JPH0878187A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0878187A JPH0878187A JP6211649A JP21164994A JPH0878187A JP H0878187 A JPH0878187 A JP H0878187A JP 6211649 A JP6211649 A JP 6211649A JP 21164994 A JP21164994 A JP 21164994A JP H0878187 A JPH0878187 A JP H0878187A
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- plasma
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被プラズマ処理物に対して広範囲に渡って均
一にプラズマを発生させることができ、被プラズマ処理
物を広範囲に渡って均一にプラズマ処理することができ
る。 【構成】 高周波電源４と、該高周波電源４に接続され
た高周波印加電極１とを有し、該高周波印加電極１に高
周波を印加してプラズマを発生させることにより、前記
高周波印加電極１と対向するように配置された被プラズ
マ処理物７をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
て、前記高周波印加電極１を、所定の間隔でマトリック
ス状に配置してなる。
一にプラズマを発生させることができ、被プラズマ処理
物を広範囲に渡って均一にプラズマ処理することができ
る。 【構成】 高周波電源４と、該高周波電源４に接続され
た高周波印加電極１とを有し、該高周波印加電極１に高
周波を印加してプラズマを発生させることにより、前記
高周波印加電極１と対向するように配置された被プラズ
マ処理物７をプラズマ処理するプラズマ処理装置におい
て、前記高周波印加電極１を、所定の間隔でマトリック
ス状に配置してなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置に係
り、詳しくは、フォトリソグラフィー工程で使用するに
従い、部品表面に成長する有機物をプラズマ・エッチン
グ技術を利用して除去するクリーニング装置に適用する
ことができ、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一に
プラズマ処理することができるプラズマ処理装置に関す
る。
り、詳しくは、フォトリソグラフィー工程で使用するに
従い、部品表面に成長する有機物をプラズマ・エッチン
グ技術を利用して除去するクリーニング装置に適用する
ことができ、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一に
プラズマ処理することができるプラズマ処理装置に関す
る。
【０００２】近年、フォトリソグラフィー工程で使用す
るに従い、部品表面に成長するレジスト残漬等の有機物
の除去には、プラズマエッチング技術を利用して除去す
るクリーニング装置が良く用いられている。
るに従い、部品表面に成長するレジスト残漬等の有機物
の除去には、プラズマエッチング技術を利用して除去す
るクリーニング装置が良く用いられている。
【０００３】
【従来の技術】従来、部品表面に付着したレジスト残漬
等の有機物の汚れの除去方法には、ダイヤモンド等の研
磨粉で除去したり、有機溶剤で処理する方法が挙げられ
る。しかしながら、前者の研磨粉で除去する方法では、
特に、被処理物の表面に微細な凸凹があると、凹部に付
着した汚れが除去し難く、清浄度の点で問題があった。
等の有機物の汚れの除去方法には、ダイヤモンド等の研
磨粉で除去したり、有機溶剤で処理する方法が挙げられ
る。しかしながら、前者の研磨粉で除去する方法では、
特に、被処理物の表面に微細な凸凹があると、凹部に付
着した汚れが除去し難く、清浄度の点で問題があった。
【０００４】また、後者の有機溶剤により除去する方法
では、上記と同様、清浄度の点で問題があるうえ、汚れ
の品質に対して適切な有機溶剤を選択することが難しい
という問題があった。そこで、上記問題を解消する従来
のクリーニング方法には、プラズマエッチングにより部
品に付着したレジスト等の残漬を除去する方法が知られ
ている。そして、この従来のプラズマ処理装置には、単
一の棒状又は１０ｍｍ程度の円周上に配置したリング状
の高周波印加電極が用いられている。
では、上記と同様、清浄度の点で問題があるうえ、汚れ
の品質に対して適切な有機溶剤を選択することが難しい
という問題があった。そこで、上記問題を解消する従来
のクリーニング方法には、プラズマエッチングにより部
品に付着したレジスト等の残漬を除去する方法が知られ
ている。そして、この従来のプラズマ処理装置には、単
一の棒状又は１０ｍｍ程度の円周上に配置したリング状
の高周波印加電極が用いられている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来のプラズマ処理装置では、単一の棒状又は
リング状の高周波印加電極に高周波を印加してプラズマ
を発生させていたため、プラズマ発生領域が局部的に強
く発生し易くて、広範囲に渡って均一に発生し難い。
たような従来のプラズマ処理装置では、単一の棒状又は
リング状の高周波印加電極に高周波を印加してプラズマ
を発生させていたため、プラズマ発生領域が局部的に強
く発生し易くて、広範囲に渡って均一に発生し難い。
【０００６】このため、被プラズマ処理物に対して広範
囲に渡って均一にプラズマを発生し難いので、被プラズ
マ処理物を広範囲に渡って均一にプラズマ処理し難いと
いう問題があった。そこで、本発明は、被プラズマ処理
物に対して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させる
ことができ、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一に
プラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。
囲に渡って均一にプラズマを発生し難いので、被プラズ
マ処理物を広範囲に渡って均一にプラズマ処理し難いと
いう問題があった。そこで、本発明は、被プラズマ処理
物に対して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させる
ことができ、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一に
プラズマ処理することができるプラズマ処理装置を提供
することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
高周波電源と、該高周波電源に接続された高周波印加電
極とを有し、該高周波印加電極に高周波を印加してプラ
ズマを発生させることにより、前記高周波印加電極と対
向するように配置された被プラズマ処理物をプラズマ処
理するプラズマ処理装置において、前記高周波印加電極
を、所定の間隔でマトリックス状に配置してなることを
特徴とするものである。
高周波電源と、該高周波電源に接続された高周波印加電
極とを有し、該高周波印加電極に高周波を印加してプラ
ズマを発生させることにより、前記高周波印加電極と対
向するように配置された被プラズマ処理物をプラズマ処
理するプラズマ処理装置において、前記高周波印加電極
を、所定の間隔でマトリックス状に配置してなることを
特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の発明は、上記請求項１記載
の発明において、前記高周波印加電極の周辺に接地電極
を配置してなることを特徴とするものである。請求項３
記載の発明は、上記請求項１，２記載の発明において、
前記高周波印加電極に高周波印加をＯＮ／ＯＦＦするＯ
Ｎ／ＯＦＦスイッチを設けてなることを特徴とするもの
である。
の発明において、前記高周波印加電極の周辺に接地電極
を配置してなることを特徴とするものである。請求項３
記載の発明は、上記請求項１，２記載の発明において、
前記高周波印加電極に高周波印加をＯＮ／ＯＦＦするＯ
Ｎ／ＯＦＦスイッチを設けてなることを特徴とするもの
である。
【０００９】請求項４記載の発明は、上記請求項３記載
の発明において、前記ＯＮ／ＯＦＦスイッチは、前記高
周波印加電極の配置に合せたマトリックス状に配置され
た集合操作盤で構成してなることを特徴とするものであ
る。請求項５記載の発明は、上記請求項３，４記載の発
明において、前記高周波印加電極と前記ＯＮ／ＯＦＦス
イッチは、前記被プラズマ処理物に対応する範囲にプラ
ズマを発生させるように組み合せてなることを特徴とす
るものである。
の発明において、前記ＯＮ／ＯＦＦスイッチは、前記高
周波印加電極の配置に合せたマトリックス状に配置され
た集合操作盤で構成してなることを特徴とするものであ
る。請求項５記載の発明は、上記請求項３，４記載の発
明において、前記高周波印加電極と前記ＯＮ／ＯＦＦス
イッチは、前記被プラズマ処理物に対応する範囲にプラ
ズマを発生させるように組み合せてなることを特徴とす
るものである。
【００１０】請求項６記載の発明は、上記請求項３乃至
５記載の発明において、前記ＯＮ／ＯＦＦスイッチの設
定は、端末から画面入力により設定した情報を通信手段
を通して送信することにより行うことを特徴とするもの
である。請求項７記載の発明は、上記請求項１乃至６記
載の発明において、前記高周波印加電極は、セラミック
母材上に形成してなることを特徴とするものである。
５記載の発明において、前記ＯＮ／ＯＦＦスイッチの設
定は、端末から画面入力により設定した情報を通信手段
を通して送信することにより行うことを特徴とするもの
である。請求項７記載の発明は、上記請求項１乃至６記
載の発明において、前記高周波印加電極は、セラミック
母材上に形成してなることを特徴とするものである。
【００１１】請求項８記載の発明は、上記請求項１乃至
７記載の発明において、前記高周波印加電極は、金、銅
及びニッケルのうち、少なくとも１種の金属からなるこ
とを特徴とするものである。請求項９記載の発明は、上
記請求項２乃至８記載の発明において、前記高周波印加
電極と前記接地電極間に、前記高周波印加電極と前記接
地電極を分離する分離溝を形成してなることを特徴とす
るものである。
７記載の発明において、前記高周波印加電極は、金、銅
及びニッケルのうち、少なくとも１種の金属からなるこ
とを特徴とするものである。請求項９記載の発明は、上
記請求項２乃至８記載の発明において、前記高周波印加
電極と前記接地電極間に、前記高周波印加電極と前記接
地電極を分離する分離溝を形成してなることを特徴とす
るものである。
【００１２】請求項１０記載の発明は、上記請求項７乃
至９記載の発明において、前記セラミック母材上に形成
された前記高周波印加電極への配線は、前記高周波印加
電極とは反対側の前記セラミック母材面から前記高周波
印加電極にまで通じる開口部内に充填した導電性膜によ
り行われてなることを特徴とするものである。
至９記載の発明において、前記セラミック母材上に形成
された前記高周波印加電極への配線は、前記高周波印加
電極とは反対側の前記セラミック母材面から前記高周波
印加電極にまで通じる開口部内に充填した導電性膜によ
り行われてなることを特徴とするものである。
【００１３】
【作用】本発明では、高周波印加電極を、所定の間隔で
マトリックス状に配置し、この高周波印加電極に高周波
を印加してプラズマを発生させることにより、高周波印
加電極と対向するように配置された被プラズマ処理物を
プラズマ処理するように構成する。
マトリックス状に配置し、この高周波印加電極に高周波
を印加してプラズマを発生させることにより、高周波印
加電極と対向するように配置された被プラズマ処理物を
プラズマ処理するように構成する。
【００１４】このため、従来の単一の棒状又はリング状
の高周波印加電極を用いる場合よりも、マトリックス状
に配置された高周波印加電極により、被プラズマ処理物
に対して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させるこ
とができるので、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均
一にプラズマ処理することができる。
の高周波印加電極を用いる場合よりも、マトリックス状
に配置された高周波印加電極により、被プラズマ処理物
に対して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させるこ
とができるので、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均
一にプラズマ処理することができる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明に係る一実施例のプラズマ処理装置
における高周波印加電極の配置例を示す平面図、図２は
図１に示すＡ１−Ａ２方向の高周波印加電極と被プラズ
マ処理物を示す断面図である。本実施例の金、銅及びニ
ッケル等の高周波印加電極１は、セラミック等の絶縁性
取り付け台２上に所定の間隔でマトリックス状に配置さ
れ、このマトリックス状に配置された高周波印加電極１
は、この取り付け台２を通して引き出された配線３に繋
がれた高周波電源４と接続されている。
する。図１は本発明に係る一実施例のプラズマ処理装置
における高周波印加電極の配置例を示す平面図、図２は
図１に示すＡ１−Ａ２方向の高周波印加電極と被プラズ
マ処理物を示す断面図である。本実施例の金、銅及びニ
ッケル等の高周波印加電極１は、セラミック等の絶縁性
取り付け台２上に所定の間隔でマトリックス状に配置さ
れ、このマトリックス状に配置された高周波印加電極１
は、この取り付け台２を通して引き出された配線３に繋
がれた高周波電源４と接続されている。
【００１６】高周波印加電極１の周辺には、ＧＮＤ用電
極５が配置され、高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５間
には、高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５を分離し、か
つ高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５間に高電位差を与
える分離溝６が形成されている。ここで、取り付け台２
上に高周波印加電極１、ＧＮＤ用電極５及び分離溝６を
形成する方法を説明する。
極５が配置され、高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５間
には、高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５を分離し、か
つ高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５間に高電位差を与
える分離溝６が形成されている。ここで、取り付け台２
上に高周波印加電極１、ＧＮＤ用電極５及び分離溝６を
形成する方法を説明する。
【００１７】まず、セラミック取り付け台２上全面に鍍
金法、蒸着法等によりＡｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属膜を形
成した後、平削り等の研削加工により金属膜を研削し
て、分離溝６を形成することにより、分離溝６で分離さ
れた高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５を形成する。こ
の時、分離溝６コーナー部は、図３に示す如く、研削加
工により丸まる。
金法、蒸着法等によりＡｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属膜を形
成した後、平削り等の研削加工により金属膜を研削し
て、分離溝６を形成することにより、分離溝６で分離さ
れた高周波印加電極１とＧＮＤ用電極５を形成する。こ
の時、分離溝６コーナー部は、図３に示す如く、研削加
工により丸まる。
【００１８】ここでは、高周波印加電極１を、平らな面
を有するセラミック母材の取り付け台２上に形成して高
周波印加電極１の加工性を容易にする場合を説明した
が、被プラズマ処理物７の凸凹に合わせて取り付け台２
上に表面が凸凹な高周波印加電極１を形成するように構
成してもよい。なお、研削加工以外には、例えば分離溝
６を形成する取り付け台２上部分にマスクテープを形成
しておき、この状態で鍍金法によりＡｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等
を鍍金することにより、高周波印加電極１とＧＮＤ用電
極５を形成した後、マスクテープを除去して分離溝６を
形成するように構成してもよい。
を有するセラミック母材の取り付け台２上に形成して高
周波印加電極１の加工性を容易にする場合を説明した
が、被プラズマ処理物７の凸凹に合わせて取り付け台２
上に表面が凸凹な高周波印加電極１を形成するように構
成してもよい。なお、研削加工以外には、例えば分離溝
６を形成する取り付け台２上部分にマスクテープを形成
しておき、この状態で鍍金法によりＡｕ，Ｃｕ，Ｎｉ等
を鍍金することにより、高周波印加電極１とＧＮＤ用電
極５を形成した後、マスクテープを除去して分離溝６を
形成するように構成してもよい。
【００１９】次に、セラミック母材の取り付け台２に高
周波印加電極１と接続される配線３ａを形成する方法を
説明する。まず、高周波印加電極１とは反対側のセラミ
ック母材の取り付け台２面から高周波印加電極１にまで
通じる開口部をエッチング等により形成する。そして、
この取り付け台２に形成した開口部内に半田、メリライ
ズ処理等により埋め込んで充填するように配線３ａを形
成する。
周波印加電極１と接続される配線３ａを形成する方法を
説明する。まず、高周波印加電極１とは反対側のセラミ
ック母材の取り付け台２面から高周波印加電極１にまで
通じる開口部をエッチング等により形成する。そして、
この取り付け台２に形成した開口部内に半田、メリライ
ズ処理等により埋め込んで充填するように配線３ａを形
成する。
【００２０】このように、本実施例では、高周波印加電
極１を、所定の間隔でマトリックス状に配置し、この高
周波印加電極１に高周波電源４により高周波を印加して
プラズマを発生させることにより、高周波印加電極１と
対向するように配置された被プラズマ処理物７をプラズ
マ処理するように構成している。このため、従来の単一
の棒状又はリング状の高周波印加電極を用いる場合より
も、マトリックス状に配置された高周波印加電極１によ
り、被プラズマ処理物７に対して広範囲に渡って均一に
プラズマを発生させることができるので、被プラズマ処
理物７を広範囲に渡って均一にプラズマ処理することが
できる。
極１を、所定の間隔でマトリックス状に配置し、この高
周波印加電極１に高周波電源４により高周波を印加して
プラズマを発生させることにより、高周波印加電極１と
対向するように配置された被プラズマ処理物７をプラズ
マ処理するように構成している。このため、従来の単一
の棒状又はリング状の高周波印加電極を用いる場合より
も、マトリックス状に配置された高周波印加電極１によ
り、被プラズマ処理物７に対して広範囲に渡って均一に
プラズマを発生させることができるので、被プラズマ処
理物７を広範囲に渡って均一にプラズマ処理することが
できる。
【００２１】本実施例は、高周波印加電極１の周辺にＧ
ＮＤ用電極５を配置してなるように構成するため、高周
波印加電極１とＧＮＤ用電極５間にプラズマを効率良く
発生させ易くすることができる。次に、本発明において
は、図４に示すように、高周波印加電極１に高周波印加
をＯＮ／ＯＦＦするＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１を設けて
なるように構成してもよい。この場合、プラズマ処理し
たい領域の高周波印加電極１をＯＮ／ＯＦＦスイッチ１
１によりＯＮし、プラズマ処理したくない領域の高周波
印加電極１をＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１によりＯＦＦす
ることができるため、プラズマ処理したい領域とプラズ
マ処理したくない領域をＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１で高
周波印加電極１をＯＮ／ＯＦＦすることにより、効率良
く制限してプラズマ処理することができる。
ＮＤ用電極５を配置してなるように構成するため、高周
波印加電極１とＧＮＤ用電極５間にプラズマを効率良く
発生させ易くすることができる。次に、本発明において
は、図４に示すように、高周波印加電極１に高周波印加
をＯＮ／ＯＦＦするＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１を設けて
なるように構成してもよい。この場合、プラズマ処理し
たい領域の高周波印加電極１をＯＮ／ＯＦＦスイッチ１
１によりＯＮし、プラズマ処理したくない領域の高周波
印加電極１をＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１によりＯＦＦす
ることができるため、プラズマ処理したい領域とプラズ
マ処理したくない領域をＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１で高
周波印加電極１をＯＮ／ＯＦＦすることにより、効率良
く制限してプラズマ処理することができる。
【００２２】なお、このＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１は、
図５に示す如く、高周波印加電極１の配置に合わせたマ
トリックス状に配置された押ボタンスイッチ等の集合操
作盤で構成してなるように構成してもよい。この場合、
集合操作盤の押ボタンスイッチ等を適宜操作することに
より、プラズマ処理したい領域とプラズマ処理したくな
い領域とを操作性良く制限してプラズマ処理することが
できる。
図５に示す如く、高周波印加電極１の配置に合わせたマ
トリックス状に配置された押ボタンスイッチ等の集合操
作盤で構成してなるように構成してもよい。この場合、
集合操作盤の押ボタンスイッチ等を適宜操作することに
より、プラズマ処理したい領域とプラズマ処理したくな
い領域とを操作性良く制限してプラズマ処理することが
できる。
【００２３】そして、図５のＡ１，Ａ２に示す如く、高
周波印加電極１とＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１を、被プラ
ズマ処理物７に対応する範囲にプラズマを発生させるよ
うに組み合わせてなるように構成すれば、図６のＡ１，
Ａ２に示す如く、被プラズマ処理物７に対応した範囲に
プラズマを発生させることができるので、プラズマ処理
を効率良く行うことができる。
周波印加電極１とＯＮ／ＯＦＦスイッチ１１を、被プラ
ズマ処理物７に対応する範囲にプラズマを発生させるよ
うに組み合わせてなるように構成すれば、図６のＡ１，
Ａ２に示す如く、被プラズマ処理物７に対応した範囲に
プラズマを発生させることができるので、プラズマ処理
を効率良く行うことができる。
【００２４】次に、本発明においては、ＯＮ／ＯＦＦス
イッチ１１の設定は、パソコンとＲＳ２３２インターフ
ェイスを使い、画面入力により設定した情報を通信手段
を通して送信することにより行うように構成してもよ
い。この場合、プラズマ処理装置とは別の場所からＯＮ
／ＯＦＦスイッチ１１を入力して設定することができ
る。
イッチ１１の設定は、パソコンとＲＳ２３２インターフ
ェイスを使い、画面入力により設定した情報を通信手段
を通して送信することにより行うように構成してもよ
い。この場合、プラズマ処理装置とは別の場所からＯＮ
／ＯＦＦスイッチ１１を入力して設定することができ
る。
【００２５】次に、本発明においては、図７に示す如
く、ＧＮＤ用電極５幅は、高周波印加電極１幅よりも狭
くなるように構成してもよい。高周波印加電極１とＧＮ
Ｄ用電極５の幅が同じ幅の場合は、プラズマがＧＮＤ用
電極５側に立ち難くなるのに対し、前述の如く、ＧＮＤ
用電極５幅を高周波印加電極１幅よりも狭くなるように
構成すると、ＧＮＤ用電極５側にプラズマを立ち易くす
ることができる。
く、ＧＮＤ用電極５幅は、高周波印加電極１幅よりも狭
くなるように構成してもよい。高周波印加電極１とＧＮ
Ｄ用電極５の幅が同じ幅の場合は、プラズマがＧＮＤ用
電極５側に立ち難くなるのに対し、前述の如く、ＧＮＤ
用電極５幅を高周波印加電極１幅よりも狭くなるように
構成すると、ＧＮＤ用電極５側にプラズマを立ち易くす
ることができる。
【００２６】また、図８に示す如く、高周波印加電極１
をＧＮＤ用電極５よりも少し突出させるように構成して
もよく、この場合、低パワーでプラズマを効率良く発生
させることができる。また、図９に示す如く、高周波印
加電極１は、先端に幾等かの曲率か、テーパを持たせる
ように構成してもよく、この場合、高周波印加電極１と
ＧＮＤ用電極５間にプラズマを効率良く発生させること
ができる。
をＧＮＤ用電極５よりも少し突出させるように構成して
もよく、この場合、低パワーでプラズマを効率良く発生
させることができる。また、図９に示す如く、高周波印
加電極１は、先端に幾等かの曲率か、テーパを持たせる
ように構成してもよく、この場合、高周波印加電極１と
ＧＮＤ用電極５間にプラズマを効率良く発生させること
ができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、被プラズマ処理物に対
して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させることが
でき、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一にプラズ
マ処理することができるという効果がある。
して広範囲に渡って均一にプラズマを発生させることが
でき、被プラズマ処理物を広範囲に渡って均一にプラズ
マ処理することができるという効果がある。
【図１】本発明に係る一実施例のプラズマ処理装置にお
ける高周波印加電極の配置例を示す平面図である。
ける高周波印加電極の配置例を示す平面図である。
【図２】図１に示すＡ１−Ａ２方向の高周波印加電極と
被プラズマ処理物を示す断面図である。
被プラズマ処理物を示す断面図である。
【図３】図１に示す分離溝コーナー部が研削加工により
丸まった様子を示す図である。
丸まった様子を示す図である。
【図４】本発明に適用できるプラズマ処理装置における
高周波印加電極にＯＮ／ＯＦＦスイッチを設けた構成を
示す図である。
高周波印加電極にＯＮ／ＯＦＦスイッチを設けた構成を
示す図である。
【図５】図４に示すＯＮ／ＯＦＦスイッチを高周波印加
電極の配置に合わせたマトリックス状に配置された集合
操作盤で構成した様子を示す図である。
電極の配置に合わせたマトリックス状に配置された集合
操作盤で構成した様子を示す図である。
【図６】高周波印加電極とＯＮ／ＯＦＦスイッチを組み
合わせてプラズマ発生領域を限定する様子を示す図であ
る。
合わせてプラズマ発生領域を限定する様子を示す図であ
る。
【図７】本発明に適用できる高周波印加電極とグランド
用電極を示す図である。
用電極を示す図である。
【図８】本発明に適用できる高周波印加電極とグランド
用電極を示す図である。
用電極を示す図である。
【図９】本発明に適用できる高周波印加電極とグランド
用電極を示す図である。
用電極を示す図である。
１ 高周波印加電極 ２ 取り付け台 ３，３ａ 配線 ４ 高周波電源 ５ ＧＮＤ用電極 ６ 分離溝 ７ 被プラズマ処理物 １１ ＯＮ／ＯＦＦスイッチ
Claims (10)
- 【請求項１】高周波電源（４）と、該高周波電源（４）
に接続された高周波印加電極（１）とを有し、該高周波
印加電極（１）に高周波を印加してプラズマを発生させ
ることにより、前記高周波印加電極（１）と対向するよ
うに配置された被プラズマ処理物（７）をプラズマ処理
するプラズマ処理装置において、前記高周波印加電極
（１）を、所定の間隔でマトリックス状に配置してなる
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】前記高周波印加電極（１）の周辺に接地電
極（５）を配置してなることを特徴とする請求項１記載
のプラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記高周波印加電極（１）に高周波印加を
ＯＮ／ＯＦＦするＯＮ／ＯＦＦスイッチ（１１）を設け
てなることを特徴とする請求項１，２記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項４】前記ＯＮ／ＯＦＦスイッチ（１１）は、前
記高周波印加電極（１）の配置に合せたマトリックス状
に配置された集合操作盤で構成してなることを特徴とす
る請求項３記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項５】前記高周波印加電極（１）と前記ＯＮ／Ｏ
ＦＦスイッチ（１１）は、前記被プラズマ処理物（７）
に対応する範囲にプラズマを発生させるように組み合せ
てなることを特徴とする請求項３，４記載のプラズマ処
理装置。 - 【請求項６】前記ＯＮ／ＯＦＦスイッチ（１１）の設定
は、端末から画面入力により設定した情報を通信手段を
通して送信することにより行うことを特徴とする請求項
３乃至５記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項７】前記高周波印加電極（１）は、セラミック
母材（２）上に形成してなることを特徴とする請求項１
乃至６記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項８】前記高周波印加電極（１）は、金、銅及び
ニッケルのうち、少なくとも１種の金属からなることを
特徴とする請求項１乃至７記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項９】前記高周波印加電極（１）と前記接地電極
（５）間に、前記高周波印加電極（１）と前記接地電極
（５）を分離する分離溝（６）を形成してなることを特
徴とする請求項２乃至８記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項１０】前記セラミック母材（２）上に形成され
た前記高周波印加電極（１）への配線は、前記高周波印
加電極（１）とは反対側の前記セラミック母材（２）面
から前記高周波印加電極（１）にまで通じる開口部内に
充填した導電性膜（３ａ）により行われてなることを特
徴とする請求項７乃至９記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211649A JPH0878187A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6211649A JPH0878187A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0878187A true JPH0878187A (ja) | 1996-03-22 |
Family
ID=16609292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6211649A Pending JPH0878187A (ja) | 1994-09-06 | 1994-09-06 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0878187A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032154A1 (en) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled rf-plasma reactor |
| CH706028A1 (fr) * | 2012-01-16 | 2013-07-31 | Elmvoltaics Gmbh | Electrode destinée à une installation de dépôt par vaporisation chimique sous plasma. |
| JP2015211093A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
-
1994
- 1994-09-06 JP JP6211649A patent/JPH0878187A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998032154A1 (en) * | 1997-01-17 | 1998-07-23 | Balzers Aktiengesellschaft | Capacitively coupled rf-plasma reactor |
| JP2001508923A (ja) * | 1997-01-17 | 2001-07-03 | ユナキス・バルツェルス・アクチェンゲゼルシャフト | 容量結合ｒｆプラズマ反応室 |
| CH706028A1 (fr) * | 2012-01-16 | 2013-07-31 | Elmvoltaics Gmbh | Electrode destinée à une installation de dépôt par vaporisation chimique sous plasma. |
| JP2015211093A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| US10229813B2 (en) | 2014-04-25 | 2019-03-12 | Hitachi High-Technologies Corporation | Plasma processing apparatus with lattice-like faraday shields |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040629 |