TW440613B - Method for pulling single crystal - Google Patents

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經濟部中央標準扃員工消費合作社印製 4 4 06 1 3 A7 _B7五、發明説明) 發明所鼷夕抟銜镅城 本發明係闞於一稱用K連缡進料型磁埸施加C Z法製造 矽（S i )或砷化鎵（G a A S )等之半導體單結晶的單結晶之提拉 方法。 依CZ法之單结晶提拉裝置係具有：作為氣密容器的容 器室，及設於該容器室之內部且儲存半導體融液的坩堝， 及加熱半導體融液的加熱器，及提拉半導體單结晶的提拉 機構。該裝置係在坩堝内之半導體融液浸潰半導體單结晶 之種子结晶，慢慢提拉該種子結晶，俾使其成長與‘種子结 晶同方位之大口徑的半導體簞结晶。 近年來，作為該CZ方法之一種，已開發出一種一面將 原料連缅地供應於坩堝一面賁行提拉的連續進料型磁場胞 加CZ法（M下簡稱為CMCZ法）。該方法係對於外坩堝與筒狀 隔間體之内坩堝所成的雙重坩堝之外坩堝，一面從石英製 之原料供應管供應資料，一固從内坩堝提拉半導髀單结晶 者，又從外部藉將磁場施加於坩堝内之半導髑融液，抑制 上述半導體融液内之對流者。該石英製之原料供應管係從 容器室上部下垂，而下端開口係接近於外坩堝之半導體 融液之液面。 然而，原料'供應管之下端開口係開口在比半導體融液 之液面約數公分上方，一方面，原料係被儲存在未暍筇在 來商加熱器或半専髁融液之輻射熱的容器室上部。投入於 原料供應管之原料係與在該原枓供應管内向容器室的流入 (请先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X29?公釐） 3 3 8 4 1 5 44 06 1 3 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、 發明説明（2 ) 1 之 例 如 氤 氣 之 惰 性 氣 體 ， 起 從 上 述 下 端 開 P '投 入 至 半 導 I 1 體 融 液 内 0 1 M. 明 要 旨 1 1 請 1 I 然 而 9 夜 依 以 往 之 CMCZ 法 的 單 结 晶 之 提 拉 方 法 及 採 用 先 閲 1 I 讀 1 | 蒸 氣 方 法 的 單 结 晶 之 提 位 裝 置 與 通 常 之 CZ方法 及 裝 置 相 背 1 I 之 1 bh 較 在 所 提 拉 的 單 結 晶 之 結 晶 格 子 產 生 空 洞 (格子缺陷） 注 意 1 I Ψ 1 (V 0 Ϊ d) 之 頻 度 t 係 依 操 作 條 件 有 變 大 之 趨 勢 0 項 再 1 -\ 填 ) 在CMCZ法 所 成 長 的 單 结 晶 中 空 洞 之 產 生 頻 度 變 大 係 窝 頁 1 與 來 白 原 料 供 應 管 的 原 料 投 入 方 法 有 關 連 者 〇 亦 即 t 在 Μ 1 一 定 壓 力 所 保 持 之 容 器 室 內 因 原 料 係 與 流 在 原 料. 供 應 管 1 1 内 之 惰 性 氣 體 一 起 被 投 入 ， 因 此 f 可 推 定 在 惰 性 氣 體 之 流 1 1 速 及 減 内 壓 與 產 生 空 洞 之 間 有 關 係 0 訂 1 本 發 明 係 鑑 於 上 述 情 事 而 創 作 者 ί 而 其 的 係 在 於 提 1 | 供 可 減 低 空 洞 之 產 生 的 單 结 晶 之 提 拉 方 法 及 使 用 該 方 法 的 I I 裝 置 者 0 1 Ϊ 本 發 明 的 單 结 晶 之 提 拉 方 法 1 其 特 徴 為 : 使 用 具 備 有 1 1 葡 密 容 器 t 及 在 氣 密 容 器 内 儲 存 半 導 體 融 液 之 互 相 連 通 之 I ί 外 坩 堝 及 内 坩 堝 而 成 的 雙 S 坩 堝 ， 及 從 氣 密 容 器 之 上 部 下 1 ] 垂 > 配 設 成 可 將 粒 狀 或 粉 狀 之 原 料 從 該 下 端 開 □ 投 入 至 外 1 i 坩 渦 之 半 導 體 融 液 中 的 原 料 供 應 管 之 裝 置 7 將 上 述 原 料 與 i I 向 密 閉 容 器 内 流 動 之 憤 性 氣 體 起 投 入 於 上 述 原 料 供 應 管 i L i I 内 t I i 將 上 述 氣 密 容 器 内 之 内 m 設 為 P ( To Γ Γ ), 並將上述惰 1 I 性 氣 體 之 流 贵 設 為 N ( P. / m i η * c m 2) 時 > — ! 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4规格（210X 297公釐） 440613 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 在0.048Ρ+0.〇264<Ν<0·07Ρ之領域投人上述原料者。 本發明之另一單結晶之提拉方法，其特徵為：使用具 備有氣密容器，及在氣密容器内儲存半導體融液之互相連 通之外坩堝及内坩堝而成的雙重坩堝，及從氣密容器之上 部下垂，配設成可將粒狀或粉狀之原料從該下端開口投入 至內坩堝與外坩堝之間的半専體融液中的原料供應管之裝 置，將儲存於外坩堝與內坩堝之間的半導體融液之重量設 為W(kg)，並將來自上述原料供應管的原料供應量設為Κ( g / m i η )時 在供應原料之部分的湄度Tra對於固液界面溫度‘Ts Μ Ts + 5(KTm<Ts + 100之條件下，能滿足 W2 0.3K-5(但是Κδ20)之條件者。 圖而夕簡屋說明 第1阃係表示使用於本發明之一實胞形態的單结晶之 提拉裝置的剖面圖。 第2圖係表示將原料之停滯試驗，液面之振動試驗及 產生空隙之試驗结果，在横軸探用爐內壓P(Torr)，而在 縱軸採用原料供應管之每一單位面積之氣體流最N(A / min* cm2)經整理的圖式。 第3画係表示將熔解試驗及產生空洞之試驗結果，在 縱軸採用儲存於1外坩渦與内坩堝之間的半導體融液之重最 W ( k g ) t而在横軸採用來自原料供應管之原料供應]i K U / m i η )的圖式。 發明夕酡住诨胞形裤 C請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) Α4规格（2丨0 X 297公釐） 5 3 8 4 15 44 06 1 3 A7 B7 五、發明説明（4 ) K下，參照圖式，說明使用於本發明的單f結晶之提拉 方法的單結晶提拉裝置。 如第1圖所示，在該單結晶提拉裝置1之容器室2内部， 配設有雙重坩堝3,加熱器4,原料供應管（原料供應手段） 5。雙重坩堝3係由略呈半球狀之石英製外世渦U,及設於 該外坩堝11內之圓筒狀的隔間體之石英製内泔堝12所構成 ;在内坩堝12之側壁下部，形成有將内坩堝12與外坩堝11 相連通的連通孔（未予圖示）。 雙重坩堝3係載置於垂直地豎設於容器室2之中央下部 之軸14上的保捋體（suscepter)15,形成K軸14之軸作為 中心在水平面上以一定速度施行旋轉驅動。又，在該雙重 坩堝3内，儲存有半導體融液（被加熱融解之半導體單结晶 的原料）21。加熱器4係在外坩堝11内加熱融解半導體之原 料，而且用以保溫由此所產生之半導體融液2 1者。加熱器 4係配設成圍繞保持體1 5及雙重坩堝3，加熱器4之外側係 藉由保溫用之隔熱構件（未予圖示）所圃繞。 原料供應管5係將半導體融液21的粒狀原料連鑛地供 應於外坩堝1 1與内坩堝1 2之間的半導體2 1 a之液面上所用 者。作為從原料供應管5所投入之原料，係例如Μ粉碎機 等跛碎多結晶矽之鑲錠成為小片（flake)狀者，或是從氣 賵原料藉熱分&法析出粒狀的多結晶矽之顆粒等，視鼐要 再添加硼（B )或磷（P )等之一般稱為慘雜物（d 〇 p a n t )的添加 元素。當半専體元料為砷化鎵（GaAs)時，該添加元素中又 添加鋅（Ζ η )或矽（S ί )等。 _ 本紙張又度適用中國國家榇準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） " 6 38415 乂請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

11T 經濟部_央榣準局貝工消費合作社印裝 4406 1 3 at B7 經济部中央標準局員工消费合作社印製 五、 發明説明（5 ) 1 原 料 供 DM 懕 管 5係上端側被支撐， 下端開口 5'a係配設在 1 1 離 開 半 導 體 融 液 2 1之 液 而 上 方 的 規 定 距 離 之位 置 0 該原料 1 供 應 管 5為防止污染及加工性之考量， 以矩形剖面之石英 請 1 1 管 所 構 成 〇 先 閱 讀 1 1 在 原 料 供 應 管 5之内部， 如氟氣（ Ar )氣體之惰性氣體 背 & 之 1 1 以 一 定 流 量 向 容 器 室 2內部流動， 而被投入原料供應管5内 注 意 事 項 再 填 1 I 的 原 料 係 與 惰 性 氣 體 一 起 向 半 導 體 融 液 2 1之液 面 搬 送，被 1 1 "1 投 下 〇 惰 性 氣 體 之 流 體 偽 成 為 可 隨 著 操 業 條件 連 m 地改變 本 頁 丫 流 量 〇 1 1 在 容 器 室 2之上部， 設有提拉機構及將氩氣（Ar)等惰 1 I 性 氣 體 導 入 於 容 器 室 2的導入口等< >提拉機構之- -部分的 1 1 提 拉 金 屬 線 2 4 ， 係 在 雙 重 坩 堝 3之上方， 設成- 面旋轉一 訂 1 面 上 下 移 動 Z 狀 m Jtus 〇 在 該 提 拉 金 屬 線24之 前端 經 由夾頭 1 1 安 裝 有 半 導 體 單 結 晶 之 稱 子 結 晶 0 又 > 將 該種 子 结 晶浸漬 1 1 在 内 坩 堝 1 2内 之 半 導 體 融 液 2 1之 後 t 使 之 上昇 1 Μ 種子结 1 晶 作 為 起 始 點 而 將 依 序 成 長 的 半 導 體 單 结 晶在 氩 氣 U「）等 1 I 惰 性 氣 體 氣 氛 中 被 提 拉 0 J 1 I 在 此 > 若 容 器 室 内 m 力 (爐内壓） 較 低 而A r 氣 鹘 等惰性 1 1 氣 WBB 頒 之 流 量 較 大 時 j 則 原 料 會 猛 投‘ 入 在 半 導贈 融 液 2 1内而 1 1 產 生 半 m 體 融 液 2 1之 液 面 的 振 動 〇 如 此 ♦ 若在 瑄 種 條件下 1 1 t 踅 行 單 结 晶 之 提 拉 時 ， 則 或 許 由 於 原 料 深深 侵 人 於半導 1 1- I 體 融 液 中 的 原 因 * 在 單 結 晶 中 產 生 空 洞 (V oid, 格子缺陷） t 之 情 形 很 多 0 又 ， 若 爐 內 壓 較 高 而 m 氣 m 等惰 性 氣 體之流 ! ! 最 較 小 時 t 則 原 料 # 停 滯 在 原 料 供 應 管 5內而成為無法投 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ2(·)7公龙） 7 38415 A7 4 4-06 1 3 B7 五、發明説明（6 ) 入原料。若爐内懕較髙時，則自半導體融液之残留氣體之 脫離被抑制而空洞之產生率增加。 流 之 樓 氣 性 惰 及 力 。 颳驗 內試 室下 器Μ 容 了 種作 瑄 ， 於偽 著之 乃洞 人空 明生 發產 本及 最 un 種 端 Γ 各 下 -1在 之 5 ， 管 E 應30 供為 料定 原設 將離 並距 , 的 r}_ 面 (A液 氣之 氣 2 為液 作融 豊 豊 氣導 性半 惰與 將5a □ ΜΗΝ 驗表 試於 滯示 停表 之果 料結 原其 行將 進 。 ， 驗 壓試 內生 爐.產 及 之 最洞 流空 體及 氣驗 之 試 振 之 面 液 表 及 .(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經濟部中央標準局肩工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國囷家標华（CNS ) Λ4規格（210X 297公趁） 8 3 8 4 1 5 Α7 Β7 五、發明説明（7 ) [表1] 經濟部中*標準局負工消费合作社印乳

Mo. 氣體流量 (l/min) 供應部剖面積 (cm2) 每一單位面積 (l/min * cm2) 爐内壓 (Torr) 結果 有 χ 無〇 停滞 液震 1空隙， 1 0.25 4.41 (Z.,1 x2. 1) 0.057 7 X — 2 10 X — — 3 15 X 一 — 4 30 X — 5 3. !5(L5x2. 1) 0.079 7 X — — 6 10 X — — 7 15 X — — 8 30 X — 一 9 2. 25(1. 5x 1.5) 0, 111 7 〇 — — 10 10 〇 — 一 11 15 〇 — — 12 30 X — — 13 0.5 4.41(2. 1x2. 1) 0. 113 7 〇 — — 14 10 〇 — 一 1 15 15 〇 一 — 1G 30 X — 一 17 3. 15(1.5x2. 1) 0. 159 7 〇 — — 18 10 〇 — — 19 !5 〇 一 — 20 30 X — — 21 2.25(Ι.5χ 1.5) 0.222 7 〇 — 一 22 10 〇 一 — 23 15 〇 — — 24 30 〇 — 一 2.5 0.75 4.41 (2. 1 x 2. 1) 0. !7 7 〇 一 〇 26 10 〇 — 〇 27 15 〇 — 〇 28 30 X — 一 29 3. 15(1.5x 2. 1) 0.238 7 . 一 — — 30 10 一 — — 31 15 一 — 32 30 〇 一 — 33 2. 25(1. 5 x 1. 5) 0. 333 7 — — — 34 10 — — 一 35 15 — — — 36 1 1 30 一 — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 297公釐） 9 3 8 4 1 5 44 06 1 3 A7 B7五、發明説明（8 )[表2]

No. 氣體流Ϊ (1/min) 供應部剖面積i (cni2) 每一單位面積 Π/min · era2) 爐内壓 (Torr) 結果 有 無 X 〇 濘滞 i液震 37 1.5 4. 41 (2. 1 X 2.[) 0. 34 7 〇 〇 〇 38 10 〇 〇 〇 39 15 .〇 — 〇 40 30 — — — 41 3. 15(1.5x2. 1) 0. 476 7 一 一 X 42 10 — 一 〇 43 i 15 — 〇 44 1 30 一 一 — 45 2.25(1.5x L5) 0.667 7 — — — 46 10 — — 一 47 15 — 一 — 48 30 — 一 — 49 3 4.4[C2. 1 x 2. 1) 0.68 7 X — 50 10 — 〇 X 51 15 — 〇 〇 52 30 — 〇 53 3. 15(1.5x2. 1) 0.952 7 — — — 54 10 — — — 55 15 — 一 — 56 30 — — — 57 2.25(1.5x 1.5) l. 333 7 — — — 58 10 一 — — 59 15 — X — 80 i 30 - 〇 — ,(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消f合作社印裝 將這呰試驗結果，整理成在梢軸表示爐內懕力P( To r r ),在縦軸表示原料供應管之每一單位面積之氣體流 最N ( ί. / m i η，c m 2 )時，則成為如第2閫所示。又，在第2圖 係省略表7K於上述表1及表2的資料之一部分。 圖中線a係區分產生有液面之振動的領域與未產士之 領域的線，藉由資料之統計性處理，該線係成為N = 0 . 0 8 P + 0.12。因此，#N<0.08P + 0.12之領域，係不會產生液而之 振動。可能為原料之投入速度及爐内壓力所抑制之結果。圖中線b係區分產生有原料之停滯的領域與未產生之 領域的線 > 賴由資料之統計性處理，該線係成為N = 0 . 0 0 4 8 10 ____ _____ _ 9 ^^^^1 ^^^^1 ^^^^1 I ^ϋ^—i ^^^1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公瘦） 3 8 4 1 5 A7 B7 五、發明説明（9 ) P + 0 . 0 2 6 4。因此，在N> 0.0 4 8 P + 0.02 6 4之領域，不會產生 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 原料之停滯 圖中線 產生空洞之 處理，該線 會產生空洞 ，則原料會 捲入半導體 因此，茌比 壓力抑制而 又，若 脫離被抑制 到區分空隙 由以上 ，則可安定 又，在 因半導體融 圍繞之領域 又，線 c係區分在相同爐内懕時逐漸增大氣體流量時， 領域與未產生之領域的線，藉由資料之統計性 係成為卜0.07?。.因此，在（]<0.07?之領域，不 。推測原料以大速度被投入在半導體融液中時 深深地侵人半導體融液，隨著此，氣氛氣體也 融液内，而該氣氛氣體成為產生空洞之原因。 上述線c之下方的領域，因原料之速度被爐内 減少，因此，推測不會產生空洞。 . 爐内壓變大時，則自半導體融液之殘留氣體的 而空洞之產生機率會變大。由實驗结果，可得 之產生領域與未產生領域的線d。線d係N = 2 0。 之結果，若在Μ線a、b、c、d所園繞之領域時 地實行依C M C Z法的單结晶成長。 第2圖中Μ線e所示，成為P = 5(To「r)M下時， 液21會沸騰，故實質上須以a、b、c、d、e所 。進行單结晶之成長。 a、c、d係藉由原料供應管5之F端開口 5a與半 導體融液21之液面之距離而變動者。 因此 ' a線係 N=(0.076〜0.084)Ρ+(0‘10〜0.14) c線係 ΝΜΟ,Οΰΰ 〜0.074)Ρ+(-0.02 0 2；) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) d線㈣=18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公鳘） 11 3 8 4 1 5 4406 A7 B7 五、發明説明（10 ) 所示地變動。 又，e線係依P液表面之徑向溫度坡度等之熱環境而 變動者。因此，在PM3〜7)之範圍内變動。 如上所述，依照本發明之第1的單结晶之提拉方法， 因具備氣密容器，及在氣密容器内儲存半導體融液之互相 連通之外坩堝及内坩堝所成的雙重坩堝，及從氣密容器之 上部下垂，配設成可將粒狀或粉狀之原料從該下端開口投 入至外坩堝之半導體融液中的原料供應管；上述原料與向 密閉容器内流動之惰性氣體一起投入在上述原料供應管內 將上述氣密容器内之内懕作巻Paorr),並將上述惰性氣 體之流景作為 N(A/min* cut2)時，在 0.048P + 0.0264<N< 0 . 0 7 P之領域投入上述原料，因此，一面減低產生空隙一 面可實行單結晶成長。 又，注重於半導體融液之慮最（原料投入重量）及來自 原料供應管之原料供應量，及產生空隙之關係，實行Μ下 之試驗。 Μ濟部中夾橾準局員工消費合作社印製 ·(請先閱讀背面之注意事項存填寫本頁) 變化櫧存於外坩堝與內坩堝之間的半導體融液之重最 (原料投人領域重最）及來自原料供應管的原料供應量，實 行熔解能力試驗及空隙之淹生試驗。試哪係在供應原料之 部分的溫度ΐ m ( C )對於固液界而溫度T s (勺）Μ T s + 5 0 < ΐ m < ΐ s +丨0 0之條件下實行。 將該調査结果_，在第3圖係在縱軸阃示採取儲存於外 坩堝與内坩堝之間的半導體融液之重量（原料投人領域重 量）W ( k g ),而在横铀圖示採取來自原科供應量K ( g / IB i η }, 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Λ4规格（2】OX 297公釐） ι 2 3 8 4 1 5 五、發明説明（11 ) A7 B7 之 解 熔 而 晶 結 再 會 不 料 原 之 入 投 所 示 表 係 〇 、- 之 中 圖 3 第 形 情 之 解 .熔 未 晶 結 .再 料 原 之 入 投 所 示 表 係 X 小 而 形 情 之 生 產 未 示 表 係 〇 大 而 形 情 之 洞 空 生 產 示 表 係 X 大 又 彤 情 域 領 的 洞 -空 理 生處 產性 未計 中統 域由 領藉 之係 解線 熔b ο 可 開 隔的 到域 得領 可之 , 洞 此空 由生 產 與 線 b Μ 是 但 示 表 有 而 隙 20空 Λ11 生 rrv 產 制 抑 可 係 ΛΗ MW 中 ο 2 Ali K 在 是 但 長 成 晶 结 單 時W’ 件1 條重 述域 上領 離入 偏投 在料 原 加 在 即 亦 藉 時 域 領 之 量 應 供 入 投 料 原 少 減 藉 是 或 足某 滿能 能而 即深 亦液 , 之 件液 條融 述體 上導 足半 滿加 能增 之藉 HR W 加 增 欲 坩 重 雙 因 惟 ο 應 對 度 程 徑 半 用 使 而 更 變 計 設 行 實 故 限 界 有 即 身 本 上 小 大 之 堝 坩 的 堝大 度 速 拉 提 少 減 須 為 成 最 應 供 料 原 少 減 了 為 又 法 方 拉 提 之 晶 結 單 液 融 阍 導 半 存 儲 內 器 2 容 第密 的氣 明在 發及 本 -照 器 依容 , 密 述氣 所有 上備 如具 用 使 因 之 ·(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消t合作社印製 容 開 密端 氣下 從該 及從 , 料 堝原 坩之 重狀 雙粉 的或 成狀 而粒 堝 黹 坩可 内成 及 設 堝配 坩 -外垂 之下 通部 速上 相 之 互器 應 N 供液 料融 原體 的導 中半 液的 融間 體之 導堝 半坩 的內 間與 之堝 堝坩 坩外 外 良 與存 堝儲 坩將 内 ； 至置 人裝 投之 □ 管 為 設 最 重 為 液 設 3 固 0 足 供f滿 料 } 能 原 P ， 的 Μ 下 W ^ ^ 吧爵-胄 供 Ζ 之 料 原 述 上 自 來 將 並 度 溫 的 分 部 之 料 原 應 供 在 Μ- Ρ /rv S T 度 溫 面 界 Λ11 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS > Λ4规格（210X297公釐） 3 3 8 4 1 5 4406 1 3 A7 B7 五、發明説明（12 ) 〇.3K-5(但是KS20)之條件，因此，減低產生空隙之狀態 下可實行單结晶成長。 明 說 置 裝 泣 提 之 晶 室 結 器 單容 堝 坩 密 氣 3 管 堝 應口 坩器 供開堝 重熱料端泔 雙加 原下外 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 1 堝 坩 内 經濟部中央標準局負工消f合作社印製 3 8 4 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210 X 297公慶）

Claims (1)

1. 4406 1:/ _H3_第8511585δ號専利申請案 申請專利範圍修正本 ~ ~… d - . -V —-· (90½ 3丹:2希@ )---------..............—一:二1. ~種單結晶之提拉方法，其特徵為：使用具備有氣密 容器，及在氣密容器内儲存半導體融液之互相連通之 外坩堝及内坩堝所成的雙重坩堝，及從氣密容器之上 部下垂，配設成可將粒狀或粉狀之原料從該下端開口 投入至外坩堝之半導體融液中的原料供磨管之裝置， 將上述原科與向密閉容器内流動之憤性氣體一起投入 於上述原料供應管内；將上述氣密容器内之内壓設為Ρ(Τ〇ι·Γ),並將上述 惰性氣體之流量設成N(Ji/niin· cm2)時.在 7<P<15,且 O.fMSP + O.OZMitUO.O?!1之領域投入 上述原料，同時向上拉提單晶者； 將儲存於外坩堝與内坩堝之間的半導體融液之重 量設為W(kg),並將來自上述原料供應管的原料供應量 設為K(g/min)時， 經濟部中央標準局員工福利委員會印li 度 度 溫 的 分 部 之 料 原 應 供 在 溫 面 界 液 固 於 對 S V Μ + S 且 者 晶 ο 單 7 提 VII ί Κ 拉 VII 上 2 向 足時 滿同 能料 Μ 原 該 入 下 件 條 之 投 式 方 之 件 條 本紙張尺度適用中國國家標準（C N S ) A 4规格（210 X 297公愛) 1 3 8 4 1 5