TW483291B - Circuit board, its producing method, and display apparatus, electronic equipment and liquid crystal device using the circuit board - Google Patents
Circuit board, its producing method, and display apparatus, electronic equipment and liquid crystal device using the circuit board Download PDFInfo
- Publication number
- TW483291B TW483291B TW088121819A TW88121819A TW483291B TW 483291 B TW483291 B TW 483291B TW 088121819 A TW088121819 A TW 088121819A TW 88121819 A TW88121819 A TW 88121819A TW 483291 B TW483291 B TW 483291B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- circuit board
- wiring layer
- wiring
- scope
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0274—Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29199—Material of the matrix
- H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
- H01L2224/29298—Fillers
- H01L2224/29299—Base material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00013—Fully indexed content
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/0665—Epoxy resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/0781—Adhesive characteristics other than chemical being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/1579—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
- H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
- H05K2201/10674—Flip chip
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
- H05K3/323—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives by applying an anisotropic conductive adhesive layer over an array of pads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
483291 A7 B7 五、發明說明(1) 發明所屬之技術領域 本發明係關於被實裝電子零件的電路板及其製造方法 ,以及使用此電路板之顯示裝置及電子機器。 背景技術及發明所欲解決之課題 近年來,由於基板的小型薄型輕量化,對於可折曲構 造的適應以及捆對捆(roll-to-roll)技術實現高生產性等理 由,逐漸使用F P C (可撓印刷電路板:Flexible Printed Cueint)基板上直接實裝I C晶片等電子零件的技術。而 且,這種技術不像T A B (帶式自動化接合:Tape A u t ◦ m a t e d Β ο n d i n g )技術那樣必須要內導線,銅箱可以很 薄,配線的微細間距化也很容易。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第1 0圖,係在F P C基板上實裝電子零件的場合的 從前技術之構造的剖面圖。如此圖所示,I C晶片4 5 0 的輸入電極4 5 0 a與基礎薄膜4 1 0上預先被形成的輸 入配線4 2 0 a係透過在黏著劑4 6 0中分散的導電性粒 子460a來導電接合,同樣的,1C晶片450的輸出 電極4 5 0 b與基礎薄膜4 1 0上預先被形成的輸出配線 4 2 0 b係透過在黏箸用樹脂4 6 0中分散的導電性粒子 4 6 0 a來導電接合。 然而,於FPC基板的基材之基礎薄膜4 10,一般 使用容易讓水分浸透的P I (聚醯亞胺等有機系薄膜的 緣故,從實裝面的相反側(圖中的下側)浸透基礎薄膜 4 1 0而來的溼氣到達I C晶片4 5 0的配線形成面,藉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210>^ 297公釐) -4 - 483291 A7 _ B7 五、發明說明(2 ) • •乂 -· (請先閱讀背面之注意事項再填if本頁) 此降低該I C晶片的可信賴性,或者是由於透過基礎薄膜 4 1 0而來的光線造成光洩漏導致I C晶片的性能降低等 等,具有種種缺點。而此缺點,在基礎薄膜4 1 0越薄的 情形下越爲顯著。 本發明有鑑於上述問題,目的t於提供可以防止被» 裝I C晶片等電子零件的可信賴性或性能降低的電路板及 其製造方法,以及使用此電路板之顯示裝置及電子機器。 供解決課題之手段 •線- (1 )相關於本發明的電路板,具有:具有具絕緣性 及可撓性的基材,及被設於前述基材上的配線層的.配線基 板,及被電氣接續於前述配線層,被實裝於前述配線基板 的電子零件,及在與前述電子零件被實裝的區域於平面圖 至少一部份重疊的區域,從與前述電子零件相反側包覆前 述基材,前述配線層以及前述電子零件是被絕緣的包覆部 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明,從與電子零件的實裝面之相反面,透過 基材浸透來的溼氣可藉由包覆部完全遮斷。亦即,可以減 低配線基板上電子零件被實裝的區域的配線層或電子零件 由於溼氣引起可信賴性或性能降低的可能性。例如,作爲 電子零件將I C晶片等半導體裝置實裝於配線基板的場合 ,其實裝區域內配線基板的配線圖案多半爲狹窄的間距, 容易受到溼氣等影響引起配線基板間的短路或是擬似短路 。於本發明的電路板,可以減低這種問題的產生。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 483291 A7 ________ B7 五、發明說明(3 ) (2 )相關於本發明的電路板,前述包覆部,係虛設 配線層。 根據本發明,可以藉與形成配線層同樣的設備形成包 覆層。 3 )相關於本發明的電路板,前述包覆部,係樹脂 層 (4 )相關於本發明的電路板,前述包覆部,係具有 遮光性。 ..根據本發明,從與電子零件實裝面相反之面,透過基 材的光,完全被包覆部遮斷。亦即,被實裝於配線基板的 電子零件,由於光洩漏引起性能降低的情形可以減低。 (5 )相關於本發明的電路板,進而具有把前述電子 零件與前述配線層電氣接續的部份藉由樹脂密封之樹脂密 封部。 根據本發明,因爲電子零件與配線層導電接續的部份 藉由樹脂密封·部密封的緣故,電子零件與配線層之導電接 續部受到溼氣影響而降低可信賴性的可能性會降低。 (6 )相關於本發明的電路板,於前述(1 )至(4 )之任一,進而具有φ介於前述電子零件與前述配線層之 間’電氣接續前述電子零件與前述配線層的向異性導電膜 〇 如此般藉由向異性導電膜接合電子零件與配線基板的 話,可以將TAB (帶式自動化接合)實裝之接合工程與 模鑄工程,結合爲1個工程,具有可以縮短製造工程的優 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 背 面 之 注 意 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6- 483291 A7 B7 五、發明說明(4) .·> - 點。 (7 )相關於本發明的電路板,前述基材與前述配線 層,是不中介著黏著層而直接接合的。 如此不透過黏著層,而在基材形成直接配線層的話, 可以謀求減少黏著劑導致的電流洩漏、或防止黏著劑的膨 潤、提高配線基板的可撓性。 (8)相關於本發明的電路板,係於前述(1 )至( 7 )之任一,前述基材具有複數層,前述包覆部,係被設 於前述複數層之層間。 此電路板,係基材由複數之層所構成的多層板,包覆 部設於這些基材的層間。於複數層之間形成包覆部.的話, 容易使包覆部的面積與電子零件的接合面積相同,或者形 成爲更寬廣,因此可以減低由包覆部外側侵入溼氣或光的 可能性。 (9 )相關於本發明的顯示裝置,其特徵爲具有:前 述任一之電路_板,及具備前述電路板被電氣接續的接續端 子之平面面板。 (1 0 )相關於本發明的顯示裝置,前述平面面板, 係具有相對方向的一對基板,及被封入前述一對基板間的 液晶的液晶面板,前述接續端子係被形成於前述一對基板 的至少一方。 (1 1 )相關於本發明的顯示裝置,被實裝於前述電 路基板的電子零件,包含驅動用的半導體裝置。 (1 2 )相關於本發明的電子機器,係具有(1 1 ) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請、先閱讀背面之注意事項再填頁) 裝 -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 483291 A7 一 —__B7____ 五、發明說明(5 ) 之顯示裝置,及處理被輸入前述顯示裝置的影像訊號的影 像訊號處理電路。 (1 3 )相關於本發明的電路板之製造方法,係製造 (1 )至(7 )之任一電路板的電路板之製造方法,其特 徵爲具有:在前述配線基板的表面側把前述電子零件藉.由 壓著進行實裝的電子零件實裝工程,及在前述電子零件實 裝工程之後,在前述配線基板的背面側形成前述包覆部的 包覆部形成工程。 根據本發明,在配線基板的表面側藉由壓著實裝電子 零件之後,藉由在配線基板的背面側形成包覆部,可以藉 由包覆部補強保護由壓著實裝電子零件時有受到a傷的可 能性的配線基板的基材。因此,可以減低從配線基板的背 面側侵入的水分透過基材,可以減低電子零件的實裝區域 發生問題的可能性。這種問題,例如有配線層所發生的圖 案間短路或是擬似短路。 (1 4 )相關於本發明的電路板之製造方法,係製造 (1 )至(7)之任一電路板的電路板之製造方法,其特 徵爲具有:在前述配線基板的背面側形成前述包覆部的包 覆部形成工程,在前述包覆部形成工程之後,在前述配線 基板的表面側把前述電子零件藉由壓著進行實裝的電子零 件實裝工程。 根據本發明,在配線基板的背面側形成包覆部之後, 於配線基板的表面側藉由壓著實裝電子零件。因爲在配線 基板的背面側被形成包覆部而被補強的緣故,配線基板的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填濉 本’ 頁 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8- 483291 A7 _ B7___ 五、發明說明(6 ) .--- 基材,在藉由壓著實裝電子零件時受到損傷的可能性會降 低。藉此,可以減低從配線基板的背面侵入水分的可能性 ,從配線基板的背面側侵入的水分透過基材,可以減低電 子零件實裝區域產生問題的可能性。這種問題,例如有配 線層所發生的圖案間短路或是擬似短路。 發明之實施形態 以下,參照圖面進而具體說明本發明較佳之實施形態 請 讀 背 之 注 意 事 項 再 填 頁 . <第1實施形態> 1 . 1 電路基板 首先,說明本發明 圖係顯示此電路板之 經濟部智慧財產局員工消費合作社印利π - A線的位置之剖面圖 (可撓印刷電路板)基 性及可撓性的基材之基 鍍形成銅薄膜,第2, 或蝕刻技術圖案化爲指 膜上施以鍍銅。此外、 用在銅范上塗布聚醯亞 加熱聚合而聚醯亞胺化 4 1 0形成配線基板者 又,作爲F P C基 4 1 0的兩面層疊銅箔 的第1實施形態相關的電路板。第 平面圖,第2圖係沿著第1圖的A 。於此圖,作爲配線基板之F P C 板4 0 0,第1 ,在作爲具有絕緣 礎薄膜410的兩面藉由濺鍍或蒸 將此銅薄膜藉由已知的光蝕刻技術 定的形狀,第3,在圖案化的銅薄 作爲F P C基板4 0 0,也可以使 胺之前驅體之聚醯胺酸之後,將此 ,將此聚醯亞胺作爲基礎薄膜 〇 板4 0 0,藉由黏著劑在基礎薄膜 ,此後,使用被圖案化爲指定形狀 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -9 - 483291 A7 B7 五、發明說明(7) 者亦可,如上所述,在基礎薄膜4 1 0上直接形成配線圖 案者,從鄰接配線圖案不容易由於黏著劑產生電流洩漏這 點,以及不產生黏著劑的膨潤這點,以及提高17 p c基板 4 0 0的可撓性這點來看係有利的。 此外,作爲基材之基礎薄膜4 1 0,除了聚醯亞胺.以 外,例如可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(P E T)或是 聚酯等其他有機系薄膜。另一方面,於被形成在F P C基 板4 0 0的配線圖案,含有供輸入I C晶片4 5 0的訊號 之輸入配線420a、接受來自1C晶片450的輸出訊 號之輸出配線4 2 0 b、作爲包覆部的虛設配線層4 2 2 等。 另一方面,長方體形狀的1C晶片450 (半導體晶 片),於其一面之周緣部分,具備複數輸入電極4 5 0 a 以及輸出電極450b,同時使被形成輸入電極450a 及輸出電極4 5 0 b的面爲下側而被實裝於F P C基板 4 0 0。各輸入電極450a及各輸出電極450b,例 如預先形成由金等所構成的突塊(突起電極)。於此I C 晶片4 5 0與F P C基板4 0 0之間,挾著在環氧樹脂等 黏著劑內均勻分散導電性粒子的薄膜狀之向異性導電膜。 其後,I C晶片4 5 0中介著向異性導電膜在被加熱的狀 態下被壓著於F P C基板4 0 0。如此,在作爲配線基板 之F P C基板4 0 0上,形成作爲電子零件之I C晶片 450被實裝的電路板。 於此實裝,如第2圖所示,輸入電極4 5 0 a至輸入 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先' 閱 讀 背 Sj 之 注 意 事 項 再 填
訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 -10 - 9 2 3 8 κι ___Β7____
五、發明說明(8 J 配線420a ,輸出電極450b至輸出配線420b分 別透過在環氧樹脂或光硬化性樹脂等黏著劑4 6 0中以適 當比例分散的導電性粒子來導電接續。此處,黏著劑 460,保護I C晶片450之偷入電極450 a及輸出 電極4 5 0 b被形成的面,兼作爲防止溼氣、污染、應力 等的樹脂密封部之密封材。 如此藉由向異性導電膜接合I C晶片4 5 0與F P C 基板4 0 0的話,可以把從前之ΤΑ B實裝之接合工程與 模鑄工程的2個工程以1個工程進行,具有可以縮短製造 工程的優點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印划π 然而,本實施型態之虛設配線層4 2 2,於與實裝面 相反側之面,設爲較I C晶片4 5 0被實裝的區域更寬廣 些。因此’於圖中從基礎薄膜4 1 0下側侵入的溼氣,被 虛設配線層完全阻止。亦即,防止被實裝於F P C基板 4 0 0的I C晶片4 5 0的可信賴性降低。此外,與溼氣 同樣,從圖中基礎薄膜4 1 0的下側侵入的光,也藉由虛 設配線層422完全遮斷,不會侵入IC晶片450的之 輸入電極4 5 0 a及輸出電極4 5 0 b被形成之面(配線 形成面),所以防止由於光電流洩漏導致I C晶片4 5 0 的性能降低。 又,於上述實施型態,輸入電極4 5 0 a與輸入配線 4 2 0 a之接合’以及輸出電極4 5 0 b與輸出配線 4 2 0 b之接合,分別透過在黏著劑4 6 0中分散的導電 性粒子4 6 0 a ,亦即透過向異性導電膜來進行,但是採 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -11- 483291 A7 B7 五、發明說明(9 ) 其他接合型態亦可。例如,對形成輸入配線4 2 0 a與輸 出配線4 2 0 b之銅箔施以鍍金,在與輸入電極4 5 0 a 及輸出電極4 5 0 b之金突起電極之間成爲金-金接合亦 可。此外,對形成輸入配線4 2 0 a與輸出配線4 2 0 b 之銅箔施以鍍錫,在與輸入電極4 5 0 a及輸出電極 4 5 0 b之金突起電極之間藉由接觸加熱形成金一錫共晶 結合亦可。進而,使形成輸入配線4 2 0 a與輸出配線 4 2 0 b的銅箔成爲可以焊錫接合的圖案,同時以焊錫爲 I C.晶片4 5 0的輸入電極4 5 0 a及輸出電極4 5 0 b 之突起電極的材質,而成爲焊錫-焊錫接合亦可。於如此 的接合,使用作爲樹脂密封部的密封材將I C晶片.擇鑄。 此外,被實裝於FPC基板400者並不限於IC晶 片450。例如,被實裝於FPC基板400的場合,只 要是有可能會受到透過基礎薄膜410浸透的溼氣或光的 影像的元件,也可以是其他的主動元件或非主動元件。 進而,使分散導電性粒子4 6 0 a的黏著劑4 6 0集 中於I C晶片4 5 0之輸入電極4 5 0 a及輸出電極 4 5 0 b,分別接續輸入電極4 5 0 a與輸入配線 420a 、以及輸出電極450b與輸出配線420b之 後,將此接續部分藉由作爲樹脂密封部的密封材來模鑄的 方式進行亦可。 再加上,上述虛設配線層4 2 2,不作爲配線使用, 其電位若不固定,會產生電容成分而不佳。因此,實際上 以接續至接地位準的配線較佳。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面 之注意事項再填頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 483291 A7 ____ B7___ 五、發明說明(10 ) 1 . 2 顯示裝置 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 如上所述,在FPC基板400實裝1C晶片450 的話,其工程所要的時間,與拉線接合比較,不受到I C 晶片450的接續電極的個數影響恆爲一定。因此,在 1 C晶片4 5 0的電極個數極多的場合,顯著提升其生產 性。此處,作爲電極個數極多的I C晶片,例如可以舉出 顯示裝置之驅動資料線或掃描線的驅動電路。在此,作爲 這種實裝構造的應用例,說明使用被實裝這種驅動電路的 F P C基板之液晶裝置。 如第3圖所示,此液晶裝置1 ,主要被構成爲包含·· 液晶面板1 0 0、被接合於此液晶面板1 〇 〇的2枚 FPC基板400X、400Y、及被接續於此FPC基 板400X、400Y的控制電路板(未圖示)。其中, 液晶面板1 0 0,使複數資料線等被形成之元件基板 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 0與複數掃描線等被形成的對向基板3 〇 0之各端子 區域2 1 6、3 1 6向外部突出,而且相互以電極形成面 相對方向的狀態貼合之構造。 詳細而言,如第'4圖所示,元件基板2 0 0之中,在 與對向基板3 0 0相對之面,分別被形成配置爲矩陣狀的 複數像素電極2 3 4,及延伸於列方向的資料線(訊號線 )2 12 ,同時各個1列份的像素電極234,分別透過 丁 F D (薄膜二極體)元件2 2 0被接續於1條資料線 2 1 2。此處,T F D元件2 2 0,由基板側來看,係由 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) -13 483291 A7 _ B7 五、發明說明(11) .乂 第1金屬膜2 2 2、與將此第1金屬膜2 2 2陽極氧化後 之氧化膜224,及第2金屬膜226所構成,而成爲金 屬/絕緣體/金屬之三明治構造。因此,T F D元件 2 2 0 ’成爲具有作爲正負雙方向的二極體的開關特性。 另一方面,對向基板3 0 0之中,與元件基板2 0.0 對向之面,掃描線3 1 2延伸於與資料線2 1 2直交的行 方向’而且以成爲像素電極2 3 4的對向電極的方式配列 ’此外’彩色濾光膜雖然省略了圖示,但係對映於各像素 電極而設置的。因此,對應於1個像素的液晶胞,被構成 爲包含像素電極2 3 4、與對向電極之掃描線3 1 2,及 被充塡於此二基板之間的液晶。 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而元件基板2 0 0與對向基板3 0 0,藉由沿著基板 周邊被塗布的密封材,及適當被散佈的間隔件,保持著一 定的間隙,於此密閉空間被封入T N (扭曲絲狀)型的液 晶。再加上,在元件基板2 0 0及對向基板3 0 0的對向 面,分別設有在指定方向上被摩擦處理之配向膜,另一方 面,於各個的背面分別設有因應配向方向之偏光板(均爲 省略圖示)。但是,使用在高分子中分散液晶作爲微小粒 之高分子分散型液晶的話,就不需要前述的配向膜、偏光 板等。此外,使用高分子分散型液晶的話,可以提高光的 利用效率,在高亮度化或低耗電量化上較爲有利。~ 於如此之構成,資料線2 1 2與掃描線3 1 2 ,於其 交叉部分,成爲透過液晶層與T F D元件2 2 0之串聯接 續而電氣結合的狀態。因此,藉由被施加於掃描線3 1 2 本紙張尺度鸡用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -14 - 483291 A7 B7 五、發明說明(12) .* ' 的掃描訊號及被施加於資料線2 1 2的資料訊號,當對 丁 F D元件2 2 0施加閾値以上的電壓時,該元件成爲打 開(〇N )狀態,於該元件被接續的液晶層被蓄積指定的 電荷。而電荷蓄積後,即使該元件成爲關閉(0 F F )狀 態,只要液晶層的電阻夠高,該液晶層就可以維持電荷的 蓄積。如此開關驅動T F D元件2 2 0,控制被蓄積的電 荷量的話,可以改變每個像素之液晶的配向狀態,顯示指 定的資訊。此時,將電荷蓄積於各液晶層的,只要在一部 份的時間即可,因此藉由時間分割選擇各掃描線3 1 2, 關於複數像素可以共通化地分時多路變換驅動資料線 2 1 2以及掃描線3 1 2。又,使掃描線與資料線.的形成 方向相反,將掃描線形成於元件基板2 0 0,將資料線形 成於對向基板亦可。 此外,雖未圖示於第3圖,在元件基板2 0 0的端子 區域2 1 6 ,設有將各資料線引出至外部之用的接續端子 之資料線端子,另一方面在對向基板3 0 0的端子區域 3 1 6 ,於基板的下側設有將掃描線引出至外部之用的資 料線端子。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 此外,FPC基板400X、400Y,例如係具有 包含F P C基板4 0 0與I C晶片4 5 0與虛設配線層 4 2 2而被構成的前述電路板的構造者。其中,在F P C 基板4 Ο Ο X,驅動各資料線的驅動電路4 5 Ο X作爲 1C晶片,被實裝爲與第2圖上下顛倒。因此,FPC基 板400X之虛設配線層422X,成爲被設在第3圖之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -15- 483291 A7 一 B7 五、發明說明(13) .--=--' 上側。另一方面,在FPC基板400Y,驅動各掃描線 的驅動電路4 5 0Y作爲I C晶片,被實裝爲與第2圖上 下相同之方向。因此,FPC基板400Y之虛設配線層 4 2 2Y,成爲被設在第3圖之下側。 此處,於FPC基板400X,位於其一端而且分別 將輸入配線延長之端子被接合於控制電路板,另一方面, 位於另一端而且分別延長輸出配線之端子被接合於形成在 元件基板2 0 0之端子區域2 1 6的接續端子之資料線端 子。同樣的,於FPC基板400Y,位於其一端而且分 別將輸入配線延長之端子被接合於控制電路板,另一方面 ’位於另一端而且分別延長輸出配線之端子被接含於形成 在對向基板3 0 0之端子區域3 1 6的接續端子之掃描線 線端子。 藉由如此構成,驅動電路4 5 Ο Y依照從控制電路板 供給的控制訊號,產生掃描訊號,供給至元件基板2 0 0 的各掃描線。另一方面,驅動電路4 5 Ο X把依照從控制 電路板供給的控制訊號之資料訊號,供給至對向基板 3 0 0的各資料線。此時,在F P C基板4 Ο Ο X、 400Y之分別被實裝的驅動電路450X、4 50Y, 藉由對應實裝區域而設的虛設配線層4 2 2X、4 2 2Y ,防止可信賴性或性能的降低 '就如同上述般。 又’ FPC基板400X、400 T,除了第1實施 形態之外,亦可爲具有後述的第2實施形態的構造者。 此外,作爲液晶面板,除此之外,也可以適用不具有 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格Gio X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填頁)
I ·-線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -16- 483291 A7 B7 五、發明說明(14 ) T F D元件的被動矩陣方式,或者在元件基板設掃描線與 資料線,同時於其交叉部份透過TFT (薄膜電晶體)元 件被接續像素電極之液晶面板。 1 ·3 電子機器 * 其次,說明將上述液晶裝置1使用於電子機器的顯示 部之例。第5圖係顯示將此液晶面板作爲光閥使用的投影 機之搆成例的平面圖。 如此圖所示,於投影機1 1 0 0內部,設有由鹵素燈 等白色光源所構成的燈管單元1 1 0 2。從此燈管單元 1 1 0 2射出的投射光,藉由被配置在光導1 1 0.4內的 4枚反射鏡1 1 〇 6以及2枚二色性反射鏡1 1 0 8分離 爲R G B 3原色,而入射至作爲對應於各原色之光閥的液 晶面板 1 1 1 0 R、1 1 1 0 G 以及 1 1 1 Ο B。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 液晶面板1 1 1 0 R、1 1 1 0 G及1 1 1 〇 B,係 上述之液晶面板,以由影像訊號處理電路(省略圖示), 透過FPC基板400 X、400Y供給的R、G、B之 原色訊號分別驅動者。藉由這些液晶面板調變的光,從3 方向入射至二色性稜鏡1 1 1 2。於此二色性稜鏡 1 1 1 2 ,R及B之光折射90度,而G光直進。亦即, 各色影像被合成,結果透過投影透鏡1 1 1 4,投影彩色 影像至螢幕等。 此處,於液晶面板1 1 1 0 R、1 1 1 0 G及 1 1 1 0 B,藉由二色性反射鏡1 1 〇 8而有對應於R、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -17- 483291 A7 __B7_____ 五、發明說明(l5) G、B各原色的光線入射,因此不需要在對向基板3 〇 〇 設彩色濾光膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 又,除了投影機以外,也可以舉出:液晶電視、觀景 窗直視型或者監視器直視型的攝影機、汽車導航裝置、電 子手冊,計算機、文書處理機、工作站、工程型工作站( E W S )、行動電話、呼叫器、電視電話、P〇S終端、 具備接觸面板的裝置等爲例。而在這些電子機器,可以適 用相關於本發明的顯示裝置。 2 . <第2實施形態> --線. 第2實施形態,具備基材與配線層的配線基g具備電 子零件與包覆部而被形成的電路板的構造與第1實施形態 不同。此外與第i實施形態具有同樣的構成,而省略其說 明。此外,於圖面中,與第1實施形態相同的各部份賦予 跟第1實施形態相同的符號。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制π 第6圖係顯示本實施形態的電路板之剖面圖,對應於 第1實施形態之第2圖。如此圖所示,F P C基板4 0 2 ,係由基礎薄膜4 1 0 a、4 1 Ob之2層所構成的多層 板,作爲包覆部之虛設配線層4 2 4,被設爲在基礎薄膜 410a 、410b之層間,較1C晶片450被實裝的 區域更寬廣些。 因此,與第1實施形態相同,來自語I C晶片4 5 0 的實裝面相反側的面透過基礎薄膜4 1 〇 b侵入的溼氣或 光,藉由虛設配線層4 2 4遮斷的緣故,所以防止I C晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -18- 483291 A7 B7 五、發明說明(16) 片的可信賴性的降低,或由於光洩漏導致性能降低。 又,基礎薄膜不限定爲由2層所構成,亦可構成爲3 層以上。 3 . <第3實施形態> 3 . 1 液晶裝置 第7圖係省略配線圖案等之相關於本實施形態的液晶 裝置的平面圖,第8圖係第7圖之沿著P — P線的位置之 剖面圖。於第8圖,用於作爲本實施形態的顯示裝置之液 晶顯示裝置5 0 0之液晶面板1 ,具有由透明的薄玻璃板 所構成的透明基板1 0,及同樣由透明的薄玻璃戶斤構成的 透明基板2 0。於此透明基板2 0、3 0的周緣被配置密 封材3 0,夾著此密封材3 0,透明基板1 0與透明基板 2 0隔著指定的間隙3 1 (胞間隙)被黏著固定。此處, 透明基板1 0與透明基板2 0之間的間隔之胞間隙,係由 被挾持在透明基板1 0與透明基板2 0之間的多數間隔件 3 2而規定的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 如第7圖所示,密封材3 0,被形成注入液晶4 0時 作爲液晶住入口 3 0 1使用的中斷部份,此液晶注入口 3 0 1 ,由此減壓注入液晶4 0之後’以紫外線硬化樹脂 所構成的密封材3 0 5密封。 此外,如第8圖所示’在透明基板1 〇、透明基板 2 0、以及密封材3 0所區隔的區域內被封入液晶4 0。 於透明基板1 0與透明基板2 0雙方被形成條紋狀的電極 -19 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 483291 Α7 Β7 五、發明說明(17) 105、205,分別的表面以配向膜101 、201包 覆,被形成作爲以S T N (超級扭曲絲狀)方式使用液晶 4 0的液晶面板1。 透明基板1 0與透明基板2 0之各個外側表面分別被 貼覆偏光板1 0 2、2 0 2。又’將液晶面板1構成爲.反 射型液晶面板1時’在貼於透明基板2 0的偏光板2 0 2 的外面貼附著反射板2 0 3。 如前所述,於透明基板1 0的內側表面,透如由延伸 在橫方向的複數條紋狀電極1 0 5藉由透明電極之I T〇 (銦錫氧化物)膜而形成,於透明基板2 0,延伸於縱方 向的複數條紋狀電極2 0 5藉由I Τ 0膜而形成。這些條 紋狀電極1 0 5、2 0 5彼此交叉的部份構成像素。 透明基板2 0較透明基板1 0更大,所以透明基板 2 〇其一部份由透明基板1 〇的下端緣伸出,在被形成於 此伸出部份的端子2 0 6,被接續作爲透過向異性導電膜 3等構成本發明的電路板支配線基板之F P C基板2。此 處,端子2 0 6,例如係於被形成在透明基板2 0的條紋 狀電極2 0 5直接延伸的部份也被形成配線(延伸)而成 者,於被形成於透明基板1 0的條紋狀電極1 0 5藉由導 通材(未圖示)謀求在透明基板10與第2透明基板1 0 之兩基板間的電氣導通而在伸出部被形成配線者被配列而 利用於接續。 亦即,透過F P C基板2從外部電路輸入各種控制訊 號或電源等驅動訊號時,可以根據此驅動訊號對所要的適 本紙張尺度埤用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本-1) 擊. -20· 483291 A7 B7 五、發明說明(18) 當的條紋狀電極1 0 5、2 0 5施加電壓。因而,控制各 像素之液晶4 0的配向狀態,可以在液晶面板1顯示所要 的影像。爲了輸入如此之驅動訊號,於F P C基板2上作 爲電子零件被實裝驅動用I C 5而被形成作爲電路板。 F P C基板2,在厚度2 5 //m程度的薄聚醯亞胺薄膜所 構成的基礎薄膜2 2 (基材)的表面,被形成以銅形成的 表面以鎳-金等覆蓋之配線圖案2 1 ,於其表面透過向異 性導電膜3被實裝驅動用I C 5。進而,在基板2與端子 2 0 6接續的部份附近,由F P C基板2之端部至液晶面 板1的端部被施以樹脂模鑄3 4。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 於FPC基板2,驅動用I C5使用向異性齊.電膜3 被C OF (Chip〇n Film)實裝。C OF實裝,係習知技 術的緣故,省略其詳細說明。在此實裝,在塑膠球的表面 施以金等之電鍍而形成之導電性粒子3 3分散於樹脂3 5 中的薄膜狀或是糨糊狀的向異性導電膜3夾在F P C基板 2與驅動用Γ C 5之間的狀態下,以壓著頭加熱同時加壓 驅動用I C5。如此一來,驅動用I C5的端子5 1與 F P C基板2之配線圖案2 1之間,溶融的樹脂3 5被壓 退而成爲樹脂密封部,同時在驅動用I C 5的端子5 1與 F P C基板2之配線圖案2 1之間導電性粒子3 3被按壓 ,在驅動用I C5的端子51與FPC基板2的配線圖案 2 1之間被導電接續。這種實裝方法,可以對應配線圖案 2 1或端子5 1的微細間距化,而且具有可以統括將多數 端子導電接續的優點。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -21 · 483291 A7 B7 五、發明說明(19) 此外,於F P C基板2,也實裝著有表面實裝形式的 陶瓷電容器5 5等。又,於F P C基板2的表面之中,未 被實裝零件的區域,被形成焊錫阻隔層5 6。進而,於 F P C基板2的端部,藉由配線圖案形成供把液晶裝置 5 0 0搭載於行動電話等而導電接續機器本體之電路板之 用的端子被形成配列。於此端子部被形成的F P C基板2 的背面區域,貼有供補強被接續的端子部的補強板5 9。 於如此構成的液晶裝置1的I C實裝構造,在本實施 形態,於F P C基板2的背面側(基礎薄膜2 2被形成之 側),於包含I C實裝區域5 0的內側之區域被形成作爲 包覆部之塗布層6 0 (於第7圖係以符號6 0所示.的斜線 區域),構成本發明的電路板。亦即,在F P C基板2之 驅動用I C 5被實裝之面的相反側之面,,而且是對應於 表面的驅動用I C 5被實裝的區域(實裝區域)的背面的 區域(於平面看重κ的區域)被形成塗布層6 0。此塗布 層6 0被形成爲較I C實裝區域5 0至少寬上0.1 mm的 區域。此處所使用的塗布層6 0,係環氧樹脂等防溼性能 很高的樹脂層。 在本實施形態的I C實裝構造,F P C基板2的基礎 薄膜2 2薄至2 5 //m以下,而且在FP C基板2被 C OF實裝驅動用I C5的區域(I C實裝區域50)配 線間距與從前的7 0 // m程度相比間距被設定爲較窄的 5 0 //m,而且使用向異性導電膜3將驅動用I C 5實裝 時有藉由壓著導致基礎薄膜2 2受到損傷的可能性。如此 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 x 297公釐) 請 先 閱 讀 背 面 意 事 項 再 填— 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22· 483291 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ____B7__ 五、發明說明(2〇) ’即使在容易從基礎薄膜2 2的背面侵入水分等,容易受 到其影響的條件下,於本實施形態的電路板,可以藉由塗 布層6 0防止從F P C基板2的背面侵入水分。亦即,從 F P C基板2的背面側侵入的水分,並沒有透過基礎薄膜 2 2,在配線間距2 1變窄的I C實 > 區域5 0產生配.線 圖案2 2間的短路或是擬似短路的情形。 因爲構成如此的I C實裝構造,於本實施形態,於 F P C基板2的表面側透過向異性導電膜3壓著驅動用 I C 5而實裝之後,對於F P C基板2的背面側,形成較 1C實裝區域5 0至少寬上0.1 mm的塗布層6 0。藉此 ,補強了藉由壓著實裝驅動用I C .6 0時可能受到.損傷的 F P C基板2的基礎薄膜2 2,同時可以藉由塗布層6 0 防止水分的入侵。 3 .2 具備液晶裝置的電子機器 第9圖A、B、C係顯示將本實施形態的液晶裝置 5 0 0作爲顯示部使用的電子機器的外觀圖。第9圖A係 行動電話8 8,於其前面上方具備液晶裝置5 0 0。第9 圖B係手錶,於本If的前面中央設有使用液晶裝置5 0 0 之顯示部。第9圖C係攜帶型資訊機器9 6,具備由液晶 裝置5 0 0所構成的顯不部與輸入部9 8。這些電子機器 ’除了液晶裝置5 0 0以外’雖未圖示,但被構成爲包含 顯示資訊輸出源、顯示資訊處理電路、時脈產生電路等種 種電路,或是對這些電路供給電力之電源電路等所構成的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨»· 訂: --線- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -23- 483291 A7 B7 五、發明說明(21_) 顯示訊號產生部。於顯示部,例如攜帶型資訊機器9 6的 場合,藉由被供給根據從輸入部9 8輸入的資訊等而由顯 示訊號產生部產生的顯示訊號而形成顯示影像。 請 先 閱 讀 背 φ 之 注 意 事 項 再 填 又,作爲本實施形態的液晶裝置5 〇 〇被組入的電子 機器,不限於行動電話、手錶以及攜帶型資訊機器,還可 以包括筆記型電腦、電子記事本,呼叫器、計算機、 P〇S終端、1C卡、迷你碟片播放機等種種電子機器等 4 . <第4實施形態> 本實施形態之電路板以及使用該電路板之液晶.裝置, 與第3實施形態具有完全相同的構造,而省略構造之說明 〇 本實施形態與第3實施形態不同,藉由以下說明的方 法實裝1C (半導體裝置),製造具、有第7、8圖所說明 的構造之液晶裝置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即,在本實施形態,於F P C基板2的表面側實裝 驅動用I C 5之前,對於F P C基板2的背面,預先形成 較預定實裝驅動用1C 5的預定區域(I C實裝區域5 0 )至少寬上0.1 mm寬幅的塗布層6 0。此處使用的塗布 層6 0也與第3實施形態同樣是環氧樹脂等防溼性高的樹 脂層。 其次,以在F P C基板2的表面與驅動用I c 5之間 夾著向異性導電膜3的狀態藉由壓頭(未圖示)加熱同時 24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 483291 A7 B7 五、發明說明(22) 按壓驅動用I C5,而實裝驅動用I C5。 根據如此的I C實裝方法,F P C基板2的基礎薄膜 2 2,因爲以預先被形成的塗布層6 0保護的緣故,藉由 壓著實裝驅動用I C 5時,受到損傷的可能性降低。此外 ,因爲在F P C基板2的背面側被形成塗布層6 0的緣故 ,可以防止從F P C基板2的背面侵入水分。亦即,從 F P C基板2的背面側侵入的水分透過基礎薄膜2 2而在 配線圖案2 1的間距變窄的I C實裝區域產生短路或擬似 短路的可能性可以降低。 5 . <變形例> .. 此處說明可以適用於前述的實施形態的變形例。於下 述的各變形例僅記載說明與前述各實施形態相異之處。 5 . 1 前述之實施形態,作爲液晶面板使用應用二端 子型開關元件之T F D (薄膜二極體)之主動矩陣型驅動 方式、封入光電特性Τ Ν型液晶的液晶面板,以及,使用 單純矩陣驅動,封入光電特性S Τ Ν (超級扭曲絲狀)型 液晶的液晶面板。然而液晶面板並不以此爲限,驅動方式 可以使用靜態驅動型的液晶面板,此外,可以使用三端子 型開關元件例如丁 F Τ (薄膜電晶體)或二端子型開關元 件例如Μ I Μ (金屬-絕緣體-金屬)之主動矩陣型液晶 面板,就光電特性而言,可以使用主從型、相轉移型、強 介電型、使用具有記憶性的雙安定性之絲狀液晶的Β Τ Ν 型等種種形式的液晶面板。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 請 先-閱 讀 背 之 注 意 1·^ 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 483291 A7 B7 五、發明說明(23) ..乂二 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5.2 進而,使用於本發明的平面顯示面板不限於液 晶面板,其他的平面顯示面板例如可以是EL (有機螢光 )顯示面板、或P D P (電漿顯示面板)顯示面板、 F E D (場發射顯示器)面板等。 5.3 此外,於前述各實施形態,於電路板被實裝作 爲驅動電路的半導體裝置,其電路板被接續於平面顯示面 板之例。但是,在被接續於平面顯示面板的本發明的電路 板,也可以是實裝驅動電路的半導體裝置、影像訊號處理 電路的半導體裝置、或者其他電路的半導體裝置等之至少 任一的電路板。 5.4 本發明並非以前述各實施形態爲限定,.在本發 明的要旨範圍內或者在申請專利範圍的均等範圍內可以實 施各種變形。 _線- 圖面之簡單說明 第1圖係顯示相關於本發明的第1實施形態之電路板 的平面圖。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2圖係沿著第1圖的A — A線的位置之剖面圖。 第3圖係顯示具有第1、2圖的構造的2枚F PC基 板,及液晶面板的分解立體圖。 第4圖係顯示相關於第1實施形態的液晶面板的構成 之部份剖斷立體圖。 第5圖係顯示適用了相關於第1實施形態的液晶面板 的電子機器之一例之液晶投影機的構成。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 26 3291 A7 B7 五、發明説明( 第6圖係相關於本發明的第2實施形態的電路板之剖 面圖,對應於第1實施形態之第2圖。 ------莽-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第7圖係相關於第3實施形態的液晶裝置省略配線的 平面圖。 第8圖係沿著第7圖之P — P線的位置之剖面圖。 第9圖係顯示將第3實施形態的顯示裝置作爲顯示部 使用之電子機器的外觀圖,(A )係行動電話,(B )係 手錶,(C )係攜帶型資訊機器。 第1 0圖係顯示從前的電路基板之剖面圖。 符號說明 1 液晶面板 2 FPC基板(配線基板) 3 向異性導電膜 5 驅動用1C (電子零件) 10 透明基板 20 透明基板 2 1 配線圖案(配線層) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 2 基礎薄膜(基材) 30、305 密封材 3 0 1 液晶注入口 3 3 導電性粒子 3 5 樹脂 3 4 樹脂模鑄 4 0 液晶 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) 27· 483291 A7 B7 五、發明説明(j 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 I C 實 裝 區 域 5 1 m 子 5 5 陶 瓷 電 容 器 5 6 焊 錫 阻 隔 層 5 9 補 強 板 6 0 塗 布 層 ( 樹 脂 層 包 覆 部 ) 8 8 行 動 電 話 ( 電 子 機 器 ) 9 2 手 錶 ( 電 子 機 器 ) 9 6 攜 帶 型 資 訊 機 器 ( 電 子 機 器) 9 8 輸 入部 1 0 0 液 晶 面 板 2 0 〇 元 件 基 板 2 0 6 端 子 2 0 3 反射板 1 0 2、 2 0 2 偏 光 板 1 0 1、 2 0 1 配 向 膜 1 0 5、 2 0 5 條 紋 狀 電 極 2 1 2 資 料 線 ( 訊 Drfe 線 ) 2 1 6、 3 1 6 端 子 域 2 0 6 端 子 ( 接 續 七山 m 子 ) 2 2 0 T F D ( 薄 膜 二 極 體 ) 元 件 2 3 4 像 素 電 極 2 2 2 第 1 金 屬 膜 2 2 4 氧 化 膜 I^1T.^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -28- 483291 A7 B7 五、發明説明( 226 第2金屬膜 312 掃描線 3 0 0 對向基板 400、400X、400Y FPC基板(配線基板) 410、410a、410b 基礎薄膜(基材) 4 2 0 a 輸入配線(配線層) 4 2 0 b 輸出配線(配線層) 422、 422X、422Y、424 虛設配線層 4 5 0 I C晶片(電子零件) 450a 輸入電極 450b 輸出電極 450X、 450Y 驅動電路 ---------裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 6 0 黏 著劑( 樹 脂 密 封部) 4 6 0 a 導 電性粒 子 5 0 0 液 晶裝置 1 1 0 0 投 影機( 電 子 m 器) 1 1 0 2 燈 管單元 1 1 0 4 光 導 1 1 0 6 反射鏡 1 1 0 8 二 色性反射 鏡 1 1 1 0 R、1 1 1 0 G、1 1 1 0 B 液晶面板 1112 二色性棱鏡 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29 -
Claims (1)
- 3291 A8 B8 C8 D8煩請委員明示年所提之 修正本有無變更實質内容是否准予修正。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 附件1A: 第88121819號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國90年9月修正 1 . 一種電路板,其特徵爲具有: 具有具絕緣性及可撓性的基材,及被設於前述基材上 的配線層的配線基板,及 被電氣接續於前述配線層,被實裝於前述配線基板的 電子零件,及 在與前述電子零件被實裝的區域於平面圖至少一部份 重疊的區域,從與前述電子零件相反側包覆前述基材,前 述配線層以及前述電子零件是被絕緣的具有防潮溼的包覆 部。 2 ·如申請專利範圍第1項之電路板,其中 前述包覆部,係虛設配線層。 3 ·如申請專利範圍第1項之電路板,其中 前述包覆部,係樹脂層。 4 ·如申請專利範圍第1、2或3項之電路板,其中 前述包覆部,係具有遮光性。 5 ·如申請專利範圍第1、2或3項之電路板’其中 進而具有把前述電子零件與前述配線層電氣接續的部 份藉由樹脂密封之樹脂密封部。 6 ·如申請專利範圍第1、2或3項之電路板’其中 進而具有中介於前述電子零件與前述配線層之間’電 :---------參-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線- 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 ----- -^___ 六、申請專利範圍 氣接續前述電子零件與前述配線層的向異性導電膜。 7 ·如申請專利範圍第1、2或3項之電路板,其中 前述基材與前述配線層,是不中介著黏著層而直接接 合的。 8 ·如申請專利範圍第1、2或3項之電路板,其中 前述基材具有複數層, 前述包覆部,係被設於前述複數層之層間。 9 · 一種顯示裝置,其特徵爲具有: 申請專利範圍第1至3項之任一項之電路板,及 具備前述電路板被電氣接續的接續端子之平面面板。 1 0 ·如申請專利範圍第9項之顯示裝置,其中 前述平面面板,係具有相對方向的一對基板,及被封 入前述一對基板間的液晶的液晶面板, 前述接續端子係被形成於前述一對基板的至少一方。 1 1 ·如申請專利範圍第9或1 〇項之顯示裝置,其 中' 被實裝於前述電路基板的電子零件,包含驅動用的半 導體裝置。 · 1 2 · —種電子機器,其特徵爲具備申請專利範圍第 1 1項之顯示裝置,及 處理被輸入前述顯示裝置的影像訊號的影像訊號處理 電路。 1 3 · —種電路板之製造方法,係製造申請專利範圍 第1至3項之任一電路板的電路板之製造方法,其特徵爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)一 I I I I裝 I I訂 I I I線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -2- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483291 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 具有: 在前述配線基板的表面側把前述電子零件藉由壓著進 行實裝的電子零件實裝工程,及 在前述電子零件實裝工程之後,在前述配線基板的背 面側形成前述包覆部的包覆部形成工程。 1 4 . 一種電路板之製造方法,係製造申請專利範圍 第1至3項之任一項電路板的電路板之製造方法,其特徵 爲具有: 在前述配線基板的背面側形成前述包覆部的包覆部形 成工程, 在前述包覆部形成工程之後,在前述配線基板的表面 側把前述電子零件藉由壓著進行實裝的電子零件實裝工程 0 1 5 · —種電路板,其特徵包含: 可浸透濕氣的基材; 配線層,配設於該基材; 電子零件,電氣接續於該配線層,且實裝於該基材的 實裝區域;以及 包覆部,配設於與該基材的該電子零件的相反側,且 包覆該實裝區域,其中 該包覆部係通過該基材,遮斷欲到達該電子零件的濕 氣。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所述之電路板,其中 該基材的該包覆部所配置的區域係比該實裝區域大。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 裝 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -3 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 483291 A8 B8 C8 D8 _ _ 々、申請專利範圍 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所述之電路板,其中 該包覆部包含虛設配線層,該虛設配線層接地。 18 · —種具備電子零件的電路板,其特徵包含: 浸透性的有機薄膜; 配線層,配設於該有機薄膜; 配設該電子零件的該有機薄膜的實裝區域;以及 防濕性的包覆部,配置於該有機薄膜的該實裝區域& 相反側。 19· 一種電路板,其特徵包含: 基材; 配線層,配設於該基材; 電子零件,電氣接續於該配線層,且實裝於該基材的 實裝區域;以及 包覆部,配設於與該基材的該電子零件的相反側,且 包覆該實裝區域,其中 該基材包含由聚醯亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯以及 聚酯所構成的群選擇的材料,該包覆部包含環氧樹脂或銅 膜。 2 0 · —種顯示裝置,係至少具有互相交叉的訊號線 以及掃描線,其特徵包含: 基板; 電極,配設於該基板,且接續該掃描線以及該訊號線 的至少一方; 基礎薄膜,接續於該基板,且可浸透濕氣; 本紙IxJt適用中國國家揉率(CNS ) A4祕(:21GX 297公釐) " "一 -4- ---------裝------1T------線 C请先聞讀背面之泫意事項存填寫本頁) 483291 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 配線層,配設於該基礎薄膜,且接續於該電極; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1 C晶片,供給資料訊號以及掃描訊號的一方到該電 極,且電氣接續於該配線層;以及 防濕性的包覆部,配置於該基礎薄膜的該I C晶片的 相反側,且包覆實裝該I C晶片的區域。 2 1 · —種液晶裝置,其特徵包含: 一對基板; 液晶,配置於該一對基板間; 第一電極,配設於該一對基板的一方; 第二電極,配設於該一對基板的他方; 基礎薄膜,接續於該一對基板的一方,且可浸透濕氣 配線層,配設於該基礎薄膜,且接續於該第一電極; I C晶片,供給電壓到該第一電極以及該第二電極的 一方,且實裝於該基礎薄膜,並且接續於該配線層;以及 防濕性的包覆部,配置於該基礎薄膜的該I C晶片的 相反側,且包覆實裝該I C晶片的區域。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) M規格(210X297公釐) -5-
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP36258798 | 1998-12-21 | ||
JP2730599 | 1999-02-04 | ||
JP11335852A JP2000294894A (ja) | 1998-12-21 | 1999-11-26 | 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW483291B true TW483291B (en) | 2002-04-11 |
Family
ID=27285732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW088121819A TW483291B (en) | 1998-12-21 | 1999-12-13 | Circuit board, its producing method, and display apparatus, electronic equipment and liquid crystal device using the circuit board |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6542374B1 (zh) |
JP (1) | JP2000294894A (zh) |
CN (1) | CN1199533C (zh) |
TW (1) | TW483291B (zh) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3767474B2 (ja) * | 2001-01-15 | 2006-04-19 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
JP4212255B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2009-01-21 | 株式会社東芝 | 半導体パッケージ |
JP2003046212A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Seiko Epson Corp | 電子デバイス並びにその製造方法及びその設計方法、回路基板並びに電子機器 |
JP3847693B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-11-22 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR100943066B1 (ko) | 2003-03-11 | 2010-02-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
KR100578919B1 (ko) * | 2003-11-26 | 2006-05-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 장치와 이 장치에 적용되는 tcp및 그 제조 방법 |
JP2005292114A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-10-20 | Denso Corp | センサ装置 |
JP4692544B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2011-06-01 | パナソニック株式会社 | 電子回路装置およびその製造方法 |
TWI348341B (en) * | 2005-05-18 | 2011-09-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Electronic element module and electronic device using the same |
KR20060126070A (ko) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | 삼성전자주식회사 | 구동 집적 회로칩 패키지 및 이를 구비한 표시 장치 |
KR100652519B1 (ko) * | 2005-07-18 | 2006-12-01 | 삼성전자주식회사 | 듀얼 금속층을 갖는 테이프 배선기판 및 그를 이용한 칩 온필름 패키지 |
KR100827317B1 (ko) * | 2005-09-07 | 2008-05-06 | 삼성전기주식회사 | 연성 기판을 이용한 초소형 광 변조기 모듈 |
EP1770610A3 (en) * | 2005-09-29 | 2010-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
CN100437667C (zh) * | 2006-01-09 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | 柔性电路板及显示器 |
JPWO2007083378A1 (ja) * | 2006-01-20 | 2009-06-11 | 富士通株式会社 | チップ部品の実装構造、実装方法及び電子装置 |
JP4899505B2 (ja) * | 2006-02-02 | 2012-03-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電気泳動表示装置及び電子機器 |
CN101401496B (zh) * | 2006-03-14 | 2012-10-31 | 夏普株式会社 | 电路基板、电子电路装置和显示装置 |
JP5317695B2 (ja) * | 2006-05-15 | 2013-10-16 | ナミックス株式会社 | Cof実装用封止剤、及びこれを用いて封止した半導体部品 |
TWI292294B (en) | 2006-07-06 | 2008-01-01 | Au Optronics Corp | Conductive connection and cutting method thereof |
US8017873B2 (en) * | 2008-03-03 | 2011-09-13 | Himax Technologies Limited | Built-in method of thermal dissipation layer for driver IC substrate and structure thereof |
KR20090095026A (ko) * | 2008-03-04 | 2009-09-09 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 제조 방법 |
JP4814277B2 (ja) * | 2008-04-18 | 2011-11-16 | ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 | 接合体、該接合体の製造方法、及び該接合体に用いられる異方性導電膜 |
JP5236377B2 (ja) * | 2008-07-16 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 半導体装置および表示装置 |
JP2011060892A (ja) * | 2009-09-08 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corp | 電子装置、電子装置の製造方法 |
JP2012169189A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Koito Mfg Co Ltd | 発光モジュールおよび車両用灯具 |
US9253892B2 (en) * | 2012-04-13 | 2016-02-02 | Wistron Corporation | Peripheral circuit of touch panel and manufacturing method thereof |
CN108054270B (zh) * | 2013-04-27 | 2019-11-05 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管结构 |
JP6310668B2 (ja) * | 2013-10-02 | 2018-04-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
CN104049393A (zh) * | 2014-06-12 | 2014-09-17 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种覆晶薄膜基板及其制作方法和显示面板 |
KR102251231B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2021-05-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 구동 칩 패키지 및 이를 포함하는 표시장치 |
US9836095B1 (en) * | 2016-09-30 | 2017-12-05 | Intel Corporation | Microelectronic device package electromagnetic shield |
TWI736695B (zh) * | 2017-10-24 | 2021-08-21 | 啟耀光電股份有限公司 | 電子裝置與其製造方法 |
KR102375126B1 (ko) | 2017-11-02 | 2022-03-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 연성 회로기판 및 이를 포함하는 칩 패키지, 및 이를 포함하는 전자 디바이스 |
CN112384025B (zh) * | 2020-11-16 | 2021-10-15 | 浙江大学 | 一种电子器件的防护装置及其封装方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900002808B1 (ko) * | 1984-07-26 | 1990-04-30 | 가부시끼 가이샤 도시바 | 화상 판독 장치 |
US4758896A (en) * | 1985-12-10 | 1988-07-19 | Citizen Watch Co., Ltd. | 3-Dimensional integrated circuit for liquid crystal display TV receiver |
FR2641102B1 (zh) * | 1988-12-27 | 1991-02-22 | Ebauchesfabrik Eta Ag | |
US5285352A (en) * | 1992-07-15 | 1994-02-08 | Motorola, Inc. | Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same |
KR0170024B1 (ko) * | 1995-10-27 | 1999-02-01 | 황인길 | 관통 슬롯 둘레에 에폭시 배리어가 형성된 기판 및 이를 이용한 향상된 습기 방출 특성을 갖는 볼 그리드 어레이 반도체 패키지 |
JP2959480B2 (ja) * | 1996-08-12 | 1999-10-06 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US6147724A (en) * | 1997-04-04 | 2000-11-14 | Hitachi, Ltd. | Back light system for minimizing non display area of liquid crystal display device |
-
1999
- 1999-11-26 JP JP11335852A patent/JP2000294894A/ja active Pending
- 1999-12-13 TW TW088121819A patent/TW483291B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-12-20 US US09/467,257 patent/US6542374B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-20 CN CNB991278097A patent/CN1199533C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1199533C (zh) | 2005-04-27 |
US6542374B1 (en) | 2003-04-01 |
CN1259007A (zh) | 2000-07-05 |
JP2000294894A (ja) | 2000-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW483291B (en) | Circuit board, its producing method, and display apparatus, electronic equipment and liquid crystal device using the circuit board | |
TW448550B (en) | Circuit board and display apparatus and electronic equipment using the same | |
EP1039331B1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
TWI276246B (en) | Liquid crystal display mounted with IC tag and method for manufacturing the same | |
US11126044B1 (en) | Display device comprising a flip chip film connected to a connecting surface of a plurality of bonding pins and manufacturing method thereof | |
US6657696B2 (en) | Flexible substrate, electro-optical device and electronic equipment | |
JP2001156418A (ja) | 複合フレキシブル配線基板およびその製造方法、電気光学装置、電子機器 | |
TW561301B (en) | Electro-optical device and electronic apparatus | |
JP2000294897A (ja) | 回路基板ならびにそれを用いた表示装置および電子機器 | |
US8552641B2 (en) | Display panel, display panel module and electronic apparatus | |
US6741315B1 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
JP2000294895A (ja) | 回路基板およびその製造方法ならびに回路基板を用いた表示装置および電子機器 | |
JP2008203484A (ja) | 電気光学装置、フレキシブル回路基板の実装構造体及び電子機器 | |
KR101578215B1 (ko) | 백라이트 유닛 및 이를 구비한 액정표시장치 | |
JP2000284261A (ja) | 液晶装置及び電子機器 | |
US11825600B2 (en) | Printed circuit board, display device, and manufacturing method of display device | |
JP4285030B2 (ja) | 投射型表示装置 | |
JP2010169803A (ja) | 電気光学装置および電子機器 | |
KR20000048249A (ko) | 회로 기판 및 그 제조 방법과, 이 회로 기판을 사용한표시 장치 및 전자 기기 | |
KR100498848B1 (ko) | 회로 기판 및 회로 기판을 사용한 표시 장치 및 전자 기기 | |
JP2008185801A (ja) | 電気光学装置の製造方法及び電気光学装置並びに電子機器 | |
JP2002026484A (ja) | 表示装置 | |
JP2001274551A (ja) | 多層配線基板とこれを用いた電気光学装置ならびに電子機器と液晶装置 | |
KR100603848B1 (ko) | 캐리어 테이프를 가진 액정표시장치 | |
JP3646557B2 (ja) | 電気光学装置およびその装置を搭載する電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MK4A | Expiration of patent term of an invention patent |