JPH09194287A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
- Publication number
- JPH09194287A JPH09194287A JP8004407A JP440796A JPH09194287A JP H09194287 A JPH09194287 A JP H09194287A JP 8004407 A JP8004407 A JP 8004407A JP 440796 A JP440796 A JP 440796A JP H09194287 A JPH09194287 A JP H09194287A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- raw material
- semiconductor melt
- supply pipe
- material supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ボイドの発生を低減する。
【解決手段】 気密容器２と、気密容器内で半導体融液
を貯留する互いに連通した外ルツボ１１及び内ルツボ１
２からなる二重ルツボ３と、気密容器の上部から垂下さ
れ、その下端開口から内ルツボと外ルツボとの間の半導
体融液中に粒状又は粉状の原料を投入可能に配置された
原料供給管５とを備え、外ルツボと内ルツボとの間に貯
留された半導体融液の重量をＷ（ｋｇ）とし、前記原料
供給管からの原料供給量をＫ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合
に、原料を供給した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓ
に対してＴｓ＋５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件下で、
Ｗ≧０．３Ｋ−５（但しＫ≧２０）の条件を満たすよう
にされていることを特徴とする。
を貯留する互いに連通した外ルツボ１１及び内ルツボ１
２からなる二重ルツボ３と、気密容器の上部から垂下さ
れ、その下端開口から内ルツボと外ルツボとの間の半導
体融液中に粒状又は粉状の原料を投入可能に配置された
原料供給管５とを備え、外ルツボと内ルツボとの間に貯
留された半導体融液の重量をＷ（ｋｇ）とし、前記原料
供給管からの原料供給量をＫ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合
に、原料を供給した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓ
に対してＴｓ＋５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件下で、
Ｗ≧０．３Ｋ−５（但しＫ≧２０）の条件を満たすよう
にされていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン（Ｓｉ）
やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を連続チ
ャージ型磁界印加ＣＺ法で製造するための単結晶引上装
置に関する。
やガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を連続チ
ャージ型磁界印加ＣＺ法で製造するための単結晶引上装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＺ法による単結晶引上装置は、気密容
器としてのチャンバと、このチャンバの内部に設けられ
た半導体融液を貯留するルツボと、半導体融液を加熱す
るヒーターと、半導体単結晶を引き上げる引上機構とを
有している。この装置は、ルツボ内の半導体融液に半導
体単結晶の種結晶を浸し、この種結晶を除々に引き上
げ、種結晶と同一方位の大口径の半導体結晶を成長させ
るものである。
器としてのチャンバと、このチャンバの内部に設けられ
た半導体融液を貯留するルツボと、半導体融液を加熱す
るヒーターと、半導体単結晶を引き上げる引上機構とを
有している。この装置は、ルツボ内の半導体融液に半導
体単結晶の種結晶を浸し、この種結晶を除々に引き上
げ、種結晶と同一方位の大口径の半導体結晶を成長させ
るものである。
【０００３】近年、このＣＺ法の一つとして、ルツボに
原料を連続的に供給しながら引き上げを行う連続チャー
ジ型磁界印加ＣＺ法（以下、ＣＭＣＺ法と省略する。）
が開発されている。この方法は、外ルツボと筒状の仕切
り体である内ルツボとからなる二重ルツボの外ルツボに
対して、石英製の原料供給管から原料を供給しながら内
ルツボより半導体単結晶を引き上げるというものであ
り、さらに外部からルツボ内の半導体融液に磁界を印加
することにより前記半導体融液内の対流を抑制するもの
である。この石英製の原料供給管はチャンバの上部から
垂下され、その下端開口は外ルツボの半導体融液の液面
に近接している。
原料を連続的に供給しながら引き上げを行う連続チャー
ジ型磁界印加ＣＺ法（以下、ＣＭＣＺ法と省略する。）
が開発されている。この方法は、外ルツボと筒状の仕切
り体である内ルツボとからなる二重ルツボの外ルツボに
対して、石英製の原料供給管から原料を供給しながら内
ルツボより半導体単結晶を引き上げるというものであ
り、さらに外部からルツボ内の半導体融液に磁界を印加
することにより前記半導体融液内の対流を抑制するもの
である。この石英製の原料供給管はチャンバの上部から
垂下され、その下端開口は外ルツボの半導体融液の液面
に近接している。
【０００４】ところで、原料供給管の下端開口は、半導
体融液の液面より数センチメートル上方に開口してお
り、一方、原料は、ヒーターや半導体融液からの輻射熱
にさらされないチャンバの上部に貯留されている。そし
て、原料供給管内に投入された原料は、前記下端開口か
ら半導体融液内へ投入される。
体融液の液面より数センチメートル上方に開口してお
り、一方、原料は、ヒーターや半導体融液からの輻射熱
にさらされないチャンバの上部に貯留されている。そし
て、原料供給管内に投入された原料は、前記下端開口か
ら半導体融液内へ投入される。
【０００５】なお、ＣＭＣＺ法で成長される単結晶中に
おいては、ＣＺ法に比べて、ボイド（格子欠陥）の発生
頻度が大きくなる傾向がある。これは、原料供給管から
の原料の投入方法と関連があると考えられる。すなわ
ち、所定の圧力で保持されたチャンバ内において原料は
原料供給管内を流れる不活性ガスとともに投入されてい
るので、不活性ガスの流速及び炉内圧とボイド発生との
間に関係があると推定できる。
おいては、ＣＺ法に比べて、ボイド（格子欠陥）の発生
頻度が大きくなる傾向がある。これは、原料供給管から
の原料の投入方法と関連があると考えられる。すなわ
ち、所定の圧力で保持されたチャンバ内において原料は
原料供給管内を流れる不活性ガスとともに投入されてい
るので、不活性ガスの流速及び炉内圧とボイド発生との
間に関係があると推定できる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣＭ
ＣＺ法による単結晶引上装置では、単結晶の引上速度を
増大させると、ボイドの発生頻度が大きくなる傾向があ
る。
ＣＺ法による単結晶引上装置では、単結晶の引上速度を
増大させると、ボイドの発生頻度が大きくなる傾向があ
る。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ボイドの発生を低減することができる単結晶引上装
置を提供することを目的とする。
で、ボイドの発生を低減することができる単結晶引上装
置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の単結晶引上装置
は、気密容器と、気密容器内で半導体融液を貯留する互
いに連通した外ルツボ及び内ルツボからなる二重ルツボ
と、気密容器の上部から垂下され、その下端開口から内
ルツボと外ルツボとの間の半導体融液中に粒状又は粉状
の原料を投入可能に配置された原料供給管とを備え、外
ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導体融液の重量
をＷ（ｋｇ）とし、前記原料供給管からの原料供給量を
Ｋ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合に、原料を供給した部分の
温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対してＴｓ＋５０＜Ｔｍ
＜Ｔｓ＋１００の条件下で、Ｗ≧０．３Ｋ−５（但しＫ
≧２０）の条件を満たすようにされていることを特徴と
する。
は、気密容器と、気密容器内で半導体融液を貯留する互
いに連通した外ルツボ及び内ルツボからなる二重ルツボ
と、気密容器の上部から垂下され、その下端開口から内
ルツボと外ルツボとの間の半導体融液中に粒状又は粉状
の原料を投入可能に配置された原料供給管とを備え、外
ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導体融液の重量
をＷ（ｋｇ）とし、前記原料供給管からの原料供給量を
Ｋ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合に、原料を供給した部分の
温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対してＴｓ＋５０＜Ｔｍ
＜Ｔｓ＋１００の条件下で、Ｗ≧０．３Ｋ−５（但しＫ
≧２０）の条件を満たすようにされていることを特徴と
する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の単結晶引上装置について説明する。
の単結晶引上装置について説明する。
【００１０】図１に示すように、この単結晶引上装置１
のチャンバ２の内部には二重ルツボ３、ヒーター４、原
料供給管５が配設されている。二重ルツボ３はほぼ半球
状の石英製の外ルツボ１１と、外ルツボ１１内に設けら
れた円筒状の仕切り体である石英製の内ルツボ１２とか
ら構成され、内ルツボ１２の側壁下部には、内ルツボ１
２と外ルツボ１１とを連通する連通孔１２ａが形成され
ている。
のチャンバ２の内部には二重ルツボ３、ヒーター４、原
料供給管５が配設されている。二重ルツボ３はほぼ半球
状の石英製の外ルツボ１１と、外ルツボ１１内に設けら
れた円筒状の仕切り体である石英製の内ルツボ１２とか
ら構成され、内ルツボ１２の側壁下部には、内ルツボ１
２と外ルツボ１１とを連通する連通孔１２ａが形成され
ている。
【００１１】二重ルツボ３は、チャンバ２の中の下部に
垂直に立設されたシャフト１４上のサセプタ１５に載置
され、シャフト１４の軸線を中心として水平面上で所定
の速度で回転駆動されるようになっている。そして、こ
の二重ルツボ３内には、半導体融液（加熱溶解された半
導体単結晶の原料）２１が貯留されている。ヒーター４
は、半導体の原料を外ルツボ１１内で加熱融解すると共
に、それによって生じた半導体融液２１を保温するため
のものである。ヒーター４は、サセプタ１５および二重
ルツボ３を取り囲むように配設されており、ヒーター４
の外側は保温用の熱シールド部材（図示せず）により取
り囲まれている。
垂直に立設されたシャフト１４上のサセプタ１５に載置
され、シャフト１４の軸線を中心として水平面上で所定
の速度で回転駆動されるようになっている。そして、こ
の二重ルツボ３内には、半導体融液（加熱溶解された半
導体単結晶の原料）２１が貯留されている。ヒーター４
は、半導体の原料を外ルツボ１１内で加熱融解すると共
に、それによって生じた半導体融液２１を保温するため
のものである。ヒーター４は、サセプタ１５および二重
ルツボ３を取り囲むように配設されており、ヒーター４
の外側は保温用の熱シールド部材（図示せず）により取
り囲まれている。
【００１２】原料供給管５は、半導体融液２１の粒状ま
たは粉状の原料を外ルツボ１１と内ルツボ１２との間の
半導体融液２１の液面上に連続的に供給するためのもの
である。原料投入管５から投入する原料としては、例え
ば多結晶シリコンのインゴットを粉砕機等で破砕してフ
レーク状にしたもの、あるいは気体原料から熱分解法に
より粒状に析出させた多結晶シリコンの顆粒等であり、
必要に応じてドーパントと呼ばれる添加元素のホウ素
（Ｂ）やリン（Ｐ）等がさらに添加される。また、ガリ
ウムヒ素の場合は、添加元素として亜鉛（Ｚｎ）もしく
はシリコン（Ｓｉ）等ががさらに添加される。
たは粉状の原料を外ルツボ１１と内ルツボ１２との間の
半導体融液２１の液面上に連続的に供給するためのもの
である。原料投入管５から投入する原料としては、例え
ば多結晶シリコンのインゴットを粉砕機等で破砕してフ
レーク状にしたもの、あるいは気体原料から熱分解法に
より粒状に析出させた多結晶シリコンの顆粒等であり、
必要に応じてドーパントと呼ばれる添加元素のホウ素
（Ｂ）やリン（Ｐ）等がさらに添加される。また、ガリ
ウムヒ素の場合は、添加元素として亜鉛（Ｚｎ）もしく
はシリコン（Ｓｉ）等ががさらに添加される。
【００１３】原料供給管５は上端側が支持されており、
下端開口５ａが半導体融液２１の液面上方の所定の距離
離間した位置に配置されている。この原料供給管５は、
コンタミネーション防止および加工性の点から、矩形断
面の石英管で構成されている。
下端開口５ａが半導体融液２１の液面上方の所定の距離
離間した位置に配置されている。この原料供給管５は、
コンタミネーション防止および加工性の点から、矩形断
面の石英管で構成されている。
【００１４】原料供給管５の内部にはアルゴンガス等の
不活性ガスが所定の流量でチャンバ２の内部に向けて流
されており、原料供給管５内に投入された原料は、不活
性ガスとともに、半導体融液２１の液面に向かって搬送
・投下される。不活性ガスの流量は、操業条件に応じて
流量を連続的に変化させることができるようになってい
る。
不活性ガスが所定の流量でチャンバ２の内部に向けて流
されており、原料供給管５内に投入された原料は、不活
性ガスとともに、半導体融液２１の液面に向かって搬送
・投下される。不活性ガスの流量は、操業条件に応じて
流量を連続的に変化させることができるようになってい
る。
【００１５】チャンバ２の上部には、引上機構およびチ
ャンバ２にアルゴンガス（Ａｒ）等の不活性ガスを導入
するための導入口等が設けられている。引上機構の一部
である引上ワイヤ２４は、上方で回転しつつ上下動する
ようになっている。この引上ワイヤ２４の先端には、チ
ャックを介して半導体単結晶の種結晶が取り付けられて
いる。そして、この種結晶を内ルツボ１２内の半導体融
液２１に浸した後、上昇させ、種結晶を始点として順次
成長した半導体単結晶がアルゴンガス（Ａｒ）等の不活
性ガス雰囲気中で引き上げられる。
ャンバ２にアルゴンガス（Ａｒ）等の不活性ガスを導入
するための導入口等が設けられている。引上機構の一部
である引上ワイヤ２４は、上方で回転しつつ上下動する
ようになっている。この引上ワイヤ２４の先端には、チ
ャックを介して半導体単結晶の種結晶が取り付けられて
いる。そして、この種結晶を内ルツボ１２内の半導体融
液２１に浸した後、上昇させ、種結晶を始点として順次
成長した半導体単結晶がアルゴンガス（Ａｒ）等の不活
性ガス雰囲気中で引き上げられる。
【００１６】ここで、外ルツボと内ルツボとの間に貯留
された半導体融液の重量（原料投入領域重量）及び原料
供給管からの原料供給量を変化させて、溶解能力テスト
及びボイドの発生テストを行った。実験は、原料を供給
した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対してＴｓ＋
５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件で行った。
された半導体融液の重量（原料投入領域重量）及び原料
供給管からの原料供給量を変化させて、溶解能力テスト
及びボイドの発生テストを行った。実験は、原料を供給
した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対してＴｓ＋
５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件で行った。
【００１７】この調査結果を、図２に、縦軸に外ルツボ
と内ルツボとの間に貯留された半導体融液の重量（原料
投入領域重量）Ｗ（ｋｇ）を、横軸に原料供給管からの
原料供給量Ｋ（ｇ／ｍｉｎ）をとって、図示する。図２
中の小さな○は投入した原料が再結晶することなく溶解
した場合を示し、小さな×は投入した原料が再結晶して
溶解しなかった場合を示す。また、大きな×はボイドが
発生した場合を示し、大きな○はボイドが発生しなかっ
た場合を示す。
と内ルツボとの間に貯留された半導体融液の重量（原料
投入領域重量）Ｗ（ｋｇ）を、横軸に原料供給管からの
原料供給量Ｋ（ｇ／ｍｉｎ）をとって、図示する。図２
中の小さな○は投入した原料が再結晶することなく溶解
した場合を示し、小さな×は投入した原料が再結晶して
溶解しなかった場合を示す。また、大きな×はボイドが
発生した場合を示し、大きな○はボイドが発生しなかっ
た場合を示す。
【００１８】これにより、溶解能力が不足の場合と溶解
能力が十分である場合とを仕切るａ線が得られる。さら
に、溶解可能な領域であってボイドが発生しない領域と
ボイドが発生する領域とを仕切るｂ線が得られる。ｂ線
は、統計的処理により、Ｗ＝０．３Ｋ−５（但しＫ≧２
０）で表される。したがって、Ｋ≧２０においては、Ｗ
≧０．３Ｋ−５のときはボイドの発生の抑えつつ単結晶
成長することができる。
能力が十分である場合とを仕切るａ線が得られる。さら
に、溶解可能な領域であってボイドが発生しない領域と
ボイドが発生する領域とを仕切るｂ線が得られる。ｂ線
は、統計的処理により、Ｗ＝０．３Ｋ−５（但しＫ≧２
０）で表される。したがって、Ｋ≧２０においては、Ｗ
≧０．３Ｋ−５のときはボイドの発生の抑えつつ単結晶
成長することができる。
【００１９】前記条件を外れた場合すなわちＷ＜０．３
Ｋ−５の領域である場合には、原料投入領域重量Ｗを増
大させるか、又は原料投入供給量を減少させることによ
り、前記条件すなわちＷ≧０．３Ｋ−５を満たすように
することができる。Ｗを増大させるには、半導体融液の
液深さを増すことによりある程度対応することができる
が、二重ルツボ３の大きさにより自ずと限界があるの
で、設計変更を行い半径の大きなルツボを使用する。な
お、原料供給量を減少させるためには引上速度の減少が
必要となる。
Ｋ−５の領域である場合には、原料投入領域重量Ｗを増
大させるか、又は原料投入供給量を減少させることによ
り、前記条件すなわちＷ≧０．３Ｋ−５を満たすように
することができる。Ｗを増大させるには、半導体融液の
液深さを増すことによりある程度対応することができる
が、二重ルツボ３の大きさにより自ずと限界があるの
で、設計変更を行い半径の大きなルツボを使用する。な
お、原料供給量を減少させるためには引上速度の減少が
必要となる。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の単結晶引
上装置によれば、気密容器と、気密容器内で半導体融液
を貯留する互いに連通した外ルツボ及び内ルツボからな
る二重ルツボと、気密容器の上部から垂下され、その下
端開口から内ルツボと外ルツボとの間の半導体融液中に
粒状又は粉状の原料を投入可能に配置された原料供給管
とを備え、外ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導
体融液の重量をＷ（ｋｇ）とし、前記原料供給管からの
原料供給量をＫ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合に、原料を供
給した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対してＴｓ
＋５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件下で、Ｗ≧０．３Ｋ
−５（但しＫ≧２０）の条件を満たすようにされている
ので、ボイドの発生を低減しつつ単結晶成長を行うこと
ができる。
上装置によれば、気密容器と、気密容器内で半導体融液
を貯留する互いに連通した外ルツボ及び内ルツボからな
る二重ルツボと、気密容器の上部から垂下され、その下
端開口から内ルツボと外ルツボとの間の半導体融液中に
粒状又は粉状の原料を投入可能に配置された原料供給管
とを備え、外ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導
体融液の重量をＷ（ｋｇ）とし、前記原料供給管からの
原料供給量をＫ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合に、原料を供
給した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対してＴｓ
＋５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件下で、Ｗ≧０．３Ｋ
−５（但しＫ≧２０）の条件を満たすようにされている
ので、ボイドの発生を低減しつつ単結晶成長を行うこと
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態に使用される単結晶引上
装置を示す断面図である。
装置を示す断面図である。
【図２】溶解試験及びボイドの発生テストの結果を、縦
軸に外ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導体融液
の重量Ｗ（ｋｇ）を、横軸に原料供給管からの原料供給
量Ｋ（ｇ／ｍｉｎ）をとって、図示したものである。
軸に外ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導体融液
の重量Ｗ（ｋｇ）を、横軸に原料供給管からの原料供給
量Ｋ（ｇ／ｍｉｎ）をとって、図示したものである。
１ 単結晶引上装置 ２ チャンバ（気密容器） ３ 二重ルツボ ４ ヒーター ５ 原料供給管 ５ａ 下端開口 １１ 外ルツボ １２ 内ルツボ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 降屋 久 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 喜田 道夫 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 気密容器と、気密容器内で半導体融液を
貯留する互いに連通した外ルツボ及び内ルツボからなる
二重ルツボと、気密容器の上部から垂下され、その下端
開口から内ルツボと外ルツボとの間の半導体融液中に粒
状又は粉状の原料を投入可能に配置された原料供給管と
を備え、 外ルツボと内ルツボとの間に貯留された半導体融液の重
量をＷ（ｋｇ）とし、前記原料供給管からの原料供給量
をＫ（ｇ／ｍｉｎ）とした場合に、 原料を供給した部分の温度Ｔｍが固液界面温度Ｔｓに対
してＴｓ＋５０＜Ｔｍ＜Ｔｓ＋１００の条件下で、 Ｗ≧０．３Ｋ−５（但しＫ≧２０）の条件を満たすよう
にされていることを特徴とする単結晶引上装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8004407A JPH09194287A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 単結晶引上装置 |
| TW085115858A TW440613B (en) | 1996-01-11 | 1996-12-21 | Method for pulling single crystal |
| DE19700498A DE19700498B4 (de) | 1996-01-11 | 1997-01-09 | Einkristall-Ziehverfahren |
| KR1019970000447A KR100441357B1 (ko) | 1996-01-11 | 1997-01-10 | 단결정인상방법및그실행장치 |
| CNB971010099A CN1138878C (zh) | 1996-01-11 | 1997-01-10 | 拉单晶方法及其实现装置 |
| US08/781,842 US5891245A (en) | 1996-01-11 | 1997-01-10 | Single crystal pulling method and apparatus for its implementation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8004407A JPH09194287A (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 単結晶引上装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09194287A true JPH09194287A (ja) | 1997-07-29 |
Family
ID=11583474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8004407A Pending JPH09194287A (ja) | 1996-01-11 | 1996-01-12 | 単結晶引上装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09194287A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03199193A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH03295891A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH0412087A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH0477384A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Toshiba Corp | 半導体単結晶の引上装置 |
| JPH04198086A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-17 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶成長方法 |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP8004407A patent/JPH09194287A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03199193A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-08-30 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH03295891A (ja) * | 1990-04-13 | 1991-12-26 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造方法 |
| JPH0412087A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-16 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH0477384A (ja) * | 1990-07-19 | 1992-03-11 | Toshiba Corp | 半導体単結晶の引上装置 |
| JPH04198086A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-17 | Osaka Titanium Co Ltd | 単結晶成長方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5909276B2 (ja) | 最初のチャージだけをドーピングすることによる、均一にドーピングされたシリコンインゴットの成長 | |
| KR100441357B1 (ko) | 단결정인상방법및그실행장치 | |
| JPH09194288A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| NO20110755A1 (no) | Fremgangsmater til a fremstille en smelte av silisiumpulver for silisiumkrystallvekst | |
| JPWO2002068732A1 (ja) | 固形状多結晶原料のリチャージ管及びそれを用いた単結晶の製造方法 | |
| JP2010083685A (ja) | 原料供給装置、単結晶製造装置および単結晶の製造方法 | |
| JP2004244236A (ja) | リチャージ装置、インゴット引上げ装置、及びインゴット製造方法 | |
| JP3533416B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2005001977A (ja) | チョクラルスキー法による原料供給装置および原料供給方法 | |
| JPH09194287A (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP3085567B2 (ja) | 多結晶のリチャージ装置およびリチャージ方法 | |
| JP3564830B2 (ja) | シリコン単結晶中の酸素濃度制御方法 | |
| JP2531415B2 (ja) | 結晶成長方法 | |
| JP3840683B2 (ja) | 単結晶引上方法 | |
| JP3885245B2 (ja) | 単結晶引上方法 | |
| JPH09235192A (ja) | 低酸素濃度単結晶インゴット及び単結晶引上方法 | |
| JPH09188593A (ja) | 単結晶引上方法 | |
| JP3449096B2 (ja) | 単結晶引上装置における原料投入方法 | |
| JPH07330482A (ja) | 単結晶成長方法及び単結晶成長装置 | |
| JPH04305091A (ja) | 単結晶引上方法及びその装置 | |
| JP2009126738A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2010173880A (ja) | 半導体単結晶の製造方法および原料供給容器 | |
| JP3342625B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2850561B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JPH09188592A (ja) | 単結晶引上装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050927 |