TW452793B - Recording and reproducing method for optical information recording medium, and optical information recording medium - Google Patents

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TW452793B
TW452793B TW087104255A TW87104255A TW452793B TW 452793 B TW452793 B TW 452793B TW 087104255 A TW087104255 A TW 087104255A TW 87104255 A TW87104255 A TW 87104255A TW 452793 B TW452793 B TW 452793B
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Ken-Ichi Nagata
Noboru Yamada
Nobuo Akahira
Kenichi Nishiuchi
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Matsushita Electric Ind Co Ltd
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Description

452793 Λ7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（f ) [技術領域] 本發明係有關於使用雷射光以在高記錄密度下將信號 記錄及再生之方式，以及此時所用之光學資訊記錄媒體。 [背景技術] 使用雷射光以再生信號之所謂再生專用的光學資訊記 錄媒體，係包括被稱作光碟(CD)之光碟片、被稱作雷射影 碟(LD)之光碟片、被稱作數位影音光碟(DVD)之光碟片等 〇 現在市售的再生專用光學資訊記錄媒體中，可在最高 密度下記錄信號者爲DVD。 此再生專用DVD爲直徑120mm的光碟片，每1層記 錄面的最大使用容量爲4.7GB。基板係使用專用的厚 0.6m.m、直徑120mm的圓盤狀聚碳酸酯。 資訊信號之再生係藉由波長650nm或635nm(因實際 上會有誤差故在630nm以上670nm以下)的雷射光之照射 以進行之。DVD再生時將再生雷射光維持於記錄信號列的 中心之所謂跟蹤伺服方式，係使用相位差跟蹤誤差信號(例 如，National Technical Report Vol,32 No‘4 Aug. 1986 P72-80)以進行之(DVD-ROM之規格書Ver.l)。 又，可使用雷射光以將信號記錄及再生之光學資訊記 錄媒體，係包含相變化型光碟片、光磁性碟片、色素碟片 等。其中，可記錄之相變化型光碟中，通常使用硫族化物 作爲記錄薄膜材料。一般說來，係把記錄薄膜材料爲結晶 狀態的場合作爲未記錄狀態，藉由雷射光之照射而將記錄 _ 3____ ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇父297公€ ~ ----- -- 1 - - - 二 ml ^r-^ - n^i n ^^1 m (請先閱诗背面之注意事項再填寫本頁) 452793 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 Λ7 R7
五、發明説明（vO 薄膜材料溶融、急冷後形成非晶質狀態以記錄信號。另一 方面，將信號擦除之場合，係使用比記錄時更低功率的雷 射光照射以使記錄薄膜形成結晶狀態。 又有人提出，爲了提高相變化光碟片的記錄密度，將 碟片的構造設計成，對於再生雷射光的波長λ來自未記錄 部與記錄部的反射光間會產生相位差(例如日本發明專利第 2773945號、日本發明專利第2661293號、特開平6-4900 號公報等）。相較於通常的反射率差再生構造，上述相位差 再生構造即使在高密度記錄下仍可得出良好的再生信號品 質。 爲了獲得可記錄的光碟片中信號之記錄及/或再生時 的跟蹤誤差信號，通常係使用基板上設有稱作導引溝之螺 旋狀、或同心圓狀的溝之基板。具體而言，跟蹤誤差信號 ，係藉由記錄及/或再生用的雷射光之照射，例如藉由推 挽法或3射束法以得出。此外，也有人使用配置有稱作顫 動坑之鋸齒狀坑的基板，而藉由循跡顫動法以施加跟蹤伺 月艮(例如尾上守夫監修“光碟片技術，，無線電技術社出版Ρ86-97)。 現在’市販品中以最高密度記錄信號之光學資訊記錄 媒體爲前述般之再生專用DVD。然而，於該再生專用DVD 中，使用者並無法記錄任何資訊。 [發明之摘述] 本發明之目的係提供一種可記錄、能以再生專用DVD 的再生機再生、又聚焦伺服特性安定的光學資訊記錄媒體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i装_ 5 經濟部中央標牟局員工消費合作社印製 7 9 3 Λ7 B7 五、發明説明（>) 可記錄且能以再生專用DVD的再生機再生之光學資訊 記錄媒體所要求的特性如下所示。 1 *能在和再生專用DVD同等的物理記錄密度(磁軌 長：0.267#111/位元，磁軌間距：0.74以1«，信號的調變方 式：8/16，RLL(2，10))下記錄。 2.可從記錄有信號之光學資訊記錄媒體中得出相位 差跟蹤誤差信號。 3 ·具有和再生專用DVD同等的反射率。 然而，有關上述3的反射率，可藉由提高DVD再生機 的再生增益、或降低回路雜訊、或提高再生雷射光的輸出 等小改造而對應於反射率低的記錄媒體。 •本發明的另一目的係提供一種記錄、再生方法，對於 滿足上述特性之光學資訊記錄媒體，可記錄和再生專用 DVD同等的物理密度之信號並再生之。 本發明中’爲了達成上述目的而形成以下的構成。 依本發明的光學資訊記錄媒體之記錄、再生方法之第 1形態’係使用在具有導溝之圓盤狀基板上、至少具備可 藉雷射光之照射而在非晶質狀態與結晶狀態間產生相變化; 的記錄薄膜所構成之光學資訊記錄媒體，基於資訊if號以 照射雷射光’使用得自前述基板的導溝之跟縱誤差信號而 在施加跟蹤伺服下，藉由在前述記錄薄膜上形成記錄標記 以記錄所望的信號；對在記錄薄膜上形成有記錄標記之光 學資訊錄媒體照射雷射光，而基於得自前述記錄標記之 5 ---------裝------訂------β (請先閲1*.背面之注意事項再填寫本頁) 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS Μ4規格（210X297公釐） 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 ，452793 Λ7 五、發明説明（十） 跟蹤誤差信號，以在施加跟蹤伺服下將信號再生β 依本發明的光學資訊記錄媒體之記錄、再生方法的第 2形態’係使用在具有鏡面狀的記錄區域之圓盤狀基板上 、至少具備可藉雷射光之照射而在非晶質狀態與結晶狀態 間產生相變化的記錄薄膜所構成之光學資訊記錄媒體，在 基板轉動下，將雷射光照射部移動成記錄信號的半徑方向 的間隔形成一定時，基於資訊信號以照射雷射光，藉由在 前述記錄薄膜上產生相變化以形成記錄標記而將所望的信 號在半徑方向以一定的間隔加以記錄；對在記錄薄膜上形 成有記錄標記之光學資訊記錄媒體照射雷射光，而基於得 自前述記錄標記之跟蹤誤差信號，以在施加跟蹤伺服下將 信號再生β .本發明的光學資訊記錄媒體之記錄、再生方法，藉由 形成上述構成，而可將和再生專用DVD同等的物理密度之 信號記錄並再生之。 依本發明的光學資訊記錄媒體之第1構成，係在具有 溝深d(nm)的導溝之圓盤狀基板上、至少具備可藉雷射光 之照射而在非晶質狀態與結晶狀態間產生相變化的記錄薄 膜而構成之光學資訊記錄媒體，其特徵在於： 當用以於前述記錄薄膜上基於資訊信號以形成記錄標 記之雷射光的波長爲λΚηηι)，對於波長λί基板的折射率 爲〜時，前述溝深(1與久1及111之關係爲： 0.05 X λ ιΧn!<d 當用以將形成於記錄薄膜上之記錄標記再生的雷射光 (婧先閱讀背面之注意事項再填寫本f) 裝. 本紙張尺度適用中國國家標準（匚阳）六4規格（210父297公蝥） 452793 五、發明説明（f) 的波長爲λ2(ηηι)，對於波長λ 2基板的折射率爲n2時，前 述溝深<1與又2及n2之關係爲： d^0,09 X λ 2/ 對於波長；U的雷射光之來自記錄標記的反射光之相位 與來自非記錄標記區域之反射光的相位φ2間之關係爲： (2η+0.7) X π<φ2-φι<(2η+1.3) X π (其中η爲整數）， 對於波長^2(11111)的雷射光之入射，來自前述光學資訊 記錄媒體的記錄標記之反射光的振幅強度h與來自非記錄 標記區域之反射光的振幅強度ί2間之關係爲： 1!<12。 依本發明的光學資訊記錄媒體之第2構成，係在圓盤 狀基板上、至少具備可藉雷射光之照射而在非晶質狀態與 結晶狀態間產生相變化的記錄薄膜而構成之光學資訊記錄 媒體，其特徵在於： 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 ---------.衣------iT (請先鬩讀背面之注$項再填寫本頁) 對於用以將前述光學資訊記錄媒體上所記錄的信號再 生而照射之波長Λ2的雷射光，來自光學資訊記錄媒體的記 錄標記之反射光之相位吣與來自非記錄標記區域之反射光 的相位φ2間之關係爲： (2n+0.7) X π<φ2-φι<(2η+1.3) X π (其中η爲整數）， 對於波長λ2(ηηι)的雷射光之入射，來自光學資訊記錄 媒體的記錄標記之反射光的振幅強度h與來自非記錄標記 區域之反射光的振幅強度12間之關係爲： ___7_ 本ίΤ張尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210X297公茇} 452793 五、發明説明（1) il<l2。 本發明的光學資訊記錄媒體，藉由形成上述構成’即 可獲得能和再生專用DVD相同密度的記錄、且能以再生專 用DVD的再生機再生、又具有安定的聚焦伺服特性之光學 資訊記錄媒體β 上述構成中，構成記錄薄膜之主要元素係包含鍺(Ge) 和碲(Te)，<3e與Te之原子量比(Ge : Te)以在45 : 55〜55 45的範圍內爲較佳。 [圖式之簡單說明】 圖1係顯示依本發明的第1實施形態之光學資訊記錄 媒體的積層構造的槪略之半徑方向的斷面圖。 圖2係顯示依本發明的第丨實施形態之光學資訊記錄 媒體的積層構造的槪略之半徑方向的斷面圖。 圖3係顯示將信號記錄於本發明的光學資訊記錄媒體 上的場合所用之記錄機的構成例。 圖4係顯示GeTe與Sb2Te32組成所結合成的組成之對 於波長650nm之光學常數。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 HI m^i ^^^1 tm mr^n n^i ^^^1 m^i Ϊ J. "-$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖5係顯示Ge-Te2元系材料的GeTe附近組成之對於 波長650nm之光學常數。 圖6係顯示在本發明的光學資訊記錄媒體上將信號記 錄、再生的場合所用之記錄、再生機的構成例β 圖7係顯示本發明的實施例中將資訊記錄於光碟片時 記錄脈波的調變波形的一例。 [本發明之較佳實施形態] 8 本紙張尺度迫用中國國家橾準{ CNS ) A#規格（--— 經濟部中央標準局負工消費合作杜印製 > 4 5 2 7 9 ^ Λ7 五、發明説明（) 以下，基於圖面以說明本發明的較佳實施形態β (實施形態1) 圖1係顯示依本發明的第1實施形態之光學資訊記錄 媒體(光碟片）ι〇的積層構造的槪略之半徑方向的斷面圖^ 圖1中，用以進行記錄及再生之雷射光是從基板1側射入 〇 基板1是由聚碳酸酯、ΡΜΜΑ等樹脂或坡璃等構成， 基板表面8上被覆有螺旋或同心圓狀的連續溝(導溝、軌道 )9。 保護層2 ' 4之材料，基於物性、化性上之安定，較佳 爲融點及軟化溫度比後述記錄薄膜材料的融點高，且不會 和記錄薄膜的材料固溶。例如，可由 Al2〇-3,SiOXjTa2〇5>Mo〇3,W〇3,Zr02,ZnS?AINXjBN5SiNXjTiN)Zr N，PbF2，MgF2等介電體構成，或將其等適當組合而構成。然 而，保護層2、4不一定是介電體或透明的，例如，使用對 可見光及紅外線具光吸收性之ZnTe等形成亦可。又，若保 護層2及保護層4分別由不同的材料形成出，將有熱及光 學上碟片設計的自由度變大之好處。當然以相同材料形成 亦可。 記錄薄膜3 ’只要是藉記錄用的雷射光照射而在結晶 狀態與非結晶狀態間能產生可逆的構造變化之物質即可， 例如以Te、In、或Se等作爲主成分之相變化材料。常用的 相變化材料之主成分
Ge-Sn-Au,Sb-Se?Sb-Te,Sb-Se-Te,In-Te,In-SeJn-Se-Tl,In- ____9_ I紙張尺度適用中國國家標準1 CNS ) A4規格 1 210X297公釐）— ~ (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) i裝· 、1T- 452793 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Λ7 五、發明説明（f)
Sb,In-Sb-Se，In-Se-Te等爲例。這些薄膜通常在非晶質狀態 下成膜，吸收雷射光等的能量後結晶化，而改變光學常數( 折射率η、消光係數k)。 反射層5係由Au，Al，Ni，Fe，Cr等金屬元素、或其等的 合金所構成，具有提高記錄薄膜的光吸收效率之作用。 保護基板7，係藉由將旋轉塗覆之樹脂、和基板相同 的樹脂板、玻璃板、或金屬板等使用接著劑6加以貼合而 形成出。又’將2組記錄媒體以中間基板或反射層爲內側 並使用接著劑加以貼合，而形成兩面皆可進行記錄、再生 、擦除的構造亦可。 記錄薄膜、保護層、反射層等各層的形成方法，通常 可使用電子射束蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍敷法、CVD法、 雷射P鍍法等。 藉由適當地設定保護層2、4之膜厚及記錄薄膜3之膜 厚，對於光學資訊記錄媒體再生用之雷射光的波長，可使 未記錄區域(通常爲結晶狀態)和記錄標記區域(通常爲非晶 質狀態）的反射光之相位差成爲（2η+1)Χ π(η爲整數）或 (2η+1)Χπ附近(例如日本發明專利第2068311號、特開平 6-49〇0號公報等）。此種所謂相位差再生構造的相變化光碟 片，相較於通常的反射率差再生型相變化光碟片，係更適 於高密度下記錄成的信號之再生。又，由於可將所記錄的 資訊信號加以相位差再生，故可檢測相位差誤差信號。也 就是說原理上可施加相位差跟蹤伺服。 在無導溝之場合，又溝的深度淺場合等之所謂不需考 __10_ 本紙張尺度適用中國國家揉辛 ( CNS ) Α4規格Υ210Χ297公漦} " JH ^^^1· I - - - i :^ I In (請先閱讀背面之注意事項再填寫木買) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 452793 Λ7 五、發明説明（1 ) 慮導溝的影響之場合，對相位差再生而言最佳的相位差爲 (2η+1)χπ(η爲整數實際上，若所用的雷射光波長爲λ2 ，且溝深d在化〇.〇9\12/112的範圍內，只要對於波長入2 的雷射光之入射、來自非晶質狀態的記錄薄膜區域的反射 光之相位^與來自結晶狀態的記錄薄膜區域之反射光的相 位φ2間之關係、以及來自非晶質狀態的記錄薄膜區域的反 射光之振幅強度^與來自結晶狀態的記錄薄膜區域的反射 光之振幅強度12的關係滿足： (2η+0.7) X π<φ2-φ1<(2η+1.3) χ π (其中η爲整數）： Ι/ΙΘ，更佳爲 則可獲得理想狀態之60%以上的再生信號振幅及良好 的相位差跟蹤誤差信號。 又，導溝的溝深d大致滿足七0.07乂12/112的場合， 記錄於溝上時理想的相位差爲 φ2·Φι=(2η-0·9)Χπ(其中，η 爲整數） 記錄於溝間時理想的相位差爲 伞2+=(211+0.9)\71(其中，η 爲整數）。 有關振幅強度比宜小之理由，係詳述於前述特 開平64900號公報中。 然而，實際上要使用相變化光碟片而實現相位差再生 構造’特別是對於再生光的波長650nm(DVD規格的再生 光波長），要獲得高反射率的構造有其困難。如後述般，即 使用目前已知的硫族材料而儘可能地製作出高反射率的相 ____U__ 本紙張尺度適^中國國家標準（CNS ) Λ4現格< 210X297公釐) I~ n It . I I..」I ^ , ϋ n n ^ (請先閱球背面之注意事項再填蹿本頁) 4 52 7 9 3 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 五、發明説明（/(7) 位差再生媒體，其反射率頂多爲10¾的程度。在這種狀況 下，不僅無法以理想的再生磁碟機(可充分地抑制回路雜訊 、再生光雜訊之磁碟機)進行再生，又會產生聚焦伺服之不 安定性等，或因回路雜訊之重疊於再生信號上而產生再生 顫動値的惡化’以致無法發揮光碟片本來的特性。因此， 在這種理想的再生磁碟機無法再生之場合(例如使用伺服特 性比理想狀態差的再生磁碟機、回路雜訊比理想狀態高的 再生磁碟機、或價廉的再生磁碟機等之場合），必須稍犧牲 其他的特性而將光碟片的光學特性設計成高平均反射率， 以獲得良好的再生特性。爲了提高平均反射率，雖然只要 將記錄標記以外的反射率提高即可，但在此場合，必然會 造成記錄標記的反射率降低。亦即，於相位差再生構成的 設計中，對於再生光的波長取大的振幅強度比12/1!，可使 其對再生磁碟機的伺服特性之容許度變寬。相較於12=1!， 爲了使得再生時的伺服特性明顯地變佳，至少必須使得振 幅強度比h/Ii比1.3來得大。 然而，即使是相位差再生構造的相變化光碟片，當然 在未記錄狀態下，並無法得出相位差跟蹤誤差信號。基於 此，在要記錄於未記錄區域的光碟片時，考慮到採用設有 導溝的推挽跟蹤法。 使用推挽跟蹤法而施加跟蹤伺服以記錄之場合，導溝 的溝深d(nm)對於記錄用雷射光的波長λ^πιπ)爲 (其中，η!爲基板的折射率） 時，可獲得最大的跟蹤誤差信號（例如尾上守夫監修“光碟 _____12_ 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS) Α4規格（210Χ297公釐Ί '~ I 裝 I [ I I 訂— 線 {諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 793 五、發明説明U 1 ) 片技術”無線電技術社出版P87)。因此，通常的相變化光 碟片是將溝深d選在0.125\\1/111附近。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，如本發明般記錄時藉使用導溝之推挽法以施加 跟蹤伺服、再生時使用得自所記錄的信號之相位差跟蹤誤 差信號以施加跟蹤伺服之場合，導溝的溝深d還必須從別 的觀點加以考量。 例如，導溝之溝深爲〇.125Χλ2/η2(其中，λ2爲再生 用雷射光的波長，h爲對應於波長λ2之基板的折射率。以 下皆同）時，再生時會有問題產生。其原因在於，相位差再 生時，導溝的溝深越淺則再生信號品質越高，相反地，在 ά=0.125Χλ2/ιι2附近，原理上再生信號會變得極小。 基於此，針對推挽法中溝深和跟蹤誤差信號振幅間的 關係加以探討。結果，溝深以外的參數相同之場合，溝深 爲O.OSXki/m時，跟蹤誤差信號振幅會成爲理想狀態(溝 深約Ο.α^χλ^/η!)的信號振幅之約50%，此即爲施加跟 蹤伺服所需之最低限。亦即，若從記錄時的跟蹤伺服加以 考量，溝深宜爲O.OSXki/iii以上。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其次，針對記錄有信號之光碟片進行相位差再生時， 溝深與再生信號振幅、溝深與相位差跟蹤誤差信號振幅的 關係加以探討。結果可知，溝深以外的參數相同之場合， 若溝深比0.09Χλ2/η2深，則再生信號品質、跟蹤誤差信 號品質都會產生大幅地品質滑落而造成使用上的困難。因 此，若從再生時跟蹤伺服特性的覲點加以考量，溝深宜在 0.09χλ2/η2 以下 β _____13_；___ 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS~)T4規格（210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 45279 3 Λ7 五、發明説明（/ 入1與^2之大小關係，若，滿足上述關係式的溝深 之範圍會變寬。又，在高密度地記錄信號時，基於記錄的 功率容限變廣的觀點，以再生用雷射光的波長比記錄用雷 射光的波長短爲佳。因此，與12之大小關係，係設定成 λ]^λ2 * 有關於將信號記錄於導溝上或導溝間之選擇，係藉由 對於再生用的雷射光的入射之來自記錄標記的反射光之相 位、和來自記錄標記與記錄標記間的非記錄區域之反射光 的相位<1>2的關係而決定出。也就是說，在 (2η+0.5)X π<φ2-φι<(2η+1.3) X π (其中 η 爲整數） 之場合，信號記錄於基板的溝間；在 (2η+1)Χπ<φ2-φι<(2η+1.5)Χπ (其中 η 爲整數） 之場合，信號記錄於基板的溝部。如果採行相反的選擇， 所得再生信號振幅相較於正確選擇時會變小*此乃基於， 因導溝的存在所生成的相位差的影響所致。 目前爲止所說明之本發明的第1實施形態，是把記錄 標記當作記錄薄膜的非晶質區域、把未記錄部(也稱作非記 錄標記）當作結晶區域，但相反地，把記錄標記當作記錄薄 膜的結晶區域、把未記錄部(非記錄標記）當作非晶質區域 也可以。此場合當然的，不需要光碟片的初期化(記錄區域 的全面結晶化)作業。 又，使用記錄機與再生機組裝成一體的裝置，特別是 共用轉動光碟片的機構者爲佳，當然作爲不同的裝置而分 開使用亦可。例如實際的對應方式爲，以市售的DVD再生 14 本紙張尺度適用中國國家標準（0奶）厶4規格（210><297公梦-) ---------一农— {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 4527 9 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 五、發明説明（G) 裝置，或將市售的DVD再生裝置加以小改造(例如提高再 生增益、提高再生光的強度等而用以對應於低反射率的光 學資訊媒體之改造)而作爲再生機。 記錄時的跟蹤不限於推挽法，使用得自導溝的跟蹤誤 差信號之其他方式、例如3射束法也可以得出相同的效果 。作爲本發明的應用區域之一 ’ DVD之編輯者工具 (authoring too丨)也可以加以考慮° (實施形態2) 其次說明本發明的第2實施形態。 圖2係顯示依本發明的第2實施形態的光學資訊記錄 媒體(光碟片)20的積層構造的槪略之半徑方向斷面圖。和 圖1光碟片之基本不同在於，基板U中記錄區域的基板表 面13爲光學鏡面狀，而沒有導溝之形成。其他構造(例如 爲相位差再生構造等)則和圖1所示者相同。亦即，基板11 、保護層12、記錄薄膜13、保護層14、反射層15 '接著 劑16、保護基板17之順序分別對應於第1實施形態的基 板1、保護層2、記錄薄膜3、保護層4、反射層15、接著 劑6、保護基板7，故省略其等之詳細說明。 然而，由於本實施形態中基板上沒有導溝，爲了在信 號再生時得出最良好的相位差信號，來自非晶質狀態的記 錄薄膜區域之反射光的相位(h與來自結晶狀態的記錄薄膜 區域之反射光的相位φ2之關係要滿足 φ2-φι=(2η±1) Xπ (其中，η 爲整數）。 實際上，只要對於波長λ2的雷射光之入射、來自非晶 _____15_ 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ^^1 I - - ^^1 1 <m n ^^1 K "Hi/. 一_ ^^1 ^^1 ^^1 I— ^ ·ν9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 452 7 9 3 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（丨十） 質狀態的記錄薄膜區域的反射光之相位h與來自結晶狀態 的記錄薄膜區域之反射光的相位Φ2間之關係、以及來自菲 晶質狀態的記錄薄膜區域的反射光之振幅強度h與來自結 晶狀態的記錄薄膜區域的反射光之振幅強度12的關係分別 滿足： (2η+0.7)Χπ<φ2-φ1<(2η+1.3)Χπ (其中 η 爲整數）； I2/Ii<3 則可獲得理想狀態之60%以上的再生信號振幅及良好的相位 差跟蹤誤差信號。又，有關振幅強度比Ir/h宜大之理由 ，係詳述於前述特開平6-4900號公報中。 然而，實際上要使用相變化光碟片而實現相位差再生 構造，特別是對於再生光的波長650nm(DVD規格的再生 光波長），要獲得高反射率的構造有其困難》如後述般，即 使用目前已知的硫族材料而儘可能地製作出高反射率的相 位差再生媒體，其反射率頂多爲10%的程度。在這種狀況 下’不僅無法以理想的再生磁碟機(可充分地抑制回路雜訊 、再生光雜訊之磁碟機)進行再生，又會產生聚焦伺服之不 安定性等’或因回路雜訊之重疊於再生信號上而產生再生 顫動値的惡化，以致無法發揮光碟片本來的特性。因此， 在這種理想的再生磁碟機無法再生之場合(例如使用伺服特 性比理想狀態差的再生磁碟機、回路雜訊比理想狀態高的 再生磁碟機、或價廉的再生磁碟機等之場合），必須稍犧牲 其他的特性而將光碟片的光學特性設計成高平均反射率， 以獲得良好的再生特性。爲了提高平均反射率，雖然只要 _____16_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x 297公楚) ---------裝------訂------泉 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 452793 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（if) 將記錄標記以外的反射率提高即可，但在此場合，必然會 造成記錄標記的反射率降低。亦即，於相位差再生構成的 設計中，對於再生光的波長取大的振幅強度比ι2/ι,，可使 其對再生磁碟機的伺服特性之容許度變寬。相較於， 爲了使得再生時的伺服特性明顯地變佳，至少必須使得振 幅強度比h/Ii比1.3來得大。 將信號記錄於本發明的光學資訊記錄媒體之場合，例 如使用圖3所示般之記錄機以記錄信號。相位差再生構造 的相變化光碟片21係固定在主軸馬達22上，以在施加轉 動控制下令其轉動。基於來自信號發生回路23的信號而從 雷射光源24放射出調變後的雷射光，經安裝於供給機構 25上的透鏡26折射後，藉對物透鏡27而聚焦於記錄薄膜 上以記錄資訊。此時，供給機構25的移動速度係控制成使 得所記錄的信號列之間隔形成一定。例如，要記錄和再生 專用DVD密度相同的信號之場合，係將半徑方向的供給控 制成信號列的間隔約0.74#m。此時，記錄用之雷射光源 24，可使用Ar雷射等氣體雷射，亦可使用半導體雷射。聚 焦伺服28，可使用He-Ne雷射等以進行之。 如此般記錄有信號之光碟片，可藉由照射再生用的雷 射光以得出相位差跟蹤誤差信號。藉由使用此跟蹤誤差信 號而施加跟蹤伺服，即可檢測相位差再生信號。 又，在高密度地記錄信號時，基於記錄的功率容限變 廣的觀點’以再生用雷射光的波長比§5錄用雷射光的波長 短爲佳。因此，11與\2之大小關係，係設定成λ<λ2。 ____17^__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公漦） ---------裝------訂------S <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 452793 五、發明説明（/厶） 其次，在使用相變化光碟片以得出相位差再生構造時 ，針對作爲記錄薄膜的較佳材料加以探討的結果說明如下 0 可記錄及擦除的相變化光碟片的記錄薄膜材料，一般 爲Ge-Sb-Te之3元組成。此3元組成中，結晶化速度較快 的組成範圔係以GeTe與Sb2Te3之2組成的結合組成爲中 心而擴展開來。又於此組成範圍內，存在有迄今爲止實用 化的相變化光碟片之記錄薄膜組成。 針對GeTe舆Sb2Te3之2組成的結合組成，在非晶質 狀態及結晶狀態下波長650nm時的光學常數之調査結果顯 示於圖4中。圖4中，縱軸的η代表折射率、k代表消光 係數。由圖4可看出，組成越接近GeTe則光學常數的變化 越大.。於相變化光碟片中若要得出相位差再生構造，則可 選擇非晶質狀態與結晶狀態中光學常數之變化大、反射率 高的構成。 經濟.邓中央標準局員工消費合作社印製 ] i I n ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 基板使用聚碳酸酯、記錄薄膜10nm、基板側保護層與 反射層側保護層皆爲折射率2.1之透明介電體(可想成ZnS-20mol%SiO2)、反射層爲Au50nm之場合，對於波長650nm 之入射光’來自非晶質的反射光與來自結晶的反射光之相 位差爲π的構成中，針對兩者的反射率相等、或爲最大的構 成藉光學計算加以解析的結果顯示於表1中。 _18 本紙乐尺度適用中國國家橾準（CNS } Α4規格（2tOX297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 52 7 S 3 五、發明説明（/7) 表1 1 Ge 濃度(at%) 5 0 5 0 5 0 ϋ 0 反射率（％) 0 1 由表1可看出，記錄薄膜組成越接近GeTe則可獲得 越高的反射率。此傾向即使改變記錄薄膜的膜厚也不會改 變。然而，記錄薄膜的膜厚比5nm更薄或比20nm更厚時 ，相位差爲π時反射率會變得很低，或完全不存在，而造成 實用化之困難。 本實施形態的光碟片之場合，反射率是越高越好。因 爲會接近再生專用的光碟片之反射率。基於此，其次係在 Ge-Te2元系組成中，針對GeTe附近的組成加以探討。結 果顯示於圖5中。圖5中，縱軸的η代表折射率、k代表 消光係數。由圖5可看出，Ge53Te47(組成比以原子量比表 現出)附近的組成其光學常數的變化最大。 基板使用聚碳酸酯、記錄薄膜l〇nm、基板側保護層與 反射層側保護層皆爲折射率2.1之透明介電體(可想成ZnS-20mol%SiO2)、反射層爲Au50nm之場合，對於波長650nm 之入射光，來自非晶質的反射光與來自結晶的反射光之相 位差爲π的構成中，針對兩者的反射率相等、或爲最大的構 成藉光學計算加以解析的結果顯示於表2中。 19 —1 ! 1 ! 批衣一I n 訂- ]H ^1 ^ (請先閲讀背而之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Λ7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ip) 表2
Ge 濃度(at%) 2.5 5.0 7,5 0,0 2.5 5.0 7.5 反射率（％) 0 1 2 0 由表2可看出，記錄薄膜組成在Ge53Te47(組成比以原 子量比表現出)附近可獲得最髙的反射率。又，Ge濃度只 要爲45at%〜55at%，則可獲得對應於再生光波長65〇nn] 之相位差再生構造。此傾向即使改變記錄薄膜的膜厚也不 會改變。然而，記錄薄膜的膜厚比5nm更薄或比20mn更 厚時，相位差爲π時反射率會變得很低，或完全不存在，而 造成實用化之困難。 -如上述般，構成記錄薄膜的主元素爲Ge及Te，且Ge 與Te之原子量比在45 : 55〜55 : 45的範圍內較佳。此處 ’所謂主元素係代表記錄薄膜的構成中原子量比相對高的 元素’主元素爲Ge與Te，係代表記錄薄膜的構成中原子 量比例高的元素之上二位爲Ge與Te。 如此般，光學上使用Ge濃度45at%〜55at%範圍內之 Ge-Te、更佳爲Ge53Te47附近組成之記錄薄膜材料，則可得 出更高反射率的相位差再生媒體。 然而’在決定記錄薄膜材料時，除了光學特性以外， 具有對應於記錄線速度的結晶化速度也是很重要。此次的 檢討結果’記錄線速度在2.6m/s〜8m/s的範圔內、Ge 濃度在52〜55at%或45〜48at%時可形成良好的記錄標記 _ 20 本紙張尺度適用中國國家榡準（CMS ) A4規格（210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 4 〇2 7 9 3 經濟部中央標準局員Μ消費合作社印裝 Λ7 B7 五、發明説明) 又，爲了提高記錄薄膜的結晶化溫度以改善再生光劣 化特性，對於GeTe2元合金，針對其他元素的添加而加以 檢討。結果發現到，藉由將擇自惰性氣體元素及 (B，C，Al，Si，Ti，V，Cr，Mn，Fe，Co,Ni?Zr，Ni，Se，Nb，Sb,Ta,W，Au，Pb， Bi)等元素中之至少1種適量地添加即可改善特性。 然而，上述元素中Ge與Te以外的元素之原子量，相 對Ge與Te的原子量和若比10%多，則光學特性的變化量 會變小，而有反射率無法變大的傾向。因此，這些元素的 添加量相對Ge與Te的原子量和宜爲10%以下。 以上說明的記錄薄膜之組成同樣地適用於依本發明的 第1實施形態之光學資訊記錄媒體的記錄薄膜。 .目前爲止所說明之本發明的第2實施形態，是把記錄 標記當作記錄薄膜的非晶質區域、把未記錄部(也稱作非記 錄標記)當作結晶區域，但相反地，把記錄標記當作記錄薄 膜的結晶區域、把未記錄部（非記錄標記）當作非晶質區域 也可以。此場合當然的，不需要光碟片的初期化（記錄區域 的全面結晶化)作業。 又，使用記錄機與再生機組裝成一體的裝置，特別是 共用轉動光碟片的機構者爲佳，當然作爲不同的裝置而分 開使用亦可。例如實際的對應方式爲，以市售的DVD再生 裝置，或將市售的DVD再生裝置加以小改造(例如提高再 生增益、提高再生光的強度等而用以對應於低反射率的光 學資訊媒體之改造)而作爲再生機。作爲本發明的應用區域 __21__________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐} ^^^1 ^^^^1 —^ϋ ^^^^1 .¾ ,T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 5 7 9 3 五、發明説明（v〇) i- ^^1 ^^1 1 - - - -I In n : - - -I- n ^^1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之一 ’ DVD之編輯者工具也可以加以考慮。當然，本發明 並不僅限於再生專用DVD，在更高密度的記錄格式下也是 有用的記錄、再生方法及光學資訊記錄媒體。 以下使用具體例以更詳細地說明本發明。 (實施例1) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 使用表面被覆有間距0.74#m、溝深26nm的凹凸導溝 之半徑l2〇mm、厚0.6mm的聚碳酸酯作爲基板，藉由磁控 管濺鍍法而依序於其上方形成70〜140nm之ZnS-Si02、 10nm 之 Ge53Te47、39nm 之 ZnS-Si02、50iim 之 Au。在成 膜後的光碟片上，使用紫外線硬化樹脂以貼合上相同形狀 的作爲支持基板(保護基板）之聚碳酸酯基板。聚碳酸酯基 板的折射率，於波長650ntn下爲1.59。此光碟片之對於波 長650nm的光學特性之實測値(爲了除去溝之繞射的影響， 故光學特性係使用無導溝的鏡面基板而測定出），在基板側 ZnS-Si02層的厚度爲104nrn時，記錄薄膜爲非晶質狀態的 反射率及記錄薄膜爲結晶狀態的反射率皆爲10%。基板側 ZnS-Si02層的厚度，相較於104nm，若越薄則結晶狀態的 反射率越高，相反地非晶質狀態的反射率越低。然而，在 任一個碟片中，結晶中的反射光與非晶質中的反射光之相 位差皆爲〇.9π。其原因爲相位差主要相關於反射層側的 ZnS-Si02之膜厚。使用干涉顯微鏡以實際測量結晶中的反 射光與非晶質中的反射光的相位差。這些光碟片係施加初 期化處理，將記錄層的結晶狀態當作未記錄狀態，將記錄 層的非晶質狀態標上記錄標記。 ___22_
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2【0X297公H 4527 9 3 五、發明説明（yl ) 使用圖6所示的記錄、再生機而在這些光碟片上記錄 '再生信號。光碟片29係固定在主軸馬達30上，以在施 加轉動控制下令其轉動。信號之記錄，係將從雷射光源31 放射出的雷射光藉對物透鏡32聚焦於記錄薄膜上以進行之 。信號之再生，係藉由將從雷射光源31放射出的雷射光、 經由對物透鏡32與半透明鏡33而藉光檢出器34檢測以進 行之。又，圖中之符號35代表跟蹤伺服，符號36代表聚 焦伺服。 記錄及再生用的雷射光源31爲波長650nm的半導體 雷射，對物透鏡32的NA(開口率)爲0.6。記錄過程中，跟 蹤係使用推挽法，並記錄於導溝的溝間》 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -- — II - -I I - - |士氏 1 - I - I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖7係顯示記錄脈波的調變波形。記錄資訊係經8/ 16、_RLL(2，10)的調變方式調變後記錄之。此時，記錄線 速度爲3.5m/s，記錄信號的線密度爲0.267ym/位元。 記錄脈衝佔空（duty)爲30%之場合，可在最大功率爲 7.lmW下記錄信號。要將所記錄的信號再生的場合，係在 檢測相位差跟蹤誤差信號後施加跟蹤伺服。再生光的功率 爲 0.8mW。 表3顯示出切換2種磁碟機的狀態時各碟片的再生顫 動。第1磁碟機的狀態係將再生系的回路雜訊儘可能地降 低，第2磁碟機的狀態係故意地在再生系的回路上施加雜 訊。 ___23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐) 經濟部中央標隼局員工消费合作社印掣 452793 Λ7 __1”
五、發明説明（vM 表3 反射率比 UXh 狀態1 (回路雜訊：低） 狀態2 (回路雜訊：高） 再生 顏動 再生波形 包絡 再生 顧動 再生波彤 包絡 4.0 >25% 良好 >25% 良好 3.0 14% 良好 16% 良好 2.0 12% 良好 13% 良好 1.3 10% 良好 14% 良好 1.0 9% 良好 20% 變亂 表3中反射比高的碟片，係代表初期反射率及記錄後 的平均再生反射率高。若反射率比高，基於即使在高雜訊 的再生系中仍可得出安定的聚焦伺服動作之理由，而可得 出良好的再生顫動。然而，在反射率比過高(超過3)的場合 ，在再生之安定化前*由於相位差再生的信號品質會劣化 而會造成再生顫動之劣化。 嘗試著在導溝上記錄信號時，不管在任何記錄條件下 記錄，所得的再生顫動都比導溝間記錄時所得的再生顫動 來的大。 此處，係把初期狀態(未記錄狀態）當作記錄薄膜的結 晶狀態，但把未施加結晶化處理之非晶質狀態當作未記錄 狀態，藉結晶化以進行記錄之場合，也能得出和表3的結 果。 _24 ______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公楚Γ ~ 一 — n I I I— 線 (請先閱讀背面之注意事項再竑寫本頁) 452793 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（vj) (實施例2) 使用表面被覆有間距〇.74/zm、溝深26nm的凹凸導溝 之半徑120mm、厚0.6mm的聚碳酸酯作爲基板，藉由磁控 管濺鍍法而依序於其上方形成70〜140nm之ZnS-Si02、 10nm 之 Ge53Te47、48ηηι 之 ZnS-Si02、50nm 之 Au。在成 膜後的光碟片上，使用紫外線硬化樹脂以貼合上相同形狀 的作爲支持基板(保護基板）之聚碳酸酯基板。聚碳酸酯基 板的折射率，於波長650nm下爲1.59。此光碟片之對於波 長650nm的光學特性之實測値(爲了除去溝之繞射的影響， 故光學特性係使用無導溝的鏡面基板而測定出），在基板側 ZnS-Si02層的厚度爲104ιπη時，記錄薄膜爲非晶質狀態的 反射率及記錄薄膜爲結晶狀態的反射率皆爲10%。基板側 ZnS，Si02層的厚度，相較於l〇4nm，若越薄則結晶狀態的 反射率越高，相反地非晶質狀態的反射率越低。然而，在 任一個碟片中，結晶中的反射光與非晶質中的反射光之相 位差皆爲1·1π(即(2-0.9)Χπ)。其原因爲相位差主要相關於 反射層側的ZnS-Si02之膜厚。使用干涉顯微鏡以實際測量 結晶中的反射光與非晶質中的反射光的相位差。這些光碟 片係施加初期化處理，將記錄層的結晶狀態當作未記錄狀 態’將記錄層的非晶質狀態標上記錄標記。 使用圖6所示的記錄、再生機而在這些光碟片上記錄 、再生信號。記錄及再生用的雷射光源爲波長650nm的半 導體雷射，對物透鏡的NA(開口率)爲0.6。記錄過程中， 跟蹤係使用推挽法，並記錄於導溝的溝間。 ____25____ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（21〇X 297公芨） ---------私衣------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 452793 Λ7 B7 五、發明説明（ 圖7係顯示記錄脈波的調變波形。記錄資訊係經8/ 16、RLL(2，1〇)的調變方式調變後記錄之。此時，記錄線 速度爲3_5m/S，記錄信號的線密度爲〇 267"nl/位元。 記錄脈衝佔空（duty)爲3〇%之場合，可在最大功率爲 7.1mW下記錄信號。要將所記錄的信號再生的場合，係在 檢測相位差跟蹤誤差信號後施加跟蹤伺服。再生光的功率 爲 0.8mW。 表4顯示出切換2種磁碟機的狀態時各碟片的再生顫 動。第1磁碟機的狀態係將再生系的回路雜訊儘可能地降 低’第2磁碟機的狀態係故意地在再生系的回路上施加雜 訊。 U3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,·** 經濟部中央樣準局員工消費合作社印策 表4 反射率比 h/h 狀態1 (回路雜訪 :低） 狀態2 (回路雜 訊：高） 再生 顛動 再生波形 包絡 再生 餒動 再生波形 包絡 4.0 >25% 良好 >25% 良好 3.0 15% 良好 10% 良好 2.0 1 2% 良好 13% 良好 1.3 10% 良好 13% 良好 1.0 9% 良好 22% 1 表4中反射比高的碟片，係代表初期反射率及記錄後 的平均再生反射率高。若反射率比高，基於即使在高雜訊 26 4·" 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） 452793 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 Λ7 ΙΪ7 五、發明説明（/) 的再生系中仍可得出安定的聚焦伺服動作之理由，而可得 出良好的再生顫動。然而，在反射率比過高(超過3)的場合 ，在再生之安定化前，由於相位差再生的信號品質會劣化 而會造成再生顫動之劣化。 嘗試著在導溝上記錄信號時，不管在任何記錄條件下 記錄，所得的再生顫動都比導溝間記錄時所得的再生顫動 來的大。 此處，係把初期狀態（未記錄狀態）當作記錄薄膜的結 晶狀態，但把未施加結晶化處理之非晶質狀態當作未記錄 狀態，藉結晶化以進行記錄之場合，也能得出和表3的結 果。 (實施例3) .使用記錄區域的基板表面爲鏡面之半徑120mm、厚 O.Smtn的鏡面狀聚碳酸酯作爲基板，藉由磁控管濺鍍法而 依序於其上方形成70〜140nm之ZnS-Si02、10nm之 Ge53Te47、44nm 之 ZnS-Si02、50nm 之 Au。在成膜後的光 碟片上，使用紫外線硬化樹脂以貼合上相同形狀的作爲支 持基板(保護基板）之聚碳酸酯基板。聚碳酸酯基板的折射 率，於波長650nm下爲1.59。此光碟片之對於波長65〇nm 的光學特性之實測値(爲了除去溝之繞射的影響，故光學特 性係使用無導溝的鏡面基板而測定出），在基板側ZnS-Si02 層的厚度爲104ηηι時，記錄薄膜爲非晶質狀態的反射率及 記錄薄膜爲結晶狀態的反射率皆爲10%。基板側ZnS-Si〇2 層的厚度，相較於104nm，若越薄則結晶狀態的反射率越 __27 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公t ) ---------襄------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
I、發明说明（4) 高，相反地非晶質狀態的反射率越低。然而，在任一個碟 片中，結晶中的反射光與非晶質中的反射光之相位差皆爲 LOjt。其原因爲相位差主要相關於反射層側的ZnS-Si02之 膜厚。使用千涉顯微鏡以實際測量結晶中的反射光與非晶 質中的反射光的相位差s這些光碟片係施加初期化處理， 將記錄層的結晶狀態當作未記錄狀態，將記錄層的非晶質 狀態標上記錄標記5 使用圖3所示的記錄機以記錄信號。記錄用的雷射光 源爲波長65〇nm的半導體雷射’對物透鏡的ΝΑ(開口率)爲 0.6 »記錄過程中，對物透鏡的半徑方向供給速度係控制成 使得所記錄的信號列之間隔形成一定的〇_74/im。圖7係 顯示記錄脈波的調變波形。記錄資訊係經8/10、RLL(2， 10)的調變方式調變後記錄之。此時，記錄線速度爲3.5m /'s，記錄信號的線密度爲〇.267#m/位元。記錄脈衝佔 空(duty)爲30°/。之場合，可在最大功率6.9mW下記錄信號 〇 要將所記錄的信號再生的場合，係使用圖6所示的記 錄、再生機。雷射光源爲波長65〇ntn的半導體雷射，對物 透鏡的NA(開口率)爲0.6。在檢測相位差跟蹤誤差信號後 施加跟蹤伺服。再生光的功率爲〇.8mW。此處，係使用儘 可能地減低再生磁碟機的回路雜訊者、以及故意提高雜訊 者，以比較各碟片的再生特性。結果，對於再生光的波長 (650nm)，反射率比h/I!爲1.3以上時，再生的安定性、 特別是聚焦伺服的安定性會變高，而可得良好的顫動。然 28 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210 X 297公釐） ---------^------訂------乂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 27 93 Μ Β7 ___ 五、發明説明（vi) 而，對於反射率比超過3之碟片，則無法得出安定 的聚焦伺服，而會造成重要的相位差再生信號的品質之劣 化β (實施例4) 對於和實施例3所示的光碟片構造相同的光碟片，使 用圖3所示的記錄機以記錄信號。記錄用的雷射光源爲波 長458ιπη的Ar雷射，對物透鏡的ΝΑ(開口率)爲0.55。記 錄過程中，對物透鏡的半徑方向供給速度係控制成使得所 記錄的信號列之間隔形成一定的〇.74μιη。圖7係顯示記 錄脈波的調變波形。記錄資訊係經8/16、RLL(2，10)的 調變方式調變後記錄之。此時，記錄線速度爲3.5m/s， 記錄信號的線密度爲0.267//m/_位元。記錄脈衝佔空 (duty)爲30%之場合，可在最大功率7.3mW下記錄信號。 要將所記錄的信號再生的場合，係使用圖6所示的記 錄、再生機。雷射光源爲波長650nm的半導體雷射，對物 透鏡的NA(開口率)爲0.6。在檢測相位差跟蹤誤差信號後 施加跟蹤伺服*再生光的功率爲〇.8mW。 再生信號的顫動，相較於實施例3，使用相同的碟片 可得1〜2%良好的顫動。又，相同於實施例3，再生光的 波長(650nm)下反射率比12/^爲1.3以上時，再生的安定 性、特別是聚焦伺服的安定性會變高，而可得良好的顫動 。然而，對於反射率比超過3之碟片，則無法得出 安定的聚焦伺服，而會造成重要的相位差再生信號的品質 之劣化。 _29^__ 本紙柒尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格< 210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 4 5 2 7 y 〇 經濟部中央標率局負工消f合作社印製 五、發明説明（>?) 以上所說明的實施形態及實施例其意圖僅是將本發明 的技術內容更加明確化，本發明並非僅限於這些具體例， 只要在本發明的精神及申請專利範圍所記載的範圍內可進 行各種變更而加以實施。 [產業上的利用可能性] 本發明能應用於可記錄的各種光碟片，例如相變化光 碟片、光磁性碟片、色素光碟等，或應用於在這些光碟片 上將資訊記錄、再生之裝置。 30 ---------^------1T------1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

  1. 3 9 8 88Do ABCD 經濟部申央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 · 一種光學資訊記錄媒體之記錄、再生方法，係使 用在具有導溝之圓盤狀基板上、至少具備可藉雷射光之照 射而在非晶質狀態與結晶狀態間產生相變化的記錄薄膜所 構成之光學資訊記錄媒體，基於資訊信號以照射雷射光， 使用得自前述基板的導溝之跟蹤誤差信號而在施加跟蹤伺 服下’藉由在前述記錄薄膜上形成記錄標記以記錄所望的 信號；對在記錄薄膜上形成有記錄標記之光學資訊記錄媒 體照射雷射光，而基於得自前述記錄標記之跟蹤誤差信號 ，以在施加跟蹤伺服下將信號再生。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄、再生方法’其中，將信號記錄於記錄薄膜時之跟 蹤方式爲推挽法。 -3 ·如申請專利範圍第1項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄、再生方法’其中，將記錄於記錄薄膜的信號再生 時之跟蹤方式爲相位差跟蹤法。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄、再生方法，其中，導溝之溝深爲d(nm)、記錄用 的雷射光之波長爲λ^ηπι)、對於波長人1基板的折射率爲tll 時，前述溝深（1與\1及ηι之關係爲： 0,05 X λι/ii!<d 當用以將形成於記錄薄膜上之記錄標記再生的雷射光 的波長爲λ2(ηηι)，對於波長λ2基板的折射率爲n2時，前 述溝深」與）、2及112之關係爲： d<0.09x λ2/\\2 本紙張尺度適用中國國家裸準（CNS ) Α4坑格（210X297公釐） ---I - - _ 1 I a m 一 · ^ 、vs (請先W讀背面之注^^項再填寫本頁) 8 8 8 8 ABCD 452793 六、申請專利範圍 且入1與12之關係爲： I - I —II I - -I - - 1 - J *一衣 I ------ . .^^1 (請先閲tl背面之注意事項再填寫本頁) 5，如申請專利範圔第1項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄、再生方法’其中’對於再生用的雷射光之波長；t、2 的入射，來自光學資訊記錄媒體的記錄標記之反射光的相 位私、和來自記錄標記與記錄標記間的非記錄標記區域之 反射光的相位Φ2間之關係爲： (2η+0.5)Χπ<φ2-φ1<(2η+1)Χπ (其中 η 爲整數） 之場合，係在基板的溝間記錄信號： 前述關係爲： (2n+l)Xπ<φ2-φ,<(2η+1.5)Xπ (其中 η 爲整數） 之場合，係在基板的溝部記錄信號》 _6 ‘如申請專利範圍第1項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄 '再生方法，其中，記錄標記再生用的雷射光之波 長λ2的値爲630nm以上' 670nm以下，導溝之間隔爲0.74 ，記錄信號的線密度爲〇.267 μηΐ/位元，信號的調變 方式爲 8/16，RLL(2，10)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 7 * —種光學資訊記錄媒體之記錄、再生方法，係使 用在具有鏡面狀的記錄區域之圓盤狀基板上、至少具備可 藉雷射光之照射而在非晶質狀態與結晶狀態間產生相變化 的記錄薄膜所構成之光學資訊記錄媒體，在基板轉動下， 將雷射光照射部移動成記錄信號的半徑方向的間隔形成一 定時’基於資訊信號以照射雷射光，藉由在前述記錄薄膜 上產生相變化以形成記錄標記而將所望的信號在半徑方向 ___J._ 本紙張尺度適用中囷國家棣準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 1 5279 3 A8 BS C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 以一定的間隔加以記錄；對在記錄薄膜上形成有記錄標記 之光學資訊記錄媒體照射雷射光’而基於得自前述記錄標 記之跟蹤誤差信號’以在施加跟蹤伺服下將信號再生。 8 .如申請專利範圍第7項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄、再生方法’其中，將記錄於記錄薄膜的信號再生 時之跟蹤方式爲相位差跟蹤法3 9 .如申請專利範圍第7項所述之光學資訊記錄媒體 之記錄、再生方法，其中，記錄標記再生用的雷射光之波 長λ2的値爲630nm以上、670nm以下，導溝之間隔爲0.74 Mm，記錄信號的線密度爲0.267#m/位元，信號的調變 方式爲 8/16，RLL(2，10)。 1 0 ·如申請專利範圍第1或第7項所述之光學資訊 記錄媒體之記錄、再生方法，其中，基於資料信號以在記 錄薄膜上形成記錄標記時，至少令前述記錄標記形成用的 記錄薄膜預先結晶化，之後照射雷射光，以形成非晶質構 成的記錄標記。 1 1 ·—種光學資訊記錄媒體，係在具有溝深d(nm) 的導溝之圓盤狀基板上、至少具備可藉雷射光之照射而在 非晶質狀態與結晶狀態間產生相變化的記錄薄膜而構成之 光學資訊記錄媒體，其特徵在於： 當用以基於資訊信號於前述記錄薄膜上形成記錄標記 之雷射光的波長爲λ Knm)、對於波長λ i基板的折射率爲 ⑴時，前述溝深d與λ 1及m之關係爲： 0.05 X 入，/ηΑίΙ __ 3_____ 本紙浪尺度逍用中國國家榡準（CNS } A4说格（210X297公釐） ---------.4-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本f ) S1T- 5 2 7 9 3 D8 六、申請專利範圍 當用以將形成於記錄薄膜上之記錄標記再生的雷射光 的波長爲λ 2(nm)、對於波長;12基板的折射率爲n2時，前 述溝深d與；及之關係爲： d<0.09X λι/η2 對於波長λ 2的雷射光之來自記錄標記的反射光之相位 和來自非記錄標記區域之反射光的相位Φ2間之關係爲： (2η+0.7)Χ π<φ2-φι<(2η+1.3) X π (其中 η 爲整數）’ 對於波長λ2(ηιη)的雷射光之入射，來自前述光學資訊 記錄媒體的記錄標記之反射光的振幅強度^和來自非記錄 標記區域之反射光的振幅強度間之關係爲： 11^2^ 1 2 . —種光學資訊記錄媒體，係在圓盤狀基板上、 至少具備可藉雷射光之照射而在非晶質狀態與結晶狀態間 產生相變化的記錄薄膜而構成之光學資訊記錄媒體’其特 徵在於： 經濟部中央標準局負工消費合作社印裝 -I - I — - - H— - -- t κι n I ^^^1 —^ϋ 一 * (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 對於用以將前述光學資訊記錄媒體上所記錄的信號再 生而照射之波長λ2的雷射光，來自光學資訊記録媒體的記 錄標記之反射光之相位軻和來自非記錄標記區域之反射光 的相位φ2間之關係爲： (2η+0.7) X π<φ2-φι<(2η+1.3) X π (其中 η 爲整數）， 對於波長人^⑴!!)的雷射光之入射，來自光學資訊記錄 媒體的記錄標記之反射光的振幅強度h和來自非記錄標記 區域之反射光的振幅強度12間之關係爲： Ii<I2。 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 4 ------ —.........— 452793 A8 BS C8 —^^ 、申請專利範圍 1 3 ·如申請專利範圍第12項所述之光學資訊記錄嬅 11 ’其中，記錄區域中的基板表面爲鏡面且不具導溝。 1 4 ·如申請專利範圍第π或第12項所述之光學寶 訊記錄媒體，其中，對於波長;U(mn)的雷射光之入射，來 胃前述光擧資訊記錄媒體的記錄標記之反射光的振幅強度 ^和來自非記錄標記區域之反射光的振幅強度Ϊ2間之關係 1-3<ΙϊΧ12<3 - 1 5 ·如申請專利範圍第11或第12項所述之光學資 訊記錄媒體，其中，記錄標記中光學資訊記錄媒體的記錄 薄膜爲非晶質狀態，非記錄標記區域中光學資訊記錄媒體 的記錄薄膜爲結晶狀態。 1 .如申請專利範園第11或第12項所述之光學資 訊記錄媒體’其中，記錄標記中光學資訊記錄媒體的記錄 薄膜爲結晶狀態’非記錄標記區域中光學資訊記錄媒體的 記錄薄膜爲非晶質狀態。 經濟部中央梂準局員工消费合作社印製 1 7 ·如申請專利範圍第Η或第12項所述之光學資 訊記錄媒體，其中，構成記錄薄膜的元素，係包含擇自情 性氣體兀素及（B,C，Al，Si，Ti,V,Cr，Mn，Fe，Co，Ni，Zr,Ni，Se，Nb， &，以，1'^，八11，％，：6丨)等元素所構成群中之至少1種元素，且 這些兀素中Ge與Te以外的元素之原子量的和，相對Ge 與Te的原子量和爲以下。 1 8 如申請專利範圍第11或第12項所述之光學資 訊記錄媒體’其中’基板上依序形成有保護層、記錄薄膜 _____5___ 本紙張尺度逋用中國國家揉率（CMS > A4現格（210X297公ίΓI ---- 5 7 Oil ABCD 六、申請專利範圍 、保護層、反射層，且記錄薄膜的膜厚爲20nm以下。 1 9 *如申請專利範圍第11或第12項所述之光學資 訊記錄媒體，其中，構成記錄薄膜的主元素爲Ge與Te， Ge與Te之原子量比在45 : 55〜55 : 45之範圍內。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297公釐）
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