TW411458B - Apparatus and process for production of optical recording medium - Google Patents
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Description
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 411458 Λ7 B7 五'發明説明(1) 本發明係關於,能夠用雷射光束等以高密度記錄資訊 再加以再生之光記錄媒體之製造方法、及製造裝置,特別 是關於,如CD-R及DVD-R之僅寫一次型(write once type) 光記錄媒體,或叫做光記錄媒體之只能記錄一次之光記錄 媒體之製造方法,及製造裝置》 光記錄媒體之資訊密度很高,能夠很容易檢索資料, 因此近年來被廣泛使用。尤其是’ CD-R之容量很大(650MB) ’成本較低,最近特別受到愛用。以下說明此光記錄媒體 之製造方法及其製品。 第1圖表示’形成僅寫一次型光記錄媒體之記錄層之 傳統製造裝置之垂直於光碟圓形表面之剖面之模式圖。本 裝置叫做旋轉塗膜機(Spin Coater)。 圖t ’ 10係旋轉塗膜機本體,12係光記錄媒體用之基 板’ 14係心轴’ 16係心袖盤’ 18係記錄層溶液之塗敷喷嘴 ’ 20係有機色素之記錄層材料之溶液,22係心軸馬達。有 機色素之記錄層材料溶液20,係從喷嘴18供給光記錄媒體 基板12上。然後,當心軸馬達22向箭頭24方向轉動時,心 轴盤16上之光記錄媒體基板12會同時轉動,使記錄層材料 溶液20向箭頭26之方向擴散,在光記錄媒體基板12上塗敷 疋厚度之記錄層材料溶液。含在記錄層材料溶液2〇之有 機色素係由’例如花青(Cy〇nin)素’酞青(phthal〇cyanin) 系之材料等所構成。 第2圖以模式方式表示,藉上述製造方法製成之光記 錄媒體之一部分之垂直於碟片圓形表面之剖面構造。在圖 本^^^^T^T^T210X勝楚)--- -4 , ----裳----;--ir------泉 (請先閱氣^!而之毛意事項再填商本頁) 411458 i Λ7 B7 五、發明説明(2 ) 中,28係構成在光記錄媒體基板12表面之微小溝槽,30係 記錄層,32係反射層,34係保護膜。如上述塗敷記錄層材 料溶液後,記錄層材料溶液進入由聚碳酸酯等構成之光記 錄媒體基板之微小槽溝之溝28内。塗敷之溶液在乾燥後則 形成記錄層。微小槽溝之溝28係由光碟基板12上由内周向 外周構成螺旋狀。 使用這種光記錄媒體記錄資訊時,係從記錄裝置,向 溝28照射雷射光點36,使記錄層之色素材料分解及/或變 質’有時利用這個時候產生之熱量,使基板12變形,藉此 形成小坑(pit)38 « 坑38在照射較記錄時之輸出為低之再生用雷射光時, 濺射金,銀等而形成之反射層32會反射該雷射光,但較記 錄時未照射雷射光的部位,光線之反射率較低,此項反射 率之差異造成之對比指示信號之所在。藉此項架構,可獲 得與紅皮書(red book)所規定之CD相同之信號輸出,被辨 認是CD。此内容係在橙皮書(orange book)内規格化之CD-R之僅寫一次光記錄媒體所述者。 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 ----------/-------,訂 I . < (请先閲讀*背面之法意事項再填寫本頁) 使用上述旋轉塗膜機之光記錄媒體之製造比較簡單, 但其反面,卻存在著種種問題。 第一個問題是,有機色素之記錄層材料溶液2〇之特性 (例如粘度等)很容易受到外部原因(例如,溫度、溫度等) 之影響,而因旋轉塗膜機之轉數,轉數之控制狀態等會使 内周與外周之溶液之塗敷狀態不一樣,其結果,光記錄媒 逋之内周與外周之膜厚度容易產生差別,很難在基板上 本紙張尺度通财關?:辟(CNS ) Λ4祕(2Ι0χϋ公楚) 411458 Λ7 _____B7 五、發明説明(3 ) 成厚度均勻之記錄層。 (請先閏讀貧面之:$項再填寫本頁) 同時,有機色素之記錄層材料溶液2〇係使用各種溶劑 來塗敷,一般來講,塗敷後必須要充分乾燥,而因此需要 時間。因此报難以高製成率在短時間内形成記錄層,而為 為降低光記錄媒體之製造成本之課題。 而且’在對光記錄媒體之高密度化之需求中,各方也 在要求能應用短波長(例如650nm) ’並有’能將使用長波 長(CD時為780nm)記錄之資訊用DVD唱機來再生(即,與 DVD唱機之互換),及對應雷射之短波長化之短波長用有 機色素之應用等各種要求,因此有人提出將各種有機色素 層加以積層之建議。 然而,上述之傳說之旋轉塗膜法卻存在有,先塗敷之 層在1¾速轉動時’被後來塗敷之記錄層材料之溶液侵餘等 之問題。除此之外’對高密度化之要求,亦有將溝間之間 距微小化之提案。 要解決這些問題,上述之傳統方法有其限度。 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 本發明提供可以解決上述問題點之光記錄媒體之製造 裝置。亦即,本發明係由,真空前處理室,藉蒸著形成記 錄層用之多數(至少兩個)記錄層形成室、反射層形成室、 及真空後處理室’所構成’供製造在基板上有多數記錄層 之光記錄媒體之裝置,各記錄層形成室至少有一個記錄層 形成單元,反射層形成室至少有一個反射層形成單元》 本發明之光記錄媒體製造裝置進一步備有基板運送機 構,藉此實施裝置内之室間相互間之基板之運送。因此, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } A4規格(210X297公釐) 411458 Λ7 -----_ 五、發明説明u ) ~~' 運入裝置之真空前處理室之光記錄媒體用基板,可藉此基 板運送機構,從真空前處理室,通過記錄層形成室及反射 層形成室,移送至真空後處理室,而從真空後處理室取出 〇 如後述’例如,各室相鄰接之型態,可將基板從裴置 内之某室移送至鄰室D而各室配置在旋轉室之周圍之別種 型態,則可從裝置内之某室,經由旋轉室將基板移送至裝 置内之任意一室。不論是那一種型態’這種基板之移送, 均係藉基板運送機構來實施。 而且,此項基板運送機構最好是能夠,從光記錄媒體 製造裝置之外部,將光記錄媒體用基板移送至真空前處理 室,同時,能夠從真空後處理室將基板移送至光記錄媒體 製造裝置之外部。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ---------A------~訂 I - (請先閱後背面之ii-意事項再填寫本頁) 而且,本發明可提供,使用上述本發明之光記錄媒體 之製造裝置’製造光記錄媒體之方法。亦即,本發明可提 供’在由真空前處理室(或真空前室)、多數(至少兩個)記 錄層形成室、反射層形成室、及真空後處理室(或真空後 室)構成之製造光記錄媒體之裝置,從裝置之外部將基板 送入裝置内’令其通過此等各室,再從裝置取出,藉此, 利用蒸著法在基板上形成多數記錄層,並在此等記錄層上 形成反射層之光記錄媒體之製造方法。裝置内之基板之移 送,係藉基板運送機構來實施可取之型態是,將基板運 進、運出裝置亦由基板運送機構來實施》 再者,以下將與構成本發明裝置之各種要素相關連, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 7 411458 Λ7 __— _B7_ 五、發明説明(5 ) 來說明本發明之各種特徵,但此等說明同樣適用於本發明 之方法本身及該方法所使用之裝置。 依據本發明時,僅使用單一之裝置,則可藉蒸著獲得 在基板堆疊多層記錄層之光記錄媒體,此等記錄層具有, 較使用上述旋轉塗膜機形成記錄層時,均勻性更高之厚度 。藉本發明而獲得之光記錄媒體具有多數記錄層,因此可 以達成’具有單一記錄層之光記錄媒體無法達成之不相同 或新的光學特性(例如’基板整體之分光反射率特性)。 例如,藉本發明所獲得之光記錄媒體,不僅對CD所 用波長(例如780nm〜830nm)之光線。對波長更短(例如 DVD所用之620nm〜690nm)之光線,亦具有較小之分光吸 收率,因此,藉由本發明獲得之光記錄媒體可對應兩種波 長(例如’ CD用波長及DVD用波長)。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 ----------X-------訂 (請先閱讀t'面之法項再填寫本頁) 藉由本發明之裝置或方法所獲得之光記錄媒體,具有 如上述之多數記錄層,藉此,未記錄部分(即,記錄用雷 射光未照射到之部分)可如上述發現不相同或新的光學特 性;同時’在記錄部分(即,照射記錄雷射光之部分),則 多數記錄層中之至少一層可發揮主要為光記錄媒體之本來 之記錄層功能,因照射雷射光,使構成記錄層之色素材料 分解及/或變質’使記錄層之光學特性改變,其他記錄層 則具有助長該項光學特性之變化之輔助功能(即,可稱作 記錄輔助層)。當然’有時所有記錄層會因記錄用,雷射 而分解及/或變質,所有之記錄層均具有記錄層及記錄輔 助層之功能。此等記錄層及記錄辅助層之各自之功能無法 本纸張尺度適用中國圉家標準(CNS ) A4规格(2丨OX297公焚) 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 411458 Λ7 ___ __B7五、發明説明(ό ) ·— — 明綠區分,是由多數記錄層成為一體,藉相乘之效果呈 現新的或不同的光學特性。就這一觀點,本說明書為了方 便上,在記錄層形成室形成之層稱作「記錄層」,但其中 包含有,所謂記錄層(普通之光記錄媒體所使用之記錄層) 之外,另含有,助長該記錄層之功能之各種記錄辅助層, 例如過濾層,加強層等功能之各層。 本發明裝置因為在形成記錄層後亦可一併形成反射層 ,因此可縮短製造光記錄媒體所需之時間β而且如後述, 能夠利用’膜厚度測量機構,設在基板與記錄層形成單元 間之擋門機構(最好是與膜厚度測量機構組合在一起者), 基板之自轉’公轉機構,基板與記錄層形成單元之位置關 係之可變機構(最好是與膜厚度測量機構組合在一起者), 以及使用單臂機器人之基板運送機構等,以更高的效率製 造光記錄媒體。 如此製成之光記錄媒體,以跟第2圓一樣之剖面,模 式方式亦於第3圖。光記錄媒體40具有,用聚碳酸酯等材 料構成之光記錄媒體用基板41,含有堆疊在基板41上之有 和色素材料之多數記錄層43,44,形成在其上之反射層45 ,及形成在其上之保護層46。基板41備有,形成在其一個 表面之螺旋狀之槽溝42。形成記錄層之有機色素材料可以 從,例如酞青系等材料中任意選擇使用。本發明之裝置係 在基板41上形成有,記錄層43,44,以及反射層45(亦即 ,49部分)。 基板41使用一般之光記錄.媒體,只要是對光記錄媒體 , 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2i〇X297公釐) 9 f靖先閱^背面之法意事項再填寫本頁} Λ ,丁 . -ιφ
X 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 411458 Λ7 _____B7 五、發明説明(7 ) ' ~ 使用之雷射光有穿透性之材料即可’不特別限制。例如, 聚碳酸酯,亞克力樹脂等塑膠材料均可。 反射層45可以從金,銀或銘等具有一定反射率之材料 中任意選用…般在光記錄媒體之反射層使用者,本發明 也可以使用。 對保護層46也與反射層一樣,可以使用—般所用之光 記錄媒體用之UV硬化性之樹脂,將樹脂塗敷在記錄層上 令其硬化而形成。此保護層係依據本發明在基板上形成記 錄層與反射層後,再塗敷樹脂使其硬化而形成。當然,也 可以在本發明之裝置,組合使用常用之保護層形成裝置。 第4圖表示,測量如此藉蒸著製造記錄層之光記㈣ 體之記錄層之厚度之結果。此記錄層之色素才料使用故花 青化合物’在ixw Torr以下之條件,肖色素材料加熱 到150〜25〇t使其蒸發’蒸著在基板上而形成。在基板上 形成記錄層後,以膜厚度測量計測量一定處所之記錄層之 厚度* 在第4圖,橫軸表示直徑12〇mm之光記錄媒體之半徑 ,縱軸表示形成之膜厚度(記錄層之厚度卜實線表示,如 上述依據本發明利用蒸著形成之記錄層之半徑25mm至半 徑57mm間之膜厚度,可以看出,採蒸著法時可以形成厚 度十分均勻之記錄層。再者,第4圖之虛線,係使用旋轉 塗膜機形成之記錄層之厚度在半徑方向之分布。 兹詳細說明實施本發明之型態如下。 在本發明裝置’真空前處理室係在高真空下,於處理 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS )以規格(2ΐ〇χ297公楚) (請先閲讀』背面之也^^項再填寫本頁)
、,1T -10 - 411458 Λ7 B7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(8 ) 光記錄媒體用基板以前,放入光記錄媒體用基板之處理室 (因為如此,亦可稱作「真空前室」),亦即是: 在真室前處理室之壓力與裝置外部之壓力相同時,從 裝置外部將基板運進真空前處理室; 然後,使真空前處理室之壓力與裝置外部隔絕(或絕 緣),而降低真空前處理室之壓力,使其與欲移送基板之 記錄層形成室之壓力相同; 雙方之壓力一樣大時,使真空前處理室與記錄層形成 室,成為可運送基板之連絡狀態; 然後,能在等壓狀態下將基板從真空前處理室運送至 記錄層形成室之空間之意思》 同時,在本發明裝置,所謂真空後處理室,係在高真 空下處理光記錄媒體用基板後,從該處將形成記錄層及反 射層之基板取出到裝置外之處理室(因為如此,亦可稱作 「真空後室j ),亦即是: 從内部有形成反射層之基板之反射層形成室,以壓力 上隔絕(絕緣)狀態下,將真空後處理室之壓力設定成與反 射層形成室相同之壓力; 然後’使反射層形成室與真空後處理室,在壓力及基 板運送上成為連絡狀態,而使雙方之壓力相同; 然後’將基板從記錄層形成室移送至真空後處理室; 然後’使真空後處理室與記錄層形成室之壓力隔離; 然後’將外氣引進真空後處理室,使裝置外部與真空 後處理室成為等壓狀態; J— - - I- 1 1 I -Im - ) I I n I ^—. :-11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公t ) 11 411458 Λ7 ___ _B7 五、發明説明(9 ) ~^ ' 然後,能夠從真空後處理室將具有記錄層及反射層之 基板取出裝置外部之空間之意思。 在本發明,記錄層形成室係表示,在高真空狀態(例 如,10-3 Ton·或以下)之壓力,藉蒸著形成記錄層之空間( 至)之意思β开)成記錄層之材料係色素材料,特別是有機 色素材料,只要是能夠獲得所希望之光學特性,傳統之光 記錄媒體之記錄層所使用者也可以,或別的色素材料均可 以。在記錄層形成室對這類色素材料加熱,使其溶融蒸發 ,或使其直接昇華。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 -------.訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 舉例言之,構成記錄層之有機色素材料之具體例子包 括有’五甲炔花青(pentamethine cyanine)系色素、七甲炔 •ί匕青(heptamethine)系色素 '四角酸(Squariiium)系色素、 偶氮基(azo)系色素、蔥g昆(anthraquinone)系色素、競齡· (indophenol)系色素 '酞青(phthalocyanine)系色素、萘酞 青(naphthalocyanine)系色素、吡喃紗(pyrylium)系色素、 硫吼喃蚪(thiopyrylium)系色素、甘菊藍(azulenium)系色 素、二本甲烧(1;1:丨卩11611丫丨11161;1^116)系色素、氡雜慧(乂&1^1^116) 系色素、陰丹士林(indanthrene)系色素、靛藍(indigo)系色 素、硫靛(thioindigo)系色素、部花青(merocyanine)系色素 、硫氮雜苯(thiazine)系色素、吖啶(acrlidine)系色素、氧 氮雜芑(oxazine)系色素、雙硫醇(dithiol)金屬錯體系色素 等。此等色素因其所具有之置換基,波長一分光吸收率特 性常會改變,同一系列之色素若置換基改變,有時其光吸 收特性有很大之變化。最好是;從欧青系色素、萘欧青系色 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(2丨OX297公麓) 12 411456 Λ7 ______B7 五、發明説明(l〇 ) 素、偶氮基系色素、花青系色素中選擇適當者用在記錄層 ,或使用多數色素之混合物。亦可視需要,在記錄層含有 習用之消光劑,或紫外線吸收劑等之添加劑。色素材料及 所需之添加劑之選擇’可依欲形成之記錄層之性質選擇。 在記錄層形成室對這種色素材料加熱,使其蒸發(或 昇華),令其在基板上,或在已形成在基板上之記錄層上 ,蒸著色素材料層。此記錄層形成室至少有兩個,亦可配 合需要之記錄屠數配設兩個以上。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ----------Λ------- (諳先閱汰背面之;νί·意事項再填寫本頁) 如此之記錄層形成室至少配置一個記錄膜形成單元, 對該單元供應形成記錄層用之色素材料,對此色素材料加 熱’使其蒸發(或昇華)。如此蒸發之色素材料便蒸著在基 板上。因此,本發明之裝置在記錄層形成室設有,具有色 素材料供應機構及色素材料加熱(蒸發或昇華)機構之記錄 膜形成單元。色素材料供應機構係用以向加熱機構計量。 供應一疋量之色素材料,其色素之計量,供應可以是連續 方式,亦可以是間歇方式。對應色素材料供應機構,加熱 機構也實施連續加熱或間歇加熱β設在加熱機構内之加熱 構件以電氣加熱構件為佳,最佳之型式是使用電阻器或電 磁感應之加熱方式。 在本發明’所謂反射層形成室係表示,在高真空狀態 (例如ΙΟ—3 Τ〇ΓΓ或以下)之壓力下,藉適當之方法(例如測射 ,金屬蒸著法等),在已形成之記錄層上,形成用反射層 之材料,例如金,銀,鋁等材料所構成之薄層之處理室之 意思。因此,反射層形成室至少有一個反射層形成單元, 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS)祕桃(2似297讀) 13 411458 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 Λ7 Β7 五、發明説明(ll ) - 而只要是能在記錄層上形成反射層之薄膜,任何習用之型 態均可。 例如,應用濺射以形成反射層時,反射層形成單元可 以是濺射單元,可以備有應形成反射層之金屬材料之靶( 濺射源)及離子照射裝置β 再者,在本發明裝置,各室之壓力最好能獨立控制, 可藉此,在將基板(或基板托架)從某室運送至另一室時, 使此等兩室成為等壓狀態,再從某室將基板移送至另一室 。此項移送,可以藉實質上與上述之從真空前處理室將基 板移送至記錄層形成室,或從反射層形成室將基板移送至 真空後處理室同樣之方式來實施。 在本發明’所謂基板運送機構係·· 從裝置之外部將基板移送至真空前處理室; 然後’從真空前處理室將基板移至最初之記錄層形成 室’並視需要在記錄層形成室間移送基板; 然後’從最後之記錄層形成室,將基板移送至反射層 形成室; 然後’從反射層形成室將基板移送至真空後處理室; 最後’從真空後處理室將基板移送至裝置外部用之機 構。在此機構,也可以省略從裝置外部向真空前處理室之 基板移送’及/或’從反射層形成室至真空後處理室之基 板之移送。 只要具有上述功能,基板運送機構可以使用任何型態 之機構。具體上是’可以採用在半導體裝置之製造領域’ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) tl^i fn I I (請先閱欢背面之法意事項再填寫本頁) ,丁 14 B7 五、發明説明(12 ) 從某室將對象物移送至壓力不相同之別室時常使用之機構 。例如,可以採用如下述,令各室相互鄰接,而依序移送 基板之機構,配設旋轉室,而將各室配置在其周圍之型式 等。 再者,如上述在移送基板時,保持基板之某室,與即 將移送基板過去之另一室之壓力有時並不相同,因此,通 常是,各室均設有可動隔壁(分隔板),俾在移送時,可關 閉基板要通過之開口部,以隔絕(或絕緣)各室本身之壓力
Q 在一個可取之型態,本發明之光記錄媒體製造裝置係 由: 真空前處理室’藉蒸著以形成記錄層之多數(至少兩 個)之一連串之記錄層形成室,反射層形成室,及真空後 處理室’所構成,記錄層形成室相鄰接; 一端之記錄層形成室鄰接於真空前處理室,另一端之 記錄層形成室鄰接於反射層形成室,而且,反射層形成室 最好鄰接於真空後處理室; 此等各室相互獨立,可保持一定之壓力; 經濟部中央標準总貝工消費合作社印^ 藉基板運送機構,基板由真空前處理室進入一端之記 錄層形成室,順序通過一連串之記錄層形成室,由另一端 之記錄層形成室進入反射層形成室,然後從反射層形成室 進入後真空處理室; 在一連串之記錄層形成室内,藉蒸著在基板上形成堆 疊之記錄層’再於反射層形成雀,最好藉濺射在堆疊記錄 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公楚) 15 411458 Λ7 ------ -B7 五、發明説明(13 ) 層上形成反射層。 在更佳之型態,基板係藉基板運送機構,從裝置外部 進入真空前處理室,並在最後,從真空後處理室運出裝置 外部》 第5圓表示此可取型態之光記錄媒體之製造裝置。第5 圖係以模式方式表示各室之内部,俾能瞭解具有兩個記錄 層形成室之型式之製造裝置50之架構。裝置5〇備有,真空 前處理室52 ’記錄層形成室54及56、反射層形成室58及真 空後處理室60。真空前處理室52有基板取入口 62,可經由 此從置外部將基板運進真空前處理室52。真空後處理室6〇 有基板取出口 64,可經由此將形成有記錄層及反射層之基 板,從真空後處理室60運出裝置外部。 為了要能獨立控制各室之壓力,並能夠在相鄰接之各 室間移送基板,設有分隔板66,68,70及72,以及真空排 氣裝置 74 ’ 76,78,80 及 82。 經濟部中央標準扃員工消费合作社印掣 -----------X-------,訂 * * · ' · (諳先閲靖背面之法意事項再填寫本頁) 在記錄層形成室54及56配置有記錄層形成單元(記錄 層材料供應機構及加熱機構成為一體者)84及86。在反射 層形成室58配置有反射層形成單元(例如漱射裝置)88。 基板係載置在’可保持多牧之基板托架9〇,92,94, 96,98,100及101,而在裝置内移送(當然亦可直接單獨 運送基板)。為了要移送此托架,設有具備運送輥及運送 帶之基板運送機構102,]04,106,108及110。 光記錄媒體基板係直接或載置在基板托架9〇,送至真 空前處理室52。再者,分隔板66已關閉與記錄層形成室54 氏張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) " ' -16 - 411458 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印策 Λ7 Β7 五、發明説明(14 ) 之間,關於壓力,真空前處理室52與記錄層形成室54已隔 絕(或已絕緣)。當基板托架90進入真空前處理室52後,則 以排氣裝置24排氣。當真空前處理室52之真空度己達由真 空排氣裝置76使其達一定真空度之真空處理室54之真空度 時,分隔板66便打開,真空前處理室52與記錄層形成室54 在壓力上成為連絡狀態’而藉基板移送機構1〇2及1〇4,從 基板托架92之位置移送至基板托架94之位置。然後再關閉 分隔板66。 在記錄層形成室54,於基板托架94之下方配置記錄層 形成單元84 ’最初之記錄層材料(a)在此蒸發,而蒸著在 基板上。這時之分隔板66及68成關閉狀態。 在記錄層形成室54之處理完成後,接著再實施在記錄 層形成室56之處理。這時’若記錄層形成室54與56之壓力 不相同,則以排氣裝置76調節記錄層形成室54之壓力,使 其與記錄層形成室56之壓力同樣大,然後打開分隔板68, 從基板托架94之位置移送至96之位置。 再者’從某室移送基板至壓力不相同之另一室時,可 以採用,在雙方之壓力成隔離(可獨立)之狀態下,控制目 前基板所存在之室内之壓力,使其等於欲移送基板之另一 室之壓力,然後解除雙方之隔離狀態,再移送基板之方式 〇 在記錄層形成室56,同樣地,由單元86蒸發別的色素 材料(Β)使其蒸著在已形成之色素材料(Α)之記錄層上,而 形成色素材料(Β)之記錄層。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公麓) X-------•訂 ,' (請先閲m背面之注意事項再填寫本頁) 17 五、發明説明(15 ) 然後,基板托架便由96之狀態,從記錄層形成室56移 送至反射層形成室58,而成為98之狀態。於是,藉反射層 形成單元88加以濺射處理,而在色素材料(b)之記錄層上 t 形成例如金,銀或鋁之反射層。 基板托架98接著被送至,由排氣裝置82預先保持成與 反射層形成室58如同壓力之真空後處理室6〇,然後由戌氣 閥U2洩氣’使其壓力降至裝置外部之壓力,然後打開取 出口 64,將基板托架1 〇〇取出到裝置外部(1 〇 1之狀態)。 在別的可取型態’本發明之光記錄媒體製造裝置係由 真空前處理室’藉蒸著形成記錄層用之多數(至少兩 個)記錄層形成室、反射層形成室、及真空後處理室,所 構成,此等各室最好分開相同角度’配置在備有轉盤之旋 轉室之周圍; 此等各室與旋轉室成相互獨立,可保持一定之壓力, 同時’旋轉室與各室在壓力與基板(或基板托架)之移送上 ’可相互成為連絡狀態’並可相互獨立(即加以遮斷); 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 並可藉基板運送機構’經由旋轉室從任何一室將基板 移送至另一室; 而藉蒸著’於記錄層形成室内,在基板上形成堆疊之 記錄層’於反射層形成室内’在堆疊記錄層上形成反射層 〇 第6圖具體表示此可取型態β這是從上方所視之具有 兩個記錄層形成室之光記錄媒體之製造裝置12〇之模式圖 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS } Α私見格(2丨ΟΧ2?7公釐) 18 411458 at __B7 __________ 五、發明説明(16 ) 〇 裝置120在其中央設有,具備轉盤122之旋轉室124。 在旋轉室124之周圍有真空前處理室126,記錄層形成室128 及130,反射層形成室132及真空後處理室134。如圖示, 此等各室係以相同角度分開配置在轉盤之轉軸136周圍。 配置此等各室之順序不特別限定,但如圖示,按處理順序 配置較佳。擬處理之基板可以在各室間移送,但最好是’ 如圖示將多數基板載置於基板托架138,而在室間移送。 各室在壓力與基板托架(或基板)之移送上,可與旋轉 室124成連絡狀態,成為壓力傳達狀態及能移送基板之 狀態),而得藉臂140在各室與旋轉室之間,向箭頭142方 向移送基板托架。各室與旋轉室之間配置有分隔板144, 藉此可控制各室與旋轉室間之有關壓力與移送基板之連絡 狀態之關/閉。與第5圖一樣,各室(含旋轉室)設有排氣裝 置(未圖示)’可分別獨立控制其壓力D再者,在記錄層形 成室及反射層形成室,與參照第5圖所說明者一樣,配置 有形成記錄層及反射層用之單元。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填艿本頁) 基板托架138被送入預備真空室126,再由可向箭頭142 方向伸縮自如之臂140之前端夾持,而移至旋轉室124。移 到旋轉室124之基板托架(以兩點虛線表示)因轉盤in可向 箭頭148方向自由轉動,因此可以移至任一室之正面。藉 此可以將光記錄媒體基板移至任意一室,因此可以,例如 在基板上以任意順序形成記錄膜。 在某室(例如記錄層形成室130)完成處理後,基板托 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(210X297公楚) 19 Λ7 411458 __ ΒΊ 五、發明説明(17 ) ------L----足----,--^訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 架146便由該室,藉臂140移送至轉盤122上(以兩點虛線表 示)。然後,轉盤122轉動一定角度(例如右轉,參照箭頭148) ’移至反射層形成室132之正面,然後,由在其前面之臂140 抓住基板托架,而將基板托架移送至反射層形成室132。 接著,在基板形成反射層。 第7圖表示,別的可取型態之本發明之光記錄媒體製 造裝置6本圖與第6圖一樣,係以模式方式表示,從裝置 上方所視之狀態。第7圖所示型態之光記錄媒體製造裝置 150係在各室設有單臂機器人152,154,156,158及160, 以取代第6圊之實質上可向一軸方向伸縮自如之伸縮臂"Ο ,這一點不相同。 基板托架162可成為箭頭164所示之狀態,而由前端有 夾頭功能之單臂機器人152取進真空前處理室174。這種單 臂機器人係在半導體元件等製造過程之無塵室使用之產生 塵量極少之構件。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 此單臂機器152亦可移動成箭頭166所示狀態,將基板 托架162移至旋轉室168内之轉盤17〇上。然後,使轉盤17〇 向箭頭172方向右轉,將基板托架移至記錄層形成室176之 正面’再由正面之機械臂154取進下一室176内,進行下— 段處理。最後,依序巡迴各室之托架178便由單臂機器人丨6〇 從真空後處理室180取出。 第7圖之裝置因為是使用發塵量極少之單臂機器人, 因此,不僅可以製造錯誤率極低之光記錄媒體,在長時間 之連續生產,仍可提供發塵量極少之製造。 本财家標準^(21Qx2m># )----- -20 - 411458 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 H7 五、發明説明(18 ) 如先前所說明,本發明裝置之記錄層形成室係藉蒸著 構成記錄層之材料來形成記錄層。因此,在記錄層形成室 設有色素材料供應機構及色素材料加熱機構。 第8圖係以模式方式表示,能夠在本發明之光記錄媒 趙製造裝置使用,備有色素材料供應機構及色素材料加熱 機構之記錄層形成單元190之一個可取型態之斜視圊。 從保持色素材料192之儲存槽(例如漏斗)194,向色素 材料輸送帶196上,在單位時間内排出一定量之色素材料 。此輸送帶196由輥子198及200驅動,以一定速度向箭頭 202方向移動色素材料。在皮帶196下方設有色素材料預熱 器204及色素材料加熱,蒸發用加熱器206,將皮帶上之色 素材料加熱,使其蒸發。蒸發之色素便蒸著在,由配置在 記錄層形成單元190上之基板托架210所保持之基板212上 。再者,記錄層形成單元190備有可以耙取未蒸發而殘留 下來之色素材.料之機構(例如刮除器)214,在其後面設有 灰塵容器216’將剩下之色素材料收容在此β 第8圖所示之記錄層形成單元係以連續方式供應色素 材料,但本發明之別的型態係以間歇方式供應色素材料。 第9圖以模式方式表示,備有色素材料供應機構及色 素材料加熱機構之別的可取型態之記錄層形成單元22〇之 斜視圖。 此記錄層形成單元220含有色素材料間歇供應機構222 及色素材料加熱機構(因此是色素材料之蒸發源)224。色 素材料加熱機構224備有,移送色素材料之轉動臂226、計 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210_X 297公釐) ----Μ---:---f----;--‘訂------t (請先閲讀背而之泣意事項再填寫本頁) 21 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明(l9 ) 量杯228、加熱構件230。計量杯228及轉動臂226之數目不 受圖示之型態之限制,但通常是兩個以上,最好在4〜10 ,例如8個為佳。色素材料間歇供應機構222可以藉設在其 中之可以送出一定量材料之齒輪(或葉輪)232,及控制其 轉動之電路234,向計量杯228供應一定量之色素材料236 〇 色素材料具體上可以是有機色素材料,而當轉動臂226 接受控制電路234之指令,在中心239之周圍向箭頭238方 向轉一定角度時,供給計量杯228上之色素材料便被送到 加熱構件230上。送來之色素材料228則由加熱構件230加 熱,而如虛線241所示蒸發,蒸著在配置於單元上方之基 板托架240上之基板242 〇加熱構件230使用電阻器加熱方 式等,但亦可採用感應加熱方式。 安裝在基板托架240之光記錄媒體基板242,最好能使 用後述之機構,令其向箭頭244方向自、公轉。 第10圖以模式方式表示,別的型態之記錄層形成單元 250之從側面所示之情形。為了能夠更精確秤量色素材料 之供應量,本型態之色素材料間歇供應裝置能夠用秤量裝 置252測量供給計量杯228之色素材料之重量。轉動臂226 可由轉動臂驅動單元254驅動,使其轉動。 色素材料236係從間歇供應裝置222,由材料計量齒輪 232供給計量杯228,而這時之轉動臂226之轉軸256會如箭 頭260所示,向下方變位(以虛線表示)。於是,因為轉動 臂226之前端設有可支持計量杯228邊緣之孔262,而以該 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) Α4規格(210Χ 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 22 Λ7 411458 _____ B7 五、發明説明(20 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 孔之周圍部分支持計量杯,因此,計量杯228之底部則由 計量單元252之承盤264所支持,而獨立從轉動臂226離開 。計量杯228之底部將由評量裝置之承盤264獨立支持之, 可藉此測量供給計量杯之色素材料之重量。 此項計量係利用電子天秤等之原理來進行,計量前已 扣除計量杯228之部分,因此僅量出真空處理材料236之重 量。完成一定之計量後,材料計量齒輪232便停止供應。 然後’轉軸254向箭頭266方向變位,再度保持計量杯228 ,接著’轉軸254向水平方向轉動,各計量杯則向下一位 置移動。計量杯228己載有計量過之色素材料236,而由加 熱器230加熱,使色素材料蒸發。 材料之蒸發結東後,空杯228被送至色素材料間歇供 應裝置222之下方,而再度開始色素材料之計量。第圖 表示僅有兩個計量杯之例子,但實際上可有更多之計量杯 ’而依序移送之。這種色素材料之計量及加熱由控制單元 268加以控制。如此以間歇方式供應色素材料時,因為能 夠僅計量形成記錄層所需要之色素,因此,較之連續方式 供應時,可以減低色素材料之損耗。 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 第11圖表示色素材料間歇供應裝置之可取型態β此型 態之在第9圖或第10圖所示以轉動臂22.6之端部分支持計量 杯228之部分,亦即計量計承受部270係用隔熱材料(如可 機械加工的陶瓷(日本鑛水material股份有限公司製)之陶 瓷)所構成。因此,加熱構件230之熱量不會傳至轉動臂226 之方向,可以穩定對計量杯22.8上之色素材料236加熱》 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Λ4規格(2i〇x297公釐) 23 411458 Λ7 B7 五、發明説明(μ ) 在第12圖表示第9圖所示之色素材料加熱機構之更可 取之型態。此型態在加熱源構件230之外,另設有可獨立 加熱之多數預熱機構282及284 〇如此構成色素材料加熱機 構時,色素材料236最初會接觸到第1預熱機構282,受到 預熱而使溫度上述到一定之溫度後,再接觸到第2預熱機 構284,預熱到更高之溫度。最後由加熱機構230加熱到一 定溫度而蒸發。如此,在由多數獨立之加熱構件構成之色 素材料加熱機構,色素材料236不會被一口氣加熱,而是 慢慢加熱’因此效率良好,蒸發穩定,可以非常有效地防 止例如色素材料之飛濺’因此可以獲得性能穩定之光記錄 媒體。 在第13圖表示,第9圖所示色素材料加熱機構之可取 之別的型態。本型態係在第9圖所示之型態另加設冷卻機 構290。冷卻機構290可以是任意之型態,例如使用,利用 裝爾提(peltia)效果之元件等。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背而之注意事項再填湾本頁) 计量杯228被加熱構件230加熱,色素材料230蒸發後 ’在計量杯228之溫度尚未下降很多之狀態時,實施從下 一次計量經加熱進行蒸發之一連串過程,其結果,製造過 程節拍會提高(即’製造過程所需時間變短)時,計量杯便 成為不充分冷卻之狀態,色素材料之穩定蒸發度得很困難 。這個時候,如果有冷卻機構290存在,便能夠將計量杯228 之溫度降低到適當之溫度,其結果是,能夠達成記錄層形 成處理之高速化,同時可獲得性能穩定之產品β此冷卻機 構290可以是單一構件,也可以配設兩個以上,如此便可 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)aI^ ( 210Χ 297公楚)--—- 24 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 411458 Λ7 ---- --B7 五、發明説明(22 ) ~~ 以獲得良好之溫度控制。 第14圖表示本發明之光記錄媒體之製造裝置之別的型 態。此型態除了在單一的記錄層形成室内備有多數記錄層 形成單兀(記錄層用色素材料供應機構及加熱機構成為一 體者)以外,實質上與第5圓所示型態一樣。例如圖示,記 錄層形成至54配置有記錄層形成單元84a及84b,記錄層形 成至56配置有記錄層形成單元86a及86b。當然,不一定需 要在所有記錄層形成室内配置多數記錄層形成單元。此等 多數記錄層形成單元,可視需要蒸發同一色素材料,或者 蒸發不同之色素材料。 使同一色素材料蒸發時,蒸發之色素材料在記錄層形 成室内更均勻分布’因此可形成更均質之記錄層。而使不 同色素材料蒸發時,可藉此等不同之色素材料之混合物形 成記錄層。而在使不同色素材料蒸發時,如將一種色素材 料加熱,蒸發,剩下之色素材料則不加熱,不使其蒸發, 或者配設遮蔽構件(例如後述之檔門機構),使色素材料縱 使蒸發,該蒸發之色素材料也不能到達基板,則可僅使用 一個記錄層形成室,便能夠在基板上形成多數記錄層。 在第15圖以模式方式表示,藉這種裝置製造之光記錄 媒體300之完成品之一部分之剖面圖。此光記錄媒體用聚 碳酸酯等之材料構成’在具有槽溝302之基板304上有,由 多數記錄層形成單元(例如843及84b),以蒸發之不同有機 色素材料之混合物形成之記錄層306 ’以不同之色素材料 形成之記錄層308及3〗0(如上述’在設有擋門機構之一個 本紙張尺度刺t關家標準(CNS)〜麟⑺Gx297讀) ----T-----R----:---訂------泉 {請先閲^面之注意事項再填寫本頁} 25 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 411458 Λ7 ---- —_B(7 五、發明説明(23 ) 記錄層形成室,先形成層則,然後形成層31〇),反射層3i2 保護層314。除了保護層3 ! 4以外,均可使用本發明之製 造裝置來形成。 從多數,例如兩個記錄層形成單元蒸發(或昇華)之不 同有機色素材料之混合物所形成之記錄層3〇6,至少可定 性兼備,原來色素材料之光學特性(光吸收、穿透率常數 、折射率、衰減係數等),尤其是分光反射率,分光吸收 率,或者,有時可因此等色素材料之相乘作用,可呈現新 的光學特性。因此,可藉檢討各種有機色素材料之組合, 測量其光學特性之試探法(try and err〇r meth〇d),選擇具 有所希望之光學特性之堆疊記錄層。 這種新光學特性之呈現,不僅是在如上述之藉色素材 料之混合物形成記錄層之場合,在重疊多數不同色素材料 記錄層時也會產生》例如,可能藉由一個或一個以上之記 錄層呈現光學濾光器之效果,改變整個記錄層之波長一分 光特性曲線之形狀(例如,改變尖峯形狀,或是使尖峯位 置移位)β構成堆疊之記錄層之色素材料之組合,係與上 述一樣,藉由檢討各種組合,而從其中選擇可取之組合之 試探法(try and error法),來選擇具有所希望之光學特性之 堆疊記錄層。 而且,這種新的’或不同之光學特性之呈現,也有可 能藉由改變反射層所使用之金屬之種類,來改變記錄層之 熱分解(或變質)特性而實現。 第16圖表示’在基板上形;成以下之三種不同記錄層而 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公楚) ----1-------艮----;--.訂------東 (請先閱面之注意事項再填寫本頁) 26 411458 Λ7 ___—_____B7 五、發明説明(24 ) 獲得之光記錄媒體(CD-R,第15圖所示者)之光吸收率之 測量結果(以實線表示)。在圖示之曲線圖,縱軸表示記錄 層之吸收率特性,橫軸表示光之波長。 記錄層306 ’酞花青化合物(f〇M-〇509,曰本和光純 藥工業製造),厚度30nm。 s己錄層308 :部花青(mer0Cyanine)化合物(NK2097, 曰本感光色素研究所製造),厚度5〇nm。 記錄層3 10 :部花青化合物(NK2045,日本感光色素 研究所製造),厚度40nm。 反射層312 :金(濺射法)、厚度70nm。 再者’為了比較’以虛線表示傳統型之具有單一波長 ,例如普通在780nm之CD使用之花青等記錄層之僅寫一 次型光記錄媒體之分光吸收率特性。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ----------^----:--''11 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁} 從曲線可以看出’具有藉本發明方法製成之多數記錄 層之光6己錄媒體’對新提議之南密度短波長,例如65〇nm 之雷射波長,過具有較小之分光吸收率(因此可以當作 DVD-R使用)。其結果表示,不僅對如CD之長波長,較短 之波長也可以記錄及/或再生(即,對應複數波長型之僅寫 一次光記錄媒體)。如此構成之僅寫一次型光記錄媒體可 對應多數雷射波長進行記錄及/或再生,依據此項基本架 構,在將來所使用雷射光之短波長化更加進展時,仍可繼 續對應》 在本發明之可取型態’係在至少一個記錄層形成室配 设可以ΟΝ/OFF控制蒸著之指門機構,藉此來控制形成在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨〇X 297公釐) -27 - Λ7 41Ϊ458 ____ _B7 五、發明説明(25 ) 基板上之記錄層厚度。並在反射層形成室配設擋門,控制 '例如濺射之金屬在記錄層上之堆積„ 第Π圖表示設有上述擋門機構之第2圖之記錄層形成 室54之剖面之模式圖。在光記錄媒體基板托架94與記錄層 形成單元84之間設有膜厚度控制用撐門機構32〇。此擋門 機構320係由’規定蒸發之色素材料通過之開口部322之固 定部324,及能夠開閉其開口部之滑板326,所構成。當滑 板326滑向箭頭328方向關閉開口部322後,蒸發之色素便 無法到達基板(OFF狀態)’相反地’打開開口部322後,蒸 發之色素便可以到達基板(ON狀態)。如此,藉開閉滑板326 便可以調節記錄層之厚度。從記錄層形成單元84之有機色 素材料之蒸發速度可以藉加熱機構(例如第8圖之2〇4及200) 之加熱程度加以控制,但若有擋門機構,便可以有精密度 更高之控制’尤其是以高速形成記錄層時,可以利用滑板 326之開閉’獲得精確度更高之控制。也可以在記錄層形 成室内設骐厚度測量裝置,以線上方式或間歇方式測量形 成在基板上之s己錄廣之厚度’而依據其結果回授控制指門 機構。 在本發明之可取型態,配設有形成記錄層時,使基板 自轉同時公轉之機構,即自,公轉機構於記錄層形成室内 。在第18圖以模式方式表示’設有此項機構之第2圊之記 錄層形成室54之剖面。 圖中’ 330係基板托架,332係托架軸,3 34係安裝基 板336之轉動齒輪’ 338係轉動.齒輪334所嚙合之齒輪,34〇 本紙張尺度通用中國國家標準{ CNS ) Λ4规格(210X297公麓) Ί------R-------.訂------章 (請先閱^}!^面之^意事項再填葙本頁) 經濟部中央標隼局貝工消費合作社印^ 28 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 41145S Λ7 __._ft7五、發明説明(26 ) 係安裝在齒輪338之止轉件,342係托架轉動用馬達,344 係轉軸,346係鉤,348係柱塞,350係槓桿。 此自,公轉機構可以設在各記錄層形成室及反射層形 成室中之至少一室,基板托架330可以安裝多數光記錄媒 體基板336 >當基板托架330送進記錄層形成室54内時,托 架轴332被鉤346鉤住,而由轉動馬達342藉轉軸344而轉動 。因此,保持在基板托架330之基板336便在托架軸332之 周圍轉動。即公轉。齒輪338可以在轉軸334之周圍轉動, 而當因柱塞348之作用,槓桿350下降,嚙合於止轉件340( 從兩點虛線之狀態變作實線之狀態)時,齒輪338停止轉動 ,其結果,嚙合於齒輪338之轉動齒輪334因托架軸332之 轉動作用而轉動,使安裝在此之基板336自轉。藉此,光 記錄媒體基板336整體會在記錄層形成單元84上自、公轉 〇 槓桿350在兩點虚線位置時,齒輪338會與托架軸332 一起轉動,因此,轉動齒輪334不會轉動。這時光記錄媒 體基板336只是在托架軸332之周圍公轉,這種型態也可以 用。反之,也可以使基板僅進行自轉。較之基板停止不動 之型態,如此基板會一面轉動(公轉及/或自轉),同時蒸 著色素材料,因此可以在基板上形成更為均勻之記錄層·' 此等自,公轉機構可以使用鏈條機構,行星齒輪等機構。 本發明裝置之可取型態設有可以改變記錄層形成室之 記錄層形成單元(特別是色素材料之蒸發源),與基板托架 或基板之位置關係之機構。在.第19圖以模式方式表示,設 ----^------^----.--'II (請先閲面之>1意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 411458 λ7 Β7 五、發明説明(27) 有此機構之第2圖之記錄層形成室54之剖面。在與上述一 樣之記錄層形成室54内,84係記錄層形成單元或蒸發源, 360係垂直方向驅動用齒條,362係齒輪,364係水平方向 驅動用齒條,366係齒輪。藉齒輪362之驅動可使垂直方向 驅動用齒條360移動,因此,記錄層形成單元84可對光記 錄媒體基板或基板或基板托架94,向箭頭369方向移動。 且因齒輪366之驅動’可使水平方向驅動用齒條364移動, 因此,單元84可向箭頭371方向移動。光記錄媒體基板28 之附近配置有膜厚度之測量裝置,而最好配置多數此類裝 置’則可將此等裝置測量之膜厚度之資訊回授,控制蒸發 源84對基板托架94之位置(未特別表示控制電路),使其可 達成最佳之成膜率,及均勻之膜厚度。 再者,在本發明之光記錄媒體製造裝置,以間歇方式 供應色素材料時,色素材料之加熱係使用電氣加熱器,但 亦可利用感應加熱方式。如此,因金屬構成之計量杯會產 生滿流’其熱量可以對色素材料加熱,而不必擔心如電熱 器有斷線之顧慮,可靠性很高,可以有良好效率之蒸發。 依據’由真空前處理室,藉蒸著以形成記錄層之多數 記錄層形成室、反射層形成室、及真空後處理室,所構成 之製造在基板上有多數記錄層之光記錄媒體之裝置,其各 記錄層形式室至少有一個記錄層形成單元,其反射層形成 室至少有一個反射層形成單元之本發明之裝置時,將可以 製造均質而厚度齊一,僅寫一次之光記錄媒體,也可以同 時蒸著多數有機色素材料,因.此可適應一直在高密度化之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2!ΟΧ 297公漦) (請先閱讀背面之4意事項再填寫本頁) .訂 % . 30 經濟部中央標準局負工消費合作.社印聚 411458 at ___ ΪΪ7 ________________ - . —~ ____________ 五、發明説明(28 ) 光記錄媒體之規格,同時可以實現,對應配合短波長雷射 之有機色素材料形成之記錄層之光學設計之製品規格。 而且,不僅可以藉設在光記錄媒體基板與記錄層形成 單元間之擋門機構,以高精密度且以高速度獲得均勻之記 錄層’同時因備有,設在光記錄媒體基板與記錄層形成單 元間之膜厚度測量裝置,或可以改變光記錄媒體基板與記 錄層形成單元之距離之機構,因而能夠精確控制記錄層之 成膜狀態。 同時’因為能夠藉安裝光記錄媒體基板之托架,使光 記錄媒體基板在成膜時自轉及/或公轉,因此可實現精密 度更高之記錄層厚度之控制,同時因基板托架可以安裝多 片光記錄媒體基板,因此可大量提供廉價之光碟。 除此之外,若製造裝置備有轉盤.,則可任意改變光記 錄媒體之記錄層形成順序,因此,只要改變同一裝置之記 錄層形成程式之設定’便能夠自由製造具有不同規格之記 錄層之光記錄媒體。 同時因使用低發塵性之單臂機器人,不僅能提供錯誤 率極低之光記錄媒體’亦可大幅度降低設備成本。 如此’依據本發明時,便可以提供,解決以往之問題 點之僅寫一次之光記錄媒體(例如CD-R及DVD-R)。 特別是,可以在記錄層形成單元備有能精密計量色素 材料之計量裝置,因此能依供應之色素材料之量實現一定 之膜厚度’膜厚度之控制變得很容易。同時,由於備有獨 立之多數計量杯’藉此可分階段將色素材料預熱,因此, 本紙張尺度適用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公t ) ----^---„---茛----.--.訂------1 (请先閲1!^面之>1意事項再填寫本頁) 31 五、發明説明(29 ) '—'' ~ 色素材料之加熱 '蒸發之溫度控制很容易,可實施有效率 且穩定之蒸發。 尤其是,支持計量杯之構件是隔熱性材料製成時,加 熱構Ir之熱量可有效傳至計量杯’能夠有穩定之蒸發。若 配*又多數獨立之加熱構件,則可使計量杯分段昇溫,能夠 進行非常微妙之溫度㈣,能夠達成 ,起動迅速而穩定之 蒸發速度。 右在記錄廣形成單元,於加熱機構後備有冷卻機構, 則可將加熱後之計量杯降到適宜之溫度,而且,若設一個 以上之冷卻機構,蒸發將有更高之精確度與更高之效率。 同時,在色素材料之加熱採用感應加熱方式時,將可實現 有更高度之可靠性,且十分穩定之加熱。 囷式之簡單說明 第1圖係以模式方式表示傳統之製造光記錄媒體時使 用之旋轉塗膜機。 第2圖係以模式方式表示之傳統之記錄媒體之一部分 之剖面。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裂 (請先閱讀背而.V"意事項再填寫本頁j
第3圖係以模式方式表示之以本發明製造之光記錄媒 體之一部分之剖面D 第4圖係表示,利用本發明裝置製造之光記錄媒體在 碟片半徑方向之記錄層厚度之變化。 第5圖係以模式側面圖表示本發明之光記錄媒體之製 造裝置之一個型態。 第6圖係以模式上面圖表示本發明之光記錄媒體之製 本紙張尺度適用中國國家檍準(CNS ) A4規格(210X297公t ) 32 411456 Λ7 B7 五、發明説明(3〇 ) 造裝置之另一型態。 第7圖係以模式上面圖表示本發明之光記錄媒體之製 造裝置之再一型態。 第8圊係表示’在本發明裝置所使用之連續供應色素 材料以加熱之機構之斜視圖。 第9圓係表示’在本發明裝置所使用之間歇方式供應 色素材料以加熱之機構之一個型態之斜視圖。 第1 〇圖係表示,在本發明裝置所使用之間歇方式供應 色素材料以加熱之機構之一個型態之斜視圖。 第11囷係表示,在本發明裝置所使用之間歇方式供應 色素材料以加熱之機構之再一個型態之斜視圖。 第12圖係表示’本發明裝置所使用之間歇方式供應色 素材料以加熱之機構之具有預熱機構之型態之斜視圖。 第13圖係表示,本發明裝置所使用之間歇方式供應色 素材料以加熱之機構之具有冷卻機構之型態之斜視圖。 第14圖係以模式側面圖表示,在記錄層形成室配置多 數記錄層形成單元之本發明之光記錄媒體製造裝置之一種 型態。 經濟部中央標準扃I工消費合作杜印製 -----------^----;---.1.17 (請先閲^面之泾意事項再填寫本頁) 第15圊係表示本發明所製造之另—種光記錄媒體之一 部分之模式剖面圖。 第16圖係表示本發明所製造之光記錄媒體之光吸收率 一光波長曲線。 第17圖係以模式方式表示配置在本發明裝置之記錄膜 形成室之擋門機構之側面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2|〇><297讀) 33 411458 Λ7 ft7五、發明説明(31 ) 第18圖係以模式方式表示之配置在本發明裝置之記錄 膜形成室之基板之自、公轉機構之側面圖。 第19圖係以模式方式表示之配置在本發明裝置之記錄 膜形成室之記錄層形成單元之移動機構之侧面圖。 (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) '装- 良 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2IOX297公釐) 34
Claims (1)
- «ίί458 8 0088 A23CD 0-修一 9 月 :、^ 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ———一^-□ 第87107080號申請案申諸專利範圍修正太 曰期:88年12月8曰 1. 一種製造光記錄媒體之裝置,係由,真空前處理室, 藉有機色素材料之蒸著而形成記錄層之多數記錄層形 成室、反射層形成室、及真空後處理室所構成,用以 製造,在基板上有多數記錄層之光記錄媒體之裝置, 各記錄層形成室至少有一個記錄層形成單元,反射層 形成室則至少有一個反射層形成單元。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置,進一步備有,在室間移 送基板用之基板運送機構。 3_如申請專利範圍第1項之裝置,係由 真空前處理室’藉蒸著以形成記錄層之多數一連 串之記錄層形成室、反射層形成室、及真空後處理室 所構成,記錄層形成室相互鄰接, 一端之記錄層形成室鄰接於真空前處理室,另一 端之記錄層形成室鄰接於反射層形成室, 此等各室相互獨立,可保持一定之壓力, 基板由基板運送機構運送,從真空前處理室進入 一端之記錄層形成室’順序通過一連串之記錄層形成 室,再從另一端之記錄層形成室進入反射層形成室, 然後從反射層形成室進入真空後處理室, . 在一連串之記錄層形成室,藉蒸著在基板上形成 堆疊之記錄層’並在反射層形成室,藉濺射在堆叠之 記錄層上形成反射層。 本紙張尺度適用中國國家料(CNS)A4規格(210 X 297公髮)~— (請先闉讀殳面之注t'事項再填寫本頁) 訂---------線— 35 «ίί458 8 0088 A23CD 0-修一 9 月 :、^ 經濟邨智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 ———一^-□ 第87107080號申請案申諸專利範圍修正太 曰期:88年12月8曰 1. 一種製造光記錄媒體之裝置,係由,真空前處理室, 藉有機色素材料之蒸著而形成記錄層之多數記錄層形 成室、反射層形成室、及真空後處理室所構成,用以 製造,在基板上有多數記錄層之光記錄媒體之裝置, 各記錄層形成室至少有一個記錄層形成單元,反射層 形成室則至少有一個反射層形成單元。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置,進一步備有,在室間移 送基板用之基板運送機構。 3_如申請專利範圍第1項之裝置,係由 真空前處理室’藉蒸著以形成記錄層之多數一連 串之記錄層形成室、反射層形成室、及真空後處理室 所構成,記錄層形成室相互鄰接, 一端之記錄層形成室鄰接於真空前處理室,另一 端之記錄層形成室鄰接於反射層形成室, 此等各室相互獨立,可保持一定之壓力, 基板由基板運送機構運送,從真空前處理室進入 一端之記錄層形成室’順序通過一連串之記錄層形成 室,再從另一端之記錄層形成室進入反射層形成室, 然後從反射層形成室進入真空後處理室, . 在一連串之記錄層形成室,藉蒸著在基板上形成 堆疊之記錄層’並在反射層形成室,藉濺射在堆叠之 記錄層上形成反射層。 本紙張尺度適用中國國家料(CNS)A4規格(210 X 297公髮)~— (請先闉讀殳面之注t'事項再填寫本頁) 訂---------線— 35 震08 經濟部智慧財產局具工消費合作社印製 六、申請專利範圍 4.如申請‘專利範圍第1項之裝置,係由 真空前處理室,藉蒸著以形成記錄層之多數記錄 層形成室、反射層形成室、及真空後處理室,所構成 ,此等各室最好分隔相同角度,配置在備有轉盤之族 轉室之周圍, 此等各室各旋轉室各自獨立,可保持一定之壓力 1同時*旋轉室與各室間,對壓力及基板之移送可以 相互成為連絡狀態,並可相互獨立, 藉由基板運送機構,可經由旋轉室,從任一室將 基板移送到另一室, 在記錄層形成室藉蒸著於基板上形成堆疊之記錄 層’並在反射層形成室,於堆疊之記錄層上形成反射 層。 5·如申請專利範圍第1項之裝置,其中,記錄層形成單元 備有,可向色素材料之加熱、蒸發機構連績供應色素 材料之色素材料供應機構。 6·如申請專利範圍第1項之裝置’其中,記錄層形成單元 備有’可向色素材料之加熱、蒸發機構間歇方式供應 色素材料之色素材料供應機構。 7.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,在記錄層形成室 ’於記錄層形成單元與基板間設有擋門機構。 8_如申請專利範圍第1項之裝置’其中,在記錄層形成室 設有’可使基板自轉或自、公轉之機構。 9_如申請專利範圍第1項之裝置,其中,在記錄層形成室 ----,:----Λ--------訂---------線 (請先閱讀背面之注-意事項再填寫本頁)-36 - A8B8C8D8 411458 申請專利範圍 設有,可以改變記錄層形成單元與基板間之位置關係 之機構。 10.如申請專利範圍第1項之裝置,其中,在記錄層形成室 設有,可以連續或間歇方式測量記錄層之膜厚度之裝 置。 11‘如申請專利範圍第4項之裝置,其中,基板移送機構係 由單臂機器人所構成。 12·如申請專利範圍第6項之裝置,其中,色素材料供應機 構備有’個別獨立’用以供應色素材料之多數計量杯 〇 13. 如申請專利範圍第12項之裝置,其中,色素材料供應 機構備有’測量供給計量杯之色素材^料之重量之秤量 裝置。 14. 如申請專利範圍第6項之裝置,其中,記錄層形成單元 備有多數加熱機構,可將色素材料分階段加熱使其蒸 發。 15. 如申請專利範圍第6項之裝置,其十,記錄層形成單元 在加熱機構後面,設有至少一個冷卻機構9 16. 如申請專利範圍第6項之裝置,其中,色素材料之加熱 ,係藉感應加熱來實施。 17· —種光記錄媒體之製造方法,係在 多數記錄層形成室、反射層形成室 ,所構成之光記錄媒體之製造裝置 基板送進裝置内,令其過過此等各室,再從裝置取出 Μ氏張尺度適用中國國家棵牟(CNS)A4規格(210 X 297 ^ ---7---I I t ^ --------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 真空前處理室、 及真空後處理室 從裝置之外部將 37 01458 S C8 二 D8 六、申請專利範圍 外部,藉此獲得,在基板上藉蒸著形成多數記錄層, 並在此等記錄層上形成反射層之光記錄媒體° 18. —種光記錄媒體之製造方法,其係使用申請專利範圍 第1'2、3、4、5、6、7、8、9、10、11'12、:13'14 、15、16或17項所述之裝置來實施。 (請先閱讀背面之注龙事項再填寫本頁) --------訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 38
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11786497 | 1997-05-08 | ||
JP26956397 | 1997-10-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW411458B true TW411458B (en) | 2000-11-11 |
Family
ID=26455906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087107080A TW411458B (en) | 1997-05-08 | 1998-05-07 | Apparatus and process for production of optical recording medium |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6340501B1 (zh) |
EP (1) | EP0987700B1 (zh) |
KR (1) | KR100353774B1 (zh) |
CN (1) | CN1144198C (zh) |
DE (1) | DE69825893T2 (zh) |
TW (1) | TW411458B (zh) |
WO (1) | WO1998050916A1 (zh) |
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- 1998-05-07 KR KR1019997010321A patent/KR100353774B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-07 TW TW087107080A patent/TW411458B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-07 WO PCT/JP1998/002020 patent/WO1998050916A1/ja active IP Right Grant
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EP0987700A4 (en) | 2000-08-23 |
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KR100353774B1 (ko) | 2002-09-27 |
KR20010012369A (ko) | 2001-02-15 |
EP0987700B1 (en) | 2004-08-25 |
EP0987700A1 (en) | 2000-03-22 |
US6340501B1 (en) | 2002-01-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |