TW418486B - Semiconductors having defect denuded zones - Google Patents

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明說明（f ) 發明背# 本發明一般而言偽有關於具有缺陷剝蝕區（DZs)之半 導體，且特別是有關於形成於該半導體中之具有表面形 貌對齊缺陷剝蝕區的電子装置。 如本技藝所熟知，柴式（CZ)矽基板目前傜用於製作半 導體裝置。該CZ成長矽基板偽典型地包含有25-35部份 每百萬原子（PPBia)的氣，其僳皆為位於矽晶格位置間的 間隙型原子。在使用石英工件之加工（例如柴式晶體抽 拉所使用的坩堝）中所引入半導體材料中的該氧含量俗 極為所欲，因為其為在晶格中之雜質的晶格缺陷成核中 心。該成核中心將提供純化效應（熟知的”内部吸氣__)以 將殘留雜質聚集。然而，該氣含量偽僅對於半導體晶圓 内部有用。在晶圓表面區，亦即電子裝置形成區，該氣 中心將産生相當的擾動。持別地是，隨箸用以形成裝置 之加工步驟的進行，諸如磊晶、摻質處理、氣化以及熱 處理步驟等，該氧中心具有形成析出物的趨勢並於晶格 中産生應力，其將造成裝置的故障。因此，使用含有數 撤米厚之乏氣表面區（亦即缺陷剝蝕區）的晶圓偽為所欲 。用於製作剝蝕區（D Z )的方法已經已知一段長時間《例 如，在鈍氣氣氛中將砂晶國於爐中（例如在1〇〇〇-120(TC 的溫度）進行熱處埋（例如退火），而使氣由表面擴散出。 在lootrc的溫度大約五小時後，剝蝕單獨以擴散出氣而 獲得的剝蝕區層厚偽大於1Q撤米（Huber, D; Reffle,J. :Solid State T e c h η . 2 6 ( 8 ),1 9 8 3, page 1 8 3)〇 其他 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -----I — - JI[ - « - If--I I ---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7

4184 86 五、發明說明（> ) 製诰缺陷剝蝕區的方法包含有使用磊晶成長層。在二種 狀況中，（亦即熱退火及磊晶成長層），該DZ基本上傜平 行於矽晶圓表面、鄱接於該t) Z者傜為貝有氣氣所産生之 内部吸氣位置的含氧缺陷區。該E) Z必需足夠深，而使得 後續所形成的電子裝置不會延伸至缺陷區。另一方面， 該D Z必需盡可能淺，而使得内部吸氣位置與電子裝置夠 接近，以提供足夠的晶體缺陷吸氣效率，諸如氧析出物、 差排、堆®錯誤及諸如Fe,Cu,Ni，Cr·等金屬汙染物之缺 陷，其可能形成於裝置區中。 如本技藝所熟之，形成於半導體中的一種電子裝置係' 為動態随機存取記憶體（DRAM)。一種係使用溝渠電 容器儲存電荷。溝渠電容器偽垂直地形成於矽晶圓表面 内，以減少装置表面尺寸，且與堆蠱電容器比較其將增 加聚集密度。一典型的溝渠雷容器可逹7-8//B深。為避 免裝置性能劣化或産生裝置故障，在接近含有電晶體及 溝渠電容器之晶圓表面的整傾區域必需保持完全無前述 晶體缺陷的狀態。 亦如本技ϋ所熟知者，為因目前用以形成DZs的技術 必需平行晶圓表面，故整傾晶圓上的氣析出速率並非完 全均勻。在晶圓上的不同位置以及晶圓間之局部Β Ζ深度 偽成統計性分佈，特別地是，接近晶圖邊緣的起始氣濃 度傜典型地高於接近晶圓中心者。例如，若該I) Ζ深度在 晶圓上的部份位置被選擇為1 Ο # πι ,特別是在接近晶圓 邊緣處，以適暱8#«1的溝渠電容器，刖詼DZ極可能小於 本紙張尺度適用中0國家標準（CNS)AO見格（210x 297公餐） -------------裝------I I 訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 s q ,·1 R ·.；· A’ i i J ^ ___B7_五、發明說明（々） 8a m。此舉將於溝渠結構的反應性離子蝕刻（RIE)期間 形成尖峰或形成導致節點绝緣物劣化之接近溝渠的缺陷 (亦即襯墊溝渠壁面並介於形成電容器電極板之位於溝 渠中的摻雜多晶矽與用以形成電容器第二電極之為襯墊 溝渠之介電質所隔離的位於矽基板中的摻雜逭的介電質） 。若諸如氧析出物或差排環等缺陷被置於太靠近帶電荷 溝渠電容器處，則將發生漏電而導致DRAM單元溝渠電容 器中的電荷保持時間明顯劣化。 此外，藉由根據現今技術之高溫擴散步驟之於CZ晶圓 中形成DZ需要較高的熱預算（亦卽高溫且長退火時間）。 例如，對於具有大約30ppraa起始間隙型氣濃度的CZ晶圓 而言，形成具有大約10# m深度的DZ需要在1150 °C進行 大約i小時的熱處理，而形成具有大約20# b深度的DZ 需要在1150Ό進行至少大約4至5小時的熱處埋。再者 ，因為間隙型氧濃度僅隨距表面之深度而增加，故氣徹 析出物的數目亦随深度而增加，其中該氧徹析出物若置 於太接近諸如電晶體或電容器等電子裝置處，則其亦可 劣化裝置性能。亦卽，DZ的品質將隨距晶圖表面之深度 的增加而降低。 最初若干徹米的DZ品質俗主要為DZ形成之熱處理期間 的表面條件。在氫氣或鈍氣氣氛（較長退火時間）的退火 可使晶圓表面的氣濃度低於lppiia。所使用的典型製程 傷於120G°C的純氫中進行一小時的退火，然而，該製程 的成本可能相當高^ —種形成與距表面深度無蘭之髙品 -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ —-----1 訂·--------線· 本紙張尺度適用中國囡家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 4 184 86 B7_ 五、發明說明（4 ) 質DZ的方法偽為成長一磊晶矽層於該DZ矽表面上，諸如 位於P型矽基板上的一 P -型導電度磊晶層或著位於η型 砂基板上的一 η -型磊晶層。相對於非退火C Ζ矽基板的 30ppraa氧總濃度，在該磊晶層中為低於Zppna^因為製 造具有大於2-3 ΛίΒ厚磊晶層之晶圓的成本很高t故該晶 圓偽很少用於裝置製造β相對於傳統C Z晶圓，用於製造 厚度為2-3# Β之磊晶層晶圓的外加成本仍相當高。然而 ，在本案例中，來自CZ基板的氧在裝置製造期間將會擴 散至磊晶層，而使接近晶圓表面的Dz品質明顯地較諸如 氫氣退火晶圓為佳。此外，磊晶層越厚，則吸氣位置離 裝置主動區越遠。亦即在磊晶層中的吸氣位置緊鄰於主 動裝置所形成之主動區下方俗為所欲。然而，磊晶層越 厚，則吸氣位置離主動區越遠。再者，厚的磊晶層易於 造成差排傳遞，而若該磊晶層太厚則其將降低良率。 發明槪要

根據本發明，提供一種用於加工半導體基板以形成剝 蝕區於其中的方法，該方法包含提供一半導體基板，該 基板在鄰近表面的基板區域中具有氣濃度，形成溝渠於 基板表面，其具有穿過氣濃度區的溝渠壁面以及终止於 氧濃度區的溝渠底部，形成溝渠後加工該溝渠壁面及底 部，以減少鄰近該壁面及底部之區域中的氣濃度，並形 成剝蝕區於溝渠壁面及底部四周。 I 藉該方法，溝渠壁面及底部你曝置於氣還原加工，以 形成直接鄰接於該壁面及底部的剌蝕區，以製作表面形 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------*--- ^ i -----1 訂---------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 Γ· Α7 __Β7__ 五、發明說明（π ) 貌對齊DZ(亦即該DZ顒著溝渠縱深）β 根據本發明另一特擞，該還原步费[包含加熱基板以減 少該區域中的氣濃度。 根據本發明之另一特擻，提供一種用於加工半導體基 板以形成剝蝕匾於其中的方法。該方法包含提供具有磊 晶層置於基板表面的半導體基板，且該基板在鄰接該基 板表面的基板區域中具有氣濃度，形成溝渠於該基板表 面，形成溝渠後，該區域中的氣潺度將被減少。 根據本發明之另一特擻，提供一種用於加工半導體基 板以形成剝蝕區於其中的方法，該方法包含提供在鄰接 該基板表面的基板區域中具有氣濃度的半導體基板，在 該區域的第一部份，氣濃度傜被減少.該區域的第一部 份稱鄰接於基板，形成溝渠於該基板表商》形成溝渠後 ，在部份置於溝渠底部下方的匾域，氣濃度偽被減少。 圖式之簡單 本發明之瘥些及其他優點將藉由研讀下列細節説明並 參考附圃而變得更容易明瞭。 第1A至1C圏傺為根據本發明之一實施例之製造具有氧 濃度於其中以形成具有剝拽匾環嬈該溝渠之溝渠的各步 驟半導體基板概略横截面圖； 第1D圜係為可用以形成根據本發明之剝蝕區之製程的 溫度對時間圓； 第2圖偽為具有溝渠電容器之DRAM單元槪略横截面圖 ，該單元具有環繞溝渠的剝蝕區，該匾域依根據本發明 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公1 ) ----------1ΙΆ·Ϊ — n It ^-OJ I I— I r (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而形成； 第3A至3C圖係為根據本發明之另一實施例之製造具有 氣濃度於其中以形成具有剝蝕區環繞該溝渠之溝渠的各 步驟半導體基板概略横截面圖； 第4A至4C圖係為根據本發明之另一實施例之製造具有 氣濃度於其中以形成具有剝蝕區環嬈該溝渠之溝渠的各 步驟半導體基板概略横截面圔。 較徉鸾細例説明 現在參考第1A圖，一半導體基板10偽為所示，在此為 由柴式成長矽晶圓所形成的矽基板。應注意地是，基板 10在鄰接於該基板上表面的基板區域中具有氣濃度。 其次，如第1B圖所示，使用任何傳統撤影及深溝渠蝕 刻製程，將溝渠14蝕入基板10上表面16。應注意地是， 該溝渠14具有穿過氣濃度區的壁面18以及终止於氣濃度 E的底部20。在此，溝渠14底部2G傺諸如距離基板10上 表面16有？深。 更待別地是，使用傳統加工法形成一個二氧化矽層19(襯 塾氣化物）於矽基板10表面上。其次，形成一個襯墊氮 化矽層21於二氣化矽層19上。一諸如BSG或TEOS之硬式 簞幕（未示）傜沈積於該氮化矽層21上。形成一抗反射塗 覆（未示）於該硬式罩幕上。一光阻（未示）傜被加諸於ARC 上並以徹影刻剷，而形成溝渠1 4所被蝕刻於該處的窗口 〇其次，將溝渠蝕入硬式罩幕，並隨後將光阻層剝除β 該經蝕刻的硬式罩幕係用於將溝渠14蝕入矽10中。其次 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂.-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（7 ) ，使用濕式蝕刻法剝除硬式罩幕。所産生的結果如第1B 圖所示。 其次，在溝渠14形成後，該結構fe被加工以形成缺陷 剝蝕區22及缺陷區24,以提供内部吸氣。亦卽，加工溝 渠14的壁面18及底部20，以減少鄰接於該壁面18及底部 20之DZ區中的氣濃度，如第1C圖所示，DZ 22傜置於溝 渠14的壁面18及底部20旁，而該缺陷剝蝕區2 4俗鄰接於 DZ 22。亦卽，該剝蝕區22傺置於溝渠14的壁面18及底 部20周圍。藉該方法，溝渠14的壁面18及底部20傜曝置 於氧還原製程，以形成直接鄰接於該壁面18及底部20的 剝蝕區（DZ)22,而産生表面形貌對齊DZ 22<亦卽該DZ 2 2順著溝渠縱深）。 更特別地是，此處的基板10偽以諸如毎分鐘7G°C的升 溫速率的傳統或最好是快速加熱製程，而使用分枇式爐 體於lOOO-C的氫氣或氮氣或氫氣氣氛中加熱3 0分鐘，以 形成大約3-5// m的DZ 22。另一範例偽為使用在氬氣、 氫氣或氮氣中之諸如每二分鐘1100-1200 °C之典塱的單 晶圓快速加熱製程（RTP)e任何其他的DZ 22形成製程皆 可被使用。在任何狀況中，因為溝渠14的壁商18及底部 20傜直接曝置於加熱製程，故該DZ 22俗沿箸壁面18及 底部22形成，而提供下列優點：（1)因較低熱預算DZ 22 形成法而使成本降低，亦即更短的退火時間、更低溫以 及隨溝渠14形成而相對於晶圓lfl之增強的表面積；（2) 邸使在溝渠14底部仍有表面形貌對齊DZ 22及髙品質的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------- - - - - - Α·ιι·1ιι1 訂--------_ I {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4 's 8 4 86

五、發明說明（9 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 沈積及退火/氧化或m化步驟中自動形成。 其次，該結構傜以任何傳統方法加工，以形成諸如第 2圖所示之具有邊界介於I) Z 2 2與虛線所指的缺陷區2 4 間的溝渠電容器D R A Μ單元。 現在參考第3Α画，提供諸如第1Α丽所示之基板10之CZ 苺板1 0。然而，此處的基板1Q具有形成於其上表而16的 磊晶層3 0。在此，該磊晶層3 0係被形成具有.0 5 - 3 # η的 厚度，且其含有小於IppMa的氣，因而提供一高品質的 淺D Z (亦即優越的閘極氣化物堅固性）。 其次，如第3B圖所示，該溝渠14傺使用上述第1A-1C _之任何傳統微影製程而被蝕刻穿經磊晶層30並進入基 板1 0的上表而1 6。應注意地是，溝渠1 4再次具有穿經氣 濃度區的壁面18,以及終止於氣濃度區的底部20。在此 ，溝渠14的底部20傜距離基板10上表面16有7-8# m深。 其次，亦即形成溝渠i 4後，該結構傜被加工以形成缺 陷剝辣區22與缺陷區24。而提供内部吸氣。亦即，溝渠 14的壁而18及底部20俗被加工以減少鄰接該壁面18與底 部20之區域中的氣濃度，如第3C圖所示，該DZ 22偽緊 鄰於溝渠14的壁而18與底部2Q,而Μ缺陷區24傺鄰接該 DZ 22(DZ 22與區域24間的界面係以虛線26表示）β應注 意地是，沈積磊晶層16前之移除原始氧化物所需的高溫 氫氣預處理將形成額外的D Ζ於C Ζ基板1 0中並溶解小的氣 析出物，否則該析出物將於後鑲加工步驟中成長並於溝 渠蝕刻中形成尖峰。 -1 1 - 本紙張尺度適用中國园家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -------------裝，-------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) B7„ a !i『一 B7„ a !i『一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印5衣 五、發明說明（ 現在參考第4A圖，諸如第1A圖所示之基板1G之CZ基板 10偽被提供。然而，該基板10偽被加工以沿其上表面16 形成淺D Z 3 2。例如，使用每分鐘2 0 - 1 0 (KC的升溫速率 在諸如1 0 0 (TC的氮氣或氧氣中進行3 Q分鐘的退火。雖然 在11 0 (TC的溫度維持3 Q分鏡亦足以形成淺D Z 3 2 ,但在 氫氣或氬氣中的退火將使接近基板1 〇表面1 6處具有較低 的氣濃度而具有較佳的閘掻氧化物堅固性。若該第一道 剝蝕退火於氫氣或氬氣氣氛中執行時，則其在溝渠蝕刻 中具有避免尖峰形成的相似效應，並明顯地較使用磊晶 層3 0 (第3 A - 3 D圖）廉價。此外，其將消除在磊晶矽層3 0 與基板10間之界面處之差排形成的危險。 其次，如第4B圖所示，該溝渠14偽使用第1A-1C_所 述之仟何傳統微影製程而被蝕刻穿經第一淺DZ 36並進 入基板10底部。應注意地是，溝渠14再次具有穿經基板 1 〇氣濃度區的壁面1 8 ,以及终止於氣濃度區的底部2 0。 在此，溝渠14的底部20傺距離基板10上表面16有7-8# m 深。 其次亦即形成溝渠1 4後，該結構係被加工以形成第 二缺陷剝蝕區2 2與缺陷區2 4，而提供内部吸氣。亦即， 溝渠14的壁面18及底部2D傜被加工以減少鄰接該壁面18 與底部20之DZ中的氧濃度，如第4C圖所示，該DZ 22傲 緊鄰於溝渠〗4的壁而18與底部2G,而該缺陷區24傺鄰接 該DZ 22,其間的界面偽以虛線26表示。 應注意地是，在溝渠i 4形成後所執行的退火中，這些 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 « 297公釐） ---------------裝·-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 4 184 86 B7_ 五、發明說明（“） 退火將移除由溝渠蝕刻所形成的損傷及汙染。因此，諸 如氫氣或氬氣氣氛僳較諸如氮氣或氣氣氣氛等不會移除 原始氣化物及汁染物者為佳。 其他實施例偽座Μ於所附申請專利範圍中之精神及範 疇。例如，隨著製造現代裝置中之熱預算不斷的減少， 該熱加工步驟可能不足以成長足夠數目的有效内部吸氣 析出物。因此，該析出物成核步驟可能會在550 °C的溫 度維持一小時，並接著在？ 〇 0 °C的溫度維持一小時。該 成長步驟可接著在lOOG-C溫度的氪氣中維持三小時。此 外，藉由額外的析出物成核及成長或者緒由在裝置製造 中的後鑛熱加工期間執行析出物的成核及成長，在經過 傳統加工方式將單元加工後，其將獲得具有表面形貌對 齊剝蝕區的溝渠電容器DRAM單元。 --------------^--------訂—— n f n ί I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 4 \ 〇4 A7 五、發明說明（a ) 符號之說明 ίο.......半導體基板 14.......溝渠 16.......基板上表面 18 .......壁商 19 .......二氣化矽層 2 0.......底部 2 1.......氮化矽層 2 2.......缺陷剝蝕區 24.......缺陷區 26.......虛線 30.......磊晶層 32.......淺剝蝕區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-f I I I--訂-----I I I I I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 區 板 基 之 面 表 板 基 該 ： 接含及 鄰包以 於-; 度法中 濃方面 氣的表 有板板 具基基 工體於 加導渠 於半溝 用的成 種中形 一 域 有 含 驟 步 。原 度還 濃該 氣中 的其 中 -域法 匾方 該之 少項 減 1 -第 後圍 成範 形利 渠專 溝請 在申 如 2 驟 步 成 形 渠 溝 該 。中 度其 濃 ， 氣法 的方 中之 域項 區 2 該第 少圍 減範 以利 板專 基請 熱申 加如 包 驟 步 原 0 還度 該濃 中氣 其的 及中 以域 渠區 溝分 的部 中之 域方 區下 該部 過底 穿渠 成溝 形少 有減 含含 有度 含濃 驟氣 步的 原中 還域 該區 中分 其部 ，之 法方 方下 之部 項底 3 渠 第溝 圍少 範減 利以 專板 Μ基 申熱 π ΰ 贫 力 之 前 渠 溝 成 形 在 有 含 法 方 之 項 1_ Ο 第驟 -1Κ 範的 利層 專晶 請磊 申成 如形 之 前 渠 溝 成 形 在 有 含 法 方 之 項 2° 第驟 圍步 範的 利層 專晶 請磊 申成 如形 之 前 渠 溝 成 形 在 有 含 法 方 之 項 3 ο 第驟 圍步 範的 利層 專晶 請磊 申成 如形 I I -I ___ :Λ! I (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之 前 渠 溝 成 形 在 有 含 法 方 之 項 4 0 第驟 圍步 範的 利層 專晶 請磊 申成 如形 前的 成份 形部 渠 一 溝第 在該 有 · 含度 尚醆 -氣 法的 方中 之域 項匾 1 的 第份 圍部 範一 利第 專在 請少 申減 如之 9 於 位 原 還 氣 的 到 提 先 首 中 0 其域 且區 ，份 板部 基的 於方 接下 鄰部 偽底 域渠 區溝 含 驟 步 原 還 該 中 其 法 方 之 項 9 第 圍 範 利 專 請 申 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 六、申請專利範圍 以減少該區域中的氧濃度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 31.如申請專利範圍第it)項之方法，其中該溝渠形成步 驟包含有形成穿經該區域的溝渠，旦其中詼還原步驟 包含有減少在溝渠底部下方之部分區域中的氣濃度。 12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中該還原步驟含 有加熱基板以減少溝渠底部下方之部份區域中的氣濃 度。 13. 如申誚專利範圍第9項之方法，含有在形成溝渠前 之形成磊晶層的步驟。 14. 如申請專利範圍第10項之方法，含有在形成溝渠前 之形成磊晶層的步驟。 15. 如申請專利範圍第11項之方法，含有在形成溝渠前 之形成磊晶層的步驟》 ]6·如申請專利範圍第12項之方法，含有在形成溝渠前 之形成磊晶層的步驟^ 1 7 . —種用於加工半導體基板以形成剝蝕區於其中的方 法，該方法包含有： 提供一半導體基板，其中在鄰近該基板表面的基板 區域中具有氧濃度； 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製 形成溝渠於基板表面，其具有穿過氣濃度區的溝渠 壁面以及終止於氣濃度區的溝渠底部；以及 形成溝渠後，該溝渠壁面及底部傺被加工，以減少 鄰近該壁而及底部之區域中的氣濃度。 18.如申請專利範圍第17項之方法，其中該還原步驟含 -1 6-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 度 濃 氣 的 中 域 匾 該 少 減 以 板 基 熱 Π 力 有 前 渠 溝 成 形 在 有 含 法 方 之 項 7 1- 第 圍 範 利 專 0 ¢ 如 法 方 之 項 08 0. 驟1驟 步®步Ms?:h範# 0 J 0 晶ΐ晶 成91成 ώ» 形卩形 之til之 前 渠 溝 成 形 在 有 含 圍 範 利 專 請 申 如 形 渠 溝 在 有 含 尚 法 方 之 項 0Ό-I 第 該 度 濃 氣 的 中 域 區 的 份 部1 第 在 少 減 之 r 位 偽 原 還 氧 的 到 提 先 首 中 〇 其域 且區 ，份 板部 基的 於方 接下 鄰部 係底 域渠 區溝 的於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）