TW498701B - Display apparatus - Google Patents

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五、發明説明（1 發明背景 本發明有關-種顯示裝置，尤其有關—種適用於使用有 機電致發光裝置作爲顯示元件之主動陣列型有機電致發光 顯示器的顯示裝置。 採用有機材料之電致發光(以下稱爲"EL")的有機電致發 广件係包括-有機層，其中有機正電洞輸送層及有機發 層係層積於—陽極與一陰極之間，且針對-種可藉低垂 直直流電驅動而進行高亮度發光之發光元件。

使用該種有機EL元件作爲顯示元件之顯示裝置中，主動 顯：、包括位於各像素上而用以驅動有機此裝 二=::二(以下稱爲’FT”包括一平坦化絕緣薄膜， 二係“」:盍位於一基材上之TFT及線路，該有機EL 凡彳千係位於違平J；曰仆紹絡落> _ 係妹由H、、工 核上。孩有機EL裝置及該線路 由位W平坦化絕緣薄膜中之接觸孔而彼此連接。 平f揭以例如日本專利公開編號叫叫叫189252之 轉塗佈所提供之薄月蓉3…制科邊如聚酿亞胺之旋 、吴’及猎考CVD(化學氣相沉物積以_ 虱化矽爲主之材料薄膜或以新 、 、）系積以一 塗佈聚人物# ~ D * 馬王又材料薄膜，之後 之物並㈣取應性離子㈣）回財體表面所製得 '、:而此等頭示裝置具有以下問題。 分 吸 即’藉塗佈諸如旋塗法所形成之平坦 係由有機枯拉、A &上 、’巴”’彖薄大邵 水性。例：成或含有有機材料，因此，具有高度吸 例如，使用市售塗佈液體藉塗体所形成之聚驢亞胺 侧 21θ X 2971^7 -4- 498701 A7 B7 五、發明説明（ 薄膜具有同達約1至3百分比之吸水係數。因爲作爲顯示元 件之有機_裝置具有包括有機材料之發光部分，故濕氣之 吸收導致亮度降低或驅動電壓升高。因此，使用前述具有 高吸濕性之材料作爲平坦化絕緣薄膜時，自該平坦化絕緣 薄膜缓緩釋出之濕氣對於顯示元件之顯示性能具有嚴重之 影響，因此，無法得到足以作爲顯示裝置之長期可信度。 此外，·因爲在顯示裝置製造過程中，顯示元件因吸濕所致 之損壞亦同時在進行’故由該平坦化薄膜釋出之濕氣導致 顯示裝置之良率降低。 另方面若|曰CVD方法形成該平坦化絕緣薄膜且使用 腿回#，則難以針對在稍後提供於該平坦化薄膜上之有機 EL元件提供充分之平坦度。尤其，若藉邮回蚀該整體表面 ，則選擇性地蝕刻該薄膜欲被蝕刻之較弱部分。因此，雖 然減輕因爲包埋線路等物所形成之凹陷及隆突，該薄膜欲 蝕刻且未充分平坦化的原始表面持續地進行㈣，使得欲 薄膜之薄膜的紋理形狀被放大，經回蝕之薄膜的平坦度^ -步受損。此外’使用具有大型面積之基材時，極難在基 材整體表面上得到均勻之平坦度。 當—顯示元件提供於具有該種不充分平坦度之平坦化絕 緣薄膜時，構成該顯示元件之各層難以得到均勻之薄膜严巴 度’故難以得到均勾之顯.示特性。尤其，因爲作㈣^ 件（有機EL裝£之發光部分係包括極薄之有機薄膜，故$ 膜厚度之分散會影響顯示特性。例如，產生諸如在驅動時 因爲電場局部集中於小値薄膜厚度部分上而導致漏施之問 本纸張尺度適用巾® S家標準(CNS) A4規格(21G〉<297公爱） -5 A7 B7 五、發明説明（3 $ ’因此難^成穩定顯示。 發明概述 疋’發明之目的係解決前述問題，而提出/種顯示 /、適於作爲良率及長期可信度優越之主動陣列型顯 不裝置 ° 根據本發明，提出-種顯示裝1，包括位於-基材上之 中間層絕緣薄膜，其形成條件係覆蓋該基材之凹陷及隆突 4於居中間層絕緣薄膜上之一顯示元件，其中該中間 層·、，巴緣薄_ &括&含有有機化合物之材料製得之平坦化 、、’巴、’彖層’丨形成條件係包埋該凹陷及隆突，及—塗層，由 斗所、、且成，其形成條件係覆蓋該單坦化絕緣層的表 面0 人在此種結構之下，因爲該平坦化絕緣層係由含有有機化 :物所構成，故該平坦化絕緣層可作爲具有優越平 一度又主腠。因此，該平坦化絕緣層與該塗層一起提供中 間^巴緣優越之平坦度，而該顯示元件可提供於該中間 層&緣海膜上，使得構成該顯示元件之各層的薄膜厚度變 料勻^匕外，因爲該塗層係包含無機材料，故該塗層係 、爲..H/L由構成g平坦化絕緣層之有機材料所㈣之氣體 成分(例如水蒸汽)的障蔽，防止該氣體成分(尤其是水蒸汽) 輸迗至位在該塗層上之顯示元件的側面上，以避免該顯示 凡件因爲吸濕而受損。 一因此如下又所詳述，根據本發明之顯示裝置，該顯示 儿件係提供於一中間層絕緣薄膜上，言亥薄膜具有包括一平 -6 - 498701 A7 B7 五、發明説明（ 坦化絕緣層及一塗層之多層結構，以使該顯示- σ 一 、 Ί干之顯示 特性穩定化，該顯示元件係經由位於因線路而I 士 &分叩共有凹陷及 隆突之基材上的中間層絕緣薄膜而提供，諸如例 J如主動陣 列型顯示裝置之基材，可防止因吸濕而受損。因此，可〜 到該顯示裝置之較高良率及較高長期可信度。 ^ 可參照附圖由以下描述及附帶之申請專利範圍明瞭本發 明之前述及其他目的、特色及優點，該等附圖係例示部八 本發明較佳具體實例。 圖式簡單説明 圖1係爲顯示本發明顯示裝置之結構實例的剖面圖· 圖2係爲顯示本發明顯示裝置之結構實例的主要部分之平 面圖； 圖3A至3D係爲顯示一具體實例之顯示裝置的製造方法之 剖面流程圖（第一個）；且 圖4A至4C係爲顯示一具體實例之顯示裝置的製造方法之 剖面流程圖（第二個）。 較佳具體實例詳述 下文和參照附圖描述本發明顯示裝置之具體實例。現在 描述應用本發明於使用有機EL元件作爲’顯示元件之主動陣 列型顯示裝置的一具體實例。 圖1所tf之顯tf裝置係包括在由例如玻璃材料構成之基材 1上排列成矩陣形式之底閘極型（頂閘極型亦可）TFTs 2，及 一絕緣薄膜3，其形成條件係覆蓋該TFTs 2。於該絕緣薄膜 3上，提供經由接觸孔（未示）連接於TFTs 2之線路4，該線路 本紙張尺度制中國國家兩⑽A4規—〇X297公爱)_ A7 B7 五、發明説明（5 4於基材1之表面上提供最大之凹陷及隆突。 於4，’、巴緣薄膜3上，在包埋該線路4之條件下提供中間層 絕緣薄膜6。該中間層絕緣薄膜6具有—多層結構，包括二 平坦化絕緣層6a，於包埋該線路4之條件下形成於該絕緣薄 膜3上，及一塗層6b，提供於該平坦化絕緣層仏上。此情況 下，該平坦化絕緣層6a係由使用有機物質諸如S〇G或樹脂 材料（例如聚S盛亞胺樹脂、丙*希酸樹脂、或有機三氧化石夕薄 膜）所得之材料所構成，且係爲藉塗佈方法諸如旋塗方法所 开y成炙空腠。另一方面，該塗層讣係使用具有氣體障蔽性 質 < 絕緣材料所形成，以限制自該平坦化絕緣層以釋出氣 體。該塗層6b係具有使用無機材料諸如二氧化矽、氮化矽 (Si#4)、非晶矽（a_Si)或氧化鋁（ΑΙΑ;)的單層或多層結構 。此外，該塗層6b具有足以限制氣體自該平坦化絕緣層以 釋出之薄膜厚度。 "" 具有該種多層結構之中間層絕緣薄膜6具有通達線路4之 接觸孔7。該接觸孔7之周邊側壁覆蓋塗層6b，該平坦化絕 緣層6a之接觸孔7的頂面及面向前方之表面係整體覆以塗屑 6b。因此，如圖2所示，塗層6b之開口部分7b係位於形成於 該平坦化絕緣層6a中之開口部分7a的底面開口内側上。雖 然圖2中之接觸孔7具有圓形開口形狀，但接觸孔7之開口米 狀不限於此，而可爲矩形（包括正方形）或多邊形。 有機EL元件1 0係提供於該中間層絕緣薄膜6上，形成條件 係經由接觸孔7連接於線路4。該有機EL元件1〇係爲例如頂 部發光型，以自與基材1相反之側面上發光，包括經由接觸 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（6 孔7連接於線路4之底電極Η，於覆蓋該底電極丨丨之邊緣的 條件下提供之絕緣層12，位於該底電極u上之有機層13， 及頂電極14及位於該有機層13上之透明電極15。該有機£匕 元件1 〇可爲透射型，其中自該基材丨之側面發光。 、其次，使用圖3A至3D及4A至4C所示之剖面流程圖，於形 成步驟之次序下描述該顯示裝置之組件的細節。 首先，如圖3A所示，底閘極型TFTs 2係提供於由例如透 坡璃所構成之基材1上，而於覆蓋該TFTs 2之條件下提供 一絕緣薄膜3。其次，該絕緣薄膜3係備有接觸孔（未出示於 此），在絕緣薄膜3上提供欲經由該接觸孔而連接於該TFTs 2的線路4。該線路4係用以將玎^ 2彼此 她斤形成之有訊元件及TFTS2，且係形成 例如約1.0微米之鋁線路。該線路4之形狀係爲該基材丨表面 中凹陷及隆突的最大因素。 其次，如圖3B所示，爲爲使因爲形成線路4而產生之凹陷 及隆突平坦化，於該絕緣薄膜3__其上層形成有線路4―上形 成平坦化絕緣層6a，形成條件係包埋因線路4所致之凹陷及 隆突。該平坦化絕緣層6a係由正片型感光性聚醯亞胺所構 成。於該絕緣薄膜3上形成平坦化絕緣層以係藉著於32〇〇轉 每分鐘之轉數下藉旋塗法施加感光性聚醯亞胺而進行。塗 佈之後，該平坦化絕緣層6a即時於9(rc之熱板上預先烘烤 1 〇刀1里°預先烘烤之後，該平坦化絕緣層6 a之塗膜厚度係 約2·4微米’而該線路4係包埋於該平坦化絕緣層6a中。 之後’眾平坦化絕緣層6a之圖型曝光係使用曝光裝置進 -9- 本紙張尺度賴X 297公爱） 498701 A7 _—____B7 五、發明説明（7 ) 行，以使經曝光部分可溶於—顯影液體中。該圖型曝光係 例如使用曝光量爲500毫焦耳之近距離曝光裝置進行。 该平坦化絕緣層6a係於圖型曝光之後使用簇射旋轉型顯 影裝置頭影’以使經曝光部分溶於該顯影液體中並移除。 就該顯影液體而言’係使用2 38百分比之TMAH(氫氧化四 甲基銨）水溶液（例如，TOKYO OHKA KOGYOU C〇.，LTD. 所製之MND-3)，顯影時間約3分鐘。 藉著前述一系列微影處理，將該平坦化絕緣層6a圖型化 成預定形狀，提供通達該線路4之開口部分7a。 之後，於清潔之烘烤爐中進行烘烤，使構成該平坦化絕 緣層6a之感光性聚醯亞胺進行醯亞胺化（環化）。此情況下， 烘烤係於氮氛圍中於170。(：下進行6〇分鐘，而烘烤係於 3 50 C下進行30分鐘。該平坦化絕緣層6a於烘烤後之薄膜厚 度係約2.0微米，而線路4係包埋於該平坦化絕緣層以之中。 此情況下，該平坦化絕緣層仏之表面的平坦度（介於凹陷及 隆突之間的高度差）係約0.3微米，而吸水係數係約15重量 百分比。 該平坦化絕緣層6a不限於前述感光性聚醯亞胺，只要其 係藉塗佈方法諸如旋塗法形成之塗膜即可，可爲非感光性 樹脂材料之薄膜或SOG薄膜。然而，<吏用非感光性材料形 成平坦化絕緣層6a時，光阻圖型係提供於所形成之平坦化 絕緣層6a上，而該平坦化絕緣層仏係使用光阻圖型作爲罩 幕進行蚀刻，以產生開口部分7 a。 該平坦化絕緣層6a備有開口部分7a之後，於覆蓋該平坦 -10-

498701 A7 B7 五、發明説明（ 化絕緣層6a之曝露表面—包括開口部分以之内壁—的條件下 提供塗層6b，如圖3C所示。此情況下，構成二氧化矽 =塗層6W藉電漿CVD形成。此情況下，使用矽貌 氧化氮（N2〇）作爲反應性氣體，於32(rc之薄膜形成溫度及 50帕司卡之薄膜形成氛圍壓力下進行薄膜形成。因此，提 供由薄膜厚度確定充分之氣體障壁性質且易於處理（此情況 下爲5 0 0 I极米）且由一氧化碎構成之塗層6 b。雖然形成塗 層6b之方法不限於電漿CVD方法，但期望應用可得到具有 充分之氣體障壁性質之薄膜的薄膜形成方法。 其次，於塗層6b上提供光阻圖型（未出示於此），位於形 成於該平坦化絕緣層6a中之開口部分7a之底面上的塗層讣 係使用光阻圖型作爲罩幕而蝕刻移除，以使該塗層讣具有 開口邵分7b。此情況下，如圖2所示，該塗層6b之開口部分 7b係提供於形成於該平坦化絕緣層仏中之開口部分π之底 部開口内側上。由二氧化矽所組成之塗層6的蝕刻係使用例 如氫氟酸與氟化叙之混合溶液藉濕式蝕刻或使用含氟氣 體（例如四氟化甲烷cf4)藉乾式蝕刻進行。 藉由前述方法，在保持使用塗層6b覆蓋該平坦化絕緣層 6a之曝露表面的條件下，於包括該平坦化絕緣層6a及覆蓋 彼者之塗層_6b的中間層絕緣薄膜6上提供通達該線路4的接 觸孔7。 形成該中間層絕緣薄膜6—包括該平坦化絕緣層6a及覆蓋 彼者之塗層6b且具有側緣邊壁被塗層补所覆蓋之接觸孔7之 方法不限於前述方法，可藉以下方法進行。

裝

-11 - 498701 A7 _______B7 五、發明説明（ ） 首先，k供平坦化絕緣層及塗層，之後，使用光阻圖型 作爲罩幕，藉由蝕刻於該平坦化絕緣層及該塗層上提供通 達該線路之接觸孔。其次，於覆蓋該接觸孔之内壁的條件 下提供第二塗層，而該第二塗層係於由第二塗層所構成之 側壁保留於該接觸孔之内壁的條件下進行回蝕。如此，得 到一平坦化絕緣薄膜，其中該平坦化絕緣層之頂側面係覆 有該塗層，而該接觸孔之内壁係覆有第二塗層。根據該種 方法，用以形成接觸孔之光阻圖型的成形僅進行一次即已 足夠’可減少掩盖步驟之次數。此外，不需罩幕校配，故 適於更精密之設計。 藉由選自前述方法之方法形成具有通達線路4之接觸孔7 的中間層絕緣薄膜6之後，有機EL元件1 〇依以下方式提供於 中間層絕緣薄膜6上（即，位於塗層6b)上。雖然描述自與該 基材1相反之側面發光的頂部發光型有機EL元件以供作實例 ，但本發明不限於該實例，可提供自該基材1之側面發光的 透射型有機EL元件。 首先，如圖3D所示，由金屬（例如Cr)所構成之底電極n 係於經由接觸孔7連接於線路4之條件下提供於該塗層⑶上 。該底電極Π係作爲有機EL元件之陽極。 爲提供該底電極7，首先，藉DC濺鍍方法形成厚度2〇〇毫 微米之鉻（Cr)薄膜。此情況下，使用氬（Ar)作爲濺鍍氣體， 設定0.2帕司卡之濺鍍氛圍壓力及300瓦之DC輸出而進行薄 膜形成。其次’使用藉一般微影技術形成之光阻罩幕作爲 罩幕以蝕刻該鉻薄膜，以得到由鉻構成而在預定形狀下圖 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) /υι A7

型化之底電極11。

之㈣係二…刻使用以硫酸_及過氣酸 /合/馬王又蝕刻液體進行，例如ETCH、1(商浐义 Sanyo Chemical Industries，Ud之產品），以於高準確^及自 好再現性下進行㈣。若f要較高之準確度，％進行 體作㈣刻氣體。此情況下，尤其可進行RIE(反應性= 触刻）’以於向準確度下進行，並控制欲蚀刻之側壁的形狀 。例如’猎著於預定蝕刻條件下進行蝕刻，所蝕刻之側壁 可成爲錐狀，可降低後續步驟中所提供之底電極U與頂2 極之間短路的機率。 ％ 如圖4 A所7JT，提供在底電極丨丨之頂側上具有開口部分1 且覆蓋底電極u之周邊的絕緣層12。構成該絕緣層i2之材 料不特別限制，此情況下使用例如二氧化矽（以〇2)。 爲了 k供该絕緣層12，首先，藉例如濺鍍提供厚度2〇〇毫 微米足二氧化矽薄膜，藉一般微影術於該二氧化矽上提供 光阻圖型。之後，使用該光阻圖型作爲罩幕蝕刻該二氧化 矽薄膜，以得到在底電極n之底側面上具有開口部分l2a且 覆蓋底電極11之周邊的絕緣層12。該蝕刻可爲使用氫氟酸 及氟化銨之混合水溶液的濕式蝕刻或乾式蝕刻。該絕緣層 12可視需要形成，當提供絕緣層12時，可防止後續步驟中 所長:供之底電極1 1與頂電極之間短路。提供絕緣層12時， 该絕緣層12之開口部分1 2a係對應於該有機el元件的發光部 分0 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇χ297公釐)

A7

其次，如圖4B所示，視需要具有絕緣層12之基材置入眞 空氣相沉積裝置中，自罩幕A之頂側面進行眞空氣相沉積:、 以提供一有機層13，其係於個別獨立之狀態下覆蓋該底電 極1 1。忒罩幕A係設計成該絕緣層丨2之邊緣部分亦被有機層 1 3所復盖，使得底電極丨丨完全被該有機層丨3所覆蓋。該有 ，層13具有依序由底側提供之有機正電洞注射層、有機正 私洞輸运層、及有機發光層—亦作爲電子輸送層一的層積結 構’此處並未出示。 具有前述結構之有機層13的一實例中，提供薄膜厚度3〇 毫微米之MTDATA[ 4,4，，4、三（3.甲基苯基苯基胺基）三苯基 胺]層以作爲有機正電洞注射層，薄膜厚度爲2〇毫微米之卜 NPD[雙（N-蕃基苯基聯苯胺]層作爲有機正電洞輸送層 且薄膜厚度50¾微米之Alq;(8-喹啉酚鋁錯合物）作爲有機 發光層。 有機層U之眞空氣相沉積中，將0.2克之各個材料裝填於 各舟皿中’以進行電阻加熱，其係裝配於眞空氣相沉積裝 置之預定電極上，氣相沉積氛圍壓力係降低至10 X 帕 司卡：於各舟：上施加一電壓，之後於該舟皿中氣相沉積 泫材料。就罩幕A而言，係使用金屬罩幕’。 其次’如圖4C所示，移除罩幕，進行氣相沉積以形成— 覆盘孩有機層13之頂電極14,及位於該基材！之頂側面的致 體表面上的絕緣層12。該頂電極14係作爲有機肛元件之二 極，係由例如鎂（Mg)及銀（Ag)之合金所構成。頂電極之二 膜厚度係爲例如10毫微米。頂電極14之眞空氣相沉積係於 A7 B7 498701 五、發明說明（ ==:裝…續地進行’其中一㈣ 舟=極，眞空氣相沉積中，將〇ι克鎂及〇·4克銀裝填於 、 裝配於孩眞空氣相沉積裝置中的預定電極上，之 t將f目沉積氛圍壓力降低至1·〇χι〇-4帕司丨，於各舟皿 。：二電壓，以使該舟皿中所裝承之鎂及銀共同沉積 。U下’錢相對於銀之薄膜形成速率比例 約 9 :1 〇 、 ' 如圖1所777，於頂電極14上提供透明電極薄膜1 5。 此情況下、，透明電極薄膜15係'使用於室溫下形成薄膜時具 有艮好電導係數而以氧化銦辞.Zn_〇)爲&質之透明導兩 性材料。由該種材料構成之透明電極薄膜15的成形係例: ，用DC^鍍方法進行。薄膜形成之—實例係使用氬⑹及 乳（〇2)足混合氣體（體積比Ar:〇2 = 1〇〇〇:5)作爲濺鍍氣體，濺 鍍氛圍壓力係爲〇·3帕司卡，Dc輸出係爲4〇瓦，且透明電極 薄膜15之薄膜厚度係爲2〇〇毫微米。 ” 在前述方式下，依序於該中間層絕緣薄膜6上提供多個有 機EL元件10，具有底電極（陽極）n、有機層13、頂電極（陴 極）14及透明電極薄膜15之層積結構，以作爲顯示元件。= 機EL元件10各經由提供於該中間層絕緣薄膜6中之接觸孔7 連接於TFT 2及線路4。 此外，於前述方式下，得到一主動陣列型顯示裝置，並 中作爲顯示元件之各有機EL元件10係與該TFT 2連接，、^ 動該有機EL元件10。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

-15- A7 ------- B7 五、發明説明（3 ) -- 、、/、万式所構成〈顯示装置中，該平坦化絕緣層6a係藉 至佈万法為如万疋空万法形成，因此，平坦度優越，線路4係 包埋於平坦度優哉士 φ開腐 运、、、巴緣薄膜6中，其係包括平坦化 絕緣層^及塗層6b。之後，將該有機EL元件H)提供於平坦 度優越之中間層絕緣薄膜6上。因此，該有訊元件1〇係且 有薄膜厚度均勾度優越之有機層薄膜，以防止該底電極η 與頂電極14之間的短路，且可促進發光平面之發光均勾性 ’且確定穩定之顯示特性。 而且，因爲覆蓋該平坦化絕緣層6a之塗層6b係由無機材 料所形成’故該塗層⑽作爲對抗由作爲塗膜之平坦化絕 緣層6a所釋出之氣體成份（例如水蒸汽）的障壁，防止氣體成 皆（尤其是水蒸汽）排S至位於塗層65上之有機紅元件的側 面上。此外，因爲位於該中間層絕緣薄膜6中之接觸孔7的 側緣邊壁被 >皇層6b所覆蓋，故亦防止濕氣自該接觸孔7之側 緣邊壁排放至該有機EL元件10之側面。因此，可防止該有 機EL兀件10在製造步驟中因爲吸濕而受損，且防止該有機 EL元件10在長期驅動期間因爲吸濕而受損。由前述結果， 可使主動陣列型顯示裝置之良率增高且長期可信度增加。 此外，因爲位於該中間層絕緣薄膜6 +之接觸孔7的側緣 邊壁被塗層6b所覆蓋，故可防止該有機EL元件1〇因爲吸濕 而受損，即使該有機EL元件1〇位於接觸孔7之頂側面上時亦 其次，出示.前文所得之顯示裝置評估結果。此情況下， 針對如前述具體實例所述般構成之顯示裝置的顯示元件（有 -16- 本紙張尺度適用中S S家標準(CNS) A4規格(21GX297公爱)" ' --- 498701 A7 _______ B7 五、發明説明（14 ) 機EL元件）作爲實施例，測量驅動電壓、驅動電流、初次驅 動時之亮度及在空氣中驅動丨〇〇小時之後的亮度。此外，作 爲一比較例1，每個數値係針對直接提供在基材上的有機El 裝置而量測。此外，針對具有習用結構之顯示裝置的對照 例2，測量直接提供於僅包括平坦化絕緣層之中間層絕緣薄 膜上的有機EL元件的各個數値。測量結果係列示於下表1中 。對照例1及2中之平坦化絕緣層及有機el元件係依與實施 例之顯示裝置相同的方式形成。 [表Π 驅動電壓 驅動電流 原始亮度 100小時之後 的亮度 貫施例 8.9V 39 mA/cm2 990 cd/m2 955 cd/m2 對照例1 8.9V 39 mA/cm2 1000 cd/m2 970 cdTii? 赉照例2 「1—1.2V 39 mA/cm2 560 cd/m2 270 cd/m2 如表1所示，已發現貫施例之有機el元件初次驅動時之亮 度（原始壳度）係保持於與對照例1之有機EL元件相同之高値 ’居對照例1未提供該中間層絕緣薄膜。相反地，對照例2 直接形成於該平坦化絕緣層上之有機EL元件的對應値係低 於實施例及對照例1之有機EL元件。由此等結果，確定於實 施例之顯示裝置中的平坦化絕緣層上提供塗層防止濕氣在 製造步驟期間自平坦化絕緣層釋放至該有機£[元件之側面 ，而防止該有機EL元件因爲吸濕而受損。因此，確定該實 &例之顯示裝置的良率較先前技藝之顯示裝置增高。 ' 此外，已發現該實施例之有機EL元件驅動1 〇〇小時之後的 亮度（100小時之後的亮度）與對照例i之有機EL元件相同地 保持於高値。相反地，對照例1直接形成於該平坦化絕緣層 上之有機EL元件的對應値係低於實施例及對照例丨的有二 -17- 498701 A7 _ _ B7 五、發明説明P—) ——-- EL元件。由此等結果，確定該實施例顯示裝置中於平坦化 絕緣層上提供塗層可在長期驅動期間限制濕氣自平坦化絕 緣層釋放至該有機EL元件之側面，防止該有機EL元件因爲 吸濕而受損。因此，確定該實施例之顯示裝置之長期可信 度優於先前技藝之顯示裝置。 雖已使用特定情況描述本發明較佳具體實例，但該描述 僅供説明，已知可在不偏離以下申請專利範圍之精神及範 疇的情況下進行改變及變化。 -18- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱)

Claims (1)

1. A8 B8

   • H置，·包括—中間層絕緣薄膜，其係於覆蓋- 基材（凹陷及隆突的情況下提供於該基材上，及-顯示 兀件，其係提供於該中間層絕緣薄膜上，其中 $ Μ層絕緣薄膜係包括」平坦化絕緣層，由一含有 :機化合t之材料製得’且形成條件係包埋該凹陷及隆 九及塗層，由一典機材料所構成且於覆·蓋該平坦化 絕緣層之表面的條件下形成。 2 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中 該顯示元件係爲一有機發光元件。 3 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中 該平坦化絕緣層係由塗膜所製得。 4.如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中 該平坦化絕緣層係由旋塗式玻璃、或樹脂材料製得。 5 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中 該中間層絕緣薄膜係具有通達該中間層絕緣薄膜之底層 的接觸孔，且 $亥么層係於復蓋遠接觸孔之側緣邊壁的條件下提供。

   裝 玎 線

   -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)