TW471094B - Wafer storing method and storing container therefor and wafer transferring method for transferring wafer to the storing container - Google Patents
Wafer storing method and storing container therefor and wafer transferring method for transferring wafer to the storing container Download PDFInfo
- Publication number
- TW471094B TW471094B TW089114912A TW89114912A TW471094B TW 471094 B TW471094 B TW 471094B TW 089114912 A TW089114912 A TW 089114912A TW 89114912 A TW89114912 A TW 89114912A TW 471094 B TW471094 B TW 471094B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- ppm
- storage container
- wafers
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 149
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 52
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010977 jade Substances 0.000 claims description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101000931462 Homo sapiens Protein FosB Proteins 0.000 description 2
- 102100020847 Protein FosB Human genes 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010881 fly ash Substances 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000379 polypropylene carbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 241000239290 Araneae Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001494479 Pecora Species 0.000 description 1
- 241001674048 Phthiraptera Species 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6735—Closed carriers
- H01L21/67376—Closed carriers characterised by sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
471094 五、發明說明(1) 技術領域 本發明係關於將鏡面予以研磨,並將表面予以洗淨乾燥 一 " 後之晶圓予以收納的方法,以及其收納容器,及將晶圓載 入該收納容器之置入方法。特別是用以減少在搬送前述鏡 面研磨後之矽晶圓時所產生士微粒附著於晶圓所用之晶圓 之收納凌’性—數戈…器,及將晶圓置入該容器之置入方 背景技術 半導體裝置,例如記憶體或LS I之製程一般大致可區分 以下列數種··單晶製程,其係自多晶矽製造單晶矽錠 (i ngo t )者;晶圓加工步驟,其係將該錠予以切片,將薄 板狀之晶圓予以鏡面研磨者;及g.置製程,其係在該經鏡 面研磨之晶圓上,製造各種裝置者。前述各步驟中更分割 為各種成批(b a t c h)處理。該等各處理、步驟係成批的或 移動位置後擱置後進行,因此在前述處理間或步驟間,有 於製造途中將晶圓於容器内予以收納、保管或搬送之情 況。 特別是依晶圓加工至鏡面研磨為止之步驟,及在晶圓上 製造各種裝置之裝置製程,幾乎全部的情況下皆係在其他 公司進行。此處在將晶圓予以鏡面研磨加工後,將晶圓搬 送至裝置製造公司之情況,係將晶圓收納於同時保持多片 晶圓之收納容器(亦可稱為出貨箱)後予以出貨。 另一方面,裝置製程要求晶圓表面須為無微粒,有機物 或離子附著之狀態之故,在前步驟之晶圓加工處理的最
471094 —-一 五、發明說明(2)
需 進行除去 後,即在將晶圓保管於出貨用之收納容器前 5亥專微粒之洗淨處理。 相子所 痛子材 ’有將 又,出貨用箱 排出之氣,或有 質等之改善。又 箱中氣體‘置換成 1〇- 929 1 8 號) 子所造成之景々響業 機物等亦會成為問 ,為了防止晶圓上 氮氣等方法。(如丨 已調查而得知, 題’於是進行了 產生所謂的霧氣 1本專利特開平 力注意保護晶圓表面不要污染源污仇 ^況外,雖必須極 效防止微粒附著於晶圓表面的有】二、、但至此為止並無有 於曰本專利特開平8〜64 6 6 6號去。 微粒子污染、氣體狀污染等之影塑苟不、·採用將脫氣少的 在乾燥氣體供給系統之途中設^二予j除去的收納容器, 餾部所得之超高純度水蒸氣充於水瘵餾部,將該純水蒸 以搬送之技術。 、;枚納了晶圓之容器内予 惟,此技術在下一步驟具有氟 8 - 6 4 6 6 6號中稱為無水氟酸處理)+处(日本專利特開平 有為了提升氣體純度,可诘4、a ν驟之情況下有效,雖具 但依本案申請人之實驗結果,大 & 氮4除量的效果, 生之微粒附著的效果,又,致無法發揮防止容器所產 圓搬送至裝置製造步驟之愔 ;在將鏡面研磨後之晶 即,在將前述晶圓等薄板收納、、内方法或置入方法。 予以保管。搬運時,此收納容哭支持於多數片收納容器内 種震動。 °。出貨箱)在搬送中會有各
471094 五、發明說明(3) 因此震動造成之磨擦,箱子接觸部之切削或附著於箱内 之灰塵剝落引起飛灰(產生微粒),該等微粒因震動及靜電 併用附著於晶圓。又,微粒係為本來就漂浮游於空間中, 附著於物體表面之極微小物質粒子之總稱,包含金屬、無 機物及有機物。 此種收納容器内之搬運中之飛灰在LS i製程之設計規則 並未要求至極精細之積體度低的堂代並無問題,但隨著高 積,化之進展,若製作丨Giga(死)程度之Lsi時,所應注 意f ΐ之微粒f粒經亦變小,搬送中之微粒的增加便成為 · 1思者同積體化’設計規則之副微 sf r〇)早位狹小化,使得應注意管理 0.16 程度下降至0.1〇 程度,今後, 計規則世代,則前述粒徑至Q · 即,若步詈制鞀由L 為止皆為管理對象。 即右衣置製%中微粒附著 _ ^ ^ 線短路或斷線,金屬或有機、^ ^,不僅έ招致微細配 使裝置製程之良品4:’物喊粒會引起裝置特性劣化, 故’此種微粒成為檢查項 步驟送來之晶圓,判定此時ς 乂驟中檢查晶圓加工 允許者。 诂粒之粒徑及數量是否為可 儘管為了除去此微粒,在曰m丄 數之裝置廠商將晶圓再度在^ ‘牛〇=步驟已進行洗淨,多 淨’為了要將洗淨到微粒的:徑^: 2進入階段予以洗 程度,工作量亦增加了。 為止,必須提升洗淨 所產生之微粒對晶圓之附著極為
惟’要完全抑制搬送中所 471094 五、發明說明(4) 困難。特別 運輸時會有 方法各不相 有效防止微 發明之揭示 本發明鑑 納容器及將 吒使產生微 以下依序 本發明者 乾燥之晶圓 空間在高濕 6· 5 〜8 ppm) 機等進行空運,在 ,道路狀況,處理 化,但始終没有可 圓收納方法,其收 方法,其.在輪送中 於晶圓表面。 淨表面後,將真空 將該收納容器内之 絕對水分濃度為 以及將前述容器内 在以卡車在陸地運送,以飛 何種震動,具體上車輛構造 同之故,其防止方法亦多樣 粒產生之方法。 於上述課題,目的在提供晶 晶圓置入該收納容器之置入 粒’亦可極力防止微粒附著 說明達成本發明之經過。 發現·將晶圓經鏡面研磨洗 放入可密閉之收納容器内, 度(例如相對濕度為約4 Q %、 之狀悲下供其震動之情況; 之空間在乾燥狀態(例如相對溫度在丨〇%以下、絕對水分濃 度在2 ppm以下,較佳為1 ppm以下)之狀態下供其震動之 情況;兩情況中以後者可大幅抑制微粒附著於晶圓上。 以下說明在此種氣密空間空氣中水分低的狀態下,微粒 難以附著於晶圓表面之理由。 即’因震動而加速之微粒在碰撞到晶圓時,無n之一乾 燥狀態下的晶圓,微粒即使碰撞到晶圓亦會反而不會附 蔓'於.晶圓。 另一方面’高溫度狀態下晶圓表面有濕黏性,於其表面 因水分作用會使微粒附於晶圓。 本發明係基於上述見解而研發者,本發明之晶圓之收納
五、發明說明(5) ____ 方法,其特徵在於··將經鏡面研磨並 晶圓’在充填了相對溪度在以下之高1主奉先/乾燥後的 氣密空間,予以保管。具體上,所揭示之y乾無氣體之 法,其特徵在於:將經鏡面研磨並 =、U收納方 圓,在充填了將與晶圓接觸的氣相中之水=燥後的晶 ,更佳者為1 ppm以T的高清淨乾 、持在2 ppm 以保管。 札蛛虱遐之虱密空間,予 又,本發明之晶圓收納容器,其 · ^ 研磨並將表面洗淨乾g $ 二、 ;·係將經鏡面 容器中之氣體係為收納的密閉容器,該 刚,更佳者為^ 亥氣體中的水分係維持在2 1 ^ t ^ ^ aaa i i A ^ ^ ^ ^ :納於上修…密封之二 具有以下步驟·· 以在將前述上部開口朝 述容器本體的狀態下, 方以外之方向的方式配置前 容器本體内置換成乾Ρ上部開口供給乾燥氣體,以將 在維持前述乾燥空氣之置換 圓供給位置,將晶圓 、狀怨下,使上部開口面對晶 在收納晶圓後之上部開口:”步驟;及 前述任一步驟皆係在:主女裝蓋體的步驟; 、、、内谷态之晶圓置入方法的第
又,本發明以字日hr淨燥氣 日日lij置入你^ — 口口 471094 五、發明說明(6) 2樣悲,JL係將 收納於前邱^鏡面研磨並將表面洗淨乾燥後的晶圓, 於: 田盍體岔封之收納容器本體者,其特徵在 具有以下步驟: 1乂在將前述前 述容器M Ml/卩開口朝向上方以外之方向的方式配置前 本體的狀態下, 自該前部門Γ7 y 燥空氣的步;;/、給乾燥氣體,以將容器本體内置換成乾 衾隹、 圓供給位置述t燥空虱之置換狀態下,使前部開口面對晶 ’將晶圓予以收納的步驟;及 前部開口安裝蓋體的步驟; 此产古、、主=驟f係在咼清淨燥氣體下進行者。 量減ΐ 了;;二ϊ ί f i指如高清淨乾燥空氣,含水量儘 0 2 _、广4其他雜質者,具體上係指粒徑 • 以上的顆粒在20〇個/CC以下,更俨去幻 以下·名μ丄Γ 文仏者為150個/ cc 卜’氣體中的水分係維持在2 的氣體者。 PP 更佳者為1 ppm以下 此h況為了將前述容器本體 率的將殘存於容器内之普通空氣(吳二U…為了有效 出,上部開口以朝向上方以;= 水殘存空氣)予以排 斜下方為佳,又,將前述 酿向,具體上以向下或向 且將該空間内之環= 於做㈣,並 PPm以下的高清淨乾燥氣體者理7相隹持於2 pPm更佳者為玉 圖式說明 心。 471094 五、發明說明(7) 圖1為本發明之實施形態之晶圓置入裝置的概略圖。 圖2為本發明之實施形態之晶圓置入順序之流程圖。 圖3為本發明之實施形態之晶圓收納容器之分解立體 $ 4為圖3之晶圓收納容器之密封部分之局部放大圖。 —別述圖中’ 1為晶圓,50為晶圓收納容器本體、52為上 盍、5 6,5 7各表示密封襯墊。 圖5為習知之精密基板收納容器的分解立體圖。 發明之最佳實施形態 _ 以下參照圖式例示說明本發明之最佳實施形雖。其中實 :::所記載之構件之尺寸、材質、形狀、及其:、對配置並 特別予以特定記載,因本發明之範圍並不受苴限定,直 僅係§兄明例而已。 =收納容器如圖3所示,其構造包含:晶圓藍53,其 納二f用以亚列收容多數晶圓1之晶圓支持溝55 ;晶圓收 鉍:f本體5 〇 ’其收納該籃5 3 ;上蓋5 2,其覆蓋該晶圓收 i ^ ^ ί體5〇之上方開口部·’及晶圓押片54,其係用以押 =晶圓籃53内之晶圓1予以保持者。相關晶圓收納容器一 般係由聚丙稀或聚碳酸酯等有機樹脂所形成。 相關形狀亦一揭示於日本專利實開平卜1 29836號,係 習知者。 本貝鉍形悲特為提升密封性,在上蓋52及容器本體50 間’没置密封襯墊5 6、5 7,做成二重構造。即,習知係將 上蓋52下端外周形成為逆υ字狀52a,並為了使前述容器本
471094 五、發明說明(8) 體50上端外周部與前述逆u字狀凹部嵌合,凸役上端周緣 50^’將内周側密封襯塾57嵌入該嵌合空間5卜但本實施 形態係如圖4所示,在容琴太雕R 姻 墊56。 牡谷裔本體50外周側再加一圍繞之襯 前述密封襯墊56、57係由所 形成,以期更強化密封性。 τ <评性體或7 / 次之使用相關收納容器進行以下實容器係 使用可收納2 5片晶圓者,又a σσ 百先收、 係使用水分極少吸附之聚丙=本體50、52及上蓋之材貝 _ # a. ^ 〇 ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 於前。 成2重橡膠襯墊構造之點已述 接著將經鏡面研磨之;5夕曰m 般所用之方法,即在氨:以洗,晶圓洗淨之-淨後,使用希氟酸、次之魄^化^水^1)之洗淨液洗 淨液之方法),將常溫直允^、過*化氫、水(sc_2)之洗 述3種密閉容器:將置;^ =後者如後所詳述。準備下 境下溫度在如2〇t、相對/:=裏境空間做成在曰常環 U〜“P…換言之Π 氣相中之水分: 7, 内之二氣中水分做成如前述條 件,將晶圓置入,於容器本體5〇上以上蓋52予以密封 (比較例”,冑容器内之空氣中水分做成溫度2〇 濕^幻0%(氣相W水分:2 ρρπ〇,將晶圓置入予以應用 (貝把例’將谷益内之空氣中水分做成溫度2 〇 ^,相對 濕度5/。(氣相中.之水分:1 ppm),將晶圓置入予以密閉(實 施例2)。在將晶圓置入前之晶圓上的微粒黏度係比較例與
第11頁
471094 五、發明說明(9) 實施例皆相同。+ 在溫度20 °C之清淨室(無塵室clear r〇om) 5小時k ^ 數。 ’别迷收納容器開蓋,評估晶圓上之微粒產生 果f比較例1中,粒彳至0,10 以上所產生的微粒 侗。斫9的微粒數平均為3 0個’粒徑〇 . 2 # m以上為5 1固 Q -— 8 iS, m \ 1V u U ) ’相對於此’實施例1中’粒度0 · 1 0 nm 之ί之微粒平均為〇. 3個,實施例2中,粒徑0.10 /zm以上 私:粒平均為0 · 1個’可確認在各實施例中大幅抑制了微 枚對晶圓之附著。 ^下^羊細5充明表示本發明之晶圓置入步驟之實施形鲅。 =係晶圓置q置之概略圖,圖2為表示其置人^之 # ::匕中道^入裝置係可由乾燥空氣導入口 42將高清淨 L t :軋導入裝置内空間,在由搬入口(A)導入之圖3所示 =谷窃本體在(BJ、(I)區域向下反轉後,經由該反轉位 下方垂叹之官路43及三通閥44,以泵46首先將容器本體 内之普通空氣抽排出後,將前述三通閥44予以切換= 風機47將乾燥空氣導入前述容器本體内 除去及乾燥《氣之置換。 遲订附者水7刀之 又,唯引排出(吸引機構43、46)及乾 入機構43、47)亦可由不同管路進行。 亂之導入(吹 又,高清淨乾燥空氣係以專用製造單元控制 為1 0%以下或氣相中之水分 才對“度 A刀為1 ppm以下,由各管路供給至
第12頁 471094 五、發明說明(10) 置入裝置内 整體進行供 供給空氣的 氣之通路, 次之在(c 入機構4 5將 此時晶圓 洗淨予以洗 置入裝置内 4 5置入容器 將晶圓置 設於容器本 移入之方法 内之晶圓籃 次之基於 所供給之容 給之容器本 下,使用吸 分則比置入 換)。 同時或具 吹入容器本 器本體内充 次之,將 之特定部位。此時,若設置了:對置入裝置内 給的管路(導入口)、對收納容器本體5 0内直接 管路,及即使在置入晶圓時亦將碳導入乾燥空 則特別理想。 )位置將前述容器本體橫放再左轉後,利用置 晶圓收納容器本體内。 係採用將經鏡面研磨的晶圓以一般進行之RCA 淨,再以常溫真空吸引乾燥者。此晶圓被裝於 的匣或晶圓籃内,將此匣或晶圓籃由置入機構 本體内。 入容器本體5 0之方法,可為預先將晶圓籃5 3安 體5 0内,其於將晶圓1片1片放入晶圓籃内自匣 ,或亦可為將洗淨乾燥後之晶圓移入置入裝置 ,將該晶圓籃置入容器本體之方法。 圖2再說明相關步驟,首先將置入裝置外部(A) 器本體内的空氣予以吸引(Bi )。此乃因外部供 體内可能水分多之故,將容器本體之開口部朝 引機構4 3及46自下部.予以吸引。此係因其含水 裝置内的空氣重之故,所以朝下較易吸引(置 一時間差,將乾燥空氣以吹入機構43,47直接 體50内,使容器本體50完全乾燥。如此,使容 滿乾燥空氣(B2)。 出貨用容器本體橫放(C)後,移動至晶圓改裝
O:\65\65522.ptd 第13頁 471094 五、發明說明(11) -- 位置’裝載晶圓(D)。 此次之實施形態將於上述容器將經鏡面研磨之矽晶圓丄〇 片裝入步驟内的匣,將經RCA洗淨,常溫真空乾燥者亦設 於置入裝置内之特定位置後,自步驟内之匣將晶圓利用°又置 入機構45之搬送臂改裝入亦設了晶圓籃53之容器本體 内。 ’ 士如此將保管晶圓之容器回轉向上後(E ),與經過上蓋同 時的f容器本體與上蓋之接合部貼上膠帶,在密封性1 曾加 之狀態下,以薄片及鋁箔為基底之薄膜包裝材予以包^
(F )。 、 為確認本發明之效果’在上述保管狀態下,以加震機左 覆施加震動。其後自容器本體取出晶圓,計算附著於晶圓 上之微粒。微粒原由微粒計數器(LS —6〇3〇 :日 日日 社製)評估。 包千工矛王 結^ ’粒徑〇· 1 以上之微粒增加的晶圓在丨〇片中為工 片/成乎全部晶圓微粒並未增加。又,關於微粒數,: 洗淨後之微粒(置入容器本體前)在粒徑〇. 1〇 = 、,勺為〇〜l 0個’可維持於與此狀態大致相同程度。 參 9 器本體中之微粒亦同時使用日本專利^開平 曰^27娩揭示之方法,於液中微粒計中之器評估, /1 Λ容器Λ體中之微粒在粒徑0 ·2 Μ以上約為1 _ 展動後微粒為5 0 0個/ c c,增加了相當多。 著^ ί η依施以震動’冑管容器本體中微粒有增加,但附 ;曰曰®表面上之微粒則幾乎無變化,可知在此環境下保
471094 五、發明說明(12) 管、搬運係極為理想。又,亦確認,容器本體四周以鋁箔 複合膜或透明薄膜(薄片膜)予以包裝之情況,該等包裝料 内側之環境氣體之水分亦在2 p p m以下,理想者在1 p p m以 下為理想。此在長時間保管時特別理想,特別是使用鋁系 包裝材料亦可防止外部水分入侵,可維持良好的環境。 又,若可將置入裝置整體在該乾燥環境中,例如絕對水 分濃度為0. 1 ppm,將晶圓置入收納容器中為理想’但要 將置入裝置整體做成0. 1 P P in之乾燥狀態予以維持者,在 設備上的負擔、維持費可能變大。故,將置入裝置整體維 持於普通乾燥狀態(相對濕度在1 0 %以下程度),僅將收納 容器中之供給部分置換為乾燥氣體如0. 2 p p m以下,理想 者為O.lppm程度,予以保管即可。 相對濕度雖依氣溫而變化,但只要儘量將最後與晶圓接 觸的氣體中的水分維持於極少即可,將絕對水分濃度設為 2 ppm以下即可。 以上說明係針對晶圓收納容器本體之開口部係設於上部 者,最近特別是直徑3 0 0 mm以上之晶圓收納容器,係使用 稱為F0SB(Front Opening Shipping Box ,前開出貨箱)之 於收納容器前部設置開口部之晶圓收納容器。 此F0SB係如圖5所示,由構造包含:晶圓收納容器本體 1 5 0,其係將用以並列收納多數晶圓之晶圓支持溝1 5 5層視 配列於其内部者;及前蓋1 5 2,其係於内側設有晶圓押 片,於周圍設有密封襯墊,將於晶圓收納容器本體之前部 開口部分以覆蓋者。此F OS B —般係由聚丙烯或聚碳酸酯等
O:\65\65522.ptd 第15頁 47l〇9d 五、發明說明(13) 有機樹脂所形成。 ’其係將數片半導 前蓋1 5 2,其係固 7正面者;及底植 收納容器1 5 0係成 具體%明之,其具備:收納容器1 5 0 ,晶圓(以下簡稱為晶圓)予以收納者; 著脫離自如的覆蓋此收納容器1 5 0之開 U9,其係裝於收納容器15〇之底面 形為正面開口之箱椹、也工a々如m …分一八咏风 卡 相構免,正面之内周面上下各形成複數之 (夫圖—彳 )。此收納容器15〇之内部背面裝有後護墊 1 5 5 ^ Ϊ箄彳在左右兩面各裝有相對的晶圓支持溝 於士…予以整齊排列支持溝155係將複 刖盍1 5 2内藏開閉鎖止機構丨5 8,直 數之閂鎖板上下動者。此π Μ 係基於紅轉刼作使複 形成有自前置⑸之貫 合卡止於各卡止孔,將=心:=爪歲 器1 50正面。 难固的肷合覆盍於收納容 於此種FOSB,可使用圖 示之晶圓置入方法大致 本一%明之晶圓置入方法亦可使用 1所示之晶圓置入裝置,用與圖2 相同的方法予以進行。
與FOSB之情況相異之處列舉於 體之開口部並非向上,而係如同:。圖之⑴中,容录 故’自(A)至(Bl)之操作並非反:圖之(C)般朝向橫向。 下進行旋轉操作。又,(D 轉曰,而係將前述開口部J 體後,可不旋轉收納容器之方:曰圓置入晶圓收納容器 點仍為輕微的變更,依此。而裝入收納容器本體, 般開口部設於收納$
471094 五、發明說明(u) 本體前部之收納 又,鏡面研磨 極為普通者,但 形成後之晶圓’ 圓,依本發明之 即,鏡面研磨, 制微粒附著之狀 發明之效果 依上述記載之 置製造步驟之情 表面,依此可省 檢查或晶圓洗淨 容器亦可使用本發明之晶圓置入方法。 ,將表面洗淨乾燥後之晶圓予以搬送乃屬 其後,進行結晶成長等處理之晶圓或裝置 同樣亦在微粒附著之問題。即使係此種晶 環境條件予以保管,亦可抑制微粒增加。 將表面洗淨乾燥後之晶圓係指必須極力抑 態的晶圓。 本發明,在將鏡面研磨後之晶圓搬送至裝 況中,可防止在該搬送中微粒附著於晶圓 略在晶圓搬送後之裝置製造步驟中之微粒 步驟。
第17頁
Claims (1)
- 471094 、、申請專利範圍 --------- 玉· u 並將表喱晶圓之收納方法,其特徵在於··將經鏡面研磨 下之高、、主洗淨乾燥後的晶圓’在充填了相對濕度在10%以 2. 巧」㈢淨乾燥氣體之氣密空間,予以保管。 並將表面種晶/圓之收納方法,其特徵在於:將經鏡面研磨 相中之水=淨乾燥後的晶圓,在充填了將與晶圓接觸的氣 燥氣體之二維持在2 ppm,更佳者為1 ppm以下的高清淨乾 3, /虱密空間,予以保管。 並將表面種先晶必圓妒收納容器’其特徵在於:係將經鏡面研磨 中之氣體ί Γ ί無後的晶圓予以收納的密閉容器1容哭 ,更佳::為乾燥氣體,該氣體中的水分 二; 4 f為1 ppm以下。 仕z ppm 經鏡而m種將晶圓置入收納容器之晶圓置入方、$ 具有以收納容器本體者,其特徵在於:開口 、’ M下步驟: 述ί i ΐ前述上部開口朝向上方以外之方向的*; :本體的狀態下,自該上部開口 式配置前 :本體内置換成乾燥空氣的步驟;、’°乾燥氣體,以將 圓供ϋ持前述乾燥空氣之置換狀態下,使上% π ^位置’將晶圓予以收納的步驟;及β開口面對晶 前::内:圓後之上部開口安裝蓋體的步驟. 5 j步驟皆係在高清淨燥氣體下進行者。 面研磨並將表面洗淨乾燥後的晶圓,收二:其係將經 、、、内於耵部開口由第18頁 而種將晶圓置入收納容器之晶圓置入 471094 六、申請專利範圍 蓋體密封之收納容器本體者,其特徵在於: 具有以下步驟: 以在將前述前部開口朝向上方以外之方向的方式配置前 述容器本體的狀態下,自該前部開口供給乾燥氣體,以將 容器本體内置換成乾燥空氣的步驟; 在維持前述乾燥空氣之置換狀態下,使前部開口面對晶 圓供給位置,將晶圓予以收納的步驟;及 在收納晶圓後之前部開口安裝蓋體的步驟; 前述任一步驟皆係在高清淨燥氣體下進行者。 6. 如申請專利範圍第4或5項之將晶圓置入收納容器之 晶圓置入方法,其中係將前述各步驟維持於1個密閉空 間,並且將該空間内之環境氣體中的水分維持於2 ppm更 佳者為1 p p m以下的高清淨乾燥氣體者。 7. 如申請專利範圍第4或5項之將晶圓置入收納容器之 晶圓置入方法,其中前述高清淨乾燥氣體係為粒徑0. 2 β m以上的顆粒在2 0 0個/ c c以下,更佳者為1 5 0個/ c c以下; 氣體中的水分係維持在2 ppm,更佳者為1 ppm以下的氣體 者0
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21349899 | 1999-07-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW471094B true TW471094B (en) | 2002-01-01 |
Family
ID=16640201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089114912A TW471094B (en) | 1999-07-28 | 2000-07-26 | Wafer storing method and storing container therefor and wafer transferring method for transferring wafer to the storing container |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6467626B1 (zh) |
EP (1) | EP1119039A1 (zh) |
KR (1) | KR20010075387A (zh) |
TW (1) | TW471094B (zh) |
WO (1) | WO2001008210A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112740368A (zh) * | 2018-11-01 | 2021-04-30 | 信越半导体株式会社 | 晶圆收纳容器的清洗方法及其清洗装置 |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3880343B2 (ja) | 2001-08-01 | 2007-02-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法 |
JP4256088B2 (ja) * | 2001-09-28 | 2009-04-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US6955382B2 (en) * | 2002-01-15 | 2005-10-18 | Entegris, Inc. | Wafer carrier door and latching mechanism with c-shaped cam follower |
US20030173189A1 (en) * | 2002-03-18 | 2003-09-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Stocker conveyor particle removing system |
US7185764B2 (en) * | 2002-06-24 | 2007-03-06 | Macronix International Co., Ltd. | Wafer shipping device and storage method for preventing fluoridation in bonding pads |
US20040098949A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Packaging method for wafers |
CN1307692C (zh) * | 2003-04-29 | 2007-03-28 | 力晶半导体股份有限公司 | 稳定材料层性质的方法 |
TWM240022U (en) * | 2003-09-15 | 2004-08-01 | Power Geode Technology Co Ltd | Nitrogen refilling system |
US20050072121A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Method and system for shipping semiconductor wafers |
DE102004063912B4 (de) * | 2004-04-22 | 2007-09-20 | Siltronic Ag | Verfahren zum versandfertigen Verpacken von Halbleiterscheiben |
JP2005353940A (ja) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の保管庫、保管方法及びそれを用いた半導体基板の製造方法 |
JP2006062704A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Miraial Kk | 薄板支持容器 |
KR100781723B1 (ko) * | 2006-07-31 | 2007-12-03 | 에이펫(주) | 웨이퍼용 캐리어 |
DE102006051493A1 (de) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | System und Verfahren zur vertikalen Scheibenhandhabung in einer Prozesslinie |
FR2954583B1 (fr) * | 2009-12-18 | 2017-11-24 | Alcatel Lucent | Procede et dispositif de pilotage de fabrication de semi conducteurs par mesure de contamination |
KR20180078419A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-10 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4171740A (en) * | 1976-09-07 | 1979-10-23 | Monsanto Company | Wafer packaging system |
US4129211A (en) * | 1976-09-07 | 1978-12-12 | Monsanto Company | Wafer packaging system |
JPS6413718A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-18 | Sumitomo Electric Industries | Method for storing semiconductor substrate |
JPH08236605A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-13 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハ収納ケース |
JP3783273B2 (ja) * | 1996-03-12 | 2006-06-07 | アシスト シンコー株式会社 | 可搬式密閉コンテナのガスパージステーション |
JP3654612B2 (ja) * | 1996-09-24 | 2005-06-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | クリーンルーム |
-
2000
- 2000-06-30 US US09/806,235 patent/US6467626B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-06-30 KR KR1020017003880A patent/KR20010075387A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-06-30 EP EP00942431A patent/EP1119039A1/en not_active Withdrawn
- 2000-06-30 WO PCT/JP2000/004366 patent/WO2001008210A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2000-07-26 TW TW089114912A patent/TW471094B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112740368A (zh) * | 2018-11-01 | 2021-04-30 | 信越半导体株式会社 | 晶圆收纳容器的清洗方法及其清洗装置 |
CN112740368B (zh) * | 2018-11-01 | 2024-08-27 | 信越半导体株式会社 | 晶圆收纳容器的清洗方法及其清洗装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6467626B1 (en) | 2002-10-22 |
WO2001008210A1 (fr) | 2001-02-01 |
EP1119039A1 (en) | 2001-07-25 |
KR20010075387A (ko) | 2001-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW471094B (en) | Wafer storing method and storing container therefor and wafer transferring method for transferring wafer to the storing container | |
JP3880343B2 (ja) | ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法 | |
US6637998B2 (en) | Self evacuating micro environment system | |
TW202333279A (zh) | 門開閉系統及具備門開閉系統之載入埠 | |
CN107924860A (zh) | 装载端口 | |
JP2001284433A (ja) | 基板移載装置及び基板移載方法 | |
TWI526377B (zh) | 晶圓傳送盒 | |
TWI523140B (zh) | Loading port | |
KR20060048151A (ko) | 반도체기판의 보관고, 보관방법 및 이를 이용한반도체기판의 제조방법 | |
US9260795B2 (en) | Closure for silica glass crucible, silica glass crucible and method of handling the same | |
US20060283770A1 (en) | Transportation fixture and package for substrate rack | |
JP3667527B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI722176B (zh) | 裝載埠及晶圓的搬送方法 | |
KR100360404B1 (ko) | 표면 열화를 방지하는 웨이퍼 패킹 방법 | |
JPH08195426A (ja) | 真空搬送用インターフェイス装置 | |
JPH042147A (ja) | 半導体基板の保管装置 | |
JP2017188609A (ja) | パージ性能を備えたウエハシッパー微環境 | |
JP4524971B2 (ja) | 半導体基板保管箱、半導体基板の製造方法 | |
KR101674107B1 (ko) | 기판용기 커버 개폐장치 | |
JPS60167414A (ja) | 半導体の包装体 | |
JP2001151274A (ja) | 保管容器 | |
US20020153578A1 (en) | Wafer buffering system | |
JPH1064861A (ja) | ウエハの洗浄方法および装置 | |
JPH09283611A (ja) | 試料容器および試料搬送方法 | |
JPH0864666A (ja) | 基板収納容器及び基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |