JP2002131777A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置の製造過程、クリーンルームの
環境や用いる薬品の再生液で生じるクロスコンタミなど
で生じる基板汚染、特に金属汚染が起因するデバイス特
性の不安定に対して、前記製造過程の主たる工程間の洗
浄を管理する。 【解決手段】 本発明は、透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜
を形成する工程と、オゾン水溶液で処理した後、希フッ
酸水溶液で処理する洗浄工程とを有する液晶表示装置の
製造方法を提供するものである。
環境や用いる薬品の再生液で生じるクロスコンタミなど
で生じる基板汚染、特に金属汚染が起因するデバイス特
性の不安定に対して、前記製造過程の主たる工程間の洗
浄を管理する。 【解決手段】 本発明は、透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜
を形成する工程と、オゾン水溶液で処理した後、希フッ
酸水溶液で処理する洗浄工程とを有する液晶表示装置の
製造方法を提供するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明基板を用いた液
晶表示装置の製造過程にかかる基板処理方法に関するも
のである。
晶表示装置の製造過程にかかる基板処理方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示装置の製造工程では工程
間洗浄として、一般的には半導体プロセスで公知の過酸
化水素水をベースとした薬液によるＲＣＡ洗浄を基にし
たウェット洗浄方法が用いられている。
間洗浄として、一般的には半導体プロセスで公知の過酸
化水素水をベースとした薬液によるＲＣＡ洗浄を基にし
たウェット洗浄方法が用いられている。
【０００３】半導体レジストの剥離に用いられるＨ2Ｓ
Ｏ4／H2O2（ＳＰＭ）洗浄は有機物を酸化して除去する
方法である。また、ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2（ＡＰＭ）洗浄
は粒子除去に使用され、ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2（ＨＰＭ）洗浄
は金属汚染を除去するのに使用される。これらＲＣＡ洗
浄はその多くが高温下で行われるため液の組成変化が著
しく、液管理や蒸発成分の排気に伴うクリーンルーム内
のクリーン度管理等は必要である。
Ｏ4／H2O2（ＳＰＭ）洗浄は有機物を酸化して除去する
方法である。また、ＮＨ4ＯＨ／Ｈ2Ｏ2（ＡＰＭ）洗浄
は粒子除去に使用され、ＨＣｌ／Ｈ2Ｏ2（ＨＰＭ）洗浄
は金属汚染を除去するのに使用される。これらＲＣＡ洗
浄はその多くが高温下で行われるため液の組成変化が著
しく、液管理や蒸発成分の排気に伴うクリーンルーム内
のクリーン度管理等は必要である。
【０００４】液晶基板のように大版基板に対しては、前
記高温管理下での薬液による洗浄は極めて困難であり、
有機洗浄液やフッ酸水溶液を用い純水をリンス液とした
枚葉処理が施されている。
記高温管理下での薬液による洗浄は極めて困難であり、
有機洗浄液やフッ酸水溶液を用い純水をリンス液とした
枚葉処理が施されている。
【０００５】これら薬品の多くは回収され、フィルタを
通してパーティクルを除去し、再生液として洗浄工程に
用いられる。用いる薬品によっては再生液中にＡｌや
Ｂ、Ｆｅなどの金属が溶存し、クロスコンタミを生じ得
る。
通してパーティクルを除去し、再生液として洗浄工程に
用いられる。用いる薬品によっては再生液中にＡｌや
Ｂ、Ｆｅなどの金属が溶存し、クロスコンタミを生じ得
る。
【０００６】前記再生液中の金属溶存は以下のようにし
て生じる。液晶基板の多くはガラス基板で構成され、洗
浄液に希フッ酸を用いることでガラスはエッチングされ
る。そしてガラス成分のＡｌやＢが希フッ酸水溶液中に
溶存する。
て生じる。液晶基板の多くはガラス基板で構成され、洗
浄液に希フッ酸を用いることでガラスはエッチングされ
る。そしてガラス成分のＡｌやＢが希フッ酸水溶液中に
溶存する。
【０００７】また、クリーンルーム環境に浮遊する汚染
物は以下のようにして基板に吸着汚染させる。クリーン
ルームの空調フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）もガラス材
で構成されており、薬品使用工程のクリーンルーム雰囲
気を循環させることで前記フィルタ材を溶解し、微粒子
となってクリーンルーム内に浮遊する。そして、洗浄後
や成膜後の基板表面に吸着し、次工程で封じ込まれ界面
に残存する。
物は以下のようにして基板に吸着汚染させる。クリーン
ルームの空調フィルタ（ＨＥＰＡフィルタ）もガラス材
で構成されており、薬品使用工程のクリーンルーム雰囲
気を循環させることで前記フィルタ材を溶解し、微粒子
となってクリーンルーム内に浮遊する。そして、洗浄後
や成膜後の基板表面に吸着し、次工程で封じ込まれ界面
に残存する。
【０００８】液晶表示装置の構成において、前記のよう
な汚染物が吸着するとプラズマプロセスや熱プロセス等
を経て半導体層に拡散し、膜特性の不良を引き起こす。
さらには完成したＴＦＴにおいては駆動電圧の印加によ
ってバラツキを生じ、初期特性のバラツキやさらには信
頼性特性の劣化変動を引き起こすなど問題があった。
な汚染物が吸着するとプラズマプロセスや熱プロセス等
を経て半導体層に拡散し、膜特性の不良を引き起こす。
さらには完成したＴＦＴにおいては駆動電圧の印加によ
ってバラツキを生じ、初期特性のバラツキやさらには信
頼性特性の劣化変動を引き起こすなど問題があった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置の製造過
程、クリーンルームの環境や用いる薬品の再生液で生じ
るクロスコンタミなどで生じる基板汚染、特に金属汚染
が起因するデバイス特性の不安定に対して、前記製造過
程の主たる工程間の洗浄を管理する。
程、クリーンルームの環境や用いる薬品の再生液で生じ
るクロスコンタミなどで生じる基板汚染、特に金属汚染
が起因するデバイス特性の不安定に対して、前記製造過
程の主たる工程間の洗浄を管理する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上に
非単結晶Ｓｉ膜を形成する工程と、オゾン水溶液で処理
した後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程とを有する
液晶表示装置の製造方法を提供するものである。
非単結晶Ｓｉ膜を形成する工程と、オゾン水溶液で処理
した後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程とを有する
液晶表示装置の製造方法を提供するものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜を形成する工程と、オ
ゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗
浄工程とにより液晶表示装置を製造することに特徴を有
している。
は、透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜を形成する工程と、オ
ゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗
浄工程とにより液晶表示装置を製造することに特徴を有
している。
【００１２】請求項２に記載の発明は、透明基板上にＳ
ｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面を清浄化するためにオゾン水溶液で処
理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程と、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜を形成する工程とを少なくとも有して液晶
表示装置を製造することに特徴を有する。これにより次
のような作用を有する。すなわち、これにによって半導
体層および半導体層とその上下層との界面を清浄に保つ
ものである。
ｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の表面を清浄化するためにオゾン水溶液で処
理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程と、ｐｏ
ｌｙ−Ｓｉ膜を形成する工程とを少なくとも有して液晶
表示装置を製造することに特徴を有する。これにより次
のような作用を有する。すなわち、これにによって半導
体層および半導体層とその上下層との界面を清浄に保つ
ものである。
【００１３】本発明の請求項３に記載の発明は、透明基
板上に半導体層を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタ
クトウィンドウを形成する工程と、前記コンタクトウィ
ンドウ開口部を清浄化するためにオゾン水溶液で処理し
た後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程とを少なくと
も有して液晶表示装置を製造することに特徴を有する。
すなわち、これによって半導体層と配線電極とのコンタ
クト部を清浄に保つものである。
板上に半導体層を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタ
クトウィンドウを形成する工程と、前記コンタクトウィ
ンドウ開口部を清浄化するためにオゾン水溶液で処理し
た後、希フッ酸水溶液で処理する洗浄工程とを少なくと
も有して液晶表示装置を製造することに特徴を有する。
すなわち、これによって半導体層と配線電極とのコンタ
クト部を清浄に保つものである。
【００１４】請求項４に記載の発明は、透明基板上にＳ
ｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる第1の絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜の表面を清浄化する第１の洗浄工程
と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成した後工程と、前記ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する第２工程と、その後にＳｉ
Ｏｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる第2の絶縁膜を形成する工程
とを少なくとも含み、前記第1、第2の洗浄工程がオゾン
水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理したことに
特徴を有する。
ｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる第1の絶縁膜を形成する工
程と、前記絶縁膜の表面を清浄化する第１の洗浄工程
と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成した後工程と、前記ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する第２工程と、その後にＳｉ
Ｏｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる第2の絶縁膜を形成する工程
とを少なくとも含み、前記第1、第2の洗浄工程がオゾン
水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理したことに
特徴を有する。
【００１５】また、請求項５に記載の発明は、透明基板
上にＳｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる第1の絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜の表面を清浄化する第１の洗浄
工程と、ａ−Ｓｉ膜を形成する工程と、前記ａ−Ｓｉ膜
をｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化する工程と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜表面を清浄化する第２工程と、その後にＳｉＯｘ膜や
ＳｉＮｘ膜でなる第2の絶縁膜を形成する工程とを少な
くとも含み、前記第1、第2の洗浄工程がオゾン水溶液で
処理した後、希フッ酸水溶液で処理したことに特徴を有
する。
上にＳｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜でなる第1の絶縁膜を形成
する工程と、前記絶縁膜の表面を清浄化する第１の洗浄
工程と、ａ−Ｓｉ膜を形成する工程と、前記ａ−Ｓｉ膜
をｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化する工程と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜表面を清浄化する第２工程と、その後にＳｉＯｘ膜や
ＳｉＮｘ膜でなる第2の絶縁膜を形成する工程とを少な
くとも含み、前記第1、第2の洗浄工程がオゾン水溶液で
処理した後、希フッ酸水溶液で処理したことに特徴を有
する。
【００１６】そして、請求項４および請求項５に示すよ
うに工程毎にオゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶
液で処理することによって次のような作用を示す。オゾ
ン水溶液の処理はオゾン酸化力により有機物を除去する
とともに、基板表面に在る金属汚染物をも酸化させる。
次の希フッ酸水溶液の処理は前記金属酸化物や金属その
ものを溶解除去する。さらに、希フッ酸水溶液は基板表
面の自然酸化膜や絶縁層として設けたＳｉＯ２膜をスラ
イスエッチングすることから、基板表面の有機および金
属汚染物そしてパーティクルが極めて効果的に除去され
るのである。すなわち、これにによって半導体層および
半導体層とその上下層との界面を清浄に保つものであ
る。
うに工程毎にオゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶
液で処理することによって次のような作用を示す。オゾ
ン水溶液の処理はオゾン酸化力により有機物を除去する
とともに、基板表面に在る金属汚染物をも酸化させる。
次の希フッ酸水溶液の処理は前記金属酸化物や金属その
ものを溶解除去する。さらに、希フッ酸水溶液は基板表
面の自然酸化膜や絶縁層として設けたＳｉＯ２膜をスラ
イスエッチングすることから、基板表面の有機および金
属汚染物そしてパーティクルが極めて効果的に除去され
るのである。すなわち、これにによって半導体層および
半導体層とその上下層との界面を清浄に保つものであ
る。
【００１７】本発明の請求項６は、請求項４および請求
項５に示す前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する洗浄
工程の後に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中に不純物を注入する工
程と、不純物が注入されてなるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の表面
を清浄化する洗浄工程を有し、その洗浄工程がオゾン水
溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理したものであ
る。これによって不純物注入工程でのプラズマ処理や熱
処理等による膜中への拡散を防ぐべく基板表面を清浄な
状態で保ち不純物注入を行うことができるというもので
ある。
項５に示す前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する洗浄
工程の後に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中に不純物を注入する工
程と、不純物が注入されてなるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の表面
を清浄化する洗浄工程を有し、その洗浄工程がオゾン水
溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理したものであ
る。これによって不純物注入工程でのプラズマ処理や熱
処理等による膜中への拡散を防ぐべく基板表面を清浄な
状態で保ち不純物注入を行うことができるというもので
ある。
【００１８】請求項７および請求項８は、請求項５およ
び請求項６に係るａ−Ｓｉ膜のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化の方
法に特徴を有する。
び請求項６に係るａ−Ｓｉ膜のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化の方
法に特徴を有する。
【００１９】請求項９〜１１は、請求項４〜６の製造方
法をより詳細に示したものである。これによって製造工
程に準じた洗浄工程数を明確にしたものである。
法をより詳細に示したものである。これによって製造工
程に準じた洗浄工程数を明確にしたものである。
【００２０】請求項１２は、前記透明基板の種類に係
り、請求項１３は、基板に対する溶存オゾン水溶液の噴
射方法、そして請求項１４および１５は、オゾン水溶液
の処理におけるオゾン濃度と純水の純度について特徴を
有する。これによって、オゾン水溶液洗浄の最適化をは
かり、よりよい洗浄効果を得るという作用を有する。
り、請求項１３は、基板に対する溶存オゾン水溶液の噴
射方法、そして請求項１４および１５は、オゾン水溶液
の処理におけるオゾン濃度と純水の純度について特徴を
有する。これによって、オゾン水溶液洗浄の最適化をは
かり、よりよい洗浄効果を得るという作用を有する。
【００２１】すなわち、請求項１，２記載の方法で基板
表面を清浄化し、さらに整然とした酸化皮膜を基板表面
に形成することで、有機材で成る平坦化材やブラックマ
トリクス材、カラーフィルタ材は前記酸化皮膜上に濡れ
性良く形成されることから、均一性・均質性・密着性等
を向上させるものである。
表面を清浄化し、さらに整然とした酸化皮膜を基板表面
に形成することで、有機材で成る平坦化材やブラックマ
トリクス材、カラーフィルタ材は前記酸化皮膜上に濡れ
性良く形成されることから、均一性・均質性・密着性等
を向上させるものである。
【００２２】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て説明する。
て説明する。
【００２３】（第1の実施の形態）請求項２および請求
項４および請求項５および請求項７および請求項８記載
の発明に係る実施の形態について以下に説明する。
項４および請求項５および請求項７および請求項８記載
の発明に係る実施の形態について以下に説明する。
【００２４】透明基板として例えばガラス基板を用い
る。ガラスを構成する代表的な成分はＳｉＯ2、Ｂａ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ａｓ2Ｏ3、Ｚ
ｎＯ、ＺｒＯ2、Ｐ2Ｏ5，ＳｎＯ2、ＭｇＯである。ガラ
スが溶解することによってこれらが溶出する。
る。ガラスを構成する代表的な成分はＳｉＯ2、Ｂａ
Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ａｓ2Ｏ3、Ｚ
ｎＯ、ＺｒＯ2、Ｐ2Ｏ5，ＳｎＯ2、ＭｇＯである。ガラ
スが溶解することによってこれらが溶出する。
【００２５】さて、液晶表示装置の製造過程をフロー図
１に従い説明する。
１に従い説明する。
【００２６】前記ガラス基板上にアンダーコート膜とな
る第１の絶縁膜としてＳｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜を形成す
る。（図１ Ａ（ａ）〜Ｂ（ａ））次に、ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜を形成する。前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は直接的に成膜
したり（図１−Ａ（ｄ））、ａ−Ｓｉ膜をｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜化しても良い（図１−Ｂ（ｅ））。ａ−Ｓｉ膜をｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜化するにあたっては、レーザ照射法によ
る結晶化（図−1B-(1)）と固相成長法による結晶化（図
1−B-(2)）などがある。前者の場合、レーザ照射前のａ
ーＳｉ膜表面の清浄化やａ−Ｓｉ膜中の脱水素化を経て
レーザ照射が施される。一方後者の場合、ａ−Ｓｉ膜成
膜後に例えばＮｉ膜を成膜し、その後５００〜６００℃
程度の熱処理を施してＳｉの固相成長をさせ、その後前
記Ｎｉ膜をエッチング除去する。このようにして得られ
たｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は所望のパターンで加工され島化が
行われる。（図１−Ａ（ｇ）、Ｂ（ｇ））次に、ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜とアンダーコート膜が共存する基板の表面を
清浄化し、その後所定の位置に不純物を注入する（図１
−Ａ／Ｂ−（ｈ）（ｉ））。
る第１の絶縁膜としてＳｉＯｘ膜やＳｉＮｘ膜を形成す
る。（図１ Ａ（ａ）〜Ｂ（ａ））次に、ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜を形成する。前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は直接的に成膜
したり（図１−Ａ（ｄ））、ａ−Ｓｉ膜をｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜化しても良い（図１−Ｂ（ｅ））。ａ−Ｓｉ膜をｐ
ｏｌｙ−Ｓｉ膜化するにあたっては、レーザ照射法によ
る結晶化（図−1B-(1)）と固相成長法による結晶化（図
1−B-(2)）などがある。前者の場合、レーザ照射前のａ
ーＳｉ膜表面の清浄化やａ−Ｓｉ膜中の脱水素化を経て
レーザ照射が施される。一方後者の場合、ａ−Ｓｉ膜成
膜後に例えばＮｉ膜を成膜し、その後５００〜６００℃
程度の熱処理を施してＳｉの固相成長をさせ、その後前
記Ｎｉ膜をエッチング除去する。このようにして得られ
たｐｏｌｙ−Ｓｉ膜は所望のパターンで加工され島化が
行われる。（図１−Ａ（ｇ）、Ｂ（ｇ））次に、ｐｏｌ
ｙ−Ｓｉ膜とアンダーコート膜が共存する基板の表面を
清浄化し、その後所定の位置に不純物を注入する（図１
−Ａ／Ｂ−（ｈ）（ｉ））。
【００２７】これまでの過程で行った基板表面の清浄化
は、有機物および金属汚染物除去のために、オゾン水溶
液の処理を行った後に希フッ酸水溶液の処理を行ってい
る。
は、有機物および金属汚染物除去のために、オゾン水溶
液の処理を行った後に希フッ酸水溶液の処理を行ってい
る。
【００２８】その後ｐｏｌｙ−Ｓｉと次工程で成膜され
てなるゲート絶縁膜の界面を清浄化するため、ゲート絶
縁膜成膜前の洗浄を行う。この時には汚染物のみならず
前記注入物の残留が懸念される自然酸化膜を除去するた
め、前記オゾン水溶液の処理を行った後の希フッ酸水溶
液の処理を長時間もしくはやや高濃度で行う。次にゲー
ト電極を形成し、そしてチャネル部を形成するために基
板清浄化と不純物注入を繰り返す（図１−Ａ／Ｂ−
（ｌ）（ｍ）（ｎ））。
てなるゲート絶縁膜の界面を清浄化するため、ゲート絶
縁膜成膜前の洗浄を行う。この時には汚染物のみならず
前記注入物の残留が懸念される自然酸化膜を除去するた
め、前記オゾン水溶液の処理を行った後の希フッ酸水溶
液の処理を長時間もしくはやや高濃度で行う。次にゲー
ト電極を形成し、そしてチャネル部を形成するために基
板清浄化と不純物注入を繰り返す（図１−Ａ／Ｂ−
（ｌ）（ｍ）（ｎ））。
【００２９】次に層間絶縁膜を形成し、コンタクトウィ
ンドウをパターン形成する。コンタクトウィンドウを介
して半導体層とソース・ドレイン電極が接するが、その
界面に汚染層や酸化皮膜が残存するとコンタクト抵抗が
不安定となり特性不良化する。このためにはコンタクト
ウィンドウの加工時 例えばドライエッチングにおける
反応生成物やエッチング残さ、そして半導体層表面を覆
う自然酸化膜などを除去する必要がある。そこで、前記
同様オゾン水溶液の処理を行った後の希フッ酸水溶液の
処理を長時間もしくはやや高濃度で行う。（図１−Ａ／
Ｂ（ｑ））次にソース・ドレイン電極をパターン形成
し、平坦化膜を形成する。次に前記平坦化膜に第２のコ
ンタクトウィンドウを形成した後、画素電極をパターン
形成し、必要に応じて保護膜を形成する。（図１−Ａ／
Ｂ（ｒ）〜22）このようにして安定した特性の得られる
液晶表示装置が得られる（図２）。
ンドウをパターン形成する。コンタクトウィンドウを介
して半導体層とソース・ドレイン電極が接するが、その
界面に汚染層や酸化皮膜が残存するとコンタクト抵抗が
不安定となり特性不良化する。このためにはコンタクト
ウィンドウの加工時 例えばドライエッチングにおける
反応生成物やエッチング残さ、そして半導体層表面を覆
う自然酸化膜などを除去する必要がある。そこで、前記
同様オゾン水溶液の処理を行った後の希フッ酸水溶液の
処理を長時間もしくはやや高濃度で行う。（図１−Ａ／
Ｂ（ｑ））次にソース・ドレイン電極をパターン形成
し、平坦化膜を形成する。次に前記平坦化膜に第２のコ
ンタクトウィンドウを形成した後、画素電極をパターン
形成し、必要に応じて保護膜を形成する。（図１−Ａ／
Ｂ（ｒ）〜22）このようにして安定した特性の得られる
液晶表示装置が得られる（図２）。
【００３０】
【発明の効果】工程毎にオゾン水溶液で処理した後、希
フッ酸水溶液で処理することによって、半導体層および
半導体層とその上下層との界面を清浄に保つものであ
る。
フッ酸水溶液で処理することによって、半導体層および
半導体層とその上下層との界面を清浄に保つものであ
る。
【００３１】オゾン水溶液の処理はオゾン酸化力により
有機物を除去するとともに、基板表面に在る金属汚染物
をも酸化させる。次の希フッ酸水溶液の処理は前記金属
酸化物や金属そのものを溶解除去する。さらに、希フッ
酸水溶液は基板表面の自然酸化膜や絶縁層として設けた
ＳｉＯ2膜をスライスエッチングすることから、基板表
面の有機および金属汚染物そしてパーティクルが極めて
効果的に除去されるのである。
有機物を除去するとともに、基板表面に在る金属汚染物
をも酸化させる。次の希フッ酸水溶液の処理は前記金属
酸化物や金属そのものを溶解除去する。さらに、希フッ
酸水溶液は基板表面の自然酸化膜や絶縁層として設けた
ＳｉＯ2膜をスライスエッチングすることから、基板表
面の有機および金属汚染物そしてパーティクルが極めて
効果的に除去されるのである。
【００３２】なお、本発明の実施の形態において、アン
ダーコート膜となる第１の絶縁膜とその上層のａ−Ｓｉ
膜もしくはｐｏｌｙ−ｓｉ膜は別々に成膜しているが、
同一装置内で連続成膜し得る。この場合洗浄工程は簡略
できることは言うまでもない。
ダーコート膜となる第１の絶縁膜とその上層のａ−Ｓｉ
膜もしくはｐｏｌｙ−ｓｉ膜は別々に成膜しているが、
同一装置内で連続成膜し得る。この場合洗浄工程は簡略
できることは言うまでもない。
【００３３】コンタクト加工部では良好なコンタクトが
得られることから高性能の半導体基板を得ることができ
る。さらに、脱離パーティクルの除去促進や再付着を制
御できるのであれば薬液や機能水の併用に効果が増大す
ることは言うまでもない。
得られることから高性能の半導体基板を得ることができ
る。さらに、脱離パーティクルの除去促進や再付着を制
御できるのであれば薬液や機能水の併用に効果が増大す
ることは言うまでもない。
【００３４】以上のような効果は歩留まりを向上させ
る。そして、洗浄工程でクリーンルーム環境からの汚染
物も除去でき、製造環境を安定できることから、生産性
の向上も期待できる。
る。そして、洗浄工程でクリーンルーム環境からの汚染
物も除去でき、製造環境を安定できることから、生産性
の向上も期待できる。
【００３５】液晶表示装置の製造構成において、素子性
能に影響を及ぼす例えば半導体層近傍の清浄度と、表示
画像に影響のないレベルのパーティクル除去程度の清浄
度等、洗浄性能に応じた洗浄工程の選択によって、洗浄
液の再利用も有効であることから、液晶表示装置のコス
トダウンを図ることができる。
能に影響を及ぼす例えば半導体層近傍の清浄度と、表示
画像に影響のないレベルのパーティクル除去程度の清浄
度等、洗浄性能に応じた洗浄工程の選択によって、洗浄
液の再利用も有効であることから、液晶表示装置のコス
トダウンを図ることができる。
【図１】本発明の処理フロー図
【図２】本発明の液晶表示装置の断面構成図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｋ // Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４７ ６１６Ｌ ６１７Ｖ ６１８Ｚ ６２７Ｇ Ｆターム(参考） 2H088 FA21 HA01 HA08 HA12 HA14 MA20 2H090 HA04 HB03X JB02 JC07 JC19 LA04 2H092 HA28 JA24 JB52 JB58 KA05 MA30 MA37 NA18 NA27 PA01 PA08 3B201 AA02 AB01 BB89 BB93 BB96 BB98 CB11 5F110 AA30 BB01 CC02 DD02 DD13 DD14 DD25 FF35 GG02 GG13 GG58 HJ22 HL26 NN02 NN72 NN73 PP01 PP03 PP10 PP34 PP38
Claims (15)
- 【請求項１】透明基板上に非単結晶Ｓｉ膜を形成する工
程と、オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処
理する洗浄工程を有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】透明基板上にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜
でなる絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面を清
浄化するためにオゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水
溶液で処理する洗浄工程と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を形成す
る工程とを少なくとも有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】透明基板上に半導体層を形成する工程と、
層間絶縁膜にコンタクトウィンドウを形成する工程と、
前記コンタクトウィンドウ開口部を清浄化するためにオ
ゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理する洗
浄工程とを少なくとも有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】透明基板上にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜
でなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表
面を清浄化する第１の洗浄工程と、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜を
形成する工程と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化す
る第２の洗浄工程と、その後にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮ
ｘ膜でなる第2の絶縁膜を形成する工程とを少なくとも
含み、前記第１の洗浄工程と前記第２の洗浄工程のうち
少なくとも一方が、オゾン水溶液で処理した後、希フッ
酸水溶液で処理する工程を備えることを特徴とする液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項５】透明基板上にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜
でなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表
面を清浄化する第１の洗浄工程と、ａ−Ｓｉ膜を形成す
る工程と、前記ａ−Ｓｉ膜をｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化する工
程と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する第２の洗
浄工程と、その後にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜でなる
第2の絶縁膜を形成する工程とを少なくとも含み、前記
第１の洗浄工程と前記第２の洗浄工程のうち少なくとも
一方が、オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で
処理する工程を備えることを特徴とする液晶表示装置の
製造方法。 - 【請求項６】ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する第２の
洗浄工程の後に、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中に不純物を注入す
る工程と、不純物が注入されてなるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の
表面を清浄化する第３の洗浄工程を有し、前記第3の洗
浄工程が、オゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液
で処理する工程を備えることを特徴とする請求項４また
は請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化が、レーザ照射方法に
よりａ−Ｓｉ膜を結晶化してなることを特徴とする請求
項５または請求項６記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】ａ−Ｓｉ膜のｐｏｌｙ−Ｓｉ膜化におい
て、固相成長方法により前記ａ−Ｓｉ膜を結晶化してな
ることを特徴とする請求項５または請求項６記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項９】透明基板上にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜
でなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表
面を清浄化する第1の洗浄工程と、ａ−Ｓｉ膜を形成す
る工程と、前記ａ−Ｓｉ膜の表面を清浄化する第2の洗
浄工程と、前記ａ−Ｓｉ膜中から脱水素化する工程と、
レーザ照射により前記ａ−Ｓｉ膜を結晶化してｐｏｌｙ
−Ｓｉ膜にする工程と、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清
浄化する第3の洗浄工程と、その後にＳｉＯｘ膜または
ＳｉＮｘ膜でなる第2の絶縁膜を形成する工程とを少な
くとも含み、前記第1、第2、第３の洗浄工程がオゾン水
溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で処理したことを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】透明基板上にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ
膜でなる第1の絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の
表面を清浄化する第1の洗浄工程と、ａ−Ｓｉ膜を形成
する工程と、Ｎｉ膜を形成する工程と、加熱処理により
前記ａ−Ｓｉ膜を結晶化してｐｏｌｙ−Ｓｉ膜にする工
程と、前記Ｎｉ膜を除去する工程と、Ｎｉ膜除去により
露出したｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の表面を清浄化する第２の洗
浄工程と、その後にＳｉＯｘ膜またはＳｉＮｘ膜でなる
第2の絶縁膜を形成する工程とを少なくとも含み、前記
第1、第2、の洗浄工程がオゾン水溶液で処理した後、希
フッ酸水溶液で処理したことを特徴とする液晶表示装置
の製造方法。 - 【請求項１１】ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜表面を清浄化する洗浄
工程の後、前記ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜中に不純物を注入する
工程と、前記不純物が注入されてなるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜
の表面をオゾン水溶液で処理した後、希フッ酸水溶液で
処理したことを特徴とする請求項９または請求項１０記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１２】透明基板がアルミナホウケイ酸もしくは
バリウムホウケイ酸からなるガラス基板でなることを特
徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１３】オゾン水溶液の処理が透明基板の表面お
よび裏面に噴射し、前記透明基板の表裏面を洗浄するこ
とを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶
表示装置の製造方法。 - 【請求項１４】オゾン水溶液の処理におけるオゾン濃度
が１５〜３０ｐｐｍであることを特徴とする請求項１〜
１１のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１５】オゾン水溶液はオゾンガスを純水に溶解
させてなり、前記純水は電気抵抗値が１６〜１８ＭΩ・
ｃｍ、不純物Ｎａ純度が０．０２μｇ／Ｌを越えること
を特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶表
示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000322299A JP2002131777A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000322299A JP2002131777A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002131777A true JP2002131777A (ja) | 2002-05-09 |
Family
ID=18800203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000322299A Pending JP2002131777A (ja) | 2000-10-23 | 2000-10-23 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002131777A (ja) |
-
2000
- 2000-10-23 JP JP2000322299A patent/JP2002131777A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061109 |