CN101779299A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示装置。在带有通过在像素内具有光检测元件而能够获取图像的光传感器的显示装置中扩大动态范围。传感器驱动电路使通过复位信号配线供给的复位信号(RST)导通，并在经过规定时间后使通过读出信号配线供给的读出信号(RWS)导通，由此在输出与上述规定时间内的光传感器的受光量对应的光传感器信号的光传感器中，使设置在光传感器内的电容器的电容在从向上述光传感器供给复位信号(RST)起至经过上述规定时间为止的期间内可变。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及在像素内具有光电二极管等光检测元件的带有光传感器的显示装置。
背景技术
以往提出的带有光传感器的显示装置的方案是例如能够通过在像素区域外具备光电二极管等光检测元件来检测周围光的明亮度。带有这样的光传感器的显示装置，例如能够根据周围光的明亮度调整背光源的光量，用于便携式信息显示终端等。此外还提出的方案是带有图像获取功能的显示装置，能够通过在像素区域内具备光检测元件，获取接近显示器的物体的图像。通常使用带有这样的图像获取功能的显示装置作为双向通信用显示装置或带有触摸面板功能的显示装置。
上述现有的显示装置中，在有源矩阵基板中通过半导体工艺形成信号线和扫描线、TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)、像素电极等公知的结构要素时，同时在有源矩阵基板的像素区域内或像素区域外形成作为光检测元件的光电二极管(参照日本特开2006-3857号公报)。
上述现有的具备光传感器的显示装置当然也被预定搭载在便携式电话、个人计算机或PDA(Personal Digital Assistant：个人数字助理)等移动设备上。这样，在搭载于移动设备的情况下，特别是为了能够通过光传感器高精度地进行明亮度的检测会期望较大的光传感器的动态范围。
为了提高光传感器的动态范围，也需要提高光检测元件自身的动态范围。然而，一般而言，光检测元件性能的提高需要改变制造工艺等，因此并不容易。
在具备光电二极管作为光检测元件的光传感器中，一般是使来自光电二极管的输出电流对电容器充电的方式。在该情况下，电容器的电位变化成为光传感器的输出。为了增大光传感器的动态范围(即，电容器的电位变化量)，可以使电容器的充电时间可变，或者使电容器的电容可变。然而，根据应用光传感器的设备不同，也存在限制充电期间的情况。特别是，应用在要求高速响应的指向装置(例如触摸面板)中等的情况下，没有留下使充电期间可变的剩余时间。
发明内容
本发明目的在于提供一种带有光传感器的显示装置，特别是使上述光传感器的动态范围扩大的显示装置。
本发明的特征在于，通过使光传感器的电容器的偏置电位变化从而使电容器的电容变化。由此能够提供光传感器的制造工艺无需较大变更即可扩大动态范围的光传感器。此外还具有不变更电容器的充电期间，因此也不会损害高速响应性能的优点。
根据本发明，能够提供带有光传感器的显示装置，特别是扩大了动态范围的显示装置。
附图说明
图1是表示本发明一个实施方式的显示装置的概略结构的框图。
图2是表示本发明一个实施方式的显示装置中的一个像素的结构的等效电路图。
图3是表示在高电容模式下，连接点INT的电位VINT根据施加于配线RST、RWS的信号而变化的状态的时序图。
图4是分别表示复位信号和读出信号波形的时序图。
图5是表示本实施方式的光传感器所包括的电容器的结构的截面示意图。
图6(a)是表示在光传感器的电容器的偏置电位VCAP比PN结的阈电位VT低的状态下的能带。此外，图6(b)是表示电容器的偏置电位VCAP比PN结的阈电位VT高的状态下的能带。
图7(a)和图7(b)是图6(a)的状态和图6(b)的状态的各自的等效电路图。
图8是表示光传感器的电容器的偏置电位VCAP与电容器的电容CINT之间关系的曲线图。
图9是表示包括1个开关元件的光传感器的结构的等效电路图。
图10是表示在低电容模式下，连接点INT的电位VINT根据施加于配线RST、RWS的信号而变化的状态的时序图。
图11是分别表示第一实施方式的光传感器在低电容模式时的设置信号与读出信号的波形的一个例子的时序图。
图12是分别表示第一实施方式的光传感器在低电容模式时的设置信号与读出信号的波形的另一个例子的时序图。
图13是分别表示第一实施方式的光传感器在低电容模式时的设置信号与读出信号的波形的再另一个例子的时序图。
图14是表示本实施方式的光传感器所包括的电容器的结构的另一个例子的截面示意图。
图15是表示在本发明一个实施方式的显示装置中的传感器驱动时序的时序图。
图16是表示传感器像素读出电路的内部结构的电路图。
图17是表示读出信号、传感器输出与传感器像素读出电路的输出之间关系的波形图。
图18是表示传感器列放大器的结构例的电路图。
图19是表示作为本发明实施方式的显示装置的一个变形例、光传感器的配线VDD和OUT与源极配线COL分开设置的结构的等效电路图。
图20是表示在本发明第二实施方式的显示装置中的一个像素的结构的等效电路图。
具体实施方式
本发明的一个实施方式的显示装置，是包括有源矩阵基板的显示装置，其特征在于，包括：设置于上述有源矩阵基板的光传感器、与上述光传感器连接的传感器驱动配线、通过上述传感器驱动配线向上述光传感器供给传感器驱动信号的传感器驱动电路、根据上述传感器驱动信号放大从上述光传感器读出的传感器的输出并作为光传感器信号输出的放大电路、和对从上述放大电路输出的光传感器信号进行处理的信号处理电路，上述光传感器包括光电二极管、与上述光电二极管连接的电容器、和至少一个开关元件，上述传感器驱动配线至少包括向上述光传感器供给复位信号的复位信号配线、和向上述电容器供给读出信号的读出信号配线，上述传感器驱动电路，使上述复位信号导通并经过规定时间后使上述读出信号导通，由此向上述信号处理电路输出与上述规定时间内的光传感器的受光量对应的光传感器信号，上述传感器驱动电路通过使上述电容器的偏置电压变化，使得该电容器的电容可变。
根据该结构，能够提供一种光传感器，通过传感器驱动电路使上述电容器的偏置电压变化从而该电容器的电容可变，由此光传感器的制造工艺无需较大变更即可扩大动态范围。此外，由于不变更电容器的充电期间，因此也不会损害光传感器的高速响应性能。
在上述结构的显示装置中，优选上述传感器驱动电路通过使上述电容器的偏置电压变化，使得在从被供给上述复位信号起至经过上述规定时间为止的至少一部分期间中，该电容器的电容下降。
此外，在上述结构的显示装置中，优选上述电容器包括金属层、和具有半导体结的硅层，上述传感器驱动电路，在从被供给上述复位信号起至经过上述规定时间为止的至少一部分期间中，使上述电容器的偏置电压小于上述半导体结的阈值电压。或者，也可以是上述电容器包括金属层、和在与该金属层之间构成肖特基结的硅层，上述传感器驱动电路，在从被供给上述复位信号起至经过上述规定时间为止的至少一部分期间中，使上述电容器的偏置电压小于上述肖特基结的阈值电压的结构。
在上述结构的显示装置中，也可以是如下结构：上述光传感器设置在上述有源矩阵基板的像素区域内，上述光传感器包括1个上述开关元件，上述光传感器的光电二极管的阴极与上述电容器的一个电极以及上述开关元件连接，该光电二极管的阳极与上述复位信号配线连接，上述读出信号配线与上述电容器的另一个电极连接。
在上述结构的显示装置中，优选上述读出信号的低电平的电位，在从被供给上述复位信号起至经过上述规定时间为止的至少一部分期间中，低于上述复位信号的低电平的电位。
在上述结构的显示装置中，优选上述复位信号的高电平的电位比上述期间以外的复位信号的低电平的电位高ΔVRST·CPD/CT。因为由此能够补偿由像素内寄生电容引起的电压降。进而，优选当上述复位信号变成导通时，上述读出信号的电位是比该读出信号的低电平高的电位。
此外，在上述结构的显示装置中，优选在上述电容器的背面具备遮光层，因为由此能够消除电容器中的光泄露的问题。
在上述结构的显示装置中，也可以是如下结构：上述光传感器设置在上述有源矩阵基板的像素区域内，上述光传感器包括第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件，上述光传感器的光电二极管的阴极与上述电容器的一个电极、第一开关元件的漏极、和第二开关元件的栅极连接，该光电二极管的阳极保持在第一参考电位，上述第一开关元件的源极和上述第二开关元件的源极保持在第二参考电位，上述第二开关元件的漏极与上述第三开关元件的源极连接，上述第三开关元件的栅极与上述读出信号配线连接，上述电容器的另一个电极与切换光传感器的动态范围的模式信号的供给线连接。在该结构之上进而优选，上述模式信号的供给线在从被供给上述复位信号起至经过上述规定时间为止的至少一部分期间中，与上述第二参考电位连接，在上述期间以外，上述模式信号的供给线与上述第一参考电位连接。
以下，参照附图对本发明的更具体的实施方式进行说明。另外，以下的实施方式为表示实施本发明的显示装置作为液晶显示装置的情况下的结构例，但本发明的显示装置并不限定于液晶显示装置，而是能够应用于使用有源矩阵基板的任意显示装置。另外，本发明的显示装置具有图像获取功能，因此被使用作为带有检测接近画面的物体并进行输入操作的触摸面板的显示装置或具备显示功能和摄像功能的双向通信用显示装置等。
此外，为了便于说明，将以下参照的各图简化为仅表示在本发明的实施方式的结构部件中对说明本发明为必需的主要部件。因此，本发明的显示装置可以包括未表示在本说明书参照的各图中的任意结构部件。此外，各图中的部件的尺寸并未如实反映实际的结构部件的尺寸与各部件的尺寸比率等。
[第一实施方式]
首先，参照图1和图2对本发明第一实施方式的液晶显示装置包括的有源矩阵基板的结构进行说明。
图1是表示本发明第一实施方式的液晶显示装置包括的有源矩阵基板100的概略结构的框图。如图1所示，有源矩阵基板100，在玻璃基板上至少包括像素区域1、显示器栅极驱动器2、显示器源极驱动器3、传感器列(column)驱动器4、传感器行(row)驱动器5、缓冲放大器6、FPC连接器7。此外，用于处理由像素区域1内的光检测元件(后述)获取的图像信号的信号处理电路8通过上述FPC连接器7和FPC9与有源矩阵基板100连接。
另外，有源矩阵基板100上的上述结构部件也能够通过半导体工艺在玻璃基板上一体化形成。或者，也可以是如下结构：通过例如COG(Chip On Glass，玻璃上芯片)技术等在玻璃基板上安装上述结构部件中的放大器、驱动器类。或者，也可以考虑在FPC9上安装至少一部分在图1中有源矩阵基板100上所示的上述结构部件。有源矩阵基板100与在整个面上形成有相对电极的相对基板(未图示)粘合，其间隙封入液晶材料。
为了显示图像，像素区域1是形成有多个像素的区域。在本实施方式中，在像素区域1中的各像素内设置有用于获取图像的光传感器。图2是表示有源矩阵基板100的像素区域1中的像素与光传感器的配置的等效电路图。在图2的例子中，1个像素由R(红)、G(绿)、B(蓝)的3个颜色的图像元素形成，由该3个图像元素构成的1个像素内设置有1个光传感器。像素区域1具有以M行×N列的矩阵状配置的像素、和同样以M行×N列的矩阵状配置的光传感器。另外，如上所述，图像元素的数量是M×3N。
因此，如图2所示，像素区域1具有矩阵状地配置的栅极线GL、和源极线COL作为像素用的配线。栅极线GL与显示器栅极驱动器2连接。源极线COL与显示器源极驱动器3连接。另外，栅极线GL在像素区域1内设置有M行。以下，在需要区分各个栅极线GL进行说明的情况下，以GLi(i＝1～M)的方式表记。另一方面，如上所述，为了向1个像素内的3个图像元素供给各自的图像数据，在每1个像素内设置有3个源极线COL。在需要区分各个源极线COL进行说明的情况下，以COLrj、COLgj、COLbj(j＝1～N)的方式表记。
在栅极线GL与源极线COL的交点设置有薄膜晶体管(TFT)M1作为像素用的开关元件。另外，在图2中，将设置在红色、绿色、蓝色的各个图像元素中的薄膜晶体管M1表记为M1r、M1g、M1b。薄膜晶体管M1的栅极电极与栅极线GL、源极电极与源极线COL、漏极电极与未图示的像素电极分别连接。由此，如图2所示，在薄膜晶体管M1的漏极电极与相对电极(VCOM)之间形成液晶电容LC。此外，在漏极电极与TFTCOM之间形成辅助电容LS。
在图2中，由连接至1个栅极线GLi与1个源极线COLrj的交点的薄膜晶体管M1r驱动的图像元素以如下方式用作红色的图像元素：以与该图像元素对应的方式设置红色的彩色滤光片，通过源极线COLrj从显示器源极驱动器3供给红色的图像数据。此外，由连接至栅极线GLi与源极线COLgj的交点的薄膜晶体管M1g驱动的图像元素以如下方式用作绿色的图像元素：以与该图像元素对应的方式设置绿色的彩色滤光片，通过源极线COLgj从显示器源极驱动器3供给绿色的图像数据。进而，由连接至栅极线GLi与源极线COLbj的交点的薄膜晶体管M1b驱动的图像元素以如下方式用作蓝色的图像元素：以与该图像元素对应的方式设置蓝色的彩色滤光片，通过源极线COLbj从显示器源极驱动器3供给蓝色的图像数据。
另外，在图2的例子中，光传感器以1个像素(3个图像元素)中1个的比例设置在像素区域1中。但是，像素和光传感器的配置比例是任意的，并不限定为该例。例如，可以是一个图像元素配置1个光传感器的结构，也可以是多个像素配置1个光传感器的结构。
如图2所示，光传感器由作为光检测元件的光电二极管D1、电容器C1、晶体管M2构成。在形成作为像素用开关元件的TFTM1时，通过该半导体工艺同时形成电容器C1。关于电容器C1的结构将在后面详述。在图2的例子中，源极线COLb、COLr兼用作用于从传感器列驱动器4向光传感器供给定电压VSS、VDD的配线VSS、VDD。此外，源极线COLg兼用作传感器输出用的配线OUT。
光电二极管D1的阳极与用于供给复位信号的配线RST连接。光电二极管D1的阴极与电容器C1的一个电极和晶体管M2的栅极连接。晶体管M2的漏极与配线VDD连接，源极与配线OUT连接。在图2中，光电二极管D1的阴极、电容器C1的一个电极、和晶体管M2的栅极的连接点表记为INT。电容器C1的另一个电极与用于供给读出信号的配线RWS连接。配线RST、RWS与传感器行驱动器5连接。由于每行都设置有这些配线RST、RWS，因此，下面在需要区分各配线的情况下，以RSTi、RWSi(i＝1～M)的方式表记。
传感器行驱动器5以规定的时间间隔trow依次选择图2所示的配线RSTi与RWSi的组。由此，在像素区域1中应读出信号电荷的光传感器的行(row)被依次选择。
另外，如图2所示，配线OUT的端部与绝缘栅极型电场效应晶体管M3的漏极连接。此外，该晶体管M3的漏极与输出配线SOUT连接，晶体管M3的漏极的电位VSOUT作为来自光传感器的输出信号输出至传感器列驱动器4。晶体管M3的源极与配线VSS连接。晶体管M3的栅极通过参考电压配线VB与参考电压电源(未图示)连接。
另外，图2所示的电路结构只是一个例子，本发明的光传感器的电路结构不限定于图2的具体例。
此处，参照图3和图4，对如图2所示来自包括1个晶体管M2的光传感器的、传感器输出的基本读出动作进行说明。图3是表示连接点INT的电位VINT根据施加于配线RST、RWS的信号而变化的状态的时序图。图4是分别表示施加于配线RST、RWS上的信号的波形的时序图。在图4所示的复位信号RST中，例如，高电平RST(H)是0V，低电平RST(L)是-4V。此外，在读出信号RWS中，例如，高电平RWS(H)是8V，低电平RWS(L)是VT。VT是电容器C1的PN结的阈电位(后面详述)。
在图4中，读出信号RWS为高电平(RWS(H))的期间相当于图3的读出期间TRWS。此外，图4中的复位信号RST从高电平(RST(H))切换到低电平(RST(L))的时刻相当于图3的复位时刻TRST。进而，从复位信号RST变成低电平(RST(L))起至其次读出信号RWS变成高电平(RWS(H))为止的期间是积分期间TINT。
首先，从传感器行驱动器5向配线RST供给的复位信号从低电平(-4V)上升变成高电平(0V)时，光电二极管D1形成正向偏置，连接点INT的电位VINT由下列式(1)表示。
VINT＝RST(H)-VF-ΔVRST·CPD/CT  ...(1)
在式(1)中，VF是光电二极管D1的正向电压；ΔVRST是复位信号的脉冲高度；CPD是光电二极管D1的电容。CT是连接点INT的总电容，即电容器C1的电容CINT、光电二极管D1的电容CPD、和晶体管M2的电容CTFT的总和。此时的VINT低于晶体管M2的阈值电压，因此晶体管M2为非导通状态。另外，此时，读出信号为高电平(RWS(H))。
接着，读出信号向低电平(RWS(L))下降。接着，复位信号向低电平(RST(L))下降。该状态是复位信号为导通的状态，光传感器被复位。
另外，从复位信号导通的时候，积分期间(TINT)开始。在积分期间，与向光电二极管D1射入的光量成比例的光电流流入电容器C1，使电容器C1放电。由此，在积分期间结束时的连接点INT的电位VINT由下列式(2)表示。
VINT＝RST(H)-VF-ΔVRST·CPD/CT-IPHOTO·tINT/CT  ...(2)
在式(2)中，IPHOTO是光电二极管D1的光电流；tINT是积分期间的长度。即使在积分期间，VINT也低于晶体管M2的阈值电压，因此晶体管M2为非导通状态。
接着，读出信号上升至高电平(RWS(H))，由此读出信号变成导通状态，读出期间开始，向电容器C1产生电荷注入。此时的连接点INT的电位VINT由下列式(3)表示。
VINT＝RST(H)-VF-ΔVRST·CPD/CT-IPHOTO·tINT/CT+ΔVRWS·CINT/CT   ...(3)
ΔVRWS是读出信号的上升脉冲高度(RWS(H)-RWS(L))，由此连接点INT的电位VINT高于晶体管M2的阈值电压，因此晶体管M2变成导通状态，与在各列中设置在配线OUT的端部的偏置晶体管M3一起作为源极跟随放大器(follower amplifier)起作用。即，来自晶体管M3的漏极的输出配线SOUT的输出信号电压相当于在积分期间的光电二极管D1的光电流的积分值。
接着，复位信号上升至高电平(RST(H))，之后重复与上述相同的动作。按照以上，本实施方式的显示装置周期地进行如下动作：以通过复位脉冲进行的初始化、积分期间的光电流的积分、和读出期间的传感器输出的读出为1个循环的动作。
如图3所示，通过以上的1个循环的动作，在读出期间TRWS中的VINT的电位在光较少的状态(图3中的实线)的电位和光饱和的状态(图3中的点划线)的电位之间取任意值。即，图3所示的ΔV相当于光传感器的动态范围的大小。
另外，图3和图4所示的以上的读出动作，是电容器C1的电容通常较大的状态，是动态范围不太大的动作模式。本实施方式的光传感器，如以下说明的那样，通过至少在积分期间使电容器C1的偏置电位变化从而使电容器C1的电容可变，由此具有扩大了动态范围的动作模式。下面，为区分于这些动作模式，称前者为高电容模式，后者为低电容模式。
此处，参照图5说明电容器C1的结构。如图5所示，电容器C1由GE金属11、硅层12和SE金属13构成。GE金属11与有源矩阵基板100的像素区域中的TFT的栅极电极同层，使用与栅极电极相同的材料，由相同的工艺形成。此外，SE金属13与TFT的源极电极同层，使用与源极电极相同的材料，由相同的工艺形成。在图5的例子中，通过n+层和p-层在硅层12形成有半导体结。在硅层12的p-层的上层设置有GE金属11。由此，GE金属11与硅层12的p-层作为电容器C1的一对电极起作用。GE金属11与施加读出信号VRWS的读出信号配线RWS连接。SE金属13的电位相当于连接点INT的电位VINT。
在上述结构的电容器C1中，电容器电容根据电容器C1的偏置电位(VCAP)比硅层12的PN结引起的阈电位(VT)高或低而变化。图6(a)表示VCAP低于VT的状态下的能带。此外，图6(b)表示VCAP高于VT的状态下的能带。图7(a)和图7(b)是图6(a)的状态和图6(b)的状态的各自的等效电路图。在图7(b)的状态下，作为电容器C1的电容的CINT与在GE金属11与硅层12之间的电容Cgate相等。另一方面，在图7(a)的状态下，PN结的电容Cj远小于在GE金属11与硅层12之间的电容Cgate。因此，PN结的电阻Rj接近无限大，作为电容器C1的电容的CINT接近Cj。然而，当电阻Rj减小时，CINT变得大于Cj。因此，电容器C1的偏置电压VCAP与电容器C1的电容CINT的关系成为如图8所示的曲线。即，图8所示的(a)和(b)的区域分别与图7(a)的状态和图7(b)的状态对应。由图8可知，通过使电容器C1的偏置电压VCAP变化，能够使电容器C1的电容CINT在Cj与Cgate之间可变。
另外，即使变更电容器C1的硅层12的半导体结的组合也能够得到同样的效果。例如，可以使与SE金属13连接的一侧为p+层，与GE金属11相对的一侧为n-层。同样，也可以使与SE金属13连接的一侧为n+层，与GE金属11相对的一侧为i层。或者，也可以使与SE金属13连接的一侧为p+层，与GE金属11相对的一侧为i层。
此外，即使在硅层12不存在半导体结，即使在硅层12与SE金属13之间形成肖特基结的结构，与上述同样地，使电容器C1的偏置电压VCAP变化，由此能够使电容器C1的电容CINT在Cj与Cgate之间可变。在该情况下，可以由i层单层构成硅层12。
此处，参照图9和图10对本实施方式的光传感器的低电容模式的动作进行说明。如图9所示，使电容器C1的电容为CINT，电容器C1的偏置电压为VCAP，薄膜晶体管M2的寄生电容为CTFT，光电二极管的寄生电容为CPD。
在图9所示的结构中，在充电期间(图10所示的TINT)中，通过使施加于电容器C1的GE金属11的读出信号(RWS)的电位VRWS变化，能够实现图8所示的电容器特性。即，如上所述，如果电容器C1的偏置电压VCAP的值高于VT，则作为光传感器其灵敏度变小。另一方面，如果VCAP的值低于VT，则作为光传感器其灵敏度升高，动态范围扩大。另外，VCAP＝VRWS-VINT。
在图10所示的充电期间TINT中，控制读出信号(RWS)，使得电容器C1的电容CINT减小。此外，在图10所示的读出期间TRWS，读出信号被偏置为高电平，电容器C1的电容CINT变大。由此，在读出期间TRWS正常进行电容器C1的存储电流的读出。此外，在复位时刻TRST，电容器C1的电容CINT不得不变大。其理由将在后面阐述。
为了使电容器C1的电容如以上所述地变化，可以按照图9所示的图案施加读出信号(RWS)。另外，在图11中，读出信号RWS为高电平(RWS(H))的期间相当于图10的读出期间TRWS。此外，图11中的复位信号RST从高电平(RST(H))切换至低电平(RST(L))的时刻，相当于图10的复位时刻TRST。进而，从复位信号RST变成低电平(RST(L))起至其次读出信号RWS变成高电平(RWS(H))为止的期间为积分期间TINT。
在图11的例子中，至少在积分期间TINT，为了使电容器C1的电容CINT变小从而提高光传感器的动态范围，使读出信号RWS的低电平电位RWS(L)与复位信号RST的低电平电位RST(L)相等。另外，为了获得提高动态范围的效果，优选至少在积分期间TINT，维持电容器C1的偏置电压VCAP为小于该电容器C1的阈电位VT的值。即优选，
VCAP＝RWS(L)-VINT＜VT
由此可知下式成立即可：
Figure GPA00001021262000121
然而，根据图11的驱动方法，复位信号RST变成导通时，即，在复位信号RST从高电平(RST(H))切换至低电平(RST(L))的时刻，电容器C1的电容CINT的值较小，因此由寄生电容引起的电压降的影响增加，其结果，电容器C1的电位变化立刻饱和。其结果，输出变化的动态范围变小，成为相反效果。因此，可以考虑将图12和图13所示的驱动方法作为图11的驱动方法的改良版。
在图12所示的驱动方法中，为了补偿能够从寄生电容计算的电压降(VFEEDTHROUGH)，相应地使RST的高电平电位提高。例如，在图11的驱动方法中，RST(H)是0V，但在图12所示的驱动方法中，使电位比该RST(H)高出VFEEDTHROUGH。即，在图12中，RST(H)的电位等于VFEEDTHROUGH。另外，
VFEEDTHROUGH＝ΔVRST·CPD/CT
此外，
ΔVRST＝|RST(H)-RST(L)|
CT＝CINT+CPD+CTFT
此外，在图13所示的驱动方法中，复位信号RST从高电平(RST(H))切换至低电平(RST(L))的时刻，使读出信号RWS为与VT相同或高于VT的电平。由此，复位信号RST的电位下降时CINT的值较大，因此能够降低输出的电压降(馈通(feed through))的影响。然而，读出信号RWS的电位过高时，由于读出信号RWS自身的馈通的影响开始增大，因此理想而言，优选复位信号RST的电位下降时的读出信号RWS的电位与VT为相同的电平。
另外，如图3所示结构的电容器C1的硅层12为与光电二极管D1非常类似的结构，因此与受光量对应地产生电流(光泄漏)。其结果，PN结的电阻值减小，小于VT的区域的CINT增加，不仅不能获得充分的CINT的变化，还作为误差影响输出。因此，如图14所示，优选在电容器C1的硅层12的下部，设置有用于防止背光源光的射入的遮光层14。
在本实施方式，如上所述，将源极线COLr，COLg，COLb共用为光传感器用的配线VDD、OUT、VSS，因此如图15所示，需要区分通过源极线COLr、COLg、COLb输入显示用的图像数据信号的定时和读出传感器输出的定时。在图15的例子中，在水平扫描期间显示用图像数据信号的输入结束后，利用水平消隐期间等进行传感器输出的读出。
如图1所示，传感器列驱动器4包括传感器像素读出电路41、传感器列放大器42、和传感器列扫描电路43。传感器像素读出电路41与从像素区域1输出传感器输出VSOUT的配线SOUT(参照图2)连接。在图1中，用VSOUTj表记由配线SOUTj(j＝1～N)输出的传感器输出。传感器像素读出电路41将传感器输出VSOUTj的峰值保持电压VSj输出至传感器列放大器42。传感器列放大器42内置有分别对应于像素区域1的N列光传感器的N个列放大器，每个列放大器放大峰值保持电压VSj(j＝1～N)，作为VCOUT输出至缓冲放大器6。传感器列扫描电路43依次连接传感器列放大器42的列放大器至缓冲放大器6，因此输出列选择信号CSj(j＝1～N)至传感器列放大器42。
此处，参照图16和图17，对从像素区域1读出传感器输出VSOUT后的传感器列驱动器4和缓冲放大器6的动作进行说明。图16是表示传感器像素读出电路41的内部结构的电路图。图17是表示读出信号VRWS、传感器输出VSOUT、和传感器像素读出电路的输出VS之间关系的波形图。如上所述，读出信号变成高电平VRWS.H时，晶体管M2导通，由此通过晶体管M2、M3形成源极跟随放大器，将传感器输出VSOUT存储在传感器像素读出电路41的采样电容CSAM中。由此，如图17所示，读出信号变成低电平VRWS.L后，在该行的选择期间(trow)中，从传感器像素读出电路41至传感器列放大器42的输出电压VS保持与传感器输出VSOUT的峰值相等的电平。
接着，参照图18对传感器列放大器42的动作进行说明。如图18所示，从传感器像素读出电路41向传感器列放大器42的N个列放大器输入各列的输出电压VSj(j＝1～N)。如图18所示，各列放大器由晶体管M6、和M7构成。在1个行选择期间(trow)中，由传感器列扫描电路43生成的列选择信号CSj对N列的每列依次变成导通，由此传感器列放大器42中的N个列放大器中的任一个且仅一个的晶体管M6变成导通，通过该晶体管M6将仅各列的输出电压VSj(j＝1～N)的任一个作为来自传感器列放大器42的输出VCOUT输出。缓冲放大器6进一步放大从传感器列放大器42输出的VCOUT，作为面板输出(光传感器信号)Vout输出至信号处理电路8。
另外，也可以使传感器列扫描电路43如上述那样逐列地扫描光传感器的列，但并不限定于此，也可以是隔行扫描光传感器的列的结构。此外，传感器列扫描电路43也可以形成为例如4相等多相驱动扫描电路。
根据以上的结构，本实施方式的显示装置得到与像素区域1中在每个像素中形成的光电二极管D1的受光量对应的面板输出VOUT。面板输出VOUT被传送至信号处理电路8进行A/D变换，作为面板输出数据存储在存储器(未图示)中。即，在该存储器中存储与像素区域1的像素数(光传感器数)相同数目的面板输出数据。在信号处理电路8，使用存储在存储器中的面板输出数据进行图像获取或触摸区域的检测等各种信号处理。另外，在本实施方式中，虽然在信号处理电路8的存储器中存储与像素区域1的像素数(光传感器数)相同数目的面板输出数据，但是受存储器电容等的制约，未必需要存储与像素数相同数目的面板输出数据。
如上所述，通过使电容器C1的偏置电位变化，本实施方式的光传感器能够使电容器C1的电容可变。由此，能够使光传感器的动态范围的大小动态地变化。
以上对本发明的一个实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的具体例，而能够在发明的范围内进行各种变更。
例如，在上述实施方式中举例表示了下述结构，即与光传感器连接的配线VDD和OUT与源极配线COL共用。该结构具有像素开口率高的优点。然而，如图19所示，即使是光传感器用的配线VDD和OUT与源极配线COL分开设置的结构，也能够得到与上述实施方式同样的效果。
[第二实施方式]
以下参照附图说明本发明的另一个实施方式。另外，具有与第一实施方式中所说明的结构同样的功能的结构，使用与第一实施方式相同的参照符号并省略其详细说明。
第一实施方式是在光传感器内包括1个开关元件的结构，而第二实施方式如图20所示，与第一实施方式不同点在于在光传感器内包括3个开关元件。
如图20所示，本实施方式的光传感器由作为光检测元件的光电二极管D1、电容器C1、和晶体管M4～M6构成。光电二极管D1的阳极与配线VSS连接。光电二极管D1的阴极与电容器C1的一个电极(硅层12)、晶体管M4的漏极、晶体管M5的栅极连接。晶体管M4的源极与配线VDD连接，栅极与供给复位信号的配线RST连接。电容器C1的另一个电极(GE金属11)与供给用于切换低电容模式和高电容模式的模式信号的配线MODE连接。晶体管M6的栅极与供给读出信号的配线RWS连接。晶体管M6的源极与晶体管M2的漏极、晶体管M6的漏极与光传感器输出用的配线SOUT连接。配线RST、RWS与传感器行驱动器5连接。
在该结构中，配线MODE，在切换至低电容模式的情况下，在积分期间与配线VDD连接，在切换至高电容模式的情况下，在积分期间与配线VSS连接。在配线MODE与配线VDD连接的情况下，电容器C1的偏置电位VCAP大于阈电位VT，电容器C1的电容变小，动态范围扩大。另一方面，在配线MODE与配线VSS连接的情况下，电容器C1的偏置电位VCAP小于阈电位VT，电容器C1的电容增大，动态范围变窄。
如以上所述，根据第二实施方式，通过使电容器C1的偏置电位变化，也能够使电容器C1的电容可变，从而能够使光传感器的动态范围动态地变化。
产业上利用的可能性
本发明作为具有光传感器的显示装置，能够在产业上应用。

Claims (11)

1.一种显示装置，其包括有源矩阵基板，其特征在于，包括：
设置于所述有源矩阵基板的光传感器；
与所述光传感器连接的传感器驱动配线；
通过所述传感器驱动配线向所述光传感器供给传感器驱动信号的传感器驱动电路；
根据所述传感器驱动信号放大从所述光传感器读出的传感器输出，并将其作为光传感器信号输出的放大电路；和
对从所述放大电路输出的光传感器信号进行处理的信号处理电路，
所述光传感器包括光电二极管、与所述光电二极管连接的电容器、和至少一个开关元件，
所述传感器驱动配线至少包括向所述光传感器供给复位信号的复位信号配线和向所述电容器供给读出信号的读出信号配线，
所述传感器驱动电路，使所述复位信号导通并经过规定时间后使所述读出信号导通，由此向所述信号处理电路输出与所述规定时间内的光传感器的受光量对应的光传感器信号，
所述传感器驱动电路通过使所述电容器的偏置电压变化，使得该电容器的电容可变。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述传感器驱动电路通过使所述电容器的偏置电压变化，使得在从被供给所述复位信号起至经过所述规定时间为止的至少一部分期间中该电容器的电容降低。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述电容器包括金属层、和具有半导体结的硅层，
所述传感器驱动电路，在从被供给所述复位信号起至经过所述规定时间为止的至少一部分期间中，使所述电容器的偏置电压小于所述半导体结的阈值电压。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于：
所述电容器包括金属层、和在与该金属层之间构成肖特基结的硅层，
所述传感器驱动电路，在从被供给所述复位信号起至经过所述规定时间为止的至少一部分期间中，使所述电容器的偏置电压小于所述肖特基结的阈值电压。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述光传感器设置在所述有源矩阵基板的像素区域内，
所述光传感器包括1个所述开关元件，
所述光传感器的光电二极管的阴极与所述电容器的一个电极以及所述开关元件连接，该光电二极管的阳极与所述复位信号配线连接，
所述读出信号配线与所述电容器的另一个电极连接。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于：
所述读出信号的低电平的电位，在从被供给所述复位信号起至经过所述规定时间为止的至少一部分期间中，低于所述复位信号的低电平的电位。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述复位信号的高电平的电位比所述期间以外的复位信号的低电平的电位高ΔVRST·CPD/CT。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述复位信号变成导通时，所述读出信号的电位是比该读出信号的低电平高的电位。
9.根据权利要求1～8中任一项所述的显示装置，其特征在于：
在所述电容器的背面具备遮光层。
10.根据权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述光传感器设置在所述有源矩阵基板的像素区域内，
所述光传感器包括第一开关元件、第二开关元件和第三开关元件，
所述光传感器的光电二极管的阴极与所述电容器的一个电极、第一开关元件的漏极、和第二开关元件的栅极连接，该光电二极管的阳极保持在第一参考电位，
所述第一开关元件的源极与所述第二开关元件的源极保持在第二参考电位，
所述第二开关元件的漏极与所述第三开关元件的源极连接，
所述第三开关元件的栅极与所述读出信号配线连接，
所述电容器的另一个电极与切换光传感器的动态范围的模式信号的供给线连接。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：
所述模式信号的供给线，在从被供给所述复位信号起至经过所述规定时间为止的至少一部分期间中，与所述第二参考电位连接，
在所述期间以外，所述模式信号的供给线与所述第一参考电位连接。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107479281A (zh) * 2017-08-29 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、像素结构和显示面板
CN110226194A (zh) * 2018-05-31 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板和显示设备的方法
CN112926402A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 厦门天马微电子有限公司 一种主动式像素电路、驱动方法及显示面板
TWI737424B (zh) * 2020-07-29 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN114067753A (zh) * 2020-07-30 2022-02-18 乐金显示有限公司 显示装置和包括其的移动终端装置

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2011139956A (ru) 2009-03-02 2013-04-10 Шарп Кабусики Кайся Устройство отображения
US8624875B2 (en) * 2009-08-24 2014-01-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for driving touch panel
JP5448258B2 (ja) * 2009-08-24 2014-03-19 株式会社半導体エネルギー研究所 フォトセンサ
KR101022118B1 (ko) 2009-09-02 2011-03-17 삼성모바일디스플레이주식회사 광 감지회로 및 그 구동방법과 이를 구비한 터치 스크린 패널
US9335854B2 (en) 2009-09-30 2016-05-10 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2011040094A1 (ja) * 2009-09-30 2011-04-07 シャープ株式会社 表示装置
GB2475055A (en) * 2009-11-03 2011-05-11 Sharp Kk Touch sensor circuits with pre-charging input
TWI507934B (zh) * 2009-11-20 2015-11-11 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
JP5866089B2 (ja) * 2009-11-20 2016-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
GB0920750D0 (en) 2009-11-26 2010-01-13 Isis Innovation High dynamic range pixel
WO2011065558A1 (ja) * 2009-11-30 2011-06-03 シャープ株式会社 表示装置
KR101889382B1 (ko) 2010-01-20 2018-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기 및 전자 시스템
JPWO2011145682A1 (ja) * 2010-05-20 2013-07-22 シャープ株式会社 表示装置
KR101874034B1 (ko) 2012-02-10 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 광 센서, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 구동 방법
US20150103973A1 (en) * 2013-10-11 2015-04-16 General Electric Company X-ray system with multiple dynamic range selections
US9774802B2 (en) 2014-11-10 2017-09-26 Raytheon Company Method and apparatus for increasing pixel sensitivity and dynamic range
WO2020090784A1 (ja) * 2018-10-30 2020-05-07 パイオニア株式会社 電磁波検出装置及び電磁波検出システム

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3560809A (en) * 1968-03-04 1971-02-02 Hitachi Ltd Variable capacitance rectifying junction diode
JPH01196165A (ja) * 1988-02-01 1989-08-07 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置
JPH05276442A (ja) * 1992-03-30 1993-10-22 Hamamatsu Photonics Kk 残像積分固体撮像デバイス
JP3560298B2 (ja) * 1996-03-27 2004-09-02 キヤノン株式会社 光電変換装置とその駆動方法及びそれを有するシステム
US5841180A (en) * 1996-03-27 1998-11-24 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, method of driving photoelectric conversion device, and system having the device
US6512544B1 (en) * 1998-06-17 2003-01-28 Foveon, Inc. Storage pixel sensor and array with compression
US6999122B1 (en) * 1999-07-22 2006-02-14 Minolta Co., Ltd. Solid-state logarithmic image sensing device
EP1265291A1 (fr) * 2001-06-08 2002-12-11 EM Microelectronic-Marin SA Capteur d'image CMOS et procédé permettant d'opérer un capteur d'image CMOS avec une dynamique accrue
US7224389B2 (en) * 2001-07-16 2007-05-29 Cypress Semiconductor Corporation (Belgium) Bvba Method to adjust the signal level of an active pixel and corresponding active pixel
JP4737956B2 (ja) 2003-08-25 2011-08-03 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置および光電変換素子
KR100669270B1 (ko) * 2003-08-25 2007-01-16 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 표시 장치 및 광전 변환 소자
US7612818B2 (en) 2004-03-29 2009-11-03 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Input sensor containing display device and method for driving the same
JP4127243B2 (ja) * 2004-05-24 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 光センサ、光センサの読取方法、マトリクス型光センサ回路および電子機器
KR101097920B1 (ko) * 2004-12-10 2011-12-23 삼성전자주식회사 광 센서와, 이를 구비한 표시 패널 및 표시 장치
US7718459B2 (en) 2005-04-15 2010-05-18 Aptina Imaging Corporation Dual conversion gain pixel using Schottky and ohmic contacts to the floating diffusion region and methods of fabrication and operation
JPWO2006129428A1 (ja) * 2005-05-31 2008-12-25 シャープ株式会社 フォトダイオード及び表示装置
JP2007018458A (ja) * 2005-07-11 2007-01-25 Sony Corp 表示装置、センサ信号の補正方法並びに撮像装置
JP2007114315A (ja) * 2005-10-18 2007-05-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置
JP4834482B2 (ja) * 2006-07-24 2011-12-14 東芝モバイルディスプレイ株式会社 表示装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107479281A (zh) * 2017-08-29 2017-12-15 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、像素结构和显示面板
CN107479281B (zh) * 2017-08-29 2020-05-22 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、像素结构和显示面板
CN110226194A (zh) * 2018-05-31 2019-09-10 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板和显示设备的方法
WO2019227385A1 (en) * 2018-05-31 2019-12-05 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, display substrate, and method of fabricating display panel and display apparatus
CN110226194B (zh) * 2018-05-31 2021-10-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板和显示设备的方法
US11251249B2 (en) 2018-05-31 2022-02-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel, display apparatus, display substrate, and method of fabricating display panel and display apparatus
TWI737424B (zh) * 2020-07-29 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN114067753A (zh) * 2020-07-30 2022-02-18 乐金显示有限公司 显示装置和包括其的移动终端装置
CN112926402A (zh) * 2021-01-29 2021-06-08 厦门天马微电子有限公司 一种主动式像素电路、驱动方法及显示面板

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