TW439388B - Electro luminescence display device - Google Patents

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TW439388B
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Tsutomu Yamada
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種具備有電場發光元件及薄膜電晶體 的電場發光顯示裝置。 [習知之技術] 近年來，使用電場發光（Electro Luminescence:以下稱 為「EL」）元件的EL顯示裝置，係以替代crt或LCD的 顯不裝置為人所注目’例如’具備薄膜電晶體（Thin Film Transistor:以下稱為「TFT」）以作為驅動該EL元件之開關 元件的EL顯示裝置之研究開發也正在進展著。 第6圖係顯示具備習知之EL元件及TFT之EL顯示裝 置的等效電路圈。 同圓’係由第一 TFT130、第二TFT140及有機EL元 件160所構成的EL顯示裝置之等效電路圖，並顯示第η 列之閘極信號線Gn和互為正交之第m行之汲極信號線Dm 的附近。 供給閘極信號之閘極信號線Gn和供給汲極信號之汲 極信號線Dm係互為正交，而在兩信號線之交叉點附近， 設有有機EL元件160及用以驅動此有機EL元件160的 TFT130，140 ° 開關用TFT之第一 TFT130，係包含有連接在閘極信 號線Gn上以供給閘極信號的閘極131;連接在汲極信號線 Dm上以供給汲極信號的汲極電極132:以及連接於第二 TFT 140之閘極141上的源極電極133。 有機EL元件堪動用TFT之第二TFT 140，係包含有連 -------------裝--------訂·！---- 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 * 297公* ) 1 311055 f4 j：J3d8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（2 ) 接在第一 TFT130之源極電極133上的閘極141;連接在有 機EL元件160之陽極161上的源極電極142;以及連接在 供給至有機EL元件160之駆動電源15〇上的汲極電極 143 〇 又，有機EL元件160,係包含有連接在源極電極142 上的陽極161;連接在共用電極164上的陰極162;以及夾 於此陽極161和陰極】62之間的發光元件層163。 又’具備有其一方之電極m連接於第一 TFT130之 源極電極133和第二TFT14〇之閘極141之間而另一方之 電極172連接於共用電極！ 73上的輔助電容17〇〇 在此’有關第6圈之等效電路圖所示的電路之驅動方 法’係根據第7圖所示之信號的時序圈而加以說明。第7 圖（a)係顯示供給至第η列之第一 TFT 130之閘極131上的 信號VG(n)l之時序圈；第7圈（b)係顯示汲極信號線Dm 之没極信號VD之時序圖；第7圖（c)係顯示供給至第η列 之第二TFT140之閘極141上的信號VG(n)2之時序圖。 當來自第7圈（a)所示之閘極信號線Gn之閘極信號 VG(n)l施加在閘極131時，第一 TFT130成為導通》因此， 第7圖（b)所示之汲極信號VD就會從汲極信號線Dm供給 至閘極141上，且閘極141之電位會與汲極信號線Dm之 電位成為同電位。然後，相當於供給至閘極141之電流值 的電流會從驅動電源150供給至有機EL元件160上。藉 此有機EL元件160就會發光。 [發明所欲解決之問題] 私紙張尺度適用尹國國家標準（CNS〉A4規格（21〇 X 297公釐） 311055 I 1111 1- · 1---- f I ^ · 11------線.W (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 --------------- 五；發明說明（3 ) 在此，於第一 TFT1 30導通之期間，直到與汲極信號 線Dm之電位成為同電位為止電流會流動且會在閘極 之閘極電容上聚集電荷。然後，當第一 TFT13〇載止時， 聚集於該閘極電容内的電荷就會維持該狀態，而閘極電 位，有必要保持於如第7囷（c)之虚線所示般。 然而，上述習知之EL顯示裝置中，由於TFT載止時 會有洩漏電流流動，所以當汲極信號VD如第7圊所示 地在每一水平期間（1H)產生變化時，閘極141之電位 VG(n)2，就會如第7圖（c)之實線所示般地產生變化而無法 保持》 亦即，如第7圈（c)之實線所示，（1)在汲極信號線Djn 之電位低於供給至閘極141之電位時，洩漏電流就會經由 第一 TFT130流至汲極信號線Dm而使閘極141之電位降 低。又’（2)在汲極信號線Dm之電位高於供給至閘極ι41 之電位時’洩漏電流就會經由第一 TFT130流至閘極141， 而電荷會更加地聚集使得閘極141之電位變高。 如此的話’則在（1)之情況’比本來應流至有機EL元 件160之電流還大的電流就會流動而有機el元件之輝度 會變高，在（2)之情況，反而輝度會變低。 即使在該等之其中一個情況中，亦如第7圖（c)之實線 所示’當第一 TFT130之洩潙電流大時，就會有很難使要 發光之頰示像素以應要發光之輝度發光的缺點。 又’第二TFT ’係具有按照施加在第二TFT之閘極上 的電壓控制來自用以驅動有機EL之電源的電流並供給至 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂： .線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 * 297公* ) 3 311055 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（4 ) 有機EL元件上的功能，又，其主動層（acdve layer)，係包 含有與閘極重疊之通道區域為本質（intrinsic)或實質為本 質的區域、和於其兩側之區域摻入雜值的源極及汲極區 域。 然而’如第9圖之虛線所示，在第二TFT為η型通道 時’在其汲極電流-汲極電壓（Id_vd)特性中，由於即使增 大汲極電壓Vd也會變成一定的汲極電流值Id，即所謂飽 和的區域極窄（飽和特性差），所以當Vd值變大時電流值Id 就會變大，無法藉由電壓Vd獲得一定的電流而有電流之 控制性差的缺點》 尤其是在η型通道之多晶矽TFT中因存在有晶粒界 面’而因陷入晶粒界面的電子形成電位障（p〇tential Carrier) 而擴大空乏層》因此在汲極電極邊緣的晶粒界面會有較強 的電場作用’因而被加速的電子會發生與晶格撞擊的撞擊 電離現象，所以没極電流不會绝和而會增加。 因此’本發明係有鑒於上述習知之缺點而作者，其目 的在於提供一種藉由抑制第一 TFT1 30之洩漏電流以保持 第二TFT 140之閘極141的電位’同時改善第二TFT 140 之電流控制性’而能獲得良好的色調顯示之EL顯示裝置。 [解決問題之手段] 本發明之EL顯示裝置，其係包含有，電場發光元件， 於其陽極和陰極之間具有發光層；第一薄膜電晶體，分別 將由非單晶半導體膜所構成的主動層之源極連接在辅助電 容上’將前述主動層之汲極連接在汲極信號線上，而將設 卜紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------·.---r -T---訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 A7 " .， 五；發明說明（5 ) 於前述主動層之通道上方的閘極連接在閘極信號線上；以 及第二薄膜電晶體，分別將由非單晶半導體膜所構成的主 動層之没極連接在前述電場發光元件之驅動電源上，而將 閘極連接在前述第一薄膜電晶體之源極上，其中，前述第 一薄膜電晶體係具有η型通道’同時具備有LDD構造、多 閘極構造或補償構造t之任一個構造，而前述第二薄骐電 晶體係具備有p型通道。 又’本發明之EL顯示裝置’其係包含有，電場發光 元件，於其陽極和陰極之間具有發光層；第一薄膜電晶趙， 分別將由非單晶半導體臈所構成的主動層之源極連接在辅 助電容上’將前述主動層之汲極連接在汲極信號線上，而 將設於前述主動層之通道下方的閘極連接在閘極信號線 上；以及第二薄膜電晶體’分別將由非單晶半導體膜所構 成的主動層之没極連接在前述電場發光元件之媒動電源 上，而將閘極連接在前述第一薄膜電晶體之源極上，其中， 前述第一薄膜電晶艘係具有η型通道，同時具備有LDD構 造、多閘極構造或補償構造之中的任一個構造，而前述第 二薄膜電晶體係具備有ρ型通道。 [發明之實施形態】 本發明之EL顯示裝置係說明如下。 笫1實施形錤 第1圈係顯示將本發明應用於有機EL顯示裝置時之1 顯示像素的平面圈；第2圈（a)係顯示沿著第1圖中之Α-Α 線的裁面《，第2圈（b)係顯示沿著第1圖中之B_B線的截 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 311055 1 I I — — — — — — — ' I t I i I I I ^ ·111111-- C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i4 3 93 8 8 A7 ___B7____ 五、發明說明（6 ) 面圖。 如第1圖所示，在閘極信號線51和汲極信號線52所 包圍的區域上形成有顯示像素。在兩信號線之交點附近具 備有第一 TFT30，而該TFT30之源極13s係兼做在與後述 之輔助電容電極線54之間成為輔助電容的電容電極55， 同時連接在第二TFT40之閘極41上。第二TFT之源極43s 係連接在有機EL元件之陽極61上，而另一方之汲極43 d 則連接在用以驅動有機EL元件的驅動電源線53上。 又，在TFT之附近，配置有與閘極信號線51平行的 輔助電容電極線54。此輔助電容電極線54係由鉻（Cr)等所 構成，並介以閘極絕緣膜12在與TFT之源極13s相連接 的電容電極55之間聚集電荷以成為輔助電容。此輔助電 容，係為了保持施加在第二TFT40之閘極41上的電壓而 設計者。 如第2圖所示，有機EL顯示裝置，係在由玻璃或合 成樹脂等所構成的基板或具有導電性的基板或是半導體基 板等的基板10上，依序層積TFT及有機EL元件而成。但 是，在使用具有導電性之基板及半導體基板以作為基板10 時，係在該等之基板10上形成Si02或SiN等的絕緣膜之 後形成TFT及有機EL顯示裝置。 本實施形態中，係顯示第一及第二TFT30、4〇皆為將 閘極設於主動層13之下方之所謂底層閘極型之TFT，而主 動層係使用多晶矽（Poly-Silicon，以下稱為「P-Si」）膜的 情況。而閘極11係顯示為雙閘極構造的TFT之情況。 ------------^ . — — Μ.—，—訂---------線.'y (請先闓讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 6 311055 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) 首先’係就開關用TFT之第一 TFT30加以說明。 如第2圖（a)所示’在由石英玻璃、非驗性玻璃等所構 成的絕緣性基板10上’形成有兼做由鉻（Cr)、鉬（M〇)等高 熔點金屬所構成的閘極11之閘極信號線51及由鋁（A1)所 構成的汲極信號線52。然後形成其為有機el元件的驅動 電源且連接在联動電源上並由鋁（A1)所構成的驅動電源線 53 〇 接著’依序形成閘極絕緣膜12及由p-Si膜所構成的 主動層13。 在該主動層13上’形成有所謂LDD(Lihgtly Doped Drain:輕摻雜汲極）構造。亦即，將閘極η上之通道13c 上的阻擋絕緣膜14當作光罩並進行離子摻雜，進而利用光 阻覆蓋閘極11及其兩側之從閘極11起的一定距離並進行 離子摻雜’以在閘極11之兩側設有低濃度區域13LD(以圖 中左上方朝右下方之斜線所示）和於其外側設有高濃度區 域（以圖中右上方朝左下方之斜線所示）之源極13s及汲極 13d。 然後，在閘極絕緣膜12、主動層13及阻擋絕緣膜14 之全面上，形成以Si02膜、SiN膜及Si02膜之順序所層積 的層間絕緣膜15,並在對應汲極13d而設的接觸窗上充填 鋁（A1)等的金屬以形成汲極電極16»更在全面上設置例如 由有機樹脂所構成且使表面平坦的平坦化絕緣膜17。 其次，就有機EL元件之驅動用TFT的第二TFT40加 以說明。 I I I I I I I I I ^ ill — — — — ^·ί---I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公*〉 7 311055 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 如第2圖（b)所示，在由石英玻璃、非鹼性玻璃等所構 成的絕緣性基板10上，形成有由鉻（Cr)、鉬（M〇)等高熔點 金屬所構成的閘極41。 依序形成閘極絕緣膜12及由p_Si膜所構成的主動層 43 <· 在該主動層43上，於閘極41上方設有本質（intrinsic) 或實質為本質的通道43c，而在此通道43c之兩側，利用 光阻覆蓋該兩側並進行離子摻雜而設有源極43s及汲極 43d。 然後’在閘極絕緣膜12及主動層43之全面上，形成 以Si〇2膜、SiN膜及Si02膜之順序所層積的層間絕緣膜 15,並在對應汲極43d而設的接觸窗上充填鋁（A1)等的金 屬以形成連接在驅動電源50上的驅動電源線53。更在全 面上形成例如由有機樹脂所構成且使表面平坦的平坦化絕 緣膜17»然後’在對應該平坦化絕緣膜17之源極43s的 位置上形成接觸窗，並經由此接觸窗將與源極43 s接觸之 由ITO所構成的透明電極，即，將有機EL元件之陽極61 形成於平坦化絕緣膜17上。 有機EL元件60,係一般的構造，其乃以由ITO(Indium Thin Oxide，氧化銦錫）等透明電極所構成的陽極61、由 MTDATA(4,4-bis(3-methylphenylphenylamino)biphenyl)所 構成的第一接觸窗傳輸層62、由TPD(4,4,4-tris(3-m ethylphenylphenylamino)tripheiiylanine)所構成的第二接觸 窗傳輸層63、由包含喹吖酮（Quinacridone)感應體之 -------------. — !.—:1 訂---------線''y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家櫟準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 311055 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五'、發明說明（9 )
Bebq2(10 -苯基[h]經基喹卩丫（quinolinol)皱錯合物）所形成之 發光層64及由Bebq2所形成之電子傳輸層所構成的發光 元件層65以及由鎂·銦合金所構成的陰極66之順序所層 積形成的構造。 又，有機EL元件，係由陽極植入的電洞、和由陰極 植入的電子在發光層之内部再結合，並激發形成發光層之 有機分子以產生激發子》此激發子在輻射活動消失的過程 中可從發光層放出光，而此光可從透明的陽極經由透明絕 緣基板而朝外部射出而發光。 第3圖係顯示各信號之時序圖。另外，本實施形態中 之有機EL顯示裝置的等效電路係與前述之第6圖相同。 第3圖中，第3圈（a)係顯示供給至第n列之第一 TFT 之閘極上的信號VG(n)l之時序圖；第3圖（b)係顯示供給 至第m行之汲極信號VD之時序圖；而第3囷（c)係顯示供 給至第η列之第二TFT之閘極上的信號VG(n)2之時序 圖。 如第3圈（a)所示，當對連接在閘極信號線〇η上的閘 極11供給閘極信號時，第一 TFT30會保持1水平期間（1H) 導通狀態且之後會變成載止。當變呈導通狀態時，則如第 3圈（c)所示’第3圈（b)所示之汲極信號會從汲極信號線 Dm經由源極43 s而供給至閘極41上，而該閘極41之電 位會與没極信號線Dm之電位成為同電位。如此當對閘極 41供給電位時第二TFT40就會變成導通狀態，而相當於閘 極41之電流值的電流就會從堪動電源5〇經由汲極43 d及 ---I-------- -裝.！---- - 訂------II ·線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中關家標準<CNS)A4规格咖χ撕) 9 311055 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（10 ) 源極43s而供給至有機EL元件6〇之陽極61上。如此有 機EL元件60就會發光。 藉由如此所構成的顯示像素在基板10上配置成矩陣 狀，即可形成有機EL顯示裝置。 如以上所示，若依據本發明，則由於第一 TFT3〇為具 備有具有摻雜n型雜質之源極及汲極的主動層13之 構造的η型通道TFT ’所以電場遷移率（e][ectric field mobility)高而可抑制第一 TFT3〇之洩漏電流。亦即’由於 可進行高速寫入，同時電壓保持特性佳，所以如第3圖（1>) 所示’汲極信號可追蹤以每1Η產生變化的信號而進行寫 入，且由於閘極41之電位不會如第3圖（c)之虛線所示之 習知般地產生變化’而可如實線所示般地保持電位’同時 更可如第8圖中之實線所示般地獲得較高的導通電流，所 以不會使應發光之電流降低而可安定地供給至有機EL元 件上》 又’由於第二TFT40為具備有具有摻雜p型雜質之源 極及汲極的主動層的p型通道TFT，如第9圖中之實線所 示’可擴大在Id-Vd特性中飽和的區域，所以Id不容易隨 著Vd而變化’即隨著汲極電壓之變化而造成汲極電流值 之變動的現象會變少，而可使有機EL元件之發光輝度再 現性佳地形成均勻，故可容易獲得良好的色調顯示。 尤其是在多晶矽TFT中，如習知技術之欄位中所說明 般’因存在有晶粒界面，而會依陷入晶粒界面内的電子而 形成電位障並擴大空乏層。因此，雖在汲極電極邊緣上有 .^·--Ίί·訂---------線，'W (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 10 311055 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五·、發明說明（11 ) 較強的電場作用於晶粒界面，因而被加速的電子會發生與 晶格撞擊的撞擊電離現象，但是該現象在P型通道的場合 則明顯較在η型通道的場合為小，汲極電流可呈現飽和的 區域而獲得良好的飽和特性，所以使用ρ型通道TFT以作 為第二TFT。 如以上所述’藉由包含具有n型通道且具備LDD構造 的第一 TFT及具有ρ型通道的第二TFT，即可進行高速之 寫入且可減低洩漏電流，同時可獲得再現性佳之發光輝度 的有機EL顯示裝置。 第2青施形饞 第4圖係顯示本發明之El顯示裝置之第一 tft的截 面圖》 本實施形態與第1實施形態之不同點，係在於如第4 圖所示’第一 TFT係η型通道且具有雙閘極構造及補償構 造之點。 如第4圈所示，第一 TFT係在由設於層積的閘極η、 閘極絕緣膜12上之p-Si所構成的主動層之中，閘極11之 上方及閘極11之兩側，形成有本質（intrinsic)或實質為本 質的區域13os»此區域係所謂的補償區域。另圖之斜線所 示的區域為摻雜有磷等的η型雜質之源極13s及汲極 13d。如此，第一 TFT具備有具有補償區域之所謂的補償 構造。 如此，具有η型通道之第一 TFT藉由具備有雙閘極構 造及補償構造，即可提高電場遷移率且降低洩漏電流，更 -------------裝·！--丨— —訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4蚬格（210 X 297公釐〉 11 311055 N24 3 93 8 8 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（12 ) 且藉由使第二TFT形成為與第1實施形態同樣地具備p型 通道的TFT，即可減少相對於汲極電壓之汲極電流的偏差 並可使有機EL元件之發光輝度再現性佳地成為均勻，可 獲得色調顯示良好的有機EL顦示裝置。 第3實施形餱 在本實施形態中，係顯示第一及第二TFT30,40，皆使 用將閘極設在主動層13上之所謂頂部閘極型TFT的情 況。另外，顯示閘極11為雙閘極構造的TFT之情況。 第5圖（a)係顯示第一 TFT的裁面圖；第5圖（b)係顯 示第二TFT的裁面圖。 如第5圖（a)所示’在絕緣性基板10上形成由p_ si所 構成的主動層，在該主動層13上，形成與介以閘極絕緣膜 12而形成之二個閘極11相重疊的通道i3c、和於其兩側摻 雜磷等之η型低濃度雜質的低濃度區域13LD。更形成摻 雜η型轉質之高濃度區域的源極13s及汲極13d。 如此，可形成具有LDD構造及頂部閘極構造的開關用 之第一 TFT。 如第5圖（b)所示，在絕緣性基板10上，與第一 TFT 之主動層13之形成同時形成主動層43❶在此主動層43 上，與第一 TFT同樣地，形成與介以閉極絕緣膜12而形 成之二個閘極41相重疊的通道43c、和於其兩側摻雜硼（B) 等之P型雜質的源極43s及汲極43d。源極43s係連接在 有機EL元件之陽極61上。另外，有機EL元件之構造由 於與第1實施形態之情況相同故說明省略。 * n n n 1· n n I · n »1 1 n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --.1訂---------線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 311055 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五‘、發明說明（η ) 如此，可形成具備p型通道之有機EL元件麟動用的 第二 TFT。 如此’在具有頂部閘極構造的第一及第二TFT之情 況’亦與具有前述之底部閘極構造的情況相同，可獲得由 於電場遷移率高所以寫入速度快且由於洩漏電流少所以電 壓保持特性佳的第一 TFT、及飽和特性佳且電流值之偏差 小的第二TFT » 因此’可獲得影像信號之保持特性佳，且可得到良好 的色調蘋示之有機EL顯示裝置。 另外’在上述之各實施形態中，第一 TFT雖係就雙閘 極構造加以說明，但是本發明並非被限定於此，亦可應用 於閘極為三個以上之多閘極搆造中。 又，在上述之各實施形態中，雖係使用p-Si膜以作為 主動層’但是亦可使用微晶矽膜或是非晶質矽膜。 再者，上述之各實施形態中，雖係就有機EL顯示裝 置加以說明，但是本發明並非被限定於此，亦可應用於發 光層由無機材料所構成的無機EL顯示裝置中，並可獲得 同樣的效果。 [發明之效果] 本發明之EL顯示裝置，由於包含有高速之寫入和保 持特性佳的第一 TFT、和電流控制性佳的第二TFT，故可 獲得色調顯示良妤的EL顯示裝置。 [圖式之簡單說明] 第1圖為本發明之EL顯示裝置的平面圖。 — — — — — —------裝·-----訂！ —I -線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4规格<210 X 297公 i3 311055 i4 3 93 8 8
五、發明說明（14) 第2嘴為至(b)為本發明之EL顯示裝置的載面圖( 第3 私發明之EL顯示裝置之各信號的時序圖第4發明之EL顧示裝置的載面圖。 第5圖(a)至（b)為本發明之El顯示裝置的截面圖c 第6 顯示裝置的等效電路圖。 第 7 習知之EL顯示裝置之各信號的時序 第 8 9|離 TFT之特性圖 〇 第 9圈A TFT之特性圖 〇 [元件編號說明 ] 11,41 閘極 13s,43s 源極 !3<1,43(1 汲極 13c,43c 通道 13LD,43LD LDD 區域 30 第一 TFT 40 第二 -TFT 50 堪動電源 60 有機EL元件 ------------·_ —r-r—.— 訂---------線''y (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 14 311055

Claims (1)

  1. • έΐ __§____ 六：申請專利範圍 1· 一種電場發光顯示裝置，其特徵為：包含有， 電場發光元件，於其陽極和陰極之間具有發光層； 第一薄琪電晶體，分別將由非單晶半導體膜所構成 的主動層之源極連接在輔助電容上，將前述主動層之汲 極連接在及極信號線上，而將設於前述主動層之通道上 方的閘極連接在閘極信號線上；以及 第二薄膜電晶體，分別將由非單晶半導體膜所構成 的主動層之汲極連接在前述電場發光元件之軀動電源 上而將閘極連接在前述第一薄琪電晶趙之源極上，其 中， 前述第一薄膜電晶艘係具有n型通道，同時具備有 LDD構造、多閘極構造或補償構造中之任一個構造， 而前述第二薄膜電晶體係具備有p型通道。 2. —種電場發光顯示裝置，其特徵為：包含有， 電場發光元件，於其陽極和陰極之間具有發光層； 第一薄膜電晶體，分別將由非單晶半導體膜所構成 的主動層之源極連接在輔助電容上，將前述主動層之汲 極連接在汲極信號線上，而將設於前述主動層之通道下 方的閘極連接在閘極信號線上；以及 第二薄膜電晶艎，分別將由非單晶半導體膜所構成 的主動層之汲極連接在前述電場發光元件之驅動電源 上，而將閘極連接在前述第一薄膜電晶體之源極上，其 中 ， - ι_前述第一薄琪電晶體係具有η型通道，同時具備有 本紙張尺度適用中關家標準（CN_S>A4现格⑵〇 * 297公爱Γ 15 311055 --------------裝— (請先閱讀戈面之注意事項再填寫本頁) 訂 ▲ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 LDD構造、多閘極構造或補償構造之中的任一個構造 道通型 P有備具係 體晶膜薄 二第述前而 ------------'襄·： —lit —訂----.—.!線％ y (請先閱讀臂面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 311055
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