JP2002043420A - 半導体装置の製造方法及び製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び製造装置Info
- Publication number
- JP2002043420A JP2002043420A JP2000222481A JP2000222481A JP2002043420A JP 2002043420 A JP2002043420 A JP 2002043420A JP 2000222481 A JP2000222481 A JP 2000222481A JP 2000222481 A JP2000222481 A JP 2000222481A JP 2002043420 A JP2002043420 A JP 2002043420A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- sog
- unit
- manufacturing
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 53
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 41
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 21
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 13
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 11
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 5
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 54
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 8
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- -1 polymethylsiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 231100000053 low toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76826—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by contacting the layer with gases, liquids or plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/314—Inorganic layers
- H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76825—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. by exposing the layer to particle radiation, e.g. ion implantation, irradiation with UV light or electrons etc.
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76822—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc.
- H01L21/76828—Modification of the material of dielectric layers, e.g. grading, after-treatment to improve the stability of the layers, to increase their density etc. thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＯＧ膜の塗布ムラを抑制する効果に優れ、
簡易、かつ、迅速に実施可能な多層配線を有する半導体
装置の製造方法、及び製造装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板上に配線を形成し、配線と基
板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を形成
し、ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエット
エッチングして、塗液の絶縁膜に対する濡れ性を向上さ
せる。
簡易、かつ、迅速に実施可能な多層配線を有する半導体
装置の製造方法、及び製造装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板上に配線を形成し、配線と基
板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を形成
し、ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエット
エッチングして、塗液の絶縁膜に対する濡れ性を向上さ
せる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線を有する
半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、ＳＯＧ
膜の塗布ムラを防止する半導体装置の製造方法及び製造
装置に関する。
半導体装置の製造方法に関し、さらに詳しくは、ＳＯＧ
膜の塗布ムラを防止する半導体装置の製造方法及び製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ（以下、ウエハと略す。）
の製造プロセスにおける集積回路の微細化に伴い、配線
の多層化、複雑化により層間絶縁膜表面に段差が生じ、
配線の断線等を生じる可能性があるので、ＳＯＧ（Spin
on Glass）膜を形成して層間絶縁膜を平坦化する方
法が用いられている。
の製造プロセスにおける集積回路の微細化に伴い、配線
の多層化、複雑化により層間絶縁膜表面に段差が生じ、
配線の断線等を生じる可能性があるので、ＳＯＧ（Spin
on Glass）膜を形成して層間絶縁膜を平坦化する方
法が用いられている。
【０００３】図４は、ＳＯＧ膜を用いて層間絶縁膜を平
坦化した、多層配線を有する半導体装置の構造の一例を
示す模式断面図である。１０1はシリコン等から成る半
導体基板、１１０,１１２は配線層、１０２は層間絶縁
膜、１１１は接続孔である。層間絶縁膜１０２は、第１
の絶縁膜１０３と、ＳＯＧ膜１０４と、第２の絶縁膜１
０５とから成る。
坦化した、多層配線を有する半導体装置の構造の一例を
示す模式断面図である。１０1はシリコン等から成る半
導体基板、１１０,１１２は配線層、１０２は層間絶縁
膜、１１１は接続孔である。層間絶縁膜１０２は、第１
の絶縁膜１０３と、ＳＯＧ膜１０４と、第２の絶縁膜１
０５とから成る。
【０００４】従来の半導体装置は、以下の方法により製
造されている。半導体基板１０１の上に、配線１１０を
形成する。次に、半導体基板１０１の上に、配線１１０
を覆うようにプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンから
成る第１の絶縁膜１０３を形成する。次にＳＯＧ原料を
含む塗液を第１の絶縁膜１０３の上に回転塗布して、Ｓ
ＯＧの塗膜を形成する。ここで、ＳＯＧ原料としては、
水素シルセスキオキサン等の無機系ＳＯＧや、ポリメチ
ルシロキサン等の有機ＳＯＧが用いられている。次に、
ＳＯＧの塗膜を酸化雰囲気下で焼成して、酸化シリコン
から成るＳＯＧ膜１０４を形成する。次に、ＳＯＧ膜１
０４の上にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンから成
る第２の絶縁膜１０５を形成する。これにより、第１の
絶縁膜１０３と、ＳＯＧ膜１０４と、第２の絶縁膜１０
５とから成る層間絶縁膜１０２が形成される。次に、層
間絶縁膜１０２の上に接続孔１１１に対応する孔を有す
るレジスト層を写真製版により形成し、レジスト層をマ
スクとしてドライエッチングにより配線層１１０に達す
る接続孔１１１を形成する。次いで、レジスト層を除去
した後、層間絶縁膜１０２の上に接続孔１１１を埋める
ように配線材を被着し、その被着層を選択的ドライエッ
チングによりパターニングすることにより接続孔１１１
を介して配線層１１０に接続する配線層１１２を形成し
ている。
造されている。半導体基板１０１の上に、配線１１０を
形成する。次に、半導体基板１０１の上に、配線１１０
を覆うようにプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンから
成る第１の絶縁膜１０３を形成する。次にＳＯＧ原料を
含む塗液を第１の絶縁膜１０３の上に回転塗布して、Ｓ
ＯＧの塗膜を形成する。ここで、ＳＯＧ原料としては、
水素シルセスキオキサン等の無機系ＳＯＧや、ポリメチ
ルシロキサン等の有機ＳＯＧが用いられている。次に、
ＳＯＧの塗膜を酸化雰囲気下で焼成して、酸化シリコン
から成るＳＯＧ膜１０４を形成する。次に、ＳＯＧ膜１
０４の上にプラズマＣＶＤ法により酸化シリコンから成
る第２の絶縁膜１０５を形成する。これにより、第１の
絶縁膜１０３と、ＳＯＧ膜１０４と、第２の絶縁膜１０
５とから成る層間絶縁膜１０２が形成される。次に、層
間絶縁膜１０２の上に接続孔１１１に対応する孔を有す
るレジスト層を写真製版により形成し、レジスト層をマ
スクとしてドライエッチングにより配線層１１０に達す
る接続孔１１１を形成する。次いで、レジスト層を除去
した後、層間絶縁膜１０２の上に接続孔１１１を埋める
ように配線材を被着し、その被着層を選択的ドライエッ
チングによりパターニングすることにより接続孔１１１
を介して配線層１１０に接続する配線層１１２を形成し
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、絶縁膜１０３
の表面は、ＣＶＤ装置内でのプラズマ発生に伴う発熱や
加熱処理により疎水性となり易い。また、プラズマＣＶ
Ｄ法により酸化シリコンを形成する際の未反応物である
Ｓｉ，Ｈ，Ｎや、有機物等の不純物が付着している。そ
のため、ＳＯＧ原料を含む塗液が絶縁膜１０３に濡れ難
くいので、ＳＯＧの塗膜形成時に塗布ムラが発生し、層
間絶縁膜の平坦性を低下させ、接続孔や配線を形成する
際に、孔の潰れや配線間の短絡をもたらすという問題が
あった。
の表面は、ＣＶＤ装置内でのプラズマ発生に伴う発熱や
加熱処理により疎水性となり易い。また、プラズマＣＶ
Ｄ法により酸化シリコンを形成する際の未反応物である
Ｓｉ，Ｈ，Ｎや、有機物等の不純物が付着している。そ
のため、ＳＯＧ原料を含む塗液が絶縁膜１０３に濡れ難
くいので、ＳＯＧの塗膜形成時に塗布ムラが発生し、層
間絶縁膜の平坦性を低下させ、接続孔や配線を形成する
際に、孔の潰れや配線間の短絡をもたらすという問題が
あった。
【０００６】この問題を解決するため、いくつかの方法
が検討されている。例えば、特開平１１−２５１３１２
号公報には、絶縁膜１０３を酸素プラズマ処理して親水
化する方法が、また、特開平１１−１６２９６５号公報
や特開平１１−８７３３７号公報には、紫外線照射によ
るオゾン処理により不純物を除去する方法が、そして、
特開平５−２２６４８２号公報には、加熱処理と、酸素
プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせる方法が
提案されている。
が検討されている。例えば、特開平１１−２５１３１２
号公報には、絶縁膜１０３を酸素プラズマ処理して親水
化する方法が、また、特開平１１−１６２９６５号公報
や特開平１１−８７３３７号公報には、紫外線照射によ
るオゾン処理により不純物を除去する方法が、そして、
特開平５−２２６４８２号公報には、加熱処理と、酸素
プラズマ処理と紫外線照射処理とを組み合わせる方法が
提案されている。
【０００７】しかしながら、その効果は十分ではなく、
より優れた塗布ムラ抑制の効果を有する方法が必要とさ
れている。また、プロセスコストの低減のため、より簡
易、かつ、迅速な方法が必要とされているという問題も
あった。
より優れた塗布ムラ抑制の効果を有する方法が必要とさ
れている。また、プロセスコストの低減のため、より簡
易、かつ、迅速な方法が必要とされているという問題も
あった。
【０００８】そこで、本発明は、ＳＯＧ膜の塗布ムラを
抑制する効果に優れ、簡易、かつ、迅速に実施可能な半
導体の製造方法、及び製造装置を提供することを目的と
した。
抑制する効果に優れ、簡易、かつ、迅速に実施可能な半
導体の製造方法、及び製造装置を提供することを目的と
した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明の半導体の製造方法は、半導体基板上に配線
を形成し、該配線と該基板とを覆うようにシリコン酸化
膜から成る絶縁膜を形成し、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原
料を含む塗液を塗布してＳＯＧ膜を形成し平坦化層とな
す、多層配線を有する半導体装置の製造方法において、
ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエットエッ
チングし、上記塗液の絶縁膜に対する濡れ性を向上させ
たことを特徴とする。本発明の製造方法は、ＳＯＧ膜を
形成するに前に、絶縁膜をウエットエッチングして、絶
縁膜の表面の酸化シリコンを溶解除去するものである。
この時、疎水性の原因となるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合も溶解
除去され、さらに、絶縁膜の表面に付着した有機物等の
不純物も溶解除去される。これにより、絶縁膜の表面が
親水化され、塗液に対する濡れ性が向上するので、ＳＯ
Ｇ膜の塗布ムラを抑制することができる。さらに、ウエ
ットエッチングは、絶縁膜を有する半導体基板を、例え
ば、エッチング液に浸漬すれば良く、簡易、かつ、迅速
に行うことができるという特徴を有している。
め、本発明の半導体の製造方法は、半導体基板上に配線
を形成し、該配線と該基板とを覆うようにシリコン酸化
膜から成る絶縁膜を形成し、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原
料を含む塗液を塗布してＳＯＧ膜を形成し平坦化層とな
す、多層配線を有する半導体装置の製造方法において、
ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエットエッ
チングし、上記塗液の絶縁膜に対する濡れ性を向上させ
たことを特徴とする。本発明の製造方法は、ＳＯＧ膜を
形成するに前に、絶縁膜をウエットエッチングして、絶
縁膜の表面の酸化シリコンを溶解除去するものである。
この時、疎水性の原因となるＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合も溶解
除去され、さらに、絶縁膜の表面に付着した有機物等の
不純物も溶解除去される。これにより、絶縁膜の表面が
親水化され、塗液に対する濡れ性が向上するので、ＳＯ
Ｇ膜の塗布ムラを抑制することができる。さらに、ウエ
ットエッチングは、絶縁膜を有する半導体基板を、例え
ば、エッチング液に浸漬すれば良く、簡易、かつ、迅速
に行うことができるという特徴を有している。
【００１０】また、本発明の製造方法は、上記ウエット
エッチングの後、ＳＯＧ膜を形成する前に、酸化雰囲気
下、１００℃〜５００℃で加熱する工程を含むことがで
きる。
エッチングの後、ＳＯＧ膜を形成する前に、酸化雰囲気
下、１００℃〜５００℃で加熱する工程を含むことがで
きる。
【００１１】また、本発明の製造方法は、上記ウエット
エッチングに、フッ化水素溶液を用いることができる。
エッチングに、フッ化水素溶液を用いることができる。
【００１２】また、本発明の別の半導体の製造方法は、
半導体基板上に配線を形成し、該配線と該基板とを覆う
ようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を形成し、次い
で、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含む塗液を塗布して
ＳＯＧ膜を形成し平坦化層となす、多層配線を有する半
導体装置の製造方法において、ＳＯＧ膜を形成するに先
立って、親水性の溶媒を絶縁膜に接触せしめて、上記塗
液の絶縁膜に対する濡れ性を向上させたことを特徴とす
る。この方法によれば、絶縁膜に親水性の溶媒を接触さ
せることにより、絶縁膜表面に付着した有機物等の不純
物を溶解、あるいは洗い流すことができる。これによ
り、絶縁膜の表面が親水化され、塗液に対する濡れ性が
向上するので、ＳＯＧ膜の塗布ムラを抑制することがで
きる。さらに、絶縁膜に親水性の溶媒を接触させるだけ
で良いので、簡易、かつ、迅速に行うことができる。
半導体基板上に配線を形成し、該配線と該基板とを覆う
ようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を形成し、次い
で、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含む塗液を塗布して
ＳＯＧ膜を形成し平坦化層となす、多層配線を有する半
導体装置の製造方法において、ＳＯＧ膜を形成するに先
立って、親水性の溶媒を絶縁膜に接触せしめて、上記塗
液の絶縁膜に対する濡れ性を向上させたことを特徴とす
る。この方法によれば、絶縁膜に親水性の溶媒を接触さ
せることにより、絶縁膜表面に付着した有機物等の不純
物を溶解、あるいは洗い流すことができる。これによ
り、絶縁膜の表面が親水化され、塗液に対する濡れ性が
向上するので、ＳＯＧ膜の塗布ムラを抑制することがで
きる。さらに、絶縁膜に親水性の溶媒を接触させるだけ
で良いので、簡易、かつ、迅速に行うことができる。
【００１３】また、本発明の製造方法は、上記溶媒に、
メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルア
ルコール、そして、イソプロピルアルコールから選ばれ
た少なくとも１種のアルコールを用いることができる。
メチルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルア
ルコール、そして、イソプロピルアルコールから選ばれ
た少なくとも１種のアルコールを用いることができる。
【００１４】また、本発明の製造装置は、半導体基板上
に配線を形成し、該配線と該基板とを覆うようにシリコ
ン酸化膜から成る絶縁膜を形成し、該絶縁膜の全面にＳ
ＯＧ原料を含む塗液を塗布してＳＯＧ膜を形成し平坦化
層となす、多層配線を有する半導体装置の製造方法に用
いる製造装置であって、該製造装置が、配線を有する半
導体基板上に形成された絶縁膜の表面を処理する前処理
部と、表面が処理された絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含
む塗液を塗布してＳＯＧの塗膜を形成するＳＯＧ塗布部
と、該塗膜を焼成するＳＯＧ処理部と、半導体基板を前
処理部からＳＯＧ塗布部、そしてＳＯＧ処理部へ搬送す
る搬送部とから成り、さらに、前処理部が、少なくと
も、ウエットエッチング部と溶媒処理部のいずれかを含
むことを特徴とする。
に配線を形成し、該配線と該基板とを覆うようにシリコ
ン酸化膜から成る絶縁膜を形成し、該絶縁膜の全面にＳ
ＯＧ原料を含む塗液を塗布してＳＯＧ膜を形成し平坦化
層となす、多層配線を有する半導体装置の製造方法に用
いる製造装置であって、該製造装置が、配線を有する半
導体基板上に形成された絶縁膜の表面を処理する前処理
部と、表面が処理された絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含
む塗液を塗布してＳＯＧの塗膜を形成するＳＯＧ塗布部
と、該塗膜を焼成するＳＯＧ処理部と、半導体基板を前
処理部からＳＯＧ塗布部、そしてＳＯＧ処理部へ搬送す
る搬送部とから成り、さらに、前処理部が、少なくと
も、ウエットエッチング部と溶媒処理部のいずれかを含
むことを特徴とする。
【００１５】また、本発明の製造装置は、上記ウエット
エッチング部が、絶縁膜をエッチングするエッチング液
を有するエッチング槽と、エッチング槽に隣接し絶縁膜
を有する半導体基板からエッチング液を除去する洗浄槽
と、洗浄槽に隣接し絶縁膜を有する半導体基板を乾燥す
る乾燥槽とから成るものを用いることができる。
エッチング部が、絶縁膜をエッチングするエッチング液
を有するエッチング槽と、エッチング槽に隣接し絶縁膜
を有する半導体基板からエッチング液を除去する洗浄槽
と、洗浄槽に隣接し絶縁膜を有する半導体基板を乾燥す
る乾燥槽とから成るものを用いることができる。
【００１６】また、本発明の製造装置は、上記溶媒処理
部が、絶縁膜を有する半導体基板を載置する回転ステー
ジを有する回転塗布部と、絶縁膜の表面に溶媒を供給す
る溶媒供給部とから成るものを用いることができる。
部が、絶縁膜を有する半導体基板を載置する回転ステー
ジを有する回転塗布部と、絶縁膜の表面に溶媒を供給す
る溶媒供給部とから成るものを用いることができる。
【００１７】また、本発明の製造装置は、上記前処理部
が、少なくとも、酸素プラズマ発生部と紫外線照射部の
いずれかを含むことができる。
が、少なくとも、酸素プラズマ発生部と紫外線照射部の
いずれかを含むことができる。
【００１８】また、本発明の製造装置は、上記搬送部
が、搬送レールと、該搬送レールに沿って前後移動可能
に取り付けられた搬送装置と、該搬送装置に昇降可能に
取り付けられ半導体基板を握持する挟持部とから成るも
のを用いることができる。
が、搬送レールと、該搬送レールに沿って前後移動可能
に取り付けられた搬送装置と、該搬送装置に昇降可能に
取り付けられ半導体基板を握持する挟持部とから成るも
のを用いることができる。
【００１９】また、本発明の製造装置は、上記挟持部
が、搬送装置に昇降可能に接続された懸垂アームと、半
導体基板の外周縁を握持し回動制御可能な挟持部材と、
該挟持部材の端部に設けられた握持用パッドと、該懸垂
アームと挟持部材とを連結する連結部材をから成るもの
を用いることができる。
が、搬送装置に昇降可能に接続された懸垂アームと、半
導体基板の外周縁を握持し回動制御可能な挟持部材と、
該挟持部材の端部に設けられた握持用パッドと、該懸垂
アームと挟持部材とを連結する連結部材をから成るもの
を用いることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。 実施の形態１．図３は、本実施の形態１に係る半導体装
置の製造方法における製造工程を示す流れ図である。ま
た、図３は、本実施の形態１に係る半導体装置の製造装
置の構成を示す模式図でもある。この製造装置は、ウエ
ハ搬入部１０、前処理部２０、ＳＯＧ塗布部３０、ＳＯ
Ｇ第１処理部４０、ＳＯＧ第２処理部５０、そして、ウ
エハ搬出部６０とから構成されている。ウエハ搬入部１
０に搬入されたウエハは、搬送部７０により搬送され、
前処理部２０においては絶縁膜に対して親水化の処理が
なされ、ＳＯＧ塗布部３０においては絶縁膜上にＳＯＧ
の塗膜が形成され、ＳＯＧ第１処理部４０とＳＯＧ第２
処理部５０においてはＳＯＧの塗膜が焼成され、ウエハ
搬出部６０から外部へ搬出され、配線等の次工程に移送
される。
て、図面を参照しながら説明する。 実施の形態１．図３は、本実施の形態１に係る半導体装
置の製造方法における製造工程を示す流れ図である。ま
た、図３は、本実施の形態１に係る半導体装置の製造装
置の構成を示す模式図でもある。この製造装置は、ウエ
ハ搬入部１０、前処理部２０、ＳＯＧ塗布部３０、ＳＯ
Ｇ第１処理部４０、ＳＯＧ第２処理部５０、そして、ウ
エハ搬出部６０とから構成されている。ウエハ搬入部１
０に搬入されたウエハは、搬送部７０により搬送され、
前処理部２０においては絶縁膜に対して親水化の処理が
なされ、ＳＯＧ塗布部３０においては絶縁膜上にＳＯＧ
の塗膜が形成され、ＳＯＧ第１処理部４０とＳＯＧ第２
処理部５０においてはＳＯＧの塗膜が焼成され、ウエハ
搬出部６０から外部へ搬出され、配線等の次工程に移送
される。
【００２１】ウエハ搬入部１０は、ウエハを載置する上
下移動及び回転自在のステージ（不図示）を備えてお
り、外部から搬入されたウエハは、そのステージの上に
載置されて、待機状態となる。
下移動及び回転自在のステージ（不図示）を備えてお
り、外部から搬入されたウエハは、そのステージの上に
載置されて、待機状態となる。
【００２２】搬送部７０は、ウエハ搬送方向に延びる搬
送レールと搬送装置（不図示）とからなる。ウエハ搬入
部１０において、待機状態にあるウエハは、搬送装置の
ウエハ挟持部（不図示）によりその外周縁を握持されて
吊り上げられ、ステージから前処理部２０に搬送され
る。
送レールと搬送装置（不図示）とからなる。ウエハ搬入
部１０において、待機状態にあるウエハは、搬送装置の
ウエハ挟持部（不図示）によりその外周縁を握持されて
吊り上げられ、ステージから前処理部２０に搬送され
る。
【００２３】前処理部２０は、ウエットエッチング部、
溶媒処理部、酸素プラズマ発生部、そして、紫外線照射
部から選ばれた少なくとも１種の処理部を有している。
溶媒処理部、酸素プラズマ発生部、そして、紫外線照射
部から選ばれた少なくとも１種の処理部を有している。
【００２４】図１は、ウエットエッチング部２１の構造
を示す模式側面図であり、一部断面構造を示す。搬送レ
ール２１０に沿って前後移動可能に取り付けられた搬送
装置２１１により、ウエハ搬入部１０からウエットエッ
チング部２１に搬入されたウエハ２００は、一旦、上下
移動可能なステージ２２０の上に載置される。ここで、
搬送装置２１１にはウエハ２００を握持する挟持部２１
２が取り付けられている。挟持部２１２は、搬送装置２
１１に昇降可能に接続された懸垂アーム２１３と、ウエ
ハ２００の外周縁を握持し回動制御可能な挟持部材２１
６と、挟持部材２１６の端部に設けられた握持用パッド
２１６と、懸垂アーム２１３と挟持部材２１６とを連結
する連結部材２１４とから成り、懸垂アーム２１３の昇
降と挟持部材２１６の回動は、制御装置（不図示）によ
り制御されている。
を示す模式側面図であり、一部断面構造を示す。搬送レ
ール２１０に沿って前後移動可能に取り付けられた搬送
装置２１１により、ウエハ搬入部１０からウエットエッ
チング部２１に搬入されたウエハ２００は、一旦、上下
移動可能なステージ２２０の上に載置される。ここで、
搬送装置２１１にはウエハ２００を握持する挟持部２１
２が取り付けられている。挟持部２１２は、搬送装置２
１１に昇降可能に接続された懸垂アーム２１３と、ウエ
ハ２００の外周縁を握持し回動制御可能な挟持部材２１
６と、挟持部材２１６の端部に設けられた握持用パッド
２１６と、懸垂アーム２１３と挟持部材２１６とを連結
する連結部材２１４とから成り、懸垂アーム２１３の昇
降と挟持部材２１６の回動は、制御装置（不図示）によ
り制御されている。
【００２５】ウエハ２００は、エッチング液２３５を含
むエッチング槽２３０の上に搬送され、次いで、懸垂ア
ーム２１３を下降させて、ウエハ２００をエッチング液
２３５の中に所定時間浸漬してウエットエッチングす
る。次に、懸垂アーム２１３を上昇させて、エッチング
液２３５からウエハ２００を引き上げ、洗浄水２３６を
含む洗浄槽２３１の上に搬送する。懸垂アーム２１３を
下降させて洗浄水２３６中にウエハ２００を浸漬して、
ウエハ２００に付着したエッチング液２３５を除去す
る。次に、懸垂アーム２１３を上昇させて、洗浄水２３
６からウエハ２００を引き上げ、乾燥槽２３２の上に搬
送する。次に、懸垂アーム２１３を下降させてウエハ２
００を乾燥槽２３２中に懸垂状態で保持し、イソプロピ
ルアルコールの蒸気をウエハ２００に当ててウエハ２０
０に付着した水分と置換させた後、加熱してイソプロピ
ルアルコールを除去する。次に、懸垂アーム２１３を上
昇させて、乾燥槽２３２からウエハ２００を引き上げ、
ＳＯＧ塗布部３０へウエハ２００を搬送する。
むエッチング槽２３０の上に搬送され、次いで、懸垂ア
ーム２１３を下降させて、ウエハ２００をエッチング液
２３５の中に所定時間浸漬してウエットエッチングす
る。次に、懸垂アーム２１３を上昇させて、エッチング
液２３５からウエハ２００を引き上げ、洗浄水２３６を
含む洗浄槽２３１の上に搬送する。懸垂アーム２１３を
下降させて洗浄水２３６中にウエハ２００を浸漬して、
ウエハ２００に付着したエッチング液２３５を除去す
る。次に、懸垂アーム２１３を上昇させて、洗浄水２３
６からウエハ２００を引き上げ、乾燥槽２３２の上に搬
送する。次に、懸垂アーム２１３を下降させてウエハ２
００を乾燥槽２３２中に懸垂状態で保持し、イソプロピ
ルアルコールの蒸気をウエハ２００に当ててウエハ２０
０に付着した水分と置換させた後、加熱してイソプロピ
ルアルコールを除去する。次に、懸垂アーム２１３を上
昇させて、乾燥槽２３２からウエハ２００を引き上げ、
ＳＯＧ塗布部３０へウエハ２００を搬送する。
【００２６】ここで、エッチング液には、フッ化水素溶
液、フッ化水素溶液とフッ素イオンを含んだ溶液との混
液、又はフッ化水素溶液と硝酸との混液を用いることが
できるが、フッ化水素溶液を用いることが望ましい。高
純度のものが使用でき、かつ、エッチング速度が高いか
らである。
液、フッ化水素溶液とフッ素イオンを含んだ溶液との混
液、又はフッ化水素溶液と硝酸との混液を用いることが
できるが、フッ化水素溶液を用いることが望ましい。高
純度のものが使用でき、かつ、エッチング速度が高いか
らである。
【００２７】また、ウエハ２００をウエットエッチング
し、洗浄、乾燥した後、酸化雰囲気下で加熱することが
望ましい。加熱温度は、１００℃〜５００℃、より好ま
しくは３００℃〜５００℃である。絶縁膜は、通常ＣＶ
Ｄ法により形成されるが、未反応のＳｉ,Ｈ,Ｎ等が絶縁
膜中に微量残存している場合がある。酸化雰囲気下で加
熱することにより、ウエットエッチングによっても除去
できなかったＨ,Ｎを除去することができる。また、未
反応のＳｉを酸化シリコンにすることができる。これに
より、絶縁膜をより親水化することができる。
し、洗浄、乾燥した後、酸化雰囲気下で加熱することが
望ましい。加熱温度は、１００℃〜５００℃、より好ま
しくは３００℃〜５００℃である。絶縁膜は、通常ＣＶ
Ｄ法により形成されるが、未反応のＳｉ,Ｈ,Ｎ等が絶縁
膜中に微量残存している場合がある。酸化雰囲気下で加
熱することにより、ウエットエッチングによっても除去
できなかったＨ,Ｎを除去することができる。また、未
反応のＳｉを酸化シリコンにすることができる。これに
より、絶縁膜をより親水化することができる。
【００２８】前処理されたウエハは、ＳＯＧ塗布部３０
へ搬送される。ＳＯＧ塗布部３０は溶媒処理部２２と同
様な構造を有し、ＳＯＧ原料を含む塗液が、回転ステ−
ジの上に載置されたウエハに供給され、絶縁膜の上にＳ
ＯＧ塗膜が形成される。
へ搬送される。ＳＯＧ塗布部３０は溶媒処理部２２と同
様な構造を有し、ＳＯＧ原料を含む塗液が、回転ステ−
ジの上に載置されたウエハに供給され、絶縁膜の上にＳ
ＯＧ塗膜が形成される。
【００２９】ＳＯＧ第１処理部４０及び第２処理部５０
においては、ＳＯＧ塗膜が焼成される。第１処理部４０
では、不活性ガス雰囲気下でＳＯＧ塗膜を焼成して酸化
シリコンの前駆体を形成する。例えば、窒素雰囲気下、
１５０℃１分+２００℃１分+３００℃１分の条件を用い
ることができる。また、第２処理部５０では、酸化シリ
コンの前駆体を焼成して酸化シリコンとする。例えば、
酸素、又は酸素と窒素とを含む雰囲気下、４００℃で６
０分の条件を用いることができる。
においては、ＳＯＧ塗膜が焼成される。第１処理部４０
では、不活性ガス雰囲気下でＳＯＧ塗膜を焼成して酸化
シリコンの前駆体を形成する。例えば、窒素雰囲気下、
１５０℃１分+２００℃１分+３００℃１分の条件を用い
ることができる。また、第２処理部５０では、酸化シリ
コンの前駆体を焼成して酸化シリコンとする。例えば、
酸素、又は酸素と窒素とを含む雰囲気下、４００℃で６
０分の条件を用いることができる。
【００３０】ＳＯＧ塗膜が焼成されたウエハは、ウエハ
搬出部６０へ搬送され、次いで、絶縁膜や配線の形成の
ため、次工程に移送される。
搬出部６０へ搬送され、次いで、絶縁膜や配線の形成の
ため、次工程に移送される。
【００３１】本実施の形態１によれば、絶縁槽の表面を
ウエットエッチングすることにより、疎水性の原因とな
るＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が溶解除去され、さらに、絶縁膜
の表面に付着した有機物等の不純物も溶解除去される。
これにより、絶縁膜の表面が親水化され、塗液に対する
濡れ性が向上するので、ＳＯＧ膜の塗布ムラを抑制する
ことができる。
ウエットエッチングすることにより、疎水性の原因とな
るＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が溶解除去され、さらに、絶縁膜
の表面に付着した有機物等の不純物も溶解除去される。
これにより、絶縁膜の表面が親水化され、塗液に対する
濡れ性が向上するので、ＳＯＧ膜の塗布ムラを抑制する
ことができる。
【００３２】実施の形態２．本実施の形態２は、実施の
形態１において、前処理部を溶媒処理部とした以外は、
実施の形態１と同様の構成を有する。図２は、溶媒処理
部２２の構造を示す模式側面図であり、一部断面構造を
示す。溶媒処理部２２は、回転塗布部２５０と溶媒供給
部２６０とから成る。ウエハ搬入部１０から回転塗布部
２５０の上に搬送されたウエハ２００は、懸垂アーム２
１３を下降させて、駆動部２５３に接続した回転ステー
ジ２５２の上に載置される。この時、回転ステージ２５
２を囲う昇降可能なカップ２５１は、下降して、ウエハ
２００が回転ステージ２５２の上に載置されるのを容易
にしている。溶媒供給部２６０は、溶媒タンク２６２
と、洗浄水タンク２６３と、切替バルブ２６４と、ノズ
ル２６１とから成る。ノズル２６１から親水性の溶媒が
回転ステージ２５２上の回転するウエハ２００の表面に
吹き付けられ、ウエハ２００の全面に親水性の溶媒が塗
布される。次に、親水性の溶媒から洗浄水に切替えて、
ウエハ２００の表面に付着した親水性の溶媒を洗浄水と
置換する。次に、洗浄水の供給を停止し、そのままウエ
ハ２００を回転させることにより、付着した水分を除去
してウエハ２００を乾燥する。
形態１において、前処理部を溶媒処理部とした以外は、
実施の形態１と同様の構成を有する。図２は、溶媒処理
部２２の構造を示す模式側面図であり、一部断面構造を
示す。溶媒処理部２２は、回転塗布部２５０と溶媒供給
部２６０とから成る。ウエハ搬入部１０から回転塗布部
２５０の上に搬送されたウエハ２００は、懸垂アーム２
１３を下降させて、駆動部２５３に接続した回転ステー
ジ２５２の上に載置される。この時、回転ステージ２５
２を囲う昇降可能なカップ２５１は、下降して、ウエハ
２００が回転ステージ２５２の上に載置されるのを容易
にしている。溶媒供給部２６０は、溶媒タンク２６２
と、洗浄水タンク２６３と、切替バルブ２６４と、ノズ
ル２６１とから成る。ノズル２６１から親水性の溶媒が
回転ステージ２５２上の回転するウエハ２００の表面に
吹き付けられ、ウエハ２００の全面に親水性の溶媒が塗
布される。次に、親水性の溶媒から洗浄水に切替えて、
ウエハ２００の表面に付着した親水性の溶媒を洗浄水と
置換する。次に、洗浄水の供給を停止し、そのままウエ
ハ２００を回転させることにより、付着した水分を除去
してウエハ２００を乾燥する。
【００３３】ここで、親水性の溶媒としては、低沸点で
毒性が低いものが好ましく、例えば、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、そし
て、イソプロピルアルコール等のアルコールを用いるこ
とができるが、イソプロピルアルコールが望ましい。
毒性が低いものが好ましく、例えば、メチルアルコー
ル、エチルアルコール、n−プロピルアルコール、そし
て、イソプロピルアルコール等のアルコールを用いるこ
とができるが、イソプロピルアルコールが望ましい。
【００３４】本実施の形態２によれば、プロセスの洗浄
用に使用されているアルコールを用い、ウエアを回転さ
せながら溶媒を供給させることができるので、簡易、か
つ、迅速に処理を行うことができる。なお、溶媒処理
は、それ単独で実施することもできるが、ウエットエッ
チングを組み合わせて実施することもできる。その場
合、ウエットエッチングに引き続いて、溶媒処理を行う
ことが望ましい。溶媒処理がウエハの乾燥処理を兼ねる
ことができるからである。
用に使用されているアルコールを用い、ウエアを回転さ
せながら溶媒を供給させることができるので、簡易、か
つ、迅速に処理を行うことができる。なお、溶媒処理
は、それ単独で実施することもできるが、ウエットエッ
チングを組み合わせて実施することもできる。その場
合、ウエットエッチングに引き続いて、溶媒処理を行う
ことが望ましい。溶媒処理がウエハの乾燥処理を兼ねる
ことができるからである。
【００３５】実施の形態３．本実施の形態３は、実施の
形態１において、前処理部が、ウエットエッチング部に
加え、紫外線照射部を有する以外は、実施の形態１と同
様の構成を有する。紫外線照射部は、紫外線光源と、紫
外線光源を収容するケ−ジングと、ウエハを載置するス
テ−ジが、空気を導入及び排気可能な処理容器内に配置
されている。紫外線光源からウエハに紫外線が照射され
ると、ウエハに付着した有機物等の不純物は、直接紫外
線により分解されるのみならず、ケ−ジングとウエハの
間の空気から発生したオゾンにより分解される。
形態１において、前処理部が、ウエットエッチング部に
加え、紫外線照射部を有する以外は、実施の形態１と同
様の構成を有する。紫外線照射部は、紫外線光源と、紫
外線光源を収容するケ−ジングと、ウエハを載置するス
テ−ジが、空気を導入及び排気可能な処理容器内に配置
されている。紫外線光源からウエハに紫外線が照射され
ると、ウエハに付着した有機物等の不純物は、直接紫外
線により分解されるのみならず、ケ−ジングとウエハの
間の空気から発生したオゾンにより分解される。
【００３６】本実施の形態３によれば、実施の形態１と
同様な効果が得られるが、さらに、紫外線照射部を用い
る前処理は、例えば、０．１μｍ以下の微小な異物等の
除去に有効である。したがって、例えば、０．１８μｍ
レベルのデバイスにおける前処理において、ウエットエ
ッチングや溶媒処理の後に行うことにより、効率良く、
不純物の除去を行うことができる。
同様な効果が得られるが、さらに、紫外線照射部を用い
る前処理は、例えば、０．１μｍ以下の微小な異物等の
除去に有効である。したがって、例えば、０．１８μｍ
レベルのデバイスにおける前処理において、ウエットエ
ッチングや溶媒処理の後に行うことにより、効率良く、
不純物の除去を行うことができる。
【００３７】実施の形態４．本実施の形態４は、実施の
形態１において、前処理部が、ウエットエッチング部に
加え、酸素プラズマ発生部を有する以外は、実施の形態
１と同様の構成を有する。酸素プラズマ発生部は、プラ
ズマ装置から成り、プラズマ装置内に酸素ガスを導入し
て、生成した酸素プラズマにより絶縁膜に付着した不純
物の有機物が分解される。
形態１において、前処理部が、ウエットエッチング部に
加え、酸素プラズマ発生部を有する以外は、実施の形態
１と同様の構成を有する。酸素プラズマ発生部は、プラ
ズマ装置から成り、プラズマ装置内に酸素ガスを導入し
て、生成した酸素プラズマにより絶縁膜に付着した不純
物の有機物が分解される。
【００３８】本実施の形態４によれば、実施の形態１と
同様な効果が得られるが、さらに、酸素プラズマ発生部
を用いる前処理は、例えば、０．１μｍ以下の微小な異
物等の除去に有効である。したがって、例えば、０．１
８μｍレベルのデバイスにおける前処理において、ウエ
ットエッチングや溶媒処理の後に行うことにより、効率
良く、不純物の除去を行うことができる。
同様な効果が得られるが、さらに、酸素プラズマ発生部
を用いる前処理は、例えば、０．１μｍ以下の微小な異
物等の除去に有効である。したがって、例えば、０．１
８μｍレベルのデバイスにおける前処理において、ウエ
ットエッチングや溶媒処理の後に行うことにより、効率
良く、不純物の除去を行うことができる。
【００３９】ここで、ＳＯＧ塗膜を焼成後、ウエハ表面
の異物欠陥検査を行った。この検査により、塗布ムラに
よりＳＯＧ膜に取り込まれた空気による斑点異物の数を
調べた。この斑点異物の数が少なければ、塗布ムラが抑
制されたことを示す。前処理を実施しなかった場合、斑
点異物の数がウエハ当り５７００個であったのに対し、
フッ化水素溶液を用いるウエットエッチングを実施した
場合、３７０個であった。また、イソプロピルアルコー
ルを用いる溶媒処理を実施した場合、１１００個程度で
あった。
の異物欠陥検査を行った。この検査により、塗布ムラに
よりＳＯＧ膜に取り込まれた空気による斑点異物の数を
調べた。この斑点異物の数が少なければ、塗布ムラが抑
制されたことを示す。前処理を実施しなかった場合、斑
点異物の数がウエハ当り５７００個であったのに対し、
フッ化水素溶液を用いるウエットエッチングを実施した
場合、３７０個であった。また、イソプロピルアルコー
ルを用いる溶媒処理を実施した場合、１１００個程度で
あった。
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体装置
の製造方法は、半導体基板上に配線を形成し、配線と基
板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を形成
し、ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエット
エッチングするようにしたので、簡易、かつ、迅速に、
絶縁膜に対するＳＯＧ原料を含む塗液の濡れ性を向上さ
せて、塗布ムラを抑制できる。
の製造方法は、半導体基板上に配線を形成し、配線と基
板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を形成
し、ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエット
エッチングするようにしたので、簡易、かつ、迅速に、
絶縁膜に対するＳＯＧ原料を含む塗液の濡れ性を向上さ
せて、塗布ムラを抑制できる。
【００４１】また、本発明の製造方法は、ウエットエッ
チングの後、酸化雰囲気下、１００〜５００℃で加熱す
るようにしたので、未反応のＳｉを減少させることがで
き、絶縁膜に対するＳＯＧ原料を含む塗液の濡れ性をよ
り向上させることができる。
チングの後、酸化雰囲気下、１００〜５００℃で加熱す
るようにしたので、未反応のＳｉを減少させることがで
き、絶縁膜に対するＳＯＧ原料を含む塗液の濡れ性をよ
り向上させることができる。
【００４２】また、本発明の製造方法は、ウエットエッ
チングに、フッ化水素溶液を用いるようにしたので、エ
ッチングに要する時間を短縮できる。
チングに、フッ化水素溶液を用いるようにしたので、エ
ッチングに要する時間を短縮できる。
【００４３】また、本発明の製造方法は、半導体基板上
に配線を形成し、配線と基板とを覆うようにシリコン酸
化膜から成る絶縁膜を形成し、ＳＯＧ膜を形成するに先
立って、親水性の溶媒を絶縁膜に接触させるようにした
ので、簡易、かつ、迅速に、絶縁膜に対するＳＯＧ原料
を含む塗液の濡れ性を向上させて、塗布ムラを抑制でき
る。
に配線を形成し、配線と基板とを覆うようにシリコン酸
化膜から成る絶縁膜を形成し、ＳＯＧ膜を形成するに先
立って、親水性の溶媒を絶縁膜に接触させるようにした
ので、簡易、かつ、迅速に、絶縁膜に対するＳＯＧ原料
を含む塗液の濡れ性を向上させて、塗布ムラを抑制でき
る。
【００４４】また、本発明の製造方法は、溶媒に、メチ
ルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコ
ール、そして、イソプロピルアルコールから選ばれた少
なくとも１種のアルコールを用いるようにしたので、安
全、かつ、迅速に処理を行うことができる。
ルアルコール、エチルアルコール、n−プロピルアルコ
ール、そして、イソプロピルアルコールから選ばれた少
なくとも１種のアルコールを用いるようにしたので、安
全、かつ、迅速に処理を行うことができる。
【００４５】また、本発明の製造装置は、配線を有する
半導体基板上に形成された絶縁膜の表面を処理する前処
理部と、表面が処理された絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を
含む塗液を塗布してＳＯＧの塗膜を形成するＳＯＧ塗布
部と、塗膜を焼成するＳＯＧ処理部と、半導体基板を表
面処理部から塗布部、そしてＳＯＧ処理部へ搬送する搬
送部とから成り、さらに、前処理部が、少なくとも、ウ
エットエッチング部と溶媒処理部のいずれかを含むよう
にしたので、装置を簡素な構成とし、塗布ムラの抑制さ
れたＳＯＧ膜を迅速に形成することができる。
半導体基板上に形成された絶縁膜の表面を処理する前処
理部と、表面が処理された絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を
含む塗液を塗布してＳＯＧの塗膜を形成するＳＯＧ塗布
部と、塗膜を焼成するＳＯＧ処理部と、半導体基板を表
面処理部から塗布部、そしてＳＯＧ処理部へ搬送する搬
送部とから成り、さらに、前処理部が、少なくとも、ウ
エットエッチング部と溶媒処理部のいずれかを含むよう
にしたので、装置を簡素な構成とし、塗布ムラの抑制さ
れたＳＯＧ膜を迅速に形成することができる。
【００４６】また、本発明の製造装置は、ウエットエッ
チング部が、エッチング槽と、洗浄槽と、乾燥槽とから
成り、かつ、その順に隣接して配置されるようにしたの
で、迅速に処理を行うことができる。
チング部が、エッチング槽と、洗浄槽と、乾燥槽とから
成り、かつ、その順に隣接して配置されるようにしたの
で、迅速に処理を行うことができる。
【００４７】また、本発明の製造装置は、溶媒処理部
が、回転塗布部と溶媒供給部とから成り、絶縁膜を有す
る半導体基板を回転させながら、溶媒を絶縁膜の表面に
供給するようにしたので、迅速に処理を行うことができ
る。
が、回転塗布部と溶媒供給部とから成り、絶縁膜を有す
る半導体基板を回転させながら、溶媒を絶縁膜の表面に
供給するようにしたので、迅速に処理を行うことができ
る。
【００４８】また、本発明の製造装置は、前処理部が、
少なくとも、酸素プラズマ発生部と紫外線照射部のいず
れかを含むようにしたので、より微小な不純物の除去を
行うことができ、塗布ムラをより抑制することができ
る。
少なくとも、酸素プラズマ発生部と紫外線照射部のいず
れかを含むようにしたので、より微小な不純物の除去を
行うことができ、塗布ムラをより抑制することができ
る。
【００４９】また、本発明の製造装置は、搬送部が、搬
送レールと、搬送装置と、搬送装置に昇降可能に取り付
けられ半導体基板を握持する挟持部とから成るようにし
たので、各処理工程に半導体基板を迅速に搬送すること
ができ、迅速に処理を行うことができる。
送レールと、搬送装置と、搬送装置に昇降可能に取り付
けられ半導体基板を握持する挟持部とから成るようにし
たので、各処理工程に半導体基板を迅速に搬送すること
ができ、迅速に処理を行うことができる。
【００５０】また、本発明の製造装置は、挟持部が、搬
送装置に昇降可能に接続された懸垂アームと、半導体基
板の外周縁を握持し回動制御可能な挟持部材と、挟持部
材の端部に設けられた握持用パッドと、懸垂アームと挟
持部材とを連結する連結部材とから成るようにしたの
で、半導体基板の昇降や回動が容易となり、迅速に処理
を行うことができる。
送装置に昇降可能に接続された懸垂アームと、半導体基
板の外周縁を握持し回動制御可能な挟持部材と、挟持部
材の端部に設けられた握持用パッドと、懸垂アームと挟
持部材とを連結する連結部材とから成るようにしたの
で、半導体基板の昇降や回動が容易となり、迅速に処理
を行うことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法に用いるウエットエッチング部の構造を示す模式
側面図である。
造方法に用いるウエットエッチング部の構造を示す模式
側面図である。
【図２】 本発明の実施の形態２に係る半導体装置の製
造方法に用いる溶媒処理部の構造を示す模式側面図であ
る。
造方法に用いる溶媒処理部の構造を示す模式側面図であ
る。
【図３】 本発明の実施の形態１に係る半導体装置の製
造方法の製造工程を示す流れ図である。
造方法の製造工程を示す流れ図である。
【図４】 多層配線を有する半導体装置の構造を示す模
式断面図である。
式断面図である。
１０ ウエハ搬入部、２０ 前処理部、３０ ＳＯＧ塗
布部、４０ ＳＯＧ第１処理部、５０ ＳＯＧ第２処理
部、６０ ウエハ搬出部、７０ 搬送部、２１ウエット
エッチング部、２００ ウエハ、２１０ 搬送レール、
２１１ 搬送装置、２１２ 挟持部、２１３ 懸垂アー
ム、２１４ 連結部材、２１５ 挟持部材、２１６ 握
持用パッド、２２０ ステージ、２３０ エッチング
槽、２３１洗浄槽、２３２ 乾燥槽、２３５ エッチン
グ液、２３６ 洗浄水、２２ 溶媒処理部、２５０ 回
転塗布部、２５１ カップ、２５２ 回転ステージ、２
５３ 駆動部、２６０ 溶媒供給部、２６１ ノズル、
２６２ 溶媒タンク、２６３ 洗浄水タンク、２６４
切替えバルブ。
布部、４０ ＳＯＧ第１処理部、５０ ＳＯＧ第２処理
部、６０ ウエハ搬出部、７０ 搬送部、２１ウエット
エッチング部、２００ ウエハ、２１０ 搬送レール、
２１１ 搬送装置、２１２ 挟持部、２１３ 懸垂アー
ム、２１４ 連結部材、２１５ 挟持部材、２１６ 握
持用パッド、２２０ ステージ、２３０ エッチング
槽、２３１洗浄槽、２３２ 乾燥槽、２３５ エッチン
グ液、２３６ 洗浄水、２２ 溶媒処理部、２５０ 回
転塗布部、２５１ カップ、２５２ 回転ステージ、２
５３ 駆動部、２６０ 溶媒供給部、２６１ ノズル、
２６２ 溶媒タンク、２６３ 洗浄水タンク、２６４
切替えバルブ。
Claims (11)
- 【請求項１】 半導体基板上に配線を形成し、該配線と
該基板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を
形成し、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含む塗液を塗布
してＳＯＧ膜を形成し平坦化層となす、多層配線を有す
る半導体装置の製造方法において、 ＳＯＧ膜を形成するに先立って、絶縁膜をウエットエッ
チングし、上記塗液の絶縁膜に対する濡れ性を向上させ
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 上記ウエットエッチングの後、酸化雰囲
気下、１００〜５００℃で加熱することを特徴とする請
求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 上記ウエットエッチングに、フッ化水素
溶液を用いることを特徴とする請求項１又は２に記載の
製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板上に配線を形成し、該配線と
該基板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を
形成し、次いで、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含む塗
液を塗布してＳＯＧ膜を形成し平坦化層となす、多層配
線を有する半導体装置の製造方法において、 ＳＯＧ膜を形成するに先立って、親水性の溶媒を絶縁膜
に接触せしめて、上記塗液の絶縁膜に対する濡れ性を向
上させたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 上記溶媒が、メチルアルコール、エチル
アルコール、n−プロピルアルコール、そして、イソプ
ロピルアルコールから選ばれた少なくとも１種のアルコ
ールから成ることを特徴とする請求項４記載の製造方
法。 - 【請求項６】 半導体基板上に配線を形成し、該配線と
該基板とを覆うようにシリコン酸化膜から成る絶縁膜を
形成し、該絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含む塗液を塗布
してＳＯＧ膜を形成し平坦化層となす、多層配線を有す
る半導体装置の製造方法に用いる製造装置であって、 該製造装置が、 配線を有する半導体基板上に形成された絶縁膜の表面を
処理する前処理部と、 表面が処理された絶縁膜の全面にＳＯＧ原料を含む塗液
を塗布してＳＯＧの塗膜を形成するＳＯＧ塗布部と、 該塗膜を焼成するＳＯＧ処理部と、 半導体基板を前処理部から塗布部、そしてＳＯＧ処理部
へ搬送する搬送部とから成り、さらに、 前処理部が、少なくとも、ウエットエッチング部と溶媒
処理部のいずれかを含むことを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項７】 上記ウエットエッチング部が、上記絶縁
膜をエッチングするエッチング液を有するエッチング槽
と、該エッチング槽に隣接し上記絶縁膜を有する半導体
基板からエッチング液を除去する洗浄槽と、該洗浄槽に
隣接し上記絶縁膜を有する半導体基板を乾燥する乾燥槽
とを有する請求項７記載の製造装置。 - 【請求項８】 上記溶媒処理部が、上記絶縁膜を有する
半導体基板を載置する回転ステージを有する回転塗布部
と、上記絶縁膜の表面に溶媒を供給する溶媒供給部を有
する請求項７記載の製造装置。 - 【請求項９】 上記前処理部が、少なくとも、酸素プラ
ズマ発生部と紫外線照射部のいずれかを含む請求項７〜
９のいずれか一つに記載の製造装置。 - 【請求項１０】 上記搬送部が、搬送レールと、該搬送
レールに沿って前後移動可能に取り付けられた搬送装置
と、該搬送装置に昇降可能に取り付けられ上記半導体基
板を握持する挟持部とから成る請求項７〜１０のいずれ
か一つに記載の製造装置。 - 【請求項１１】 上記挟持部が、上記搬送装置に昇降可
能に接続された懸垂アームと、上記の半導体基板の外周
縁を握持し回動制御可能な挟持部材と、該挟持部材の端
部に設けられた握持用パッドと、該懸垂アームと挟持部
材とを連結する連結部材とから成る請求項１１記載の製
造装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222481A JP2002043420A (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
| TW090101267A TW478068B (en) | 2000-07-24 | 2001-01-19 | Method of producing semiconductor device and system for producing the same |
| KR10-2001-0003079A KR100389749B1 (ko) | 2000-07-24 | 2001-01-19 | 반도체 장치의 제조 방법 및 제조 장치 |
| US09/767,132 US6551442B2 (en) | 2000-07-24 | 2001-01-23 | Method of producing semiconductor device and system for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000222481A JP2002043420A (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043420A true JP2002043420A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18716716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000222481A Pending JP2002043420A (ja) | 2000-07-24 | 2000-07-24 | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6551442B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002043420A (ja) |
| KR (1) | KR100389749B1 (ja) |
| TW (1) | TW478068B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
| KR20160120678A (ko) * | 2015-04-08 | 2016-10-18 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 기판 코팅 방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231346A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Toshiba Corp | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0408216A3 (en) * | 1989-07-11 | 1991-09-18 | Hitachi, Ltd. | Method for processing wafers and producing semiconductor devices and apparatus for producing the same |
| JPH05226482A (ja) | 1992-02-10 | 1993-09-03 | Hitachi Ltd | Ｓｏｇ塗布装置 |
| JP3500050B2 (ja) | 1997-09-08 | 2004-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 不純物除去装置、膜形成方法及び膜形成システム |
| JPH11162965A (ja) | 1997-11-28 | 1999-06-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH11251312A (ja) | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-07-24 JP JP2000222481A patent/JP2002043420A/ja active Pending
-
2001
- 2001-01-19 TW TW090101267A patent/TW478068B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-01-19 KR KR10-2001-0003079A patent/KR100389749B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-01-23 US US09/767,132 patent/US6551442B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173765A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-07-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
| KR20160120678A (ko) * | 2015-04-08 | 2016-10-18 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 기판 코팅 방법 |
| KR102530371B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2023-05-09 | 수스 마이크로텍 리소그라피 게엠바하 | 기판 코팅 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6551442B2 (en) | 2003-04-22 |
| KR100389749B1 (ko) | 2003-06-27 |
| KR20020009386A (ko) | 2002-02-01 |
| US20020009875A1 (en) | 2002-01-24 |
| TW478068B (en) | 2002-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5057647B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 | |
| KR100810163B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 시스템 및 기록 매체 | |
| JP3990920B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
| KR101049491B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
| JP5452894B2 (ja) | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 | |
| KR20010098930A (ko) | 회전유지장치 및 반도체기판처리장치 | |
| JP2003197591A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
| KR100993916B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| JP2001176855A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| WO2006077730A1 (ja) | Ｃｍｐ研磨方法、ｃｍｐ研磨装置、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR20010105258A (ko) | 성막장치 및 성막방법 | |
| JP2006086411A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002050600A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| WO2020188958A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| WO2008029800A1 (fr) | Procédé de traitement de substrat et support de stockage | |
| JP5247999B2 (ja) | 基板処理方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
| JP4064132B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| WO2003001579A1 (fr) | Dispositif et procede de traitement de substrat | |
| JP2009188411A (ja) | シリル化処理方法、シリル化処理装置およびエッチング処理システム | |
| JP2002043420A (ja) | 半導体装置の製造方法及び製造装置 | |
| JP5208405B2 (ja) | 基板の処理方法及びプログラム | |
| US20060144420A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP4060700B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2003035962A (ja) | 基板処理方法およびそのシステム | |
| JP4073774B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |