CN110226194B - 显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板和显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种具有多个子像素的显示面板。所述显示面板包括：阵列基板，其具有多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动显示面板发光；对置基板，其面对阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；以及光学补偿器件，用于将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。光学补偿器件包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。

Description

显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板和显示设备的 方法
技术领域
本发明涉及显示技术，更具体地，涉及显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板的方法、以及制造显示设备的方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。
发明内容
一方面，本发明提供了具有多个子像素的显示面板，包括：阵列基板，其包括多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动显示面板发光；对置基板，其面对阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；以及光学补偿器件，用于将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值；其中，光学补偿器件包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。
可选地，对置基板包括：基底基板；多个第二薄膜晶体管，其位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；和多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中，所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值；其中，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个。
可选地，所述显示面板还包括：多条读取线，用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号；和补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
可选地，所述显示面板还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，所述多个光电传感器中的每一个包括：第一极性区域，其与公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接第一极性区域和第二极性区域；并且所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
可选地，公共电极是遍及对置基板延伸的整体电极块；并且整体电极块与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接；其中，所述显示面板还包括公共电压信号线，其连接至整体电极块并且构造为向整体电极块提供公共电压信号。
可选地，所述显示面板还包括黑矩阵；其中，所述黑矩阵包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着第二方向；并且整体电极块在基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述公共电极包括多个公共电极块；并且所述多个公共电极块中的每一个与所述多个光电传感器中的一个的第一极性区域电连接；其中，所述显示面板还包括多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供公共电压信号。
可选地，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向。
可选地，对置基板还包括多个彩膜块；所述多个光电传感器分别位于所述多个彩膜块和基底基板之间；并且所述多个光电传感器中的每单独一个在基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述显示面板还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，公共电极在基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在基底基板上的正投影部分地重叠；并且公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
可选地，所述多个第二薄膜晶体管是多个底栅背沟道刻蚀型薄膜晶体管(bottomgate，back channel etch-type thin film transistor)；所述多个第二薄膜晶体管中的每一个还包括有源层、阻挡层和栅绝缘层；有源层位于栅极的远离基底基板的一侧；阻挡层位于有源层的远离栅极的一侧，阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成；并且，源极和漏极位于有源层的远离基底基板的一侧。
可选地，公共电极是实质上透明的电极。
可选地，对置基板还包括：覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离基底基板的一侧；和间隔层，其位于覆盖层的远离基底基板的一侧。
可选地，所述显示面板还包括位于间隔层的远离基底基板的一侧的辅助阴极。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个是PN光电二极管，第一极性区域是P+掺杂半导体区域，第二极性区域是N+掺杂半导体区域。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个是PIN光电二极管，第一极性区域是P+掺杂半导体区域，第二极性区域是N+掺杂半导体区域，PIN光电二极管还包括P+掺杂半导体区域与N+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
可选地，所述显示面板是有机发光二极管显示面板，其包括：多个有机发光二极管；和所述多个实际发光亮度值检测器，其构造为分别检测所述多个有机发光二极管的实际发光亮度值。
另一方面，本发明提供了一种显示设备，包括：本文所述的显示面板；和补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的实际发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
另一方面，本发明提供了一种具有多个子像素区域的显示基板，其包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在显示基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。
可选地，显示基板还包括：基底基板；多个第二薄膜晶体管，其位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；和多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中，所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值；其中，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个。
可选地，所述显示基板还包括：多条读取线，用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号。
可选地，所述显示基板还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，所述多个光电传感器中的每一个包括：第一极性区域，其与公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接第一极性区域和第二极性区域；并且所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
可选地，公共电极是遍及显示基板延伸的整体电极块；并且整体电极块与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接；其中，所述显示基板还包括公共电压信号线，其连接至整体电极块并且构造为向整体电极块提供公共电压信号。
可选地，所述显示基板还包括黑矩阵；其中，所述黑矩阵包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着第二方向；并且整体电极块在基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述公共电极包括多个公共电极块；并且所述多个公共电极块中的每一个与所述多个光电传感器中的一个的第一极性区域电连接；其中，所述显示基板还包括多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供公共电压信号。
可选地，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向。
可选地，所述显示基板还包括多个彩膜块；所述多个光电传感器分别位于所述多个彩膜块和基底基板之间；并且所述多个光电传感器中的每单独一个在基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述显示基板还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，公共电极在基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在基底基板上的正投影部分地重叠；并且公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
可选地，所述多个第二薄膜晶体管是多个底栅背沟道刻蚀型薄膜晶体管；所述多个第二薄膜晶体管中的每一个还包括有源层、阻挡层和栅绝缘层；有源层位于栅极的远离基底基板的一侧；阻挡层位于有源层的远离栅极的一侧，阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成；并且，源极和漏极位于有源层的远离基底基板的一侧。
可选地，公共电极是实质上透明的电极。
可选地，所述显示基板还包括：覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离基底基板的一侧；和间隔层，其位于覆盖层的远离基底基板的一侧。
可选地，所述显示基板还包括位于间隔层的远离基底基板的一侧的辅助阴极。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个是PN光电二极管，第一极性区域是P+掺杂半导体区域，第二极性区域是N+掺杂半导体区域。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个是PIN光电二极管，第一极性区域是P+掺杂半导体区域，第二极性区域是N+掺杂半导体区域，PIN光电二极管还包括P+掺杂半导体区域与N+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
可选地，所述显示基板是对置基板。
另一方面，本发明提供了制造具有多个子像素的显示面板的方法，包括：形成阵列基板，其包括多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动显示面板发光；形成对置基板，其面对阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；以及形成光学补偿器件，用于将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值；其中，形成光学补偿器件包括：形成多个实际发光亮度值检测器，其集成在对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。
可选地，形成对置基板还包括：形成多个第二薄膜晶体管，其位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；和形成多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中，所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值；其中，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个形成为包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个。
可选地，所述方法还包括：形成多条读取线，用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号；和形成补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
可选地，所述方法还包括形成公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，所述多个光电传感器中的每一个形成为包括：第一极性区域，其与公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接第一极性区域和第二极性区域；并且所述多个第二薄膜晶体管中的每一个形成为包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
可选地，形成公共电极包括形成遍及对置基板延伸的整体电极块；并且整体电极块形成为与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接；其中，所述方法还包括：形成公共电压信号线，其连接至整体电极块并且构造为向整体电极块提供公共电压信号。
可选地，所述方法还包括：形成黑矩阵；其中，所述黑矩阵形成为包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着第二方向；并且公共电极和黑矩阵形成为使得整体电极块在基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，形成公共电极包括形成多个公共电极块；并且所述多个公共电极块中的每一个形成为与所述多个光电传感器中的一个的第一极性区域电连接；其中，所述方法还包括：形成多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供公共电压信号。
可选地，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向形成。
可选地，形成对置基板还包括形成多个彩膜块；所述多个光电传感器分别形成于所述多个彩膜块和基底基板之间；并且所述多个光电传感器和所述多个彩膜块形成为使得所述多个光电传感器中的每单独一个在基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
可选地，所述方法还包括形成公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；其中，公共电极和所述多个光电传感器形成为使得公共电极在基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在基底基板上的正投影部分地重叠；并且公共电极、所述多个光电传感器和所述多个彩膜块形成为使得公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
可选地，所述多个第二薄膜晶体管形成为多个底栅背沟道刻蚀型薄膜晶体管；所述多个第二薄膜晶体管中的每一个形成为还包括有源层、阻挡层和栅绝缘层；有源层形成于栅极的远离基底基板的一侧；阻挡层形成于有源层的远离栅极的一侧，阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成；并且，源极和漏极形成于有源层的远离基底基板的一侧。
可选地，公共电极由实质上透明的电极材料制成。
可选地，形成对置基板还包括：形成覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离基底基板的一侧；和形成间隔层，其位于覆盖层的远离基底基板的一侧。
可选地，所述方法还包括：在间隔层的远离基底基板的一侧形成辅助阴极。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个形成为PN光电二极管，第一极性区域是P+掺杂半导体区域，第二极性区域是N+掺杂半导体区域。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个形成为PIN光电二极管，第一极性区域是P+掺杂半导体区域，第二极性区域是N+掺杂半导体区域，PIN光电二极管还包括P+掺杂半导体区域与N+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
可选地，显示面板为有机发光二极管显示面板；所述方法还包括：形成多个有机发光二极管；并且所述多个实际发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管的实际发光亮度值。
另一方面，本发明提供了一种制造显示设备的方法，包括：根据本文所述的方法形成显示面板；和形成补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的实际发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
附图说明
以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的实际发光亮度值检测器的电路图。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的光电传感器的结构的示意图。
图4是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。
图5是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的透视平面图。
图6是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的透视平面图。
图7是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。
图8是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的透视平面图。
图9是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。
图10是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。
图11是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。
图12是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的透视平面图。
图13A至图13F示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的过程。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。
在有机发光二极管显示设备中，发光强度受到许多因素影响。例如，阈值电压的漂移、驱动电流的变化、以及薄膜晶体管的迁移率的改变可以影响显示的亮度。可以通过内部补偿方法或外部补偿方法来实现有机发光二极管显示设备中的发光补偿。这些补偿方法可以至少部分地解决与阈值电压的漂移、驱动电流的变化、以及薄膜晶体管的迁移率的改变相关的问题。然而，这些补偿方法无法补偿由于有机发光二极管的发光效率的降低而导致的显示问题。
因此，本公开特别提供了显示面板、显示设备、显示基板、制造显示面板的方法、以及制造显示设备的方法，其实质上消除了由于现有技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。在一方面，本公开提供了一种具有多个子像素的显示面板。在一些实施例中，所述显示面板包括：阵列基板，其具有多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动显示面板发光；对置基板，其面对阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；以及光学补偿器件，用于将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。可选地，光学补偿器件包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。
图1是示出根据本公开的一些实施例中的显示面板的结构的示意图。参照图1，在一些实施例中，所述显示面板具有多个子像素Sp。所述显示面板包括阵列基板1和面对阵列基板1的对置基板2。对置基板2具有位于显示面板的所述多个子像素Sp中的多个子像素区域Spa。阵列基板1包括多个第一薄膜晶体管T1的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素Sp中，用于驱动显示面板发光。所述显示面板还包括光学补偿器件3，用于将所述多个子像素区域Spa的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。光学补偿器件3包括：多个实际发光亮度值检测器BD，其集成在对置基板2中并且分别位于所述多个子像素区域Spa中。
可选地，所述多个子像素区域Spa的每个子像素区域包括所述多个实际发光亮度值检测器BD中的一个。可选地，不是每个子像素区域都包括所述多个实际发光亮度值检测器BD中的一个，而是若干个子像素区域中仅有一个子像素区域包括位于所述多个子像素区域Spa中的一个中的所述多个实际发光亮度值检测器BD中的一个。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的实际发光亮度值检测器的电路图。参照图1和图2，所述多个实际发光亮度值检测器BD中的每一个包括相互电连接的、多个第二薄膜晶体管T2中的一个和多个光电传感器P中的一个。所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个的源极电连接至所述多个光电传感器P中的所述一个。所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个的漏极电连接至多条读取线R中的一条，该一条读取线R进而连接至补偿电路C。
在制作和使用当前显示面板时可以利用各种适当的具有二极管结的光电传感器。具有二极管结的光电传感器的示例包括但不限于：PN光电二极管、PIN光电二极管、雪崩光电二极管、MIM二极管结、MIS二极管结、MOS二极管结、SIS二极管结、以及MS二极管结。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的光电传感器的结构的示意图。参照图3，在一些实施例中，所述多个光电传感器P中的每一个包括：第一极性区域PR1，其与公共电极COM连接；第二极性区域PR2，其与所述多个第二薄膜晶体管T2中的一个的源极S连接；以及二极管结J，其连接第一极性区域PR1和第二极性区域PR2。如本文所用，术语二极管结指的是能够呈现电流整流的结，例如，呈现出在一个偏置方向的导电性相对于在另一个偏置方向的导电性大大不同的结。
可选地，具有二极管结的光电传感器包括具有第一掺杂物的第一极性区域、具有第二掺杂物的第二极性区域、以及连接第一极性区域和第二极性区域的二极管结。可选地，具有二极管结的光电传感器在第一极性区域连接至低电压且第二极性区域连接至高电压时反向偏置。例如，具有二极管结的光电传感器在第一极性区域连接至公共电极(低电压，例如，-5V至0V)时处于反向偏置状态。在一些实施例中，具有二极管结的光电传感器是PN光电二极管，该PN光电二极管具有作为第一极性区域的P+掺杂半导体区域和作为第二极性区域的N+掺杂半导体区域。在一些实施例中，具有二极管结的光电传感器是PIN光电二极管，该PIN光电二极管具有作为第一极性区域的P+掺杂半导体区域、作为第二极性区域的N+掺杂半导体区域、以及位于P+半导体区域和N+半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
图4是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。参照图4，在一些实施例中，对置基板包括：基底基板BS；多个第二薄膜晶体管T2，其位于基底基板BS上并且分别位于所述多个子像素区域Spa中；以及多个光电传感器P，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管T2并且分别位于所述多个子像素区域Spa中。可选地，所述多个光电传感器P构造为分别检测所述多个子像素区域Spa的实际发光亮度值。
可选地，参照图4，所述多个第二薄膜晶体管T2是多个底栅型薄膜晶体管。可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2中的每一个包括：栅极G，其位于基底基板BS上；栅绝缘层GI，其位于栅极G的远离基底基板BS的一侧；有源层ACT，其位于栅绝缘层GI的远离栅极G的一侧；源极S和漏极D，其位于有源层ACT的远离基底基板BS的一侧。
可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2是多个顶栅型薄膜晶体管。可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2中的每一个包括：有源层ACT，其位于基底基板BS上；栅绝缘层GI，其位于有源层ACT的远离基底基板BS的一侧；栅极G，其位于栅绝缘层GI的远离有源层ACT的一侧；源极S和漏极D，其位于栅极G的远离基底基板BS的一侧并且通过贯穿栅绝缘层GI的过孔连接至有源层ACT。
可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2是多个背沟道刻蚀型薄膜晶体管。可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2中的每一个还包括：阻挡层，其位于有源层的远离栅极的一侧，阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成。
可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2是多个刻蚀阻挡层型薄膜晶体管。可选地，所述多个第二薄膜晶体管T2中的每一个还包括：刻蚀阻挡层，其位于有源层的远离栅极的一侧。
再次参照图4，所述对置基板还包括：公共电极COM，其构造为被提供有公共电压信号。例如，公共电压信号可以为低电压信号，其将所述多个光电传感器P中的所述一个设置为反向偏置状态。可选地，公共电压信号的电压电平在约-10V至0V的范围内，例如，在约-5V至0V的范围内。参照图2至图4，当所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个关断时，所述多个光电传感器P中的与所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个相连接的所述一个光电传感器P中产生的光电子使得第一极性区域PR1和第二极性区域PR2之间的电压电平降低。不同的光电传感器所产生的不同数量的光电子使得电压电平降低的程度不同。当所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个再次导通时，第二极性区域PR2处的剩余电压产生光电流，该光电流通过所述多条读取线R中的一条传输至补偿电路C。基于该光电流，可以确定与所述多个子像素区域Spa中的所述一个对应的实际发光亮度值，并将其与目标亮度值进行比较。补偿电路C构造为将所述多个子像素区域中的每一个的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
参照图2和图4，对置基板还包括多条读取线R，用于将由所述多个实际发光亮度值检测器BD检测到的信号分别传输至例如补偿电路C，该补偿电路C构造为将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。因此，在一些实施例中，具有本文所述的显示面板的显示设备还包括：补偿电路C，其连接至所述多条读取线R，并且构造为将所述多个子像素区域Spa的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
参照图3和图4，在一些实施例中，所述多个第二薄膜晶体管T2中的一个的源极S连接至所述多个光电传感器P中的一个的第二极性区域PR2，并且公共电极COM连接至所述多个光电传感器P中的一个的第一极性区域PR1。所述多个第二薄膜晶体管T2中的一个的漏极D连接至所述多条读取线R中的一条。
在一些实施例中，参照图4，公共电极COM是遍及对置基板延伸的整体电极块。该整体电极块与所述多个光电传感器P的第一极性区域共同地连接。可选地，所述显示面板还包括公共电压信号线，其连接至所述整体电极块并且构造为向所述整体电极块提供公共电压信号。可选地，公共电压信号线布置在对置基板的外围区域。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：黑矩阵BM。图5是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的透视平面图。参照图4和图5，所述整体电极块在基底基板BS上的正投影与黑矩阵BM在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。此外，所述整体电极块在基底基板BS上的正投影还与所述多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影部分地重叠。可选地，所述整体电极块在基底基板BS上的正投影实质上覆盖所述多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影。
在一些实施例中，所述显示面板还包括：钝化层PVX，其位于源极S和漏极D的远离基底基板BS的一侧。
图6是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的透视平面图。图7是根据本公开的一些实施例中的显示面板的截面图。参照图4至图7，在一些实施例中，所述对置基板还包括多个彩膜块CF(例如，红色彩膜块Rb、绿色彩膜块Gb和蓝色彩膜块Bb)。可选地，所述多个光电传感器P分别位于所述多个彩膜块CF和基底基板BS之间。可选地，多个彩膜块CF中的一个在基底基板BS上的正投影与多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠(例如，至少50％重叠、至少60％重叠、至少70％重叠、至少80％重叠、至少90％重叠、至少95％重叠、以及至少99％重叠)。可选地，多个彩膜块CF中的一个在基底基板BS上的正投影实质上覆盖多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影。
通过使所述多个光电传感器P分别位于所述多个彩膜块CF和基底基板BS之间(例如，通过使所述多个光电传感器P中的每单独一个在基底基板BS上的正投影与所述多个彩膜块CF中的相应的一个在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠)，所述多个光电传感器P所感测到的光的亮度值可以良好地表示实际发光亮度值。
参照图6，在一些实施例中，黑矩阵包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列。如图6所示，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着不同于第一方向的第二方向。图8是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的透视平面图。参照图8，在一些实施例中，公共电极COM(其形成为整体电极块)在基底基板BS上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠(例如，至少50％重叠、至少60％重叠、至少70％重叠、至少80％重叠、至少90％重叠、至少95％重叠、以及至少99％重叠)，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。公共电极COM形成网格，并且具有与黑矩阵BM的形状相类似的形状，不同之处在于公共电极COM具有多个额外部分，所述多个额外部分分别至少部分地覆盖(例如，实质上覆盖)所述多个光电传感器P。
图9是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。参照图9，在一些实施例中，所述多个光电传感器P不位于所述多个彩膜块CF和所述基底基板BS之间，例如，所述多个光电传感器P在基底基板BS上的正投影与所述多个彩膜块CF在基底基板BS上的正投影实质上不重叠。由所述多个光电传感器P感测到的光未被过滤。可选地，由所述多个光电传感器P感测到的光的亮度值可以通过转换算法而转换为实际发光亮度值。通过这种设计，所述显示面板可以具有更高的开口率。
图10是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。参照图10，在一些实施例中，所述多个光电传感器P中的每一个位于黑矩阵BM的远离基底基板BS的一侧。所述多个光电传感器P在基底基板BS上的正投影与所述多个彩膜块CF在基底基板BS上的正投影实质上不重叠。
图11是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的截面图。图12是根据本公开的一些实施例中的显示面板中的对置基板的子像素区域的透视平面图。参照图11和图12，公共电极COM不是整体电极块，而是包括多个公共电极块。参照图3、图11和图12，所述多个公共电极块中的每一个电连接至所述多个光电传感器P中的一个的第一极性区域PR1。如图11和图12所示，所述显示面板还包括多条公共电压信号线CVS，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供公共电压信号。可选地，参照图12，所述多条公共电压信号线CVS和所述多条读取线R实质上沿着相同方向。通过设置用于分别向所述多个公共电极块提供公共电压信号的所述多条公共电压信号线CVS，可以避免电阻压降(IR drop)的问题。可选地，黑矩阵BM在基底基板BS上的正投影实质上覆盖所述多条公共电压信号线CVS在基底基板BS上的正投影。
参照图4和图11，在一些实施例中，公共电极COM在基底基板BS上的正投影与所述多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影部分地重叠，并且公共电极COM的一部分位于所述多个彩膜块CF中的一个和所述多个光电传感器P中的一个之间，所述多个彩膜块CF中的所述一个和所述多个光电传感器P中的所述一个位于所述多个子像素区域Spa中的同一个中。
可选地，公共电极COM是实质上透明的电极。如本文使用的，术语“实质上透明”意即从其透过至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、以及至少95％)的在可见波长范围中的光。
参照图4、图9和图11，在一些实施例中，所述对置基板还包括：覆盖层OC，其位于所述多个第二薄膜晶体管T2和所述多个光电传感器P的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，所述对置基板还包括：间隔层PS，其位于覆盖层OC的远离基底基板BS的一侧。可选地，所述对置基板还包括：辅助阴极AUX，其位于间隔层PS的远离基底基板BS的一侧。
可选地，所述显示面板是具有多个有机发光二极管的有机发光二极管显示面板。可选地，所述多个实际发光亮度值检测器BD构造为分别检测所述多个有机发光二极管的实际发光亮度值。
可选地，所述显示面板是具有多个量子点发光二极管的量子点发光二极管显示面板。可选地，所述多个实际发光亮度值检测器BD构造为分别检测所述多个量子点发光二极管的实际发光亮度值。
可选地，所述显示面板是具有多个微发光二极管的微发光二极管显示面板。可选地，所述多个实际发光亮度值检测器BD构造为分别检测所述多个微发光二极管的实际发光亮度值。
在另一方面，本公开提供了一种具有多个子像素区域的显示基板(例如，对置基板)。在一些实施例中，所述显示基板包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在所述显示基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。参照图4，在一些实施例中，所述显示基板包括：基底基板BS；多个第二薄膜晶体管T2，其位于基底基板BS上并且分别位于所述多个子像素区域Spa中；以及多个光电传感器P，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管T2并且分别位于所述多个子像素区域Spa中。可选地，所述多个光电传感器P构造为分别检测所述多个子像素区域Spa的实际发光亮度值。参照图1和图2，所述多个实际发光亮度值检测器BD中的每一个包括相互电连接的、多个第二薄膜晶体管T2中的一个和多个光电传感器P中的一个。所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个的源极电连接至所述多个光电传感器P中的所述一个。所述多个第二薄膜晶体管T2中的所述一个的漏极电连接至多条读取线R中的一条。多个光电传感器P中的一个的一端被构造为被提供一公共电压Vo。参照图3，在一些实施例中，所述多个光电传感器P中的每一个包括：第一极性区域PR1，其与公共电极COM连接；第二极性区域PR2，其与所述多个第二薄膜晶体管T2中的一个的源极S连接；以及二极管结J，其连接第一极性区域PR1和第二极性区域PR2。如本文所用，术语二极管结指的是能够呈现电流整流的结，例如，呈现出在一个偏置方向的导电性相对于在另一个偏置方向的导电性大大不同的结。
参照图4，在一些实施例中，所述显示基板还包括：公共电极COM，其构造为被提供有公共电压信号；以及多条读取线R，其用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器BD检测到的信号。在一些实施例中，参照图3和图4，所述多个光电传感器P中的每一个包括：第一极性区域PR1，其与公共电极COM连接；第二极性区域PR2，其与所述多个第二薄膜晶体管T2中的一个的源极S连接；以及二极管结J，其连接第一极性区域PR1和第二极性区域PR2。可选地，参照图4，所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括：栅极G；源极S，其与所述多个光电传感器P中的一个的第二极性区域PR2连接；和漏极D，其与所述多条读取线R中的一条连接。
参照图3至图8，在一些实施例中，公共电极是遍及显示基板延伸的整体电极块。该整体电极块与所述多个光电传感器P的第一极性区域PR1电连接。所述显示基板还包括公共电压信号线，其连接至所述整体电极块并且构造为向所述整体电极块提供公共电压信号。
参照图4、图6和图8，在一些实施例中，所述显示基板还包括黑矩阵BM。参照图6，在一些实施例中，黑矩阵包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列。如图6所示，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着不同于第一方向的第二方向。参照图8，在一些实施例中，公共电极COM在基底基板BS上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。
参照图11和图12，在一些实施例中，公共电极COM包括多个公共电极块。参照图3、图11和图12，所述多个公共电极块中的每一个电连接至所述多个光电传感器P中的一个的第一极性区域PR1。如图11和图12所示，所述显示基板还包括多条公共电压信号线CVS，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供公共电压信号。可选地，所述多条公共电压信号线CVS和所述多条读取线R实质上沿着相同方向。
参照图4至图7，在一些实施例中，所述显示基板还包括多个彩膜块CF。可选地，所述多个光电传感器P分别位于所述多个彩膜块CF和基底基板BS之间。可选地，多个彩膜块CF中的一个在基底基板BS上的正投影与多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影至少部分地重叠。可选地，多个彩膜块CF中的一个在基底基板BS上的正投影实质上覆盖多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影。
参照图4和图11，在一些实施例中，公共电极COM在基底基板BS上的正投影与所述多个光电传感器P中的一个在基底基板BS上的正投影部分地重叠，并且公共电极COM的一部分位于所述多个彩膜块CF中的一个和所述多个光电传感器P中的一个之间，所述多个彩膜块CF中的所述一个和所述多个光电传感器P中的所述一个位于所述多个子像素区域Spa中的同一个中。
参照图4、图9和图11，在一些实施例中，所述显示基板还包括：覆盖层OC，其位于所述多个第二薄膜晶体管T2和所述多个光电传感器P的远离基底基板BS的一侧。在一些实施例中，所述显示基板还包括：间隔层PS，其位于覆盖层OC的远离基底基板BS的一侧。可选地，所述显示基板还包括：辅助阴极AUX，其位于间隔层PS的远离基底基板BS的一侧。
在一些实施例中，所述显示基板是对置基板。
在一些实施例中，所述显示基板是阵列基板。可选地，所述显示基板是有机发光二极管显示基板，其包括封装层，该封装层用于封装所述有机发光二极管显示基板。
在一些实施例中，所述显示基板是阵列基板。可选地，所述显示基板是包括彩膜的阵列基板(例如，阵列基板上彩膜型阵列基板(color-on-array type array substrate))。可选地，所述阵列基板中的彩膜包括多个彩膜块。所述多个光电传感器分别位于所述多个彩膜块和基底基板之间。可选地，所述多个光电传感器中的每单独一个在基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
在另一方面，本公开提供了一种制造具有多个子像素的显示面板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：形成阵列基板，其具有多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动显示面板发光；形成对置基板，其面对阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；以及形成光学补偿器件，其用于将所述多个子像素区域中的每一个的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。可选地，形成光学补偿器件包括：形成多个实际发光亮度值检测器，其集成在对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中。
在一些实施例中，形成对置基板的步骤包括：形成多个第二薄膜晶体管，其位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；以及形成多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中。所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值。可选地，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个形成为包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个。
在一些实施例中，所述方法还包括：形成公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；形成多条读取线，用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号；和形成补偿电路，其连接至所述多条读取线，并且构造为将所述多个子像素区域中的每一个的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
可选地，所述多个光电传感器中的每一个形成为包括：第一极性区域，其与公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接第一极性区域和第二极性区域。可选地，所述多个第二薄膜晶体管中的每一个形成为包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
在一些实施例中，形成公共电极的步骤包括形成遍及对置基板延伸的整体电极块。所述整体电极块形成为与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接。可选地，所述方法还包括：形成公共电压信号线，其连接至所述整体电极块并且构造为向整体电极块提供公共电压信号。
在一些实施例中，所述方法还包括形成黑矩阵。所述黑矩阵形成为包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着不同于第一方向的第二方向。可选地，公共电极和黑矩阵形成为使得整体电极块在基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，形成公共电极的步骤包括形成多个公共电极块。所述多个公共电极块中的每一个形成为与所述多个光电传感器中的一个的第一极性区域电连接。可选地，所述方法还包括：形成多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供公共电压信号。可选地，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向形成。
在一些实施例中，形成对置基板的步骤还包括形成多个彩膜块。所述多个光电传感器分别形成于所述多个彩膜块和基底基板之间。可选地，所述多个光电传感器和所述多个彩膜块形成为使得所述多个光电传感器中的每单独一个在基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在基底基板上的正投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，所述方法还包括：形成公共电极，其构造为被提供有公共电压信号。可选地，公共电极和所述多个光电传感器形成为使得公共电极在基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在基底基板上的正投影部分地重叠。可选地，公共电极、所述多个光电传感器和所述多个彩膜块形成为使得公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
在一些实施例中，形成对置基板的步骤还包括：形成覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离基底基板的一侧；和形成间隔层，其位于覆盖层的远离基底基板的一侧。可选地，形成对置基板的步骤还包括：在间隔层的远离基底基板的一侧形成辅助阴极。
可选地，所述显示面板为有机发光二极管显示面板。可选地，所述方法还包括形成多个有机发光二极管。所述多个实际发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管的实际发光亮度值。
图13A至图13F示出了根据本公开的一些实施例中的制造对置基板的过程。参照图13A，在基底基板BS上形成栅极G。参照图13B，在栅极G的远离基底基板BS的一侧形成栅绝缘层GI，并且在栅绝缘层GI的远离栅极G的一侧形成有源层ACT。
参照图13C，在有源层ACT的远离基底基板BS的一侧形成源极S和漏极D。在源极S和漏极D的远离基底基板BS的一侧形成钝化层PVX。此外，形成贯穿钝化层PVX的过孔，从而暴露出源极S的一部分。
参照图13D，在钝化层PVX的远离基底基板BS的一侧形成多个光电传感器P中的一个。所述多个光电传感器P中的所述一个通过贯穿钝化层PVX的过孔与源极S电连接。此外，在钝化层PVX的远离基底基板BS的一侧形成黑矩阵BM。在黑矩阵BM和所述多个光电传感器P中的所述一个的远离基底基板BS的一侧形成公共电极COM。
参照图13E，在公共电极COM的远离基底基板BS的一侧形成实质上覆盖公共电极COM的多个彩膜块CF。在所述多个彩膜块CF、黑矩阵BM和公共电极COM的远离基底基板BS的一侧形成覆盖层OC。
参照图13F，在覆盖层OC的远离基底基板BS的一侧形成间隔层PS，并且在间隔层PS的远离基底基板BS的一侧形成辅助阴极AUX。
在另一方面，本公开提供了一种制造显示设备的方法。在一些实施例中，所述方法包括：根据本文所述的方法形成显示面板；和形成补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的实际发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值。
出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (44)

1.一种显示面板，其具有多个子像素，所述显示面板包括：
阵列基板，其包括多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动所述显示面板发光；
对置基板，其面对所述阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；和
光学补偿器件，用于将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值；
其中，所述光学补偿器件包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在所述对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中；
所述对置基板包括：
基底基板；
多个第二薄膜晶体管，其位于所述基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；和
多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中，所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值；
其中，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个；
所述对置基板还包括：
多条读取线，用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号；和
所述对置基板还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；
其中，所述多个光电传感器中的每一个包括：第一极性区域，其与所述公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接所述第一极性区域和所述第二极性区域；并且
所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述公共电极是遍及所述对置基板延伸的整体电极块；并且
所述整体电极块与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接；
其中，所述显示面板还包括公共电压信号线，其连接至所述整体电极块并且构造为向所述整体电极块提供所述公共电压信号。
3.根据权利要求2所述的显示面板，还包括黑矩阵；
其中，所述黑矩阵包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着第二方向；并且
所述整体电极块在所述基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述公共电极包括多个公共电极块；并且
所述多个公共电极块中的每一个与所述多个光电传感器中的一个的第一极性区域电连接；
其中，所述显示面板还包括多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供所述公共电压信号。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述对置基板还包括多个彩膜块；
所述多个光电传感器分别位于所述多个彩膜块和所述基底基板之间；并且
所述多个光电传感器中的每单独一个在所述基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述公共电极在所述基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在所述基底基板上的正投影部分地重叠；并且
所述公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个第二薄膜晶体管是多个底栅背沟道刻蚀型薄膜晶体管；
所述多个第二薄膜晶体管中的每一个还包括有源层、阻挡层和栅绝缘层；
所述有源层位于所述栅极的远离所述基底基板的一侧；
所述阻挡层位于所述有源层的远离所述栅极的一侧，所述阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成；并且
所述源极和所述漏极位于所述有源层的远离所述基底基板的一侧。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述公共电极是实质上透明的电极。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述对置基板还包括：
覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离所述基底基板的一侧；和
间隔层，其位于所述覆盖层的远离所述基底基板的一侧。
11.根据权利要求10所述的显示面板，还包括位于所述间隔层的远离所述基底基板的一侧的辅助阴极。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个光电传感器中的每一个是PN光电二极管，所述第一极性区域是P+掺杂半导体区域，所述第二极性区域是N+掺杂半导体区域。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述多个光电传感器中的每一个是PIN光电二极管，所述第一极性区域是P+掺杂半导体区域，所述第二极性区域是N+掺杂半导体区域，所述PIN光电二极管还包括所述P+掺杂半导体区域与所述N+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的显示面板，其中，所述显示面板是包括多个有机发光二极管的有机发光二极管显示面板；并且
所述多个实际发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管的实际发光亮度值。
15.一种显示设备，包括：根据权利要求1至14中任一项所述的显示面板；和补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的所述实际发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的所述实际发光亮度值实时地调整至所述目标亮度值。
16.一种显示基板，其具有多个子像素区域，所述显示基板包括：多个实际发光亮度值检测器，其集成在所述显示基板中并且分别位于所述多个子像素区域中；
还包括：
基底基板；
多个第二薄膜晶体管，其位于所述基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；和
多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中，所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值；
其中，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个；
还包括：
多条读取线，用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号；
还包括：公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；
其中，所述多个光电传感器中的每一个包括：第一极性区域，其与所述公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接所述第一极性区域和所述第二极性区域；并且
所述多个第二薄膜晶体管中的每一个包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述公共电极是遍及所述显示基板延伸的整体电极块；并且
所述整体电极块与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接；
其中，所述显示基板还包括公共电压信号线，其连接至所述整体电极块并且构造为向所述整体电极块提供所述公共电压信号。
18.根据权利要求17所述的显示基板，还包括黑矩阵；
其中，所述黑矩阵包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着第二方向；并且
所述整体电极块在所述基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
19.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述公共电极包括多个公共电极块；并且
所述多个公共电极块中的每一个与所述多个光电传感器中的一个的第一极性区域电连接；
其中，所述显示基板还包括多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供所述公共电压信号。
20.根据权利要求19所述的显示基板，其中，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向。
21.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括多个彩膜块；
所述多个光电传感器分别位于所述多个彩膜块和所述基底基板之间；并且
所述多个光电传感器中的每单独一个在所述基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述公共电极在所述基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在所述基底基板上的正投影部分地重叠；并且
所述公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
23.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述多个第二薄膜晶体管是多个底栅背沟道刻蚀型薄膜晶体管；
所述多个第二薄膜晶体管中的每一个还包括有源层、阻挡层和栅绝缘层；
所述有源层位于所述栅极的远离所述基底基板的一侧；
所述阻挡层位于所述有源层的远离所述栅极的一侧，所述阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成；并且
所述源极和所述漏极位于所述有源层的远离所述基底基板的一侧。
24.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述公共电极是实质上透明的电极。
25.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括：
覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离所述基底基板的一侧；和
间隔层，其位于所述覆盖层的远离所述基底基板的一侧。
26.根据权利要求25所述的显示基板，还包括位于所述间隔层的远离所述基底基板的一侧的辅助阴极。
27.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述多个光电传感器中的每一个是PN光电二极管，所述第一极性区域是P+掺杂半导体区域，所述第二极性区域是N+掺杂半导体区域。
28.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述多个光电传感器中的每一个是PIN光电二极管，所述第一极性区域是P+掺杂半导体区域，所述第二极性区域是N+掺杂半导体区域，所述PIN光电二极管还包括所述P+掺杂半导体区域与所述N+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
29.根据权利要求16至28中任一项所述的显示基板，其中，所述显示基板是对置基板。
30.一种制造显示面板的方法，所述显示面板具有多个子像素，所述方法包括：
形成阵列基板，其包括多个第一薄膜晶体管的阵列，所述多个第一薄膜晶体管分别位于所述多个子像素中，用于驱动所述显示面板发光；
形成对置基板，其面对所述阵列基板并且具有分别位于所述多个子像素中的多个子像素区域；和
形成光学补偿器件，其用于将所述多个子像素区域的实际发光亮度值实时地调整至目标亮度值；
其中，形成所述光学补偿器件包括：形成多个实际发光亮度值检测器，其集成在所述对置基板中并且分别位于所述多个子像素区域中；
形成所述对置基板包括：
形成多个第二薄膜晶体管，其位于基底基板上并且分别位于所述多个子像素区域中；和
形成多个光电传感器，其分别连接至所述多个第二薄膜晶体管并且分别位于所述多个子像素区域中，所述多个光电传感器构造为分别检测所述多个子像素区域的实际发光亮度值；
其中，所述多个实际发光亮度值检测器中的每一个形成为包括相互电连接的、所述多个第二薄膜晶体管中的一个和所述多个光电传感器中的一个；
还包括：
形成多条读取线，其用于分别传输由所述多个实际发光亮度值检测器检测到的信号；
还包括：形成公共电极，其构造为被提供有公共电压信号；
其中，所述多个光电传感器中的每一个形成为包括：第一极性区域，其与所述公共电极连接；第二极性区域，其与所述多个第二薄膜晶体管中的一个的源极连接；以及二极管结，其连接所述第一极性区域和所述第二极性区域；并且
所述多个第二薄膜晶体管中的每一个形成为包括：栅极；源极，其与所述多个光电传感器中的一个的第二极性区域连接；和漏极，其与所述多条读取线中的一条连接。
31.根据权利要求30所述的方法，其中，形成所述公共电极包括形成遍及所述对置基板延伸的整体电极块；并且
所述整体电极块形成为与所述多个光电传感器的第一极性区域电连接；
其中，所述方法还包括：形成公共电压信号线，其连接至所述整体电极块并且构造为向所述整体电极块提供所述公共电压信号。
32.根据权利要求31所述的方法，还包括形成黑矩阵；
其中，所述黑矩阵形成为包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列，所述多个黑矩阵行实质上沿着第一方向，所述多个黑矩阵列实质上沿着第二方向；并且
所述公共电极和所述黑矩阵形成为使得所述整体电极块在所述基底基板上的正投影与所述多个黑矩阵行中的每一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠，并且与所述多个黑矩阵列中的每一个在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
33.根据权利要求30所述的方法，其中，形成所述公共电极包括形成多个公共电极块；并且
所述多个公共电极块中的每一个形成为与所述多个光电传感器中的一个的所述第一极性区域电连接；
其中，所述方法还包括：形成多条公共电压信号线，其分别连接至所述多个公共电极块并且构造为向所述多个公共电极块提供所述公共电压信号。
34.根据权利要求33所述的方法，其中，所述多条公共电压信号线和所述多条读取线实质上沿着相同方向形成。
35.根据权利要求30中任一项所述的方法，其中，形成所述对置基板还包括形成多个彩膜块；
所述多个光电传感器分别形成于所述多个彩膜块和所述基底基板之间；并且
所述多个光电传感器和所述多个彩膜块形成为使得所述多个光电传感器中的每单独一个在所述基底基板上的正投影与所述多个彩膜块中的相应的一个彩膜块在所述基底基板上的正投影至少部分地重叠。
36.根据权利要求35所述的方法，其中，所述公共电极和所述多个光电传感器形成为使得所述公共电极在所述基底基板上的正投影与所述多个光电传感器中的一个在所述基底基板上的正投影部分地重叠；并且
所述公共电极、所述多个光电传感器和所述多个彩膜块形成为使得所述公共电极的一部分位于所述多个彩膜块中的一个和所述多个光电传感器中的一个之间，所述多个彩膜块中的所述一个和所述多个光电传感器中的所述一个位于所述多个子像素区域中的同一个子像素区域中。
37.根据权利要求30所述的方法，其中，所述多个第二薄膜晶体管形成为多个底栅背沟道刻蚀型薄膜晶体管；
所述多个第二薄膜晶体管中的每一个形成为还包括有源层、阻挡层和栅绝缘层；
所述有源层形成于所述栅极的远离所述基底基板的一侧；
所述阻挡层形成于所述有源层的远离所述栅极的一侧，所述阻挡层通过背沟道刻蚀工艺形成；并且
所述源极和所述漏极形成于所述有源层的远离所述基底基板的一侧。
38.根据权利要求30所述的方法，其中，所述公共电极由实质上透明的电极材料制成。
39.根据权利要求30所述的方法，其中，形成所述对置基板还包括：
形成覆盖层，其位于所述多个第二薄膜晶体管和所述多个光电传感器的远离所述基底基板的一侧；和
形成间隔层，其位于所述覆盖层的远离所述基底基板的一侧。
40.根据权利要求39所述的方法，还包括在所述间隔层的远离所述基底基板的一侧形成辅助阴极。
41.根据权利要求30所述的方法，其中，所述多个光电传感器中的每一个是PN光电二极管，所述第一极性区域是P+掺杂半导体区域，所述第二极性区域是N+掺杂半导体区域。
42.根据权利要求30所述的方法，其中，所述多个光电传感器中的每一个是PIN光电二极管，所述第一极性区域是P+掺杂半导体区域，所述第二极性区域是N+掺杂半导体区域，所述PIN光电二极管还包括所述P+掺杂半导体区域与所述N+掺杂半导体区域之间的非晶硅的本征区域。
43.根据权利要求30至42中任一项所述的方法，其中，所述显示面板是有机发光二极管显示面板；
所述方法还包括：形成多个有机发光二极管；并且
所述多个实际发光亮度值检测器构造为分别检测所述多个有机发光二极管的实际发光亮度值。
44.一种制造显示设备的方法，包括：根据权利要求30至43中任一项所述的方法形成显示面板；和形成补偿电路，其构造为实时地接收所述多个子像素区域的实际发光亮度值，并且构造为将所述多个子像素区域的所述实际发光亮度值实时地调整至所述目标亮度值。
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