TW417194B - A cleaner - Google Patents

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TW417194B
TW417194B TW088102344A TW88102344A TW417194B TW 417194 B TW417194 B TW 417194B TW 088102344 A TW088102344 A TW 088102344A TW 88102344 A TW88102344 A TW 88102344A TW 417194 B TW417194 B TW 417194B
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TW
Taiwan
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substrate
nozzle
wafer
cleaning
ultrasonic
Prior art date
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TW088102344A
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English (en)
Inventor
Nobuo Konishi
Kenji Sekiguchi
Keizo Hirose
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 f 417194 A7 B7 五、發明説明（1 ) 、 (發明之背景） 本發明係關於一種將實行成膜處理或硏磨處理之基板 予以表面淸淨化所用的洗淨裝置。 在光刻處理中，若在半導體晶圓之表面附著有如粒子 ，有機物，金屬離子之污染時，由於在半導體裝置之圖案 電路產生重大缺陷。因此，將晶圓表面維持在淸淨狀態極 爲重要。所以|在光刻處理法中，視需要須洗淨處理晶圓 表面。例如經過如層間絕緣膜形成之成膜過程或如C Μ P (Chemical Mechanical Polishing )之硏磨過程之後，一面 在晶圓表面施加洗淨液，一面以刷子擦洗，從晶圓表面除 去污染。在種刷洗淨使用具備旋轉夾頭及旋轉刷的洗淨裝 置。旋轉夾頭係具備用以保持晶圓所用的複數活動構件。 當將旋轉夾頭予以旋轉時，介經離心力使活動保持構件之 上部分別傾向於內方而抵接於晶圓周緣端部，晶圓係牢固 地被保持成不會從旋轉夾頭脫離。但是在以往之洗淨裝置 中，由於刷與活動保持構件相撞，因此若避免兩者互相干 擾而洗淨處理晶圓時，則有晶圓周緣部之洗淨不足。 最近，作爲用以平坦化圖案形成面的加工技術，逐漸 盛行利用C Μ P。介經C Μ P硏磨處理晶圓之圖案形成面 時，則有切削滓或硏磨液等異物多量地附著於晶圓周緣部 及端面，因此，對於將晶圓周緣部洗淨至充分程度，來自 需求者之期望逐漸提高。 (發明之槪要） (請先閱讀背而之注意事項再填:頁 裝- -it
•J· = -- I 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS〉Λ4規格（210X297公釐） -4- A7 〖·417194 B7_______ 五、發明説明（2 ) 本發明之0的係在於提供一種可充分地洗淨基板之周 緣部的洗淨裝置。 本發明之洗淨裝置，其特徵爲具備：對於基板之表背 面實質上非接觸，且抵接於基板之外周端面而實質上水平 地保持基板的基板保持部，及用以將旋轉力授與在基板， 旋轉驅動上述驻板保持部的旋轉驅動手段*及接觸於基板 之至少表面並洗滌洗淨該表面的刷構件，及具備用以將洗 淨液供予基板之周緣部以外之領域之第1供應迴路的主噴 嘴，及具備思以將洗淨液供予基板之周緣部領域之第2供 應迴路的副噴嘴，及對於從該副噴嘴供予基板之洗淨液施 加超音波的超音波振盪部。 本發明之洗淨裝置，其特徵爲具備：對於基板之表背 面實質上非接觸，且抵接於基板之外周端面而實質上水平 地保持基板的基板保持部，及用以將旋轉力授與在基板， 旋轉驅動上述基板保持部的旋轉驅動手段，及接觸於基板 之至少表面並洗滌洗淨該表面的刷構件，及 將洗淨液供予蕋板的噴嘴，及移動該噴嘴的噴嘴移動 機構1及對於從上述噴嘴供予基板之洗淨液施加超音波的 超音波振盪部，及控制上述超音波振盪部及上述噴嘴移動 機構，使之在至少供予基板之周緣部之洗淨液施加超音波 的控制手段。 由於超音波施加洗淨液係也容易浸入至些微間隙，因 此，普遍地洗淨至晶圓W之各個角落。所以，刷構件無法 接觸之部位，例如洗淨液也浸入至蕋板保持部與基板之間 ---------^------,訂------^ -' (請先閲讀背面之注意事項再填®頁) ί 經溱部中央標準局負工消費合作杜印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） -5- 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印聚 1' 417194 A7 B7__ 五、發明説明（3 ) *介經超音波之洗淨促進作用充分地洗淨至晶圓W之各個 角落。 又，由於基板保持部與基板係相對旋轉移動。因此， 兩者之接觸部位係經常在更換狀態基板不會有未洗淨之部 位。 (發明之實施形態） 以下，一瓸參照所附圖式一面說明本發明之各種較佳 實施形態ΰ 洗淨處理系統1係具備：半導體晶圓W以一批2 5枚 之單位與卡匣C 一起搬入搬出的裝載/卸載部2。裝載/ 卸載部2設有載置台，例如三個卡匣C載置於載置台上。 沿著載置台形成有第1運送部5，而在該第1運送部5內 設有第1運送臂機構3。第1運送臂機構3係具備：複數 之夾具3a ，3b，及將夾具3a，3b施以前進或後退 的進退驅動機構，及將夾具3 a ，3 b移向X軸方向的X 軸移動機構，及將夾具3 a，3 b移向Z軸方向的Z軸移 動機構，及將夾具3 a ，3 b向Z軸周圍旋轉的旋轉機構 〇 又，在第1運送路5之一方側設有搬入，緩衝機構（ 未予圖示），而在另一方側設有搬出，緩衝機構（未予圖 示）。第1運送臂機構3係以安裝於下段之夾具3 a ，從 卡匣C 一枚一枚地取出洗淨處理前之晶圓W後載匱在搬入 ，緩衝機構，另-·方面，另一方面，以安裝於上段之夾具 -----;---;---裝-------訂------線 (請先閲讀背面之注意事項再填頁) ί 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Α4現格（210X297公釐） -6 - 經濟部中央橾準局員工消費合作杜印製 417194 A7 * A7 B7 五、發明说明（4 ) 3 b，從搬出，緩衝機構取出洗淨處理後之晶圓W後一枚 一枚地搬進卡匣C。 在第1運送部5之鄰近形成有第2運送部1 0 ’而在 該第2運送部1 0內可移動地設有第2運送臂機構8。第 2運送臂機構8係具備：複數之夾具8 a ，8 b，8 c ’ 及將夾具8 a ，8 b，8 c施以前進或後退的進退驅動機 構，及將夾具8a ，8b，8c移.向夾具8a，8b， 8 c移向X軸方向的X軸移動機構，及將夾具8 a ，8 b ，8 c移向Z軸方向的Z軸移動機搆，及將夾具8 a ， 8 b，8 c.向Z軸周圍旋轉的Θ旋轉機構。第2運送臂機 構8係以安裝於下段之夾具8 a ，從卡匣C 一枚一枚地取 出洗淨處理前之晶圓W後載置在搬入，緩衝機構1 1，另 一方面，以安裝於上段之夾具8 B，從搬出緩衝機構1 2 取出洗淨處理後之晶圓W後一枚一枚地搬進卡匣C。 在第2運送部1 0之鄰近形成有處理部6。該處理部 6係具備用以洗淨晶圓W的洗淨處理單元1 3 ，1 4， 1 6，1 7，及用以乾燥晶圓W的乾燥處理單元（未予圖 示）。處理單元1 3與1 6係實行同一系統之洗淨處理者 ’設成上下兩段。處理單元1 4與1 7係實行用一系統之 洗淨處理者，設成上下兩段。又，在此等處理單元1 3， 1 4 ’ 1 6，1 7之背面側有處理供應部1 9。處理液供 應部1 9係具備複數處理液供應源1 〇 1 ，1 〇 2，如第 2圖’第3圖，第4圖及第6圖所示，形成從複數處理液 供應源1 0 1 ，1 〇 2中所選擇的一種處理液供予噴嘴 ---------裝--- - <請先聞讀背面之注意事項再琅Μ本頁) -5 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐} -7- 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印聚 ^ 417 194 at ______B7五、發明説明（5 ) 4 1，5 1。 晶圓W係介經第1運送臂機構3從卡匣C被取出，載 置在搬入’緩衝機構1 1 ，交接給第2運送臂機構8，被 運送至處理部6之各處理單元1 3〜1 7。晶圓W係首先 在洗淨處理單元1 3，藉由以藥液成分作爲主體之處理液 被洗淨處理，經純水之沖洗處理，再經自旋旋轉之甩開乾 燥處理。之後1晶圓W係在處理單元1 4中，藉由以與上 述不同之藥液成分作爲主體之處理液被洗淨處理，經純水 之沖洗處理，畀經自旋旋轉的甩開乾燥處理。之後，晶圓 W係在處理單元1 5經純水被最洗淨處理，再經自旋旋轉 的甩開乾燥處理。 以下，一面參照第2圖至第6圖一面說明洗淨處理單 元；L 3。 在腔1 3 a之側壁開設搬入出口 1 3 b。該搬入出口 1 3 b安裝有擋門（未予圖示），形成打開擋門介經第 2運送臂機構8，矽晶圓W經由搬入出口 1 3 b進出腔 1 3 a。晶圓W係直徑爲8英吋或1 2英吋，而在其周緣 部形成有V缺口。 在腔1 3 a內配置有分別連通於排氣通路及排液通路 的排洩杯9 0 (未予圖示：參照第1 2圖）。在排洩杯 9 0內隔著間隔豎設有作爲基板保持部的旋轉引導構件 2 0 a〜2 0 e，而晶圓W介經旋轉引導構件2 0 a〜 2 0 e保持成可旋轉之狀態。五支旋轉引導構件2 0 a〜 2 0 e係具備：垂直軸2 1，及安裝於該垂直軸2 1之前 (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -8 - 417194 A7 B7 五、發明説明（6 端的旋轉導件 的圓錐台形狀 成晶圓W之外 2 2之傾斜面 晶圓W。又， 所製作較理想 馬達2 4 任一構件即可 兩條旋轉引導 控制器1 0 0 驅動圓滑地旋 ，2 0 d，2 能。 2 2。旋轉導件2 2係呈上部徑比下部徑小 ’當以此等旋轉導件2 2支撐晶圓W時，形 周端部抵接於其傾斜面2 3。又，旋轉導件 2 3係以軟質之樹脂材料所製成成不會損傷 傾斜面2 3係以不容易產生粒子之樹脂材料 〇 係安裝於旋轉引導構件2 0 a〜2 0 e中之 以。在本實施形態中，馬達2 4分別安裝於 構件2 0 a ，2 0 c。兩具馬達2 4係介經 形成可同步控制之狀態。介經此等同步旋轉 轉晶圓W。又，其他之旋轉引導構件2 0 a 0 e係介經軸承2 5分別支撐成可旋轉之狀 請 先 閱 讀 背 ιδ 之 注 意 事 項 再 望（裝 頁 訂 經濟部令央標準局負工消費合作杜印装 在此等旋轉引導構件2 0 a〜2 0 e從第2運送臂8 交接有晶圓W。如第4圖所示，在第2運送臂機構之夾具 8 a形成有段差部8 d，而介經該段差部8 d形成支撐晶 圓W之周緣部同時晶圓W被定心。 第1滾剷3 1配設在晶圓W之上面（表面）側，而第 2滾刷3 2配設在晶圓W之下面（背面）側。第1及第2 滾刷3 1 ，3 2係由軟質之海棉所製成’其長度係比晶圓 W之半徑稍長。 如第2圖及第5圖所示，第1及第2滾刷3 ,1 ，3 2 係分別連結於驅動機構3 0之馬達Μ 1 ’ Μ 2之旋轉軸， 形成分別旋轉在水平軸周圍之狀態。第1馬達Μ 1係經由 本纸張尺度iS用中國國家標準（CNS ) Α4現格（210Χ297公釐） -9- f 417194 at Β7 五、發明説明（7 ) 第1支撐板P 1被支撐在支柱3 3 ’而第2馬達Μ 2係經 由第2支撐板Ρ 2被支撐在支柱3 3。 支柱3 3係內設兩件Ζ軸移動機構（未予圖示）’介 經其中一方的Ζ軸移動機構使第1支撐板Ρ 1被昇降，而 介經另一方之Ζ軸移動機構使第2支撐板Ρ 2被昇降之狀 態。又，在支柱3 3之內部設有加壓調整機構（未予圖示 )。該加壓調整機構係微調整對於介經Ζ軸移動機構調整 互相間隔之滾刷3 1 ，3 2之晶圓W的推壓力者。此種加 壓調整機構係記載於例如美國專利第5，6 8 5，0 3 9 號公報。 在支柱3 3之下部連結有0旋轉驅動部3 5，形成支 柱3 3能在Ζ軸周圍施行Θ旋轉。當支柱3 3被0旋轉時 ’隨著該旋轉，滾刷3 1 ，3 2係搖動在支柱3 3周圍。 又’ Θ旋轉驅動部3 5係搭載於X軸驅動部3 4之上面， 由此，滾刷3 1 ，3 2係與支柱3 3 —起沿著導軌3 4 a 可滑移向X軸方向。介經此種驅動機構3 0，滾刷3 1 ， 3 2係移動使用位置與主位置之間。 經濟部中央榡準局員工消f合作社印策 如第2圖所示，在滾刷3 1，3 2之主位置設有刷洗 淨槽3 8，形成可從滾刷3 1，3 2除去污物（附著物） 。在刷洗淨槽3 8內導進供應配管3 9，形成作爲洗淨液 之純水從純水供應源（未予圖示）供應於刷洗淨槽3 8內 。又’在刷洗淨槽3 8之底部設有排水口（未予圖示）。 該排水口係連通於用以回收再生排水的回收再生裝置（未 予圖示）。在刷洗淨槽3 8內裝入滾刷3 1，3 2，一面 -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 線 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） ί 417194 Α7 Β7 五、發明説明（8 ) 旋轉滾刷3 1，3 2，一面經由供應配管3 9將純水供應 於刷洗淨槽3 8內俾洗淨滾刷3 1 ，3 2。又，因各滾刷 3 1 ’ 3 2係在內部具有洗淨液供應流路，故由滾刷3 1 ’ 3 2 —面吐出洗淨液一面洗淨滾刷3 1 ，3 2也可以。 如第4圖所示，本實施形態之洗淨裝置係備四具噴嘴 4 1 ，4 2，5 1 ，5 2。第1主噴嘴4 1及第1副噴嘴 5 1係配設於晶圓W上方成爲互相不會千擾之狀態。第2 主噴嘴4 2及第2副噴嘴5 2係配設於晶圓W之下方成爲 互相不會干擾之狀態。 第1主噴嘴4 1係安裝於機臂4 3 a之一端，而機臂 4 3 a之另一端係被連結支撐於驅動機構4 3之垂直軸。 介經驅動機構4 3搖動機臂4 3 a時，如第2圖所不，第 1主噴嘴4 1係形成從主位置移動至使用位置（晶圓W之 中央部正上方）。該第1主噴嘴4 1係用以洗淨晶圓W之 圖案領域者。另一方而，第2主噴嘴4 2係安裝於機臂 經濟部中央標準局員工消費合怍社印製 4 4 a之一端。而機臂4 4 a之另一端係被連結支撐在驅 動機構4 4之垂直軸。該第2主噴嘴4 2係與上述第1主 噴嘴4 1實質上相同地動作。 第1副噴嘴5 1係安裝於機臂5 3 a之一端，而機臂 5 3 a之另一端係被連結支撐於驅動機構5 3之垂直軸。 介經驅動機構5 3搖動機臂5 3 a時，如第2圖所示，第 1副噴嘴5 1係形成從主位置移動至使用位置（晶圓W之 周緣部正上方）。該第1副噴嘴5 2係用以洗淨晶圓W之 非圖案領域者。另一方面，第2副噴嘴5 2係安裝於機臂 -11 - (請先閱讀背面之注意事項再填域本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 Γ 4 1 τ - 4 . .. Α7 ___Β7_____ 五、發明説明（9 ) 5 4 a之一端。而機臂5 4 a之另一端係被連結支撐在驅 動機檇5 4之垂直軸。該第2主噴嘴5 2係與上述第1副 噴嘴5 1實質上相同地動作。 以下，參照第6圖及第7圖一面說明代表洗淨噴嘴的 第1主噴嘴4 1。 噴嘴4 1係具備超音波振盪部5 9之所謂高聲波噴嘴 (megasonic noggle )。噴嘴4 1之流路5 6係經由切換閥 1 0 3連通於第1及第2供應源1 0 1 ，1 〇 2。在第1 位應源1 0 1儲存有作爲第1洗淨液之純水，而在第2供 應源0 2儲存作爲第2洗淨液之藥液（化學洗淨液）。該 第2洗淨液係例如使用於R A C洗淨之A P Μ液，D H F 液及Η Ρ Μ液等之溶液。各供應源1 〇 1，1 0 2係分別 內設介經控制器1 0 0所控制的流量調整閥。切換閥 1 0 3係設在洗淨液供應電路，介經控制器1 0 0形成能 控制動作之狀態。介經切換閥1 0 3切換來自第1及第2 供應源1 0 1 ，1 0 2之供應迴路，使第1及第2洗淨液 供予噴嘴流路5 6。又|作爲洗淨液，例如成膜處理後之 洗淨係使用純水，而在C Μ Ρ硏磨處理後之洗淨係使用藥 液。 噴嘴本體5 5係由耐藥品性之樹脂所構成，而在該前 端部近旁安裝有超音波振盪部5 9。超音波振盪部5 9係 具備：安裝於噴嘴本體5 5之環狀凹部5 5 a的振動具 5 7，及圖繞該振動具5 7的保護罩5 8，及供電至振動 具5 7之電源1 〇 4。振動具5 7係形成螺旋狀，圍繞液 ----^------^------.訂------.^ (請先閲讀背面之注意事項再填 本頁) { 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） -12- Β7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、 發明説明 (10 ) I 吐 出 P 5 6 a 之 正 刖 方 近 旁 的 流 路 5 6 〇 又 t 保 護 罩 5 8 1 1 係 以 不 銹 鋼 所 製 成 〇 1 1 | 控 制 rlr.T 1 0 0 將 指 令信 號 傳 送 至 電 源 1 0 4 時 > 則 從 請 1 1 電 源 1 0 4 供 電 至 振 動 具 5 7 而 從 振 動 具 5 7 振 盪 頻 率 先 閱 1 | 讀 I I 1 2 Μ Η Z 之 超 jiV. 波 0 該 超 音 波 係 經 噴 嘴 本 體 5 5 施 加 背 ιέ 1 於 流 路 5 6 內 之 洗 淨 液 0 施 加 有 超 臼 波 之 洗 淨 液 係 從 液 吐 注 意 1 事 出 □ 5 6 a 向 晶 圓 W 吐 出 > 作 用 於跗 著 在 晶 圓 W 之 異 物 項 再 1 I 減 弱 異 物 之 附 著 力 俾促 進 來 白 晶 圓 W 之 脫 離 〇 填/ 寫（ 本 1 裝 以 下 一 面 參 照 第 2 圖 至 第 7 圖 —. 面 說 明 使 用 上 述 之 頁 1 1 1 洗 淨 裝 置 洗 淨 晶 圓 W 之 兩 面 的 情 形 〇 1 1 首 先 在 分 別 將 滾 刷 3 1 3 2 主 噴 嘴 4 1 4 2 1 I t 副 噴 嘴 5 1 5 2 待命在 各 主 位 置 之狀 態 下 打 開 擋 門 1 訂 I 1 介 經 第 2 運 送 臂 機 構 8 將晶 圓 W 搬 進 腔 1 3 a 內 並 將 1 1 晶 圓 W 交 接 至 旋 轉 引 導 構 件 2 0 a 2 0 e 0 晶 圓 W 係在 1 1 搬 進 刖 事 先 施 行缺 □ 之 對位 〇 1 1 之 後 介 經 旋 轉 引 導 構 件 2 0 a 2 0 e 旋 轉 晶 圓 W ( 線 I 將 滾 刷 3 1 3 2 從 主 置 移 至 使 用 位 置 > 同 時 將 噴 嘴 1 1 | 4 1 4 2 5 1 5 2 從 主 位 置 移 至 使 用 位 置 〇 最 初係 1 1 將 滾 刷 3 1 3 2 之 互 相 間 隔 設 成 比 晶 圓 W 之 厚 度 較 大 t 1 1 當 到 達 使 用 位 置 時 則 介 經 加 壓 調 整 機 構 將 滾 刷 3 1 1 1 3 2 以 所 定 推 壓 力 分 別 推 向 晶 圓 W 之 表 面 及 背 面 〇 — 般 ) Γ 1 第 1 滾 刷 3 1 對 於 晶 圓 表 面 ( 圖 案 形 成 面 ) 之 推 壓 力 係 比 1 [ I 第 2 滾 刷 3 2 對 於 品 圓 背 面 ( 非 圖 案 形 成 面 ) 之 推 壓 力 小 1 1 0 該 理 由 係 爲 了 不 會 損 傷 電 路 圖 案 〇 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210Χ 297公釐） _ 13 _ A7 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（11 ) 之後，從主噴嘴4 1 ’ 4 2分別將洗淨液供應至晶圓 W之旋轉中心近旁的表背面，同時從副噴嘴5 1 ，5 2分 別將洗淨液供應至晶圓W之周緣部的表背面。—·面旋轉滾 刷3 1 ，3 2，一面從晶圓W之一方的周緣部橫斷至另一 方之周緣部。如此，洗淨，係從晶圓W之旋轉中心向周緣 部擴散。此時，將超音波分別施加於從噴嘴4 1，4 2， 5 1，5 2所吐出之洗淨液。 如第7圖所示*控制器1 0 0係分別控制來自電源 1 0 4之供電量，較弱超音波施加於從主噴嘴4 1供應之 洗淨液，另一方面，將較強超音波施加副噴嘴5 1供應之 洗淨液。例如1洗淨晶圓W之中央部時，並不是切斷電源 1 0 4之開關，而是給與不傷及圖案程度的較弱電力，例 如給與1 0 0 W動力的超音波振動。另一方面，洗淨晶圓 W之周緣部時，將例如1 5 0 W以上之強電力的動力之超 音波振動給與洗淨液。由此，晶圓周緣部比晶圓中央部有 較大洗淨力，因而粒子等附著物從晶圓周緣部迅速且確實 地被除去。又，介經副噴嘴施加強動力之超音波的洗淨液 ，係從晶圓W之外周端面向半徑方向供予2 0〜5 0 m m 寬的領域。 一面移動各噴嘴4 1，42，51 ，52 —面將超音 波施加洗淨液供予晶圓W，同時一面旋轉晶圓W —面往復 移動滾刷3 1 ，3 2。由此，晶圓W係從中央部至周緣部 各個角落整體到處地被洗淨。特別是，由於從副噴嘴4 2 所供應之洗淨液係施加有頻率1 · 8 Μ Η z又較強動力的 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Α4規格（2丨0X297公釐} - 14 - 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 ^ 417 194 at ____B7__五、發明说明（12 ) 超音波，因此|晶圓W之周綠部不會成爲洗淨不足之情形 。因此種超肯波施加洗淨液係些微間隙也谷易浸入’故晶 圓W之各種角落均到處被洗淨。所以洗淨液也浸入滾刷 3 1 ，3 2無法接觸之部位，例如洗淨液也浸入旋轉引導 構件2 0 a〜2 0 e與晶圓W之間，介經超音波之洗淨促 進作用充分地洗淨晶圓W之各個角落。又，由於旋轉引導 構件2 0 a〜2 0 e與晶圓W係相對於旋轉移動，因此， 兩者之接觸部位係在經常地更換之狀態，因而晶圓W不會 有未被洗淨之部位。 洗淨處理後係將噴嘴4 1，4 2，5 1，5 2及滾刷 3 1 ，3 2回復到各該主位置。之後，介經旋轉引導構件 2 0 a〜2 0 e以高速旋轉晶圓W，而從晶圓W分離除去 洗淨液，並將晶圓W之表面成爲乾燥狀態。 依照上述實施形態之裝匱，晶圓中央部之微細圖案係 不會受到損傷，且可將晶圓周緣部充分且確實地洗淨。 又，依晶圓上述實施形態之裝置，由於介經旋轉引導 構件2 0 a〜2 0 e僅支撐晶圓W之外周緣部，因此，成 爲在晶圓W之背面側具有較大空間，而在晶圓W之背面側 也可設置滾刷3 2，主噴嘴4 2及副噴嘴5 2。藉由此等 3 2，4 2，5 2，晶圓之背面也與表可同樣地洗淨。所 以，不必使用反轉裝置也可洗淨晶圓W之兩面，故使裝置 成爲小型化，同時可大幅度地縮短洗淨處理時間，並提高 生產量。 又，在上述實施形態係說明使用主噴嘴4 1來弱洗淨 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) Λ4規格（210 X297公釐） -15- f 417 194 B7 濟部中央樣隼局員工消費合作社印製 五、 發明説明 〔13 ) 晶 圓 W 之 中 央 部 9 並 使 用 副 噴 嘴 5 1 來 強 洗 淨晶 圓 W 周 緣 部 之 情 形 惟 僅 使 用 一 支 噴 嘴 超 音 波 洗 淨 晶 圓 W 之 中 央 部 甚 至 於 周 緣 部 也 可 以 〇 此 時 > 將 將 加 弱 動 力 之 超 音 波 的 洗 淨 液 從 噴 嘴 供 予 晶 圓 W 之 中 央部 並 將 從 該 同 噴 嘴 施 加 強 動 力 之 超 ,Λ*Γ- 波 的 洗 淨 液 供 予 晶 圓 W 之 周 緣 部 〇 以 下 一 面 參 昭 第 8 圖 至 第 1 1 圖 — 面 說 明 本 發 明 之 其 他 實 施 形 態 0 在 本 實 施 例 屮 如 第 9 圖 及 第 1 0 圖 所 示 介 經 作 爲 基 板保 持 部 之 上 下 對 保 持 rtjii 環 6 〇 a 6 〇 b 保 持 晶 圓 W 成 爲 夾 住 晶 圓 W 之 外 周 上山 m 部 0 上 側 之保持 環 6 0 a 係 經 由 複 數 條 之 肋 部 6 2 a 及 軸 承 6 3 b ( 參 昭 弟 1 1 圖 ) 旋 轉 白 如 地 連 結 在 上 側 之 支 撐 環 6 1 a 〇 下 側 之保持 環 6 0 b 係 經 由 複 數 條 肋 部 6 2 b 及 軸 承 6 3 b ( 參 昭 J 1 \\ 第 1 1 圖 ) 旋 轉 § 如 地 連 結 在 下 側 之 支 撐 環 6 1 b 〇 如 第 8 圖 所 示 上 側 之支 撐 環 6 1 a 係 連 結 支 撐 於 昇 降 機 構 6 4 之 機 臂 6 4 a 〇 當 將 上 側 之 保 持 6 0 a 與 支 撐 環 6 1 a 起 下 降 時 在 保 持 環 6 0 a 之 下 部 突 出 之 突 起 6 0 P 嵌 入 下 側 之 保持 環 6 0 b 之 凹 部 〇 上 下 之 保 持 1¾ m 6 0 a 6 0 b 互 相 地 連 結 同 時 成 爲 晶 圓 W 夾 住在兩保 持 環 6 0 a 6 0 b 間 〇 又 上 下 之 保持 環 6 0 a 6 0 b 之 內 徑 係 比 晶 圓 W 之 直 徑 稍小 皮 Τ\ΐ 6 7 被 捲 繞 於 下 側 保 持 環 6 0 b 之 外 周 1 形 成 馬 達 6 6 之 旋 轉 驅 動 力 經 由 皮 帶 6 7 被 傳 動 至 保持 環 6 0 b 0 又 馬 達 6 6 及 下 側 之 支 撐 環 6 1 b 係 被 固 定 於 基 體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） .-JR _ 417 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 6 5° 如第1 0圖所示，晶圓W之外周端部抵接於上側保持 環6 0 a之內方傾斜面6 0 c與下側保持環6 〇 b之內方 傾斜面6 0 c之狀態下，晶圓W係介經兩保持環6 〇 a ， 6 0 b保持成水平狀態。 如第1 1圖所示，連結肋部6 2 b ( 6 2 a )之前端 部係剖面呈T形，該前端部經由軸承6 3 b安裝於下側保 持環6 0 b。由此，下側保持環6 0 b係對於連結肋部 6 2 b及支撐環6 1 b形成能移動之狀態。同樣地，上側 保持環6 0 a係也對於連結肋部6 2 a及支撐環6 1 a形 成能移動之狀態。 如第9圖所示，在基體6 5之下方側設有交接台6 8 。該交接台6 8係介經安裝於基體6 5之下面的旋轉機構 6 9，成爲可移動在基體6 5之下方側的待命位置與位於 洗淨位置的晶圓W之下方側的交接位置之間的狀態。 第1圓盤刷7 1安裝於驅動機構7 5之機臂7 3的前 端部，而與晶圓W之表面（上面）相對面。又，第2圓盤 刷7 2安裝於驅動機構7 5之機臂7 4的前端部，而與晶 圓W之背面（下面）相對面。在機臂7 3，7 4之內部分 別設有刷旋轉機構（未予圖示），各圓盤刷7 1，7 2成 爲分別旋轉驅動在垂直軸周圍。又，機臂7 3，7 4係支 撐於驅動機構7 5成爲可移向水平方向之狀態。 在本實施形態中，第1主噴嘴4 1及副噴嘴5 1之使 用位置係比上側支撐環6 1 a較上方側，而第2主噴嘴 (請先閱讀背面之注意事項再填艿本頁) •裝· ·='$ 線 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格{ 210X297公釐} -17 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袋 417194 A7 ______B7五、發明説明（15 ) 4 2及副噴嘴5 2之使用位置係比下側支撐環6 1 b較下 方側。 以下，說明本實施形態的洗淨裝置之動作。 將圓盤刷7 1 1 7 2及噴嘴4 1 ，4 2，5 1，5 2 待命在主位置之狀態’將上側保持環6 〇 a予以上昇，並 將晶圓W搬進保持環6 0 a ，6 0 b之間。之後，將交接 台6 8移至交接位置，從交接台6 8之上面突出複數銷 6 8 a ，而在銷6 8 a上面移載晶圓W。又，將銷6 8 a 退入交接台6 8中’並將晶圓w移載至下側保持環6 0 b 。將上側保持環6 0 a下降至使用位置，連結保持環 6 0 a ’ 6 0 b ’俾保持晶圓w。之後，將交接台6 8移 至主位置。 之後，在下側保持環6 0 b附與旋轉驅動力，並與此 等保持環6 0 a ，6 0 b —起旋轉晶圓W。另一面將圓盤 刷7 1 ’ 7 2移向晶圓W之上方側，同時將噴嘴4 1 ， 4 2，5 1 ’ 5 2從主位置移至使用位置。之後，將洗淨 液從主噴嘴4 1，4 2供予晶圓W之旋轉中心部，同時將 洗淨液從噴嘴5 1，5 2供予晶圓W之周緣部一面供應 給與超音波振動的洗淨液，一而將圓盤刷7 1 ，7 2以所 定推壓力分別接觸於晶圓W之表面及背面，一面旋轉此等 圓盤刷7 1，7 2，而將圓盤刷7 1 ，7 2往復移動自晶 圓W之一方的周緣部至另一方的周緣部爲止之間。 以下，一面參照第1 2圖及第1 3圖一面說明本發明 之其他實施形態。 (請先閱讀背面之注意事項再填頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -18- 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 _B7__五、發明説明（16 ) 在本實施形態中，作爲基板保持部使用機械夾頭8 0 。機機夾頭8 0係設在排洩杯9 0中。排洩杯9 0係具備 活動杯部9 0 a及固定杯部9 0 b。活動杯部9 0 a係經 固定杯部9 0 b之開口 9 0 c ，9 0 f而被連結於缸9 8 之桿9 8 a。從缸9 8突出桿9 8 a時，活動杯部9 0 a 係成爲上昇之狀態，相反地將桿9 8 a退入在缸9 8內時 ，活動杯部9 0 a係成爲下降之狀態。 馬達8 3之旋轉驅動軸8 3 a貫穿固定杯部9 0 b之 中央凸部9 0 g，並連結於機械夾頭9 0之底板8 1。又 ，在旋轉驅動軸8 3 a與中央凸部9 0 g之間設有封閉軸 承9 0 h。在固定杯部9 0 b之適當部位形成有複數之排 洩孔9 0 d，經由此等排洩孔9 0 d使洗淨廢液能排至杯 8 0之外部。 機械夾頭8 0之底板8 1係與晶圓W之徑相同尺寸。 在該底板8 1之周緣設有6個豎立部8 4，而晶圓保持部 8 5分別設在各豎立部8 4。該晶圓保持部8 5係下部側 之部分從其內周面之途中向內側傾斜，形成以該傾斜面之 上部側抵接於晶圓W之外周端部之狀態。晶圓保持部8 5 係經由水平軸8 6安裝於豎立部8 4 〇又，在晶圓保持部 85內設有未予圖示之重錘。 在此等機械夾頭8 0，介經表示於第1 3圖之運送臂 8 7交接有晶圓W。該運送臂8 7係形成切除內徑比底板 8 1大之環體一部分之形狀’在該環體內側之三處位置設 有向內方延伸的晶圓載置部8 8。晶圓W係載置在該晶圓 本纸張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（210X297公釐） -19 - 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 417194 A7 — _B7__ 五、發明説明（17 ) 載置部8 8之前端的凸部8 8 a上。 在相當於底板8 1之晶圓載置部8 8之位置形成有可 通過晶圓載置部8 8的切除部8 1 a ’被保持在運送臂 8 7之晶圓W，係將該運送臂8 7位於機械夾頭8 0上方 側之所定位置之後從該位置下降，如此介經在切除部 8 1 a通過晶圓載置部8 8，形成在機械夾頭8 0之晶圓 保持部8 5交接晶圓W。 圓盤刷9 1係經由機臂9 1 a活動地被支撐在移動機 搆（未予圖示）。又，主噴嘴9 2係經由機臂9 2 a活動 地被支撐在移動機構（未予圖示）。又，副噴嘴9 3係經 由機臂9 3 a活動地被支撐在移動機構（未予圖示介 經各移動機構將圓盤刷9 1及噴嘴9 2，9 3從土位置移 動至使用位置，可將此等9 1 ，9 2，9 3分別相對面於 被保持在機械夾頭8 0之晶圓W。此時，主噴嘴9 2係配 設在晶圓W之中央部正上方，而副噴嘴9 3係配設在晶圓 W周緣部正上方。又，主噴嘴9 2及副噴嘴9 3係分別具 備有與上述同樣之超音波振盪部5 9。 在此等構成的洗淨裝置中，介經機械夾頭8 0 —面旋 轉晶圓W，一面將洗淨液從主噴嘴9 2供予晶圓W之中央 部，同時，將施加有超音波的洗淨液從副噴嘴供予晶圓W 之周緣部。一面旋轉圓盤刷9 1，且移動晶圓W上一面實 行洗淨處理11 離心力作用於晶圓保持部8 5時，介經重錘之作用使 其上部傾向內側，在設有晶圓保持部8 5之部位，圓盤刷 ----,---^---^--------ΪΤ------旅 (請先閱讀背面之注意事項再本頁) ί 本紙張凡度適用中國國家標準（CNS ) A4iBL格（210Χ297公釐） -20- r 4 Π 1 9 4 B7 經濟部中央樣準局負工消費合作社印焚 Γ--- 五、 發明説明 (18 ) 1 9 1 Μ 厂》V 法 進 至 晶 圓 W 之 外 緣 極 限位 置 〇 但 是 施 加 有來 白 1 I 副 噴 嘴 9 3 之 超 音 波 的 洗 淨 液 係 會 進 入 晶 圓 保持 部 8 5 與 1 1 1 晶 圓 W 之 周 綠 部 之 間 隙 > 並 及 至 晶 圓 W 之 周 緣 部 與 端 面 t 1 1 請 1 I 由 此 該 領 域 被 洗 淨 0 如 此 j 晶 圓 W 係 不 僅 中 央 領 域 > 周 先 閱 1 I 讀 1 緣 部 也 被 洗淨 0 背 1¾ [ 又 介 經 在相 當 於洗 淨 液 之 掉 落 點 的 晶 圓 之 部 位 昭 射 之 注 素 1 事 超 音 波 俾 振 動 洗淨 液 也 可以 〇 又 > 主 噴 嘴 4 1 4 2 係 項 再 1 1 並 不 被 限 疋 於 將 將 洗 淨 液 供 予 晶 111 W 之 大 約旋 轉 中 心 ， 而 1( 本 I 裝 I 將 主 噴 嘴 4 1 丄 4 9 移 動 在 周 緣 部 與 旋 轉 中 心 之 型 式 也 可 頁 1 i 以 0 又 若 副 噴 嘴 5 1 5 2 係在 圖 案 形 成 領 域 之 外 側 領 1 I 域 則 將 洗 淨 液 供 予 那 -一 領 域者也 可 以 〇 又 主 噴 嘴 4 1 1 I 1 4 2 也 由 與 副 噴 嘴 5 1 5 2 同 樣 之 構 成 的 高 聲 波 噴 嘴 ! 訂 所 構 成 並 將 不 傷 及 圖 案 之 程 度 的 超 音 波 振 動 給 與 洗 淨 液 1 1 俾 洗 淨 晶 圓 W 之 中 央 側 領 域 也 可 0 1 1 I ( 圖 式 之 簡 單 說 明 ) ( I 線 I 第 1 圖 係 表 示 洗 淨 半 導 體 晶 圓 之 洗 淨 處 理 系 統 之 槪 要 1 1 的 局 部 切 除 斜 視 圖 〇 1 1 第 2 圖 係 表 示 本 發 明 之 實 施 形 態 之 洗 淨 裝 置 的 槪 要 平 1 1 面 圖 0 1 1 第 3 圖 係 表 示 本 發 明 之 實 施 形 態 之 洗淨 裝 置 之 要 部 的 1 斜 視 圖 〇 1 r 第 4 圖 係 表 示 從 側 方 觀 看 洗 淨 裝 置 的 圖 式 〇 1 1 第 5 圖 係 表 示 從 側 方 觀 看 刷 驅 動 機 構 的 圖 式 〇 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 21 - A7 A7 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印製 B7 五、發明説明（19 ) 第6圖係表示超音波洗淨噴嘴與洗淨液洪應電路的方 塊圖。 第7圖係表示用以說明晶圓洗淨時之動作的模式圖。 第8圖係表示本發明之其他實施形態之洗淨裝置的槪 要斜視圖。 第9圖係表示從側方觀看本發明之其他實施形態之洗 淨裝置的圖式。 第1 0圖係表示晶圓之夾住支撐部的局部放大圖。 第1 1圖係表示可旋轉地支撐晶圓之旋轉支撐部的局 部放大圖。 第1 2圖係表示從側方觀看本發明之其他實施形態之 洗淨裝置的圖式。 第1 3圖係表示晶圓交接時臂夾具與自旋夾頭的平面 圖。 (記號之說明） W 半導體晶圓 C 卡匣 Μ 1，Μ 2 馬達 1 洗淨處理系統 2 裝載/卸載部 3 第1運送臂機構 3 a - 3 b 夾具 5 第1運送部 (请先閲讀背面之注意事項«-填寫本莧〕 •裝* • t— I It . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22- 經濟部中夬標準局員工消費合作社印^ 417 19^· at B7五、發明説明（2〇 ) 8 第2運送臂機構 8a，8b，8c 夾具 10 第2運送部 1 3〜1 7 洗淨處理單方 19 處理供應部 2 0 a〜2 0 e 旋轉引導構件 2 1 垂直軸 2 2 旋轉導件 2 3 傾斜茴 3 0 驅動機構 3 1 第1滾刷 3 2 第2滾刷 3 8 刷洗淨槽 3 9 供應配管 41，42，51，52 噴嘴 5 5 噴嘴本體 5 7 振動具 5 8 保護罩 5 9 超音波振盪部 6 0 a ，6 0 b 保持環 6 8 交接台 6 9 旋轉機構 7 1 第1圓盤刷 7 2 第2圓盤刷 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢) 裝- --° 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4祝格（210X297公釐） -23- A7 B7 五、發明説明（21 8 0 機 械 夾 頭 8 5 晶 圓 保 持部 8 7 運 送 臂 9 0 排 洩 杯 1 0 0 控 制 器 1 0 1， 1 0 2 1 0 4 電 源 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 經濟部中央標準局貝工消費合作社印象 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24-

Claims (1)

  1. 417194 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 經濟部中央揉车局負工消費合作社印製 對於基 周端面而實 用以將 的旋轉驅動 接觸於 及 具備用 洪應迴路的 具備用 供應迴路的 對於從 波振盪部。 2 如 上述基 圓錐台狀的 上述旋 至少一旋轉 3 .如 上述基 從上下夾住 上述旋 少一方的保 4 如 種洗淨 板之表 質上水 旋轉力 手段， 基板之 以將洗 主噴嘴 以將洗 副噴嘴 該副噴 申請專 板保持 複數旋 轉驅動 導件者 申請專 板保持 基板之 轉驅動 持環者 申請專 裝匱，其特徵爲具備： 背面實質上非接觸，且抵接於基板之处 平地保持基板的基板保持部τ及 授與在基板，旋轉驅動上述基板保持部 及 至少表面並洗滌洗淨該表面的刷構件’ 淨液供予至少基板之中央部領域之第1 ，及 淨液供予至少基板之周緣部領域之第2 ，及 嘴供予基扳之洗淨液施加超音波的超音 利範圍第1項所述之裝置，其中， 部係具備分別抵接於基板之外周端部β 轉導件； 手段係旋轉驅動上述複數旋轉導件中之 〇 利範圍第1項所述之裝置，其中， 部係具有保持基板之一對保持環，成爲 外周端部之狀態： 手段係旋轉驅動上述一對保持環中之至 © 利範圍第1項所述之裝置|其中· 請 先 聞 面 之 注 % 裝 订 本紙乐尺度逋用中國國家橾率（CNS) Α4規格（210Χ297公釐） -25- 417194 Α8 88 C8 D8 經濟部中央揉準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 上述超音波振盪部係安裝於上述副噴嘴，成爲對於通 過上述第2供應電路之洗淨液施加超音波者。 5 .如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中， 上述超音波振盪部係具有螺旋形狀之振動具者。 6 ·如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中， 又具有控制上述超音波振盪部的控制手段； 上述控制手段係控制上述超音波振盪部，成爲對於從 上述主噴嘴供予基板之洗淨液也施加超音波，且基板周緣 部的超音波之動力比基板中央部者大，並將施加超音波之 洗淨液從上述副噴嘴供予基板之周緣部，同時從上述上噴 嘴供予基板中央部者。 7 .如申請專利範圍第1項所述之裝置，其屮， 在基板表面形成有被圖案化之薄膜者。 8 .如申請專利範圍第1項所述之裝置，其中， 基板之表面係施以化學機械硏磨（C Μ P硏磨）者。 9 .—種洗淨裝置，其特徵爲具備： 對於基板之表背面實質上非接觸，且抵接於基板之外 周端面而實質上水平地保持基板的基板保持部，及 用以將旋轉力授與在基板，旋轉驅動上述基板保持部 的旋轉驅動手段，及 接觸於基板之至少表面並洗滌洗淨該表面的刷構件’ 及 將洗淨液供予基板的噴嘴’及 移動該噴嘴的噴嘴移動機構’及 (請先閲讀背面之注意事項再填ί頁) 裝- -β 線 本紙張尺度適用中國國家搮率（CNS ) Α4说格（210Χ297公釐） -26 _ 417194 § D8 六、申請專利範園 對於從上述噴嘴供予基板之洗淨液施加超音波的超音 波振盪部，及 控制上述超音波振璗部及上述噴嘴移動機構，使之在 至少供予基板之周緣部之洗淨液施加超音波的控制手段。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項所述之裝置’其中 上述控制手段係控制上述超音波振盪部，成爲基板之 周緣部的超音波之動力比基板中央部者大，介經上述噴嘴 移動機構來移動上述噴嘴，並將施加超音波之洗淨液從上 述噴嘴分別供予基板之周緣部及中央部者。 裝 ί 訂 I ~~~ ~~~ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填) /. 經濟部中央揉率局員工消費合作社印«. 本紙張尺度適用中國國家棋率（CNS > Α4说格（210X297公釐） -27 -
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100375226C (zh) * 2001-03-30 2008-03-12 兰姆研究有限公司 具角度的旋转、清洗、及干燥模组与其制造及实施方法
TWI414008B (zh) * 2007-07-26 2013-11-01 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TWI492793B (zh) * 2011-12-16 2015-07-21 宸鴻科技（廈門）有限公司 無機元件的清洗裝置及其清洗方法

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3185753B2 (ja) * 1998-05-22 2001-07-11 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6202658B1 (en) 1998-11-11 2001-03-20 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning the edge of a thin disc
JP2000228382A (ja) * 1999-02-05 2000-08-15 Sony Corp ウエハ洗浄装置
KR20010037210A (ko) * 1999-10-14 2001-05-07 구본준, 론 위라하디락사 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP2001246331A (ja) * 2000-03-08 2001-09-11 Sharp Corp 洗浄装置
FR2808120B1 (fr) * 2000-04-20 2002-07-26 Karl Suss France Procede et dispositif pour le traitement du substrat d'un circuit integre ou d'un produit analogue en cours de fabrication
KR100877044B1 (ko) * 2000-10-02 2008-12-31 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 세정처리장치
KR100405449B1 (ko) * 2000-10-30 2003-11-15 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼용 세정장치
US6733594B2 (en) * 2000-12-21 2004-05-11 Lam Research Corporation Method and apparatus for reducing He backside faults during wafer processing
US7000623B2 (en) 2001-05-18 2006-02-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for substrate preparation implementing a surface tension reducing process
JP3865602B2 (ja) * 2001-06-18 2007-01-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP3944368B2 (ja) * 2001-09-05 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
US6904637B2 (en) 2001-10-03 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Scrubber with sonic nozzle
US6845778B2 (en) * 2002-03-29 2005-01-25 Lam Research Corporation In-situ local heating using megasonic transducer resonator
US7007333B1 (en) * 2002-06-28 2006-03-07 Lam Research Corporation System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
US7743449B2 (en) * 2002-06-28 2010-06-29 Lam Research Corporation System and method for a combined contact and non-contact wafer cleaning module
JP2004039843A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP4261931B2 (ja) * 2002-07-05 2009-05-13 株式会社荏原製作所 無電解めっき装置および無電解めっき後の洗浄方法
JP2004207454A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
EP1635960A2 (en) * 2003-06-06 2006-03-22 P.C.T. Systems, Inc. Method and apparatus to process substrates with megasonic energy
JP4357225B2 (ja) * 2003-07-24 2009-11-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20050109371A1 (en) 2003-10-27 2005-05-26 Applied Materials, Inc. Post CMP scrubbing of substrates
JP2006114884A (ja) * 2004-09-17 2006-04-27 Ebara Corp 基板洗浄処理装置及び基板処理ユニット
EP1748466B1 (de) * 2005-07-29 2008-03-19 Aya Maria Thallner Vorrichtung zur Oberflächenreinigung von Wafern
US7938130B2 (en) * 2006-03-31 2011-05-10 Ebara Corporation Substrate holding rotating mechanism, and substrate processing apparatus
US7395573B2 (en) * 2006-08-03 2008-07-08 Nix, Inc. Dust remover and dust removal method
US8327861B2 (en) * 2006-12-19 2012-12-11 Lam Research Corporation Megasonic precision cleaning of semiconductor process equipment components and parts
US8578953B2 (en) 2006-12-20 2013-11-12 Tokyo Electron Limited Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable storage medium
KR101004432B1 (ko) 2008-06-10 2010-12-28 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치
JP5531489B2 (ja) * 2009-07-30 2014-06-25 富士通セミコンダクター株式会社 ウェーハ端面の洗浄方法及び装置、並びに洗浄液供給装置
JP5490741B2 (ja) * 2011-03-02 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置の位置調整方法、及び基板処理装置
CN102140669B (zh) * 2011-03-17 2016-06-01 上海集成电路研发中心有限公司 硅片电镀铜后的清洗方法
EP2740150B1 (en) * 2011-08-04 2017-04-05 King Abdullah University Of Science And Technology Apparatus and method for cleaning photovoltaic devices
US9176173B2 (en) * 2011-11-28 2015-11-03 Texas Instruments Incorporated Method for detecting imperfect mounting of a rod-shaped metallic object in a metallic hollow shaft and a device
US9633890B2 (en) * 2011-12-16 2017-04-25 Lam Research Ag Device for treating surfaces of wafer-shaped articles and gripping pin for use in the device
JP6076011B2 (ja) * 2012-02-09 2017-02-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理ブラシ及び基板処理装置
JP5955601B2 (ja) * 2012-03-27 2016-07-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
TWI452423B (zh) * 2012-11-19 2014-09-11 Gudeng Prec Industral Co Ltd 光罩清洗方法及其系統
JP6181438B2 (ja) * 2013-06-24 2017-08-16 株式会社荏原製作所 基板保持装置および基板洗浄装置
CA2917079A1 (en) * 2013-07-05 2015-01-15 King Abdullah University Of Science And Technology System and method for conveying an assembly
US9966281B2 (en) * 2013-11-15 2018-05-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and systems for chemical mechanical polish cleaning
KR102121238B1 (ko) * 2013-11-25 2020-06-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6401021B2 (ja) * 2014-11-18 2018-10-03 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置、基板処理装置、および基板洗浄方法
CN105983552B (zh) * 2015-02-15 2019-12-24 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种防掉落的半导体清洗装置
JP6473357B2 (ja) 2015-03-18 2019-02-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102389613B1 (ko) * 2015-05-06 2022-04-22 삼성전자주식회사 기판 세정 장치
JP6373803B2 (ja) * 2015-06-23 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP6740065B2 (ja) * 2016-09-13 2020-08-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板洗浄装置、基板処理装置、基板洗浄方法および基板処理方法
JP7232615B2 (ja) * 2017-12-13 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TWI834489B (zh) * 2017-12-13 2024-03-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置
JP6789271B2 (ja) * 2018-09-18 2020-11-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US11791173B2 (en) * 2019-03-21 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate cleaning equipment, substrate treatment system including the same, and method of fabricating semiconductor device using the substrate cleaning equipment
US11948811B2 (en) 2019-12-26 2024-04-02 Ebara Corporation Cleaning apparatus and polishing apparatus
KR20230005183A (ko) * 2020-05-01 2023-01-09 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치의 컵의 세정 방법, 및 기판 처리 장치
CN112191603B (zh) * 2020-10-10 2022-11-25 国网新疆电力有限公司昌吉供电公司 隔离开关触头清洗装置
CN112768378B (zh) * 2020-12-31 2023-02-10 上海至纯洁净系统科技股份有限公司 一种交错式晶圆表面湿法清洗系统及清洗方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07211677A (ja) * 1993-11-30 1995-08-11 M Setetsuku Kk 基板のスクラビング方法とその装置
US5368054A (en) * 1993-12-17 1994-11-29 International Business Machines Corporation Ultrasonic jet semiconductor wafer cleaning apparatus
TW316995B (zh) * 1995-01-19 1997-10-01 Tokyo Electron Co Ltd
JPH08238463A (ja) * 1995-03-03 1996-09-17 Ebara Corp 洗浄方法及び洗浄装置
US5685039A (en) 1995-05-12 1997-11-11 Tokyo Electron Limited Cleaning apparatus
JP3393016B2 (ja) * 1996-04-15 2003-04-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置および方法
US5900690A (en) * 1996-06-26 1999-05-04 Gipson; Lamar Heath Apparatus and method for controlling an ultrasonic transducer
US5937469A (en) * 1996-12-03 1999-08-17 Intel Corporation Apparatus for mechanically cleaning the edges of wafers
JP3330300B2 (ja) * 1997-02-28 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置
US5870793A (en) * 1997-05-02 1999-02-16 Integrated Process Equipment Corp. Brush for scrubbing semiconductor wafers
US5980647A (en) * 1997-07-15 1999-11-09 International Business Machines Corporation Metal removal cleaning process and apparatus
US6260562B1 (en) * 1997-10-20 2001-07-17 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate cleaning apparatus and method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100375226C (zh) * 2001-03-30 2008-03-12 兰姆研究有限公司 具角度的旋转、清洗、及干燥模组与其制造及实施方法
TWI414008B (zh) * 2007-07-26 2013-11-01 Dainippon Screen Mfg 基板處理裝置
TWI492793B (zh) * 2011-12-16 2015-07-21 宸鴻科技（廈門）有限公司 無機元件的清洗裝置及其清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20010010103A1 (en) 2001-08-02
JPH11238713A (ja) 1999-08-31
JP3333733B2 (ja) 2002-10-15
US6385805B2 (en) 2002-05-14

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