TW418541B - Modulator and method for manufacturing of such a modulator - Google Patents

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Description

4 1854 1 五、發明說明（1) 發明領域 本發明部分地涉及一種電吸收調變器特別是具有改時性 能的調變器’以及用於製造這種電吸收調變器的不同方 法0 相關技藝說明 電吸收調變器（E AM)[特別是一種包括波導的電吸收調 變器通常與所謂的DFB(分布反饋的激光器）激光器集成為 一個整體〕是一種非常重要的用於在高比特率（一般為 2.5Gb/s和10Gb/s ;未來很能會達到4〇Gb/s)下進行遠程光 縴傳輸的元件。 其理由是這種EAM元件比直接調變的激光器具有更理想 的性能（具體來說，它在調變過程中具有較小的動態波長 偏差’所謂π啁啾聲|’）。另外，它生產起來相當簡單，並 且只需要非常低的驅動電壓（與其它種類的外部調變器相 比’如與用鐘新域液製造的Mach-Zender調變器相比）。並 且’該EAM元件對於包含波分多路復用（WM)的應用領域非 常有用。
一種傳統的EAM元件由波導構成，該波導帶有折射率比 它的圍繞物高的波導芯，參見歐洲專利Ep 〇, 8 〇 9，丨2 9、EP 72 6’/83、英國專利GB 2, 281，7 85 =對於利用波長為1. 3 或1 5 a以Π1入射光進行操作的元件，該波導芯一般由半導 體材料構成’如InGaAsP或InGaAsP與InP相交替的疊層。 該波導芯是未摻雜的或者僅有微量的摻雜。在該波導芯的 上面和下面—般有P型掺雜的InP層和η型摻雜的inP層，這
» 4 185 4 1 五、發明說明（2) 樣完整的結構構成一個卜i - η二極管。 通過該調變器的衰減取決於入射光的光子之間能量的差 別以及該波導芯的頻帶間隙。該頻帶間隙受所施加的電場 影響。因此，該P - i - η二極管是這樣設置，使得當它被施 加反向偏壓時，大部分入射光被吸收，因此光電流變大。 一般可以獲得10-3 OdB的衰減率。 其中一個問題是該頻帶間隙是與溫度強相關的。當光電 流出現時會產生歐姆熱，從而使溫度上升，因此影響衰 減，吸收率基本上與發光功率成比例，它在該調變器前端 (即，光入射該調變器的部位）最高。因此在該部位，光電 流也最大。從而在該部位對衰減的影響也最強。 發明概要 為了說明這種溫度相關性如何在數據傳輸系統中造成問 題，讓我們先看如下例子。假設某個人想在發送一長串的 ” 0"之後發送一個或幾個連續的11 Γ。在此π 0”對應於對二 極管施加反向偏壓。根據上文所述，結果會使溫度的迅速 上升，特別是在該調變器的前端。當該反向電壓變為較低 的數值時，對應於發送” 1π，可以獲得輸出該二極管的光 脈衝。所發出的光脈衝不具有反映外部輸入電壓的變化的 陡峭的脈衝波前，而是一個緩慢建立的過程；只有在一段 時間以後該元件才接近對應於"1 ”的光功率水平。這嚴重 的限制了傳輸介質的帶寬。 本發明的目的是提供一種具有改進性能的電吸收調變 器。
418541 五、發明說明（3) I 本發明的另一個目的是提供一種不會因為在該調變器的
I 波導芯中頻帶間隙的強溫度相關性而產生問題的電吸收調 變器。 在這一方面本發明的一個特定的目的是提供一種在該調 變器的電壓減小時能夠提供具有短的上升時間的光脈衝的 電吸收調變器。 本發明的又一個目的是提供一種製造所述電吸收調變器 丨的方法。 ! 從下文說明書中本發明的其它目的將變得更加清楚》 根據本發明的第一方面再此提供一種包括波導用於對光 進行調變的電吸收調變器（EAM)，其中包括波導芯、波導 包層和電極，該調變器用於調變入射到該調變器中的光作 為被輸入到該電極上的電壓的一個響應。該調變器的特徵 在於其波導芯的寬度及/或厚度沿著該波導長度方向變 化。 特別地，這種變化是用於獲得基本上沿著該調變器的長 度方向上均勻的光電流分布以及溫度分布，以減小溫度相 關的光脈衝上升時間。 特別地，在該調變器的光入射的部位的寬度/厚度較 小，以減小該調變器的吸收。 該電吸收調變器最好設計為用於光縴傳輸的數字信號的 光強調變。它可以與MB激光器（分布反饋激光器）一同集 成在一塊半導體基片上，並用InP/InGaAsP、 ίηΡ/InGaAIAs或GalnAs/AlGaAs中的任意一材料製造。
4 18 5 4 1 五、發明說明（4) 該波導芯可以為塊狀或量子阱結構，並且該波導可以形 成隱埋波導或所謂的脊狀波導。 根據本發明的第二方面，在此提供一種生產製造根據本 發明的第一方面的電吸收調變器（E A Μ)的方法° 為了生產沿著該調變器長度方向上具有不同的寬度的波 導芯，可以使用所謂尖細狀光微影光罩或選擇性蝕刻法。 如果生產具有量子阱結構的波導芯，可以對位於該量子阱 結構中的所謂SC Η (分離限制異質結構）的無源層進行選擇 性额刻。 為了製造沿著該調變器長度方向上具有不同厚度的波導 芯可以用SAE或通過光罩和蝕刻部分地使該波導芯變薄。 本發明的一個優點是光強調變速度變快，從而提高傳輸 容量。 圖式簡單說明 下面參照附圖對本發明具體說明，但是這只是說明性的 而不是對本發明限制。 圖1表示根據現有技術的一種電吸收調變器的截面圖。 圖2表示根據從圖1的調變器輸出的信號的一個實例，它 作為對由三個” 0 "及隨後的五個” Γ構成的電輸入信號的一 個響應。 圖3表示對於具有固定的波導寬度的調變器以及根據本 發明最佳實施例具有變化寬度（"細長”結構）的調變器的作 為縱向位置坐標的一個函數的單位長度上估計的相對吸 收。
笊η百 418541 五、發明說明（5) 圖4表示用所謂Β Η (隱埋異質結構）工藝製造根據本發明 最佳實施例的具有變化波導寬度的電吸收調變器的主要牛 驟。 ' 圖5表示用選擇性蝕刻工藝製造根據本發明另—個最佳 實施例的具有變化波導寬度的電吸收調變器的主要步驟。 具體實施例之詳細說明 下面將具體說明本發明的特殊應用、技術、方法等，其 目的是為本發明提供一個徹底的理解而進行解釋說明，它 不是對本發明的限制。但是，對於本領域内的專業技術人 員來說顯然還可以在脫離這些具體細節而作了其它改變。 為了不使不必要的細節與本發明的描述相混淆，在其它例 子中對眾所周知的方法、協議、設備或電路的具體描述在 些省略。 如圖1所示’一種現有的E AM元件1 〇 0采用半導體材料（通 常為InP/InGaAsP)，其中包括帶有塊狀或量子阱結構的波 導芯101的波導（稱為i層），其折射率高於它的圍繞物的折 射率。對於波長為1 _ 3或1 · 5 5 /z m的入射光，該波導芯一般 米用象InGaAsP這樣的半導體材料構成塊狀結構，或用交 替層疊I nGaAsP和I nP構成量子阱結構。該波導芯一般有微 量的摻雜或根本不摻雜。在該波導芯的上方為p型摻雜InP 層103，在其下方為η型摻雜InP層105 =因此，該結構構成 —個p-卜η二極管。也可以使上層為η型摻雜，下層為P型 摻雜。 在該波導芯的兩側為摻雜或不摻雜的I nP (未在圖1中示
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第10頁 41854^ 五 '發明說明（6) 出）；通常該材料由半絕緣I η P組成。在該上層包層1 〇 3之 上為接觸層1 〇 7，在該接觸層之上形電極1 0 9。為了絕緣， 可以在該波導芯1 〇 1和上層包層1 0 3之間，在電極1 〇 9前後 形成半絕緣I ηΡ層1 1 1。該波導芯的寬度一般為1 V m (用於 單模波導）。 激光11 3從圖1的左側入射到調變器1 〇 〇，調變後的光u 5 從έ亥調變器向圖1中的右侧輸出。通過該調變器的衰減取 決於施加於電極丨0 9上的電壓。如果對該ρ_卜^二極管施加 反向偏壓’則在該i層1 〇 1中產生強電場。這會吸收掉所入 射激光113中的大部分。這是眾所周知的並被稱為電吸 收。如果該波導芯由塊狀材料構成，則該現象稱為 Pfanz-Keldysh效應，如果該波導芯由量子阱構成，則該 現象稱為斯塔克（Stark)效應。 如果該調變器的長度為1〇〇-3〇〇A[n層的厚度為〇.1到 〇 4以m之間（這為標準數值），則只要在該電極上施加2 V的 電壓則可獲得丨〇_3〇dB的衰減率。"衰減表示當發送 1、(/在或調變器電極上為低電壓或〇電壓）從該調變器輸出 的光功率與當發送"〇”時（在電極上具有高的負電壓，丨伏 或成伏）所輪出的光功率之差。 _老：減的數值取決於輸入光的光子能量和丨層中材料的波 ▼間隙之間的差別。該差別越小，所施加單位電壓被吸收 的改變置越大。它取決於所謂共振物理現象的電吸收。 在下歹丨方法中上文將更加易於理解。通過把電場施加於 區上’材料的帶間間隙減小，如果該光能量低於波帶間
—·----- E:\1999NI\55519.ptd 第11頁 4 185 4 ^ 五、發明說明（7) 隙能量則會提高吸收率。如果把波長為1. 5 5 // m的光（對應 於0 . 8 e V的光子能量）輸入到該調變器，則一般在該調變器 中選擇波帶間隙為0.82 - 0. 8 8eV的i層。 所吸收的光產生光電流。每個被吸收的光子產生一個空 穴/電子對，該空穴/電子對被所施加的電場所分離。一些 空穴和電子在它們到達接觸層之前沒有時間復合，但在一 個設計良好的光二極管元件中可以獲得高的表面量子效應 (>90%)。 在該調變器前端光功率為最高。這意味著當在電極上施 加反向偏壓時在此處的吸收最強。則在該波導中對光功率 近似為以指數下降，在該調變器的末端變得非常低。這表 示在調變器的前端（對應圖1中的左側）所產生的光電流密 度最大。 顯然這會引起嚴重的問題，特別是在需要獲得高的衰減 率同時又把大量光入射到EAM波導中的情況下問題更加嚴 重。其原因是局部發熱。在反向偏壓為幾伏，且光電流為 10-25mA的情況下[對於波長為1. 55 #111光輸入功率為 8-2 0mW，當在EAM元件與DFB激光器（分布反饋激光器）一同 集成在同一塊半導體基片上時，可以很容易獲得這種光功 率]，則在波導中會產生強的局部歐姆熱。單位面積所產 生的熱功率等於局部光電流密度乘以施加在i層上的電 壓。該熱量使局部溫度上升。如果在25/im長的波導區域 中熱阻為1000K/W，則很容量獲得升高lOK(Kelvin)的局部 溫度。該溫度為上升沿著波導長度方向分布不均勻，類似
E:\1999NI\55519.ptd 第12頁 五、發明說明（8) 於光電流密度的分布（但不完全相同）。 這會在數字傳輸系統中造成嚴重的問題，這可以從下列 實例中得到說明。如果要發送一個或幾個連績的n厂，在 它之前有一長串的” 。這些”對應於在i層（它具有強烈 的吸收作用）上施加大的反向偏壓。由於上述理由，則會 造成較大的溫度上升，特別是在該調變器的前端（圖1中的 左側）。 當高電壓變為較低的數值時，對應於發送” 1 "，可以從 EAM元件中獲得類似於圖2所示的光輸出脈衝。 圖2表示作為時間的一個函數的對於調變器的電輸入信 號（方形）和光輸出信號（菱形）。該輸入信號由三個M 0''和 隨後的五個1’ Γ組成。在負偏壓下〇 2 V)由於單位長度上的 強吸收作用在該調變器的前端產生高熱。 結果所獲得是缓慢上升的過程，而不是反映外部施加電 壓變化的陡峭的脈衝波前。在一段時間後該元件才達到對 應於"厂的光功率的常量。，請注意，對於傳輸容量為 1 0Gb/s的NRZ調變，在該圖中的時間量程周期為〇, 2納秒。 這種現象的原因是該吸收系數除了依賴於電場強度外還 強烈地與溫度相關，即依賴於與溫度相關的半導體材料的 波帶間隙。在該長串"0”之後即使當施加的反向電壓減 小，因為溫度較高並且在i層中的波帶間隙較小，所以吸 收率仍保持為高。在圖2中用於達到穩定狀態的時間常數 取決於對波導和其圍繞層的精確設計。由於該吸收是發生 在非常小的區域内，所以很可能可以獲得小於1 n s的時間
E:\1999NI\55519.ptd 第13頁 418541 五、發明說明（9) 常數。仍然，該光脈衝上升時間是波帶寬度的限制，最好 是在相當大的程度上縮短該時間。 子 因 制 抑 光 變 改 層 收 吸 效 有 在 過{勺 通器 uy 的變ri 目調 述該 上著 現沿 實流 了電 為光 使器 更 向 方 度 長 的 變 調 收 吸 電。 的的 理目 原述 的上 明現 發實 本以 用可 采， 有 具 得 獲 以 可 而 從。 ’ 器 升變 上調 度收 溫吸 高電 勺 Λν r3 /OH 部間 局時 免升 避上 以衝 可脈 ，光 此的 因短 更 導 波 的 化 變 度 厚 或 Γ /導 及波 度的 寬度 用厚 采和 向度 方寬 度定 長固 的有 器具 變用 調不 該而 在， 芯 芯 入 光 近 接 最 在 波 / 射窄 置 位 的 芯 導 而 ，設在 寬種。 較這的 成過化 做通變 -vf心 是 在較 :近 圖接 最 側 左 的 中 出 射 光 較導 成波 做該 芯使 導以 波可 該置 使位 以的 可芯 ，導 波 厚 也而 率從 收 ’ 吸小 其較 而子 從因 的制 化抑 變的 是光 子， 因端 4則 抑的 光器 該變 ，調 計該 及 寬 加 被 器 變 同 ^w· 亥 古° 比 量 熱 的 出 發 所 的 味 意 這 ο ' 較 率 收 吸 更 時 熱 的 出 發 所 夺 0 厚 加 或 低 降 而 收 吸 於 由 外 另 從 加 增 度 厚 或 / 及 度 寬 的 芯 導 波 的 器 變 。 調加 亥 曾 f 1J. "也 時率 率收 功吸 光而 流的 電度 光溫 的内 勻域 均區 加小 更在 得處 獲點 以點 可 向入 方光 度近 長接 的最 器在 變免 調避 著可。 沿並升 樣，上 這布劇 分急 場 的 加 施 所 子 因 制 抑 光 於 決 取 率 收 吸 的 器 變 調 Μ A E 在 的 化 。 變 果是 結的 下朴心 如導 有波 會該 這果 。如 強 的 上 極 電 器 變 周 該 到 加 施
4 18 5 4 1 五、發明說明（ίο) 電壓在調變器的i層上產生一個相對均勻的電場，而與長 度無關。但是，如果波導變窄，由於電阻增加從而電壓下 降，則在場強與寬度之間可能存在一定的依賴關系。在這 種情況下可以增加所需要的效果。 為了獲得沿著該調變器長度方向的均勻吸收（均勻的光 電流分布），該波導芯的寬度要增加以增加抑制因子來完 全補償光功率因吸收而降低，這樣在該波導芯的光功率沿 著所述波導忍長度方向為常量。 如果只有該波導芯的厚度是變化的，則在i層上的場強 也是變化的。薄波導部分的場強較高（使吸收變強），且光 抑制因子較低（使吸收變弱）。換句話說，如果光抑制因子 隨著波導厚度變化而變化，在此存在這兩種相反的作用。 作為波導芯厚度的一個函數的吸收率在某些厚度具有最 大值（在無限小和無限大厚度的極限處分別具有零吸收 率）。 為了獲得沿著該調變器長度方向更加均勻的吸收率（均 句的光電流分布），如果波導的厚度小於對應於最大吸收 的厚度，則波導厚度應沿著該調變器的輸出方向增大，在 實踐中這是最常見的情況。對於波導厚度超過對應於最大 吸收率的厚度時波導的厚度沿著調變器的輸出方向減小。 最好用數字來枯計寬度及/或厚度最佳變化。 圖3表示對應於具有固定波導寬度的傳統結構和具有根 據本發明的變化寬度（所謂尖細結構）的作為橫坐標的函數 的單位長度的估計相對吸收率。光在X = 0 /2 Π1處入射。
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A18541 五'發明說明（11) 該波導由量子阱結構組成（由未摻雜的具有大於量子阱 的波帶間隙的InGaAsP阻擋層所圍繞的1 0個未摻雜的量子 阱）。在本例中調變器長度為1 8 〇 μ m。該元件被施加反向 偏壓使得該材料的吸收率為5 0 0 c nr1 °傳統結構的波導芯 具有1. 0 A m的寬度，而本發明的具有尖細結構（即，在波 導長度方向具有變化的寬度）的波導芯的寬度從0. 5到1. 2 μ m線性變化。在本例中，該波導的厚度保持為常量。 如圖3所示，通過尖細結構可以獲得相當均勻的吸收率 分布。這會導致更加均勻的溫度分布，並可防止在該調 器的前端出現局部高溫。 最好、，根據本發明的電吸收調變器用於光縴傳輸的 =號=光強調變。它可以與激光源相分離或與激光源;二 另外 底的電 驅動電 可以 明的調 法的實 第一 化寬度 例如接 進行钮 導芯也 ，如果 容（即： 路影響 用幾種 變器。 例。 種方法 的波導 觸融刻 刻。本 是尖細 1 I rn //x r〇j 具有較短的長度），這是 έ亥所調變光脈衝的上升時 不同的方法生產具有變化 在下文中參照圖4和5簡單 是通過利用尖細狀的光微 芯。該波導芯通過傳統的 、投影蝕刻、電子束蝕刻 發明所用的光微影光罩是 狀的。 因為該電容與該$ 間和下降時間。 寬度/厚度的本發 的介紹幾種製造^ 影光罩製造具有卷 光微影技術形成 或其它類似的方 尖細狀的因此該为
> 418541 五、發明說明（12) 在圖中示出該工藝的主要步驟，圖中示出一種稱為BH工 藝（隱埋異質結構），但本發明也可以用其它改進的激光/ 調變器工藝（如用於生產脊狀激光器的工藝）。圖4中示 出：I.波導芯光罩的俯視圖，I I .在加光罩之後且在蚀刻 之前的沿著I中的A-A線的B-B線的截面圖，I Π.在蝕刻之 後的相同截取部位的截面圖，I V.在工藝完成之後相同截 取部位的截面圖。在該圖中附圖標記4 1表示波導芯，4 2表 示η型掺雜InP，43表示p型摻雜InP，44表示半絕緣InP， 45表示電極，46表示光罩。 第二種方法是通過選擇性蝕刻製造帶有變化寬度的波導 芯。通過利用選擇性蝕刻（最好是可蝕刻波導材料，但不 蝕刻其圍繞材料的濕法蝕刻），並結合使用不被蝕刻的光 罩覆蓋的波導部分，可以獲得在不同部分具有不同寬度的 波導°這會在波導寬度上產生不連續的梯階狀，但通過用 不同長度的光罩多次重復蝕刻步驟，可以獲得更加連續變 化的波導寬度。 圖5表示用於獲得得具有變化寬度的波導的另一種方法 的主要不同步驟°圖5令不出：I.波導芯光罩的俯視圖， I I.在加光罩之後且在蝕刻之前的沿著I中的A-A線的β-β線 的截面圖，I 11.在蝕刻之後的相同截取部位的截面圖，以 及I V.在選擇性蝕刻後在相同的截取部位的截面圖，V.工 藝完成之後在相同截取部位的截面圖°在該圖中附圖標記 51表示波導芯，52表示η型摻雜InP，53表示ρ型換雜InP， 54表示半絕緣InP，55表示電極，56表示波導光罩，57表
418541 五'發明說明（13) 示用於選擇性蝕刻的光罩。 該第三種方法通過利用選擇性蝕去無用的SCH( 異質結構）層（即，在波導中用於影響光抑制因子 它是相互不同的用於量子阱結構的層面）生產具巧 度的波導芯。 第四種方法是通過利用SAG(選擇性區域外延生 具有變化尖細厚度的波導芯。在對該波導芯進行 之前把光罩（如氧化矽或氮化氮）置於該結構上。 生長率及該波導芯層的高度取決於到該光罩的距 對該光罩進行恰當的設計，可以獲得具有尖細厚 面。、 第五種方法是通過部分地把該波導芯層削薄來 尖細厚度的波導芯。該變化的厚度是通過在要使 薄的區域内通過利用光罩或蝕刻方法使該波導芯 這種方法會在波導芯層產生不連續的梯階狀，但 用不同的光罩多次重復該步驟可以獲得更加連續 丨厚度。 顯然結合上述兩種或多種方法也是可行的。 顯然本發明不僅限於上述文字和圖面說明的實 可以在本發明的權利要求範圍之内作出各種改變 本發明不限於所提到的材料尺寸或電吸收調變器 法。 分離抑制 的層面， ί變化寬 長）生產 外延生長 該i層的 離。通過 度的層 生產具有 該層面變 層變薄。 是通過利 的波導站 施例，還 。特別地 的生產方
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Claims (1)

  1. ,4185 41 々年 彡月β修正/史止/補充 . _案號 87117609_Μ 年 < 月三 a_i±i._ 六、申請專利範圍 1. 一種包括一波導並用於調變光之電吸收調變器 (EAM)，包括：一波導芯、一波導包層（42、43、52、53) 以及一電極（4 5、5 5 )，該調變器係被安排成調變入射到該 調變器中的光，作為對施加至該電極上的一電壓的一響 應，其特徵在於該波導芯（4 1、5 1 )的寬度及/或厚度係沿 著該調變器的長度方向上變化。 2 .如申請專利範圍第1項之電吸收調變器，其特徵在 於，該變化是用於獲得基本上沿著該調變器的長度方向上 均勻的光電流分布以及溫度分布，以減小溫度相關的光脈 衝上升時間。 3 .如申請專利範圍第1或2項之電吸收調變器，其特徵在 於，在該調變器的光入射的部位的寬度/厚度較小，以減 小該調變器在此處的吸收。 4. 如申請專利範圍第1或2項之電吸收調變器，其特徵在 於 '這種設計是用於光縴通信的數字信號進行光強調變。 5. 如申請專利範圍第1或2項之電吸收調變器，其特徵在 於，該調變器是與至少一個DFB (分布反饋）激光器一同集 成在一塊半導體基片上的。 6 .如申請專利範圍第1或2項之電吸收調變器，其特徵在 於 > 該調變器是至少部分的用材料InP/InGaAsP、 InP/InGaAIAs或GalnAs/AlGaAs中的任意一種製成的。 7. 如申請專利範圍第1或2項之電吸收調變器，其特徵在 於，該波導芯是塊狀或量子阱結構。 8. 如申請專利範圍第1或2項之電吸收調變器，其特徵在 於，該波導設計為隱埋波導或脊狀波導。
    O:\55\55519.ptc 第1頁 2000.06.01.019 418541 _案號87Π7609 gf年/月二日 修正_ 六、申請專利範圍 9. 一種用於製造一包括一波導並用於調變光之電吸收調 變器（E AM)之方法，其中該調變器包括：一波導芯、一波 導包層（4 2、4 3、5 2、5 3 )以及一電極.（4 5、5 5 )，該調變器 係被安排成調變入射到該調變器中的光，而作為對施加至 電極上的一電壓之一響應，其特徵在於形成該具有一沿著 該調變器的長度方向上變化之寬度及/或厚度之調變器。 1 0.如申請專利範圍第9項之方法，其特徵在於，該變化 是用於獲得基本上沿著該調變器的長度方向上均勻的光電 流分布以及溫度分布，以減小溫度相關的光脈衝上升時 間。 1 1 .如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其特徵在於，在 該調變器的光入射的部位的寬度/厚度較小，以減小該調 變器在此處的吸收。 1 2.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其特徵在於，該 調變器是與至少一個DFB(分布反饋）激光器一同集成在一 塊半導體基片上的。 1 3.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其特徵在於，該 調變器是至少部分的用.材料InP/InGaAsP、InP/InGaAIAs 或GalnAs/AlGaAs中的任意一種製成的。 1 4.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其特徵在於，該 波導芯是塊狀或量子阱結構。 1 5.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其特徵在於，該 波導設計為隱埋波導或脊狀波導。 1 6.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其中，該波導芯 沿著調變器的長度方向具有變化的寬度，其特徵在於，該
    O:\55\55519, ptc 第2頁 2000.06. 01.020 4 10 0 4 1 _案號87117609 汉？年#月2-日_修正_ 六、申請專利範圍 方法利用一個或多個所謂尖細狀光微影光罩（4 6 )。 1 7.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其中，該波導芯 沿著調變器的長度方向具有變化的寬度，其特徵在於，該 方法利用選擇性蝕刻法。 1 8.如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其中，該波導芯 沿著調變器的長度方向具有變化的寬度並具有量子阱結 構，其特徵在於，該方法利用對非活性的所謂S C Η (分離抑 制異質結構）的層面。 1 9 .如申請專利範圍第9或丨0項之方法，其中，該波導芯 沿著調變器的長度方向具有變化的寬度，其特徵在於，該 方法利用S A Ε (選擇性區域外延生長）方法。 2 0 .如申請專利範圍第9或1 0項之方法，其中，該波導芯 沿著調變器的長度方向具有變化的寬度，其特徵在於，該 方法通過光罩或#刻使該波導芯的厚度部分變薄。
    O:\55\55519.ptc 第3頁 2000.06.01.021
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