TW478068B - Method of producing semiconductor device and system for producing the same - Google Patents

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TW478068B
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Kojiro Yuzuriha
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

478068 五、發明說明（1) 【發明所屬之領域】 本發明係關於具有多層配線的半導體裝置的製造方法， 更為詳細地而言，是關於防止S0G膜的塗敷不勻的半導體 裝置之製造方法及製造裝置。 【習知之技術】 隨著在半導體晶圓（以下簡稱為晶圓）的製造製程的積體 電路的微細化，由於配線的多層化、複雜化而有引起在層 間絕緣膜的表面產生波段及配線斷線等的可能性，因此， 有採用形成S0G(Spin on Glass)膜以使層間絕緣膜平坦化 的方法。 、，圖4為顯示形成s〇G(Spin on Glass)膜以使層間絕緣膜 f坦化的具有多層配線的半導體裝置的構造的一例的模式 剖面圖。1 0 1為由矽等所構成的半導體基板，丨丨〇、n 2為 配線層，1 〇 2為層間絕緣膜，1 1 1為連接孔。層間絕緣膜 1 0 2，係由第1絕緣膜1 〇 3、s〇G膜丨〇 4及第2絕緣膜1 〇 $所構 成。 習知之半導體裝置係由以下的方法所製造。在半導體某 上形成有配線。其次，在半導體基板101上，使藉; =水CVD，形成由氧化矽構成的第i絕緣膜1〇3覆蓋住配線 。接者，冑含有S0G原料的塗液旋轉塗敷於第1絕緣膜 103上，以形成S〇G塗膜。在此，採用聚矽氧烷 HSQ^ydro^en silsesqui〇xane)等的無機系 s〇g，及聚甲 下燒纖塗膜，形成由；。接著’ 4氧化狀態 风田乳化矽構成的S0G膜104。又，在
90101267.ptd
第5頁 五、發明說明（2) _ SOG膜104上，藉由雷將 膜105。藉此，形成由水第7法形成由氧化石夕構成的第2絕緣 膜1 05構成的層間絕緣= 3、SQG膜1 Μ及第2絕緣 絕緣膜102上形成且j2。接者，藉由照相製版在層間 阻層作為罩幕利用乾式蝕^連接孔1的孔的光阻層，以光 111。接著，在除去 > 义形成抵達配線層11 〇的連接孔 緣膜102上並使掩埋住二，，將配線材料覆被於層間絕 該被覆層之圖案加工，/:乂1 :經由選擇性濕式蝕刻對 11 0相連接的配線層i丨2 f >成經連接孔111而與配線層 【杂明所欲解決之問題】 然而，在絕緣膜1 〇 3的表面 伴有的發熱及加熱處理容易播士在CVD裝置内的電漿發生所 及有機物等的摻雜物。因此，炙除的未反應物的Si、ίί、N 容易潤濕絕緣膜丨0 3，會在s =於含有SOG原料的塗液不 而降低層間絕緣膜的平曰坦性，=膜形成時發生塗敷不勻， 崩塌及配線間的短路等的問題在形成連接孔之際產生孔的 為解決該問題，有多種方、去 利特開平丨丨—^^以號公報中可以撿討。例如，在日本專 處理使其親水化的方法，還有對絕緣膜1 03施以帶氧電漿 報及特開平^^”號公^中’在特開平1 1 -1 62965號公 氧處理以除去摻雜物的方法铁藉由利用紫外線照射的臭 公報中，將加熱處理與帶氧電=後，在特開平5 — 226482號 合的方法。 水處理及紫外線照射處理組 478068
然而，該效果並不充分，因此 塗敷不勻的方法成為必要。還有 要有更簡易且迅速的方法的問題 一種具有可更有效抑制 為降低製程成本，亦f 、在此，本發明之目的在於提供一種半導體裝置之製& 法及製造裝置，其可有效地抑制s〇G膜的塗敷不勻， 簡易且迅速予以實施者。 並可 【解決問題之手段】 $解決上述課題，本發明之半導體之製造方法，其係具 有夕層配線，在半導體基板上形成配線，並形成由氧化矽 $構成的絕緣膜以覆蓋住該配線與該基板，將含有原 7的塗液塗敷於該絕緣膜的全表面，形成s 〇 G膜以構成平 土一化層者，其特徵為：在s〇G膜形成之前，對絕緣膜施以 ^式餘刻，以提升上述塗液之相對於絕緣膜的濕潤性。本 $明之製造方法，係在S0G膜形成之前，對絕緣膜施以濕 式蚀刻，以溶解去除絕緣膜表面的氧化矽。此時，構成疏 水性的原因的Si-〇-Si結合被溶解除去，並且，也溶解除' 去勘附於絕緣膜表面的有機物等的摻雜物。藉此，絕緣膜 f面被親水化，由於提升了相對於塗液的濕潤性，因此， 可抑制S0G膜的塗敷不勻。又，濕式蝕刻係只要將具絕緣 +、的半導體基板’例如浸入到濕式I虫刻液中即可，因而， >、有間易、且迅速進行的特徵。 還有，本發明之製造方法，在上述濕式蝕刻之後及形成 即膜之前，在氧化狀態下含有以1〇()。(：：〜5〇〇。(：加熱的步 驟。 #
第7頁 478068 五、發明說明（4) 還有’本發明之製造方法，在上述濕式蝕刻時，可 敗化氫溶液。 還有’本發明之其他之半導體之製造方法，其係具有多 層配線，在半導體基板上形成配線，並形成由氧化矽膜構 成的絕緣膜以覆蓋住該配線與該基板，然後，將含有s〇G ，料的1液塗敷於該絕緣膜的全表面，形成$ 〇 G膜以構成 平-化層者，其特徵為··在膜形成之前，將親水性溶 =接=絕緣m，以提升上述塗液之相對於絕緣膜的渴潤 根據該方法，利用將親水性溶媒接觸於絕緣膜，可、、容 黏附於絕緣膜表面的有機物等的摻雜物。藉此’， :、1表:面被親水化，由於相對於塗液的濕潤性得到提 升，因此，可抑制S0G膜的塗敷不勻。又，由於 :::媒接觸於絕緣膜即可，故可達到簡*、且迅速進行 >還有，本發明之製造方法，上述溶媒，係可由 醇、η-丙醇及異丙醇中選擇至少一種醇所構成。 乙 本發明之半導體之製造裝置，其係 半導體裝置之製造方法中者，豆 ^有夕層配線之 配魂，甘报占i今儿 首八使用在+導體基板上形成 S丞板將3有S〇G原料的塗液塗敷於 [、 面，形成S0G膜以構成平扭备屆去 巴、、水Μ的全表 置，包含有：前段處理部―，用曰以處理形：於為且該製造褒 體基板上的絕緣臈表面予以處理；S0G塗敷、# f八之半導 原料的塗液塗敷於表面經過處理 敷二’將，^ 不狀的全表面用以形 478068 五、發明說明（5) 成S0G塗膜；燒成該塗膜的s〇G處理 =;==敷部乃至S〇G處理部：搬=又板從 本：…ί;置= = -者。 成者，具有對絕緣膜施以钱刻 =I使用匕括下述構 刻槽從具有絕緣膜的半導體美板』:的蝕亥"曹，鄰接蝕 鄰接洗淨槽將具有絕緣膜的；=虫刻液的洗淨槽’及 下=成iC置，上述溶媒處理部可使用包括 = :媒供應給絕緣膜表面的溶媒供應部。 A m ^ Φ m I之製造裝置，上述前段處理部可含有至少 “乳電㈣生部與紫外線照射部的任—者。有" 構：ί : Ϊ製造裝置’上述搬送部可使用包括下述 搬送裝置，i“可送軌道前後移動地被安裝的 導體基板的挾持部。月匕、女裝於該搬送裝置的用以握持半 構ί n:::製造裝置’ 士述挾持部可使用包括下述 制地握持半‘體：：2t送裝置的懸掛臂’可旋轉控 構件。持用墊片，及連接該懸掛臂與挾持構件的連接 【發明之實施形態】 (實以施下形態!r圖式’說明本發明的實施形態。 90101267.ptd 第9頁 478068 五、發明說明（6) 圖3為顯示在本發明之實施形態1的半導體裝置的製造方 法的製造步驟的流程圖。還有，圖3為顯示在本發明之實 施形態1的半導體裝置的製造裝置的結構的模式圖。該製 造裝置係由晶圓搬入部1 〇、前段處理部20、S0G塗敷部 30、S0G第1處理部40、S0G第2處理部50及晶圓搬出部60所 構成。搬入至晶圓搬入部1 〇的晶圓’藉由搬送部7 0搬出， 在前段處理部20進行對絕緣膜的親水化的處理，在SOG塗 敷部30處使SOG塗膜形成於絕緣膜上，在SOG第1處理部4〇 與SOG第2處理部50燒成SOG塗膜，由晶圓搬出部60處搬出 至外部，再移送至配線等的下一步驟。 晶圓搬入部1 0具備用以載置晶圓的可上下移動且可旋轉 自如的托台（未圖示），將由外部搬入之晶圓置放於該托台 上，使構成一待機狀態。 搬送邛7 0係由沿晶圓搬送方向延伸的搬送軌道與搬送聋 置（未圖示）所構成。在晶圓搬入部10，處於待機狀態的^ 圓係由搬送裝置的晶圓挾持部（未圖示）握持住其外^产g 以吊起，並將其由托台搬送到前段處理部2〇。 、冬 "前段處理部20具有選自於濕式餘刻部、溶媒 、· 乳電t發±部與紫外線照射部中至少任 ^ 圖1為濕式蝕刻部21的構造…莖、曰J处理邛° 搬送裝置211，從晶圓搬入部搬入至、、晶 j别後移動的 2〇〇，暫時被載置於可上下移動的托=刻部21的晶圓 送裝置211安裝有用以握持 口 20上。在此，在掏 孖日日囫200的挾持部212。挾持部 478068 五、發明說明（7) :2上由丄降4可能的連接於搬送裝置21 1的懸掛臂213，可 拉播二9 i ς山屋持晶圓2 〇 〇的外周緣的挾持構件2 1 5，設於挾 梏禮杜？ 1 r t部的握持用墊片21 6，及連接懸掛臂21 3與挾 姓拔丛9 r 6、連接構件2 1 4所構成，懸掛臂2 1 3的升降與挾 持構件215的旋轉係由控制裝置（未圖示）所控制。 +將晶圓2 0 0搬送至含有钱刻液235的银刻槽23〇上，接 =，令，掛臂213下降，再將晶圓2〇〇放入钱刻液23 5中浸 /規疋的日守間予以濕式韻刻。然後，令縣掛臂2 1 3上 二’從㈣液235中提起晶圓2。〇,再搬；上水 36的洗淨槽231上。令懸掛臂213下降，將晶圓2〇〇浸泡於 ，>尹水236中’以除去黏附於晶圓2〇〇的钮刻液挪。再接 者，令懸掛臂21 3上升，從洗淨水2 36中提起晶圓2〇〇，搬 =至乾燥槽232上。然後，令懸掛臂213下降，將晶圓2〇〇 放入乾燥槽232中保持為懸掛狀態，利用異丙醇蒸氣斑曰 圓200接觸藉以置換附著於晶圓2〇〇水份後，再加熱以除a曰去 異丙醇。再接著，令懸掛臂213上升，從乾燥槽23ς中提 晶圓200，將晶圓20 0搬送至s〇G塗敷部30。 一在此，可使用氟化氫溶液、氟化氫溶液與含有氟離子的 溶液的混合液或氟化氫溶液與硝酸的混合液作為蝕刻液，
但是，以使用氟化氫溶液為較佳選擇。可使用高純二= 且敍刻速度相當地高。 X 還有，在對晶圓20 0進行濕式蝕刻、洗淨、乾燥後，以 在氧化狀態下的加熱為較佳。加熱溫度以1 〇 〇它〜5 Q 〇 、 若為30 0 °c〜5 0 0 °C則更佳。絕緣膜一般係藉由CVD法所带 90101267.ptd 第11頁 478068
，、必銥Μ中有微量殘存未反應Si、H、N等的情形。 狀態下的加熱，可除去即使利用濕式蝕刻也盔 f除去的Η、N。冑有’可使未反應以轉化為氧化矽。藉’、、、 此，可使絕緣膜更為親水化。 曰 立將完成前段處理的晶圓，搬送至S0G塗敷部30。S0G塗敷 =、〇具有與溶媒處理部22相同的結構，將含有s〇G原料的 =液提供給載置於旋轉台上的晶圓，以形成s〇G塗膜於絕 緣膜上。 々在S0G第1處理部4〇與3〇(；第2處理部5〇燒成s〇G塗膜。在 第1〃處理部40中，使在惰性氣體狀態下燒成s〇G塗膜，以形 ，^化矽的前身。例如，在氮氣狀態下，可使用1 5 0 °C時1 分鐘+ 2 0 0 °C時1分鐘+ 3 0 0 °C時1分鐘的條件。還有，在第2 處，，5 0中’使燒成氧化矽的前身以構成氧化矽。例如， 在氧氣或含有氧氣與氮氣的狀態下，可使用4 0 0 °C時6 0分 鐘的條件。 將燒卻元成S 〇 G塗膜的晶圓，搬送至晶圓搬出部6 〇，然 後’再移送至用以形成絕緣膜與配線等的下一步驟。 根據本實施形態1，藉由對絕緣膜的表面施以濕式蝕 刻’以溶解除去構成疏水性原因的Si-〇_Si結合，並且， 溶解除去黏附於絕緣膜表面的有機物等的摻雜物。藉此， 由於絕緣膜的表面被親水化，而相對於塗液的濕潤性得到 提升’從而可抑制SOG膜的塗敷不勻。 (實施形態2 ) 本實施形態2係在實施形態1中，除將上述前段處理部改
90101267.ptd
第12頁 478068 五、發明說明（9) 成溶媒處理部以外，具有與實施形態1相同的其他結構 圖2為溶媒處理部2 2的構造的模式側視圖，顯示其中一 口P分剖面構造。溶媒處理部2 2係由旋轉塗敷部2 5 〇與溶媒 供應部2 6 0所構成。從晶圓搬入部丨〇搬送至旋轉塗敷部2 5 〇 上的晶圓20 0，經使懸掛臂213下降，被載置於連接驅動部 253的旋轉台25 2上。此時，圍住旋轉台25 2的可升降的杯 j 1下降以使將b曰圓2 0 〇載置於旋轉台2 5 2上之作業更為 谷易。溶媒供應部260係由洗淨水箱262、263、切換閥264 嘴261所構成。使來自喷嘴261的親水姓溶媒，吹向於 =轉台252上的旋轉中的晶圓m， ：«200,. 附=於晶圓2 0 0表面的親水性溶媒置換成洗淨水。再 旋Ϊ ^洗淨水的供應，#由保持原狀使晶圓20 0進行 方疋轉，除去附著之水分以乾燥晶圓2〇()。 用2 Γ =低沸點、低毒性者作為親水性溶媒較佳，可使 用例如，曱醢、7龄 丁入丨土 J丨又 媒，且以里而iT & η—丙醇及異丙醇等的醇用於上述溶 示 1以呉丙醇為最理想。 根據本只施形態2，由於使制 旋轉晶圓一邊供痺玄拔m 製耘洗淨用的醇，可一邊 理。 邊應冷媒’因而’可進行簡易且迅速地處 予以ΐ Ϊ處J:ί:蜀地予以實施’但也可與濕式餘刻組合 為較佳。此i因接續濕式钱刻’11進行溶媒處理 (實施形態3)、 ’、'合’、地理可兼併用作晶圓的乾燥處理。
478068 五、發明說明（ίο) 上係在實施形態1中，除在上述前段處理部加 上濕式蝕亥"又具有紫外線照射部以外形態 1相同的其他結構。 $ ^外線照射# ’係將紫外線光源、收容有紫外線光源的 二目體部及載置晶圓的托台，配置於可將空氣導入及排出的 ^里容&内者。當將來自紫外線光源的紫外線照射至晶圓 ^不僅可通過紫外線將黏附於晶圓上的有機物等的推雜 物为解，也可將由箱體與晶圓間的空氣所發生的臭氣予以 分解。 根據本實施形態3，可獲得與實施形態丨相同的效果，並 且，使用紫外線照射部的前處理，可有效除去例如，〇. i 二以下的微小異*。因此’例如，在為〇 ·】…設計標準 ^二段處理中，藉由使在濕式蝕刻與溶媒處理之後進行， 可有效地除去摻雜物。 (實施形態4 ) 本實施形態4係在實施形態丨中，除在上述前段處理部加 =濕式蝕刻部又具有帶氧電漿發生部以外，具有與實施形 相同的其他結構。帶氧電漿發生部，係係由電漿裝置 厅構成，將氧氣導入電漿裝置内，由生成之帶 漿分解 黏附於絕緣膜上的摻雜物的有機物。 根據本實施形態4，可獲得與實施形態丨相同的效果，並 且’使用帶氧電漿發生部的前段處理，可有效除去例如， 下：微小異物。因此，例在為〇」 設計 ^準的别段處理中，藉由使在濕式餘刻與溶媒處理之後進
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五、發明說明（11) 行，可有效地除去摻雜物。 在^ ’在燒成S0G塗膜後，進行晶圓表面的異物缺陷檢 查。藉由該檢查可調查出由塗敷不勻造成空氣進入s〇G膜 引f的斑點異物的數量。若該斑點異物的數量減少，則意 $著塗敷不勻有受到抑制。相對於未實施前段處理的情形 時的斑點異物的數量為每一晶圓57〇〇個，在實施了使用氟 化氫溶液的濕式蝕刻後，則為3 7 〇個。還有，在實施了使 用異丙醇的溶媒處理後，則為丨丨〇〇個左右。 【發明效果】
、，如上述之，本發明之半導體裝置的製造方法，由於係名 f導體基板上形成配線，並使覆蓋住配線與基板，形成_ 氧化矽膜構成的絕緣膜，在s〇G膜形成之前，對絕緣膜施 以濕式蝕刻，因此，簡易、且迅速地使含有s〇G原料的塗 液相對於絕緣膜的濕潤性上升，可抑 广本發明之製造方法，由於係在」刻之後， 2化狀悲下以loot:〜5Q(rc進行加熱，因而可減少未万 t，可提升含有SQG原料的塗液相對於絕緣膜的濕潤 用3 : #亡’二月之製w方法’由於在上述濕式蝕刻時，使 用鼠化氲浴液，可縮短蝕刻所需的時間。 還有，本發明之製造方法，由於係在半導體美 西己線’並使覆蓋住配線與基板，％成由氧 ς “ 因此’簡[且迅速地使上述塗液相對於絕緣膜的二
478068 ，由於 予以處 面經過 ，燒成 部搬送 前段處 因此， 到抑制 造裝置 所構成 處理。 造裝置 構成， 供應給 勻。 造方法，由於可從曱醇、乙醇、n一丙 少一種醇用於上述溶媒，因此，可安 五、發明說明（12) 上升，可抑制塗敷不 還有，本發明之製 醇及異丙醇中選擇至 全且迅速的進行處理 本發明之製造裝置 上形成的絕緣膜表面 原料的塗液塗敷於表 成S 0 G膜的s 〇 G塗敷部 導體基板從前段處理 搬送部所構.成，又， 媒處理部之任一者， 地形成塗敷不勻被受 還有，本發明之製 槽、洗淨槽及乾燥槽 因此，可迅速地進行 還有，本發明之製 敷部及溶媒供應部所 體基板，一邊將溶媒 地進行處理。 、還有’本發明之製 為帶氧電漿發生部與 去，其微小的摻雜物 還有，本發明之製 搬送# $ u 、攻置，及升降可 係由對在具配線的半導體基板
理的前段處理部，將含有S 〇 G 處理的絕緣膜的全表面用以形 該塗膜的S0G處理部，及將半 至S0G塗敷部乃至s〇G處理部的 理σ卩至少含有濕式餘刻部與溶 可使裝置結構簡單化，可^速 的S0G膜。 ，由於濕式蝕刻部係由蝕刻 且接其順序鄰接予以配置， ，由於溶媒處理部係由旋轉塗 且邊旋轉具有絕緣膜的半導 絕緣膜的表面，因&，可迅速 造裝置’由於前段卢田 呰α ^ ^ μ 處部可含有至少 1外線知、射π的任—者，因此，可除 、’可更有效地抑制塗敷不勻。’、 二裝f ’由於搬送部係由搬送軌道， 能的安裝於該搬送裝 展置的用以握持半
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導體基板的挟持部所播a、 還有，本發明之製造：置因二地進行處理。 連接於搬送裝置的懸掛f 轉制：;系由升降可能的 的外周緣的挾持構件，設於制地握持半導體基板 片，及連接該懸掛臂與挾持^件、，件端部的握持用塾 半導體基板的升降與；;構件所構成，因 處理。 ^易’而可迅逮地進行 【元件編號之說明】 10 20 21 22 30 晶圓搬入部 前段處理部 濕式姓刻部 溶媒處理部 SOG塗敷部 40 50 60 SOG第1處理部 SOG第2處理部 晶圓搬出部 70 搬送部 101 102 103 104 半導體基板 層間絕緣膜 第1絕緣膜 SOG膜 105 110 111 第2絕緣膜 配線層 連接孔 478068 五、發明說明（14) 112 配線層 200 晶圓 210 搬送軌道 211 搬送裝置 212 挾持部 213 懸掛臂 214 連接構件 215 挾持構件 216 握持用墊片 220 托台 230 蝕刻槽 231 洗淨槽 232 乾燥槽 235 蚀刻液 236 洗淨水 250 旋轉塗敷部 251 杯 252 旋轉台 253 驅動部 260 溶媒供應部 261 喷嘴 262 溶媒箱 263 溶媒箱 264 切換閥
90101267.ptd 第18頁 478068 圖式簡單說明 圖1為顯示在本發明之實施形態1的半導體裝置的製造方 法所使用的濕式蝕刻部的構造的模式側視圖。 圖2為顯示在本發明之實施形態2的半導體裝置的製造方 法所使用的溶媒處理部的構造的模式側視圖。 圖3為顯示在本發明之實施形態1的半導體裝置的製造方 法的製造步驟的流程圖。 圖4為顯示具有多層配線的半導體裝置的構造的模式剖 視圖。
90101267.ptd 第19頁

Claims (1)

  1. 478068
    半導髀？ ί 置之製造方法’其係具有多層配線，在 以覆叢：ί上形成配線，並形成由氧化矽膜構成的絕緣膜 兮的ί亥配線與該基板，將含有S0G原料的塗液塗敷於、 :為的全表面，形成S〇G膜以構成平坦化層者，ίί = S〇G膜形成之前，對絕緣膜施以濕式蝕刻，以提升上 ’L主液之相對於絕緣膜的濕潤性。 2^如申請專利範圍第丨項之半導體裝置之製造方法，其 上述濕式钱刻之後，在氧化狀態下以100 °C〜50 0 °C予 以加熱。 ^如申請專利範圍第丨項之半導體裝置之製造方法，其 上述濕式餘刻時，使用氟化氫溶液。 | :種半導體裝置之製造方法，其係具有多層配線，在 r舜」基板上形成配線’並形成由氧化矽膜構成的絕緣膜 涂^蓋住忒配線與該基板，然後，將含有S0G原料的塗液 =欠於及絕緣膜的全表面，形成S0G膜以構成平坦化層 者’其特徵為·· fSOG膜形成之前，將親水性溶媒接觸於絕緣膜，以提 述塗液之相對於絕緣膜的濕潤性。 / 士、申明專利範圍第4項之半導體裝置之製造方法，其 I 述溶媒’係可由甲醇、乙醇、η—丙醇及異丙醇中選擇 至少一種醇所構成。 # ^ ¥種ί導體製造裝置，其係用於具有多層配線之半導 "之製造方法中者，其在半導體基板上形成配線，並
    第20頁 478068 六、申請專利範圍 :ί 成的絕緣膜以覆蓋住該配線與該基板， Ξ ί ΓΓ/； Λ a ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ «〇g 膜以構成平坦化層者，其特徵為· 該製造裝置，包含有： ^ 前段處理部，用以虛王5犯Λ、# H , 絕緣膜表面； &升4於具配線之半導體基板上的 含有S0G原料的塗液塗敷於表面經過處理 的、、、巴、味膜的王表面用以形成s〇G塗膜； 燒成該塗膜的S0G處理部；及 將半導體基板從前段處理部搬送至塗 部的搬送部， π主ύυυ爽理 前段處理冑至少含有式餘刻部肖溶媒冑 一 者0 7·如申請 濕式餘刻部 钱刻槽；鄰 去姓刻液的 導體基板予 8 ·如申請 溶媒處理部 基板之具旋 膜表面的溶 9·如申請 前段處理部 專利範圍 ，係包括 接該钱刻 洗淨槽； 以乾燥的 專利範圍 ，包括有 轉台的旋 媒供應部 專利範圍 ，包括至 弟b項之半導體製造裝置，其中上述 •具有對絕緣膜施以颠刻之姓刻液的 槽並從具有絕緣膜的半導體基板中除 及鄰接該洗淨槽並將具有絕緣膜的 乾燥槽。 第6項之半導體製造裝置，其中上述 •用以載置具有上述絕緣膜之半導體 轉塗敷部；及將溶媒供應給上述絕緣 〇 第6項之半導體製造裝置，其中上迷 少為帶氧電漿發生部與紫外線照射部
    478068
    第22頁
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