一^ 【貫施例】 本發明係揭露在晶圓潔淨製程中用以減少光增進型銅 f敍的方法及系統。在以下的說明中提出許多具體的細 :社以對本發明提供全盤的瞭解。吾人將瞭解，對於孰悉 術領域的技術者而言，在沒有這些具體細節的部分或 =部内容的狀況下，也可以實施本發明。另一方面，普遍 為人热知的製程並未被詳細說明’以免對本發明產生沒有 必要的混淆並使其難以理解。 圖3A、3B、和3C依序顯示根據本發明之一實施例所實 鉍的晶圓潔淨系統之頂視圖和侧視圖。該晶圓潔淨系統 3〇〇基本上包括一輸入站302，在該輸入站3〇2，在晶圓已 經實施CMP操作後，有複數個晶圓被嵌入以通過該系統而 加以清洗。一旦晶圓被嵌入該輸入站3〇2，一晶圓可從該 輸入站302被取出並移至一刷洗盒3 〇4，該刷洗盒3〇4包括 一第一刷洗盒304a和一第二刷洗盒3〇4b。在該刷洗盒中， 有各種清洗操作程序施加於該晶圓上。 在刷子已經被施加到刷洗盒3 〇 4中的晶圓之後，該晶 圓隨即被移入一旋轉、沖洗、及乾燥（SRD，spin， rinse，and dry )站306。在該SRD站3 06中，在晶圓以每 分鐘100到400轉的速度旋轉之際，解離（DI，de—i〇nized )水被喷灑到晶圓的表面，並接著被旋乾。在晶圓已經通 過SRD站30 6之後，一卸載把手308即取出晶圓並將其移到

508627 --— 案號89120422 年月日___ 五、發明說明（8) 一輸出站3 1 0。該潔淨系統3 〇 〇係由電子系統3 1 2來加以安 排並控制。 晶圓潔淨系統3 0 0的蓋子之透明度，最好是可從實質 士為透明的狀態調整到不透明的狀態，如圖3C所示。該” ^子π係指包覆著晶圓潔淨操作之晶圓潔淨系統的一部 份二”實質上透明，，這個字眼，在實質上係表示射向該蓋子 外邛表面的所有光線可穿透該蓋子。而"不透明，f這個字眼 2,不jit向該蓋子外部表面的光線，全部無法穿透該蓋子。 =盖子外部表面”指的是沒有面向晶圓潔淨操作程序的蓋 又面。·而丨丨光丨丨這個字眼則表示位於紫外線（uv， 兮蓋+ Μ θ 可見光光譜範圍内的光。根據用來製造 化，如以下圖4A的進一步說明 :盍明度的變化可伴隨著其相對應的顏色變 製程。然 實施潔淨 本發明提 行時被調 整到實質 能希望， 序，但同 作者得以 項。 W琢盍子在 而，如 製程時 供了該 整到不 上為透 在蓋子 時仍可 判定屌!| 貝貝上為透明時 以上的 ’光能 潔淨系 透明的 明的狀 於實質 觀看内 子是否 更詳細說 可能會增 統所用的 狀態，但 態。在某 上為不透 部的潔淨 有正確地 明，當在 進銅線的 蓋子，其 不實施潔 些特定的 明時可以 操作程序 運作，以 銅的CMP程序後 腐蝕，同樣地 可在潔淨程序i 淨程序時，即| 案例中，吾人^ 進行潔淨操作泰 。如此將使得摘 及諸如此類等事 508627 曰口圖4 A和4B係分別顯示根據本發明之一實施例所實施的 晶圓潔淨系統之蓋子所用的合成材料4〇〇之側視圖及俯視 圖。該合成材料4 00在最佳狀況下包括一第一透明層 4〇4a，一第二透明層4〇4b，及一透明度可調層4〇β，該透 明度y調層406係覆蓋於該透明層4〇4之間。該透明層404 最好是由透明的壓克力材料所製造。雖然，其它為人熟知 的塑膠和/或玻璃也可作為製造材料。 ▲該透明度可调層4 〇 6的材料最好是光致變色材料或電 致變色材料，例如氧化鶴（w〇3，w〇x )。舉例而言，其它 可選擇的材料包括：Nb2〇5、v2〇7、Ti〇2、Zn〇、

Mf〇2、CoO、Ni〇2。吾人可根據特定的應用目的來選擇使用 =些f料中的任何一種。為便於這個實施例的說明，在此 將以乳化鎢為例來加以說明。欲產生合成材料，該透明度 可調，406最好疋以濺鍍的方式來鍍到該第一透明層4〇4a 上透Γ層4〇4b)。另一技術乃是一種旋轉的技術， 牛例吕，其中該透明度可調層404a係由一種「凝膠一溶 T(s〇1-^υ」的程序所形成。該第二透明層4〇4b係在該 透月度可调層406的頂上所形成。 μ Ϊ H组4G2a和4()21)係以傳導的方式而整合到該透明 各部份。當一偏壓電橫跨位於該各部 刀:、、曰月又可调層而被施加時’ 一藉由電連接402和透 明度可調層406所定義的電路則會閉合。如圖4的較佳實施 第13頁 508627

例所示，一第一部份係位於該透明度可調層406的第一 侧，而-第二部分係位於該透明度可調層4〇6的第二侧。 期的施加電壓v+增加時，一橫越該透明度可調声 1U即成正比關係而增加。電流的增加會導致電； 光致變色材料或電致變色材料中的原子。 原子激發會造成透明層的變化，而這個變化 舉例而[氧化鎢在較低的激發狀態為淡 如此可使該可調層406在實質上為 ί更發狀態是深藍色’如此可使該可調層變為不： 明。細而，之’低電壓ν+會導致該蓋透 而高電壓V+會使該蓋子變成不透明。“上為透明’ 一般而言，電壓V+在較佳狀況下係 約3伏特之間，在更佳狀況 、i、、、、 · 寺到 特之間，且最好是約"5伏特VV使於;約U伏 處，電壓在較佳狀況下是介於約〇在吏伏用；^ (㈣3)之 且最好是約為3伏特。 ^.以大特到約5伏特之間， 合成材料400的大小最少係由兩個失 子厚度b和可調層厚度a。蓋子厚度,最；J =義’即蓋 調層厚度3在較佳狀況下是介 、々為1 cm。該可 且最好是約為3 。 於約〇·5_到約1〇_之間，

本！明匕實施例所”的可調透明

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系統元件的南階示意圖。一電壓控制器5 〇 2具有 電連接402的電極（未顯示），並且藉此建^ 一 明度可調層406的偏壓電壓v+。從一控制單元5〇6 調整控制電路504可為該電壓控制器5〇2提供適當 該控制單元可提供操作控制51 2和緊急控制51 4功 者田使用者使用該操作控制5 1 2功能時，該調 路M4即會提供一例行操作51〇的狀況給該電壓控 >操作控制512可允許使用者根據所需的透明度， 調低或調高。 盖之較佳 連接到該 横越該透 來輸入的 的狀態。 能給使用 整控制電 制器5 0 2。 來將電壓 電路5田04最好π挺在使用緊急控制51 4功能時，該調整控制 舍雷芦、古Μ / 士供一電壓關閉指令給該電壓控制器502。 二：：,該合成材料400最好在其最透明的狀 恶。當 >糸 >尹糸統遭遇一此簡θ§ , 及使用者需要立刻確定^題所/1 4的晶圓），以 514的功能。p方面，在二，則需要該緊急控制 觀察潔淨系統内部以確定田一\1忍外地關閉且操作者需要 急控制514功能將會是料期間的現有狀態時’該緊 八成Γ二顯Λ根據本發明之—實施例所實施的用來形成 合成材料4 ϋ ϋ之方法的译4口 ^ ^ w ^ ^ ^ # ^702 ,1 操作步驟m，在該步驟;V層形成。該方法接著進行到 -透明層上。該透明度二有屏'透明度可調層形成於該第 述的特徵。接著，兮層最好是具有如圖4A*4B所描 --—操作步驟706，在該步驟 508627 案號 89120422 五、發明說明（12) 中，電連接係在該透明度可調層的第一部分和第二部分之 間產生。該方法接著移到操作步驟7 〇 8，在該步驟中，一 第二透明層係在該透明度可調層上形成。 圖6B係顯不根據本發明之一實施例所實施的用來形成 晶圓潔淨系統用之透明可調蓋的方法之流程圖。該方法係 由操作步驟802開始，在該步驟中有一第一透明層形成以 作為一半導體潔淨站的蓋子之用。該方法接著前進到步驟 8 04，在該步驟中有一透明度可調層在該第一透明層上形 成0 在較佳狀況下，該蓋子在適當的端部具有電極，俾使 電路能連接到該處並產生—電流，如圖4β所示。流經該蓋 子的電流將使得該蓋子能改變其透明I。當潔淨系統在運 作之中，且在一銅的CMp程序後實施潔淨程序時，將有利 於抑制光增進型腐餘的現象。這是在潔淨技術中的重大進 ^其t所有的習知潔淨系統，皆使用可讓光自由穿透的 f，恶之透明蓋。一使用該可調蓋子的潔淨系統，可在 /糸淨程序進饤的時候將透明度設定為實質上為暗的狀態， ^在/又有潔淨程序實施的時候將透明度設定為亮的狀態。 备=，透明度可在各個極端之間的任一處任意變化，此乃 根#使用者的而要和所實施的潔淨程序之型態而定。

508627 _號 89120422 年 月 j----- 五、發明說明（13) 生。該方法接著移至操作步驟808，在該步驟有一第二透 明層在該透明度可調層上形成。 雖然本發明已經利用數種較佳實施例的型態來加以說 明，吾人將瞭解，對於熟悉本技術領域之技術者而言，在 閱讀以上的說明書並研習隨附圖式之後，將可暸解本發明 的各種修改、增添、變更和等效設計等型態。舉例而言， 雖然此處的刷洗盒係引用一特定的參考例來加以說明，任 何其它刷洗設備也都可從本發明所教導的方法而受惠。另 外，該潔淨實施例可被應用到任何大小的晶圓，例如， 2 0 0 mm、3 0 0 mm、及更大者，並包括其它大小和形狀之晶 圓。因此，吾人可以暸解，本發明係包括所有此般的修 改、增添、變更、及等效設計等型態，這些塑態全部符合 本發明的精神和範圍。 一

508627 MM _ 89120499 曰 修正 圖式簡單說明 本發明在參考隨後的詳細說明和隨附圖式後將會更分 易瞭解，其中相同的參考榡號代表相同的結構元件。 ，1係顯不具有一刷洗盒的晶圓潔淨系統 a — ------ 丄·,. ‘習妒 面糸/、、頁不_具有一刷洗盒的晶圓潔淨系統。 圖2A係顯示在頂部層已經施行銅的cMp程序後之 半導體晶片的橫剖面圖。 认生圖26係顯不在晶圓已經施行如圖1之晶圓潔淨系… 、月^，“如圖2 A之習知半導體晶片的橫剖面圖。 〆 ^ DD ^ 實施例所實施的晶圓潔/梦 實施的晶圓$ # 中 ^圖3A係顯示根據本發明之 系統之俯視圖。 圖3B係顯示根據本發明之一實施例所 糸統之侧視圖。 圖3C係顯不根據本發明之一實施例所實施的晶圓潔# 系統之侧視圖。蓋子所用力合 〜«^4 Ί/U ° 係根據本發明 < 一實施例所實施的 料的侧視圖。 成材料的侧視圖。成；bh ^4β係根據本發明之一實施例所實施的蓋子所用 吨材料的俯視圖。 、蕞々^ 5係顯不根據本發明之一實施例所實施的可調透明 之較佳系統元件的高階示意圖、。人f 6 Α係顯不根據本發明之一實施例所實施的用來形/ 〇成材料之方法的流程圖。 曰，6Β係顯示根據本發施例 施的用來形力曰曰固潔淨系統用之透明可調：的方法之流程圖。

第18頁 508627 _案號89120422_年月日_修正 圖式簡單說明 【圖式編號】 1 0 0〜刷洗盒 1 0 1、3 0 0〜晶圓潔淨系統 1 0 2〜刷洗盒蓋 1 0 4〜刷子 104a〜頂部刷 104b〜底部刷 20 0〜P型矽基板 201〜半導體晶片 2 0 2〜第一氧化層 2 0 4〜第二氧化層 2 0 5 P型電晶體 206 N型電晶體 2 0 7 匣極 2 0 8 源極 2 0 9 吸極 2 1 0〜鎢插塞 21 2〜銅線 21 4〜銅線 2 2 0〜銅介層洞 2 2 2〜銅沈積物 224〜腐餘的銅線 2 2 6〜完全溶解的銅線 3 0 2〜輸入站 3 0 4〜刷洗盒

第19頁 508627 _案號89120422_年 月 日__ 圖式簡單說明 3 0 4 a〜第一屌,J洗盒 3 0 4 b〜第二屌,J洗盒 3 0 6〜旋轉、沖洗、及乾燥站 308〜卸載把手 31 0〜輸出站 3 1 2〜電子系統 400〜合成材料 402a，402b〜電連接組 4 0 4〜透明層 404a〜第一透明層 404b〜第二透明層 406〜透明度可調層 5 0 2〜電壓控制器 5 0 4〜調整控制電路 5 0 6〜控制單元 5 1 0〜例行徐作 51 2〜操作控制 514〜緊急控制 702〜形成一第一透明層 7 0 4〜形成一位於該第一透明層上的透明度可調層 706〜在該透明度可調層的第一和第二部分之間界定電連接 708〜形成一位於該透明度可調層上的第二透明層 802〜形成一第一透明層以覆蓋半導體潔淨站 8 0 4〜形成一位於該第一透明層上的透明度可調層 8 0 6〜在該透明度可調層的第一和第二部分之間界定電連接

第20頁 508627 _案號89120422_年月日 修正 圖式簡單說明 8 0 8〜形成一位於該透明度可調層上的第二透明層 a〜蓋子厚度 b〜可調層厚度 I〜電流 V+〜偏壓電壓

Claims (1)

1. 508627 附件一： 案號 89120499 六、申請專利範圍^ 優正 1. 一種合成材料的製造方法，包括· 形成一第一透明層； · 在該第一透明層上形成一透明 在該透明度可調層的第一部分ς =調層； 電連接； ϋ第二部分之間形成一 在該透明度可調層上形成一 甲一透明層。 2 ·如申凊專利範圍第1項之合 括： 成材料 的 的製造方法，更包 該透明度可調層係由光致變 一種所構成。 材科和電致變色材料中 3类日日如/請專利範圍第2項之合成材料的夢、生* 透明度可調層為氧化鎢。 1衣造方法，其中該 4.如申：專利範圍第】項之合 该弟-和第二透明層係由壓克力所方法，其中·· 5. -一種芸半導體晶圓潔淨系統，包括：由多層ϊΐ材；；J:第-部分和-第二部分 -第-透::構成’該合成材料包括：-層’其位於該第-透明層上 、、電連接’其附著於在該第—部份 该蓋子係 上的透 明度 第22頁 ^ SS—89120422 六、申請專利範圍 可調層； 一第 可調層； '組電連接，其附著於在该弟一部分上的透明声 苐一透明層，其位於該透明度可調層上。 括如申請專利範圍第5項之半導體晶圓潔淨系統，更包 極連：控制器，其具有一第一電極連接器和-第二電 如申請專利範圍第6項之半導 電極連接器係連接到該第 連接器係連接到該第二組電連接 第_ ，. ”，體晶圓潔淨系統，其中該 “極連接器係連接到該第一組電連接，且該第二電極 半導圍第7項之半導體晶圓潔淨系、统，其中該 整^ = m统更包括與該電壓控制器相互整合的調 的變化 該；日周整控制電路係配置來設定-偏壓電壓給 逍月度了调層，以造成該蓋子之透明度 統，其中該 9·如申請專利範圍第8項之半導體晶圓 偏壓電壓的增加，會降低該蓋子的透明^ ^偏範圍第8項之半導體晶圓潔淨系統，其中 偏&電昼的減少，會增加該蓋子的透明度。 11. 該偏12. 期間 控制 及該 該第 該第 第 如申 壓電 一種 包覆 器， 蓋子 一第 一透 一第 一側 一第 一侧 一第 侧和 請專利範圍第8項之半導圓 壓約為。的時候1蓋;;;^為1;的其中 工半統的蓋子，在潔淨 其具右一笛一導體晶圓潔淨系統具有一電壓 且古 電極連接器和一第二電極連接哭， ΐ有-第-側和-第二側，包含： 明3月層’其在該第-側和該第二側之間延伸； 可調層，其係位於該第一透明層上； 的ίκυ係以傳導的方式來整合到覆蓋在 係:傳導的方式來整合到覆蓋在 :::!間；：覆蓋於該透明度可調層上並在該 13·如申請專利範圚筮】9 TS 的蓋子，其中兮楚一 + 2員之用於一半導體晶圓潔淨系統 接，而該第_ Ϊ極:垃極連接器係連接到該第一組電連 弟一電極連接器係連接到該第二組電連接。 的蓋子申：ϋ: :1:項之用於-半導體晶圓潔淨系統 、淨糸、、先更包括與該電壓控制器相互整合

   第24頁 508627 _案號89120422_年月日__ 六、申請專利範圍 的調整控制電路，該調整控制電路係配置來設定一偏壓電 壓給該透明度可調層，以造成該蓋子之透明度的變化。 15. 如申請專利範圍第1 4項之用於一半導體晶圓潔淨系統 的蓋子，其中該蓋子的顏色變化，乃是藉由限制或增加可 穿透該蓋子的光量來加以控制。 16. 如申請專利範圍第1 5項之用於一半導體晶圓潔淨系統 的蓋子，其中該蓋子係位於一刷洗盒潔淨站上。 17. 如申請專利範圍第1 2項之用於一半導體晶圓潔淨系統 的蓋子，其中該蓋子係形成於一後化學機械拋光 (post-CMP， posy-chemical mechanical polishing )潔 淨系統中，以將光增進型腐蝕的作用減低到最小程度。 18. 如申請專利範圍第1 2項之用於一半導體晶圓潔淨系統 的蓋子，其中該蓋子係整合到一整體CMP工具中，以將光 增進型腐蝕的作用減低到最小程度。 19. 如申請專利範圍第1 2項之用於一半導體晶圓潔淨系統 的蓋子，其中該透明度可調層的材料係由以下群組來選 取，其包括：W03、W0X、NB2 05、V2 07、Ti02、ZnO、Cr2 03、 Mn02、C o 0、和 N i 02 〇