490689 A7 -—-____B7_ 五、發明說明（丨） 發明背窠 發明之領域 明係關於多層電感器·，且特別係關於用於抗流線 S ' Μ感電容濾波器、變壓器及平衡-不平衡變壓器的表 面封裝式多層電感器。 相關先前技術之說明 揭示在例如日本未要求審查之專利申請案公告號第5 一 4 1 3 2 4的線圈元件係一種習知技術。該線圈元件係 設有圓柱形磁芯，其包含具有絕緣電阻之鐵氧體的磁性主 體。在該磁芯表面上形成導電膜，該導電膜係以雷射光束 照射並當旋轉之同時是軸向地移動，以形成用以形成線圏 之螺旋凹槽，並藉由該導電膜之剩餘部份形成圍繞著磁芯 之螺旋線圈。該專利亦揭示可藉由切割該導電膜所製造之 兩種或三種線圈。 一. 在習知線圏元件中，用於獲得大電感値之機制通常係 採用例如：使用具有大橫截面之磁芯；增加線圏之圏數； 以及使用具有高導磁率#之磁性材料。然而’磁芯之導磁 率//及其尺寸（橫截面積、長度）事實上係被限定的’故 很難獲得所欲之電感値。特別係當在磁芯上形成複數個線 圈時，基本上無法獲得所欲之電感値。 發明槪要 因此，本發明之目的係提供一種小型之多層電感器， 3 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---,------線
<、發明說明（〆） 其可具有高電感値。 爲獲得上述目的，一種如本發明之多層電感器係包含 :(a ) —種磁芯構件；（b )複數個薄膜線圏，其係沉 積在磁芯構件之表面並具有絕緣層插入於該薄膜線圈之間 ，該薄膜線圈係捲繞該磁芯構件之外圍，及（c )設置在 該磁芯構件之末端以電性連接至薄膜線圈之每一端的端點 電極，其中（d )每個端點電極係藉由從磁芯構件之端面 至磁芯構件之外圍在磁芯構件上形成之分隔凹槽所定義的 ，故端點電極係與其它端點電極選擇地電性絕緣。每個薄 膜線圏最好係藉由形成在該磁芯構件之外圍的薄膜線圈導 體上形成之螺旋線圈形凹槽所形成。 舉例而言，該磁芯構件可能係啞鈴形，且最好係包含 至少形成在該磁芯構件之端面及側面的其中之一上面用於 辨識該磁芯構件之方向的辨識部份。在者，至少該薄膜線 圈其中之一的起始及結束驗係經透過形成在絕緣層之連接 開口電性連接至個別之端點電極。 藉由上述之結構，當與兩個薄膜線圈在磁芯構件之軸 向並排的電感器相比較時，可減短磁芯構件之長度，並增 加薄膜線圈之圈數。此外，因具有絕緣層插入於其中之複 數個薄膜線圏係共同軸地置於磁芯構件上，故薄膜線圏之 間產生之分佈電容値係均勻的。再者，每個線圏形凹槽之 起始端及結束端大致上係在磁芯構件之繞線方向彼此偏移 1 8 0° ，且兩個具有絕緣層插入於其中的鄰接之薄膜線 圈的起始端大致上係在磁芯構件之繞線方向彼此偏移18 4 --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 _____B7 _ 五、發明說明（3 ) 0° ，故每個端點電極彼此可能具有相同之形狀及相同之 面積。 該薄膜線圏以預設之間距螺旋環繞該磁芯構件之外圍 。因此，與螺旋線圏形凹槽交叉點與磁芯構件的端面之間 的分隔凹槽之長度可能大於螺旋線圈形凹槽之起始端及磁 芯構件的每個端面之間與螺旋線圏形凹槽之結束端及磁芯 構件的每個端面之間的分隔凹槽之長度，故可固定端點電 極且其彼此之間係電性絕緣。 當採用從磁芯構件之端面朝其外圍表面捲繞分隔凹槽 時，可獲得類似之優點。在此種情況中，用於每個薄膜線 圈的螺旋線圏形凹槽之起始端及結束端係分別位在磁芯構 件之單一平面上，故每個端點電極彼此可具有相同之形狀 及相同之面積。 圖式簡單說明 —— 圖1係顯示如本發明第一實施例的多層電感器之製程 的立體圖； 圖2係顯示接續圖1所示的製程之多層電感器的立體 圖； 圖3係圖2所示之多層電感器的槪要圖； 圖4係顯示接續圖2所示的製程之多層電感器的立體 圖； 圖5係圖4所示之多層電感器的槪要圖； 圖6係顯示接續圖4所示的製程之多層電感器的立體 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線- 490689 A7 _ B7_ 五、發明說明（) 圖； 圖7係圖6所示之多層電感器的槪要變化圖； 圖8係顯示接續圖6所示ή製程之多層電感器的立體 圖； 圖9係圖8所示之多層電感器的槪要圖； 圖10係如第一實施例之多層電感器的立體外部圖； 圖11係圖10所示之多層電感器的槪要圖； 圖12係圖10所示之多層電感器的水平截面圖； 圖13係圖10所示之多層電感器的電性等效電路圖 ， 圖1 4 Α至1 4 D係形成在捲繞磁芯構件的端面上之 辨識部份的範例； 圖1 5 A至1 5 D係形成在捲繞磁芯構件的側面上之 辨識部份的範例； 圖1 6係顯示如本發明-第二實施例之多層電感器之製 程的立體圖； 圖17係顯示接續圖16所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖18係圖17所示之多層電感器的槪要變化圖； 圖19係顯示接續圖17所示之製程之多層電感器的 立體圖； 圖2 0係圖1 9所示之多層電感器的槪要圖； 圖21係顯示接續圖19所示的製程之多層電感器的 立體圖； 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 __B7_ 五、發明說明（4 ) 圖2 2係圖2 1所示之多層電感器的槪要圖； 圖2 3係顯示接續圖2 1所示的製程之多層電感器的 立體圖； ‘ 圖2 4係圖2 3所示之多層電感器的槪要圖； 圖25係如第二實施例之多層電感器的立體外部圖； 圖2 6係圖2 5所示之多層電感器的槪要圖； 圖2 7係圖2 5所示之多層電感器的水平截面圖； 圖2 8係顯示如本發明第三實施例的多層電感器之製 程的立體圖； 圖2 9係顯示接續圖2 8所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖3 0係顯示接續圖2 9所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖3 1係顯示接續圖3 0所示的製程之多層電感器的 立體圖； 一— 圖3 2係顯示接續圖3 1所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖3 3係如第三實施例之多層電感器的立體外部圖； 圖3 4係圖3 3所示之多層電感器的槪要圖； 圖3 5係在其上形成如圖3 3所示的多層電感器之第 一薄膜線圈之層的槪要圖； 圖3 6係圖3 3所示之多層電感器的水平截面圖； 圖3 7係顯示如本發明第四實施例的多層電感器之製 程的立體圖； 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 _B7_ 五、發明說明（V ) 圖3 8係顯示接續圖3 7所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖3 9係顯示接續圖3 8所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖4 0係顯示接續圖3 9所示的製程之多層電感器的 立體圖； 圖4 1係圖4 0所示之多層電感器的槪要圖； 圖4 2係在其上形成如圖4 0所示的多層電感器之第 一薄膜線圏之層的槪要變化圖； 圖4 3係如第四實施例之多層電感器的立體外部圖； 圖4 4係圖4 3所示之多層電感器的槪要圖； 圖4 5係在其上形成如圖4 3所示的多層電感器之第 一薄膜線圏之層的槪要圖； 圖4 6係圖4 3所示之多層電感器的水平截面圖； 圖4 7係如本發明另一種實施例之多層電感器的槪要 圖； 圖4 8係如本發明另一種實施例之多層電感器的槪要 圖； 圖4 9 A至4 9 B係線圈形凹槽與分隔凹槽之間的連 接方法之槪要圖； 圖5 0係如本發明另一種實施例之多層電感器的立體 圖； 圖51係如本發明另一種實施例之多層電感器的槪要 圖。 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I I I--· I I — III— ^ · I I--I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 _B7__ 五、發明說明（' ) •元件符號說明 A、B、C、D · · ·側面 E、F · · ·端面 κ 1、K 2、K 3、K 4 · · •箭號 Κ1〇、Κ11、Κ12、Κ13、Κ14· · ·箭 號 L1>L2'L3'L4'L5'L6'L7^L8 • ••長度 R 1、R 2 · · ·區域 11···捲繞磁芯構件 1 1 a · · ·凸緣 11b···凸緣 11c···線圈繞線部份 12···薄膜導體 13···分隔凹槽 — 13a、13b···末端 1 3 c · · ·軸向分隔凹槽 1 3 d · · ·繞線分隔凹槽 1 3 e · · ·拐角 14···分隔凹槽 14a、14b···末端 14c···軸向分隔凹槽 1 4 d · · ·繞線分隔凹槽 1 4 e · · ·拐角 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -------訂---------線， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 _B7_ 五、發明說明（$ ) 17···螺旋凹槽 18···螺旋凹槽 2 2 · · ·第一薄ϋ線圈" 2 2 a · · ·起始端 2 2 b · · ·結束端 2 3 · · ·第二薄膜線圈 2 7 · · ·絕緣層 2 8 · · ·連接開口 2 9 · · ·連接開口 3 1 · · ·斜面 3 2 · · ·薄膜導體 3 3 · · ·分隔凹槽 3 3 a、3 3 b · · ·末端 3 3 c · · ·軸向分隔凹槽 3 3 d · · ·繞線分隔凹糟 3 3 e · · ·拐角 3 4 · · ·分隔凹槽 3 4 a、3 4 b · · ·末端 3 4 c · · ·軸向分隔凹槽 3 4 d · · ·繞線分隔凹槽 3 4 e · · ·拐角 4 0 · · ·多層電感器 4 1 a、4 1 b · · ·端點電極 4 2 a、4 2 b · · ·端點電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂------- 線爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 ______ B7 _ 五、發明說明（' ) 4 5 · · ·絕緣護罩層 5 3 · · ·凹槽 5 4 · · ·凹槽· 6 7 · · ·凹形辨識部份 較佳實施例之詳細說明 參考附圖，在下文中將配合其製造步驟說明一種如本 發明之多層電感器的實施例。 (第一實施例，圖1至1 5D) 如圖1所示，一種滾筒形捲繞磁芯構件1 1係由具有 正方形橫截面的線圏繞線部份11c以及在該線圏繞線部 份1 1 c兩端的凸緣1 1 a及1 1 b所形成。在該圖中， 圖號A、B、C及D係表示該磁芯構件1 1不對稱之四側 面，而圖號E及F係表示其兩端面。該捲繞磁芯構件1 1 係由例如鐵氧體之磁性材料例如氧化鋁之非磁性材料以 及樹脂材料所製成。如圖2所示，在該捲繞磁芯構件1 1 之表面上如所需塗層絕緣膜後，藉由電鍍、濺鍍等方法在 該捲繞磁芯構件1 1之整個表面上形成薄膜導體1 2。該 薄膜導體1 2係由銅、鎳、銀、銀鈀合金等所製成。 接著，將捲繞磁芯構件1 1插入雷射製造設備機軸之 夾具（未顯示出）上。在旋轉該機軸且以預設方向移動該 捲繞磁芯構件1 1的同時，該捲繞磁芯構件1 1係由圖3 箭號K 1及K 2所示之路徑程序以雷射光束照射之。藉此 移除該薄膜導體1 2之被照射部份，以形成分隔凹槽1 3 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線. 490689 A7 ___ B7__ 五、發明說明（、◦) 及1 4。 如圖2及圖3所示，從在捲繞磁芯構件1 1之側面A 上的線圏繞線部份1 ί c之一末端起，該分隔凹槽1 3延 伸通過斜面3 1及凸緣1 1 a以抵達捲繞磁芯構件1 1之 端面F，再者，其環繞端面F以透過在捲繞磁芯構件1 1 之側面C上之凸緣1 1 a及其上之斜面3 1抵達線圈繞線 部份1 1 c之一末端。同樣地，從在捲繞磁芯構件1 1之 側面C上的線圈繞線部份1 1 c另一末端起，分隔凹槽1 4延伸通過斜面31及凸緣11b以抵達捲繞磁芯構件1 1之另一端面E，再者，其環繞通過端面E以經過在側面 A上之凸緣1 1 a及斜面3 1抵達線圈繞線部份1 1 c之 另一末端。此外，圖3係圖2之槪要圖，且凸緣1 1 a及 1 1 b之不對稱性並未顯示，故凸緣係描繪在線圏繞線部 份1 1 c之同一平面上。 接著，如圖4所示，詨捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 時以箭號K 3的方向旋轉。藉此移除薄膜導體1 2被雷射 光束照射之部份，以形成用於形成線圏之螺旋凹槽1 7。 藉此形成螺旋圍繞著線圈繞線部份11c之外部周圍表面 的第一薄膜線圈2 2。 如圖5所示，從位在捲繞磁芯構件1 1之側面A上作 爲起始端的分隔凹槽1 3之一末端1 3 a起，線圈形凹槽 1 7係延伸通過分隔凹槽1 3之另一末端1 3 b以及分隔 凹槽1 4之一末端1 4 b，以抵達位在捲繞磁芯構件ί ί 12 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） " -------------------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 _B7_ 五、發明說明（U ) 之側面C上作爲結束端的分隔凹槽1 4之另一末端1 4 a 。因此，線圏形凹槽1 7之起始端1 3 a及結束端1 4 a 係相對著捲繞磁芯構件1 1而彳皮此偏移1 8 0 ° 。此外， 該起始及結束端1 3 a及1 4 a之位置可藉由分隔凹槽1 3及1 4等位置所限制；只要起始及結束端1 3 a及1 4 a分別位在側面A及C上，該起始及結束端1 3 a及1 4 a無需彼此偏移1 8 0 ° 。 在捲繞磁芯構件11之側面C上的分隔凹槽13之長 度L 2係比在側面A上的長度L 1長半個線圈形凹槽1 7 之螺距。同樣地，在捲繞磁芯構件1 1之側面A上的分隔 凹槽1 4之長度L 3係比在側面C上的長度L 4長半個線 圏形凹槽1 7之螺距。藉此，分隔凹槽1 3及1 4之末端 13a、13b、14a及14b係與線圈形凹槽1 7穩 固地相交。藉此，薄膜導體1 2係分隔成由分隔凹槽1 3 及線圏形凹槽1 7之起始端側環繞的區域r 1 (圖5之斜 線區域），由分隔凹槽1 4及線圈形凹槽1 7之結束端俱[J 環繞的區域R2 (圖5之斜線區域），以及薄膜線圈2 2 之區域。該區域R 1及R 2以及薄膜線圏之2 2區域彼此 係電性絕緣的。 接著，如圖6及圖7所示（圖7係圖6之槪要圖）， 一絕緣層2 7係形成在具有分隔凹槽1 3及丨4及線圏形 凹槽1 7形成於其上的薄膜導體χ 2上。該絕緣層2 7係 具有連接開口 2 8及2 9，其係分別位在捲繞磁芯構件1 1之側面D之兩端。在連接開口 2 8中係暴露出該薄膜線 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------1--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 _；______Β7__ 五、發明說明（/) 圈之起始端2 2 a，而薄膜線圈之結束端2 2 b係暴露在 連接開口 2 9中。此外，除了一條直線之外，個別之連接 開口 2 8及2 9之形狀可能係複數條直線、一種斑點、或 一種波浪線，以確保對端點電極4 1 a及4 1 b (將在下 文中說明）之電性連接。 接著，如圖8所示，藉由電鍍、濺鍍等方法在捲繞磁 芯構件1 1之整個表面上形成薄膜導體3 2。同時，薄膜 導體3 2亦塡充在開口部份2 8及2 9內。接著，以雷射 光束照射該捲繞磁芯構件1 1以形成分隔凹槽3 3及3 4 。如圖8及圖9所示，從在捲繞磁芯構件1 1之側面A上 的線圈繞線部份1 1 c之一末端起，分隔凹槽3 3延伸通 過斜面3 1及凸緣1 1 a以抵達該捲繞磁芯構件1 1之端 面F，再者，其環繞通過端面F以經過在該捲繞磁芯構件 1 1之側面C上之凸緣1 1 a及其上之斜面3 1而抵達線 圏繞線部份1 1 c之一末端a同樣地，從在捲繞磁芯構件 1 1之側面C上的線圏繞線部份1 1 c另一末端起，分隔 凹槽3 4延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 b以抵達捲繞磁芯 構件1 1之另一端面E，再者，其環繞通過端面E以透過 在側面A上之凸緣1 1 a及斜面3 1抵達線圏繞線部份1 1 c之另一末端。 同樣地，如在圖9中所示，在捲繞磁芯構件1 1之側 面A上的分隔凹槽3 3之一長度L 5係比在側面C上的長 度L 6長半個線圈形凹槽1 8 (將在下文中說明）之螺距 。同樣地，在捲繞磁芯構件1 1之側面C上的分隔凹槽3 14 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 __—____B7___ 五、發明說明（νη) • 4之長度L 8係比在側面Α上的長度L 7長半個線圈形凹 槽1 8之螺距。藉此，分隔凹槽3 3及3 4之末端3 3 a 、33b、34a及34 b係與線圈形凹槽1 8穩固地相 交。 接著，如圖1 0所示，捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 時以箭號K 4之方向旋轉。藉此移除薄膜導體3 2被雷射 光束照射之部份，以形成用於形成線圏之螺旋凹槽1 8。 藉此形成螺旋圍繞著線圈繞線部份11c之外圍表面的第 二薄膜線圏2 3。 如圖1 1所示，從位在捲繞磁芯構件1 1之側面C上 作爲起始端的分隔凹槽3 3之一末端3 3 b起，線圈形凹 槽1 8係延伸通過分隔凹槽3 3之另一末端3 3 a以及分 隔凹槽3 4之一末端3 4 a，以抵達位在捲繞磁芯構件1 1之側面A上作爲結束端的_分隔凹槽3 4之另一末端3 4 b。亦即，線圏形凹槽1 8之起始端3 3 b與結束端3 4 a係相對著捲繞磁芯構件11之軸而彼此偏移180° 。 藉此，該薄膜導體3 2係分隔成由分隔凹槽3 3及線 圈形凹槽1 8之起始端側環繞的區域R 3 (圖1 1之斜線 區域），由分隔凹槽34及線圏形凹槽18之結束端側環 繞的區域R4 (圖1 1之斜線區域），以及薄膜線圈2 3 之區域。該區域R 3及R4以及薄膜線圈2 3之區域彼此 係電性絕緣的。該區域R 3及R 4係分別經過連接開口 2 8及2 9電性連接至第一薄膜線圏2 2之起始及結束端2 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------線赢 490689 A7 ------B7____ 五、發明說明（以） 2 a及2 2 b。亦即，該區域R 3及R 4係將成爲第一薄 膜線圈2 2之端點電極4 1 a及4 1 b，而第二薄膜線圈 2 3之起始及結束端係將成爲該薄膜線圈2 3之端點電極 4 2 a 及4 2 b。 接著，在其上除了凸緣1 1 a及1 1 b外依所需形成 一絕緣護罩層4 5以保護薄膜線圈2 2及2 3。同時，護 罩層4 5之配置係與凸緣1 1 a及1 1 b在同一平面或較 低，以幫助多層電感器4 0在電路基板之表面封裝操作等 。再者，端點電極4 1 a至4 2 b係以錫電鍍或鎳銅錫電 鍍，藉此改善焊接性能等。 在依上述方法形成之多層電感器4 0中，如圖1 2所 示，以絕緣層2 7插入在其之間的薄膜線圈2 2及2 3係 置於捲繞磁芯構件1 1之線圏繞線部份1 1 c上。在相對 於捲繞磁芯構件1 1之凸緣1 1 a及1 1 b的位置上，該 兩端點電極4 1 a及4 1 係分別形成在由分隔凹槽3 3 及3 4定義之位置內。第一薄膜線圈2 2之起始端2 2 a 係經過連接開口 2 8電性連接至端點電極4 1 a，而第一 薄膜線圈2 2之結束端2 2 b係經過連接開口2 9電性連 接至端點電極4 l b。 同樣地，在相對於捲繞磁芯構件1 1之凸緣1 1 a及 1 1 b的位置上，電性連接至第二薄膜線圈2 3之兩端點 電極4 2 a及4 2 b係分別形成在由分隔凹槽3 3及3 4 定義之位置內。圖1 3係多層電感器4 0之電性等效電路 圖。薄膜線圈2 2及2 3彼此係以磁性連接，以形成功能 16 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐) <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---丨丨丨丨丨訂---------線赢 490689 A7 -- - B7_____ 五、發明說明（/ ) 上作爲抗流線圏等等的多層電感器40。 因爲用於形成分隔凹槽1 3、1 4、3 3及3 4以及 用於形成線圏形凹槽Γ7及10的一連串製程係相當複雜 ’故最好事先在捲繞磁芯構件1 1其中一端面或其中一側 面上形成一凹形辨識部份6 7,如圖14Α至14D或圖 1 5 Α至1 5 D所示。當辨識部份6 7形成在捲繞磁芯構 件1 1之端面時，其係放置在四個側面任何其中之一附近 ’以放置成偏離端面之中心。當辨識部份6 7形成在捲繞 磁芯構件1 1之側面時，其係放置在側面之端點部份。藉 此，辨識部份6 7可辨識該捲繞磁芯構件1 1之方向且同 時辨識該捲繞磁芯構件1 1之四個側面A至D。因此，藉 由確認配合辨識部份6 7的方向及捲繞磁芯構件1 1之側 面，可準確地實施分隔凹槽1 3及1 4以及其後之製程。 此外，該辨識部份6 7之外形係隨意地；其可能係凸形。 在該多層電感器4 0中…該兩個薄膜線圏2 2及2 3 係置於捲繞磁芯構件11之線圏繞線部份11c上並以絕 緣層2 7插入於其中，故當與兩個薄膜線圈在捲繞磁芯構 件之方向橫列放置的電感器相比較時，可減小該捲繞磁芯 構件1 1之長度並增加該薄膜線圈2 2及2 3之圈數。藉 此，可獲得小尺寸且具有高電感値的多層電感器4 0。 再者，該兩個薄膜線圏2 2及2 3係對著捲繞磁芯_ 件1 1共軸地放置並以絕緣層2 7插入於其中’故該薄膜 線圈2 2及2 3之間之分佈電容係在該薄膜線圈2 2及2 3之整個部份均勻地產生，藉此獲得一種分佈常數式多層 17 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·丨 I ----丨訂 -- ------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 ____B7_ 五、發明說明（+ ) 電感器40。藉由選擇該薄膜線圏22及23之間的絕緣 層2 7之材料，可獲得不同之分佈電容，故可獲得一種具 有不同分佈常數之多®電感器4 0。 再者，因線圈形凹槽1 7及1 8個別之起始端及結束 端係在對著捲繞磁芯構件11之軸的繞線方向上彼此偏移 18 0° ，故欲分別連接至一對薄膜線圏2 2及2 3之兩 端點上各點的端點電極4 1 a及4 1 b以及端點電極4 2 a及4 2 b係分別形成在捲繞磁芯構件1 1之兩端的彼此 相對位置上。藉此，端點電極4 1 a至4 2 b可具有相同 之形狀及相同之面積，並可輕易地辨識出該端點電極4 1 a至4 2 b以及該薄膜線圏2 2及2 3之間的對應關係。 (第二實施例，圖1 6至2 7) 在第二實施例中係說明一種多層電感器，其中，分隔 凹槽從捲繞磁芯構件之端面朝著其表面外部周圍捲繞。止t 外，在顯示第二實施例之給構的圖1 6至2 7中，與在上 述第一實施例之圖1至1 5 D對應之類似部份係指定爲_ 似之參考圖號，並省略其多餘之說明。 如圖1 6所示，滾筒形捲繞磁芯構件1 1係由具有；^ 方形橫截面的線圏繞線部份11c以及在該線圏繞線部份 1 1 c兩端的凸緣1 1 a及1 1 b所形成。在該捲繞磁芯 構件1 1之表面上如所需塗層絕緣膜後，如圖1 7所示， 藉由電鍍、濺鍍等方法在該捲繞磁芯構件1 1之整個袠^ 上形成薄膜導體1 2。該薄膜導體1 2係由銅、鎳、銀、 銀鈀合金等所製成。 18 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 --訂---------線一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 ___B7___ 五、發明說明（八） 接著，將捲繞磁芯構件1 1插入雷射製造設備機軸之 夾具（未顯示出）上。在旋轉該機軸且以預設方向移動該 捲繞磁芯構件11的同時，該捲繞磁芯構件11係由圖1 8箭號K 1及K 2所示之路徑程序以雷射光束照射之。藉 此移除該薄膜導體1 2之被照射部份，以形成分隔凹槽1 3 及 1 4。 如圖1 7及圖1 8所示，從在捲繞磁芯構件1 1之側 面A上的線圈繞線部份1 1 c其中一端的中心起，分隔凹 槽1 3延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 a以抵達捲繞磁芯構 件1 1之端面F，再者，其環繞端面F以透過在捲繞磁芯 構件1 1之側面C上之凸緣1 1 a及其上之斜面3 1抵達 線圏繞線部份1 1 c之一末端。此部份之分隔凹槽1 3將 在下文中稱之爲軸向分隔凹槽1 3 c。再者，分隔凹槽1 3在其外圍之方向上形成半圏線圈繞線部份1 1 c，亦即 ，其從側面C環繞側面B鞮由朝側面A延伸以抵達該起始 位置。此部份之分隔凹槽1 3將在下文中稱之爲繞線分隔 凹槽1 3 d。該分隔凹槽1 3係一種以此方式通過捲繞磁 芯構件1 1之端面F以及側面A、B及C的繞線凹槽。 同樣地，從在捲繞磁芯構件1 1之側面A上的線圈繞 線部份1 1 c另一端的中心起，分隔凹槽1 4延伸通過斜 面3 1及凸緣1 1 b以抵達捲繞磁芯構件1 1之另一端面 E，再者，其環繞端面E以經過凸緣1 1 b及斜面3 1抵 達線圈繞線部份1 1 c之另一末端。此部份之分隔凹槽1 4將在下文中稱之爲軸向分隔凹槽1 4 c。再者，分隔凹 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) " ' --------------------^---------^ ^w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 ______B7 ___ 五、發明說明（\$ ) 槽1 4在其外圍之方向上形成半圈線圈繞線部份1 1 C， 亦即，其從側面C環繞側面B藉由朝側面A延伸以抵達該 起始位置。此部份之分隔凹槽ί 4將在下文中稱之爲繞線 分隔凹槽1 4 d。該分隔凹槽1 4係一種以此方式通過捲 繞磁芯構件1 1之端面E以及側面A、B及C的繞線凹槽 。此外，圖1 8係圖1 7之槪要圖，且凸緣1 1 a及1 1 b之不對稱性並未顯示，故凸緣係描繪在線圈繞線部份1 1 c之同一平面上。 接著，如圖1 9所示，捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 時以箭號K 3之方向旋轉。藉此移除薄膜導體1 2被雷射 光束照射之部份，以形成螺旋線圈形凹槽1 7。藉此形成 螺旋圍繞著線圏繞線部份11c之外部周圍表面的第一薄 膜線圈2 2。 如圖2 0所示，從位在捲繞磁芯構件1 1之側面A上 作爲起始端的分隔凹槽1 3之一拐角1 3 e起，線圈形凹 槽17係抵達位在捲繞磁芯構件11之側面C上作爲結束 端的分隔凹槽1 4之拐角1 4 e。因此，線圏形凹槽1 7 之起始端1 3 e及結束端1 4 e係相對著捲繞磁芯構件1 1之軸而彼此偏移1 8 0 ° 。此外，該起始及結束端1 3 e及1 4 e之位置可藉由分隔凹槽1 3及1 4等位置所限 制；只要起始及結束端1 3 e及1 4 e分別位在側面A及 C上，該起始及結束端1 3 e及1 4 e無需彼此偏移1 8 0。。 20 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐) 一 -------------^-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 __________B7____ 五、發明說明（4 ) 藉此，薄膜導體1 2係分隔成由分隔凹槽1 3環繞的 區域R1 (圖2 0之斜線區域），由分隔凹槽14環繞的 區域R 2 (圖2 0之斜線區域I，以及薄膜線圈2 2之區 域。該區域R 1及R 2以及薄膜線圈2 2之區域彼此係電 性絕緣的。 接著’如圖2 1及圖22所示（圖2 2係圖2 1之槪 要變化圖），絕緣層2 7係形成在具有分隔凹槽1 3及1 4以及線圈形凹槽1 7形成於其上的薄膜導體1 2上。該 絕緣層2 7係具有連接開口 2 8及2 9，其係分別位在捲 繞磁芯構件1 1之側面D之兩端。在連接開口2 8中，係 暴露出該薄膜線圈之起始端2 2 a，而薄膜線圈之結束端 2 2 b係暴露在連接開口 2 9中。此外，除了一條直線之 外，個別之連接開口 2 8及2 9之形狀可能係複數條直線 、一種斑點、或一種波浪線，以確保對端點電極4 1 a及 4 1 b (將在下文中說明）之J電性連接。 接著，如圖2 3所示，藉由電鍍、濺鍍等方法在捲繞 磁芯構件1 1之整個表面上形成薄膜導體3 2。同時，薄 膜導體3 2亦塡充在開口部份2 8及2 9內。接著，以雷 射光束照射捲繞磁芯構件1 1以形成分隔凹槽3 3及3 4 。如圖2 3及圖2 4所示，從在捲繞磁芯構件1 1之側面 A上的線圈繞線部份1 1 c之一末端的中心起，分隔凹槽 3 3延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 a以抵達捲繞磁芯構件 1 1之末端。此部份之分隔凹槽3 3將在下文中稱之爲軸 向分隔凹槽3 3 c。再者，分隔凹槽3 3在其外圍之方向 21 ΐ紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------' 490689 A7 _______B7_ 一 五、發明說明（/ ) 上形成半圏線圈繞線部份1 1 c，亦即，其從側面C環繞 側面D藉由朝側面A延伸以抵達該起始位置。該分隔凹槽 3 3係一種以此方式逋過捲繞磁芯構件1 1之端面F以及 側面A、C及D的繞線凹槽。 同樣地，從在捲繞磁芯構件1 1之側面A上的線圈繞 線部份1 1 c另一端的中心起，分隔凹槽3 4延伸通過斜 面3 1及凸緣1 1 b以抵達捲繞磁芯構件1 1之另一端面 E，再者，其環繞端面E以經過在側面C上的凸緣1 1 b 及斜面3 1抵達線圈繞線部份1 1 c之另一末端。此部份 之分隔凹槽3 4將在下文中稱之爲軸向分隔凹槽3 4 c。 再者，分隔凹槽3 4在其外圍之方向上形成半圈線圈繞線 部份1 1 c，亦即，其從側面c環繞側面D藉由朝側面A 延伸以抵達該起始位置。此部份之分隔凹槽3 4將在下文 中稱之爲繞線分隔凹槽3 4 d。該分隔凹槽3 4係一種以 此方式通過捲繞磁芯構件l_t之端面E以及側面A、C及 D的繞線凹槽。 接著，如圖2 5所示，捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 時以箭號K 4之方向旋轉。藉此移除薄膜導體3 2被雷射 光束照射之部份，以形成螺旋線圈形凹槽1 8。藉此形成 螺旋圍繞著線圈繞線部份11c之外部周圍表面的第二薄 膜線圈2 3。 如圖2 6所示，從位在捲繞磁芯構件1 1之側面A上 作爲起始端的分隔凹槽3 3之拐角3 3 e起，線圈形凹槽 22 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐) " ~ --------------— III--訂 ------I--Aw (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 p-— —____B7___ 五、發明說明（) 1 8係抵達位在捲繞磁芯構件丨丨之側面C上作爲結束端 的分隔凹槽3 4之拐角3 4 e。亦即，線圏形凹槽1 8之 起始及結束端3 3 e芨3 4 e係相對著捲繞磁芯構件1 1 之軸而彼此偏移1 8 0 ° 。此外，線圈形凹槽1 8之起始 端3 3 e以及線圏形凹槽1 7之起始端1 3 e係位在磁芯 構件11之同一平面（側面A)上。 藉此，薄膜導體3 2係分隔成由分隔凹槽3 3環繞的 一區域R3 (圖2 6之斜線區域），由分隔凹槽3 4環繞 的區域R4 (圖26之斜線區域），以及薄膜線圈23之 區域。該區域R 3及R 4以及薄膜線圈2 3之區域彼此係 電性絕緣的。該區域R 3及R 4係分別經過連接開口 2 8 及2 9電性連接至第一薄膜線圈2 2之起始及結束端2 2 a及2 2 b。亦即，該區域R 3及R 4係第一薄膜線圏2 2之端點電極4 1 a及4 1 b，而第二薄膜線圈2 3之起 始及結束端係薄膜線圈2 3之端點電極4 2 a及4 2 b。 接著，在其上除了凸緣1 1 a及1 1 b外依所需形成 絕緣護罩層4 5以保護薄膜線圈2 2及2 3。再者，端點 電極4 1 a至4 2 b係以錫電鍍或鎳銅錫電鍍，藉此改善 焊接性能等。 在如上述形成之多層電感器4 0中，如圖2 7所示， 以絕緣層2 7插入在其之間的薄膜線圈2 2及2 3係置於 捲繞磁芯構件1 1之線圏繞線部份1 1 c上。在相對於捲 繞磁芯構件1 1之凸緣1 1 a及1 1 b的位置上，該兩端 點電極4 1 a及4 1 b係分別形成在由分隔凹槽3 3及3 23 . I-------- — 111---^ . I------I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 ______B7_______ 五、發明說明（夕） 4定義之位置內。第一薄膜線圏2 2之起始端2 2 a係透 過連接開口 2 8電性連接至端點電極4 1 a，而第一薄膜 線圈2 2之結束端2 2 b係透過連接開口 2 9電性連接至 端點電極4 1 b。同樣地，在相對於捲繞磁芯構件1 1之 凸緣1 1 a及1 1 b的位置上，電性連接至第二薄膜線圈 2 3之兩端點電極4 2 a及4 2 b係分別形成在由分隔凹 槽3 3及3 4定義之位置內。因此，如第二實施例之多層 電感器4 0係具有如第一實施例的相同之優點。 (第三實施例，圖2 8至3 6 ) 在第三實施例中，在第二實施例中的軸向分隔凹槽1 3 c及3 3 c係同時形成，而軸向分隔凹槽1 4 c及3 4 c係同時形成。此外，在顯示第三實施例之結構的圖2 8 至3 6中，與在上述第二實施例之圖1 6至2 7對應之類 似部份係指疋爲類似之參考圖號，並省略其多餘之說明。 如圖2 8所示，藉由電鍍等方法在該捲繞磁芯構件1 1之整個表面上形成薄膜導體1 2。接著，捲繞磁芯構件 1 1之線圈繞線部份1 1 c之雨端係以雷射光束照射之。 藉此移除該薄膜導體1 2之被照射部份，以僅僅形成分隔 凹槽1 3及1 4之繞線分隔凹槽1 3 d及1 4 d。亦即， 從線圏繞線部份1 1 c之側面A上其中一端的中心起，繞 線分隔凹槽1 3 d環繞側面B並在其外圍之方向上形成半 圏線圏繞線部份1 1 c以抵達側面C之中心。同樣地，從 線圏繞線部份11c之側面A上另外一端的中心起，繞線 分隔凹槽1 4 d環繞側面B以抵達側面C之中心。 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------^ wew— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 __ _B7_ 五、發明說明（A ) 接著，如圖2 9所示，捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 時以箭號K 3之方向旋轉。藉此移除薄膜導體1 2被雷射 光束照射之部份，以形成螺旋線圏形凹槽1 7。藉此形成 螺旋圍繞著線圏繞線部份11c之外部周圍表面的第一薄 膜線圈2 2。 接著，如圖3 0所示，絕緣層2 7係形成在具有繞線 分隔凹槽1 3 d及1 4 d以及線圈形凹槽1 7形成於其上 的薄膜導體1 2上。該絕緣層2 7係具有連接開口 2 8及 2 9，其係分別位在捲繞磁芯構件1 1之側面D之兩端。 在連接開口 2 8中，係暴露出該薄膜線圈之起始端2 2 a ，而薄膜線圏之結束端2 2 b係暴露在連接開口 2 9中。 接著，如圖3 1所示，藉由電鍍等方法在捲繞磁芯構 件1 1之整個表面上形成薄膜導體3 2。同時，薄膜導體 3 2亦塡充在開口部份2 8-及2 9內。接著，以雷射光束 照射捲繞磁芯構件1 1以僅僅形成分隔凹槽3 3及3 4之 繞線分隔凹槽3 3 d及3 4 d。亦即，從線圈繞線部份1 1 c之側面A上其中一端的中心起，繞線分隔凹槽3 3 d 環繞側面D並在其外圍之方向上形成半圏線圏繞線部份1 1 c以抵達側面C之中心。同樣地，從線圈繞線部份1 1 c之側面A上另外一端的中心起，繞線分隔凹槽3 4 d環 繞側面D以抵達側面C之中心。 接著，如圖3 2所示，捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — — — — — — — · 11 111111 一 490689 A7 _______B7 _________ 五、發明說明（八） 時以箭號K4之方向旋轉。藉此移除薄膜導體32被雷射 光束照射之部份，以形成螺旋線圏形凹槽1 8。藉此形成 螺旋圍繞著線圏繞線部份1 1 ·〇之外部周圍表面的第二薄 膜線圈2 3。 接著，如圖3 3所示，該捲繞磁芯構件1 1係以下列 路徑之程序以雷射光束照射之。亦即，從位在捲繞磁芯構 件1 1之側面A上作爲起始_的繞線分隔凹槽3 3 d之 末端起，雷射光束係延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 a以抵 達捲繞磁芯構件1 1之端面F，再者，其環繞端面F以經 過在捲繞磁芯構件1 1之側面C上之凸緣1 1 a及其上之 斜面3 1抵達繞線分隔凹槽3 3 d之另一端，以藉由以該 雷射光束照射捲繞磁芯構件1 1而形成分隔凹槽3 3之軸 向分隔凹槽3 3 c。在此同時，藉由調整雷射光束之強度 及照射時間以增加處理深度，能以該雷射光束同時移除絕 緣層2 7及薄膜導體1 2。-藉此，如圖3 4及3 5所示， 分隔凹槽1 3之軸向分隔凹槽1 3 c亦與分隔凹槽3 3之 軸向分隔凹槽3 3 c同時形成。圖3 4係圖3 3所示之多 層電感器的槪要圖，而圖3 5係在其上形成多層電感器之 第一薄膜線圈2 2之層的槪要圖。 同樣地，如圖3 3所示，從位在捲繞磁芯構件1 1之 側面A上作爲起始端的繞線分隔凹槽3 4 d之—末端起， 雷射光束係延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 b以抵達捲繞石兹 心構件1 1之另一纟而面E ’再者’其環繞端面£以經過在 捲繞磁芯構件1 1之側面C上之凸緣1 1 b及其上之斜面 26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
I 1 I I 1 I *111 — I — II 490689 A7 ____B7__ 五、發明說明（Z) 3 1抵達繞線分隔凹槽3 4 d之另一端，以藉由該雷射光 束照射捲繞磁芯構件1 1而形成分隔凹槽3 4之軸向分隔 凹槽3 4 c。在此同時，亦以該雷射光束移除絕緣層2 7 及薄膜導體1 2。藉此，如圖3 4及3 5所示，分隔凹槽 1 4之軸向分隔凹槽1 4 c亦與分隔凹槽3 4之軸向分隔 凹槽3 4 c同時形成。 藉此，薄膜導體3 2係分隔成由分隔凹槽3 3環繞的 區域R3 (圖3 4之斜線區域），由分隔凹槽3 4環繞的 區域R4 (圖3 4之斜線區域），以及薄膜線圏2 3之區 域。該區域R 3及R 4以及薄膜線圏2 3之區域彼此係電 性絕緣的。同樣地，薄膜導體1 2係分隔成由分隔凹槽1 3環繞的區域R1(圖35之斜線區域），由分隔凹槽1 4環繞的區域R2(圖35之斜線區域），以及薄膜線圈 2 2之區域。該區域R 1及R 2以及薄膜線圏2 2之區域 彼此係電性絕緣的。如圖3-4所示，該區域R 3及R 4係 分別經過連接開口 2 8及2 9電性連接至第一薄膜線圏2 2之起始及結束端2 2 a及2 2 b。亦即，該區域R 3及 R4係將成爲第一薄膜線圏2 2之端點電極4 1 a及4 1 b，而第二薄膜線圏2 3之起始及結束端係將成爲薄膜線 圏2 3之端點電極42a及42b。圖36係圖3 3所示 之多層電感器4 0的水平截面圖。 在如上述形成之多層電感器4 0中，軸向分隔凹槽1 3 c及3 3 c係同時形成，而軸向分隔凹槽1 4 c及3 4 c係同時形成，故可減少製程數目，藉此減低製造成本， 27 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 ___ _B7 ____ 五、發明說明（Α) •已獲得便宜之多層電感器4 0。 (第四實施例，圖3 7至4 6 ) 在第四實施例中「在第二實施例中的軸向分隔凹槽1 3 c及3 3 c係同時形成，且同時形成軸向分隔凹槽1 4 c及3 4 c，再者，亦同時形成線圈形凹槽1 7及1 8。 此外，在顯示第四實施例之結構的圖3 7至4 6中，與 在上述第二實施例之圖1 6至2 7對應之類似部份係指定 爲類似之參考圖號，並省略其多餘之說明。 如圖3 7所示，藉由電鍍等方法在該捲繞磁芯構件1 1之整個表面上形成薄膜導體1 2。接著，捲繞磁芯構件 1 1之線圏繞線部份1 1 c之兩端係以雷射光束照射之。 藉此移除該薄膜導體1 2之被照射部份，以僅僅形成分隔 凹槽1 3及1 4之繞線分隔凹槽1 3 d及1 4 d。亦即， 從線圈繞線部份1 1 c之側面A上其中一端的中心起，繞 線分隔凹槽1 3 d環繞側面:&並在其外圍之方向上形成半 圏線圈繞線部份1 1 c以抵達側面C之中心。同樣地，從 線圈繞線部份1 1 c之側面A上另外一端的中心起，繞線 分隔凹槽1 4 d環繞側面B以抵達側面C之中心。 接著，如圖3 8所示，絕緣層2 7係形成在具有繞線 分隔凹槽1 3 d及1 4 d形成於其上的薄膜導體1 2上。 該絕緣層2 7係具有連接開口 2 8及2 9，其係分別位在 捲繞磁芯構件1 1之側面D之兩端。在連接開口 2 8中， 係暴露將在下文說明的薄膜線圏2 2之起始端2 2 a，而 薄膜線圈2 2之結束端2 2 b係暴露在連接開口 2 9中。 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 ______B7___ 五、發明說明（/\ ) 接著，如圖3 9所示’藉由電鍍等方法在捲繞磁芯構 件1 1之整個表面上形成薄膜導體3 2。同時，薄膜導體 3 2亦塡充在開口部份2 8及2 9內。接著，以雷射光束 照射捲繞fe芯構件1 1以僅僅形成分隔凹槽3 3及3 4之 繞線分隔凹槽3 3 d及3 4 d。亦即，從線圈繞線部份1 1 c之側面A上其中一端的中心起，繞線分隔凹槽3 3 d 環繞側面D並在其外圍之方向上形成半圈線圈繞線部份丄 1 c以抵達側面C之中心。同樣地，從線圈繞線部份工工 c之側面A上另外一^ 5而的中心起，繞線分隔凹槽3 4 d環 繞側面D以抵達側面C之中心。 接著，如圖4 0所示，捲繞磁芯構件1 1係以雷射光 束照射之，並在該捲繞磁芯構件1 1之縱長方向掃描之同 時以箭號K 4之方向旋轉。亦即，從位在捲繞磁芯構件1 1之側面A上作爲起始端的繞線分隔凹槽3 3 d之拐角3 3 e起，雷射光束係延伸抵-達在捲繞磁芯構件1 1之側面 C上作爲結束端的繞線分隔凹槽3 3 d之拐角3 4 e，以 藉由以該雷射光束照射捲繞磁芯構件11而形成線圈形凹 槽1 8。如圖4 1所示，藉此形成螺旋圍繞著線圈繞線部 份1 1 c之外圍表面的第二薄膜線圈2 3。 在此同時，藉由調整雷射光束之強度及照射時間以增 加處理深度，能以該雷射光束同時移除絕緣層2 7及薄膜 導體1 2。因此，如圖4 2所示，形成螺旋線圈形凹槽1 7 ’其係具有在捲繞磁芯構件1 1之側面A上作爲起始端 的繞線分隔凹槽1 3 d之拐角1 3 e以及在捲繞磁芯構件 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---I--------- — III--I ^ 0 I I-----I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 ___B7__ 五、發明說明（ 1 1之側面C上作爲結束端的繞線分隔凹槽1 4 d之拐角 1 4 e。因此，可同時形成螺旋圍繞著線圏繞線部份1 1 c之外圍的薄膜線圈2 2 .，故苛精確地形成彼此平行之琴 膜線圈.2 2及2 3。藉此，薄膜線圈2 2及2 3之間的分 佈電容可製造得更爲均勻。此外，圖4 2係在其上形成靈 一薄膜線圈2 2之層的槪要變化圖。 接著，如圖4 3所示，該捲繞磁芯構件1 1係以下列 路徑之程序以雷射光束照射之。亦即，從位在捲繞磁芯構 件1 1之側面A上作爲起始端的繞線分隔凹槽3 3 d之一 末端起，雷射光束係延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 a以抵 達捲繞磁芯構件1 1之端面F，再者，其環繞端面F以經 過在捲繞磁芯構件11之側面C上之凸緣11a及其上之 斜面3 1抵達繞線分隔凹槽3 3 d之另一端，以藉由以該 雷射光束照射捲繞磁芯構件1 1而形成分隔凹槽3 3之軸 向分隔凹槽3 3 c。在此同-時，藉由調整雷射光束之強度 及照射時間以增加處理深度，能以該雷射光束同時移除絕 緣層2 7及薄膜導體1 2。藉此，如圖4 4及4 5所示， 分隔凹槽1 3之軸向分隔凹槽1 3 c亦與分隔凹槽3 3之 軸向分隔凹槽3 3 c同時形成。圖4 4係圖4 3所示之多 層電感器的槪要圖，而圖4 5係在其上形成多層電感器之 第一薄膜線圈2 2之層的槪要圖。 同樣地，如圖4 3所示，從位在捲繞磁芯構件1 1之 側面A上作爲起始端的繞線分隔凹槽3 4 d之一末端起， 雷射光束係延伸通過斜面3 1及凸緣1 1 b以抵達捲繞磁 30 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 ______________B7____ 五、發明說明（巧） 芯構件1 1之另一端面E，再者，其環繞端面E以經過在 捲繞磁芯構件1 1之側面C上之凸緣1 1 b及其上之斜面 3 1抵達繞線分隔凹槽3 4 d之另一端，以藉由該雷射光 束照射捲繞磁芯構件1 1而形成分隔凹槽3 4之軸向分隔 凹槽3 4 c。在此同時，亦以該雷射光束移除絕緣層2 7 及薄膜導體1 2。藉此，如圖4 4及4 5所示，分隔凹槽 1 4之軸向分隔凹槽1 4 c亦與分隔凹槽3 4之軸向分隔 凹槽3 4 c同時形成。 藉此，薄膜導體3 2係分隔成由分隔凹槽3 3環繞的 區域R 3 (圖4 4之斜線區域），由分隔凹槽3 4環繞的 區域R4 (圖44之斜線區域），以及薄膜線圈23之區 域。該區域R 3及R 4以及薄膜線圏2 3之區域彼此係電 性絕緣的。同樣地，薄膜導體1 2係分隔成由分隔凹槽1 3環繞的區域R1(圖45之斜線區域），由分隔凹槽1 4環繞的區域R 2 (圖4 5-之斜線區域），以及薄膜線圏 2 2之區域。該區域R 1及R 2以及薄膜線圏2 2之區域 彼此係電性絕緣的。如圖4 4所示，該區域R 3及R 4係 分別經過連接開口 2 8及2 9電性連接至第一薄膜線圈2 2之起始及結束端2 2 a及2 2 b。亦即，該區域r 3及 R 4係將成爲第一薄膜線圈2 2之端點電極4 1 a及4 1 b，而第二薄膜線圏2 3之起始及結東端係將成爲該薄膜 線圈2 3之端點電極42a及42b。圖46係圖4 3所 示之多層電感器4 0的水平截面圖。 在如上述形成之多層電感器4 0中，軸向分隔凹槽1 31 ----------f--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 490689 A7 ___B7____ 五、發明說明（） • 3 c及3 3 c係同時形成，而軸向分隔凹槽1 4 c及3 4 c係同時形成，再者，線圏形凹槽1 7及1 8係同時形成 ，故可減少製程數目「藉此減低製造成本，已獲得便宜之 多層電感器4 0。 (其它實施例） 本發明並非限制在上述實施例，且可獲得在本發明之 範圍內的各種變更。舉例而言，可使用具有圓形、三角形 、五邊形或更多邊形截面的圓柱或圓筒形磁芯構件，而非 使用具有上述形狀之磁芯構件。當複數個薄膜線圈係簡單 地疊層時，則無需在第一層上形成薄膜線圏2 2時配置電 性絕緣區域R 1及R 2。然而，在該種情況中，因在第二 層之端點電極4 2 a及4 2 b以及在第一層之薄膜導體1 2之間產生之靜電容量係增加，可施加多餘其所需之靜電 容量，故可減少該多層電感器·4 0之雜訊防護。 而且，在同一層之分隔凹槽及線圈形凹槽可藉由電腦 控制在同一製程內實施。舉例而言，如圖4 7及4 8所示 ，線圈形凹槽18係以Κ10至Κ14安排之順序切割； 在朝捲繞磁芯構件1 1之端面F及Ε前進一次之後，藉由 返回至半途，可同時形成分別位在捲繞磁芯構件1 1之側 面Α及C上之分隔凹槽3 3及3 4的部份。此外，雖然在 圖4 7中整個部份係相對著螺旋之間距傾斜地切割，但在 圖4 8中切割起始部份及切割結束部份係分別相對著捲繞 磁芯構件1 1之端面E及F平行地切割。 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I---------I 1 I I I ^ · I----I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 490689 A7 ____ B7_ 五、發明說明（/ ) 此外，可形成覆蓋薄膜線圈之介電層，該可在該介電 層上形成電容器電極，以形成具有電容器內嵌於其中之電 感器。再者，例如電阻器之電字元件可內嵌於其中；可藉 由插入絕緣層於其中而沉積三個或更多之薄膜線圈。 再者’線圏形凹槽1 7及1 8之起始及結束端無需配 合分隔凹槽1 3、1 4、3 3及3 4之末端；該線圈形凹 槽可與分隔凹槽交叉如圖4 9 A所示。該交叉除了如圖4 9 A所示之截面形狀外亦可能係τ形。如圖4 9 B所示， 亦可延伸線圏形凹槽1 7以連接分隔凹槽1 3。分隔凹槽 1 3、1 4、3 3及3 4之寬度通常係設定成大於線圏形 凹槽1 7及1 8之寬度，以改善絕緣可靠度；該寬度當然 亦可設定成相等於線圈形凹槽17及18之寬度。 在上述第二至第四實施例中，軸向分隔凹槽1 3 c、 14c ' 33c及34c亦可能切割成凹槽5 3及5 4， 其中，捲繞磁芯構件1 1之-兩端係切割出狹縫，如圖5 0 所示。線圈形凹槽1 7及1 8之起始及結束端無需接觸到 分隔凹槽13、14、33及34;舉例而言，如圖5 1 所示，線圈形凹槽1 7之起始及結束端可能與分隔凹槽1 3及1 4分離。其係因區域R 1及R 2以及薄膜線圈2 2 之區域係分隔成分隔區域1 3及1 4，故該兩種區域彼此 係電性絕緣。 在形成分隔凹槽及線圈形凹槽時，在該實施例中係使 用雷射光束；但亦可使用電子束或離子束；亦可使用例如 噴沙或鑽石鋸等機械性切割。在該實施例中’所採用之方 33 -----------0^--------訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 490689 A7 ___B7^_ 五、發明說明（#) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1係在捲繞磁芯構件之整個表面上形成薄膜導體之後，移 除例如分隔凹槽及線圏形凹槽等不必要部份以形成薄膜線 圈；但本發明並非受限於該方法；當然亦可採用一種所謂 的加成法，藉由例如濺鍍、蒸鍍或電鍍等方法以僅在導體 上施加必要之部份以形成薄膜線圏。 34 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）