TW465105B

TW465105B - Photosensor and photosensor system

Info

Publication number: TW465105B
Application number: TW089115401A
Authority: TW
Inventors: Kazuhiro Sasaki; Makoto Sasaki; Yasuo Koshizuka
Original assignee: Casio Computer Co Ltd
Priority date: 1999-08-02
Filing date: 2000-08-01
Publication date: 2001-11-21
Also published as: KR20010075560A; HK1041366B; CN1316636C; CA2346032A1; ATE424043T1; CN1319257A; NO20011640D0; EA003343B1; WO2001009960A1; EP1118126B1; AU6182800A; NO20011640L; CA2346032C; US6670595B1; EA200100409A1; DE60041627D1; EP1118126A1; HK1041366A1; AU756447B2

Description

4651 05 A7 B7 五、發明說明（ί ) [產業上之利用領域] 本發明爲有關.一種光感元件及光感測系統.其係可做光檢測或按照所檢測的光以讀出其圖像者。

[習知之技術J 以往的，要讀取印刷物或照片，或從手指的微細凹凸讀取指紋的二維圖像之讀取裝置中，有一種是將光電轉換元件（以下稱光感元件）排列成矩陣狀以構成光感元件陣列之構造者。這種光感光件陣列在一般上是用單結晶矽所形成的電荷耦合器件（以下知CCD)等之固體攝影裝置，但，由於是用單結晶矽，因而會有其製造成本顯著的升高之問題。又，如眾所周知，CCD是具將光電二極體或光感元件排列成矩陣狀之構成，是將對應於照射到各光感元件的感光部位之光量所產生的電荷，由水平掃描電路及垂直掃描電路讀出，以測出照射光的輝度，但，在於這種用CCD和光感測系統中，爲了使被掃描的各光感元件處於選擇狀態，必需個別的設置選擇電晶體，因而，隨著像素數的增加，其系統本身會有大型化之問題。所以，近年來爲了解決這些問題，將使光感元件本身持有感光功能和選擇電晶體功能的所謂雙閘構造之薄膜電晶體（以下稱雙閘型光感元件）應用在圖像讀取裝置上，以試圖系統的小型化及低製造成本化。由這個雙閘型光感元件PS所構成的光感元件陣列之平面構成，係例如第30圖所示，雙閘型光感元件PS互相在本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲婧背面之注#^項再碘寫本頁) 二裝-----^*—1 訂---------線--«Τ . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7_五、發明說明（> ) 正交的X'Y兩方向，各個以所定節距PSP配置成爲格子（矩陣）狀，且，考慮使光線可從絕緣性基板（玻璃基板）一個側通過格子內部的元件之間的區域Rp照射到對象物之構造者。因而，要使對象物照射到充分的光線，以提升感光靈敏度時，也要儘量的確保元件之間的區域Rp要有較大的面積。第3 1圖是第30圖中（XXXI ) - (XXXI )線的雙閘型光感元件Ps之構造斷面圖。雙閘型光感元件PS是由：當光線入射時會產生電子一空穴對¥半導體層1 ;分別設在半導體層1兩端的η +矽層7，7 ;形成在η +矽層7上，對於半導體層丨的激發光線具遮光性的源極2及汲極3 ;設在半導體層]上方的塊狀絕緣膜4 ;覆蓋源極2及汲極3的頂層閘極絕緣膜5 ;形成在頂層閘極絕緣膜5上的頂層閘極TG ; 設在半導體1下方的底層閘極絕緣膜6 ;及，形成在底層閘極絕緣膜6的下方，對於半導體層1的激發光線具遮光性的底層閘極BG所構成。即，雙閘型光感元件PS是以半導體層1爲共同通道區域，而由半導體層1、源極2、汲極3及頂層閘極TG所形成的上部金氧半導體（以下稱MOS )電晶體，和由半導體層 1、源極2、汲極3及底層鬧極BG所开彡成的「部MOS電晶體之2只MOS電晶體組合構造，形成在玻璃基板等的絕緣基板9上者。而，從雙閘型光感元件PS的上方所出射的光hν會向箭頭方向前進，透過頂層閘極TG及透明的絕緣膜4，5，入射 ---1.,---^-----<^-----r---訂---------竣 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張反度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 465105 A7 ___B7_____五、發明說明（子）於半導體層1。在半導體層1中會產生對應於入射光量的電子-空穴對，而將對應於其電荷的電壓信號測出，就可讀取對象物的明暗資訊。 [發明欲解決之問題] 然而，如上述的應用於二維圖像的讀取裝置之光感測系統中，有如下之問題。 (a)雙閘型光感元件PS的光導體層】是依據通道區域所規定的各尺寸，即，半導體層1的通道長度L◦與通道寬度WQ之比所設定。又，通^長度U是和通道長度方向的塊狀絕緣膜4的長度一致》雙閘型光感測元件PS的電晶體特性在+一般上是以下式 (1 )所表示。 I d s W 〇 / L 〇式中I d s是源極-汲極電流値》雙閘型光感測系統是在其源極2與汲3之問 > 會基於半導體層1內的對應於入射光量所產生的電荷而流通汲極電流I d s，而將由於該汲極電流I d s所變位的汲極3電壓讀取，以認識圖像者。因而，要將對象物的圖像以高對比度且明確的認識時，必須使位於對象物中的黑暗部分的雙閘型光感元件PS之汲極電流I d s與位於對象物中較明亮部分的雙閘型光感元件P S之汲極電流I d s之間的差加大。如此的，可決定雙閘型光感元件PS的電晶體靈敏度之源極-汲極電流Ids,是基於半導體層1的通道寬度… 及通道長度LQ之比所決定，因而，要提升雙閘型光感元件 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又^-----Γ---訂----I----線本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）

C 五、發明說明（斗） PS的電晶體靈敏度時，要將比率Wo/Lo的設計値儘量加大較爲理想。一方面，如將雙閘型光感元件PS設定在高的電晶體靈敏度時，比率WQ/LQ會加大，半導體1的平面構造會必然的成爲通道寬度相對的長，通道長度1^相對的短之長方形。雙閘型光感元件PS只是要檢測入射於半導體層1的光線，在半導體層1之中，是只可從未被遮光性源極2及汲極3所覆蓋的部分，檢測到從上方入射的光線，而如第 30圖所示，半導體層1的^線可入射之區域形狀是短邊長度爲K0,長邊長度爲大約％而成爲大略長方形Ipq2 形狀。短邊長度K0在實質上是大大的依賴於通道長度Lei 因而，入射於半導體層1的光線如爲完全擴散光或接近於擴散光的光線時，從X方向入射於光半導體層1的光量會比從Y方向入射於半導體層1的光量爲少，會依入射光的行進方向而有顯著的偏差。即，在於這種雙閘型光感元件PS中，構成通道區域的半導體層1之可供光入射區域的形狀，是形成爲單體的長方形I Ρΰ ,因而，1只雙閘型光感元件PS在實質上可檢測的保護絕緣膜20表面上之光通過區域是成爲在實質上與大略方形IΡ。相似形狀的縱向較長之區域ΕΡϋ (圖中斜線部分），而在圖面橫方向（X方向）所能獲得的感光靈敏度之區域會窄小。因而，會由於在X，Υ方向的感光區域在擴展上之偏差，而引起所讀出圖像的失真，不能正確的讀取對象物的明暗資訊。因此，會有不能同時的實現電晶體的高本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 i I I 訂· ---!· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（y) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 靈敏度和讀取已抑制過失真的圖像資訊之問題。又，有關區域EPQ,並非嚴.密的表示雙閘型光感元件PS和感光靈敏度之分佈範圍者。 (b)將雙閘型光感元件PS配置成爲矩陣狀時，在對應於矩陣的垂直二方向（Χ，γ方向）以外之斜方向（〇~90° )中，其感光部位相互之間的間矩不會均勻，而產生讀取精度的劣化。即，光感元件陣列上的雙閘型光感元件PS的配置是使雙閘型光感元件PS只在於Χ,Υ正交2方向互相離開均等尺寸Psp的配置，因而i與對應於矩陣的Χ，Υ方向成斜方向（〇° '90° '180° '270°以外的適當角度，例如45° 成60 °方向）上，雙閘型光感元件PS相互間的間矩是比 Χ，Υ方向的爲大，且不均等（例如45°時爲/ 2倍），而會有對於放置在斜方向的對象物不能實現均等且高精度的讀取動作之問題。經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 (c )要測出手指的凹凸等對照射光的反射之差異，是利用於入射可見光波範圍的光線時會激發的，在於由非晶質矽形成的半導體層1所產生的載體者。而儲存該載體所用的頂層閘極TG是介於例如手指等的對象物與半導體層 1之間，因此，必須具備可使從對象物反射而要激發半導體層1的波長範圍之光透過的性質。因此，必需用如氧化銦一氧化錫（以下稱I TO)等的透明電極。在此，其在行方向（X方向）相鄰接配置的雙閘型光感元件PS的頂層閘極 TG彼此之間，雖經由頂層閘極配線TGL所互相連接，但頂層閘極配線TGL本身也是和頂層閘極TG —體的以I TO形本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（G) 成，而I TO的電阻率是比一般作爲配線層所用的鉻等金屬爲高，因而會有容易產生信號的傳送遲延之問題。爲了要解決這種I TO的高電阻之問題，可形成較寬幅的配電層以作爲頂層閘極配線TGL，而加大配線斷面積以減低其配線電阻，但，雖然是像T 10的透明電極，也會產生透過光的光量之衰減，隨便的加厚時，也會有使感光靈敏度降低之問題。又，頂層閛極配置TGL在於雙閘型電晶體的的各構成製造過程中，是在於將配置在知方向（Y方向）相鄰接的雙閘型光感元件PS的汲極3彼此之間加以連接之汲極配線DL , 將配置在列方向相鄰接的雙閘極光感元件PS的源極2彼此之間加以連接之源極配線S L (接地線），及，將配置在行方向相鄰接的雙閘型光感元件PS的底層閘極BG彼此之間加以連接之底層閘極配置BGL等多數配線層凹層疊形成之後，才形成於較上層者，因而，較容易受到層疊構造高低差，而會有斷線的危險性會升高之問題。又，頂層閘極配線TGL是與在行方向鄰接的雙閘型光感元件PS之間的底層閘極配置BGL重疊，因而會由於頂層閘極配線TGL與底層閘極配線BGL之間的電容，而會有使信號傳送更易遲延之問題。『專利合作協定（以下稱PCT )申請用因此，本發明的目的是在於提供一種光感元件，及光感測系統，其係經改善其光感測區域的不平衡，而具高的電晶體靈敏度之光感元件；及，將多數的光感元件排列，而在本紙張尺度適用_國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝訂·！--I I-- 4 65 1 〇.： A7 ----------B7______ 五、發明說明（7 ) 、其感光範圍內具良好的平衡性之光感測系統著。』『美國申請用. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁> 因此，本發明的第1目的是在於提供一種光感元件及光感測系統，其係改善其感光區域的不平衡，而具高的電晶體靈敏度之光感元件；及將多數的光感元件排列，而在其感光範圍內具良好平衡性之光感測系統者。又，本發明的第2目的是在於提供一種光感測系統，其係可解決上述問題點，而可抑制信號的延遲，順利的驅動之光感測系統者。』 ’ [發明之解決手段] f PCT申請用經濟部智慧財產局員工消費合作社印製爲了要達成上述目的，本發明的光感元件係包含Μ個或多數的半導體層，而該半導體層係具有汲極電流所流通的多數通道區域者。因此設置多數的通道區域，就可設定較高的W / L，並可配合多數通道區域，任意的設定載體產生區域的位置，以使入射光在二維上的行進方向之平衡獲得均勻，因而可做到失真少的檢測，又，可獲得高的汲極電流，而獲得良好的電晶體靈敏度。尤其是在沿著汲極區域的通道長度方向設置多數的載體產生區域時，會有很好的效果。又，將多數的這種光感元件構成爲三角形排列時，可使在二維上相鄰的光感元件彼此之間的距離更爲均等，因而，在於將同一對象物放置在光感元件陣列的平面上之不同角度時，可抑制其由於方向的不同而感光靈敏度的不均勻 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 ^65105 ___B7_；_ 五、發明說明（公）度所引起的光資訊之偏差，因此，對象物放置角度的限制會較少，而可實現圖樣讀取特性更加優異的光感測系 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 統。』 r美國申請用爲了達成上述第1目的，本發明的光感元件係包含1個或多數的半導體層，而該半導體層係具有於激發光入射時會產生載體的多數載體產生區域者，或包含1個或多數的半導體層，而該半導體層係具有汲極電流所流通的多數通道區域者。因此，可任意的*設定載體產生區域的位置，以使入射光在平面上的行進方向之平衡獲得均勻，因而，可做到失真少的檢測，又，可獲得較高的汲極電流，而獲得良好的電晶體靈敏度，尤其是在沿著汲極區域的通道長度方向，設置多數的載體產生區域時.，會有很好的效果。又，將多數的這種光感元件構成爲三角形排列時，可使在二維上相鄰的光感元件彼此之間的距離更爲均等 > 因而，在於將同一對象物放置在光感元件陣列的平面上之不同角度時，可抑制其由於方向的不同而感光靈敏度的不均勻度所引起的光資訊之偏差，因此，對象物放置角度的限制會較少，而可實現圖像讀取特性更加優異的光感測系統。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製又，爲了達成上述第2目的，本發明的光感測系統係包含；連接在多數光感元件的第1閘極彼此之間的第1閘極配置線；和連接在多數光感元件的第2閘極，而配置在相鄰光感元件之間，且在平面上與上述第1閘極配線相隔離之第2閘極配置者。由此以消除第1閘極配線與第2閘 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65105 A7 ____B7___ 五、發明說明（3 ) 極配線之間的寄生電容，因而可抑制第1及第2閘極配線所輸出的信號雜.訊，而連接在第1及第2閘極配線的光感元件之數量雖龐大，也可正常的運作，且，也可降低其信號電壓，而減低其消耗電力。又，如將第2閘極配線再分歧爲數條時，在於將光感元件陣列形成在所構成疊層構造的較上層之場合中，如由於高低差而有一條第2閘極配線發生斷線，也可由另1條所浦償將信號供應於光感元件，由此可提升成品率，且增多閘極配線斷面積，減低配線電阻，而抑制信號的傳送遲延，而可順利的進行對象物的圖像讀取之動作。』 [實施例] 以下，詳細說明有關本發明的光感元件，光感元件陣列，及光感測系統的實施例。首先，參照圖面說明有關本發明的適用於圖線讀取裝置之雙閘型光感元件。第1圖是本發明的適用於光感元件陣列的雙閘極光感元件1 0之槪略平面圖，第2圖是第1圖中（I I ) - ( I I )線的斷面圖。在此是對雙閘型光感元件丨〇中，其每1元件是具1個作爲感光部的半導體層，而將半導體層的通道區域分割爲2個的雙閘型光感元件1 〇之槪略構成，具體的說明。本實施例的雙閘型光感元件的是包含：形成在對可見光線具透過性的絕緣性基板19上之單一底層閘極2 2 ;設在底層閘極2 2上及絕緣性基板1 9上的底層閘極絕緣膜1 6 ; 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） I I ij--1 V I I ! I ^ -ml·——— ^ 11111111 » (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 465105 A7 B7 五、發明說明（（〇 ) (請先間讀背面之注意事項再填寫本I) 設在底層閘極絕緣膜16上的與底層閘極22相對之位置，於入射可見光線.時會產生電子一空穴對的 >由非電質矽等所形成之單一半導體層]1;在半導體層11上互相隔離而並排配置的塊狀絕緣膜14a、14b;分別設在通道長度方向的半導體層11兩端上之雜質層17a、17b;設在半導體層11的中央上，與雜質層17a、〗7b相隔離的雜質層18; 分別設在雜質層17a、17b上的源極12a、12b;設在雜質層1 8上的汲極1 3 ;將底層閘極絕緣膜1 6、塊狀絕緣膜 14a，14b、源極〗2a、12b、及汲極13覆蓋的頂層閘極絕緣膜I 5 ;設在頂層閘極絕緣膜〗5上，與半導體層1〗相對的單一頂層閘極2 1，和設在頂層閘極絕緣膜1 5上及頂層閘極2 1上之保護絕緣膜20所構成》如第3圖所示，半導體層Π是形成在以格子畫上陰影線的區域，具有在平面上與源極1 2 a、1 2 b及汲極1 3重疊的部分，和在平面上分別與塊狀絕綠膜1 4 a、1 4 b重疊的通道區域1 1 a、1 1 b。通道區域1 1 a、I 1 b是並排在通道長度方向（Y方向）。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如第4圖所示，塊狀絕緣膜1 4 a是配置成爲其兩端部位在平面上分別重疊於源極1 2 a及汲極1 3，而塊狀絕緣膜 1 4 a是配置成爲其兩端部位有部分的，且在平面上分別重疊於源極1 2 b及汲極1 3 « 如第5圖所示，雜質層17a、17b、18是由摻雜η型雜質離子的非晶質矽（η +矽）所形成，雜子層1 7 a是介於半導體層1 1的一邊端和源極〗2 a之間，且，一部分是配置在塊 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65 〇5 Α7 ___Β7___ 五、發明說明（) 狀絕緣膜14a上》雜質層丨7b是介於半導體層Η的另一邊端和源極1 2 a之間，且，其一部分是配置在塊狀絕緣膜 14b上。雜質層18是介於半導體11和汲極13之間，其兩端部位分別配置在塊狀絕緣膜1 4a ' 1 4b上。第6圖是將每1元件中有2個可作爲感光部的半導體層區域之雙閘型光感元件10,配置成爲矩陣狀的光感元件之平面構成圖。在行方向相鄰配置的雙閘型光感元件 1 0的頂層閘極2 1彼此之間是由分歧成2條的頂層閘極配線1 0 1 a、1 0 1 b所連接，^行方向相鄰配置的雙閘型光感元件10的底層閘極2 2彼此之間是由1條底層閘極配線1 0 2所連接。頂層閘極1 0 1 a、1 0 1 b是配置在雙閘型光感元件1 0之間，而不與底層閘極配線1 〇2重疊。又在列方向相鄰接配置的雙閘型光感元件1 〇的汲極丨3彼此之間是由汲極配線1 0 3所連接，在列方向相鄰配置的雙閘型光感元件1 0的源極1 2 a、1 2 b彼此之間是由源極配線1 〇 4 所連接，而在該源極配置1 〇 4上供應電壓V s s。在此，源極1 2 a、1 2 b是由共同的源極配線〗〇 4向著汲極配線1 0 3 ,而沿著X方向突出形成爲梳子形狀者。又，汲極1 3是從與源極配線1 04相對的汲極配線1 03，沿著X 方向形成如向源極配線1 〇 4側突出者。即，源極1 2 a和汲極1 3是將半導體層Π的區域1 1 a夾在其中間成爲相對的配置，源極1 2 b和汲極）3是將半導體層]1的區域1 1 b 夾在其中間成爲相計的配置者。 '又，在第2圖時，塊狀絕緣膜丨4 a、M b、頂層閘極絕緣 -13- 本紙張尺度適用Ί7國國家標準（CNS)A4規格（210x297公茇） ---11 — i!!、- 裝.-------- 訂 ------I* 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65 1 c 、 A7 __B7____ 五、發明說明（A) 膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6、及設在頂層閘極21上的保護絕緣膜20是由氮化矽等的透光性絕緣膜所形成，又，頂

層閘極21及頂層閘極配線l〇la' l〇lb是由上述的ITO 等透光性的導電性材料所形成，都對可見光線呈現高的透過率。·—方面，鬧極12a、12b、汲極13、底層鬧極22及底層閘極配線102是由從鉻、鉻合金、鋁、鋁合金等中所選擇的、可遮斷可見光線的透過之材質所構成。即，雙閘型光感元件10是由；半導體層11的通道區域 1 1 a、源極1 2 a、汲極1 3 ^頂層閘極絕緣膜1 5、及頂層閘極2 1所形成的第1上部M0S電晶體；和通道區域1 1 a、源極1 2 a、汲極1 3、底層閘極絕緣膜丨6 ,及在底層閘極2 2 所形成的第1下部MOS電晶體所構成之第1雙閙型光感元件；及由半導體層1 1的通道區域1 1 b、源極丨2 b、汲極 ]3、頂層閘極絕緣膜1 5、及頂層閘極2丨所形成的第2 上部MOS電晶體；和通道區域1〗b、源極1 2b、汲極1 3、

底層閘極絕緣膜1 6'及底層閘極22所形成的第2下部MOS 電晶體所構成的第2雙閘型光感元件；所構成，而由這些第1及第2雙閘型光感元件並排配置在絕緣性基板1 9上構成爲雙閘型光感元件1 0者。雙閘型光感元件1 0的第1雙閘型光感元件的汲極電流所流通的通道區域π a是被設定爲其相鄰兩邊是由通置長度L 1及通道寬度W 1所定義的矩形狀，第2雙閘型光感元件的汲極電流所流通的通道區域1 1 b是被設定爲其相 1 鄰兩邊是由通道長度L2及通道寬度W1所定義的矩形狀 -1 4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----,,---\-----.JL·.裝---I l·---訂·----一一--線- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 > J 4 8510 T a? B7 五、發明說明（G) 者。又，從雙閘型光感元件10的上方入射光線時，會使第1 雙閘型光感元件的汲極電流I d s受到影響的載體產生區域是大約縱向長度爲K1橫向長度爲W1的略呈長方形，而大體上近似於通道區域1 1 a的形狀。從雙閘型光感元件 1 0的上方入射光線時，會使第2雙閘型光感元件的汲極電流Ids受到影響的載體產生區域是大約縱向長度爲 K2'橫向長度爲W1的略呈長方形狀，而大體上近似於通道區域1 1 b的形狀。以下，將雙閘型光感元件以二維排列所構成的光感測系統，參照電路圖簡單說明之。第7圖是將雙閘型光感元件以二維排列所構成的光感測系統之槪略構成圖。光感測系統可大致區分爲包含：將多數雙閘型光感元件 1 0排列成例如η行χπι列的矩陣狀之光感元件陣列1 〇〇 ; 將在行方向柵鄰接的雙閘型光感元件1 〇彼此之間的頂層閘極端子TG (頂層閘極2 1 )及底層閘極端子BG (底層閘極 2 2 )分別加以連接之多數頂層閘極配線1 〇 1 ( 1 〇 1 a、1 0 1 b ) 及多數底層閘極配線1 02 ;分別連接在頂層閘極配線1 〇 1 及底層閘極配線1 0 2的頂層閘極驅動器丨1 1及底層閘極驅動器1 1 2 ;將各雙閘型光感元件的汲極端子D (汲極1 3 ) 在列方向加以連接的汲極配線]〇 3 ;連接在汲極配線1 〇 3 的檢測驅動器1 3 ;開關1 1 4 ;將源極端子S (源極1 2 )在列方向加以連接，而供應電壓V s s的源極配線1 〇 4 ;及面光本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂---------—錄 Α7 Β7 〇δ 1 〇5 五、發明說明（14 ) 源30所構成。電壓Vss只要不和偏極配線的預充電壓相同，可任意設定，.但是以接地電位爲理想。頂層閘極配線1 〇 1是和頂層閘極2 1 —起用I TO所形成，底層閘極配線1 0 2、.汲極配線1 0 3及源極配線1 0 4分別和底層閘極22、汲極13、及源極12用同樣材料且一體的形成者。圖中，§ t g及Φ bg分別是產生復位脈衝§ T1， $ T2，…Φ Ti，…Φ Τη ,及讀出脈衝 Φ Β1 , Φ B2，...含 Bi，... 含Bn所用的控制信號，Φ pg是控制施加預充電電壓Vpg 的時段之預充電信號。 * 在於這種構成中，從頂層閘極驅動器1 Π將電壓施加於頂層閘極端子TG時，就可實現光檢測功能，而從底層閘極驅動器1 1 2將電壓施加於底層閘極端子BG，並經由汲極配線1 03，將檢測信號擷取到檢測驅動器丨1 3，以作爲串列資料或平行資料Vou t輸出，就可實現選擇讀出功能》以下參照圖面說明上述光感測系統的驅動控制方法。第8圖是將手指放置在光感元件陣列1 00上時的狀態之斷面圖，第9圖是光感元件陣列100的驅動方法一例之時間圖，第1 1 6圖是雙閘型光感元件1 〇的動作槪念圖，第1 7及1 8圖是光感測系統的輸出電壓之光回應性特性圖。

首先，如第8圖所示，將手指FN放置在光感元件陣列1 00 的保護絕緣膜20上。此時定義手指FN指紋的凸部是會和保護絕緣膜2 0直接觸接，但凸部之間的凹構並不直接接觸於保護絕緣膜20 ,在其中間有空氣的存在。當手指FN -1 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ---丨訂·------!線丄經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（π ) 放置在絕緣膜20上時光感測系統會如第9、1 0圓所示，在第I行的頂層閘極配線1 〇 1加上信號（復位脈衝：例如 Vtg = +15V的高電位）ΦΉ,此時在第i行的底層閘極配線1 02加上0 ( V )的信號$ B i，以進行將各雙閘型光感元件1〇的半導體層11及塊狀絕緣膜14上的與半導體層π 之界面近旁所積蓄的載體（在此是空穴）放出（復位期間 Treset)之復位動作。接著，從設在雙閘型光感元件丨〇的玻璃基板I 9下方之面光源3 0，向雙閘型光感元1牛1 〇側出射含有可見光的波長範圍之光線。此時，面光源30與半導體層1 1之間是有不透明的底層閘極22之存在，因而出射光在大體上是不會直接入射於半導體層1 1，但透過元件之問的區域R P內之透明的絕緣性基板1 9和絕緣膜1 5、1 6、20之光線會照射到保護絕緣膜2 0上的手指FN。照射到手指FN的光線之中，以未滿全反射臨界角的角度所入射的Q1光，會在於手指FN的凸部與保護絕緣膜20的界面，或手指FN的表皮內不規則反射，該反射光會經由絕緣膜1 5、2 0、及頂層閘極2 1而入射於最接近的雙閘型光感元件丨〇的半導體層Π。又，絕緣膜]5、1 6、2 0的折射率是設定在1 . 8〜2 . 0程度，頂層閘極2 1的折射率是設定在2 · 0〜2 . 2程度。相對的，在手指F N的凹槽中，光Q 2在槽內不規則反射的期間，會在空氣中衰減，不能有夠量的光線可入射於最接近的雙閛型光感元件1 0的半導體層Π。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） J * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線-i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 op A7 B7 五、發明說明（lb ) 即，對應於手指FN指紋圖案的反射光會入射於半導體層11,在半導體.層11內會產生並積蓄的載體量會按照其入射光量而變位。然後，如第9、1 1圖所示，光感測系統會在頂層閘極配線.1 0 1加上低電位（例如V t - 1 5 V )的偏壓$ T i，以終止復位動作而進入載體積蓄動作，開始其載體積蓄期間丁a 的載體積蓄動作》在載體積蓄期間Ta中，半導體層U會按照從頂層閘極 21側所入射的光量而產生電子一空穴對，其空穴會積蓄在半導體層Π及塊狀絕緣膜14上的與半導體層11之界面近旁，也即通道區域周圍。然後，在預充電動作中，如第9、12圖所示，是和載體積蓄期間Ta並行的，由預充電信號Φ Pg使開關Π 4導通，對汲極配線1 0 3加上所定電壓（預充電電壓）V p g ,以使汲極1 3保持電荷（預充電期間T p 1· c h )。接著，在於讀出動作中，如第9、1 3圖所示，經過預充電期間Tp r c h後，在選擇模態的行之底層閘極配線】2 〇上，加上高電位（例如Vbg = + 1 0V )的偏壓（讀出選擇信號：以下稱爲讀出脈衝）§ B i，以使選擇模態的行之雙閘型光感元件I 0成爲導通狀態（讀出期間：T r e a d )。而在讀出期間Tread中，積蓄在通道區域的載體（空穴）會使施加在頂層閘極端子TG的反極性之V t g ( · 1 5V )向緩和方向作用，因而，由底層閘極端子BG的vbg形成n通道. 汲極配線1 〇 3的汲極配線電壓VD會按照汲極電流的大小， -18- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】tU 297公g ) -n I ^ < n n ,a ϋ n n ^ If tr ^-OJ« ϋ I - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 4 65105 B7__ 五、發明說明（17 ) 如第1 7圖所示的隨著時間的經過，而呈現從充電電壓V p g 慢慢的降低之傾.向。即，在載體積蓄期間Ta中，載體積蓄狀態爲黑暗狀態，而在通道區域未積蓄載體（空穴）時，如第14、17圓所示在頂層閘極端子TG加上負偏壓，就可消掉形成η通道用的底層閘極端子BG之正偏壓，雙閘型光感元件10會成爲截止狀態，汲極電壓，也即汲極配線1 03的電壓VD大致，可保持在其原狀。一方面，載體積蓄狀態爲_亮狀態時，如第1 3、1 7圖所示，在於通道區域已捕捉到按照入射光量的大小所產生的載體（空穴），其係對頂層閘極端子TG的負偏壓產生，消掉作用，該被消掉的分量，會由底層閘極端子BG的正偏壓形成η通道，雙閘型光感元件1 0成爲導通狀態，流通汲極電流。於是，隨著該按照入射光量大小所流通的電流，其汲極配線103的電壓VD會降低。因而，如第1 7圖所示，汲極配線1 0 3的電壓VD之變化傾向是從復位脈衝§ T i的施加在頂層閘極端子TG的復位動作之終止時間起，到底層閘極端子GB被加上讀出脈衝§ B i的時間（載體積蓄期間Ta )中所受光的光量有深厚的關聯，其積蓄的載體少時呈現緩慢降低的傾向，而所積蓄的載體多時，呈現急遽降低之傾向。因此，將從讀出期間T r e d開始，經過所定時間後的汲極配線1 03之電壓VD 予以檢測，或以所定閥値電壓爲基準，檢測達到該電壓所需的時間，就可換算出照射光的光量。 -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） i.---111-: — !ί^· — ！-ί-ιι1 訂·--— HI —--L 〈請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 4 65 105 A7 ___B7_____ 五、發明說明（β ) 上述一連串的圖像讀取動作作爲一周期，而對第（i + i) 行的雙閘型光感.元件1 〇也用相同處理程序反複處理，就可使雙閘型光感元件1 0成爲二維的感測系統而動作。又，在第9圖所示的時間圖中，經過預定電時間Tprch 後如第1 5、ί 6圖所示，在於非選擇模態下，使底層閘極配線102之繼續保持施加低電位（例如Vbg = 〇V)狀態時，雙閘型光感元件1 〇會繼續維持截止狀態，而如第1 8圖所示，汲極配線103的電壓VD是保持在預充電壓Vpg如此的，可由對底層閘極配線1 Ϊ) 2的施加電壓狀態，以實現選擇雙極型光感元件1 0的讀出狀態之選擇功能。對應於光量所衰減的汲極配線103之預充電電壓VD會被再度讀出於檢測驅動器1 13 ,經由放大電路1 15，以作爲Vo ια電壓的信號，而以陣列或平行輸出於指紋等的圖案認證電路。在此，將由上述具2個通道區域1 1 a及11 b構造的雙閘型光感元件1 0所構成的本發明光感元件中 > 激發光對其通道區域1 1 a、1 1 b在實質上入射的區域（有效入射區域）之形狀與雙閘型光感元件的電晶體靈敏度之關係詳細說明。在雙閘型光感元件中，對應於光量所流通的汲極電流 I d s是比例於（通道寬度W ) / (通道長度L )。雙閘型光感元件1 0的第1雙閘型光感元件之通道長度爲L1 ,通道寬度是設定爲w 1 ,第2雙閘型光感元件的通道長度爲L2,通道寬度是設定爲W1,因而，流通於1只雙閘型光感元件1 0的汲極電流I d s是以下式（2 )表示之。 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） I; I I L 1 I |\| — I I I i I I I l· I I I _ls!1 IIIII1I — — L· I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 465105 A7 B7 五、發明說明（11 )

Ids〇〇 (W1 /L1+W1/L2).....(2) 在此設定LI 時，式（2)會成爲如下式（3)

Ids w 2W1/L1

而將比率（W1/L1)設定爲和第30圖所示的以往構造之雙閘型光感元件PS的比率（Wo / Lo )相同時，本發明的雙鬧型光感元件10的汲極電流Ids會成爲雙閘型光感元件PS 的汲極電流I d s之兩倍，可充分的降低在明亮狀態的預充電電壓，對於明亮狀態與與黑暗狀態的對比度較小的對象物，也可做到充分的檢測》^ 如上述的，雙閘型光感元件〗0的源極一汲極電流値1 d s 是依賴於通道區域lla的比率（通道寬度wl)/(通道長度 L1),與通道區域lib的比率（通道寬度wl)/(通道長度L1) 之和，因而，要提高雙閘型光感元件1 0的汲極電流時，必須將（W 1 / L 1 + w 1 / L 2 )儘量設計爲較大値，而要讀出雙閘型光感元件1 〇在明亮狀態與黑暗狀態的入射光有充分的差 (預充電汲極電壓之差）値時，其比率w 1 / L 1及w 1 / L2都要有1 . 5以上爲理想，而更理想的是在3 . 5以上。在雙閘型光感元件1 〇中，源極1 2 a、1 2 b，及汲極1 3對可見光線是不透明者，因而，在於雙閘型光感元件丨0的第 1雙閘型光感元件之通道區域Π a中，可產生對汲極電流 Ids有所影響的空穴之載體產生區域IP1，是使其形成爲大約縱向長度爲k 1，橫向長度爲通道寬度W1之近似大略長方形，而在於雙閘型光感元件1 0的第2雙閘型光感元件之通道區域】1 b中，可產生對汲極Λ流I d s有所影響的 -2 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐> (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .^i I l·---訂·--------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65 1 05 a? ____B7_ 五、發明說明（X> ) 空穴之載體產生區域Ip2是使其形成爲大約縱向長度爲 k2,橫向長度爲通道寬度W1之近似大略長方形。載體產生區域Ip 1及載體產生區域Ip2是互爲在通道長度方向並排，因而，如第6圖所示在於包含經由保護絕緣膜 20.表面上的手指FN之反射，而入射於載體產生區域Ipl 的光線所通過之可檢測光線區域Ep 1 (圖中斜線部分）、及，經由保護絕緣膜20表面上的手指FN的反射，而入射於載體產生區域Ip2的光線所通過之可檢測光線區域Ep2(圖中斜線部分）兩者中之至少可由其一區域所檢測的區域，即，由1只雙閘型光感元件1 〇可檢測的區域Ep丨是更接近於正方形的形狀。但此可檢測的區域是以通道區域 1 1 a、1】b爲中心，將可獲得所定感光靈敏度的區域以模式的表示者，而並非嚴格的表示出其感光靈敏度之範圍。因而，本發明的雙閘型光感元件丨〇的可檢測區域E p 1 和可檢測區域EP2是比以往的雙閘型光感元件ps的可檢測區域EpO,在於從X方向行進的光線之可檢測區域，與從 Y方向行進的光線之可檢測區域兩者之間的平衡上較均等化，而可抑制讀出二維圖像時的失真。如此可將比率（w 1 / L 1 + W 1 / L 2 )設定爲較大，因而，雙閘型光感元件1 0會有較好的靈敏度，在於明亮狀態與黑暗狀態的對比度較小時，也可輸出可明確辨別的資料Vout，且，其載體產生區域Ipl及載體產生區域丨P2,各個都以其光檢測靈敏度的距離較短之方向（Y方向）並排的配置，因而提升其以Y方向爲中心從左右4 5 *範圍入射於半導體層 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------5-----mk----l· I--訂·----I---線」 (請先閱讀背面之注音項再填寫本頁) Α7 4 6 5 1 0 Β7_____ 五、發明說明（>() 1 1的光線之檢測範圍布平面上之平衡，而可高精度的認證手指FN之指紋.。又，由這種雙閘烈光感元件I 〇所構成的光感元件陣列 100之平面構成是，雙閘型光感元件10以互爲正交的X，Y 兩方向（行，列方向）各個以所定節距Psp，等間隔的配置成爲格子（矩陣）狀，且考慮到從面光源30出射的光線可通過格子內部的元件之間的區域Rp照射到對象物者。因此，要將充分的光量照射到對象物時，要儘量的確保較大的元件之間的區域Rp爲理想》^ 又，使可檢測區域ΕρΤ 1越近似於正方形狀，可使由於激發光對半導體體層11a、l〗b的入射角度不同所引起的感光靈敏度之參差獲得修正。即，以X方向爲中心，從上下各有4 5 °角度的區域入射於半導體層1 1 a、1丨b的光線之靈敏度，與以 Y方向爲中心，從左右各有4 5 °的角度的區域入射於半導體層Π a、1 i b的光線之露敏度會趨近於相等，感光靈敏度的參差（方向性）可獲得修正，光檢測區域的範圍是可獲得在Χ,Υ方向具有略均等的擴展性（近似於大略正方形狀之矩形）之可檢測區域Ε ρ Τ I。因而，將這種雙閘型光感元件1 〇配置成爲如第6圖所示的矩陣狀，以構成光感元件陣列1 0 〇時，可使可檢測區域 Ε ρ Τ 1的方向性擴展得以均等化，一面可抑制讀取二維圖像時的失真，一面可實現具備持有高感光靈敏度的感光部之光感元件陣列，及光感測系統。此時，將雙閘型光感元件 1Ό的頂層蘭極2 1互相連接時，頂層閘極配線1 〇 1 a、1 0 1 b -23 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） f n ϋ —1 I ϋ 1 n 1 al·— n n 訂---------線」 (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ b5 1 〇t， A7 ______ B7 _五、發明說明（认）形成爲在平面上互爲分歧，而在γ方向成爲均等（對稱）位置關係之配置，因而，經對象物所反射，並透過頂著閘極配線101a、丨01b而入射於通道區域11a、lib的激發光也會均勻的衰減，其與將寬幅的頂層閘極配線形成在偏於一邊的位置上配置相比，較不會有由於入射角度而影響到感光靈敏之參差。由於點上，也可將光檢測區域的擴展之均勻性確保的很好，而可抑制讀取二維圖像時的失真0 又，依上述雙閛型光感元件10時，由於大幅的提高其感光靈敏度，因而，其與以往的-閘型光感元件PS相比，可在於較微弱的入射光量中，順利的進行明暗資訊的讀取動作，因此，可減低附設在讀取裝置的面光源之照度，而可減低二維圖像讀取裝置的消耗電力。或者，使面光源的照度爲一定時，隨著感光靈敏度的提升，可大幅的縮短載體積蓄時間，而可提供具優異讀取二維圖像性能之讀取裝置。又，由於感光靈敏度的大幅提升，在於和以往的雙閘型光感元件p S的場合同等的入射光量時，會產生過度的光感導通電流，因而，要抑制這種導通電流爲目的，可降低施加於頂層閘極及底層極兩電極的驅動電壓，以控制其動作，因而，由於減低驅動電壓，也可抑制雙閘時光感元件特性之經久性劣化，以使光感元件陣列的可靠性維持的更久。在第6圖所示的光感元件陣列1 0 0中，2條頂層閘極配線1 0 U、1 0 1 b是將排列在每一行的雙閘型光感元件1 0 之頂層閘極2 1彼此之間加以連接，而底層閘極配線1 0 2 是將排列在每一行的雙閘型光感元件1 〇的底層閘極22 -24- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙掁尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 65 10： A7 B7 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製五、發明說明（乃）彼此之間加以連接者。在此，同一行的頂層閘極配線 1 0 1 a、1 0 1 b是在於相鄰的兩雙閘型光感元件1 0之間，在平面上互相分歧，形成爲均等的位置關係，且同等的配線寬度，配線厚度而平行的延伸者。即，頂層閘極配線1 〇 1 a、 10 l.b是形成在相對於連接雙閛型光感元件件10的大略中央位置所延伸之底層閘極配線102的，在邛方向的上下大致對稱配置之位置關係上者。即7以沿著X方向的底層閘極配線1 〇 2爲軸時，頂層閘極配線1 01 a與頂層閘極配線l〇lb在實質上是成爲餐性對稱構造，而透過頂層閘極配線1 0 1 a或頂層閘極配線1 0 1 b時所衰減的光線係可使從頂層閘極配線1 〇〗a側（上側）所入射的光量與從頂層閘極配線1 01 b(下側）所入射的光量之平衡性得以均勻化。相對的，以半導體層Π的從中央沿著Y方向的線爲軸時，其在於源極配線1 CM側部分與汲極配線1 03則部分，實質上是成爲線性對稱構造，而透過頂層閘極配線1 〇 1 a或頂層閘極配線1 b時所衰減的光線，可使於入射於半導體層1 1之際的在光感元件1 〇之左側和右側的入射平衡得以均勻化。如此將頂層閘極配線分岐，以使光線的入射平衡在於上下方向，左右方向都可獲得均等，由此，將可受到感測的光線之指向性改善的很平衡。又，配置在相鄰光感元件1 0彼此之間的頂層閘極配線1 〇 1 a、1 (M b與底層閘極配線〗0 2兩者在上下方向幾乎沒有重疊，因此，在於頂層閘極配線1 0 1 a、1 0 1 b與底層閘極配線1 0 2之間幾乎沒有寄生電容之存在，因此，可抑制信號的遲延或電壓降。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 29?公釐） -ί--L 1 I Λ— ! ^ ^ * ---- (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丄 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製、發明說明（坪) 而由這種構成，頂層閘極21在實質上是成爲由2條配線層所連接，如每1條的斷面積爲相等時，其配線斷面積是可增加到1條配電層時的大略2倍，而可將由電阻率高的 I TO所形成之頂層閘極配線1 〇 1 a，1 〇 1 b之配線電阻減半，以抑制讀取信號的遲延而可實現更好的圖線之讀取動作。又，在於如第2圖所示的雙閘型光感元件之疊層構造中，其較在上層的閘極配線是由2條配線層（101a、101b)所形成，而如由於在疊層構造的越上層，其局底差會越顯著，或在光蝕刻法工程中會成爲障礙物的塵埃等之粒子所引起，使一條頂層閘極配線（例如爲1 0】a)斷線時，也可由另一條頂層閘極配線（例如爲1 0 1 b)將頂層閘極2 1在電路上互相連接，以補償讀取動作的信號傳送，而可提供可靠性高的光感元件陣列》又，在本實施例中是對於將頂層閘極配線分岐爲2倍的構成例如加說明者，但本發明並不限定於此，而也可將頂層閘極配匱分岐爲多於2條的多數條之構成。又，可作爲分岐形成的對象之配電層，也不限定於頂層閘極配線，總之，在於光感元件陣列及光感測系統中，如其配線電阻是比其他的配線層（例如金屬配線）爲大之配線層，當然的，都可好好的加以應用。又，雖然是用以往的雙閘型光感元件PS，如其係如第19 圖所示的，將頂層閘極配線1 〇 1 a、1 〇 1 b配置在雙閘型光台2怃件P S之間，而不重疊於底層閘極配線1 0 2以構成 -26- 本紙張尺度適用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ ' — 111·— — ! --I ] --- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7__ 五、發明說明（成）爲光感元件陣列200時，也可如上述的’獲得抑制寄生電容和防止配線斷線.之效果。具光感元件陣列2 0 0的光感測系統之構成，係可將第7圖中的光感測元件陣列100由光感測元件陣列2 0 0來取代之° 上述雙閘型光感元件10中，每1元件是由]個半導體層所構成，而以下將1元件中具有多數半導體層的雙閘型光感元件5 0所構成之光感元件陣列及光感測系統參照圖面說明之。又，在以下實施例中的雙閘型光感元件50是可和上述雙閘型光感元件1 0相同的驅動動作而實現光感功能，並可獲得同樣的效果，第20圖是適用於本發明的光感元件陣列之雙閘型光感元件5 0之槪略構成圖。在此，將1元件中具2個可作爲感光部的半導體層之雙閘型光感元件5 0之槪略構成；參照面具體的說明。第21圖是第2〇圖的（XX丨）-(xxi)線斷面圖。本實施例的雙閘型光感元件5 0是由；形成在對可見光線呈現透過性絕緣性基板1 9上之單一底層閘極2 2 ;設在底層閘極2 2 上及絕緣性基板1 9上的底層閘極絕緣膜1 6 ;設在與底層閘極2 2相對位置，於入射可見光線時會產生電子一空穴對的，由非晶質的等所形成而互相隔離設置之2個半導體層5 1 a、5 1 b上互相隔離並排配置的塊狀絕緣膜1 4 a、1 4 b ; 分別設在半導體層5 1 a兩端的雜質層57a及58a;分別設在半導體層51b兩端的雜質層57b及58b;分別設在雜質層57a、57b上的源極52a、52b;橫跨於在各半導體層5 u、 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - n K I II ϋ^-r°JI n n n I I - t n ϋ n tM* - «I n I— n I - ϋ

I A7 B7

4 65 1 C 五、發明說明（“） 5 1 b之間的雜質層5 8 a ' 5 8 b上所形成之單一汲極5 3 ;將底層閘極絕緣膜.16,塊狀絕緣膜14a、14b，源極52a、52b，及汲極53覆蓋的頂層閘極絕緣膜15;設在頂層閘極絕緣膜1 5上而與半導體層5丨a、5丨b相對的單一頂層閘極2 1 ; 及，設在頂層閘極絕緣膜1 5上及頂層閘極2 1上之保護絕緣膜20所構成。半導體層51a、51b是形成在以格子畫上陰影線的區域，而有與源極52a、52b,及汲極53在平面上重疊的部分，和與塊狀絕緣膜14a、14b各治在平面上重疊的部分。雜質層5 7 a、5 7 b 5 8 a、5 8 b是由摻雜η型雜質雜子的非晶質矽 (η +砂）所形成。在此，源極5 2 a、5 2 b是如第2 0圖所示，由共同的源極配線1 〇 4沿著半導體層5 1 a、5 ] b的長度方向（圖面左右方向）形成爲梳子狀的突出者。又汲極53是從與源極配線 1 04相對的汲極配線103沿著半導體層5 1 a、5 1 b的通道寬度方向，形成爲向源極配線1 〇 4側突出者。即，這些源極 52a、52b及汲極53,各個是將半導體層5 U ' 5 lb個別的夾在其中間，形成爲互相交錯對置者。又，塊狀絕緣膜14a、14b，頂層閘極絕緣膜15,底層閘極絕緣膜1 6,及設在頂層閘極2 1上的保護絕緣膜2〇是由氮化矽等的透光性絕緣膜所形成，又，頂層閘極2 1及頂層閘極配線1 0 1 a、1 Q] b是由上述的丨Τ Ο等透光性之導電性材料所形成，而對可見光線都具有高的透過率。一方面，至少有底層閘極2 2及底層閘極配線】〇 2是由鉻C Γ等，可遮斷 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁>

訂---------線J 經濟部智慧財產局員X.消費合作社印製 A7 465105 ..__B7 五、發明說明（4 ) 光線的透過之材質所構成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 即，雙閘型光辱元件50是包含由半導體層51a，源極52a，汲極5 3，頂層閘極絕緣膜1 5 ,及頂層閘極2 1所形成的第1 上部MOS電晶體，和由半導體層5la、源極52a、汲極53' 底層閘極絕緣膜1 6、及底層閘極2 2所形成的第1下部 MOS電晶體所構成之第〗雙閘型光感元件；及由半導體層 5 1 b '源極5 2 b、汲極5 3、頂層閘極絕緣膜1 5、及頂層閘極2 1所形成的第2上部Μ Ο S電晶體，和由半導體層 5 1 b、源極5 2 b、汲極5 3 ’底層閘極絕緣膜1 6、及底層閘極2 2所形成的第2下部Μ Ο S電晶體所構成之第2雙閘型光感元件，所構成，而這些第1及第2雙閘型光感元件是並排的配置在絕緣性基板〗9上者。特別的是，其構成第1及第2光感元件的頂層閘極2 1 和底層閘極2 2是各自由電極所構成，且源極5 2 a、5 2 b是由共同和源極配線1 04形成爲突出的形狀所構成，因而，在 1元件中具2個作爲感光部的半導體層之雙閘型光感元件5 0,是可利用上述的驅動控制方法，使其動作。蛵濟部智慧財產局員工消費合作社印製在雙閘型光感元件50的半導體層5U中，第1雙閘型光感元件之汲極電流所流通的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度LI及通道寬度W1所定義的矩形狀區域，而在半導體層5 1 b中，第2雙閘型光感元件2汲極電流所流通的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L 2及通道寬度W 1所定義的矩形狀區域者。 ‘流通於雙閘型光感元件5 0的汲極電流1 d s是由以下的 -29 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 -〇5105 A7 __B7___- 五、發明說明) 式（A)表示之。

Idsc« (W1/L1+W1/L2)....(4) 在雙閘型光感元件50中，是在1個半導體層51a(51b) 中，設有一個載體產生區域和1個汲極電流流通的通道區域者。但，也可應用如第22圖所示的具有半導體層81a、 81b之雙閘型光感元件80者。雙閘型光感元件80是除半導體層81a、81b外，其他的構成是和雙閘型光感元件10 相同，並具同樣的效果。在此雙閘型光感元件8 0 ‘中，其半導體層8丨a的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L1及通道寬度L2 所定義的矩形狀區域，和其相鄰兩邊是由通道長度L2及通道寬度W2所定義的矩形狀區域，而半導體層81b的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L1及通道寬度W3所定義的矩形狀區域；和其相鄰兩邊是由通道長度 L 2及通道寬度W 3所定義的矩形狀區域者。又，隻閘型光感元件8 0的通道區域中，可產生影響到汲極電流I d s的空穴之載體產生區域是被設定爲其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的距離k 1及通道寬度W 2所定義的矩形狀區域；其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的矩離K2 及通道寬度 W2所定義的矩形狀區域；其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的距離K 1及通道寬度W3所定義矩形狀區域；和其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的距離K2及通道寬度W3所定義的矩形狀區域者。 •流通於雙閘型光感元件8 0的汲極電極I d s是以下式（5 ) 本紙張尺度適用中國國家標準規格（210 x 297公釐） <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 」------r---訂---------線 I*

-el· 1· ϋ ϋ n I 五經濟部智慧財產局員Η消費合作杜印製 A7 __B7____ 發明說明（β) 表示之。

Ids〇〇(W2/Ll+W3/Ll+W2/Ll+W3/L2)....(5) 又，也可應用如第23圖所示的具半導體層91a' 91b、 92a、92b之雙閘型光感元件90者。雙閘型光感元件90 是除半導體層9U、91b、92a、92b外，其他的構成是和雙閘型光感元件10相同，並具同樣的效果。在此雙閘型光感元件90中，其半導體層9U的通道區域是被設定爲具相鄰兩邊是由通道長度L1及通道寬度 W2所定義的矩形狀區域；其!半導體層91b的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L1及通道寬度W3所定義的矩形狀區域；其半導體層92a的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L2及通道寬度W2所定義的矩形狀區域；和其半導體層9 2 b的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L2及通道寬度W 3所定義的矩形狀區域者。又，在雙閘型光感元件90的半導體層9U、91b、92a、 9 2 b之通道區域中，可產生影響到汲極電流I d s的空穴之各個載體產生區域是被設定爲其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的矩離K1及通道寬度W2所定義的矩形狀區域；其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的矩離K 1及通道寬度 W 3所定義的矩形狀區域；其兩鄰兩邊是由源極與汲極之間的距離K 2及通道寬度W 2所定義的矩形狀區域；和，其相鄰兩邊是由源極與汲極之間的距離K2及通道寬度W3 所定義的矩形狀區域者。 -31- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) * n n n L» 1 n 一5- I* tf ϋ 1 I Ml 1 1 I n ϋ I ϋ I ϋ n ϋ ϋ ϋ ϋ I ί . - Β— * 465 465 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 B7 、發明說明（祌）流通於雙型光感元件90的汲極電流Ids是以下式（6)表示之。 .

Ids«=〇(W2/Ll+W3/Ll+W2/L2 + W3/L2)...(6) 第24圖是可應用於本發明的光感元件陣列之另一種雙閘型光感元件60之槪略構成圖。第25圖是第24圖中 (XXV)-(XXV)線斷面圖，第26圖是將此雙閘型光感元件60 配置成矩陣狀的光感元件陣列之平面構成圖。在此，與上述實施例的構成相同者附與相同符號，並從略其說明。 ’ 雙閘型光感元件60是包含：形成在對可見光線呈現透過性的絕緣性基板1 9上單一底層閘極2 2 ;設在底層閘極 2 2上及絕緣性基板1 9上之底層閘極絕緣膜1 6 ;設在底層閘極絕緣膜1 6上的與底層閘極2 2相對位置，於入射可兒光線時會產生電子一空穴對的，由非晶質矽等所形成之單一半導體層6 1 ;在半導體6 1上互相隔離並排配置的塊狀絕緣膜6 4 a ' 6 4 b、6 4 c ;跨在塊狀絕緣膜6 4 a的通道長度方向之一端上，且，設在半導體層61上之雜質層69a;跨在塊狀絕緣膜6 4 a的通道長度方向之另一端之及塊狀絕緣膜64b的通道長度方向之一端上，且，設在半導體層61上之雜質層69;跨在塊狀絕緣膜64b的通道長度方向之另一端上，及，塊狀絕緣膜6 4 c的通道長度方向2之一端上，且，設在半導體層61上之雜質層69c;跨在塊狀絕緣膜6k的通道長度方向之另一端上，且，設在半導體層61上之雜質層69d;分別設在雜質層69a上，雜質層69b上，雜質層69c -32- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁)

」k---------丨訂--------•線L 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 651c ： A7 〜________B7___ 五、發明說明u() 上，及雜質層69d上之源極69、汲極66、源極67、汲極 6 8 s將底層閘極襌綠膜1 6、塊狀絕緣膜6 4 a、6 4 b ' 6 4 c、源極65、67及汲極66、68覆蓋之頂層閘極絕緣膜丨5;設在頂層閘極絕緣膜15上，與半導體層61相對之單一頂層閘極21;和設在頂層閘極絕緣膜上及頂層閘極21上之保護絕緣膜2 0所構成》又，各絕緣膜和電極的材質及其他的構成是和上述第 2 ' 6圖的實施例相對應的構件之材質及構成相同，因而從略其說明。雜質層69a、69'b、69c、69d是由摻雜η型雜質的非晶質矽（η +矽）所形成。雙閘型光感元件6 0是包含：由半導體層6 1 '源極6 5、汲極6 6、頂層閘極絕緣膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6，頂層閘極2 1及底層閘極2 2所構成之第〗雙閘型光感元件；由半導體層6 1、源極67 >汲極66、頂層閘極絕緣膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6 '頂層閘極2 1及底層閘極2 2所構成之第2雙閘型光感元件；和由半導體層6 1 '源極67、汲極6 8、頂層閘極絕緣膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6、頂層閘極2 1及底層閘極2 2所構成之第3雙閘型光感元件；而將三者並排配置之構成者。在雙閘型光感元件60的半導體層6 1中，第1雙閘型光感元件之汲極電流所流通的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L3及通道寬度W1所定義的矩形狀區域；其第2雙閘型光感元件之汲極電流所流通的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L4及通道寬度W1 -33- 用中國國家標準（CNS>A4規格(210 X 297公釐） <請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線丨一 -fi κβ ΜΜΜΨ Ml· —m-ψ n n · 465 A7 B7 五、發明說明（怜）所定義的矩形狀區域，而其第3雙閘型光感元件之汲極電流所流通的通導區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L5及通道寬度W1所定義的矩形狀區域者。特別的是其構成第1到3的各雙閘型光感元件之了頁層閘極21和底層閘極22各個是由其共同電極所構成，且，源極65' 67是從共同的源極配線104突出所形成，又，汲極 66、68是從共同的汲極配線103突出所形成，而由於有這種構成可將3個雙閘型光感元件當作1個雙閘型光感元件，而利用上述驅動控制方έ使其動作。流通於雙閘型光感元件60的汲極電流Ids是由下式（7) 表示之。

Ids^ (W1/L3+W1/L4 + W1/L5) (7) 具有這樣構成的雙閘型光感元件6 0是可將構成通道區域的半導體層61 之（W1/L3 + W1/L4 + W1/L5)値提高，因而可增加汲極電流，而可使各個雙閘型光感元件60的電晶體靈敏度顯著的提升。半導體層61的從汲極65、66、67、68之間靈出，而可使從上方來的光線入射之載體產生區域I P 3、I p 4、I p 5是分別成爲寬度W1，長度K3的矩形；寬度W1、長度K4的矩形；和寬度W1、長度K5的矩形，由此可使經由在保護絕緣膜20表面上的手指FN之反射而入射於各個載體產生區域的光線所通過的，光線之可檢測區域E p 3、E p 4、E p 5 在總合上的形狀接近於正方形。 -因此，這種雙閘型光感元件6 0如以其沿著X方向的底 -34- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;----l·—訂---------線 J — 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -ϋ n n n t— ϋ —Λ. n I* fj n n n ϋ ·1 n- 4 65! A7 ____B7_ 五、發明說明（B ) 層閘極配線1 0 2爲軸時，其在頂層閘極配線1 (Η a側的部 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本w) 分和頂層閘極配_線1 0 1 b側的部分在實質上或線性對稱構造，且以半導體層61的中央起，沿著Y方向的線爲軸時，其在源極配線I 0 4側的部分和汲極配線1 0 3側的扮在實質上成爲線性對稱構造，且，對於半導體層61及光感元件60 的中心而言，而在上下方向及左右方向在實質上分別成爲對稱構成，且如將其中心（半導體層6丨的中央）到X方向的邊端之矩離和其中心到Y方向的邊端之距離設定爲近似的這種雙閘型光感元件以構成爲矩陣狀的光感元件陣列3 00時，可使其光檢測區域的擴展更爲均勻化，可抑制讀取二維圖像時的失真，且可實現具高感光靈敏度的感光部之光感元件陣列及光感測系統。又，配置在相鄰光感測元件6 0彼此之間的頂層閘極配線1 0 U、1 0 1 b與底層閘極配線1 02在上下方向幾乎沒有重疊。因而，在於頂層閘極配線1 01 a、〗0 1 b與底層閘極配線1 0 2之間幾乎沒有寄生電容之存在。因此，可抑制信號的遲延或電壓降。具備這種光感元件陣列3 0 0的光感測系統是將第7圖中的光感元件陣列1 〇〇由光感元件陣列3 0 0所取代之構成者。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製第2 7圖是可應於本發明的光感元件陣列之另一種雙閛型光感元件70的槪略構成圖，在此，與上述雙閘型光感元件60的構成相同部分對與相同符號並從略其說明。如第2 8圖所示，本實施例的雙閘型光感元件7 0是包含：形成在對可見光線呈現透過性的絕緣性基板1 9上之單一底層閘極2 2 ;設在底層閘極2 2上及絕緣性基板1 9上之底 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） 4 65 1 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（忤）層閘極絕緣膜16;設在底層閘極絕緣膜16上的與底層閘極22相對位_而互相隔離，於入射可見光線時會產生電子一空穴對的，由非晶質矽等所形成之半導體層71a、 71b、71C;互相隔離而並排的，分別配置在半導體層71a、 71 b.' 71c上之塊狀絕緣膜64a、64b、64c;分別設在通道長度方向的半導體層71a兩端上雜質層7 7a、7 7b;分別設在通道長度方向的半導體層71b兩端之雜質層77c ' 7 7d; 分別設在通道長度方向的半導體層71c兩端之雜質層 77e、77f;設在雜質層77ai的源極65;跨接於雜質層77b 與雜質層77c之間的汲極66;跨接於雜質層77d與雜質層 7 之間的源極67;設在雜質層77f上的汲極68;將底層閘極絕緣膜1 6、塊狀絕緣膜6 4 a、6 4 b、6 4 c、源極6 5、 6 7及汲極6 6、6 8覆蓋之頂層閘極絕緣膜1 5 ;設在頂層閘極絕緣膜1 5上的與半導體層7 1 a，7 1 b、7 U相對位置之一單一頂層閘極2 1 ;和設在頂層閘極絕緣膜1 5上及頂層閘極2 1上之保護絕緣膜2 0所構成。而雜質層7 7 a、7 7 b、 7 7 c、7 7 d、7 7 e、7 7 f是由摻雜η型雜質的非晶質矽（n +矽）所形成。雙閘型光感元件70是包含由半導體層7 U、源極65、汲極6 6 '頂層閘極絕緣膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6，頂層閘極2 1及底層閘極2 2所構成之第1雙閘型光感元件；由半導體層7 1 b、源極67、汲極66、頂層閘極絕緣膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6、頂層閘極2 1及底層閛極2 2所構成之第2雙閘型光感元件；和由半導體層7 1 c、源極6 7、汲 -36- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) > L9 1« 1·

訂---------線J -T— B— ^1 «·1 K· Sm4 » 4 65105 A7 B7____ 五、發明說明（w) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極6 8、頂層閘極絕緣膜1 5、底層閘極絕緣膜1 6、頂層閘極2 1及底層閘極2 2所構成之第3雙閘型光感元件；而將三者並排連接配置之構成者。在雙閘型光感元件70的半導體層71a中，第1雙閘型光感元件之汲極電流所流通的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L3及通道寬度W1所定義的矩形狀區域；在半導體層71b中，第2雙閘型光感元件之汲極電流所流通的通道區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L4及通道寬度W1所造義的矩形狀區域；而在半導體層7 1 c中，第3雙閘型光感元件之汲極電流所流通的區域是被設定爲其相鄰兩邊是由通道長度L5及通道寬度W1 所定義的矩形狀區域。流通於雙閘型光感元件70的汲極電流Ids是由下式（8) 表示之。

Ids〇〇 (W1/L3 + W1/L4 + W1/L5)...,(8) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印" 在雙閘型光感元件7 〇中，其構成第1到3的各雙間型光感元件之頂層閘極21和底層閛極22是分別由其各共同電極所構成，且，其源極65、67是從其共同的源極配線 1 0 4突出所形成，又，其汲極6 6、6 8是從其共同的汲極配線1 0 3突出所形成。而將多數的适種雙鬧型光感元件7 〇配置成爲矩陣狀，以構成爲光感元件陣列3 〇〇肖，可應用± 述驅動控制方法，使各雙閘型光感元件7 〇 @ 3 @ ^ 光感元件當作1個雙閘型光感元件來動作，而可獲得和上述·雙閘型光感元件60同樣的效果。 -37- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公爱〉 6h A7 B7 五、發明說明（4) 又，在上述各實施例中，雙閘型光感元件10，50,60，7〇是以配置1〜3個-導體層（或雙閘型光感元件），設置2〜3個汲極電流所流通的通道區域，且，設2~3個載體產生區域IP, 並在通道長度方向並排配置的構成爲例者，但，本發明並不限定於這種形態。因而，可按照所要連續配置的半導體層之數量任意的設定感光靈敏度。在此，是將雙閘型光感元件50、60、70,配置成爲矩陣狀，以構成光感元件陣列丨200、300,而將其應用在二維圖像的讀取裝置時，'使光線由絕緣性基板（玻璃基板）1 9側通過矩陣狀格子內部的元件之間的區域RP，而照射到對象物者，因而必須先考量可確保對象物有充分的照射光量，以設定元件之間的區域R P後，再任意的設定連續配置在形成感光部區域的半導體層（雙閘型光感元件）之數量。第2 9圖是本發明光感元件陣列的又一實施例之槪略構成圖。本實施例的光感元件陣列4 0 0是具雙閘型光感元件1 〇，各雙閘型光感元件1 0是配置在連續設定於二維平面的，其一邊爲P s a的正三角形之各頂點位置，即，所謂三角形排列構造者。而具備光感元件陣列4 0 0的光感測系統是將第7圖中的光感元件陣列1 〇〇由光感元件陣列4 0 0所取代之構成者。與第6圖的光感元件陣列1 〇〇中的雙閘型光感元件1 〇之配置對照時，光感元件陣列1 00的雙閛型光感元件1 〇 -38 ~ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚〉 {請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ·1111111 I ^ ^ — — — 1 — 1·— — — —lull. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4 65 1 〇γτ Α7 __ Β7_ 五、發明說明（矽）只在於X、Υ的正交方向以均等尺寸Psp的間隔配置，因而在與X、Y方向成斜向的角度0(0° '90° 、180。、27 0。以外的適當角度，例如45°或60°方向）上，雙閘型光感元件1 0相互間的節距是比X、Υ方向爲大，並不均等，（例如互爲在X方向或Υ方向或45°角度斜向配置的雙閘型光感元件】〇之間的距離是間距Psp的，2倍），因而，會有對於向斜向挪移配置的對象物之讀取度，不能獲得和未挪移對象物的讀取精度相同程度的均等性和高精度之問題。相對的，本實施例的光感元'件陣列400中，其構成感光部的雙閘型光感元件10是配置在連續設定於二維平面的各正三角形之頂點位置，因而，不僅在X方向有均等的雙閘型光感元件10的配置，且在角度60° 、120° 、240° 、3 00〇方向也有均等的雙閘型光感元件1 〇的配置，感光部互相之間的節距PSa也均等化，因此，在於將對象物挪移60° 、 1 2 0 ° 、2 4 (Γ 、3 0 (Γ時，也可獲得和（T時同樣精度的讀取動作。由此，配置在二維平面上的全部雙閘型光感元件是對於其大略全周圍方向相鄰的雙閘型光感元件形成爲等間隔的節距Psa之配置，因而，作爲讀取對象的二維圖像被放置在與X、Y方向成爲斜方向時，也可抑制其讀取圖像時的失真，並以高讀取精度，正確的讀取。又，各雙閘型光感元件是以三角排列，而如將其Χ方向的節距P s a設定爲和第6圖的光感元件之節距ρ s a相同時，其Y方向的節距Psb是由下式（a)表示之。 -39 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----' 1·-----4:如----l·---訂---------線丄 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 65105 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（π ) Psb^PsaXsin60° ....(9) 如此在γ方向的節距Psb是比χ方向的節距Psa(=PsP) 爲短，因而，光感元件陣列4〇〇可在於其Y方向是比光感元件陣列100的平面區域Mp爲短的平面區域Me內，配置相同數量之雙閘型光感元件1 〇,而可使二維圖像的讀取裝置小型化。換言之，光感元件陣列400是可在於和光感元件陣列相同的平面區域MP內，配置1/sin60°倍（与 1.15倍）數量之雙閘型光感元件10，而可使光感元件高密度比。 - 又，在於上述三角排列中，構成各感光部的雙間型光感元件是以使用第1圖實施例的雙閘型光感元件丨0爲例者，而當然地，也可使用其他實施例的雙閘型光感元件p s ^ 5 0、6 0 ' 7 0的任一種，且也可使用其他構成的雙閛型光感元件" 以上所說明的雙閘型光感元件陣列1 0 0、2 0 0、3 0 0、4 0 0 中，其同一行的頂層閘極配線1 〇 1 a、] 0 1 b是在於相鄰兩雙閘型光感元件〗〇 (或Ps，5 0、6 0、7 0的任一種）之間，互相在平面上分歧爲2條，以均等的位置關係，且大略相同的配線寬度平行的延伸形成者。即，2條頂層閘極配線 1 0 1 a、1 0 1 b是與連接於雙閘型光感元件1 0 (或p s、5 0、6 0 ' 7 0的任一種）的大略中央而延伸的底層閘極配線1 0 2在列方向的上下位置關係上，形成爲大略對稱之配置者° 由如上述的構成，其頂層閘極2 1之間在實質上是由2 條（多條）的配線層所連接，而可使配線斷面積增加數倍’可 -40- (請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) -

-I ϋ l- I -n n l u . 未紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐> A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 465105 __B7__ 五、發明說明（Vi ) 減低由高電阻率的ITO所形成的頂層閘極配線1 〇 1 a、1 0 1 b 之配線電阻，而可抑制讀取動作信號的遲延，可實現更好的圖像讀取動作。又可使形成在具疊層構造的雙閘型光感元件之較上層的頂層閘極配線，由多數的配線層（1 0 1 a、 l〇lb)來形成，因而，如由於疊層構造的高低差所引起，而在構成頂層閘極配線的特定配線層發生斷線時，也可由未斷線的其他配線層將頂層電極2 1互相在電路上加以連接，以補償讀取動作信號之傳送，而可提供高可靠性之光感元件陣列。 ‘ 又，由於可大幅的提升光感元件陣列中之感光靈敏度，因而可相對的減低面光源3 0的照度，而可削減讀取裝置的消耗電力。 [附圖簡單說明] 第1圖：適用於本發明的雙閘型光感元件之構造平面圖。第2圖：第1圖的（Π ) - (11)線斷面圖。第3圖：半導體層的位置之平面圖》第4圖：半導體層與塊絕緣膜之間的相對位置平面圖° 第5圖：塊狀絕緣膜與雜質層之間的相對位置平面圖。第6圖：將適用於本發明的雙閘型光感元件，以二維排列所構成之光感元件陣列平面圖。第7圖：適用於本發明的雙閘型光感測系統之槪略電路圖'> •第8圖：將手指放置在光感測系統時的狀態之斷面圖。 -41- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

4 65 丨。〇 κι __Β7_____ 五、發明說明（斗。）第9圖：光感測系統的驅動控制方法一例之時間圖。第丨〇圖：雙閘^型光感元件的復位動作圖。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第11圖：雙閘型光感元件的感光動作圖。第12圖：雙閘型光感元件的預充電動作圖。第1 3圖：在明亮狀態下的雙閘型光感元件之選擇模態動作圖。第I 4圖：在黑暗狀態下的雙閘型光感元件之選擇模態動作圖。第1 5圖：在明亮狀態下ή雙閘型光感元件之非選擇模態動作圖。第1 6圖：在黑暗狀態下的雙閘型光感元件之非選擇模態動作圖。第1 7圖：在選擇模態時的雙閘型光感元件之汲極電壓特性圖。第1 8圖：在非選擇模態時的雙閘型光感元件之汲極電壓特性圖。第1 9圖：對於頂層閘極配線與底層閘極配線之間的寄生容量加以抑制過的構造之平面圖。第20圖：具2個半導體層的雙閘型光感元件之構造平經濟部智慧財產局員工消費合作社印製面圖。第21圖：第20圖的（ΧΧΙ)-(ΧΧΙ)線斷面圖。第2 2圖：具2個半導體層，並有4個通道區域和4個載體產生區域的雙閘型光感元件之構造平面圖。 •第2 3圖：具4個半導體層，並有4個通道區域和4個載 *42 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 165105 _____B7________ 五、發明說明（斗I ) 體產生區域的雙閘型光感元件之構造平面圖。第24圖：具1.個半導體層，並有3個通道區域和3個載體產生區域的雙閘型光感元件之構造平面圖。第25圖：第24圖的（XXV)-(XXV)線斷面圖。第26圓：將具1個半導體層，其有3個通道區域和3個載體產生區域的雙閘型光感元件配置成矩陣狀的光感元件陣列之平面圖。第27圖：具3個半導體層，並有3個通道區域和3個載體產生區域的雙閘型光感元^牛之構造平面圖。第28圖：第27圖的（XXVIII)-(XXVIU)線斷面圖。第29圖：將適用於本發明的雙閘型光感元件以三角形排列構成之光感元件陣列平面圖。第3 0圖：以往的雙閘型光感元件所配置之陣列平面圖。第31圖：第30圖的沿著（XXX〖）-(XXXI)線之雙間型光感元件構造斷面圖。符號說明 1 〇 ...雙閘型光感元件 1 1 ...半導體層 Π a、11 b ...通道區域經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製膜緣膜膜絕緣緣極狀絕絕源塊極極 » ίίτττ*ηβι「 . . B『 b b Γ t 2 極 4 層層 '1汲'1頂底本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 4 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A7 _B7 五、發明說明（料） 17a、17b...雜質層 18.. .雜質層 . 19…絕緣性基板 20.. .保護絕緣膜 2 1 ....頂層閘極 2 2 ...底層閘極 5 0 ...雙閘型光感元件 5 1 a、5 1 b...半導體層 52a、52b···源極 5 3 ...汲極 5 7a、5 7b ...雜質層 58a、58b...雜質層 6 0 ...雙閘型光感元件 6 1 ...半導體層 64a、64b、64c___塊狀絕緣膜 6 5 ...源極 6 6 ...汲極 67…源極 6 8 ...汲極 69a、6 9b' 69c、69d...雜質層 70.. .雙閘型光感元件 7 la、7 1 b、71(；...半導體層 77a〜77f...雜質層 8 Θ ...雙閘型光感元件 -44- I.---Γ I 1·1----^ ^ i I I K----訂---------^^..1.1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4651 0. A7 _B7 五、發明說明（β ) 8 1 a、8 1 b…半導體層 90.. .雙閘型光感元件 91a' 91b、92a、92b...半導體層 10 0...光感元件陣列 1 0 1、1 0〗a、1 0 1 b…頂層閘極配線 102.. .底層閘極配線 103.. .汲極配線 I 0 4 ...源極配線 111 ...頂層閘極驅動器 ‘ Π 2 ...底層閘極驅動器 11 3...檢測驅動器 II 4 ...開關 1 1 5…放大電路 2 0 0、3 0 0、4 0 0 ...光感元件陣列 E p 1〜E p 5 .. ‘可檢測區域 Ipl〜Ip5...載體產生區域 K 1〜K 5 ...源極與汲極之間的距離 L1~L5...通道長度 P s p，P s a , P s b ...光感元件的節距 Rp…元件之間的區域 W1 ...通道寬度 Ps...雙閘型光感元件 ※以下的”上方”是表示a b 〇 v e的意思，而非ο η的意思，注意字行下邊劃線的提引。 -45- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂---------線J

Claims

88895 ABCD 六、申請專利範圍 1 .一種光感元件，包含： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1個第1閘極；配置在上述第丨閘極上方的第1閘極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而且有於入射激發光時會產生載體的多餐%體產生區域之1個^導體層；在上述半導I層上¥^使汲極電流流通極和汲極；（※如 Ι^ίπ^~e t-&c tr od 0；}-的記示源極或汲極分別可爲單數爲多數）；叫配置在上述半導體層的第2閘極絕和設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 2.—種光感元件，包含： 1個第1閘極； . 配置在上述第丨閘極上方的第1 P極絕緣膜；配置在上述第]閘極絕緣膜上方，而各個都有於入射激發光時會產生載體的1個載體產生區域之多數半導體層；在上述半導體層上用於使汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕綠膜；和，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 3 . —種光感元件，包含： 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第1閘極絕緣膜；配置在上述第L閘極絕緣膜上方，而各個都有於入射 -46 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B8 C8 D8 _ 六、申請專利範圍激發光時會產生載體的多數載體產生區域之多數半導體層；在上述半導體層上用於使汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 4-一種光感元件，包含： 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第〗閘極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而具有汲極電流所流通的多數通道區域之hi半導體層；在上述半導體層上用於使汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 5 —種光感元件，包含： ]個第1閘極；配置在上述第〗閘極上方的第1閛極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而各個都有汲極電流所流通的i個通道區域之多數半導體層；爲了使汲極電流流通於上述半導體層所設置的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 -47- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------線丨經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CB D8 _六、申請專利範圍 6.—種光感元件，包含： 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第1閘極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而各個都有汲極電流所流通的多數通道區域之査1半導體層；在上述半導體層上用於使汲極電流流通的源極和'汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和，設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 7 . —種光感元件，包含： 1個第]閘極；配置在上述第1閘極方的第1閘極絕緣膜；具有於入射激發光時會產生載體的多敷載體產生區域及汲極電流所流通的多數通道區域之1^_半導體層；爲了使上述汲極電流流通於上述半導體層所設置的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和，設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者》 8. 如申請專利範圍第7項之光感元件，其中，上述多數的載體產生區域是以互相排列的配置在上述通道區域的通道長度方向者。 9. 如申請專利範圍第7項之光感元件，其中，上述源極與汲極兩者中之一跫形成在横跨於上述多數的通道區域者。 -48- (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) -----I--訂---------線 I - • n _ -n t— n < 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公a ) 5 6 A8 B8 C8 D8 L \ is 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製申請專利範圍 1〇.如申請專利範圍第7項之光感元件，其中，上述源極與汲極兩者中之一是多數者。 1 1 _如申請專利範圍第7項之光感元件，其中，上述源極和汲極都是多數者。 1 2 ’如申請專利範圍第7項之光感元件，其中，上述源極和汲極是由對於上述激發光具遮光性的材料所形成者。 1 3 _如申請專利範圍第7項之光感元件，其中，上述第2閘極是由對於上述激發光具透過性的材料所形成者。 1 4.如申請專利範圍第7項之光感元件，其係並包含；分別介於上述半導體層與上述源極及汲極之間的雜質層者。 15.如申請專利範圍第7項之光感元件，其係並包含；分別介於上述半導體層與上述第2閘極絕緣膜之間的絕緣層者。 1 6 . —種光感元件，包含： 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第1閘極絕緣膜；各個都有於入射激發光時會產生載體的1 -11載體產生區域及汲極電流所流通的1個通道區域之查i半導體層；在上述多數的半導體層上用於使上述汲極電流流通的源極和汲極；. 49 ^紙張尺度_中關家群（CNS)A4規格（210 X 297公釐) 2请先閱讀背面vii%事項再壤寫本Ϊ 訂---------線！ llllljl—ιιιι-ίιιτ 465 AS B8 C8 DB 六、申請專利範圍配置在上述多數的半導體層上方之第2閘極絕緣膜；和，設置在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極者。 1 7.如申請專利範圍第16項之光感元件，其中，上述多數的半導體層是以互相排列的配置在上述通道區域之通道長度方向者。 18.如申請專利範圍第16項之光感元件，其中，上述源極與汲極兩者中之一是形成在橫跨於上述多數的半導體層之通道區域者。如申請專利範圍第16項之光感元件，其中，上述多數的半導體層是以互相排列的配置在上述通道區域的通道寬度方向者。 2 0 .如申請專利範圍第]6項之光感元件，其中，上述源極與汲極兩者中之一是多數者。 2 1 ,如申請專利範圍第1 6項之光感元件，其中，上述源極和汲極是由對於上述激發光具遮光性的材料所形成者。 2 2 ·如申請專利範圍第1 6項之光感元件，其中，上述第2閘極是由對於上述激發光具透過性的材料所形成者。 2 3 .如申請專利範圍第1 6項之光感元件，其係並包含；分別介於上述半導體層與上述源極及汲極之間的雜質層者。 2 4 ·如申請專利範圍第】6項之光感元件，其係並包含； -50- 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS>A4規格<210 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -II Ϊ n - .- n n η · i 6 5 as 1 B8 C8 ___™___ 一六、申請專利範圍分別介於上述半導體層與上述第2閘極絕緣膜之間 @的絕緣層者》 —種光感元件，包含： 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方和第1閘極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而各個都有於入射激發光時會產生載體的多數載體產生區域及汲極電流所流通的多數通道區域之多數半導體層；在上述多數的半導體層上用於使上述.汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述多數的半導體層上方之第2閘極絕緣膜；和，設在上述第2閘極絕緣膜上的第2閘極者。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之光感元件，其中，上述多數的半導體層是以互相排列的配置在上述通道區域之通道寬度方向者。 2 7·如申請專利範圍第25項之光感元件，其中，上述源極與汲極兩者中之一是形成在橫跨在於上述多數的通道區域者。 2 8 如申請專利範圍第2 5項之光感元件，其中，上述源極與汲極兩者中之一是多數者。 2 9.如申請專利範圍第25項之光感元件，其中，上述源極和汲極是由對於上述激發光具遮光性的材料所形成者》 -51 本紙張尺度過用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 ,·{ --------. I - II — — — — 1 ^ —ιί»ιιίιιιιι.ίιί_ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 0.如申請專利範圍第25項之光感元件，其中，上述第2閘極是由對於上述激發光具透過性的材料所形成者。 3 1 .如申請專利範圍第2 5項之光感元件，其係並包含；分別介於上述半導體層與上述源極及汲極之間的雜質層者。 3 2.如申請專利範圍第25項之光感元件，其係並包含； '分別介於上述半導體層與上述第2閘極絕緣膜之間的絕緣層者》 3 3 . —種光感測系統，包含： (a) 多數的光感元件；而該等光感元件係包含； 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第1閘極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而具有於入射激發光時會產生載體的載體產生區域之半導體層；在上述半導體層上用於使汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和，設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極； (b) 將上述多數的光感元件之上述第1閘極彼此之間加以連接之第1閘極配線；和 (e)將上述多數的光感元件之上述第2閘極彼此之間加以連接，而在平面上與上述第1閘極配線相隔離的，配置在相鄰光感元.件之間之第2閘極配線者。 -52- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ^ - — — — — Kill I ^ i I I I -----III;----------- 5 6 4 5 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍 3 4.如申請專利範圍第33項之光感測系統，其中，上述第2閘極配線是分歧爲多條者》 3 5 .如申請專利範圍第3 3項之光感測系統，其中，上述第2閘極配線是由對於上述激發光具透過性的材料所形成者。 3 6 ·如申請專利範圍第3 3項之光感測系統，其中，上述第2閘極配線是與上述第2閘極一體形成者。 3 7 —種光感測系統，包含： U)配置成爲矩陣狀的多數光感元件；而該等光感元件係各個都具有； 1個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第1閛極絕緣膜；. 配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而具有於入射激發光時會產生載體的多數載體產生區域之U固-半導體層；在上述半導體層上用於汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述半導體層卜方的第2閘極絕緣膜；和設在上述第2閘極絕緣膜上方的丨個第2鬧極； (b) 連接在沿著第1方向排列的上述多數光感元件的源極之多數源極配線； (c) 連接在沿著上述第1方向排列的上述多數光感元件的汲極之多數汲極配線； (d) 連接在沿著第2方向排列的上述多數光感元件的第 -53- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公1 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

i^5f〇s A8 B8 C8 D8 __ 六、申請專利範圍 1閘極之多數第1閘極配線； (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (e) 連接在沿著上述第2方向排列的上述多數光感元件的第2閘極之多數第2閘極配線； (f) 將預充電電壓輸出於上述汲極配線之預充電裝置； (g) 將上述光感元件的由於光線入射而變位的預充電電壓輸入之讀取裝置； (h) 將信號供應於上述多數的第1閘極配線之第1閘極驅動器；和， (i) 將信號供應於上述多數的第2閘極配線之第2閛極驅動器者。 38. 如申請專利範圍第37項之光感測系統，其中，上述第1閘極驅動器是以選擇性輸出使上述光感元件處於選擇（浓selection)狀態及非選擇（※non selection) 狀態兩者中之一的信號者。 39. 如申請專利範圍第37項之光感測系統，其中，上述第2閘極驅動器是以選擇性的輸出使上述光感元件處於復位狀態及載體積蓄狀態兩者中之一的信號者。經濟部智慧財產局員Η消費合作社印敦 4 0 .如申請專利範圍第3 7項之光感測系統，其係並包含；可照射包括上述激發光的光線之光源者。 4 1.一種光感測系統，包含： (a)配置成爲矩陣狀的多數光感元件；而該等光感元件係各個都具有； ' 丨個第1閘極； -54 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A8B8C8D8 4651 六、申請專利範圍配置在上述第1閘極上方的第1閘極絕緣膜； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而各個都有於入射激發光時會產生載體的1個載體產生區域及汲極電流所流通區域的1個通道區域之多數半導體層；在上述多數的半導體層上用於使汲極電流流通之源極和汲極； '配置在上述多數的半導體層上方之第2閘極絕緣膜；和.，設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極； (b) 連接在沿著第1方向排列的上.述多數光感元件的源極之多數源極配線； (c) 連接在沿著上述第1方向排列的上述多數光感元件的汲極之多數汲極配線； (d) 連接在沿著第2方向排列的上述多數光感元件的第 1閘極之多數第1閘極配線； .線. (e) 連接在沿著上述第2方向排列的上述多數光感元件的第2閘極之多數第2閘極配線； (f) 將預充電電壓輸出於上述汲極配線之預充電裝置；經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 (g) 將上述光感元件的由於光線入射而變位的預充電電壓輸入之讀取裝置； (h )將信號供應於上述多數的第1閘極配線之第1閘極驅動器；和， (i)將信號供應於上述多數的第2閘極配線之第2閘極 ' 驅動器者。 -5 5 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） A3 B8 C8 D8 4651〇5 六、申請專利範圍 4 2 如申請專利範圍第4 i項之光感測系統，其中， <請先閱讀背面之注§項再填寫本頁) 上述第.1閘極驅動器是以選擇性的輸出使上述光感元件處於選擇（以selection)狀態及非選擇（※ nonselection)狀態兩者中之一的信號者。 43·如申請專利範圍第41項之光感測系統，其中，上述第2閘極驅動器是以選擇性的輸出使上述光感元件處於復位狀態及載體積蓄狀態兩者中之一的信號者。 44 ‘如申請專利範圍第4丨項之光感測系統，其係並包含；可照射包括上述激發光的光線之光源者。 4 5 _ —種光感測系統，包含： U)配置成爲矩陣狀的多數光感元件；而該等光感元件係各個都具有；】個第1閘極；配置在上述第1閘極上方的第1閘極絕緣膜；配置在上述第1閘極絕緣膜上方，而各個都有於入射激發光時會產生載體的多數載體產生區域及汲極電流所流通的多數通道區域之多數半導體層；經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製在上述多數的半導體層上用於使汲極電流流通的源極和汲極；配置在上述半導體層上方的第2閘極絕緣膜；和設在上述第2閘極絕緣膜上方的1個第2閘極； (b)連接在沿著第1方向排列的上述多數光感元件的源極之多數源極配線； -56- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 465105 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 (C)連接在沿著上述第1方向排列的上述多數光感元件的汲極之多數汲極配線； (d) 連接在沿著第2方向排列的上述多數光感元件的第 1閘極之多數第1閘極配線； (e) 連接在沿著上述第2方向排列的上述多數光感元件的第2閘極之多數第2閘極配線； (f) 將預充電電壓輸出於上述汲極配線的預充電裝置； (g) 將上述光感元件的由於光線入射而變位的預充電電壓輸入之讀取裝置； (h) 將信號供應於上述多數的第丨鬧極配線之第1閘極驅動器；和， (i) 將信號供應於上述多數的第2閘極配線之第2閘極驅動器者。 4 6 .如申請專利範圍第4 5項之光感測系統：其中，上述第1閘極驅動器是以選擇性的輸出使上述光感元件處於選擇（崁selection)狀態及非選擇（後 η ο n s e I e c t i ο η )狀態兩者中之一的信號者。 4 7 .如申請專利範圍第4 5項之光感測系統，其中，上述第2閘極驅動器是以選擇性的輸出使上述光感元件處於復位狀態及載體積蓄狀態兩者中之一種信號者。 4 8 .如申誚專利範圍第4 5項之光感測系統s其係並包含；可照射包括上述激發光的光線之光源者。 -57- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i - I I I -n ϋ n f—· n I I I— ^ l n n ϋ ϋ n n I I— t ϋ ϋ ϋ ϋ ] n ϋ .