JP3232461B2 - 単結晶の成長方法 - Google Patents

単結晶の成長方法

Info

Publication number
JP3232461B2
JP3232461B2 JP52170795A JP52170795A JP3232461B2 JP 3232461 B2 JP3232461 B2 JP 3232461B2 JP 52170795 A JP52170795 A JP 52170795A JP 52170795 A JP52170795 A JP 52170795A JP 3232461 B2 JP3232461 B2 JP 3232461B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
single crystal
temperature
temperature gradient
heating
crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP52170795A
Other languages
English (en)
Inventor
平光 谷口
聰明 朝日
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Eneos Corp
Original Assignee
Japan Energy Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=26359926&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JP3232461(B2) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Japan Energy Corp filed Critical Japan Energy Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP3232461B2 publication Critical patent/JP3232461B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • C30B11/003—Heating or cooling of the melt or the crystallised material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C30B29/48—AIIBVI compounds wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、化合物半導体の単結晶の成長方法に関し、
特に蒸気圧制御を行いながら垂直グラジェントフリージ
ング（VGF）法によりCdZnTeやCdTeなどの単結晶を融液
成長させる方法に関する。
背景技術 従来より、化合物半導体の単結晶を成長させる方法と
して、垂直グラジェントフリージング（VGF）法や垂直
ブリッジマン法などが知られている。そして、転位等の
少ない良質な単結晶を成長させるために種々の成長条件
の制御方法についての出願がされている。
例えば、CGF法については先に本出願人の出願した特
公平５−59873号公報に記載の発明が公知である。その
発明の内容は、加熱炉内の温度分布を、原料融液の表面
中心が最も低く、半径方向外側に向かうほど高く、且つ
下方ほど高くなるように保持しつつ、0.1〜10℃/cmの固
液界面温度勾配及び0.01〜１℃/hrの冷却速度にて加熱
炉内を冷却して、融液表面中心より下方へ向かって単結
晶を成長させるというものである。
また、垂直ブリッジマン法については、結晶に沿った
炉壁温度勾配及び融液に沿った炉壁温度勾配を、結晶と
融液の熱伝導率に基づいて調節する方法（特開平２−23
9181号公報に記載）や、るつぼ外周の複数箇所の温度を
検出し、それに基いて一定時間にるつぼ内部の温度分布
や成長界面の位置・形状を計算推定して制御する方法
（特開平１−212291号公報に記載）などが出願されてい
る。
さらに、上記先願以外にも、VGF法や垂直ブリッジマ
ン法のように縦型の加熱炉を用い、垂直方向の温度勾配
を設けて結晶成長させる方法として、特開平２−167882
号、特開平３−183682号の各発明が公知である。特開平
２−167882号の発明は、上部に略逆円錐形部とその先端
に上部小開口を有する縦形容器を用い、その容器内に原
料融液を満たし、かつその原料融液に上部小開口を介し
て種結晶を接触させることにより下方に向かって原料融
液を固化させるものである。特開平３−183682号の発明
は、特開平２−167882号の発明を改良したもので、特開
平２−167882号で用いたものと同様の縦型容器の下部
に、過剰の原料融液を流出させる下部小開口を設け、そ
の下部小開口から原料融液を流出させることにより原料
融液の固化に伴う体積膨張による容器の破損等を回避す
るようにしたものである。
また、水平ブリッジマン法や水平グラジェントフリー
ジング法のように、横型の加熱炉を用いる方法では、特
開昭53−5867号公報に記載された発明が公知である。こ
れは、溶融物とシード（種結晶）を収容した容器を横型
炉内に装入し、溶融物の容器底部に接する面の温度を常
に溶融物の自由面（即ち、上面）の温度よりも高く保持
することにより溶融物をその上面から始まって容器の底
面で終わるように固化させるようにしたものである。
しかしながら、上記特公平５−59873号公報に記載さ
れた制御方法によれば、垂直ブリッジマン法よりも良質
の単結晶が得られるが、成長させた全ての結晶（インゴ
ット）が常に単結晶になっているとは限らず、多結晶化
してしまうものもあって歩留りはそれほど高くないとい
う問題点があった。
また、近年では、転位等の結晶欠陥のより少ない良質
で且つ大口径（例えば、直径４インチ）の単結晶が望ま
れているが、そのような単結晶を歩留り良く製造する方
法は未だ確立されるに至っていない。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたもので、その
目的とするところは、より品質の優れ、さらには大口径
の単結晶を歩留り良く製造することのできる単結晶の成
長方法を提供することにある。
発明の開示 上記目的を達成するために、本発明者等は、先ずCdZn
Te原料をpBN（熱分解窒化ホウ素）製るつぼ内に入れ、
それを石英アンプル内に浸入封入し、VGF法でCdZnTeの
３インチ（直径）結晶の成長を行い、その結晶１個から
製品規格に合格する25mm×30mmの矩形基板の得られた枚
数を１回の成長回数当たりの平均値（単結晶基板の収
率）として評価した。
その結果、蒸気圧制御を行わずに（ただし、上記原料
とともに石英アンプル内にその内容積に応じた量のCdの
単体を入れてある。）、第１図（ａ）に示すような２段
のヒータ11,12を有する２段型加熱炉10を用いた場合に
は単結晶基板の収率が4.6〜4.8枚であったのに対し、リ
ザーバ部付きの石英アンプルを用い、Cdの単体を入れた
リザーバ部を均一に加熱保持する蒸気圧制御を行ないな
がら、第１図（ｂ）に示すような３段のヒータ21,22,23
を有する３段型加熱炉20を用いた場合にはその収率が1
0.9枚に向上した。
本発明者等は、そのように蒸気圧制御を行った３段型
加熱炉の場合に単結晶基板の収率の良い炉と悪い炉があ
ることに着目し、その原因を調べたところ、良い炉と悪
い炉では炉内の温度分布特性の違いのあることを見い出
した。そして、成績の良い３段型加熱炉における炉内の
温度分布より、原料融液に対応する石英アンプルの外壁
近傍における垂直方向の第１の温度勾配及びるつぼの上
端よりも上方における垂直方向の第２の温度勾配のそれ
ぞれの適正範囲を見い出すに至った。
続いて、本発明者等は、それら第１の温度勾配及び第
２の温度勾配が夫々適正範囲内に納まるよう炉内の温度
分布の制御を行なうべく第１図（ｃ）に示すような７段
のヒータ31,32,33,34,35,36A,36Bを有する構成の７段型
加熱炉30を用いて単結晶成長を行ったところ、単結晶基
板の収率が21.6枚という優れた結果を得た。そして、７
段型加熱炉30における炉内温度分布に基いて３段型加熱
炉20の炉内温度分布を改善したり、改善不能な炉を使用
しないことにより、３段型加熱炉でも単結晶基板の収率
を20枚に改善することができた。従って、単結晶基板の
収率をあげるには第１の温度勾配及び第２の温度勾配を
夫々適正範囲内に納めることが重要であることが確認さ
れた。
さらに、本発明者等は、成長させる結晶の直径を大口
径化して４インチに設定して単結晶成長を試みたとこ
ろ、結晶の直径が３インチの場合に比べて第１の温度勾
配はより小さな値でよいという知見を得た。その知見に
基づき、第１の温度勾配の適正範囲の値を単結晶の口径
をパラメータとして関係式化するとともに、熱計算を行
って第２の温度勾配の適正範囲の値を一般化することに
より、本発明が完成されるに至った。
即ち、本発明に係る単結晶の成長方法は、リザーバ部
を有する石英アンプルの該リザーバ部に化合物半導体の
構成元素のうちの少なくとも１種の揮発し易い元素より
なる単体または化合物を入れるとともに、前記石英アン
プル内に前記化合物半導体の原料を入れたpBN製のるつ
ぼを設置して同石英アンプルを真空封止した後、該石英
アンプルを加熱炉内で加熱して前記原料を融解し、前記
リザーバ部を所定温度に加熱して同リザーバ部内の揮発
し易い前記元素の蒸気圧を上記石英アンプル内にかけて
蒸気圧制御を行うとともに、融解した原料融液に対応す
る前記石英アンプルの外壁近傍における垂直方向の第１
の温度勾配（α℃/cmとする。）が前記るつぼの上端よ
りも上方（本明細書では、るつぼの上端から10cm上方ま
での範囲を意味する。）における垂直方向の第２の温度
勾配（β℃/cmとする。）よりも小さくなるように、前
記加熱炉内の温度分布制御を行いながら同加熱炉内の温
度を徐々に下げて、前記原料融液の表面から下方に向か
って前記化合物半導体の単結晶を成長させるとともに、
成長させる単結晶の直径をDcmとする時、上記第１の温
度勾配（α℃/cm）は、51/D2〜102/D2℃/cm、より好ま
しくは58/D2〜83/D2℃/cmであり、一方、炉内温度の冷
却速度をＲ℃/hr、結晶の熱伝導率をλkcal/cm・hr・
Ｋ、結晶の比重をρg/cm3、結晶の溶融潜熱をLkcal/mo
l、結晶の式量をng/molとする時、次式： で求まるＸを用いて、上記第２の温度勾配（β℃/cm）
は、1.06X〜1.72X℃/cm、より好ましくは1.19X〜1.46X
℃/cmとする方法である。
なお、第１の温度勾配（α℃/cm）と第２の温度勾配
（β℃/cm）との間には遷移領域が存在する。
具体的には、例えば上記加熱炉として、少なくとも、
上記るつぼに対応する位置に配設されて上記第１の温度
勾配（α℃/cm）の制御を行なう第１の加熱手段と、該
第１の加熱手段の上方に配設されて上記第２の温度勾配
（β℃/cm）の制御を行なう第２の加熱手段と、前記第
１の加熱手段の下方に配設されて上記リザーバ部を加熱
する第３の加熱手段と、前記第２の加熱手段の上方及び
前記第３の加熱手段の下方にそれぞれ配設されて上記第
１の温度勾配（α℃/cm）及び上記第２の温度勾配（β
℃/cm）に対する外乱の影響を抑制する第４の加熱手段
及び第５の加熱手段と、前記第１の加熱手段と前記第３
の加熱手段との間に配設されて同第１の加熱手段と同第
３の加熱手段との相互の影響を抑制する第６の加熱手段
を有する加熱炉を用いる。そして、例えば上記化合物半
導体の単結晶は、CdZnTeまたはCdTeであり、その時のリ
ザーバ部の温度は、好ましくは770〜830℃、より好まし
くは790〜820℃である。
ここで、上記第１の温度勾配（α℃/cm）の値が上記
範囲であるのは、以下の理由による。即ち、融液表面か
ら単結晶を成長させる方法では、炉内温度を下げていく
過程で融液表面に発生した核が単結晶に成長していく
が、第１の温度勾配（α℃/cm）が大き過ぎると融液の
対流が強くなって、融液表面に発生した核が対流により
消失するなど核発生が安定しなくなってしまい、一方、
小さ過ぎるとるつぼ下側への供給熱量が少なくなってる
つぼ側壁の温度を融点以上に保持できなくなってしま
う。そして、核発生が不安定化した場合やるつぼ側壁の
温度が融点よりも下がった場合には多結晶化が非常に起
こり易くなるため、単結晶を成長させるにあたっては好
ましくないからである。
また、上記第２の温度勾配（β℃/cm）の値が上記範
囲であるのは、以下の理由による。即ち、第２の温度勾
配（β℃/cm）が小さ過ぎると融液表面または結晶上部
からの吸熱量が結晶の溶融潜熱による熱量より小さくな
って多結晶化してしまい、一方、大き過ぎると融液表面
のるつぼ内壁の温度が結晶成長の早い時期に融点以下と
なってそこから多結晶化してしまうからである。
さらに、CdZnTeまたはCdTeの単結晶を成長させる際の
リザーバ部の温度が上記範囲であるのは、本発明者等の
行なった実験によれば、リザーバ部の温度が770〜830℃
であれば、成長させた結晶中の析出物の最大直径値は10
μｍ程度であり、790〜820℃であれば、最大直径値は５
μｍに達しなかったからである（第４図参照）。
本発明に係る単結晶の成長方法によれば、加熱炉内の
温度分布を上述の如くα＜βとなるように制御して単結
晶の成長を行うため、融液表面からの放熱量が大きくな
って融液表面から下方に向かって単結晶の成長が始まる
が、その際単結晶成長中はるつぼ内周の温度が原料融液
の融点以上に保持されているので、融液表面から成長し
た単結晶は融液上に浮遊させられた状態となる。それに
よって、成長の進んだ単結晶がるつぼ内壁に接触してそ
こに新たな核が発生し多結晶化してしまうのが防止さ
れ、大口径の単結晶が歩留り良く製造される。
また、リザーバ部を有する石英アンプルを用い、化合
物半導体の構成元素のうちの少なくとも１種の揮発し易
い元素（易揮発性元素）よりなる単体または化合物を入
れたリザーバ部を所定温度に加熱してその易揮発性元素
の蒸気圧を印加する蒸気圧制御を行うようにしたため、
リザーバ部のない石英アンプル内に単に易揮発性元素を
所定量入れておく場合に比較して、印加する蒸気圧のば
らつきが抑制されるとともに、成長した単結晶表面での
分解や原料融液からの蒸発がより効果的に抑制されるの
で、リネージが減少し、また大きな析出物が発生するの
が防止され、より優れた品質の単結晶が得られる。
さらに、成長容器として石英アンプル内にpBN製るつ
ぼを真空封入して用いるようにしたが、pBN製るつぼに
はその側壁における熱伝導率が垂直方向では高く水平方
向では低いという異方性があるため、るつぼ下部に加え
られた熱量がるつぼ側壁の上部へ伝熱し易く、且つ水平
方向への放熱量が小さく抑えられるので、単結晶の成長
中、るつぼ内壁を融点以上に保つのに極めて有効であ
る。なお、いうまでもないが、pBN製るつぼには不純物
の汚染防止効果もある。また、るつぼには成長の終了し
た結晶を抜く際の抜き勾配（テーパー）が設けられてお
り、結晶が抜け易いように配慮されている。
さらにまた、成長させる単結晶の直径をDcmとする
時、原料融液の対応する石英アンプルの外壁近傍におけ
る垂直方向の第１の温度勾配（α℃/cm）が51/D2〜102/
D2℃/cm、より好ましくは58/D2〜83/D2℃/cmであるた
め、その第１の温度勾配（α℃/cm）が大き過ぎず、融
液表面に発生した核が消失してしまうほど融液の対流は
強くならないので、核発生が安定化し、一方、第１の温
度勾配（α℃/cm）が小さ過ぎす、るつぼ下側への供給
熱量が適度に保たれるので、単結晶の成長中、るつぼ側
壁が融点以上に保持されることとなり、大口径の単結晶
が歩留り良く製造される。
特に、加熱炉として、上述した少なくとも第１〜第６
の加熱手段を有する多段型の炉を用いることにより、第
１の温度勾配（α℃/cm）と第２の温度勾配（β℃/cm）
の制御性が極めて良くなり、単結晶基板の収率が飛躍的
に向上する。
また、CdZnTeやCdTeの単結晶を成長させる際に、リザ
ーバ部の温度が770〜830℃であれば、成長させた結晶中
の析出物は最大でも直径10μｍ程度の小さいものであ
り、また790〜820℃であれば、析出物は最大でも直径５
μｍに達しない極めて小さいものであり、従って極めて
優れた品質の単結晶が得られる。
図面の簡単な説明 第１図は、VGF法において使用される３タイプの加熱
炉の概略を示す模式断面図、第２図は、本実施例におい
て用いた３段型加熱炉の模式断面図、第３図は、本実施
例における原料融液及びその上方の炉内温度分布の一例
を示す温度−位置特性図、第４図は、本実施例における
リザーバ部の温度と析出物の直径との相関関係を示す特
性図である。
発明を実施するための最良の形態 本発明に係る単結晶の成長方法は、石英アンプルのリ
ザーバ部を所定温度に加熱保持して行なう蒸気圧制御を
行いながら、原料融液に対応する石英アンプルの外壁近
傍における垂直方向の第１の温度勾配（α℃/cm）がる
つぼの上端よりも上方における垂直方向の第２の温度勾
配（β℃/cm）よりも小さくなるように、加熱炉内の温
度分布制御を行いつつ原料融液の表面から下方に向かっ
て化合物半導体の単結晶を成長させるものであり、それ
ら第１の温度勾配（α℃/cm）及び第２の温度勾配（β
℃/cm）の適正範囲を夫々規定してなるものであるが、
先ず、それらの各適正範囲を規定した経緯を説明し、そ
れによって本発明が客観的事実に基づき完成されたもの
で、成長させる単結晶の口径や組成等による制限を受け
ない普遍的なものであることの根拠とする。
先ず、本発明者等は、第１図（ｂ）に示す３段型加熱
炉20と同じ構成の加熱炉を複数用いて直径80mm（３イン
チ）のCdZnTe単結晶の成長実験を行い（実験１）、単結
晶基板の収率の良い炉と悪い炉における炉内の温度分布
特性の比較を行った。そして、成長させた結晶が単結晶
である場合と多結晶である場合とについて炉内温度分布
を調べた結果、単結晶が得られる時の上記第１の温度勾
配（α℃/cm）の値は、0.8〜1.6℃/cm、より好ましくは
0.9〜1.3℃/cmであり、一方、上記第２の温度勾配（β
℃/cm）は1.6〜2.6℃/cm、より好ましくは1.8〜2.2℃/c
mであることがわかった。
この実験１においては、第２図に示すように、リザー
バ部1Aを有する石英アンプル１を用い、そのリザーバ部
1Aに易揮発性元素であるCd単体２を入れるとともに、Cd
ZnTe原料3AをpBN製るつぼ４に入れて石英アンプル１内
に設置し、その後石英アンプル１を真空封止した。そし
て、ヒータ22で加熱してるつぼ４内の原料3Aを融解し、
ヒータ23でリザーバ部1Aを所定温度、例えば770〜830℃
に加熱して蒸気圧制御を行なうとともに、ヒータ21でる
つぼ４の下方を加熱した。加熱炉20内に所望の温度分布
が生じるようにそれらヒータ21,22,23への供給電力量を
図示しない制御装置で制御しながら、加熱炉20内に温度
に徐々に下げて原料融液3Bの表面から下方に向かって結
晶化させた。
また、石英アンプル１の外壁近傍に熱電対5A,5B,5C,5
D,5Eを設置して、石英アンプル１の外壁近傍における温
度を測定した。熱電対5A,5B,5C,5D,5Eの各位値は、石英
アンプル１の底、底から30mm上方、底から60mm上方、底
から90mm上方、石英アンプル１のキャップ1B（底から22
0mm上方）に夫々対応する位置である。これら５つの熱
電対5A,5B,5C,5D,5Eによる温度測定値に基いて、上記第
１の温度勾配（α℃/cm）及び上記第２の温度勾配（β
℃/cm）の値を求めた。
ところで、本発明者等は、上記第１の温度勾配（α℃
/cm）及び上記第２の温度勾配（β℃/cm）の各値を上述
した適正範囲内に精度良く納めるために、第１図（ｃ）
に示すような７段のヒータ31,32,33,34,35,36A,36Bを有
する構成の７段型加熱炉30を試作した。その７段型加熱
炉30において単結晶成長時に上記３段型加熱炉20と同様
にして複数の熱電対を用いて炉内温度分布を調べたとこ
ろ（実験２）、るつぼ底と初期の原料融液表面との間の
温度勾配、即ち第１の温度勾配（α℃/cm）は成長開始
から終了に至るまで略一定であり、３段型加熱炉20に比
べて温度制御の精度が向上していることがわかった。
第１図（ｃ）において、ヒータ31はるつぼに対応する
位置に配設されて上記第１の温度勾配の制御を行なう第
１の加熱手段であり、ヒータ32はるつぼの上端よりも上
方の空間を加熱して上記第２の温度勾配の制御を行なう
第２の加熱手段であり、ヒータ33は上記リザーバ部1Aを
加熱する第３の加熱手段であり、ヒータ34,35は炉内温
度分布に対する外乱の影響を抑制する第４の加熱手段及
び第５の加熱手段であり、ヒータ36A,36Bは前記ヒータ3
1と前記ヒータ33との相互の影響を抑制する第６の加熱
手段である。なお、第６の加熱手段のヒータは一つでも
よいし、またヒータの段数は７段に限らず８段以上でも
よい。
続いて、本発明者等は、上述した７段型加熱炉30を用
い、上記実験１と同様にして、直径４インチのCdZnTe単
結晶の成長を試みたところ（実験３）、第１の温度勾配
（α℃/cm）が0.53℃/cmで第２の温度勾配（β℃/cm）
が1.83℃/cmの条件下において単結晶が得られた。これ
より、成長させる結晶の口径が大きくなると第１の温度
勾配（α℃/cm）の適正値は小さくなることがわかり、
第１の温度勾配（α℃/cm）は結晶の断面積（即ち、直
径の２乗）に逆比例させると良いとの知見を得た。この
実験においても、ヒータ33でリザーバ部1Aを所定温度、
例えば770〜830℃に加熱して蒸気圧制御を行なった。
上記知見に基いて、種々の要因等による温度変動の許
容範囲を考慮した結果、第１の温度勾配（α℃/cm）の
適正範囲は、成長させる単結晶の直径をDcmとすると、5
1/D2〜102/D2℃/cm、より好ましくは58/D2〜83/D2℃/cm
となる。
なお、第３図に、４インチの口径の単結晶が得られた
時の炉内温度分布の一例の温度−位置特性図を示す。な
お、第３図において、各プロットは熱電対により測定し
た温度である。
次に、本発明者等は、実際の結晶成長時には測定する
ことのできない単結晶や原料融液やるつぼ内壁の各温度
から求められる固液界面の温度勾配を推測するために、
前提条件を設けて以下のような計算を行った。その前提
条件とは、成長固化した単結晶内で伝熱する熱量Q1と原
料融液の溶融潜熱Q2とが等しい（Q1＝Q2）ということで
あり、計算にあたっては以下の各数値及び記号を用い
た。
炉内温度の冷却速度:0.1K/hr 単結晶の直径:100mm（４インチ） CdTeの熱伝導率（融点近傍での値）:1.5W/m・ｋ＝1.2
9kcal/m・hr・Ｋ CdTeの比重:5.86g/mol CdTeの溶融潜熱:12kcal/mol 固液界面の温度勾配:Xk/cm 成長固化した単結晶内を伝熱する熱量Q1は次式で表さ
れる。
Q1＝π×52(cm2)×Ｘ(K/cm)×1.29(kcal/m・hr・Ｋ) ＝1.013X（kcal/hr） また、原料融液の溶融潜熱Q2は次式で表される。
Q2＝0.1(K/hr)÷Ｘ(K/cm)×π×52(cm2)×5.86(g/c
m3) ÷240（g/mol）×12（kcal/mol） ＝2.301/X（kcal/hr） Q1＝Q2であるから、 1.013X＝2.301/X となり、この方程式を解いて、 Ｘ＝1.51K/cm が得られる。つまり、固液界面の温度勾配は1.51K/cmで
あると推測される。
以上のことから、例えば上述した直径４インチのCdZn
Te単結晶の成長のように石英アンプルの外壁近傍で測定
した温度勾配（α℃/cm）が1.0K/cmよりも小さくなって
いても、実際の単結晶や固液界面での温度勾配はそれよ
りも大きくなっており、るつぼの上端よりも上方の空間
の温度勾配（1.83K/cm）より若干低い値になっているこ
とがわかる。従って、成長固化した単結晶内を伝熱する
熱量Q1と原料融液の溶融潜熱Q2とが等しいという前提条
件に基いて、後述するように第２の温度勾配（β℃/c
m）の一般化を図ることができる。
また、実際の単結晶や固液界面での温度勾配が1.51K/
cmであることから、単結晶の成長速度は次の計算式より
0.66mm/hrと見積もられる。
0.1（K/hr）÷1.51（K/cm）＝0.66（mm/hr） 従って、例えば長さ60mmの単結晶の実質成長時間は次
の計算式より91時間となる。
60（mm）÷0.66（mm/hr）＝91（hr） そして、通常、成長開始時点での原料融液表面に対応
する位置における石英アンプル外壁の温度は1117℃であ
り、その温度から0.1K/hrの冷却速度で冷却して、石英
アンプル外壁の温度が原料融液の融点（1098℃）に達し
た時点で完全に単結晶成長は完了している。ここで、る
つぼ内壁と石英アンプル外壁との温度差を5K（原料融液
内に熱電対を入れて行った予備実験により得られた値で
ある。）と見積もると、石英アンプル外壁の温度が1103
℃の時点で単結晶成長は既に完了していることになる。
従って、1117℃から1103℃に至る140時間のうち実質成
長時間は上記91時間であるため、成長開始後49時間が経
過して石英アンプル外壁の温度が1112℃となった時に原
料融液の表面に成長核が発生したことになる。これよ
り、成長開始後数十時間、或は百時間程度経過するまで
の炉内温度分布の制御を精度良行えば単結晶が得られる
ことがわかる。
次に、本発明者等は、CdTe以外のInP,GaAs,ZnSe,ZnTe
などの他の化合物半導体の単結晶成長についても本発明
の適用を可能ならしめるために、上述した具体例におい
て行った熱計算の結果を踏まえて、第２の温度勾配（β
℃/cm）を一般化することを行った。その際の前提条件
は、上記具体例の場合と同じで、成長固化した単結晶内
を伝熱する熱量Q1と原料融液の溶融潜熱Q2とが等しい
（Q1＝Q2）ということである。なお、炉内温度の冷却速
度等の前提条件の数値を次のように記号化する。
炉内温度の冷却速度（K/hr）:R 単結晶の断面積（cm2）:S 結晶の熱伝導率（kcal/cm・hr・Ｋ）：λ 結晶の比重（g/cm3）：ρ 結晶の溶融潜熱（kcal/mol）:L 固液界面の温度勾配（K/cm）:X 結晶の式量（g/mol）:n 成長固化した単結晶内を伝熱する熱量Q1は次式で表さ
れる。
Q1＝Ｓ×Ｘ×λ また、原料融液の溶融潜熱Q2は次式で表される。
Q2＝Ｒ÷Ｘ×Ｓ×ρ÷ｎ×Ｌ Q1＝Q2であるから、 Ｓ×Ｘ×λ＝Ｒ÷Ｘ×Ｓ×ρ÷ｎ×Ｌ となり、この式をＸについて解くと が得られる。
これに基いて、種々の要因等により温度変動の許容範
囲を考慮した結果、第２の温度勾配（β℃/cm）の適正
範囲は、1.06X〜1.72X℃/cm、より好ましくは1.19X〜1.
46X℃/cmとなる。
以上説明したようにして第１の温度勾配（α℃/cm）
及び第２の温度勾配（β℃/cm）を一般化したことの正
当性を検証するために、第１の温度勾配（α℃/cm）及
び第２の温度勾配（β℃/cm）を、それぞれ一般化され
た適正範囲から選択された値に設定して、上記実験１と
同様にして、CdZnTe単結晶の成長を複数回行った（実験
４）。得られた単結晶の面方位は常に優先成長方向であ
る（111）面であった。また、その単結晶から切り出し
た基板をHF系のエッチャントでエッチングしてエッチピ
ット密度（EPD）を測定したところ、EPDは４×104〜６
×104cm-2であった。この値は、転位密度に相当する値
である（K.Nakagawa et al.,Appl.Phys.Lett.,34（19
74）574）。さらに、四結晶Ｘ線回折測定の（333）面に
よる回折線の半値幅は20秒以下（７〜20秒）であった。
これらの測定結果より、得られたCdZnTe単結晶の結晶性
は良好であることがわかり、本発明の正当性が確認され
た。
続いて、本発明者等は、蒸気圧制御の対象となる易揮
発性元素の蒸気圧の大きさを決める因子となるリザーバ
部1Aの温度について、その最適温度を規定すべく実験を
行なった（実験５）。その結果を第４図に示すが、同図
より、リザーバ部1Aの温度が770〜830℃、即ちCdの蒸気
圧が略1.0〜2.0気圧であれば、成長させた結晶中の析出
物は最大でも直径10μｍ程度の小さいものであり、また
790〜820℃、即ちCdの蒸気圧が略1.3〜1.8気圧であれ
ば、析出物は最大でも直径５μｍに達しない極めて小さ
いものであると推測されるので、リザーバ部1Aの温度は
好ましくは770〜830℃、より好ましくは790〜820℃であ
るとよいことがわかった。なお、リザーバ部1Aの温度が
約813℃（815〜825℃程度）でCdの蒸気圧が1.7気圧の時
に、結晶の電気伝導型はｐ型とｎ型の反転領域となり、
析出物は最も小さかった。
この実験５では、リザーバ部1Aを750℃、780℃、約81
3℃及び850℃の各温度に加熱し、それぞれの温度につい
て、上記実験１と同様にして、CdTe単結晶を成長させ
た。そして、得られた単結晶中の析出物の大きさを赤外
顕微鏡により測定した。
従って、本発明によれば、加熱炉として上述したよう
な７段型加熱炉を用いた場合は勿論、３段型加熱炉を用
いた場合でも、より優れた品質で大口径の単結晶を歩留
り良く製造することができる。
なお、本発明は上記実施例により何等制限を受けるも
のではなく、例えばCdTeやCdZnTe以外のInP,GaAs,ZnSp,
ZnTeなどの他の化合物半導体の単結晶成長にも適用可能
であり、成長させる単結晶の口径も３インチ及び４イン
チに限らないし、その際に用いる加熱炉のヒータの段数
も３段や７段に限らない。
また、上記実施例のように石英アンプル１の外壁近傍
に設置した熱電対5A,5B,5C,5D,5Eにより常に石英アンプ
ル１の外壁近傍における温度を測定しながら単結晶成長
を行なう代わりに、石英アンプル１の外壁近傍以外の箇
所に温度の測定点を設け、予備実験等を行ってその新た
に設けた温度測定点と石英アンプル１の外壁近傍での温
度との関係を求めておき、その温度測定点の温度を測定
しながら第１の温度勾配（α℃/cm）及び第２の温度勾
配（β℃/cm）を制御して単結晶成長を行なうようにし
てもよい。
本発明に係る単結晶の成長方法によれば、るつぼの上
端よりも上方における垂直方向の第２の温度勾配（β℃
/cm）が原料融液に対応する石英アンプルの外壁近傍に
おける垂直方向の第１の温度勾配（α℃/cm）よりも大
きくなるようにしたため、融液表面から成長した単結晶
はるつぼ内壁に接触しないように融液上に浮遊させられ
た状態となるので、るつぼ内壁に新たな核が発生するの
が防止され、単結晶が得られ易くなる。
また、リザーバ部に易揮発性元素を入れて蒸気圧制御
を行うことにより、印加する蒸気圧をばらつかずに適当
な大きさに保つことができるとともに、成長した単結晶
表面での分解や原料融液からの蒸発がより効果的に抑制
されるので、リネージが減少し、また大きな析出物が発
生するのが防止され、単結晶の品質が向上する。
さらに、熱伝導率異方性を有するpBN製るつぼを用い
ることにより、るつぼ下部に加えられた熱量がるつぼ側
壁の上部へ伝熱し易く、且つ水平方向への放熱量が小さ
く抑えられるので、単結晶の成長中、るつぼ内壁を融点
以上に保つのに極めて有効である。
さらにまた、第１の温度勾配（α℃/cm）が51/D2〜10
2/D2℃/cm、より好ましくは58/D2〜83/D2℃/cmであれ
ば、融液の対流による核の消失が起こらず、核発生が安
定化するだけでなく、るつぼ下側への供給熱量が適度に
保たれることとなって、単結晶の成長中、るつぼ側壁が
融点以上に保持されるので、単結晶が得られ易くなる。
特に、加熱炉として、少なくとも、第１の温度勾配
（α℃/cm）の制御を行なう第１の加熱手段と、第２の
温度勾配（β℃/cm）の制御を行なう第２の加熱手段
と、リザーバ部を加熱する第３の加熱手段と、外乱の影
響を受けるのを抑制する第４の加熱手段及び第５の加熱
手段と、第１の加熱手段と第３の加熱手段との相互の影
響を抑制する第６の加熱手段を有する多段型の加熱炉を
用いることにより、第１の温度勾配（α℃/cm）と第２
の温度勾配（β℃/cm）の制御性が極めて良くなり、単
結晶基板の収率が飛躍的に向上するという効果が得られ
る。
また、CdZnTeやCdTeの単結晶を成長させる際に、リザ
ーバ部の温度が770〜830℃であれば、成長させた結晶中
の析出物は最大でも直径10μｍ程度の小さいものであ
り、また790〜820℃であれば、析出物は最大でも直径５
μｍに達しない極めて小さいものであり、従って極めて
優れた品質の単結晶が得られる。
以上述べたように、本発明は、より優れた品質で大口
径の単結晶を歩留り良く製造することができるという効
果を有する。
産業上の利用可能性 以上説明したように、本発明は化合物半導体の単結晶
の製造、特に蒸気圧制御を行いながらVGF法により化合
物半導体の単結晶を製造するのに利用して最も効果的で
ある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−70276（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−37488（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−246199（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−239181（ＪＰ，Ａ) 特公 平５−59873（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】リザーバ部を有する石英アンプルの該リザ
    ーバ部に化合物半導体の構成元素のうちの少なくとも１
    種の揮発し易い元素よりなる単体または化合物を入れる
    とともに、前記石英アンプル内に前記化合物半導体の原
    料を入れたpBN製のるつぼを設置して同石英アンプルを
    真空封止した後、該石英アンプルを加熱炉内で加熱して
    前記原料を融解し、前記リザーバ部を所定温度に加熱し
    て同リザーバ部内の揮発し易い前記元素の蒸気圧を上記
    石英アンプル内にかけて蒸気圧制御を行うとともに、融
    解した原料融液に対応する前記石英アンプルの外壁近傍
    における垂直方向の第１の温度勾配が前記るつぼの上端
    よりも上方における垂直方向の第２の温度勾配よりも小
    さくなるように、前記加熱炉内の温度分布制御を行いな
    がら同加熱炉内の温度を徐々に下げて、前記原料融液の
    表面から下方に向かって前記化合物半導体の単結晶を成
    長させるとともに、成長させる単結晶の直径をDcmとす
    る時、上記第１の温度勾配は、51/D2〜102/D2/cm、より
    好ましくは58/D2〜83/D2℃/cmであり、一方、炉内温度
    の冷却速度をＲ℃/hr、結晶の熱伝導率をλkcal/cm・hr
    ・Ｋ、結晶の比重をρg/cm3、結晶の溶融潜熱をLkcal/m
    ol、結晶の式量をng/molとする時、次式： で求まるＸを用いて、上記第２の温度勾配は、1.06X〜
    1.72X℃/cm、より好ましくは1.19X〜1.46X℃/cmである
    ことを特徴とする単結晶の成長方法。
  2. 【請求項２】上記加熱炉として、少なくとも、上記るつ
    ぼに対応する位置に配設されて上記第１の温度勾配の制
    御を行なう第１の加熱手段と、該第１の加熱手段の上方
    に配設されて上記第２の温度勾配の制御を行なう第２の
    加熱手段と、前記第１の加熱手段の下方に配設されて上
    記リザーバ部を加熱する第３の加熱手段と、前記第２の
    加熱手段の上方及び前記第３の加熱手段の下方にそれぞ
    れ配設されて上記第１の温度勾配及び上記第２の温度勾
    配に対する外乱の影響を抑制する第３の加熱手段及び第
    ５の加熱手段と、前記第１の加熱手段と前記第３の加熱
    手段との間に配設されて同第１の加熱手段と同第３の加
    熱手段との相互の影響を抑制する第６の加熱手段を有す
    る加熱炉を用いることを特徴とする請求の範囲第１項記
    載の単結晶の成長方法。
  3. 【請求項３】上記化合物半導体の単結晶は、CdZnTeまた
    はCdTeであることを特徴とする請求の範囲第１項または
    第２項記載の単結晶の成長方法。
  4. 【請求項４】上記リザーバ部の温度は、好ましくは770
    〜830℃、より好ましくは790〜820℃であることを特徴
    とする請求の範囲第３項記載の単結晶の成長方法。
JP52170795A 1994-02-21 1994-12-14 単結晶の成長方法 Expired - Fee Related JP3232461B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2265994 1994-02-21
JP6-22659 1994-07-13
JP6-161539 1994-07-13
JP16153994 1994-07-13
PCT/JP1994/002089 WO1995022643A1 (fr) 1994-02-21 1994-12-14 Procede de croissance d'un monocristal

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP3232461B2 true JP3232461B2 (ja) 2001-11-26

Family

ID=26359926

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52170795A Expired - Fee Related JP3232461B2 (ja) 1994-02-21 1994-12-14 単結晶の成長方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5603763A (ja)
JP (1) JP3232461B2 (ja)
WO (1) WO1995022643A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100945668B1 (ko) 2008-12-11 2010-03-05 (주)포티조 Ｖｇｆ법에 의한 갈륨비소 단결정 성장방법
WO2017006597A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 Ｊｘ金属株式会社 ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5698029A (en) * 1995-06-06 1997-12-16 Kabushiki Kaisha Kobe Sekio Sho Vertical furnace for the growth of single crystals
KR0176328B1 (ko) * 1995-12-19 1999-03-20 김은영 축방향 자기장을 인가할 수 있는 수직온도 구배냉각 및 수직브릿지만 화합물 반도체 단결정 성장장치
US6299680B1 (en) 1998-05-11 2001-10-09 Japan Energy Corporation CdTe crystal or CdZnTe crystal and method for preparing the same
JP3595977B2 (ja) 1999-10-15 2004-12-02 株式会社日鉱マテリアルズ 結晶成長装置及び単結晶の製造方法
JP3648703B2 (ja) * 2000-01-07 2005-05-18 株式会社日鉱マテリアルズ 化合物半導体単結晶の製造方法
FR2816755B1 (fr) * 2000-11-13 2002-12-20 Commissariat Energie Atomique Procede de croissance d'un materiau semi-conducteur massif de type ii-vi
ES2329217B1 (es) * 2008-05-22 2010-09-17 Universidad Autonoma De Madrid Aparato y procedimiento para obtener monocristales semiconductores mediante el metodo bridgman.
CA2649322C (en) * 2008-09-30 2011-02-01 5N Plus Inc. Cadmium telluride production process
FR2956670B1 (fr) * 2010-02-19 2012-03-30 Soc Fr De Detecteurs Infrarouges Sofradir Procede pour la realisation d'un materiau semi-conducteur cristallise
CN103194790B (zh) * 2013-04-03 2016-08-03 中山大学 一种磷锗锌单晶体的生长装置与方法
CN103726100A (zh) * 2013-11-25 2014-04-16 青岛盛嘉信息科技有限公司 一种砷化镓多晶无液封合成方法
KR20190096932A (ko) * 2018-02-09 2019-08-20 제이엑스금속주식회사 화합물 반도체 및 그 제조 방법

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2175595B1 (ja) * 1972-03-15 1974-09-13 Radiotechnique Compelec
US4190486A (en) * 1973-10-04 1980-02-26 Hughes Aircraft Company Method for obtaining optically clear, high resistivity II-VI, III-V, and IV-VI compounds by heat treatment
JPS535867A (en) * 1976-07-06 1978-01-19 Masakuni Murakami Washer
JPS63319286A (ja) * 1987-06-22 1988-12-27 Nippon Mining Co Ltd 単結晶の成長方法
JPS6437488A (en) * 1987-08-03 1989-02-08 Katsumi Mochizuki Production of single crystal of compound semiconductor and device therefor
JP2649052B2 (ja) * 1988-02-17 1997-09-03 日本電信電話株式会社 結晶育成方法および育成装置
JPH01246199A (ja) * 1988-03-25 1989-10-02 Fujitsu Ltd 化合物半導体結晶の製造方法
JPH02167882A (ja) * 1988-12-22 1990-06-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶の育成方法及びその装置
JPH02239181A (ja) * 1989-03-10 1990-09-21 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 結晶成長装置および方法
JPH0340987A (ja) * 1989-07-10 1991-02-21 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 単結晶育成方法
US5037621A (en) * 1989-11-09 1991-08-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army System for the in-situ visualization of a solid liquid interface during crystal growth
JPH03183682A (ja) * 1989-12-08 1991-08-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 単結晶の育成方法及びその装置
US5169486A (en) * 1991-03-06 1992-12-08 Bestal Corporation Crystal growth apparatus and process
JP3166229B2 (ja) * 1991-08-30 2001-05-14 文化シヤッター株式会社 多重パネルシャッター
JP2979770B2 (ja) * 1991-09-11 1999-11-15 住友電気工業株式会社 単結晶の製造装置
JPH06239691A (ja) * 1993-02-12 1994-08-30 Japan Energy Corp 単結晶の成長方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100945668B1 (ko) 2008-12-11 2010-03-05 (주)포티조 Ｖｇｆ법에 의한 갈륨비소 단결정 성장방법
WO2017006597A1 (ja) * 2015-07-03 2017-01-12 Ｊｘ金属株式会社 ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法
JPWO2017006597A1 (ja) * 2015-07-03 2018-05-24 Ｊｘ金属株式会社 ＣｄＴｅ系化合物単結晶及びその製造方法
US10557215B2 (en) 2015-07-03 2020-02-11 Jx Nippon Mining & Metals Corporation CdTe-based compound single crystal and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US5603763A (en) 1997-02-18
WO1995022643A1 (fr) 1995-08-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3232461B2 (ja) 単結晶の成長方法
EP1774068B1 (en) Method of growing single crystals from melt
JP4830312B2 (ja) 化合物半導体単結晶とその製造方法
US7416603B2 (en) High quality single crystal and method of growing the same
TW201109483A (en) Systems, methods and substrates of monocrystalline germanium crystal growth
JP3343615B2 (ja) バルク結晶の成長方法
CN104651938A (zh) SiC单晶的制造方法
WO2007064247A2 (fr) Procede de croissance de cd1-xznxte, ou 0$m(f)x$m(f)1
JP5370394B2 (ja) 化合物半導体単結晶基板
JP3042097B2 (ja) 単結晶の育成装置及び育成方法
JP2704032B2 (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPH01317188A (ja) 半導体単結晶の製造方法及び装置
JP2690420B2 (ja) 単結晶の製造装置
JP3812573B2 (ja) 半導体結晶の成長方法
JP2543449B2 (ja) 結晶成長方法および装置
JPH10212192A (ja) バルク結晶の成長方法
JPH03193689A (ja) 化合物半導体の結晶製造方法
JPH09175892A (ja) 単結晶の製造方法
Nakajima et al. Liquid phase epitaxial growth of Si layers on Si thin substrates from Si pure melts under near-equilibrium conditions
RU2633899C2 (ru) Способ выращивания монокристаллов Cd1-xZnxTe, где 0≤x≤1, на затравку при высоком давлении инертного газа
JPH03228893A (ja) 結晶成長方法
JPH10338591A (ja) 化合物半導体単結晶の製造方法
JPH07300386A (ja) 半導体結晶の成長方法
JP3154351B2 (ja) 単結晶の育成方法
RU2199614C1 (ru) Способ выращивания кристаллов

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees