TW419829B - Polycrystalline semiconductor material, its manufacture method, semiconductor device using such material, and its evaluation method - Google Patents

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4 彳 382 9 A7 B7 五、發明説明（1 ) 「 本案係基於1997年9月4日提出申請之g本專利争請案 第9-239752號，其全部内容併述於此以供參考。 發明背景 a)發明領域 本發明係關於適合獲得大載子移動率之多晶半導體材 料H去’含有該材科之半導體裝置，及其評估方法。 不定形矽曾經用作薄膜電晶體（TFT)之通路層材料供 用於主動矩陣型液晶顯示面板❶若不定形矽以多晶矽替代 ，則可使通路的載子移動率變高。隨著載子移動率的變高 ’電晶體之最大驅動電流變大。目此可減少於液晶顯示面 板各像素區由TFT佔有的面積，且使孔隙比變高。因此可 增加每單位面積基材之像素數目並獲得高度精確的液晶顯 不面板。 b)相關技術之說明 多晶矽層含有晶粒邊界及晶粒瑕疵其形成局限狀態（ 局限層面）。此等局限狀態降低載子移動率或增加漏電流 ，故半導體裝置性能降低。已知若氫原子攙雜於多晶矽層 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ，晶粒邊界及晶粒瑕疲變成電純性，則可改良半導體裝置 性能（JP-A-62-84562)。 已知攙雜氫原子於多晶矽層之方法包含多晶矽層暴露 於氫電漿（JP-A-63-46775)，於多晶矽層上形成含氫原子之 二氧化石夕膜或氮化石夕膜及加熱至（jp_A_6_3l4697，JP-A-8_ 32077) ’及於氫氣下加熱多晶石夕層（jp_A_63_2〇〇571)。 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS }人4说格（210X297公餐） 4 4 1 9 82 9 Λ7 B7 五、發明説明（2 ) 請- 先 閱- 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 雖然此等習知方法可提供多晶半導體層之載子移動率 至某種程度，但長久以來希望尋求可形成具有遠更高載子 移動率之多晶半導體層形成的技術。 發明概述 本發明之目的係提祺可提供載子移動率之多晶半導體 材料，其製法，使用此種材料之半導體裝置及其評估方法 〇 根據本發明之一態樣，提供一種主要包含矽，錄或石夕 -鍺之多晶半導體材料，其中該材料含有氫原子及矽或鍺 與氫偶合之一氧化物結構數目大於更高階氫化物數目。 訂 根據本發明之另一態樣，提供一種主要包含矽，鍺或 矽-鍺之多晶半導體材料，其中該材料含有氫原子及藉雷 蒙光譜分析於局部擺動器模式測試一氫化物結構之強度峰 值高於更咼階氫化物結構之強度峰值。 Λ 根據本發明之另一態樣提供一種形成多晶半導體層之 方法’包含下列步驟：於撐體基材上形成主要包含矽，鍺 或矽-鍺之多晶半導體層；及添加氫至多晶半導體層使矽 經濟部中央標準局負工消費合作杜印^ 或錯與氫偶合之一氫化物結構數目大於更高階氫化物結構 數目。 根據本發明之另一態樣提供一種形成多晶半導體層之 方法’包含下列步驟：於撐體基材上形成主要包含矽，鍺 或石夕-錯之多晶半導體層；及添加氫至多晶半導體層；及 藉加熱該多晶半導體層解離於添加氫之多晶半導體層内之 本紙張適财關家標準（CNS ) Α4規格（21GX297公楚） Λ7 B7 41 g829 發明説明（3 ) 氫’使矽或鍺與氫偶合之一氫化物結構數目大於更高階氫 化物結構數目。 以前述結構，可形成具有高載子移動率之多晶半導體 層。 根據本發明之另一態樣，提供—種半導體裝置包含： 一個撐體基材具有絕緣面；一層多晶半導體層形成於撐體 基材之絕緣面上’一種主要包含矽，鍺或矽_鍺之多晶半 導體材料’其中該材料含有氩原子及矽或鍺與氫偶合之一 •氫化物結構數目大於更高階氫化物數目；一層閘極絕緣膜 形成於多晶半導體層之局部表面積上；一個閛極電極形成 於閘極絕緣膜上；及一個源極電極及一個汲極電極與多晶 半導體層作歐姆接觸分別位於閘極絕緣膜之兩側上。 使用此種結構可形成具有高電場移動率性質TFT。 根據本發明之另一態樣提供一種評估半導體裝置之方 法，包含下列步驟：照射雷射束至形成於透明基材表面上 之薄膜電晶體通路區’該通路區主要包含石夕，鍺或矽_錯 ，及經由觀察由通路區散射光之光譜比較石夕或錯與氫間偶 合之一氫化物結構之強度峰值與更高階氣化物結構之強度 峰值。 經由比較一氫化物結構之強度峰值與更高階氫化物結 構之強度峰值，可估計通路區之載子移動率。 如前述，經由控制氫添加至多晶半導體材料可使載子 移動率變向。經由使用此種多晶半導體村料形成TFT，可 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X2517公釐） J *衣------ΐτ------^ (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局I工消費合作社印製 y 82 9 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 實現具有高電場移動率的TFT具有改良斷電流特性，閭值 等。 圖式之簡單說明 第1圖為線圖顯示多晶矽層之載子移動率呈氫化時間 之函數。 第2圖為線圖顯示多晶矽層之載子移動率呈氫化處理 後加熱處理溫度之函數。 第3圖為線圖顯示多晶石夕層之雷蒙光譜。 第4圖為線圖顯示於氫化處理後加熱處理溫度與較佳 加熱處理時間間之關係。 第5 A圖為平面圖示例說明使用藉具體例方法形成之 矽層形成TFT之方法，及第5B至5G圖為沿第5Λ圖之單點 鏈線A8-A8所取之剖面圖示例說明各方法。 第6圖為線圖顯示TFT電場移動率。 較佳具體例之細述 以多晶石夕層為例說明本發明之具體例。 發明人研九多日g砍層暴露於風電漿氫化後氫化處理時 間與載子移動率間之關係。 第1圖為線圖顯示於多晶矽層之載子移動率與氫化時 間之關係。橫座標表示氫化時間，單位為分鐘及縱座標表 .示載子移動率’單位為cm2/Vs。載子移動率係藉以5 X 10l3ciir2劑量攙雜磷的多晶矽層之赫爾效應測埤:藉赫爾 效應測試導電類型為η型。氫化處理係於二極體平行板電 本紙張尺度適用中國國家標孪（CNS ) Α4規格（210X2SI7公釐） T--------1------,玎------線 (锖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

4 ] 9 82 P A7 B7 五、發明説明（5 ) 漿增進化學蒸氣沉積（PE-CVD)系統進行。兩片平行板直 徑10厘米（4叶）及射頻功率30瓦（寧率13.56 MHz)於氫氣壓 力300毫托耳及基材溫度350°C施加於電極。 如第1圖所示’氫化處理約1分鐘將載子移動率由約1 · 5 cm2/Vs提升至20 cm2/Vs。但隨著氫化處理進行超過i分鐘 ，載子移動率缓慢降低。 第2圖為線圖顯示氛化10分鐘之多晶石夕層之載子移動 率與加熱處理溫度間之關係。橫座標表示加熱處理溫度， 單位為它及縱座標表示載子移動率，單位為cm2/vs。於各 溫度之加熱處理時間設定為10分鐘》加熱處理前载子之移 動率以虛線表示。 於250°C至450°C之加熱處理溫度範圍，載子移動率隨 著加熱處理溫度之升高而增加。於400°C至500。(：之温度範 圍出現載子移動率峰值；及於高於此範圍之溫度載子移動 率遽然下降。 多晶矽層係藉雷蒙散射方法評估俾研究氫化時間及加 熱處理溫度呈改變載子移動率因素之函數。 第3圖顯示多晶矽層之雷蒙散射光譜》橫座標表示波 數，單位為cm·1及縱座標表示雷蒙散射強度，以任意刻度 表示。曲線a,及a2顯示氫化1分鐘之多晶矽層光譜，而曲 線b!及bi顯示氫化1 〇分鐘之多晶矽層光譜。曲線a|及b|顯 示處理前之雷蒙散射光譜，而曲線32及1)2顯示於450°C加 熱處理10分鐘後之雷蒙散射光譜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） -7--------杜衣------1T------m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消资合作社印製 Μ Β7 4 Ί ^ 82 9 五、發明説明（6 接近波數2_ cnr ί之峰值對應於鍵結（—氯化物 結構）之局㈣㈣式，及接近波數测⑽乂 +值對應 於Si-H2鍵結（第二階氫化物結構）之局部擺動模式。 曲線aAb,分別對應於第i圖所示氫化時間^分鐘及1〇 分鐘。假定當-氫化物結構之峰錢然出現而第二階氣化 物結構之峰祕小時，假定獲得高載子移動率，及載子移 動率隨著第二階氫化物結構之峰值變大而下降。 由比較曲線a!與4及曲線bi與1>2可知加熱處理可降低 峰值強度。原因為加熱處理去偶合氫化物結構之氩原子。 經由比較曲線匕與匕也可瞭解第二階氫化物結構之強度峰 值減少量大約一氫化物結構之強度峰值減少量。原因為第 二階氫化物結構之解離能小於一氫化物結構之故。 如第2圖所述，載子移動率為何藉加熱處理增高的理 由可歸諸於第二階氫化物結構之強度峰值比較一氩化物結 構遠更低。因此瞭解欲使載子移動率變高，多晶矽層之構 型較佳為與一氩化物結構之強度♦值比第二階及更高階氫 化物結構之強度峰值更大。 因考慮雷蒙散射光譜之強度峰值與氫化物結構數目成 比例，前述較佳構型等於一氫化物結構數目本於第二階及 更高階氫化物結構數目之構型。 如第2圖所示，載子移動率因雷蒙散射光譜處理溫度 設定過高而降低。可能原因為一氫化物結構進行解離之故 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨OX297公楚） ----------^------1T------ (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁·} 經濟部中央標準局員工消资合作社印製 4 1 9 82 9 Λ7 B7 五、發明説明（7 ) ^ ~" 第2圖所示實驗之加熱處理時間設定為10分鐘。此種 情泥下以約450°c加熱處理溫度為佳。較佳加熱處理溫度 範圍可隨加熱處理時間改變，反之亦然。 第4圖顯示加熱處理溫度與較佳加熱處理時間間之關 係。於250 C加熱溫度處理時’較佳加熱處理時間為約3 秒。隨著加熱處理時間的延長，較佳加熱處理時間縮短。 若加熱處理溫度過低，則較佳加熱處理時間延長，結果導 致生產力低。相反地，若加熱處理溫度過高，則較佳加熱 處理時間縮短，結構導致難以穩定控制加熱處理。因此較 佳加熱處理溫度設定為25〇r至50〇。(：。 多晶矽層之構型較佳設定為—氫化物結構數目多於更 高階氫化物結構數目。即使前者不大於後者，若於氩化處 理後加熱處理減少較高階氫化物結構數目比一氫化物結構 數目遠更多，則可預期提供載子移動率效果。 其次參照第5 A至5G圖，說明合併前述形成多晶矽層 之具體例方法形成薄膜電晶體。 第5A圖為簡單顯示薄膜電晶體之平面圖。於玻璃基 材上，多晶矽膜12於第5A圖之水平方向設置。於多晶矽 膜12縱向之概略中部，閘極電極14設置交又多晶矽膜12。 閘極電極14之一端係與水平方向延伸的閘極線連續。閘極 電極14及閘極線各別由紹製成的低電阻膜1及陽極氧化 膜14a包圍低電阻膜14b側壁組成。 第5B至5G圖為沿第5 A圖單點鏈線A8_A8所取剖面圖 本紙張尺度適f中國國家標準（CNS ) A4規格（210Χ297·^~ϊ~~ ------— ---------ΐ衣------ΐτ------^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10 經濟部中夾標準局員工消費合作社印製 41 982 9 at ______B7 五、發明説明（8 ) ' ’示例說明各種製法。 如第5B圓所示’於玻璃基材n上沉積不定形矽層至 約50毫微米厚度。激光雷射束照射而多晶化不定形矽層。 激光雷射束可為氣化氙（XeCl)激光雷射具有波長3〇8毫微 米’能量密度約300毫焦/平方厘米，脈衝重覆頻率1〇〇 Hz 及照射時間每一脈衝1〇毫微秒。雷射曝光區為細長區例如 寬1毫米及長100毫米<雷射束於寬度方向每一脈衝移動 毫米而施加至寬廣面積。由此種厚度之不定形矽層多晶化 形成的多晶矽層於厚度方向概略有一個晶粒。多晶矽層之 平均晶粒直徑為約1 〇〇毫微米。 多晶矽層加圊樣形成多晶矽膜12 ^作為擴散障層的二 氧化矽膜可於玻璃基材11與多晶矽膜12間形成。多晶矽層 可使用含氣乾體藉乾式麵刻加圖樣。 閘極絕緣膜13於基材Π全表面上沉積約12〇毫微米厚 度’覆蓋多晶矽膜12。閘極絕緣膜丨3可使用SiH4及NjJD藉 PE-CVD 沉積。 閘極絕緣膜13上，藉濺鍍沉積鋁膜至約35〇毫微米厚 度。銘膜上形成阻罩圖樣15，如第5 A圖所示，阻罩圖樣 之圖樣如同加叉多晶矽膜12之閘極電極η圖樣。經由使用 阻罩圖樣15作為蝕刻阻罩，鋁膜使用含氣氣體藉乾式蝕刻 加圖樣’而留下閘極電極14於覆蓋有阻罩圖樣丨5之區。 如第5C圖所示，經由使用光阻圖樣丨5，閘極電極14 之暴露面進行陽極氡化。因此鋁製成的低電阻膜14b留在 ϋ尺度朝t關家料{ CNS^A视格（2獻29'7公釐) '— 1·--------^------IX------.^ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 4 1 ^ 82 9 - A7 B7 五、發明説明（9 ) 閘極電極14上’厚約1至2微米之陽極氧化膜14a形成於低 電阻膜14b之側壁上。陽極氧化係於含草酸作為主要成份 & _的水溶液進行。陽極氧化後去除阻罩圖樣15。 如第5D圖所示，經由使用閘極電極14作阻罩，閘極 絕緣膜13經蝕刻而留下正位於閘極電極14下方之閘極絕緣 膜13a。閘極絕緣.膜13可使用含氟氣體藉乾式蝕刻蝕刻。 因而暴露出閘極絕緣臈13a兩側上的部分多晶矽膜12表面 如第5Ε圖所示，Ρ+離子於基材全表面植入，雷射束 照射而退火及活化植入離子。劑量設定為多晶矽膜丨2之離 子攙雜區之薄片電阻為約1 k Ω /□或以下。因此於閘極絕 緣膜13a兩側上的暴露區，於多晶矽膜12形成n+型源極區 及汲極區12S及12D。 使用第5B至5E圖示例說明之方法，形成源極區12S， 汲極區12D及閘極電極14。閘極電極14係由鋁製之低電阻 膜14b及於源極没極區12S及12D兩侧上的高電阻膜14a組 成。 如第5F圖所示，層間絕緣膜16沉積於基材全表面上 。層間絕緣膜16為厚約30毫微米之二氧化矽膜與厚約270 毫微米之氮化矽膜以此種順序沉積之疊合物。二氧化矽膜 •於300°C增長溫度使用SiH4&N20作為來源氣體藉PE-CVD沉積》氮化矽膜可於300。(：增長溫度使用^114及>}20 作為來源氣體藉PE-CVD沉積。 本紙張尺度速用中國國家標準（cns) A4規格（2!ox297公釐） J,--------1------1T------，^ (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 4 1 y 82 9 Λ7 __B7__ 五、發明説明（10 ) 接觸孔17S及17D於層間絕緣膜16成形而暴露源極區 及汲極區12S及12D之部分表面積。氮化矽膜可使用含氟 氣體藉乾式蝕刻蝕刻，二氧化矽膜可使用經緩衝的氟酸亦 即NH4F、HF及H20之混合物藉濕式蝕刻蝕刻。 如第5G圖所示，厚約50毫微米之鈦膜及厚約300毫微 来之紹膜以此種順序疊置於基材全表面上。叠合結構加圖 樣而形成源極引線1 8S連結至源極區12S及汲極引線18D連 結至汲極區12D。鈦膜及鋁膜可使用含氣氣體藉乾式蝕刻 触刻。 隨後多晶矽層12藉前述具體例方法氫化。前述具體例 中’多晶石夕層直接暴露於氫電漿。但此種情況下，因氫化 處理係於TFT结構形成後進行，故多晶；5夕層12經由閘極絕 緣膜13a，層間絕緣膜16等暴露於氫電漿。因此需要延長 氫化處理時間。 第6圖顯示第5G圖所示TFT之電場移動率B電場移動 率係由TFT之電流-電壓特性獲得。橫座標由左開始順序 表示無氫化處理，一小時氩化處理，二小時氫化處理，二 小時氫化處理後於400。(：加熱處理10分鐘《縱座標表示TFT 之電場移動率，單位為Cm2/Vs。 進行一小時氫化處理時，電場移動率升高至6〇cm2/Vs 。進行二小時氫化處理時，電場移動率由—小時氫化處理 略降，值為45 cm2/Vs。隨後進行加熱處理時升高至55 cm2/Vs。 本紙用中iS標準（⑽> A4規-格（210><297公楚） —----- J--------真------訂------線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 13 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 4 19 82 9 ^ Λ7 _____Β7_ 五'發明説明（η ) 具體例之優異效果不僅提供電場移動率的升高同日夸& 減少斷電流及閾值下降。因斷電流及閾值變化減少，故可 改良以TFTs製造液晶顯示裝置之產率。 第5G圊所示TFT之多晶矽膜12之評估可藉顯微雷蒙散 射方法進行，藉該方法，雷射束經顯微鏡照射至檢品，使 用顯微鏡觀察由檢品散射光之光譜。使用顯微雷蒙散射法 可評估局限化微小區，獲得表面解析度約1微米。使用氣 離子雷射（波長為514.5毫微米）。 因多晶矽膜12上表面覆蓋電極及布線金屬，雷射束係 由玻璃基材11背側施加。因玻璃基材厚約1毫米且有大折 射指數，故較佳使用市面上出售用於液晶顯示裝置的長焦 距透鏡作為顯微鏡的物鏡。 當雷射束由玻璃基材11底側施加時，背光強度變強。 因此需要對此種背光補償觀察光譜背景。多晶矽膜12係以 至目前為止所述方法評估。評估顯示電場移動率與一氩化 物結構峰值與更高階氫化物結構峰值間之相對強度有交互 關係*如同藉赫爾效應測得之移動率般。 檢品可使用顯微雷蒙散射法非破壞性評估，故矽層可 於液晶顯示裝置製造過程中隨時評估。TFT特性可依評估 結果估計，特別與一氫化物結構強度峰值及更高階氫化物 強度峰值間之比較結構估計〃若判定無法達成所需特性， 則可再度進行氩彳b處理或加熱處理俾改良製造產率。 第5A至5G圖所示具體例中，於TFT完成後於第5G圖 本紙張尺度逋用中國國家橾率（CNS ) A4規格（21〇x297公釐） (請先聞^背面之注意事項再填寫本頁) -訂 線 14 4 1 9 82 9 A7 B7 五、發明説明（12 之過程執行氫化處理。此種氫化處理可於多晶矽膜形成後 而TFT完成前進行。 前述具體例中已經說明多晶矽層。本發明亦適用於多 晶鍺（Ge)層及多晶矽-鍺（8丨(^)層。 又前述具體例中，雖然氫化處理係藉多晶矽層暴露於 氩電漿進行，但若一氫化物結構數目變成多於更高階氫化 物結構數目則可使用其他氫化方法。例如也可使用攙雜氫 離子，攙雜含氫之雜質離子，氫離子由沉積於多晶矽層上 的絕緣膜擴散，及其他方法。 氫化處理後之加熱處理可於氮氣氛或氫或以氮稀釋之 氫氣氛下進行。加熱處理之氫氣氛可能使一氫化物結構難 以解離。含氧或水成份供加熱處理之氣氛預期可氧化及鈍 化晶粒邊界。 已經就較佳具體例說明本發明。本發明非僅限於前述 具體例。顯然對業界人士可作多種修改、改良、組合等。 (諫先閱'讀背面之注意事項再填寫本頁) Α. 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印装 良紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（25Ox297公t) 15

4 1 9 82 Q 、 Λ7 B7 五、發明説明（13 ) ? 元件標號對照 11.. .玻璃基材 12…多晶矽膜 13.. .閘極絕緣膜 14…閘極電極 12S…源極區 12D...汲極區 14a...高電阻膜 14b...低電阻膜 15.. .阻罩圖樣 16.. .層間絕緣膜 17S，17D...接觸孔 185.. .源極引線 18 D... ί及極引線 ---------Λ------ΐτ------線 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） 16

Claims (1)

1. 9 2 8 9 V-- 7 f 8 88 8 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 六、申請專利範圍 f L 一種多晶半導體材料，其主要包含Si、Ge或SiGe，其 中該材料含有Η原+及Si4(^H間之偶合之一氮化物 結構數目大於更高階氫化物結構數目。 2. —種多晶半導體材料，其主要包含Si、Ge4Si(}e，其 中该材料含有Η原子及藉雷蒙（Raman)光譜分析測量於 局部擺動模式之一氫化物結構強度峰值高於更高階氫 化物結構強度峰值。 3. —，形成多晶半導體層之方法，包含下列步驟： 形成主要包含Si、Ge或SiGe之多晶半導體層於支 撐基材上：及 添加氫至多晶半導體層，使&與Ge間偶合之一氩 化物結構數目大於更高階氫化物結構數目。 4_ 一種形成多晶半導體層之方法，包含下列步驟： 形成主要包含Si、Ge或SiGe之多晶半導體層於支 撐基材上； 添加氩至多晶半導體層；及 藉加熱多晶半導體層解離於添加氩之多晶半導體 層内之氫’使Si與Ge間偶合之一氫化物結構數目大於 更高階氫化物結構數目。 5. 如申請專利範圍第4項之形成多晶半導體層之方法，其 中該氫解離步驟係於250°C至500°C加熱處理多晶半導 體層進行。 6. 如申請專利範圍第4項之形成多晶半導體層之方法，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格(21 OX 297公釐） .77 - ^ I I I I I I n ^ I n ^ C請先聞讀背面之注^^項再填寫本頁) AS B8 C8 D8 4 1 9 82 9 六、申請專利範圍 中該氫解離步驟係於氫氣氛下加熱多晶半導體層。 7·如申請專利範圍第4項之形成多晶半導體層之方法，其 中該氫解離步驟係於含氧或水含量之氣氛下加熱多晶 半導體層。 8. —種形成多晶半導體層之方法，包含下列步驟： 形成主要包含Si、Ge或SiGe之多晶半導體層於支 撐基材上； 添加氫至多晶半導體層；及 經由加熱添加氫之多晶半導體層而解離若干氫化 物結構之氫。 9. 如申請專利範圍第8項之形成多晶半導體暦之方法，其 中該氫解離步驟係於250°C至500°C加熱處理多晶半導 體層進行。 10. 如申請專利範圍第8項之形成多晶半導體層之方法，其 中該氫解離步驟係於氫氣氛下加熱多晶半導體層。 11·如申請專利範圍第8項之形成多晶半導體層之方法，其 中該氫解離步驟係於含氧或水含量之氣氛下加熱多晶 半導體層》 I2. ~種半導體裝置，其包含： 一個支撐基材，其具有一個絕緣面； 一層多晶半導體層，其形成於支撐基材之絕緣面 上，多晶半導體材料主要包含Si、Ge或SiGe，其中該 材料含有Η原子及介於Si或Ge與Η間之偶合之一氫化物 本紙張尺度逋用中國國家梯準（CNS )八4胁（21〇><297公楚） ~ '— Ί--------β------,1Τ------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 41 982 9 A8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 ^ ^ 結構數目大於更高階氫化物結構數目； 一張閘極絕緣膜’其係形成於多晶半導體層之局 部表面積上； 一個閘極電極，其係形成於閘極絕緣臈上；及 一個源極電極及一個沒極電極，其分別係與位在 閘極絕緣膜兩側上的多晶半導體層作歐姆接觸。 13. —種評估半導體裝置之方法，其包含下列步驟： 照射雷射束至於透明基材表面上形成的薄膜電晶 體通路區’通路區主要包含Si、Ge或SiGe;及 經由觀察由通路區散射的光之光譜來比較介於Si 或Ge與Η偶合之一氫化物結構強度峰值與更高階氫化 物結構強度峰值。 J.--------β------?τ------0 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央操準局員工消費合作社印製 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19