JP5068320B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5068320B2 JP5068320B2 JP2009529013A JP2009529013A JP5068320B2 JP 5068320 B2 JP5068320 B2 JP 5068320B2 JP 2009529013 A JP2009529013 A JP 2009529013A JP 2009529013 A JP2009529013 A JP 2009529013A JP 5068320 B2 JP5068320 B2 JP 5068320B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- signal
- display device
- sensor
- optical sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 106
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 230000006870 function Effects 0.000 description 12
- 230000008859 change Effects 0.000 description 11
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000007175 bidirectional communication Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/042—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by opto-electronic means
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/58—Arrangements comprising a monitoring photodetector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/13—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising photosensors that control luminance
Description
最初に、図1および図2を参照しながら、本発明の第1の実施形態にかかる液晶表示装置が備えるアクティブマトリクス基板の構成について説明する。
式(1)において、VFはフォトダイオードD1の順方向電圧、ΔVRSTは、リセット信号のパルスの高さであり、CPDはフォトダイオードD1の容量である。CTは、接続点INTの総容量であり、コンデンサC1の容量CINTと、フォトダイオードD1の容量CPDと、トランジスタM2の容量CTFTとの総和である。このときのVINTはトランジスタM2の閾値電圧より低いので、トランジスタM2は非導通状態となっている。なお、このとき、読み出し信号はハイレベル(RWS(H))となっている。
式(2)において、IPHOTOは、フォトダイオードD1の光電流、tINTは、積分期間の長さである。積分期間においても、VINTがトランジスタM2の閾値電圧より低いので、トランジスタM2は非導通状態となっている。
+ΔVRWS・CINT/CT …(3)
ΔVRWSは、読み出し信号の立ち上がりパルスの高さ(RWS(H)−RWS(L))でありこれにより、接続点INTの電位VINTがトランジスタM2の閾値電圧よりも高くなるので、トランジスタM2は導通状態となり、各列において配線OUTの端部に設けられているバイアストランジスタM3と共に、ソースフォロアアンプとして機能する。すなわち、トランジスタM3のドレインからの出力配線SOUTからの出力信号電圧は、積分期間におけるフォトダイオードD1の光電流の積分値に相当する。
VCAP=RWS(L)−VINT<VT
であることが好ましい。これから、
RWS(L)<VINT+VT≒RST(L)+VT
が成り立てば良いことが分かる。
VFEEDTHROUGH=ΔVRST・CPD/CT
である。また、ΔVRST=|RST(H)−RST(L)|、CT=CINT+CPD+CTFTである。
本発明の他の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。なお、第1の実施形態において説明した構成と同様の機能を有する構成については、第1の実施形態と同じ参照符号を用いて、その詳細な説明を省略する。
Claims (11)
- アクティブマトリクス基板を備えた表示装置であって、
前記アクティブマトリクス基板に設けられた光センサと、
前記光センサに接続されたセンサ駆動配線と、
前記光センサへ、前記センサ駆動配線を介して、センサ駆動信号を供給するセンサ駆動回路と、
前記センサ駆動信号に従って前記光センサから読み出されたセンサ出力を増幅し、光センサ信号として出力するアンプ回路と、
前記アンプ回路から出力された光センサ信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記光センサが、フォトダイオードと、前記フォトダイオードに接続されたコンデンサと、少なくとも1つのスイッチング素子とを含み、
前記センサ駆動配線が、前記光センサへリセット信号を供給するリセット信号配線と、前記コンデンサへ読み出し信号を供給する読み出し信号配線とを少なくとも含み、
前記センサ駆動回路が、前記リセット信号をオンにしてから所定時間経過後に前記読み出し信号をオンにすることにより、前記所定時間内の光センサの受光量に応じた光センサ信号が前記信号処理回路へ出力され、
前記センサ駆動回路が前記コンデンサのバイアス電圧を変化させることにより、当該コンデンサの容量が可変であることを特徴とする表示装置。 - 前記センサ駆動回路が、前記コンデンサのバイアス電圧を変化させることにより、前記リセット信号が供給されてから前記所定時間が経過するまでの少なくとも一部の期間において当該コンデンサの容量を低下させる、請求項1に記載の表示装置。
- 前記コンデンサが、金属層と、半導体接合を有するシリコン層とを含み、
前記センサ駆動回路が、前記リセット信号が供給されてから前記所定時間が経過するまでの少なくとも一部の期間において、前記コンデンサのバイアス電圧を前記半導体接合の閾値電圧よりも小さくする、請求項2に記載の表示装置。 - 前記コンデンサが、金属層と、当該金属層との間にショットキー接合を構成するシリコン層とを含み、
前記センサ駆動回路が、前記リセット信号が供給されてから前記所定時間が経過するまでの少なくとも一部の期間において、前記コンデンサのバイアス電圧を前記ショットキー接合の閾値電圧よりも小さくする、請求項2に記載の表示装置。 - 前記光センサが前記アクティブマトリクス基板における画素領域内に設けられ、
前記光センサは、前記スイッチング素子を1つ備え、
前記光センサのフォトダイオードのカソードが、前記コンデンサの一方の電極と前記スイッチング素子とに接続され、当該フォトダイオードのアノードが、前記リセット信号配線に接続され、
前記読み出し信号配線が、前記コンデンサの他方の電極に接続された、請求項1〜4のいずれか一項に記載の表示装置。 - 前記読み出し信号のローレベルの電位が、前記リセット信号が供給されてから前記所定時間が経過するまでの少なくとも一部の期間において、前記リセット信号のローレベルの電位よりも低い、請求項5に記載の表示装置。
- 前記リセット信号のハイレベルの電位が、前記期間以外におけるリセット信号のローレベルの電位よりもΔVRST・CPD/CTだけ高い、請求項6に記載の表示装置。
- 前記リセット信号がオンになるときに、前記読み出し信号の電位が、当該読み出し信号のローレベルよりも高い電位である、請求項6に記載の表示装置。
- 前記コンデンサの背面に遮光層を備えた、請求項1〜8のいずれか一項に記載の表示装置。
- 前記光センサが前記アクティブマトリクス基板における画素領域内に設けられ、
前記光センサが、第1〜第3のスイッチング素子を備え、
前記光センサのフォトダイオードのカソードが、前記コンデンサの一方の電極と、第1のスイッチング素子のドレインと、第2のスイッチング素子のゲートとに接続され、当該フォトダイオードのアノードは、第1の参照電位に保持され、
前記第1のスイッチング素子のソースと前記第2のスイッチング素子のソースとが、第2の参照電位に保持され、
前記第2のスイッチング素子のドレインが前記第3のスイッチング素子のソースに接続され、
前記第3のスイッチング素子のゲートに前記読み出し信号配線が接続され、
前記コンデンサの他方の電極が、光センサのダイナミックレンジを切り替えるモード信号の供給線に接続された、請求項1〜4のいずれか一項に記載の表示装置。 - 前記モード信号の供給線が、前記リセット信号が供給されてから前記所定時間が経過するまでの少なくとも一部の期間において、前記第2の参照電位に接続され、
前記期間以外においては、前記モード信号の供給線が、前記第1の参照電位に接続される、請求項10に記載の表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009529013A JP5068320B2 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-13 | 表示装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007215018 | 2007-08-21 | ||
JP2007215018 | 2007-08-21 | ||
JP2009529013A JP5068320B2 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-13 | 表示装置 |
PCT/JP2008/064526 WO2009025223A1 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-13 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009025223A1 JPWO2009025223A1 (ja) | 2010-11-25 |
JP5068320B2 true JP5068320B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=40378129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009529013A Expired - Fee Related JP5068320B2 (ja) | 2007-08-21 | 2008-08-13 | 表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8350835B2 (ja) |
EP (1) | EP2180528A4 (ja) |
JP (1) | JP5068320B2 (ja) |
CN (1) | CN101779299B (ja) |
WO (1) | WO2009025223A1 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8772699B2 (en) | 2009-03-02 | 2014-07-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device having a photosensor |
JP5448258B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2014-03-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フォトセンサ |
US8624875B2 (en) * | 2009-08-24 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving touch panel |
KR101022118B1 (ko) | 2009-09-02 | 2011-03-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광 감지회로 및 그 구동방법과 이를 구비한 터치 스크린 패널 |
US9335854B2 (en) | 2009-09-30 | 2016-05-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
US20120262424A1 (en) * | 2009-09-30 | 2012-10-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display Device |
GB2475055A (en) * | 2009-11-03 | 2011-05-11 | Sharp Kk | Touch sensor circuits with pre-charging input |
TWI507934B (zh) * | 2009-11-20 | 2015-11-11 | Semiconductor Energy Lab | 顯示裝置 |
JP5866089B2 (ja) * | 2009-11-20 | 2016-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
GB0920750D0 (en) | 2009-11-26 | 2010-01-13 | Isis Innovation | High dynamic range pixel |
BR112012012809A2 (pt) * | 2009-11-30 | 2016-08-16 | Sharp Kk | dispositivo de apresentação visual |
KR102031848B1 (ko) | 2010-01-20 | 2019-10-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 및 전자 시스템 |
US20130057527A1 (en) * | 2010-05-20 | 2013-03-07 | Kohei Tanaka | Display device |
KR101874034B1 (ko) | 2012-02-10 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법 |
US20150103973A1 (en) * | 2013-10-11 | 2015-04-16 | General Electric Company | X-ray system with multiple dynamic range selections |
US9774802B2 (en) * | 2014-11-10 | 2017-09-26 | Raytheon Company | Method and apparatus for increasing pixel sensitivity and dynamic range |
CN107479281B (zh) * | 2017-08-29 | 2020-05-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素电路、像素结构和显示面板 |
WO2019227385A1 (en) * | 2018-05-31 | 2019-12-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, display apparatus, display substrate, and method of fabricating display panel and display apparatus |
WO2020090784A1 (ja) * | 2018-10-30 | 2020-05-07 | パイオニア株式会社 | 電磁波検出装置及び電磁波検出システム |
TWI737424B (zh) * | 2020-07-29 | 2021-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
KR20220015112A (ko) * | 2020-07-30 | 2022-02-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치와 이를 포함한 모바일 단말기 |
CN112926402B (zh) * | 2021-01-29 | 2023-05-16 | 厦门天马微电子有限公司 | 一种主动式像素电路、驱动方法及显示面板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01196165A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH09260718A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Canon Inc | 光電変換装置とその駆動方法及びそれを有するシステム |
JP2006171669A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 光センサー、これを具備する表示パネル及び表示装置 |
WO2006129428A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | フォトダイオード及び表示装置 |
JP2007018458A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sony Corp | 表示装置、センサ信号の補正方法並びに撮像装置 |
JP2007114315A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3560809A (en) * | 1968-03-04 | 1971-02-02 | Hitachi Ltd | Variable capacitance rectifying junction diode |
JPH05276442A (ja) | 1992-03-30 | 1993-10-22 | Hamamatsu Photonics Kk | 残像積分固体撮像デバイス |
US5841180A (en) * | 1996-03-27 | 1998-11-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion device, method of driving photoelectric conversion device, and system having the device |
US6512544B1 (en) * | 1998-06-17 | 2003-01-28 | Foveon, Inc. | Storage pixel sensor and array with compression |
US6999122B1 (en) * | 1999-07-22 | 2006-02-14 | Minolta Co., Ltd. | Solid-state logarithmic image sensing device |
EP1265291A1 (fr) * | 2001-06-08 | 2002-12-11 | EM Microelectronic-Marin SA | Capteur d'image CMOS et procédé permettant d'opérer un capteur d'image CMOS avec une dynamique accrue |
US7224389B2 (en) * | 2001-07-16 | 2007-05-29 | Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba | Method to adjust the signal level of an active pixel and corresponding active pixel |
JP4737956B2 (ja) | 2003-08-25 | 2011-08-03 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置および光電変換素子 |
KR100669270B1 (ko) * | 2003-08-25 | 2007-01-16 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 표시 장치 및 광전 변환 소자 |
US7612818B2 (en) * | 2004-03-29 | 2009-11-03 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Input sensor containing display device and method for driving the same |
JP4127243B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2008-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光センサ、光センサの読取方法、マトリクス型光センサ回路および電子機器 |
US7718459B2 (en) | 2005-04-15 | 2010-05-18 | Aptina Imaging Corporation | Dual conversion gain pixel using Schottky and ohmic contacts to the floating diffusion region and methods of fabrication and operation |
JP4834482B2 (ja) * | 2006-07-24 | 2011-12-14 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 表示装置 |
-
2008
- 2008-08-13 EP EP08827986A patent/EP2180528A4/en not_active Withdrawn
- 2008-08-13 CN CN2008801023427A patent/CN101779299B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-13 US US12/674,359 patent/US8350835B2/en active Active
- 2008-08-13 JP JP2009529013A patent/JP5068320B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-13 WO PCT/JP2008/064526 patent/WO2009025223A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01196165A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置 |
JPH09260718A (ja) * | 1996-03-27 | 1997-10-03 | Canon Inc | 光電変換装置とその駆動方法及びそれを有するシステム |
JP2006171669A (ja) * | 2004-12-10 | 2006-06-29 | Samsung Electronics Co Ltd | 光センサー、これを具備する表示パネル及び表示装置 |
WO2006129428A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | フォトダイオード及び表示装置 |
JP2007018458A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sony Corp | 表示装置、センサ信号の補正方法並びに撮像装置 |
JP2007114315A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101779299B (zh) | 2011-07-27 |
US20110175871A1 (en) | 2011-07-21 |
WO2009025223A1 (ja) | 2009-02-26 |
CN101779299A (zh) | 2010-07-14 |
EP2180528A1 (en) | 2010-04-28 |
JPWO2009025223A1 (ja) | 2010-11-25 |
EP2180528A4 (en) | 2012-02-01 |
US8350835B2 (en) | 2013-01-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5068320B2 (ja) | 表示装置 | |
JP4799696B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2009148084A1 (ja) | 表示装置 | |
JP5132771B2 (ja) | 表示装置 | |
US8759739B2 (en) | Optical sensor and display apparatus | |
JP5284487B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20090023657A (ko) | 결합된 화상 센서 및 디스플레이 장치 | |
US8658957B2 (en) | Sensor circuit and display apparatus | |
WO2010001929A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2010007890A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2010092709A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2010001652A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2010097984A1 (ja) | 光センサおよびこれを備えた表示装置 | |
JP5421355B2 (ja) | 表示装置 | |
WO2010100785A1 (ja) | 表示装置 | |
WO2011013631A1 (ja) | 光センサおよび表示装置 | |
WO2011145682A1 (ja) | 表示装置 | |
JP2012160772A (ja) | 光センサおよび表示装置 | |
WO2011001878A1 (ja) | センサ回路及び表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120814 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5068320 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |