TW423045B - Capacitively coupled RF-plasma reactor - Google Patents

Description

P4 23〇 A 5 A7 B7 五、發明説明（丨） 發明背景 習用上，電容稱聯之射頻電漿反慝器包含第一及第二 互相間隔之電棰，造些電極，這些電棰限制電漿反鼴體 積。在兩電極之外，在電棰導電表面，没有其他作為第 三電棰的導電組件，該第三電棰含將外部電位作用在電 漿反應體積上。因此，基本上電容級聯射頻電漿反應器 也是”二極體型式"的反應器—般在兩電棰的邊界提供 一足以電隔離DC電流的間隔，而限制互相驅動之兩電極 之間的電漿蘸反體積，但此防止由兩電掻所限制之空 間外钿的電漿釋放。可由如在兩電極周邊形成一小於對 應操作狀態的黑暗空間（dark space)距離而達成此狀態。 此電容鎘»射頻電漿反應器已在電漿處理的一領域中 使用多年，尤其是對於處理如矽晶画的平坦基體β 此反醮器最常應用在電漿增強化學蒸汽沈積（PEC VD> 及電漿乾蝕刻上。電漿乾辣刻可分成反應離子蝕刻（RIE) ，其中使用離子衡擊以提昇不等向蝕刻，在使用在電漿 蝕刻（PE)中，其中可避免離子衝擊。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 電漿清潔，去除聚合物抗蝕劑（灰）或工作件之電漿引 發的表面活動化也可以在電容網聯射頻電漿反應器中執 行。大部份此類型的反應器像用平面電棰來解釋。 在這些_用中，由醍動一射頻電整産生該電漿，最常 在工業上使用者其頻率為13.56HBZ。 —射頻驅動電漿在電漿及包圍電極表面（壁）之電漿反 應體稹之間産生出一大的自鴒壓電壓。此傈因為依據向 -3 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公t ) *4230^5 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ) 1 1 箸 電 漿 釋 放 或 反 應 體 積 之 靠 近 各 電 棰 表 面 的 黑 空 間 1 而 1 由 罨 漿 外 m 所 導 致 的 跨 電 漿 外 鞘 之 射 頻 電 壓 的 整 流 效 m 1 Γ 之 故 0 因 此 9 在 傳 統 的 電 容 锅 聯 射 頻 電 漿 反 m 器 中 » X 請 1 極 先 1 作 件 或 基 Η 的 離 子 衝 擊 是 被 兩 電 表 面 (其舆電漿釋放） 閲 讀 1 之 fcb 所 控 制 0 大 部 份 增 強 雜 子 衝 擊 的 白 褊 壓 均 在 靠 近 較 面 1 1 之 1 小 電 極 面 積 之 電 棰 表 面 上 産 生 9 而 靠 近 較 大 面 積 電 極 之 意 1 | 外 鞘 或 暗 空 間 其 電 位 顯 得 較 小 〇 此 效 應 可 被 電 漿 程 序 設 事 項 1 I 再 1 計 師 很 方 便 地 蓮 用 « 來 親 整 對 於 基 Η 的 離 子 撞 擊 〇 卽 對 4 寫 本 袈 於 (F I E )反鼴離子蝕刻法， 將工作件或基Η放置於靠近 頁 、- 1 1 面 積 較 小 而 m 聯 於 電 漿 之 電 極 以 造 成 較 大 的 離 子 撞 擊 〇 1 1 相 反 地 » 對 於 (PE) 電 漿 拽 刻 法 9 此 工 作 件 被 放 置 於 靠 近 1 | 較 大 面 積 之 電 極 9 其 離 子 撞 擊 較 小 〇 1 訂 今 曰 有 必 要 對 於 大 表 面 的 工 作 件 (如大表面之玻璃板> 1 進 行 電 漿 處 理 該 平 担 顯 示 器 工 業 今 曰 考 慮 在 约 1 2 的 1 I 板 子 上 製 造 9 在 此 玻 璃 板 上 産 生 相 期 電 子 電 路 像 素 之 處 i I 理 的 型 式 舆 m 電 子 中 使 用 的 程 序 具 有 相 同 的 持 性 * 但 是 1 1 必 需 在 相 當 大 的 表 面 工 作 件 上 進 行 〇 I 如 果 由 一 電 容 網 聯 之 射 頻 電 漿 反 應 器 * 且 在 如 處 理 矽 1 1 晶 圓 時 用 之 處 理 狀 態 下 處 理 大 表 面 基 體 f 則 電 漿 間 隙 ( I 1 兩 電 掻 數 位 的 距 離 S 如 平 面 電 容 反 應 器 )必箱維持在預 I 定 的 數 值 内 1 以 達 成 所 需 要 激 發 核 種 的 碰 撞 數 〇 因 此 i 1 1 一 電 漿 反 應 器 之 標 準 數 值 介 於 1 及 10公 分 之 間 (包含兩 1 1 邊 界 值 )〇 1 | 應 用 大 表 面 工 作 件 及 此 電 4 漿 間 隙 » 反 m 器 電 搔 可 採 取 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 29*7公# > rd23〇45 · A7 B7五、發明説明（4 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 子當待 ，處要 間 的 ，。習，行 性之 U乎離是的 器下需 ：之 離 入人兩列進 期剌 於 生其理 應擊所 含此 隔 输輪代陣此 周分 近錢發尤處 反衡一 包彼 相 源源取極因 群次 超頻等，漿 漿子至 明置 上 電電可電且。極箸 率射均件電 電離可 發裝 性 一二念次，壓電沿 fcfc聯面作頻 頻之其 本極 電 第第觀一立電次少 域鍋表工射 射面使 之電 含 傕個的供獨頻二至 匾容極面聯 聯表， 器二 包 一一 器提相射第為 面電電表锅 铒捶件 鼷此，置 接接應係互於及視 表的兩大容 容轚作 反，積裝 連連反，可限棰可 極件在理電 電應工 漿置體槿 同同漿棰入只電， 電作上處知 種對之 電裝應電 共共電電输會次 β 且 Η 際制熟 一制邾 頻搔反此 ，，頻一電不一一 *面實限由 供控相 射電漿， 群群射之二但，箸 比表。地， 提確其 聯二電置 棰棰聯少第常中接 位大擊大時 俗準及 鎘第一裝 電電铒至及通例偁 方於衝大業 的在面 Ρ 容及制棰 次次容中一 ，施一 的對子態工 目許表準電一限電 一二電搔第作實此 充在離狀子 的容件位述第且一 第第的電的操佳因 擴著制此電。述明器作高上館’少，鹤梅新器應電最 ， 端諝控。微體槪發應工或成一隔至極一 一嶄窸對的一替 極意有擊於基明本反大低達，間-電- ,此反此同在交 一此没衝用大發 此理的 相 次 用由不 的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙伕尺度適用中國圉家標準（<：阳）六4規格（210\297公釐） _23一 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 電掻裝置的一方向。在進行本發明的較佳模式中，至少 闱次電棰群中的次電極分別地連接至不同的電输入，尤 其是射頬输入，且周期性地交替，從連接此一電捶至一 健射頻输入之距離至下一傾此種次電棰其接至相同的射 頻輪入，以致於此項電掻相對於電輪入之模式之局部週 期性匾小於或等於在兩互相相對的電棰安排中之電漿的 間隔。此可確定將處理之工作件表面可接受電漿放電的 "平均"效_。 在一簡化的考量中，應用本發明的反應器，將處理之 工作件表面将曝露於多傾不同的次射頻電漿放電之中， 其由局部平行性而産生，而且運作在可選擇的因此是互 相不同的射頻倍號振幅及/或相位及/或頻率及/或壓 力形式，其多多少少在電漿反應體積中相互作用，而造 成該”平均”效應》 匾式之簡單說明 本發明可藉由以下的範例及圖式，而加以說明。 第1圓：為習用之電容網聯射頻電漿反應器的示意圖， 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第2圖至第5 _ :為將RF餓入第1圖之反器且對應較 大或較小電捶配置工作件之四種不同的可能方式，視 在處理工作件表面上所需要的離子衝擊而定， 第6圖：為一電楂之電漿外鞘之射頻電壓與基體大小的 百分比之相關性，視該基體或工作件是否在限制如第1 園至第5圖之習用反應器之電掻的電漿反蘸表面的區域 大小而定。 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) Α4規格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（r ) 第7圓：本發明反應器之衍生電棰裝置的示意表示方 式， 第8園：本發明反應器之衍生電棰裝置的示意表示方 式，以說明電源輪入不同電棰裝置的多種可能方式， 第9圖與第7圖或第8圔之方法不同，其圖示意地顯 示根據現有發明之較佳以電棰形狀以顯示反應器電榷的 安排β 第10圖為：為第9圖之反應器的放大團， 第11園：為本發明中作用在次電掻之射頻電壓之間的相 位差函數，且為次電極形狀的函數，在播帶電棰裝置之 基體的電漿外鞘處射頻電壓的計算百分比， 第12圓：為可播帶基體之電極的霄漿外鞘之射頻電壓的 百分比變化，且作用在本發明提供之兩組以電極的射頻 電壓之振輻比率的函數， 第13圖：為本發明之較佳反應器结構的示意表示法， 第14匾：為電極装置之低部的示意圔，在本發明的反 應器中，該電極裝置成為桿形的次電極， 第15圏：在第13圓的表示方式中，次電極分佈含二維陣 列的方形次電棰， 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 第16圖：在第14圔或第15圖的表示方式中，提供三角形 次電搔， 第17圏：在第14_至第16圚之一的表示方式中，提供梳 形分佈的次電極群， 第18圓：與第15圓的次霣掻分佈不同，為含表面放大凹 本紙張尺度適用中國國家標準（〔奶）以圯格（210/297公釐） r4 23〇4 5 經濟部中央標隼局—工消費合作社印袋 A7 B7 五、發明説明（b ) $形之次電棰的底視_U>及截面視圇（b), 第19圔：為含彎曲表面之另一次電榷實施例形狀的截面 表示方式， 第20圏：為含其他較佳特撤之本發明及第13圃之反慝器 一部份的放大, 第21圈：為本發明反應器之射頻輪入的示意圖， 第22圖：為第21園之射頻輪入的第一較佳實施钶的示 意圔， 第23圈：為第21画之射頻輸入的第二較佳實施例的示 意圖， 第2 4圖：為中心圓琛分佈之次罨極更進一步的底部结 構的示意靨， 第25圃：為依據第9圃而含邊界電檯裝置之本發明電 漿反應器另一較佳實施例的示意表示方式， 第26-28園：為在400mBX 400· B基讎上處理效應的三種 不同的分佈，及作用之DC偏壓的相鼷性β 參考附圓之本發明的詳细說明 在說明本發明反匾器的行為之前，吾入先藉由重新 計算如第1圃所示傅統式的霄容耦聯RF反醮器之電平衡 ，以介紹棟記與産生，如第1圓中所示者此反應器包 含兩傾霣棰裝置1, 2,具有各別霄搔表面Ai , Α2 ,此 兩表面均經由各別的外鞘而霣容網聯至罨漿反應體積内的 電漿3。在各別的電位Vi及卩2之間産生偵測射頻電壓 ，通過以兩電位中的一電位如¥2作為參考電位，一般 _ 8 - 本紙張尺度適用中國國家標窣（CNS ) Λ4規格（210X297公釐} (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^423〇 4 b A7 B7 五、發明説明（7 ) 稱 為 接 地 電 位 〇 電 漿電 位 Vp 為唯- -之η位， 僳因為電 漿 為 導 體 » 且 可 視 為如 同 金 靨的導 電 » 以 驅 動 棰 低 於 電 漿 賴 率 的 頻 率 〇 在 電棰 及 電 漿之間 的 電 容 射 頻 讲 m 視 外 鞘 厚 度 而 定 0 因 此 外鞘 可 視 為一真 空 電 容 J 其 厚 度 随 箸 射 頻 電 壓 或 外 鞘 的 電位 降 而 定β大 部 份 一 般 採 用 的 方 法 包 含 外 鞘 厚 度 作 為 局部 電 壓 的功率 法 則 ♦ 即 電 位 差 e 1 = =e 2 Iv, - νρ|α, = ejv: -Vp(i α, (1) 在 此 e 2及e 2 為 外 鞘之 各 別 厚度， 且 a 為 一 僳 視 電 漿 狀 態 的 範 圍 及 将 使 用 之電 漿 化 學型式 而 定 〇 V ； L , V 2 及 Vp 之間的關僳可考慮作為轚容分割器的 兩 外 鞘 而 m 出 9 (V。 Vp； )/ (νρ· -ν2)= =(A^/eJ / (A^eJ , (2) 因 此 |vx- Vp l/|vp-vj = =其 中 η 1/(1-α) • (3) 熟 知 的 功 率 法 則 由Κο e η ig等人推 得 (相當Η . Η .K 〇 e n i g 及 L . I . Ma i s s e 1 , I BH J * Re s . Dev • 14 168( 19 70 )) 〇 在 此 第 一 推 導 功 率 法則 的 方 法中估 計 約 等 於 4 (因此 f = 0 . 7 5 )。 實施上大部份的電子處理狀態η 1 . 5至2 (α = 0 . 3至0 .5) „ 在任何狀態下，淨結果為可在較小電搐 表 面 的 前 端 發 生 大 部份 的 射 頻電壓 〇 此 計 算 的 結 果 顯 示 在 第 6 圖 中 在 此 以横 跨 電 漿之總 射 頻 電 壓 的 百 分 比 表 示 外 鞘 射 頻 電 壓 〇 傜對 一 方 形基體 進 行 此 計 算 1 並 作 合 理 假 設 電 漿 間 隙 為 3公 分 > 而端距 離 等 於 4 . 5公分， 顔示 當 基 體 大 小 超 遇 40 C Β時 9 不 可能應 用 傳 統 的 反 應 器 在 --------; 裝------訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ：297公t ) r4 23〇4 5 " A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明（ S ) 1 1 一 電 棰 上 建 立 超 過 6ΰ % 的 射 頻 電 壓 〇 也 不 可 能 避 免 在 較 1 大 電 極 上 的 射 犋 電 壓 少 於 缌 電 壓 的 4 C % 0 1 當 跨 射 頻 外 鞘 的 D C 電 壓 幾 乎 等 於 局 部 射 頻 電 壓 振 輻 時 請 1 先 1 * 較 大 的 基 體 很 難 在 須 要 時 自 動 的 施 加 具 有 巨 大 能 量 的 閱 1 離 子 衝 擊 〇 同 時 當 不 須 要 此 種 衝 擊 時 也 須 避 免 —^ 些 離 子 背 面 1 I 之 1 衝 擊 因 此 很 難 在 大 基 體 電 容 m 聯 射 頻 反 m 器 中 實 施 RI E 注 意 1 I 傺 因 為 在 基 體 的 前 端 只 出 現 —. 半 的 電 位 自 偏 壓 之 故 〇 章 項 1 [ 再 回 復 此 因 素 暗 示 將 射 頻 電 壓 增 加 幾 近 於 兩 倍 » 因 此 射 頻 填 寫 本 裝 功 率 增 加 約 3 至 4 倍 〇 9 —- 方 面 i 對 於 可 能 導 致 電 漿 産 頁 1 I 生 之 破 m 的 程 序 中 有 必 要 避 免 離 子 衝 擊 〇 因 為 無 法 由 電 1 1 極 表 面 積 tfc 率 減 少 此 狀 態 9 因 此 必 需 經 由 減 少 射 頻 振 輻 1 I 而 在 較 長 處 理 時 間 的 代 價 下 逹 成 此 作 業 〇 1 訂 在 第 2 圖 至 第 5 匾 中 顯 示 驅 動 射 頬 電 m 對 於 —1 電 容 網 1 聯 射 頻 電 漿 反 應 器 的 兩 電 榷 之 不 同 應 用 因 此 放 置 X 作 1 I 件 於 較 大 電 棰 上 以 減 少 離 子 衝 擊 (第2 S3 画* 第3 圖） 1 或 1 I 在 較 小 的 電 極 (第4 國， 第5 圖）以 運 用 離 子 衝 擊 〇 1 1 由 第 7 圈 的 輔 助 説 明 本 發 明 之 原 理 ό 基 本 上 配 置 第 1 1 153 國 所 示 的 反 應 器 ， 由 兩 電 棰 裝 置 10 7 2 0 限 制 反 應 器 的 1 1 電 漿 反 應 體 積 3。 反之， 依據第7 圖， 兩電棰裝置中至 1 1 少 一 電 m 次 分 成 次 電 棰 12 〇 電 掻 裝 置 10次 分 成 電 及 互 隔 I 離 次 電 棰 1 2可 沿 電 搔 裝 置 10的 一 方 向 X 實 現 * 因 此 次 電 i 1 搔 1 2呈 桿 形 9 或 可 在 X 及 y 方 向 中 實 現 9 因 此 次 電 極 形 1 1 成 二 維 分 佈 Ο 1 1 由 此 I 因 為 有 可 能 如 第 7 圖 所 示 將 次 電 極 12分 成 A、 B 1 1 - C, 集群， 而將不同的電β E作用在這集群上， 尤其基 1 1 -1 0 - 1 1 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS }六4说格（210X297公釐） Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 本上造些電位可在振幅及/或，相位及/或頻率及/或 形狀上不同，尤其是射頻電位β逭些不同而且最好是可 以互相調適之驅動信號如第7圖之VU至Via所示者。 本發明觀念上某些一般的考慮為： -如果電棰裝置10，20均如在射頻電位上加以驅動， 且没有任何一電掻裝置連至參考電位作為例如接地電位 ,則一定可能將此二電極裝置10, 20成為次電棰，且在 各別不同電位上驅動第二電搔裝置的次電棰（圖中没有 顯示）β -在如電棰裝置20之一電搔裝置的最佳實施例中（其 中該電搔裝置20由參考電位願動），將工作件置於在未 架構且由參考電位所驅動的電極裝置相鄰處，即與第7 匾的電搔裝置20相鄰或在其上β 雖然其為絶對的可能去發展新的反應器結構，以達成 所有可能期望的效應，卽如現在所建議的在最佳實施例 中，選擇在不同的頻率之不同的驅動電壓，其施用的 電壓在振幅及相互相位上不同。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -如第7圖所示，次電棰12的集群最好是遇期性的産 生，其中在X方向，週期性地交替配置颶於群A, B, C 的次電掻。雖然此為最佳實施例，如果需要的話可省略 或局部中斷此週期性。 第7圖中顧示三値各別射頻驅動群中的次電極。如果 需要的話，可産生更多的次電ffi群，但是在今曰較佳模 式的次電極中集群成兩不同且可更進一步較佳諝整的射 -1 1 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2]0X297公釐） 423045 A7 B7 五、發明説明（α) 頻驅動群。 在下文的說明中，依據第7匾，次電極12週期地分成 兩群，設為A群及B群。 因此，遇期性，即矚於同一群之下而相繼，次電槿之 間的距離可約為或小於對應第7圄電漿間隙距離PG之大 小。此將導致工作件承受在第7画之各·別次電極及電搔裝 置2 0之間操作之多艇"電漿列”的"平均"效應β 在未分割之單計數器電極（第7圏的計數器電極20)的例 子中，對於在各別次電掻群中最普遍的電子號V U，V !2等 及V®的最一般化公式可如下： ^11 ~ ®l{t) ▽12 = S2(t丨 ^20 = Sa〇(t). 在此，Si , S2&S2〇表示信號的頻譜表示法，其中 頻譜可随著時間而改變，須指出一種最重要的頻譜振輻 可達到0頻率，因此代表在各別電極裝置中DC偏壓電位 。如第8圓中由各別匹配盒HBi , MB2及MB：»所圖示者 ，且可能地調變信號産生器Gu, G!2及G20産生一輪出 經濟部中央標準局員工消費合作社印掣 m - -I ϊ In - J - i m-I - — _ I \―w. -° (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 信號，此信號具有所需要的頻譖並随時間而改變，對應 於産生的電漿可操作本發明的電槿裝置以達到大量的不 同效應。因此，此外三插産生器中任何一個可省輅，且 各別的電棰裝置經由各別匹配盒連接至一參考電位，或 更進一步省略該匹配盒，此電極裝置可直接連接至參考 電位。 -1 2-本紙張尺度適用中國S家標丰（CNS )A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ^4230^5 - A7 B7五、發明説明（'1 ) 而且，可經由連接不同的匹®盒至各別的電S裝置， 而將所顯示的二或三偏産生器成為一單一産生器，熟習 本技術者將了解對於第8 _所示的最小數目電棰裝置， 及含梅次電搔群之次電極組12的一般化電掻裝置，及 次分成n次電棰群的電棰2 0對於以上之組合而言電子倍 號，具有多種可能的控制方式。 可為被動阻抗網路或可包含主動來源的匹配盒有助於 在各別電搔裝置處形成DC镉壓，卽在0頻率處的頻譜振 輻》 在第9圓中，與第7圖例子不同處為，其中圖示根據 本發明之反窿器實施中的較佳結構。此較佳之結構為下 文中分析的基礎。因此電搔裝置10次分成平行的次電極 桿12,分成由射頻電壓VU及Vu驅動的對應兩群A及B ,將射頻電麽相對於作用在電搔裝置20的接地電位。次 電槿12的集群為遇期性者，可清楚地從第9圖中看出。 霸於各別群的次電掻12由餵入匯流排7Λ及7b交互連接 至各別的输入端β 群Α的次電棰定義電漿級聯表面Αα ,而群Β的次電 搔定義表面ΑΒβ電楂裝置20經由表面A2Q縝聯電漿反應 體積。兩次電極群均經由各別外鞘而k容铒聯電漿。 吾人假設： V13L = V0exp (ΐφ) , V12 = νοβχρ{-ΐφ) (4) 對於兩次電極群驅動射頻電歷，即兩電壓具有相同振 輻.互相之間存在24的相位偏移。相位0及/或振輻V -1 3 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（2丨OX 297公嫠） rA23〇^° B7 經漓部中夾標準局負工消費合作社印笨 五、發明説明 ( 1 ^ ) 1 I 可 加 以 調 整 或 甚 至 可 調 變 〇 如 所 顯 示 者 ， 第 7 圔 的 反 應 ί 1 器 更 一 般 性 的 顯 示 在 第 8 圈 中 * 依 據 第 9 圓 而 實 現 容 許 1 ! 控 制 離 子 衝 擊 » 而 舆 工 作 件 或 基 體 大 小 無 蘭 1 尤 其 在 平 fv 請 1 I 面 外 形 上 最 是 如 此 3 實 際 上 t 第 7 團 至 第 9 圓 中 的 設 計 先 閱 讀 I I 可 依 據 欲 處 理 的 工 作 件 的 大 小 加 以 延 伸 〇 f 1 | 之 1 如 第 9 圖 中 所 示 者 1 更 進 — 步 裁 剪 次 電 棰 而 放 >-ί. 意 1 大 電 掻 裝 置 10的 整 個 網 聯 表 面 A A* B 〇 期 間 屋 頂 形 次 電 棰 事 項 t 1 再 1 桿 1 2的 斜 度 Θ * 依 據 第 9 S中的 θ 45 9 該 表 面 如 下 ·· 填 寫 本 裝 K = = A3〇/2cos (Θ). (5 ) 頁 *«_<·· I I 注 意 如 第 10 團 所 示 * 其 表 示 第 9 回 之 反 應 器 結 構 中 放 1 1 大 部 位 可 在 __· 單 元 的 遇 期 結 構 上 的 反 應 器 中 心 部 位 上 1 | 估 算 射 頻 網 聯 表 面 〇 如 果 工 作 件 4 及 反 應 器 本 身 很 大 的 1 訂 話 * 在 此 計 算 上 可 實 際 上 省 略 邊 際 效 m 0 對 於 準 確 控 制 1 此 邊 際 效 m * 現 在 請 參 考 第 25 園 « 第 26 圖 至 第 28 圔 » 及 1 | 下 文 中 的 說 明 〇 1 1 I 現 在 請 參 考 第 10 圖 > 板 S 11 * S 12 及 Sao表示作用如電 1 1 容 板 的 電 極 表 面 之 各 別 部 位 9 射 頻 電 流 的 連 鏟 性 的 暗 示 I 下 列 公 式 ； 1 1 (ν〇βχρ( + ϊφ) -Vp) + (V0exp(- ΐφ) - vp) c2a =VpC20 (6) 1 1 因 為 A =A B » 且 V 11 = --V! 1 * 所 以 vP 為實數， ί I 其 相 位 介 於 Vii 及 V 12 之 間 〇 其 結 果 可 以 較 複 雜 的 形 式 表 1 1 示 如 下 : 1 1 tg» = ({X/cos0)1/n- X2)/ (l+X)2 (7) ί 1 在 此 x= COS Φ (V 0 /V P )- 1 1 1 "1 4- t 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x：W公 i A23〇^b A7 B7 五、發明説明（〇 對於α=0.5(η=2)計算此翻偽式，且其結果顯示在 第11圏中，第11圇顯示驅動射頬電壓振輻的百分比，此 振輻在面對底部電ffi 2 0的邊界處出現，其中基體4位在 該電棰20上。對於四種鋸齒型分佈類型進行計算，因此 得到四齒0角值。對於〇相位軀移，另言之，當由同一 射頻電壓驅動所有電棰群時，可由公式（3)得到預期的 結果。當兩平坦電極彼此面對時，{0=〇_>,則可平等 地使用射頻電壓。當鋸齒結構摺起（corrugate)電極， 然後最小的表面電槿為底部電棰裝置2D,以及一铕愈來 愈大的射類電壓比宰發生在靠近以及面對工作件4之處 β重要的是相位偏移的有效性，因此可減少播帶底電搔 20之基體前端的射頻電壓。當兩驅動電壓相位相反時， 在撕帶底電極20之工作件前的射頻電壓變為0。 經濟部中央標準局買工消費合作社印掣 雖然是方便依據^1及V：2只視為用於兩次電極群Α及Β 之驅動電壓之間的相位槭移，不需要在兩陣列之次電掻群 上的電壓具有相同的振輻，如第8圖中所考量者，且甚 至此振輻（在單頻率下為單一振_，在多頬率下具有多 梅頻譜頻率）可随著時間改變。因此，可使用振輻調變 ，頻率諝變及相位調變^另外不使用變動的相位也可以 改變驅動射頻電壓的振輻比率。對於第9 , 10圖所示的 雙遇期陣列，其為第8圖配置之較佳實施例，且仍存在 2垆的相位褊移，改變的頻率振輻可表示如下·. (Θ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本買) V,, = νοβχρ{1φ), V口 aV0exp(-i«M · 其中Ma"為（]及1之間的實數傷數〇 -1 5-表紙张尺度遺用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公嫠） A23〇^b at B7五、發明説明（，4 ) 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 ί頻了 振 > 電自下 中 S陣間電環及埔相 S 中射為 s(8,之、況㈣ 明A1㈣極空此循中充兩7H 移處。 電據時棰情3«發 電的，由1113於 第 編入算雙主依變電的 本 桿 次間上或體漿大 考 位輪計 與輻改主壓痒 明 排f7使之20卻導電稍 參 相頻行 動振〇是電 說 流 漿結棰冷的。GP也 有射進 變壓av的頻Μ 圃 匯U電連電均12環隙 ， 没之法2壓電輻異射13同S',生極側掻桿循間 者 列V12方η=電之振訝流 第 共圏寄電反電極體此 明 陣V的*=頻ν!2的人整 用 接ΒΟ免的在的電流， 説 期8同5',射^12令全 應 連7Β避12置有次使隙 所 遇群相45漿SV更完 , 子桿為桿配所之中間 例 雙於述=電 電。鞘12前 桿排。槿4中上20漿 施 中對上 0上 〕 ％ 外 V 之 的流 BII體例10置電PO實 其有用示醱67漿當 果。12匯&8次基施置裝的離佳 ，只使顯基 至電現 結例極同 A至 β實配極間距較 子，可圖示間m動設發 驗施電共 8 且住此在電之的之 例〇)。12顯^0口變假可 實實次接入，齬在。底20間圖 的為動第圖 。15。。 些佳之連输火遮。度基及之13 ¾於變 ’12振改從變壓。某較A桿率點所地溫的1012第 下中的用第a1'可改偏變明之群之功面9 接制中置搔述 童 8 輻之 。D''a壓的自改説器為 B 頻背蔽好控12裝電上 考式振明果V0的電壓算號在應作群射之屏最體體極次如 在 V 說結輻中漿鎬計符 反 且接列由搔流導電鄰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Λ23〇δ5 ^ Α7 Β7 五、發明説明（A ) 至第10圖，兩次電極群為等面，但也可能考量次電掻群 表面之不均衡表面的例子如第9 , 10圖所示，次電極次 電配置10的表面在面對電漿13之侧面自動摺起。其目的 在於增加電漿及電極裝置10之間的接觸面。注意如果形 狀夠寬的話，次電掻12的分佈可有效地增加接觸表面而 使得電漿可穿入所産生的摺起處。在第13腫的實施例中 ，次電極捍之0角仍等於45_。由輿平坦底部電極裝置 20比較之下，電極裝置10與電漿13之間的接觭面增加 倍。 在另一較佳實施例中，底電搔20之架構可如一軛部位 ，以經由吸入平坦工作件4而夾持將處理的玻璃板。為 了實現此鈪部位，在電極装置20内（第13圖沒有顯示}有 一吸入通道条統，此通道，由電極20上表面的多傾吸入 洞口中支撐住，以在處理期間舒趋地夾持工作件4,或 者是提供一靜電軛。 在第13圖中之結構上的反_器進行實驗β在對應射頻 \ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 驅動的極端情況下進行，邸電輸入8A及8B驅動在一起 且因此VusVu (參見第9圖），且輸入8α或8Β之一接 地，因此依據式（8)可得到a=fl,測量自餳壓電位及射 頻驅動振輻。如表1提出，所得到的結果之數值相當令 入偁意β尤其是當作用在一次電捶群的變動射頻電K從 額定電壓成為〇時，且當電棰對等接觸表面滅半時，可 看出自的信號有一待定的改變，射頻自镉壓的絶對 值舆理論之估計值不相符合β主要傜因為在5G0X 5G0b·2 -1 7 - 本紙張尺度適用中國國家樣車{ rNS ) Ad見格（210X297公釐） rr A23〇^5 * A7 B7 五、發明説明（) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的相當小的反應器内進行量測作業β如第12圏所示之無 限反16器的計算必需加以更正以考量反應器邊嫌對射頻 耩聯的效應β表1中以近似方法進行此更正作業β然而 ,DC偏壓中急劇的變動令人訝異β在工作件之處理電漿 的射頻偏壓可由次電棰群上射頻輪入電壓的相當變動而 産生急劇的改變。 設定 反應器上的量測 比率計算 射頻輪入 V 0射頻 自镉壓 比率 正確 計算 兩者平行 3 0 6 V + E44V 0*79 0.62 0-33 一傾接地 3 60V -142V -0 . 39 -0.59 -0.71 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 表1:對於含45°鋸齒的雙陣列電位之比較實驗與理論 的結果。從以上的計算中得到正確值，其中粗略地說明 邊緣效應，此效_目前在相當小的反·器中被忽略。 第9 , 1Q, 13圖的次電極設計相當簡單β此為最簡單 的週期結構。從底部可看出在第14圖中平行搽紋配置， 其交互連接兩射頻輪入。 此週期性設計也在第？圖之二維x/y中呈遇期現象。 一 1 8 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α7 Β7 Λ b 五、發明説明（7 ) 此例子顯示於第15圏方形次電極12的示意圖中。 同樣地，可如第16圖之示意圖製造三角形次電棰12的 雙陣列。第17圔中顯示一更複雜的方法，在此實現一三 角形配置，其中含三假射頻輪入及三酋次電棰群A, B,

Ce也是一樣，三鹤對應的驅動射頻電壓或更多的共通 信號頻譜可不同相及/或不同振輻，可能的話，甚至不 同頻率及/或電壓形狀，這些信號可具有不同的頻譜。 次電極陣列的週期性结構也導致與電棰表面相開的特 激，如所描逑的鋸齒分佈一般。如第18圖所示的鑽石形增 加各次電極的射頻電容耦聯表面，且可作用在不同的次 電極結構上，如第15圖至第17圖中所示者。次電極分佈 可如第19圖的截面所示者。對於電掻陣列結構之設計規 則中唯一的限制為當對次電搔單元成形時，中空體或開 口向電漿反_體的空間如洞口，開槽，或狹縫必需比外 鞘厚度或暗空間距離寛兩倍，因為電漿可深深地穿透此 凹槽中。在標準的電漿過程中，此外鞘厚度為幾BB,因 此必需合理地假設如果在電極裝置10之表面上的中空入 侵部位加入此電棰的動作網聯表面，則此部位須窄約lea 考量本發明的反應器且此反應器顯示在第8圃中，必 需説明把工作件平坦地放置於在底部水平電搔装置20上 為一種最方便的方式，但是如果可適當地夾持工作件及 基體，則也可以垂直參數或_用在頂端的基體及電槿裝 置20。此不同的幾何配置可對於粒子控制作考盧。 可應用第20圖解決較佳的其他特揪，其顯示次電捶陣 -1 9 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公楚） ^1TJ· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 $A23〇^b A7 B7 五、發明説明（、<?) 列之放大截面。為了限制如兩次電極群之次電極之間的 電容網麻，在相鄰次電棰之間的間隙23可提供一間隔24 β這些間隔可由絶綠材料製造，該製造如陶瓷或金屬， 在漂移電位或是作用在相陴的次電棰中，位之其中電位 之預定電位D同樣地，在次電極上的屏蔽2 6在次電搔之 間及/或從次電極至背接地板25之間減少電容網聪。此 屏蔽可連鑲，但是其必需由如陶瓷材料的絶緣材料製造 ，如果為金屬，則如第20圔所示必需中斷。置入數艏屏 蔽層以改進電容解糍》在第20圉中顯示第二屏蔽27以改 進次電極陣列及背接地板25之間的解聯。屏賊27實際上 為一柵，以容許氣體通過。 此介紹次電棰陣列的其他優點。使用者可採取次電搔 之間的間隔或間隙23的優點以容許氣體31在次電棰之間 流動，且進入反應器體中β因此之故，一處理氣體31經 管子28導人次電搔陣列後的區域。可提供裝置以均勻地 分配進入氣體31予氣醴出口 23,如可由柵狀屏蔽27而實 現。 對於射頻钃入条统的更進一步考量為： 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 從所提供的次電極群中，其中至少有一個次電捶是具有 一餹次電極，而其由射頻電壓所驅動。 經由第20圖所示的真空饋入口 41進行對射頻電Ε之次 電極群的输入。因此當習慣上對射頻饋入提供一匹配盒 ，此匹S盒42,此匹配盒匹配可調整或可調變之射頻産 生器43, 44之振輻及/或相位的輪出，該産生器産生窄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2ί〇Χ 297公釐） A7 B7 !A230d 5 i'發明説明（θ) _或寬頻信號頻譜。因此，一産生器44例如可加以調整 其輪出射頻信號的單一振頼，而第二産生器可親整單頻 靖賴率之相位。輪入二或多次鼋極群陣列的兩射頻信號 的相位褊移也可以在E配盒42内執行。熟習本技術者可 依捶本發明及第8圖以許多不同的對反應器作射頻驅動。 第22圖顯示目前之較佳技術。其中提供一射頻振提器 47，箪頻率射頻經由可諏整的相位偏移單位48由功率放 大器49輪出，旦直接輪入第二功率放大器50。最好，改 曼放大器4 9, 5 0以接受較大的反射功率，且經由簡單的 &動匹配電路销躲至反應器的射頻輪入，以粗略地匹配 電漿阻抗至産生器阻抗。第23圖中顯示另一較佳設計， 其中以相同的單頻率射頻振盪器驅動兩放大器输出级55 ’ 56,但是提供输出射頻電壓之可播立調整的振輻及/ $相位。放大器级55的输出經由一匹配盒縝聯變壓器的 —次線圈5U變壓器的二次線圈60提供输入至本發明次 霉極群输入群之間的射頻電鼷差β第二線圈52的中心點 經由匹配食54連接第二放大器輪出级56的輪出。最好在 &大器级56及/或55處作為相位控制及/或振輻控制。 {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁.) 裝· ,ιτ 經濟部中央標隼局員工消費合作社印聚 一 間勻或 少之均形P0(5D 至棰應琛Μ位 供電對置61霣 提 A®ap“RF 是得，豳4非 念使計周tfc-的 觀 •設軸ft定 的例的心之預 性施趣中極在 般實興在電能 一 佳人可次可 最較引。示有 之述當題顯對 器上相間圖绝 應論項刻24, 反不一蝕第出 明且為般。指 發姑應 I 榷需 本 C 同之電必 -棰不配次 , 此電隔分的且 因部間理形而 局的處框 本紙張尺度適用(CNS) Λ4規格（210χ297公楚） s Β7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印掣 五 '發明説明（ 叫 1 1 DC )處操作- -或其他或多於- -俚的次電極群。 而且可應用 1 數 位 方 式 實 現 含 相 位 i 振 輻 且 可 能 甚 至 含 頻 率 m 整 的 射 1 頻 産 生 器 配 置 * 因 此 提 供 一 功 率 放 大 器 m 出 级 以 餵 入 次 ,—-請 1 先 1 電 極 群 輪 入 〇 而 且 本 發 明 的 槪 念 允 許 分 開 獨 立 的 輪 入 閱 ik 1 t 例 如 相 當 適 合 由 依 據 不 同 信 號 頻 譜 的 不 同 電 m 驅 動 不 背 ιέ 1 1 同 的 次 電 極 群 > 簡 之 » 使 用 者 可 兀 全 白 由 地 在 任 何 所 意 1 需 要 及 互 相 m 立 的 電 信 號 處 操 作 次 電 棰 群 〇 項 1 1 真 1 更 進 —- 步 需 指 出 如 對 於 RI Ε應用， 本發明中含摺起 填 寫 本 裝 表 面 放 大 次 電 m 的 反 應 器 可 與 相 同 射 頻 電 壓 上 所 有 的 次 頁 1 I 電 搔 群 起 操 作 ί 在 此 在 結 構 電 極 裝 置 的 放 大 電 m 表 面 1 1 可 大 大 地 改 進 放 置 在 依 據 第 7 m 之 配 置 的 計 數 器 電 極 裝 1 I 置 上 的 基 體 的 離 子 衝 擊 〇 在 RI E應用， 且使用第1 3_的 1 訂 反 應 器 中 ，將相伺 的 射 頻 電 壓 饋 入 所 有 的 次 電 極 群 9 有 可 1 能 經 由 將 硪 沈 積 一 厚 度 最 大 編 移 只 有 5%的均勻覆層， 1 I 而 處 理 37 0X3 7 0 Bn 大 小 的 玻 璃 基 體 ό 在 處 理 之 後 Ϊ 此 反 1 應 器 由 氧 氣 雷 射 加 以 清 理 〇 1 I 更 進 一 步 考 量 將 處 理 之 基 體 的 冷 卻 及 加 熱 〇 因 此 依 據 I 第 1 3 圓 的 電 掻 2 0 » 最 好 可 準 確 控 制 冷 卻 / 加 熱 * 因 此 可 \ 1 達 到 不 同 的 基 體 猫 度 > 此 視 是 否 由 本 發 明反應器中的化 學 蒸 1 1 汽 沈 積 塗 覆 基 體 1 且 是 否 已 加 以 蝕 刻 Ό 對 於 蝕 刻 的 基 體 ! 1 * 尤 其 是 提供光漆 層 的 基 體 » 最 好 將 基 體 溫 度 維 持 在 光 漆 1 1 融 化 溫 度 之 下 〇 因 此 i 對 於 此 操 作 * 如 在 第 1 3 圓 電 極 20 1 i 上 的 基 體 由 冷 郤 条 統 冷 卻 至 40"〇 至 80 °c 之 間 〇 1 I 如 果 使 用 反 應 器 以 在 基 m 上 進 行 層 沈 稜 » 如 同 進 行 電 1 1 -2 2 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國困家揉準（CNS ) A4規格（2ίΟΧ297公t ) . A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 I 漿 增 強 蒸 汽 沈 積 9 則 最 好 將 基 體 加 熱至約2 0 G "C β此可相 1 1 當 也 改 進 沈 積 層 的 品 質 * 減 少 該 層 所受的 壓力， 而 不需 \ 1 要 任 何 其 他 的 熱 處 理 > 因 此 在 Ρ Β CVD期間將基質加熱至 請 1 先 1 如 此 高 溫 是 不 尋 常 的 事 情 〇 閱 讀 ί 回 視 第 7 1^3 两 » 其 中 Vh， \ 12 9 V! 3 * · * · * 至少有- 背 面 1 I 之 1 壓 包 含 有 效 的 射 頻 頻譜 9 所 有 在 —* 單倒電 棰（基體或無 注 意 1 I 基 體 電 極 )的信號也許是相同的E C， ACM動斜坡， 以及所有各 孝 項 1 1 種 可從超 侔置 {S u p e r -V 0 E 1 t 1 0 η) 上 得到的 倍號， 如 DC + 填 % 本 裝 AC + Γ a η Po 頁 >«_> 1 I 尤 其 是 在 第 9 圖 的 實 施 例 中 » 可 以由一 共同信 號 驅動 1 1 的 次 電 棰 群 S 在 此 對 於 此 例 子 1 次 電棰可 用電傳 導 的方 1 j 式 連 結 以 形 成 — 摺 起 的 電 棰 區 域 » 因此可 增大表 面 匾域 1 訂 〇 對 於 第 14 圖 至 第 1 9 圏 的 結 構 也 樣適用 〇 i 至 今 吾 人 尚 未 説 明 本 發 明 反 應 器 中關於 基體處 理 之均 1 I 勻 性 的 邊 界 效 m 之 恃 擻 0 在 第 2 5 圔 中顯示 本發明 反 應器 1 I 9 該 反 應 器 一 般 是 由 電 m 動 如 第 9圖中所 示者， 並 且輿 1 1 第 8 圖 相 m 聯 地 討 論 〇 在 此 除 了 在Vu , Vl2驅 動 之兩 群 次 電 m 外 另 外 提 供 一 如 所 示 之 三角截 面形狀 的 邊界 1 I 電 極 50 〇 一 般 此 邊 界 電 極 50經 由 匹 配盒〇 B及産 生 器G B 1 1 進 行 電 操 怍 〇 在 此 産 生 器 GB可産生預定頻譜的信號， I 可 能 的 話 具 有 頻 率 ， 相 位 或 調 變 的 振_ , 因此可 産 生一 1 1 單 頻 率 信 號 ， 或 此 産 生 器 G ΐ S可加以省略， 而僅雒持匹 1 1 配 盒 達 接 接 地 電 位 〇 再 次 匹 配 盒 對 於依據 在電搔 50 處的 1 I 信 號 VB〇 的0 頻譜頻率振輻之DC偏壓具有相當的助益。 1 1 -2 3- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（[~5)六4規格（2丨〇¥ 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 画 423〇〇 a7 ____ B7 五、發明説明（》) 經由邊界或周邊電極50，最好包圍次分割之電棰装置 10，且經由匹配盒連接至參考電位，或主動為其他的産 生器所_動，可對於處理上的均勻性達到相當的改進， 尤其是對於基鵲上蝕刻的均勻。因此，此邊界電極50甚 至可以處於浮動霄位邊界電極5D的較佳操作為經一建接 參考霉位的匹配盒，此匹配盒可含或不含額外的産生器 G B 〇 依據第25_的反應器操作如下：

Vu :射賴；13.56MHz, 0VDC镉軀，1KV射頻功率 V2〇 :經由一被動可調整匹配盒連結至接地電位 Vb〇:經由被動可調整匹配盒HBB建接至接地電位 在一 CF4/SFe a-Si 中，Η 大氣下，5xi(J4ebar 之 力，澜試4D0*»X4D0*ii基體上蝕刻效應的分佈。第26 圔顯示的分佈為

V 2〇 的 D C 镉壓：-2 1 5 V P13826TW PR9701 24.12.97

Vqq 之 DC 镉屋：+107V Vii, Viz 之 DC铴壓：0V 第27匾顯示之分佈為

V 20 之 D C 偏壓：-3 2 0 V VBQ 之 D C 偏壓：-8 3 V ▽ 11, Vw 之 DC輟 g : 0V 第28匾顯示之分佈為

V 2〇 之 D C 镝壓：-1 2 V -24- ---------幕------訂------.4. (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標瘆< CNS ) Λ4規格（210 X 公# ) 4 2 3 0 4 5 ' at B7 五、發明説明（4 )

VBC)之 DC褊壓：+3V Vu, Via 之 BC 禳壓：0V 因此可清楚地看出工作件的處理效醮分布可經由適當 地選擇作用在任一電極上的各別BC餵壓倍號而進行準確 地調整。 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁.) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 -25- 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（21〇X 297公釐）

Claims (1)

1. 423〇^5 A8 B8 C8 D8

   六、申請專利範圍 第8<7101169號「以電容賴聯之射頻電策反應器」專利案 (89年7月修正） 六申請專利範圍： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1. 一種電容耦聯之射頻電漿反應器，其特徵爲其包含： -一個第一及一個第二延伸電極裝置，各電極裝置互 相之間實際上呈固定的間隔且限定一電欺反應體積； -該第一及該第二電極裝置中至少有一電極裝置被 再細分成爲電性上互相隔離的次電極： --個屬於該次電極群中之第一群，此次電極群連 接至一共同的第一電源輸入： -一個屬於該次電極群中之第二群，共同連接至一 第二電源輸入； -該第一及第二電輸入之間彼此獨立。 2. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中由次電極桿形 成該次電極。 3. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中至少一個電極 裝置在再細分爲一個二維之型態而成爲該以電極。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中至少一個電極 裝置再細分成爲框狀或環狀的次電極。 5. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中沿著該至少一 個電極裝置的至少一個方向中配置該次電極群成爲週 期性交替的型態。 6. 如申請專利範圍第〗項之反應器，其中由次電極的表 本紙張尺度適用中國國家禕丰（CNS ) M規格（21〇x297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 面指向該二電極裝置中的第二電極裝置，而該二電極 裝置爲凸放大或凹放大。 如申請專利範圍第1項之反應器，其中該第一及第二 項電極裝置，其中實際上爲平面平行之電極裝置。 8‘如申請專利範圍第1項之反應器，其中該第一電源輸 入’該第二電源輸入及另一至該第一及該第二電極裝 置中另一電極裝置分別連接至產生器裝置，其產生在 該輸入中至少兩個相等的電信號。 9.如申請專利範圍第1項之反應器，其中該第一電輸入， 該第二電輸入及另一至該第一及該第二電極裝置中另 一電極裝置的電輸入連接至各別的產生器裝置，從下 列中各別選擇產生器裝置： -一個產生器裝置其含有被動阻抗元件匹配盒： 一個產生器裝置其含有主動信號產生裝置，該產生 裝置含或不含被動阻抗元件匹配盒； ——個產生器裝置其在其輸出處僅產生與一個參考 D C電位； 且其中該主動產生器產生下列信號： -一 DC信號： -一個預定或可調整頻譜頻率的AC信號，該信號爲 對應頻譜振輻，頻率分佈及相位中至少一項的非時變 或時變項中的一項。 10.如申請專利範圍第1項之反應器，其中該第一電輸入， -2 - 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規潘（210 X 297公釐） ----------*衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 泉 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 /1¾ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 ----------.Jr衣-- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 此邊界電極與第一及第二電極裝置中至少一電極裝置 相鄰’且包含另外的另一電輸入，該第一，第二，另 —及另外的另一電輸入經由相等匹配盒連接至不同的 «信號產生器或經由不同的匹配盒連接至共同電信號 產生器。 17.如申請專利範圍第丨項之反應器，其中至少一個電輸 人連接至一個射頻信號產生器，而該輸出信號可對於 振輻及/或相位及/或頻率及/或信號形狀加以調 整。 18_如申請專利範圍第〗項之反應器，其中連接該第一及 第二電極裝置及另一電極装置之該第_，第二及另一 電輸入中至少兩項連接一射頻產品器裝置而可調整彼 此之間的振輻比率及/或相位。 19. 如申請專利範圍第〖項之反應器，其中相鄰次電極之 間的距離小於在該反應器體積中產生之電漿之暗空間 (dark space)距離。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 20. 如申請專利範圍第1項之反應器，其中在該第一及第 二電極裝置中至少一個其具有通道裝置，而該電極裝 置連接一溫度控流體來源。 21·如申請專利範圍第1項之反應器，其中一氣體分佈室， 位在該至少一電極裝置之背面，而該電極裝置含一氣 體入口，且經由一中間空間而舆該反應器體積互相通 訊，其中該中間空間分開該次電極兩端。 -4- 本紙張凡度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧时產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 22_如申請專利範圍第1項之反應器，其中一屏蔽組件* 此屏蔽組件位在相鄰次電極之間及該次電極之後中至 少一位置處。 23·—種電容耦聯之射頻電漿反應器，其特徵爲其包含： -一個第一及一個第二延伸電極裝置，各電極裝置互 相之間實際上呈固定的間隔且限定一電漿反應體積； -該第一及第二電極裝置中至少一個電極裝置，此電 極裝置包含一摺起形型態，因此可放大該電極之表面 面積至一相當的程度。 24. —種控制離子衝擊比率之方法，此比率爲在一個電極表 面上的離子衝擊對在另一第二個電極表面上的離子衝 擊之比率，其中由定義電容積耦聯射頻電漿反應器的 限定電漿反應器體積之第一及第二電極裝置形成該電 極表面；其特徵爲該方法包含下列步驟： -將該第一及第二電極裝置中至少一項再細分成爲互 相電隔離的次電極： -將一電位作用於該次電極中至少一個次電極，而該 電位與作用在至少另一個次電極上的電位互相獨立： -互調該第一及第二電位以控制離子衝擊比率。 25. 如申請專利範圍第24項之方法，其中更包括步驟： 在該第一及第二電極裝置中之至少一電極裝置上進行 溫度控制。 26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中更包括步驟： -5- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS > Α4規格（210Χ297公釐） 六、申請專利範圍 控制離子衝擊，因此可蝕刻在該第一及第二電極裝 置中之一電極裝置中的基體，且控制基體溫度使介於40 °C至80Ό之間（包含該兩限制値）。 2 7.如申請專利範圍第25項之方法，其中控制該離子衝擊 的比率，以對於在該第一及第二電極裝置中之一電極 裝置上所提供的基體進行層沈積，且控制該基體的溫 度使高於150°C，最好是約200°C。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部晳慧財產局員工消費合作社印製 準 標 家 I國 國 财 尺 i張 釐 公 7 9 2