TW476100B - Method and device for forming film - Google Patents

Description

4761⑻ A7 B7 五、發明說明（ 發明之所屬技術領域 本發明係關於一種成膜方法，其乃於被處理基板上供給 藥液而使液狀膜中之溶劑揮發，在該被處理基板上進行塗 布膜之成膜。 習知技術 以往，在使用藥液之成膜製程中，廣泛使用旋轉塗布法 。近吟，著眼於隨環境對策之使用藥液量删減，隨基板之 大口徑化的周邊部塗布不均改善，從極細噴嘴朝列方向使 極細噴嘴與基板相對移動，同時在基板上部以外使極細噴 嘴與基板朝行方向相對移動，以遍及基板全面而形成液膜 之掃描塗布法的開發乃當務之急。 以至今 < 掃描塗布法所作成的塗布膜的膜厚分布，係在 旋轉節距方向之塗布開始端部相對於目標韻厚會異常地 增大’在塗布終了端部膜厚漸漸減少，如此g題仍存在。 發明欲解決之課題 經 濟 部 智 慧 財 J. 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 如上述般，以掃描塗布法所製成之塗布膜的膜厚分布， 在掃描節距方向之塗布開始端部相對於目標値膜厚备 地增大，在塗布終了端部膜厚會漸減少，有如此的問題。 、、本發明之目的在於提供一種可使以掃描塗布法所 塗布膜的膜厚分布均一化之成膜方法。 (用以解決課題之手段） (構成） 本發明係爲達成上述目的，以如下般構成者。 ⑴本發明(申請專利範圍第心1，3，)特徵在於包括如下步 本紙張尺玉適用中國國家標準（CNS)A4規格咖χ撕公爱）----------- 476100 A7 B7 五、發明說明（2 ) 驟： 液狀膜形成步驟，其係對於被處理基板，於該基板上調 整成以一定量擴展，將一於溶劑中添加固形份之藥液從滴 下噴嘴滴下，所滴下之液體留存於基板上，同時並使滴下 噴嘴與被處理基板相對地移動，而該基板之滴下開始部至 滴下終了邵滴下液體，於被處理基板上形成液狀膜；及， 除去赞述液狀膜中之溶劑而形成塗布膜之步驟；在液狀膜 之形成步驟中’形成表面平坦之液狀膜；或，在前述液狀 膜中之溶劑的除去步驟中，形成表面平坦之塗布膜。 將本發明之較佳實施態樣記載於下。 削述被處理基板之滴下開始部的溫度乃以比被處理基板 之滴下終了部的溫度還高的方式，對於被處理基板進行加 熱或冷卻。 削述被處理基板之外周邵的溫度乃從滴下開始部至滴下 終了部單調地下降，同時，該基板之外周部的内侧溫度以 約呈一定溫度的方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻， 該約一定之溫度係比滴下開始部之溫度還低，且比滴下終 了部之溫度還高。 以前述被處理基板之滴下開始部與滴下終了部之間的區 域之溫度梯度消失的方式，對於被處理基板進行加熱或冷 卻。 . 以前述被處理基板之滴下終了邵的溫度梯度比被處理基 板之滴下開始部的溫度梯度還大之方式，對於被處理基板 進行加熱或冷卻。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項^.寫本頁) rl裝---- 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（3 ) 、以前述被處理基板之中央部的溫度比被處理基板之兩端 邵的溫度還低之方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻。 滴下開始部爲被處理基板中央部，且，滴下終了部爲被 處理基板端部；前述液狀膜之形成係包括如下步驟：從被 處理基板中央部至—者之被處理基板端部滴下藥液之步驟 :從被處理基板中央部至另-者之被處理基板端部滴下藥 液之，^驟。 則述藥欣爲光阻劑、反射抑制膜劑、氧化膜劑、強介電 體膜劑。 本發明（申請專利範圍第12項）之成膜裝置，其特徵在於 具備：、對於被處理基板供給藥液之滴下嗜嘴；使被處理基 板與滴下噴嘴相對地移動之驅動部；可載置被處理基板， 且從被處理基板前述藥液之滴下開始_至滴了終了部賦予 溫度分布之溫度控制部。 本發明（申請專利範圍第16項）之減壓乾燥裝置，其特徵 在於具備：溫度控制部，其係可載置被處理基板，且從被 處理基板前述藥液之滴下開始部至滴下終了部賦予溫度分 布；減壓眞空室，其係可將被處理基板及溫度控制部=藏 於内部，且連接於眞空幫浦。 將上述二個發明之較佳實施態樣記載於下。 前述溫度控制部係具備：吸/放熱部，其係由可進行吸 熱或放熱，且獨立控制各別溫度之複數平板所構成；設於 此吸/放熱部上之熱擴散板；及，間隙調整台，其係設於 熱擴散板上，且載置著被處理基板而於熱擴散板與被處理 -6 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格⑽χ 297公楚 -----------»!裝 請先閱讀背面之注意事項JSc 寫本頁) _ i線·

476100 五、發明說明（4 ) 基板之間設有空隙。 則述溫度控制邵係具備：複數之外周平板，其係可分別 獨立控制被處理基板之外周部複數區域的溫度；中央平板 ，其係可獨控制外周部之内側中央部的溫度；熱擴散板 ’其係設於前述外周平板及中央平板之上；及間隙調整台 ，其係設於熱擴散板上，，且載置著被處理基板而於熱擴 散板鱗、被處理基板之間設有空隙。 前述溫度控制部係具備：複數之外周平板，其係可分別 獨立控制被處理基板之外周部複數區域的溫度；熱擴散板 ，其係設於前述外周平板及中央平板之上；及間隙調整台 ，其係設於此熱擴散板上，且載置著被處理基板而於熱擴 散板與被處理基板之間設有空隙。 〔作用〕 本發明依上述構成而具有以下之作用、效果。 使液狀膜中之溶劑揮發而形成之膜的膜厚分布不均一， 係因藥液滴下後之溶劑揮發時的氣化熱而產生之面内溫分 布造成的。因此，前述氣化熱而造成面内之溫度分布，對 於一具有可修正此溫度分布之被處理基板，形成液狀膜， 可控制面内之膜厚不均一。 使滴下開始部之溫度比終了部之溫度還高，可控制膜厚 之不均*一。 藉由被處理基板之滴下終了部的溫度梯度比被處理基板 之滴下開始邵的溫度梯度還大，而控制膜厚之不均一的效 果會變大。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規^F10 x 297公爱) 請 先 閱 讀 背 之 注 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476100 A7 B7 發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 進一步，使被處理基板之滴下開始部與滴下終了部之間 的區域之溫度梯度消失，而可控制膜厚之不均一。 〔發明之實施形態〕 參照圖面説明本發明之實施形態於下。 〔第1之實施形態〕 圖1係表示本發明第i實施形態之塗布裝置的概略構成圖 。圖令'(a)表示塗布裝置構成之斜視圖，圖1(b)表示加熱板 構成之平面圖。 本裝置如圖1(a)所示般，係由如下所構成即：可對於被 處理基板20而滴下一於溶劑中添加固形分之藥液^的藥液 吐出噴嘴12、及、可載置被處理基板2〇且加熱被處理基板 2〇之溫度控制部13。藥液吐出噴嘴12之吐出口的口徑爲3〇 μιη。 藥液吐出喷嘴12係藉未圖示之移動機構而進行y方向的 移動，同時並當藥液吐出喷嘴12不在被處理基板2〇上時， 藉未圖示之移動機構而被處理基板2〇可朝义方向移動，進 行藥液吐出噴嘴12與被處理基板2〇之相對移動。藥液吐出 噴嘴12與被處理基板2〇 —面相對移動，一面從藥液吐出噴 嘴12吐出藥液，俾於被處理基板2〇上形成液膜21。 溫度控制邵13係由平板14，載置於平板14上之熱擴散板 15、與間隙調整台16所構成。平板14如圖〗（b)所示般，係 相對於掃描節距方向而朝平行方向均等地分割成3份，且 由第1平板14a，第2平板14b及第3平板14c所構成。各別之 平板14a〜14c可獨立地進行溫度控制。亦即，成爲一可使 -8- 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事

I I I I I 訂 « 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 476100 A7 --------- B7 _ 五、發明說明（6 ) 被處理基板20之面内溫度分布變化的構成。 又’爲對於被處理基板2〇順利地且均一地賦予熱梯度， 配置一可覆盖平板14上面的熱擴散板15，於熱擴散板15上 設置間隙調整台16，在間隙調整台16上載置被處理基板2〇。 各別I平板14a〜14c藉由發熱、吸熱或維持溫度，可分 別調整被處理基板之塗布開始部、中央部及塗布終了部之 溫度〜 其次，説明有關使用本裝置而於被處理基板上形成光阻 膜之情形。 分別改變第1、第2及第3平板14a〜14c的溫度，如圖2所 不般’使被處理基板20之塗布開始部爲27°c，中央部爲23 C ’塗布終了邵爲19°C ’被處理基板2〇之溫度分布相對於 藥液吐出噴嘴12之掃描節距方向約呈〇 〇4^/min的一定梯度。 例如，從第3平板14c依順序使第2平板14b、第1平板14a 之發熱量增加，以從吐出開始部至吐出終了部使溫度降低 。又，第1平板14a會發熱，第3平板會吸熱，而從吐出開 始部至吐出終了部使溫度降低。從第1平板14a依序使第2 平板14b、第3平板14c之吸熱量增加，以從吐出開始部至吐 出終了部使溫度降低。 再者，使藥液吐出噴嘴12在被處理基板2〇上朝y方向（掃 描方向）以2 m/s移動，同時，朝x方向（掃描節距方向）使 被處理基板20以0·3 mm節距移動，將光阻劑（藥液）〗丨呈綠 狀滴下於被處理基板20上’於基板20全面形成光阻液膜（液 膜）21 〇 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐 (請先閱讀背面之注意事項¾填寫本頁) 裝--------訂---------線^^- Ϊ r 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476100 A7 B7__ 五、發明說明（7 ) 其次，對光阻液膜21進行減壓乾燥處理。首先，於連接 眞空泵之眞空室内投入被處理基板20後，眞空室内以 20.6664 X 102 Pa/sec(=20 Torr/sec)之減壓速度，減壓至與光阻 液膜所含有的溶劑蒸氣壓相等之壓力〔本實施形態的情形 約1.33322 X 102 Pa/sec(=l Torr)〕，其壓力狀態維持70秒，再 進行液膜中之溶劑乾燥。然後，在眞空室内以53.2388 X 102 Pa/sec(=40 Torr/sec)之加壓速度使眞空室内的壓力返回 大氣壓，從眞空室内取出被處理基板。其次，於140°C之 加熱板上載置被處理基板，而進行60秒鐘之烘烤，最後， 進行光阻膜之安定化。 又，對被處理基板在面内不賦予溫度分布而使用掃描塗 布法，形成液膜後，準備一進行同樣的後處理且形成光阻 膜之試料。 藉膜厚計測定在以上製程所形成之光阻膜的膜厚，其結 果，掃描節距方向之膜厚分布表示於圖3中。如圖3所示， 藉由使用所謂本方法即從塗布開始侧至塗布終了側而使溫 度降低，膜厚均一性可從50 nm改善至25 nm。 其次，對於被處理基板而賦予溫度梯度，俾改善膜厚之 均一性，其理由説明如下。 以習知掃描塗布法進行膜形成時，塗布開始部分之膜厚 相對於目標膜厚乃高出甚多，反之，塗布終了部分之膜厚 會漸減少。在如此之被處理基板端部的膜厚異常，係從端 部約影響至20 mm之範圍。如此，在塗布開始部分與塗布 終了部分呈非對稱形成之要因，發明人發現於掃描塗布中 • -10 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱 (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) -裝

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476100 A7 ------------- —__Β7____ 五、發明說明（8 ) 在基板内相對於掃描節距方向而藉溶劑之氣化熱產生溫度 差。 亦即，塗布開始侧比塗布終了側至其減壓乾燥處理之放 置時間還長，在其間被溶劑氣化所奪取的熱量變多，故光 阻液膜之溫度有降低之傾向，在基板面内，若產生如此之 /麗度差光阻液膜會從溫度兩朝低處流動，在塗布開始側 會高勢，而在塗布終了側，膜厚會漸漸減少，成爲如此之 膜厚部分。 在本實施形態中，爲修正因氣化熱所產生之溫度分布， 藉由相對於掃描節距方向而一律從外部施加逆方向的溫度 ，可全面適當地抑制光阻液膜之流動，謀求基板端部之膜 厚異常的改善。 〔弟2實施形態〕 在前實施形態所形成之塗布膜的塗布開始側端部之高起 會消失，但在塗布終了側端部中的膜厚減少，以及在中央 部中之膜厚的傾斜仍留下。在本實施形態中，係説明有關 一抑制塗布終了端部中之膜厚的減少、以及在中央部之膜 厚傾斜。具體地，係使在塗布終了側之溫度梯度比塗布開 始側之溫度梯度還大，且，消除中心部之溫度傾斜，以抑 制塗布終了側端部的膜厚減少。' 其次，説明有關一形成實際之塗布膜的裝置及使用其裝 置之成膜。圖4係表示本發明第2實施形態之塗布裝置的概 略構成圖。圖4 (a)係表示塗布裝置構成之斜視圖，圖4 (b) 係表示平板構成之平面圖。又，在與圖1相同的部位係賦 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項^^ 寫本頁) ----訂---------線』 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476100 A7 ---— B7 _ 五、發明說明（9) 予同一符號，省略其詳細説明。 本裝置之平板44如圖4所示般，係由如下所構成：加熱 被處理基板20之中央部的圓形平板4扑、及、於塗布開始側端 邵平板周圍包圍溫度梯度之二個半環狀的平板44a、44c。 爲對被處理基板20平順且均一地賦予熱梯度，配置一覆 蓋平板44上面之熱擴散板15，同時並於熱擴散板15上設置 間隙嘲、整台16，於間隙調整台16上載置被處理基板2〇。 其次’説明有關使用本裝置之成膜。控制各別之平板溫 度’而在被處理基板20之塗布終了側的溫度梯度會比塗布 開始側之溫度梯度還大。例如，如圖5所示般，使被處理 基板之塗布開始邵爲25°C，以_〇.4°C/mm之溫度梯度使包含 基板之中央部的區域溫度爲23。〇。再者，從基板溫度爲23 C之區域以-〇.8°c/mm之溫度梯度使溫度終了部之溫度爲19 V。 繼而，與第一貫施形態同樣地，使藥液吐出噴嘴以速度 2 m/s移動，同時並以〇 3 111111節距使被加工金屬移動，而於 被處理基板上線狀滴下光阻劑，對被處理基板全面形成光 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 阻液膜。再者，液膜之形成後，進行與第1實施形態之減 壓乾燥處理而形成光阻膜。 以膜厚計測定在以上製程所形成之光阻膜的膜厚，其結 果將掃描節距方向之膜厚分布表示於圖6中。又，在圖6中 ’同時表示以習知方法所形成之光阻膜的膜厚分布。 如圖6所示，習知方法所形成之光阻膜的膜厚均一性爲 50 nm。然而，從塗布開始側（高溫）至塗布終了側（低溫） -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 476100 A7 _B7_ 五、發明說明（1Q) 之溫度分布中，使塗布終了部侧之溫度梯度比塗布開始部 侧還大，俾塗布開始侧至塗布終了侧降低溫度，使用如此 之方法，可改善膜厚均一性至5 nm。 在第1實施形態中，對於掃描節距方向一律賦予溫度分 布而全面地適當抑制被處理基板上之光阻液膜的流動，嘗 試改善在端部之膜厚異常，但，只改善塗布開始部，在塗 布終部不會引起光阻液膜之流動而不太看到膜厚分布之 改善。又，在中央部，膜厚隨著溫度之梯度而少許地變化 。即使以相同之溫度梯度亦可在高溫侧改善，在低溫側無 法改善，係因在低溫側絕對溫度低，比高溫側，照射與液 體之流動幾乎還不會產生。爲在低溫側產生光阻液膜之流 動，必須消除在中央部之溫度梯度。因此，塗布開始側之 溫度梯度係與第1實施形態相同，在中央部之溫度梯度消 失，且，塗布終了側之溫度梯度比第1實施形態還大，可 改善膜厚均一性。 〔第3實施形態〕 在被加工基板上使極細噴嘴（0 30 μηι)朝y方向以2 m/s往 返運動，同時並朝X方向使被加工基板以0.3 mm節距移動 ，線狀滴下光阻劑，於基板全面形成液膜之掃描塗布法， 在第1、第2實施形態中，從被處理基板端部至端部朝一方 向滴下藥液，全面形成液膜。在本實施形態中係如圖7所 示般，從被處理基板中央部首先朝-X方向至基板端部滴下 光阻劑，其次從中央部朝+ X方向至基板端部滴下光阻劑， 於基板全面形成液膜時之溫度分布設定方法。 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項巧填寫本頁) 1. -線： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^/οιυυ 五、發明說明（11 本實施形態之情形，因基板滴下終了部成爲基板兩端部 ，使用圖4所示之溫度控制部13而僅提高基板中央部的溫 度而形成24C，然而，使基板2〇兩端部之溫度爲2(rc(_〇8 C/mm)，對基板賦予圖8所示之基板設定溫度分布而滴下 光阻劑，於基板20全面形成液膜。又，另外，進行溫度控 制，有關習知之情形（23。(： 一定）亦以同樣的方法，滴下光 阻劑〜、形成液膜。 其次’於裝載著眞空泵之減壓用眞空室投入各別之被加 工基板20 ’具空室内以_266 Pa/sec之減壓速度減壓至與光 阻劑之蒸氣壓相等的壓力（約133 pa)，維持7〇秒鐘之壓力 ，而進行液膜中之用材的乾燥。其後，使眞空室内之壓力 以+5320 Pa/sec的加壓速度返回至大氣壓，從眞空室取出被 加工基板。其次，於加熱至l4(rc之加熱平板上保持被加 工基板，進行60秒鐘烘烤處理，最後進行光阻膜之安定化 依以上之成膜方法所製成之光阻膜厚測定後的結果表示 於圖9中。進行溫度調整，使用習知方法所形成之光阻膜 ’依照射滴下終了部之基板兩端部的膜厚計上乃依先前所 述之理由漸漸減少。亦即，溶劑氣化所引起的基板溫度分 布係於中央部溫度變低，在兩端部溫度有上揚之傾向。 另外，以打消隨氣化之溫度分布的方式，以溫度控制部 施加溫度分布而形成的光阻膜時，在基板兩端部會促進藥 液的流動，故膜厚計上可大大地被改善。結果在本實施形 悲中’膜厚均一性可從30 nm改善至50 nm。 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項一^填寫本頁) 訂---------線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12 〔第4實施形態〕 在本實施形態中，係在不對被處理基板修正因溶劑之氣 化熱所產生之溫度分布，而形成液狀膜後，除去液狀膜中 之溶劑的步驟中，前述液狀膜所含有之溶劑揮發的氣化熱 所產生的液狀膜溫度分布經修正，而形成一表面平坦的光 阻膜’即説明有關如此之成膜方法及成膜裝置。 首^先’説明有關一用以使液狀膜中之溶劑揮發的成膜裝 置。圖10係表示本發明第4實施例之成膜裝置的概略構成 圖。 如圖10(a)所示般，由如下所構成：減壓眞空室1〇7，其 係配置著被處理基板且連接於未圖示之眞空泵；減壓眞空 室107内所配置之溫度控制部1〇3。 溫度控制部103係由平板1〇4、平板104上所載置之熱擴散 板105、及、間隙調整台106所構成。平板1〇4係如圖1〇⑻所 示，其係由加熱被處理基板2〇之中央部的圓形平板1〇朴、 及、於塗布開始側端部使溫度梯度包圍平板周圍之二個半 環狀的平板104a、1〇牝所構成。各別之平板1〇4a〜 1〇4c係可 獨立地進行溫度控制。亦即，形成可使被處理基板2〇之面 内的溫度分布變化之構成。 又’爲對於被處理基板20順利且均一地賦予熱梯度，配 置一可被覆平板104上面之熱擴散板15，同時於熱擴散板15 上設置間隙調整台106，於間隙調整台1〇6上載置被處理基 板20 〇 其以，説明有關實際的成膜方法。首先，不對被處理基 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 I·丨 ί裝 頁 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 476100 A7 B7 五、發明說明（ 13 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 板修正因光阻劑之氣化熱所引起的溫度分布，而在被加工 基板上使極細噴嘴（0 30 μιη)朝y方向以速度2 m/s往返運動 ，同時朝X方向使被加工基板20以0.3 mm節距移動，從極 細噴嘴洗淨地滴下光阻劑而形成液狀膜。 其次，將形成液狀膜之被處理基板20載置於減壓用眞空 室107内的間隙調整台106上。而且，如圖11所示般，相對 塗布a骑始端部5 mm(23.5°C)朝塗布方向賦予-0.1 °C/mm溫度 梯度，使中央部之溫度形成23°C固定，相對於塗布終了端 部5 mm，對被處理基板20賦予-0.2 °C/mm之溫度梯度。繼 而，賦予上述溫度梯度，同時並使減壓用眞空室107内之 壓力以-266 Pa/sec之速率減壓至與光阻劑之蒸氣壓相等的 壓力即約至133 Pa，維持其壓力70秒鐘，除去液膜中之溶 劑。其後，使減壓用眞空室107内之壓力以+5320 Pa/sec之 加壓速度返回至大氣壓，從減壓用眞空室107取出被加工 基板20。 其次，於140°C之加熱平板上載置被加工基板20而進行 烘烤處理60秒鐘，進行最後之光阻膜的安定化。 將以上之成膜方法所形成之光阻暖的膜厚分布表示於圖 12中。參考例乃表示在液狀膜之成膜步驟及溶劑之除去步 驟中不修正因溶劑之氣化熱所引起的溫度分布，而形成之 光阻膜的膜厚分布。 不修正因溶劑之氣化熱所引起的溫度分布之光阻膜膜厚 均一性爲600 nm，但，如本實施形態，修正因溶劑之氣化 熱所產生之溫度分布而除去溶劑，俾膜厚均一性可大幅地 -16- 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 I裝 頁 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4/6100 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（14) 改善至4.5 nm。 示本：施形態中，平板之分割形狀不限於圖剛所 艾形狀，而吓可使用圖1(b)所示之平板。 :，本發明不限於上述實施形態。例如藥液吐 之 ”控不限於3。-，亦可依所使用之藥液、目標膜厚而適 “更足噴嘴徑。又，噴嘴數目亦不限於一個，亦 數個％噴嘴。準備複數個喷嘴時，複數之液體吐出嘴嘴的 配置（間隔）乃適當即可，但亦可對應於晶片間距。 又，噴嘴形狀不限於圓形，亦可爲例如狹缝型之噴嘴。 又，使被處理基板朝掃描節距方向移動，但，噴嘴本身亦 可朝即距方向移動而塗布，掃描速度亦不限於2斑/咖。又 ，相對的移動方向不限於上述實施形態，例如從噴嘴所吐 出I藥液亦可以描繪螺旋之方式進行移動。 又，塗布藥液不限於光阻劑，亦可使用其他之光阻劑或 用形成反射抑制劑、有機系氧化劑、或導電膜之溶劑等 。又，對於使用金屬糊作爲配線材料之成膜亦可適用。 所分割之平板數且不限於3個，必須控制更高精度的溫 度時亦可故足成3個以上，亦可適當地改變設定溫度。 又’減壓乾燥條件、烘烤條件亦不限於上述之條件，依所 使用之藥液條件而可適當設定。 又’藥液之展開量的調整係依據整該藥液中所含有之固 形分量、該藥液之黏度或吐出速度、或、被處理基板或藥 液吐出噴嘴的移動速度來進行。 其他，本發明只要在不超出其旨意的範圍，可做各種變 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐 裝·-- (請先閱讀背面之注意事寫本頁) · · --線： 尸76號申請專利案 書修正頁(90年12月) 15 形而實施。 〔發明之效果〕 如以上說明般，芸彷太益n 生之面内溫度分布，並對2有藉由修正前述氣化熱所羞 形成液狀膜，可抑制面内之膜、厚有:均度—分布之被處理基板而 〔圖面之簡單說明〕 二

圖1 ( a )、（ b )係表示第】余、A 圖。 〶弛形怨之塗布裝置的概略構成 圖2係表示被處理基 圖3係表示光阻膜之朴=印距万向的溫度分布圖。 、 又知描即距万向的膜厚分布圖。 Θ ( a )、（ b )係表示第2實施乂於、 圖。 罘2 3她形怨又塗布裝置的概略構成 圖5係表示被處理基 圖6係表示光阻膜之掃；:：即；万向的溫度分布圖。 圖7係表示第3實施：:即距万向的膜厚分布圖。 八6又光阻劑的塗布方法。 1 ^不第3貫施形態之被處理基板的掃描節、 溫度分布。 j仰狗即距万向之 【ι:表不光阻膜之掃描節距方向的膜厚分布圖。 置㈣二）、（b)係表示第4實施形態中除去溶劑之成 置的概略構成圖。 N <成膜裝 二表:第4實施形態之被處理基板的掃描^方向 阻膜之掃描節距方向的膜厚分布圖。 11…藥液 12…藥液吐出嘴嘴 本纸張尺度適用中國國 -18- 476100 A7 _B7 五、發明說明（16) 13···溫度控制部 14，44···平板 15…熱擴教板 20···被處理基板 21…液膜 Λ、ν、、 I--I---— II 11 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 訂·· --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 476100 C8

   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 . 一種成膜方法’其特徵在於包括如下步驟： 液狀膜形成步驟，其係對於被處理基板，於該基板上 調整成以一定量擴展，將一於溶劑中添加固形份之藥 液從滴下噴嘴滴下，所滴下之液體留存於基板上，同 時並使滴下嘴嘴與被處理基板相對地移動，而該基板 之滴下開始邵至滴下終了部於被處理基板上形成液狀膜；及， 除去如述液狀膜中之溶劑而形成塗布膜之步驟；在液 狀膜形成步驟中，前述液狀膜所含有之溶劑揮發引起 之氣化熱會產生液狀膜的溫度分布，以可修正液狀膜 溫度分布之方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻， 同時並於被處理基板上形成液狀膜。 2 ·根據申請專利範圍第1項之成膜方法，其中前述被處理 基板之滴下開始部的溫度乃以比被處理基板之滴下終 了部的溫度還高的方式，對於被處理基板進行加熱或 冷卻。 3 ·根據申請專利範圍第1項之成膜方法，其中前述被處理 基板之外周部的溫度乃從滴下開始部至滴下終了部單 調地下降，同時，該基板之外周部的内側溫度以約呈 一定溫度的方式’對於被處理基板進行加熱或冷卻， 該約呈一定之溫度係比滴下開始部之溫度還低，且比 滴下終了部之溫度還高。 4 ·根據申請專利範圍第1項之成膜方法，其中以前述被處 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項Η 褒--- F本頁) 訂： --線· 叶/〇丄uu A8 B8

   /、、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 理基板之滴下開始部與滴下終了部之間的區域之溫度 梯度消失的方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻。 5 ·根據申請專利範圍第1項之成膜方法，其中以前述被處 理基板之滴下終了部的溫度梯度比被處理基板之滴下 開始部的溫度梯度還大之方式，對於被處理基板進行 加熱或冷卻。 6 ·根請專利範圍第1項之成膜方法，其中以前述被處 理基板之中央部的溫度比被處理基板之兩端部的溫度 還低之方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻。 7 ·根據申請專利範圍第1項之成膜方法，其中滴下開始部 爲被處理基板中央部，且，滴下終‘了部爲被處理基板 端部； 前述液狀膜之形成係包括如下步驟：從被處理基板中 央部至一者之被處理基板端部滴下藥液之步驟：從被 處理基板中央部至另一者之被處理基板端部滴下藥液 之步驟。 8 ·根據申請專利範圍第1項之成膜方法，其中前述藥液爲 光阻劑、反射抑制膜劑、氧化膜劑、強介電體膜劑。 9· 一種成膜方法，其特徵在於包括如下步驟：對於被處 理基板，於該基板上調整成以一定量擴展’將一於溶 劑中添加固形份之藥液從滴下噴嘴滴下，所滴下之液 體留存於基板上’同時並使滴下嘴嘴與被處理基板相 對地移動，而該基板之滴下開始部至滴下終了部滴下 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再Wk本頁) .¾ 訂---------線_ « 476100 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 液體，於被處理基板上形成液狀膜的步驟；及，除去前 述液狀膜中之溶劑而形成表面平坦之塗布膜的步驟； 在液狀膜之形成步骤中，前述液狀膜所含有之溶劑揮 發引起之氣化熱會產生液狀膜的溫度分布，以可修正 液狀膜溫度分布之方式，對於被處理基板進行加熱或 冷卻。 10·根邊申请專利範圍第9項之成膜方法，其中前述被處理 基板之滴下開始部的溫度乃以比被處理基板之滴下終 了邵的溫度還高之方式，對於被處理基板進行加熱或 冷卻。 11.根據申請專利範圍第9項之成膜方法，其中前述被處理 基板之外周邵的溫度乃從滴下開始部至滴下終了部單 凋地下降，同時，該基板之外周部的内側溫度以約呈 一定溫度的方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻， 該約呈一定之溫度係比滴下開始部之溫度還低，且比 滴下終了部之溫度返南。 12·根據申請專利範圍第9項之成膜方法，其中以前述被處 理基板之滴下開始部與滴下終了部之間的區域之溫度 梯度消失的方式，對於被處理基板進行加熱或冷卻。 13·根據申請專利範圍第9項之成膜方法，其中以前述被處 理基板之滴下終了部的溫度梯度比被處理基板之滴下 開始部的溫度梯度還大之方式，對於被處理基板進行 加熱或冷卻。 (請先閲讀背面之注意事項再Wk本頁) -霞 太 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 一 =0, H ϋ ϋ H ϋ ϋ H I ϋ H ϋ I ϋ n f n I I I n ϋ ϋ ϋ n ϋ n ϋ ϋ I I I -22- 476100 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 14. 根據申請專利範圍第9項之成膜方法，其中以前述被處 理基板之中央部的溫度比被處理基板之兩端部的溫度 ig：低之方式’對於被處理基板進行加.熱或冷卻。 15. 根據申請專利範圍第9項之成膜方法，其中滴下開始部 為被處理基板中央部，且，滴下終了部為被處理基板 端部； fit液狀膜之形成係包括如下步騾：從被處理基板中 央部至一者之被處理基板端部滴下藥液之步騾··從被 處理基板中央部至另一者之被處理基板端部滴下藥液 之步驟。 16. 根據申請專利範圍第9項之成膜方法，其中前述藥液為 光阻劑、反射抑制膜劑、氧化膜劑、強介電體膜劑。 17·—種成膜裝置，其特徵在於具備： 對於被處理基板供給藥液之滴下噴嘴； 使被處理基板與滴下噴嘴相對地移動之驅動部；可載 置被處理基板，且從被處理基板前述藥液之滴下開始 邯至滴下終了部賦予溫度分布之溫度控制部。 18·根據申請專利範園第17項之成膜裝置，其中溫度控制 4具備·吸/放熱邵，其係由可進行吸熱或放熱，且獨 1杈制各別溫度之複數平板所構成；及設於此吸/放熱 部上之熱擴散板。 19·根據申請專利範圍第17項之成膜裝置，其中溫度控制 4具備·複數 < 外周平板，其係可分別獨立控制被處 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) »!裝 --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- A8 B8 ___ C8 --------- 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 理基板之外周部複數區域的溫度；中央平板，其係可 獨互控制外周部之内側中央部的溫度；熱擴散板，其 系汉於幻述外周平板及中央平·板之上；及間隙調整台 ，、其係設於熱擴散板上，且載置著被處理基板而於熱 擴散板與被處理基板之間設有空隙。 20·根據申叫專利範圍第17項之成膜裝置，其中溫度控制 4具備·複數 < 外周平板，其係可分別獨立控制被處 理基板 < 外周邵複數區域的溫度；熱擴散板，其係設 於則述外周平板及中央平板之上；及間隙調整台，其 係汉於此熱擴散板上，且載置著被處理基板而於熱擴 散板與被處理基板之間設有空隙。 線_ 21. —種減壓乾燥裝置，其特徵在於具備：溫度控制部，其 係可載置被處理基板，且從被處理基板前述藥液之滴下 開始部至滴下終了部賦予溫度分布；減壓眞空室，其、 係可將被處理基板及溫度控制部收藏於内部，且連接 於眞空幫浦。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 22. 根據申請專利範圍第以項之減壓乾燥裝置，其中溫度 控制部具備：吸/放熱部，其係由可進行吸熱或放熱， 且獨立控制各別溫度之複數平板所構成；熱擴散板， 其係設於此吸/放熱部上；及間隙調整台，其係設於此 熱擴散板上，且載置著被處理基板而於熱擴散板與被 處理基板之間設有空隙。 23. 根據申請專利範圍第21項之減壓乾燥裝置，其中溫度 -24 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） 476100 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 k制#具備·複數之外周平板，其係可分別獨立控制 被處理基板之外周部複數區域的溫度；中央平板，其 係可獨乂控制外周部之内側中央部的溫度，·熱擴散板 ’其係設於前述外周平板及中央平板之上；及間隙調 整台’其係設於熱擴散板上，且載置著被處理基板而 於熱擴散板與被處理基板之間設有空隙。 Λ、ν、、 24·根據申請專利範圍第21項之減壓乾燥裝置，其中溫度 控制邵具備：複數之外周平板，其係可分別獨立控制 被處理基板之外周部複數區域的溫度；熱擴散板，其 係設於前述外周平板及中央平板之上；及間隙調整台 ，其係設於此熱擴散板上，且載置著被處理基板而於 熱擴散板與被處理基板之間設有空隙。 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項

   頁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）