JP3065879B2 - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JP3065879B2 JP3065879B2 JP6060588A JP6058894A JP3065879B2 JP 3065879 B2 JP3065879 B2 JP 3065879B2 JP 6060588 A JP6060588 A JP 6060588A JP 6058894 A JP6058894 A JP 6058894A JP 3065879 B2 JP3065879 B2 JP 3065879B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- substrate
- holding member
- thin film
- plasma cvd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、チャンバー内に配置さ
れた基板上に薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置
に関するものである。
れた基板上に薄膜を形成するためのプラズマＣＶＤ装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、基板上に半導体薄膜などの薄
膜を形成する方法として高周波（ＲＦ）プラズマＣＶＤ
法が知られている。図６は、このような薄膜形成に用い
られる従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断面図で
ある。
膜を形成する方法として高周波（ＲＦ）プラズマＣＶＤ
法が知られている。図６は、このような薄膜形成に用い
られる従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断面図で
ある。
【０００３】図６を参照して、チャンバー１内には、印
加電極２及び接地電極３が対向して配置されている。接
地電極３内にはヒーター４が設けられている。また印加
電極２には、高周波電力を印加するための高周波電源１
０が接続されている。印加電極２の周囲にはアースシー
ルド９が設けられている。基板５は接地電極３の近傍に
配置され、基板保持部材としてのトレー６によって保持
されている。トレー６は、ローラー７，８の上に載せら
れている。ローラー７，８が回転することによりトレー
６が図面の手前側及び奥側に移動し、基板５の取り出し
及びセッティングが行われる。
加電極２及び接地電極３が対向して配置されている。接
地電極３内にはヒーター４が設けられている。また印加
電極２には、高周波電力を印加するための高周波電源１
０が接続されている。印加電極２の周囲にはアースシー
ルド９が設けられている。基板５は接地電極３の近傍に
配置され、基板保持部材としてのトレー６によって保持
されている。トレー６は、ローラー７，８の上に載せら
れている。ローラー７，８が回転することによりトレー
６が図面の手前側及び奥側に移動し、基板５の取り出し
及びセッティングが行われる。
【０００４】ローラー７はシャフト１１に取り付けられ
ており、シャフト１１にはギアー１２が取り付けられて
いる。このギアー１２にはチェーン１３が巻き付けられ
ており、このチェーン１３はチャンバー１の下方でギア
１４に巻き付けられている。ギアー１４はシャフト１５
に取り付けられている。他方のローラー８も同様に、シ
ャフト１６に取り付けられ、シャフト１６にはギアー１
７が取り付けられている。このギアー１７にはチェーン
１８が巻き付けられており、下方のシャフト１５に取り
付けられたギアー１９にこのチェーン１８が巻き付けら
れている。
ており、シャフト１１にはギアー１２が取り付けられて
いる。このギアー１２にはチェーン１３が巻き付けられ
ており、このチェーン１３はチャンバー１の下方でギア
１４に巻き付けられている。ギアー１４はシャフト１５
に取り付けられている。他方のローラー８も同様に、シ
ャフト１６に取り付けられ、シャフト１６にはギアー１
７が取り付けられている。このギアー１７にはチェーン
１８が巻き付けられており、下方のシャフト１５に取り
付けられたギアー１９にこのチェーン１８が巻き付けら
れている。
【０００５】シャフト１５は、チャンバー１の外部に設
けられたモーター２０により回転する。シャフト１５が
回転することにより、ギアー１４，１９が回転し、チェ
ーン１３，１８が周動する。このチェーン１３，１８の
周動により、ギアー１２，１７が回転し、それによって
シャフト１１，１６を介して、ローラー７，８が回転す
る。
けられたモーター２０により回転する。シャフト１５が
回転することにより、ギアー１４，１９が回転し、チェ
ーン１３，１８が周動する。このチェーン１３，１８の
周動により、ギアー１２，１７が回転し、それによって
シャフト１１，１６を介して、ローラー７，８が回転す
る。
【０００６】基板５の上に薄膜を形成する際には、チャ
ンバー１内に原料ガスが供給され、印加電極２に高周波
電力が高周波電源１０から印加される。これによって印
加電極２と接地電極３との間でプラズマが発生し、この
プラズマによって原料ガスが分解し、基板５の上に所定
の薄膜が堆積する。また、この際基板５は所定の基板温
度に加熱されており、このような加熱は、接地電極３内
に設けられたヒーター４によって行われる。
ンバー１内に原料ガスが供給され、印加電極２に高周波
電力が高周波電源１０から印加される。これによって印
加電極２と接地電極３との間でプラズマが発生し、この
プラズマによって原料ガスが分解し、基板５の上に所定
の薄膜が堆積する。また、この際基板５は所定の基板温
度に加熱されており、このような加熱は、接地電極３内
に設けられたヒーター４によって行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図７は、このような従
来のプラズマＣＶＤ装置を用いて薄膜を形成する際の問
題点を説明するための概略構成図である。図７におい
て、図６に示す装置に相当する部分は、同一の参照番号
を付している。
来のプラズマＣＶＤ装置を用いて薄膜を形成する際の問
題点を説明するための概略構成図である。図７におい
て、図６に示す装置に相当する部分は、同一の参照番号
を付している。
【０００８】このようなプラズマＣＶＤ装置において、
トレー６及びローラー７，８はステンレスなどの金属か
ら一般に形成されている。また、トレー６及びローラー
７，８は、接地電極３よりも印加電極２に近い位置に配
置されている。このため、トレー６及びローラー７，８
と印加電極２との間でも放電が発生し、この結果中央部
に比べトレー６及びローラー７，８が存在する周辺部に
おいて放電が相対的に強くなる傾向があった。このた
め、基板５の上に形成される薄膜２１は、中央部よりも
周辺部の膜厚が厚くなる傾向があった。
トレー６及びローラー７，８はステンレスなどの金属か
ら一般に形成されている。また、トレー６及びローラー
７，８は、接地電極３よりも印加電極２に近い位置に配
置されている。このため、トレー６及びローラー７，８
と印加電極２との間でも放電が発生し、この結果中央部
に比べトレー６及びローラー７，８が存在する周辺部に
おいて放電が相対的に強くなる傾向があった。このた
め、基板５の上に形成される薄膜２１は、中央部よりも
周辺部の膜厚が厚くなる傾向があった。
【０００９】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、基板上でのプラズマ放電をより均一化させる
ことができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにあ
る。
を解消し、基板上でのプラズマ放電をより均一化させる
ことができるプラズマＣＶＤ装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマＣＶＤ
装置は、チャンバー内に配置された基板上に薄膜を形成
するためのプラズマＣＶＤ装置であり、高周波電力が印
加される印加電極と、印加電極と対向して設けられる接
地電極と、接地電極の上に基板を配置して保持する基板
保持部材と、基板の取り出し及びセッティングのため基
板保持部材を移動させる基板保持部材移動手段とを備
え、基板保持部材が接地されており、印加電極が平板型
電極の上に該平板型電極よりも小さなサイズの別体の平
板型電極を載せることにより中央部に凸部が設けられた
印加電極であり、凸部と基板表面との間の距離が、凸部
の周辺部と基板表面との間の距離の８０％〜６０％の範
囲内であり、基板保持部材の内側の端縁から内側に３０
〜５０ｍｍの位置に凸部の外側端縁が位置することを特
徴としている。
装置は、チャンバー内に配置された基板上に薄膜を形成
するためのプラズマＣＶＤ装置であり、高周波電力が印
加される印加電極と、印加電極と対向して設けられる接
地電極と、接地電極の上に基板を配置して保持する基板
保持部材と、基板の取り出し及びセッティングのため基
板保持部材を移動させる基板保持部材移動手段とを備
え、基板保持部材が接地されており、印加電極が平板型
電極の上に該平板型電極よりも小さなサイズの別体の平
板型電極を載せることにより中央部に凸部が設けられた
印加電極であり、凸部と基板表面との間の距離が、凸部
の周辺部と基板表面との間の距離の８０％〜６０％の範
囲内であり、基板保持部材の内側の端縁から内側に３０
〜５０ｍｍの位置に凸部の外側端縁が位置することを特
徴としている。
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【作用】本発明のプラズマＣＶＤ装置では、基板保持部
材が積極的に接地されている。これは、基板保持手段と
印加電極との間の放電を安定化させるためであり、基板
保持部材と印加電極との間の放電が不安定であると、従
来とは逆に中央部での放電が強くなり、形成される薄膜
の中央部の膜厚が周辺部よりも厚くなってしまうおそれ
があるからである。
材が積極的に接地されている。これは、基板保持手段と
印加電極との間の放電を安定化させるためであり、基板
保持部材と印加電極との間の放電が不安定であると、従
来とは逆に中央部での放電が強くなり、形成される薄膜
の中央部の膜厚が周辺部よりも厚くなってしまうおそれ
があるからである。
【００１５】本発明では、このように基板保持部材を積
極的に接地して、周辺部での放電を安定化させるととも
に、印加電極の表面の中央部が周辺部よりも接地電極に
近づくように印加電極の中央部に凸部を設けている。本
発明に従えば、中央部において印加電極と接地電極との
間の距離がより接近するので、プラズマ中央部での放電
も強くなり、全体として均一な放電状態を得ることがで
きる。従って、本発明に従えば、基板上でのプラズマ放
電をより均一化させることができ、形成する薄膜の膜厚
を均一化することができる。
極的に接地して、周辺部での放電を安定化させるととも
に、印加電極の表面の中央部が周辺部よりも接地電極に
近づくように印加電極の中央部に凸部を設けている。本
発明に従えば、中央部において印加電極と接地電極との
間の距離がより接近するので、プラズマ中央部での放電
も強くなり、全体として均一な放電状態を得ることがで
きる。従って、本発明に従えば、基板上でのプラズマ放
電をより均一化させることができ、形成する薄膜の膜厚
を均一化することができる。
【００１６】
【実施例】図１は、本発明に従う一実施例のプラズマＣ
ＶＤ装置を示す概略構成図である。図１を参照して、チ
ャンバー１内には、接地電極３及び印加電極２が対向し
て設けられている。印加電極２は、平板型電極２ａの上
に該平板型電極２ａよりも小さなサイズの平板型電極２
ｂを載せることにより構成されている。平板型電極２ａ
の上に平板型電極２ｂを載せることにより、印加電極２
の凸部が形成されている。図２は、図１に示す実施例に
おいて用いている印加電極２を示す平面図である。図２
に示されるように、平板型電極２ａの上に、その四方に
おいてより小さなサイズの平板型電極２ｂが載せられて
いる。
ＶＤ装置を示す概略構成図である。図１を参照して、チ
ャンバー１内には、接地電極３及び印加電極２が対向し
て設けられている。印加電極２は、平板型電極２ａの上
に該平板型電極２ａよりも小さなサイズの平板型電極２
ｂを載せることにより構成されている。平板型電極２ａ
の上に平板型電極２ｂを載せることにより、印加電極２
の凸部が形成されている。図２は、図１に示す実施例に
おいて用いている印加電極２を示す平面図である。図２
に示されるように、平板型電極２ａの上に、その四方に
おいてより小さなサイズの平板型電極２ｂが載せられて
いる。
【００１７】印加電極２の周囲にはアースシールド９が
設けられており、このアースシールド９は接地されてい
る。印加電極２には高周波電源１０が接続されており、
高周波電源１０から高周波電力が印加される。
設けられており、このアースシールド９は接地されてい
る。印加電極２には高周波電源１０が接続されており、
高周波電源１０から高周波電力が印加される。
【００１８】接地電極３内にはヒーター４が設けられて
いる。基板５は接地電極３側に隣接して配置されてお
り、基板保持部材であるトレー６により保持されてい
る。トレー６は、基板保持部材を移動させるための基板
保持部材移動手段としてのローラー７，８の上に載せら
れている。
いる。基板５は接地電極３側に隣接して配置されてお
り、基板保持部材であるトレー６により保持されてい
る。トレー６は、基板保持部材を移動させるための基板
保持部材移動手段としてのローラー７，８の上に載せら
れている。
【００１９】本実施例の装置では、トレー６が接地され
ている。図３は、トレー６を接地するためのアース用板
２２を示す平面図である。トレー６はローラー７，８の
回転によりチャンバー内を移動するが、トレー６を移動
させてチャンバー内に設置する際に、図３に示すような
アース用板２２と接触するように、アース用板２２をチ
ャンバー１の壁面に設けておく。アース用板２２は、例
えば金属製の板ばねなどの導電材料から形成されてい
る。チャンバー１の壁面は接地されているので、アース
用板２２を介してトレー６を接地することができる。し
かしながら、本発明のこのような接地方法に限定される
ものではなく、トレー６を接地し得る方法であれば他の
方法でもよい。
ている。図３は、トレー６を接地するためのアース用板
２２を示す平面図である。トレー６はローラー７，８の
回転によりチャンバー内を移動するが、トレー６を移動
させてチャンバー内に設置する際に、図３に示すような
アース用板２２と接触するように、アース用板２２をチ
ャンバー１の壁面に設けておく。アース用板２２は、例
えば金属製の板ばねなどの導電材料から形成されてい
る。チャンバー１の壁面は接地されているので、アース
用板２２を介してトレー６を接地することができる。し
かしながら、本発明のこのような接地方法に限定される
ものではなく、トレー６を接地し得る方法であれば他の
方法でもよい。
【００２０】平板型電極２ａ上に載せる平板型電極２ｂ
の寸法に関しては、以下のような指標を用いた。すなわ
ち、平板型電極２ｂの高さについては、図１を参照し
て、平板型電極２ｂと基板５表面との間の距離Ｌ1 と
し、平板型電極２ａと基板５表面との間の距離Ｌ0 と
し、Ｌ1 ／Ｌ0 を高さの指標とした。
の寸法に関しては、以下のような指標を用いた。すなわ
ち、平板型電極２ｂの高さについては、図１を参照し
て、平板型電極２ｂと基板５表面との間の距離Ｌ1 と
し、平板型電極２ａと基板５表面との間の距離Ｌ0 と
し、Ｌ1 ／Ｌ0 を高さの指標とした。
【００２１】平板型電極２ｂの面方向の大きさについて
は、図４を参照して、トレー６の内側端縁と平板型電極
２ｂの外側端縁との間の距離Ｘを面方向の大きさの指標
とした。なお平板型電極２ｂは、平板型電極２ａの相似
形状のものを用いた。
は、図４を参照して、トレー６の内側端縁と平板型電極
２ｂの外側端縁との間の距離Ｘを面方向の大きさの指標
とした。なお平板型電極２ｂは、平板型電極２ａの相似
形状のものを用いた。
【００２２】薄膜としては、非晶質シリコン薄膜を形成
した。ＲＦプラズマＣＶＤ法で非晶質シリコン薄膜を形
成する一般的な条件は、ＲＦパワー：１０〜５０Ｗ、基
板温度：２００〜３００℃、反応圧力：０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒ、ＳｉＨ4 流量：１０〜２００ｓｃｃｍである
が、本実施例では、ＲＦパワー：２０Ｗ、基板温度：２
００℃、反応圧力：１．０Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4 流量：５
０ｓｃｃｍとし、接地電極３及び印加電極２の平板型電
極２ａの大きさを４００ｍｍ×５００ｍｍとした。
した。ＲＦプラズマＣＶＤ法で非晶質シリコン薄膜を形
成する一般的な条件は、ＲＦパワー：１０〜５０Ｗ、基
板温度：２００〜３００℃、反応圧力：０．１〜１０Ｔ
ｏｒｒ、ＳｉＨ4 流量：１０〜２００ｓｃｃｍである
が、本実施例では、ＲＦパワー：２０Ｗ、基板温度：２
００℃、反応圧力：１．０Ｔｏｒｒ、ＳｉＨ4 流量：５
０ｓｃｃｍとし、接地電極３及び印加電極２の平板型電
極２ａの大きさを４００ｍｍ×５００ｍｍとした。
【００２３】まず、Ｌ1 ／Ｌ0 が７０％となり、Ｘの値
が４０ｍｍとなるような平行平板型電極２ｂを用いて、
上記形成条件で非晶質シリコン薄膜を形成した。なお基
板の大きさは３０ｃｍ×４０ｃｍとした。この結果得ら
れた非晶質シリコン薄膜の膜厚分布は±１５％の範囲内
であった。
が４０ｍｍとなるような平行平板型電極２ｂを用いて、
上記形成条件で非晶質シリコン薄膜を形成した。なお基
板の大きさは３０ｃｍ×４０ｃｍとした。この結果得ら
れた非晶質シリコン薄膜の膜厚分布は±１５％の範囲内
であった。
【００２４】次に、比較として平行平板電極２ｂを載せ
ない状態で、すなわち平行平板電極２ａのみを用い、か
つトレー６を接地させない状態で、その他の条件は上記
実施例と同一にして非晶質シリコン薄膜を形成した。得
られた非晶質シリコン薄膜の膜厚分布は±３０％であっ
た。
ない状態で、すなわち平行平板電極２ａのみを用い、か
つトレー６を接地させない状態で、その他の条件は上記
実施例と同一にして非晶質シリコン薄膜を形成した。得
られた非晶質シリコン薄膜の膜厚分布は±３０％であっ
た。
【００２５】また、比較として図１に示すようにな装置
を用い、トレー６をアースに落とさない以外は上記実施
例と同様にして非晶質シリコン薄膜を形成した。得られ
た非晶質シリコン薄膜の膜厚分布は±２０％であった。
を用い、トレー６をアースに落とさない以外は上記実施
例と同様にして非晶質シリコン薄膜を形成した。得られ
た非晶質シリコン薄膜の膜厚分布は±２０％であった。
【００２６】以上のことから明らかなように、本発明に
従い基板保持部材であるトレーを接地し、印加電極２の
中央部に凸部を設けることにより、膜厚分布のより均一
な薄膜を形成することができる。
従い基板保持部材であるトレーを接地し、印加電極２の
中央部に凸部を設けることにより、膜厚分布のより均一
な薄膜を形成することができる。
【００２７】次に、平板型電極２ｂの面方向の大きさの
指標であるＸの値が４０ｍｍと一定になるような大きさ
でかつ、厚みすなわち高さが異なる平板型電極２ｂを用
いて、図１に示すＬ1 ／Ｌ0 を９０％から５０％に変化
させて、非晶質シリコン薄膜を上記形成条件で形成し
た。得られた非晶質シリコン薄膜の膜厚分布を測定し、
その結果を表１に示した。なお、基板５としては、３０
ｃｍ×４０ｃｍの大きさのものを用いた。
指標であるＸの値が４０ｍｍと一定になるような大きさ
でかつ、厚みすなわち高さが異なる平板型電極２ｂを用
いて、図１に示すＬ1 ／Ｌ0 を９０％から５０％に変化
させて、非晶質シリコン薄膜を上記形成条件で形成し
た。得られた非晶質シリコン薄膜の膜厚分布を測定し、
その結果を表１に示した。なお、基板５としては、３０
ｃｍ×４０ｃｍの大きさのものを用いた。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１に示されるように、Ｌ1 ／Ｌ0 が７０
％のときに最も膜厚分布が小さくなっている。
％のときに最も膜厚分布が小さくなっている。
【００３０】次に、Ｌ1 ／Ｌ0 を７０％と一定にし、平
板型電極２ｂの面方向の大きさを変化させた。図４に示
すＸの値を０〜７０ｍｍに変化させて、上記と同様の形
成条件で非晶質シリコン薄膜を形成し、その膜厚分布を
測定した。なお基板の大きさは上記実施例と同様に３０
ｃｍ×４０ｃｍのものを用いた。
板型電極２ｂの面方向の大きさを変化させた。図４に示
すＸの値を０〜７０ｍｍに変化させて、上記と同様の形
成条件で非晶質シリコン薄膜を形成し、その膜厚分布を
測定した。なお基板の大きさは上記実施例と同様に３０
ｃｍ×４０ｃｍのものを用いた。
【００３１】図５は、この結果を示しており、幅Ｘと膜
厚分布との関係を示している。図５から明らかなよう
に、幅Ｘは４０ｍｍのとき最も膜厚分布が小さくなって
おり、３０ｍｍから５０ｍｍの範囲で良好な膜厚の均一
性が得られている。
厚分布との関係を示している。図５から明らかなよう
に、幅Ｘは４０ｍｍのとき最も膜厚分布が小さくなって
おり、３０ｍｍから５０ｍｍの範囲で良好な膜厚の均一
性が得られている。
【００３２】
【発明の効果】本発明に従えば、基板上でのプラズマ放
電をより均一化させることができる。従って、本発明の
プラズマＣＶＤ装置を用いることにより、膜厚分布の均
一な薄膜を形成することができる。
電をより均一化させることができる。従って、本発明の
プラズマＣＶＤ装置を用いることにより、膜厚分布の均
一な薄膜を形成することができる。
【図１】本発明に従う一実施例のプラズマＣＶＤ装置を
示す概略構成図。
示す概略構成図。
【図２】図１に示す実施例において用いる平板型電極の
積み重ね状態を示す平面図。
積み重ね状態を示す平面図。
【図３】図１に示す実施例において用いるトレーを接地
するためのアース用板を示す平面図。
するためのアース用板を示す平面図。
【図４】図１に示す実施例において用いる印加電極の凸
部の寸法形状を示すための断面図。
部の寸法形状を示すための断面図。
【図５】図４に示す幅Ｘと膜厚分布との関係を示す図。
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す断面
図。
図。
【図７】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例を示す概略構
成図。
成図。
１…チャンバー ２…印加電極 ２ａ…平板型電極 ２ｂ…平板型電極（印加電極の凸部に相当する） ３…接地電極 ４…ヒーター ５…基板 ６…トレー ７，８…ローラー ９…アースシールド １０…高周波電源 ２１…薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭54−58361（ＪＰ，Ａ) 実開 平２−15723（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/00 H01L 21/31
Claims (1)
- 【請求項１】 チャンバー内に配置された基板上に薄膜
を形成するためのプラズマＣＶＤ装置であって、 高周波電力が印加される印加電極と、 前記印加電極と対向して設けられる接地電極と、 前記接地電極の上に前記基板を配置して保持する基板保
持部材と、 前記基板の取り出し及びセッティングのため前記基板保
持部材を移動させる基板保持部材移動手段とを備え、 前記基板保持部材が接地されており、前記印加電極が平
板型電極の上に該平板型電極よりも小さなサイズの別体
の平板型電極を載せることにより中央部に凸部が設けら
れた印加電極であり、凸部と基板表面との間の距離が、
凸部の周辺部と基板表面との間の距離の８０％〜６０％
の範囲内であり、前記基板保持部材の内側の端縁から内
側に３０〜５０ｍｍの位置に凸部の外側端縁が位置する
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060588A JP3065879B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6060588A JP3065879B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273042A JPH07273042A (ja) | 1995-10-20 |
| JP3065879B2 true JP3065879B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=13146554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6060588A Expired - Lifetime JP3065879B2 (ja) | 1994-03-30 | 1994-03-30 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3065879B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5981899A (en) * | 1997-01-17 | 1999-11-09 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled RF-plasma reactor |
-
1994
- 1994-03-30 JP JP6060588A patent/JP3065879B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07273042A (ja) | 1995-10-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3107971B2 (ja) | 気相反応装置 | |
| US7784426B2 (en) | Plasma reactor for the treatment of large size substrates | |
| JP2875945B2 (ja) | Ｃｖｄにより大面積のガラス基板上に高堆積速度でシリコン窒化薄膜を堆積する方法 | |
| US5861197A (en) | Deposition of high quality conformal silicon oxide thin films on glass substrates | |
| JPH0713947B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造装置 | |
| US6558507B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| US4825806A (en) | Film forming apparatus | |
| JP3065879B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| US6291029B1 (en) | Plasma processing method | |
| US20070283889A1 (en) | Apparatus of processing substrate | |
| JP3004869B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| JPS6053751B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2003109908A (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、基板および半導体装置 | |
| EP0674335A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
| JPH11350132A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2506389B2 (ja) | マスク基板のドライエッチング方法 | |
| JPS641958Y2 (ja) | ||
| JPH07297404A (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JP2776087B2 (ja) | 電子写真感光体製造装置 | |
| JP2602881B2 (ja) | 成膜装置 | |
| JP2562686B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6314423A (ja) | 半導体薄膜の製造装置 | |
| KR100234076B1 (ko) | 박막 형성용 스퍼터링 장치 | |
| JP2958850B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置およびそれを用いるアモルファスシリコン感光体の製造方法 | |
| JPS60236218A (ja) | プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090512 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140512 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |