DE112008000669T5 - Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren - Google Patents

Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren Download PDF

Info

Publication number
DE112008000669T5
DE112008000669T5 DE112008000669T DE112008000669T DE112008000669T5 DE 112008000669 T5 DE112008000669 T5 DE 112008000669T5 DE 112008000669 T DE112008000669 T DE 112008000669T DE 112008000669 T DE112008000669 T DE 112008000669T DE 112008000669 T5 DE112008000669 T5 DE 112008000669T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
vapor deposition
deposition material
shell
chamber
substrates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE112008000669T
Other languages
English (en)
Inventor
Toshio Negishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
Publication of DE112008000669T5 publication Critical patent/DE112008000669T5/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12Organic material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/246Replenishment of source material

Abstract

Dampfabscheidungsquelle mit:
einem Dampfabscheidungsbehälter, der mit einem Ausstoßtor versehen ist;
einer Verdampfungskammer, die über ein Verbindungstor mit dem Dampfabscheidungsbehälter verbunden ist;
einer Schale, die innerhalb der Verdampfungskammer angeordnet ist:
einer Zuführungsvorrichtung zum Anordnen eines Dampfabscheidungsmaterials auf der Schale; und
einem Massenmesser, an dem die Last der Schale angelegt ist.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein technisches Gebiet eines organischen Dünnfilms und insbesondere auf eine Technologie zum Herstellen eines organischen Dünnfilms, der eine gute Qualität hat.
  • Hintergrundtechnik
  • Organische EL-Elemente sind Anzeigeelemente, die in diesen Jahren höchste Aufmerksamkeit auf sich ziehen und haben solch ausgezeichnete Eigenschaften wie eine hohe Helligkeit und eine schnelle Ansprechgeschwindigkeit. Bei organischen EL-Elementen sind Licht emittierende Bereiche, die drei unterschiedliche Farben Rot, Grün und Blau emittieren, auf einem Glassubstrat angeordnet. Der Licht emittierende Bereich ist durch Stapeln eines Anodenelektrodenfilms, einer Löcherinjektionsschicht, einer Löchertransportschicht, einer Licht emittierenden Schicht, einer Elektronentransportschicht, einer Elektroneninjektionsschicht und eines Kathodenelektrodenfilms in dieser Reihenfolge gebildet und bildet durch ein farbbildendes Mittel, das der Licht emittierenden Schicht hinzugefügt ist, eine Farbe Rot, Grün oder Blau.
  • Die Löchertransportschicht, die Licht emittierende Schicht, die Elektronentransportschicht und dergleichen sind allgemein aus einem organischen Material aufgebaut, und zum Bilden dieser Filme aus einem organischen Material wird eine Dampfabscheidungsvorrichtung weit verbreitet verwendet.
  • In 4 bezeichnet eine Bezugsziffer 203 eine Dampfabscheidungsvorrichtung einer bekannten Technik, bei der ein Dampfabscheidungsbehälter 212 innerhalb einer Vakuumkammer 211 angeordnet ist. Der Dampfabscheidungsbehälter 212 hat einen Behälterhauptkörper 221, und der höher gelegene Abschnitt des Behälterhauptkörpers 221 ist mit einem Deckelabschnitt 222, der eines bis mehrere Ausstoßtore 224, die darin gebildet sind, hat, bedeckt.
  • Innerhalb des Dampfabscheidungsbehälters 212 ist ein pulverförmiges organisches Dampfabscheidungsmaterial 200 angeordnet.
  • An der Seite und dem Boden des Dampfabscheidungsbehälters 212 ist ein Wärmeerzeuger 223 angeordnet, und wenn das Innere der Vakuumkammer 211 evakuiert wird und der Wärmeerzeuger 223 Wärme erzeugt, steigt die Temperatur des Dampfabscheidungsbehälters 212 an, um das organische Dampfabscheidungsmaterial 200 in dem Dampfabscheidungsbehälter 212 zu wärmen.
  • Wenn das organische Dampfabscheidungsmaterial 200 auf eine Temperatur der Verdampfungstemperatur oder mehr gewärmt wird, füllt der Dampf des organischen Materials den Dampfabscheidungsbehälter 212 und wird aus dem Ausstoßtor 224 in die Vakuumkammer 211 ausgestoßen.
  • Oberhalb des Ausstoßtores 224 ist eine Substratbeförderungsvorrichtung 214 angeordnet, und wenn ein Halter 210 ein Substrat 205 hält und eine Substratbeförderungsvorrichtung 214 betrieben wird, geht das Substrat 205 an einer Position genau oberhalb des Ausstoßtores 224 vorbei, und der Dampf des organischen Materials, der aus dem Ausstoßtor 224 ausgestoßen wird, erreicht die Oberfläche des Substrats 205, um einen organischen Dünnfilm, wie zum Beispiel die Löcherinjektionsschicht oder die Löchertransportschicht, zu bilden.
  • Wenn die Substrate 205 einzeln nacheinander oberhalb des Ausstoßtors 224 vorbeigehen, während der Dampf des organischen Materials ausgestoßen wird, wird es möglich, einen organischen Dünnfilm für die mehreren Substrate 200 aufeinanderfolgend zu bilden.
    Patentdokument 1: JP-A 2003-96557
  • Offenbarung der Erfindung
  • Durch die Erfindung zu lösende Probleme
  • Um einen Film für mehrere Substrate 205, wie im Vorhergehenden beschrieben ist, zu bilden, ist es jedoch notwendig, eine große Menge eines organischen Dampfabscheidungsmaterials 200 in dem Dampfabscheidungsbehälter 212 anzuordnen. In tatsächlichen Erzeugungsgebieten wird eine Filmabscheidungsbehandlung kontinuierlich für 120 Stunden oder mehr durchgeführt, während das Dampfabscheidungsmaterial bei 350 bis 450°C gewärmt wird, und daher wird das organische Dampfabscheidungsmaterial 200 in dem Dampfabscheidungsbehälter 212 für eine lange Zeit einer hohen Temperatur und als das Resultat einer Reaktion mit Feuchtigkeit in dem Dampfabscheidungsbehälter Änderungen der Qualität ausgesetzt oder zersetzt sich durch das Wärmen. Das organische Dampfabscheidungsmaterial 200 verschlechtert sich verglichen mit demselben unter der Anfangsbedingung des Wärmens.
  • Die Verschlechterung des organischen Dampfabscheidungsmaterials 200 wird durch Erhöhen der Zuführfrequenz und Verringern der Menge beim Einzelzuführen verhindert, wenn jedoch die Menge beim Einzelzuführen klein ist, wird die kontinuierlich bearbeitbare Zeit kurz. Wenn sich ferner eine Verdampfungsrate des organischen Dampfabscheidungsmaterials 200 verursacht durch eine Störung eines Wärmeerzeugers und dergleichen erhöht, oder wenn die Beförderungsgeschwindigkeit des Substrats 200 langsam wird, geht das organische Dampfabscheidungsmaterial 200, während ein Film für das Substrat 205 gebildet wird, aus, um minderwertige Guter zu ergeben.
  • Mittel zum Lösen der Probleme
  • Um das Problem zu lösen, ist die vorliegende Erfindung eine Dampfabscheidungsquelle, mit: einem Dampfabscheidungsbehälter, der mit einem Ausstoßtor versehen ist; einer Verdampfungskammer, die über ein Verbindungstor mit dem Dampfabscheidungsbehälter verbunden ist; einer Schale, die innerhalb der Verdampfungskammer angeordnet ist; einer Zuführungsvorrichtung zum Anordnen des Dampfabscheidungsmaterials auf der Schale; und einem Massenmesser, an den die Last der Schale angelegt ist.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Dampfabscheidungsquelle, mit bei der Zuführungsvorrichtung ferner: einer Zuführungskammer, in der das Dampfabscheidungsmaterial angeordnet ist; einem Zuführungsrohr, das mit der Zuführungskammer an einem Ende und mit der Verdampfungskammer an dem anderen Ende bei einer Position oberhalb der Schale verbunden ist; einer Drehungsachse, die in das Zuführungsrohr eingeführt ist; einer wendelförmigen Nut, die an der Seitenfläche der Drehungsachse gebildet ist; und einem Dreher zum Drehen der Drehungsachse um eine mittige Achsenlinie.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Dampfabscheidungsquelle, mit ferner einem Wärmeerzeuger zum Wärmen des Dampfabscheidungsmaterials, das auf der Schale angeordnet ist.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Dampfabscheidungsquelle, bei der der Wärmeerzeuger ein Lasergenerator ist, und der Lasergenerator konfiguriert ist, um fähig zu sein, einen Laserstrahl zu dem Dampfabscheidungsmaterial, das auf der Schale angeordnet ist, zu strahlen.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Dampfabscheidungsquelle, mit ferner einer Steuerung, die mit dem Massenmesser bzw. der Zuführungsvorrichtung verbunden ist, wobei der Massenmesser ein Signal, das der Last der Schale entspricht, zu der Steuerung überträgt, und die Steuerung die Drehungsmenge der Drehungsachse ansprechend auf das Signal, das von dem Massenmesser übertragen wird, steuert.
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Dampfabscheidungsvorrichtung, die eine Vakuumkammer und eine Dampfabscheidungsquelle hat, mit bei der Dampfabscheidungsquelle: einem Dampfabscheidungsbehälter, der mit einem Ausstoßtor versehen ist; einer Verdampfungskammer, die über ein Verbindungstor mit dem Dampfabscheidungsbehälter verbunden ist; einer Schale, die in der Verdampfungskammer angeordnet ist; einer Zuführungsvorrichtung zum Anordnen eines Dampfabscheidungsmaterials auf der Schale; und einem Massenmesser, an den die Last der Schale angelegt ist, wobei der innere Raum des Dampfabscheidungsbehälters und der innere Raum der Vakuumkammer über das Ausstoßtor miteinander verbunden sind.
  • Die vorliegende Erfindung ist ein Filmbildungsverfahren, mit folgenden Schritten: Zuführen eines Dampfabscheidungsmaterials von einer Zuführungsvorrichtung zu dem Inneren einer Verdampfungskammer, Verdampfen des Dampfabscheidungsmaterials innerhalb der Verdampfungskammer, und Ausstoßen des Dampfes des Dampfabscheidungsmaterials von einem oder einer Mehrzahl von Ausstoßtoren, die mit der Verdampfungskammer verbunden sind, in das Innere einer Vakuumkammer, und kontinuierliches Bewegen einer Mehrzahl von Substraten, um an einer Position genau oberhalb des Ausstoßtors vorbeizugehen, während die Substrate von einer Beförderungsquelle zu einem Beförderungsbestimmungsort bewegt werden, um einen Dünnfilm an der Oberfläche der jeweiligen Substrate zu bilden, wobei das Verfahren ferner folgende Schritte aufweist: Zählen der Zahl der Substrate, die oberhalb des Ausstoßtors vorbeigehen, und Messen der Masse des Dampfabscheidungsmaterials innerhalb der Verdampfungskammer, nachdem die Substrate in einer vorbestimmten Zahl bei einer Position oberhalb des Ausstoßtors, die zu dem Beförderungsbestimmungsort am nächsten ist, vorbeigegangen sind, und bevor das anschließende Substrat eine Position oberhalb des Ausstoßtors erreicht, die am nächsten zu der Beförderungsquelle ist, und Vergleichen des gemessenen Werts mit einem vorbestimmten Bezugswert, um das Dampfabscheidungsmaterial zu der Verdampfungskammer nachzufüllen.
  • Die vorliegende Erfindung ist ein Filmbildungsverfahren mit ferner folgenden Schritten: Einstellen einer Masse, die größer als eine Masse, die zum Bilden von Filmen für die Substrate in einer vorbestimmten Zahl notwendig ist, ist, als der Bezugswert; und Nachfüllen des Verdampfungsmaterials in der Verdampfungskammer, derart, dass dasselbe den Bezugswert haben kann.
  • Die vorliegende Erfindung ist ein Filmbildungsverfahren, mit ferner folgenden Schritten: Einstellen einer Masse, die größer als eine Masse, die zum Bilden von Filmen für die Substrate in einer vorbestimmten Zahl notwendig ist, ist, als der Bezugswert; und Nachfüllen des Dampfabscheidungsmaterials, wenn der gemessene Wert nicht höher als der Bezugswert wird.
  • Die vorliegende Erfindung ist wie im Vorhergehenden beschrieben ist aufgebaut, und die Dampfabscheidungsquelle der vorliegenden Erfindung kann das Dampfabscheidungsmaterial in der notwendigen Menge, wenn benötigt, zuführen, und daher gibt es keine Tendenz, dass eine Verschlechterung des Dampfabscheidungsmaterials auftritt.
  • Durch Vergleichen eines tatsächlich gemessenen Werts mit dem Bezugswert kann eine beabsichtigte Menge eines Dampfabscheidungsmaterials innerhalb der Verdampfungskammer genau angeordnet werden.
  • Ein Verfahren zum Strahlen eines Laserstrahls, um das Dampfabscheidungsmaterial zu verdampfen, verursacht verglichen mit anderen Wärmeverfahren, wie zum Beispiel einem Widerstandswärmen, kaum einen chemischen Zerfall des Dampfabscheidungsmaterials.
  • Organische EL-Materialien (wie zum Beispiel Ladungsbeförderungsmaterialien, Licht emittierende Materialien oder Elektronenbeförderungsmaterialien) erzeugen ohne weiteres durch Wärmen einen chemischen Verfall, die Verwendung eines Laserstrahls zum Wärmen des Dampfabscheidungsmaterials macht es jedoch möglich, organische EL-Vorrichtungen herzustellen, die ein organisches EL-Material eines reduzierten Zerfalls haben, um eine hohe Licht emittierende Menge zu ergeben.
  • Da ein Laserstrahl ferner ein Polymer ohne einen chemischen Zerfall verdampfen kann, können Polymerdünnfilme, die herkömmlicherweise durch ein Tintenstrahlverfahren, ein Siebdruckverfahren oder ein Schleuderbeschichtungsverfahren gebildet wurden, durch ein Verdampfungsverfahren gebildet werden.
  • Effekte der Erfindung
  • Die Dampfabscheidungsquelle der vorliegenden Erfindung kann für eine lange Zeit betrieben werden, und da ein Dampfabscheidungsmaterial keiner hohen Temperatur für eine lange Zeit ausgesetzt wird, zersetzt sich das Dampfabscheidungsmaterial nicht oder zerfällt nicht. Ein Dünnfilm, der die gleiche chemische Zusammensetzung wie derselbe des Dampfabscheidungsmaterials hat, kann gebildet werden. Die Verwendung der Dampfabscheidungsquelle der vorliegenden Erfindung zum Bilden einer organischen Schicht von organischen EL-Vorrichtungen ermöglicht, dass organische EL-Vorrichtungen, die eine große Licht emittierende Menge haben, hergestellt werden. Da das Dampfabscheidungsmaterial während der Filmbildung nicht ausgeht, werden keine minderwertigen Güter erzeugt. Dünnfilme, die eine gleichmäßige Dickenverteilung haben, werden gebildet.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 ist eine perspektivische Ansicht zum Darstellen einer Dampfabscheidungsvorrichtung eines ersten Beispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 2 ist eine schematische Querschnittsansicht zum Darstellen des Inneren der Dampfabscheidungsvorrichtung.
  • 3 ist eine schematische Querschnittsansicht zum Darstellen einer Dampfabscheidungsvorrichtung eines zweiten Beispiels der vorliegenden Erfindung.
  • 4 ist eine Querschnittsansicht zum Darstellen einer Dampfabscheidungsvorrichtung einer bekannten Technik.
  • 1, 50
    Dampfabscheidungsvorrichtung
    2
    Lasergenerator
    6
    Substrat
    11
    Vakuumkammer
    15
    Verdampfungskammer
    21
    Dampfabscheidungsbehälter
    30
    Zuführungsvorrichtung
  • Beste Modi zum Ausführen der Erfindung
  • In 1, der perspektivischen Ansicht, und 2, der schematischen Querschnittsansicht, bezeichnet Bezugsziffer 1 eine Dampfabscheidungsvorrichtung, die ein Beispiel der vorliegenden Erfindung und ein erstes Beispiel ist. Die Dampfabscheidungsvorrichtung 1 weist eine Vakuumkammer 11 und eine Dampfabscheidungsquelle 3 (in 1 ist die Vakuumkammer 11 weggelassen) auf.
  • Mit der Vakuumkammer 11 ist ein Evakuierungssystem 9 verbunden, und durch Betreiben des Evakuierungssystems 9 wird das Innere der Vakuumkammer 11 evakuiert.
  • Die Dampfabscheidungsquelle 43 weist einen Dampfabscheidungsbehälter 21, eine Verdampfungskammer 15, eine Zuführungsvorrichtung 30, eine Schale 41, einen Massenmesser 49 und eine Steuerung 45 auf. Der Dampfabscheidungsbehälter 21 ist in der Vakuumkammer 11 angeordnet.
  • Für den Dampfabscheidungsbehälter 21 ist eines oder sind eine Mehrzahl von Ausstoßtoren gebildet, und derselbe ist, wie später beschrieben ist, so aufgebaut, dass, wenn das Dampfabscheidungsmaterial 16, das von der Zuführungsvorrichtung 30 zugeführt wird, in der Verdampfungskammer 15 verdampft, der Dampf in das Innere des Dampfabscheidungsbehälters 21 eingeführt wird, und dass der Dampf des Dampfabscheidungsmaterials von jeweiligen Ausstoßtoren 24 zu dem Inneren der Vakuumkammer ausgestoßen wird.
  • Innerhalb der Vakuumkammer 11 sind eine Beförderungsquelle und ein Beförderungsbestimmungsort vorgesehen, die nicht gezeigt sind, und von der Beförderungsquelle zu dem Beförderungsbestimmungsort erstreckt sich eine Substratbeförderungseinrichtung 14. An der Substratbeförderungseinrichtung 14 ist eine Mehrzahl von Halter 10 angebracht, und an jeweiligen Halter 10 ist ein Substrat 6 als ein Filmbildungsobjekt angebracht.
  • Dieselbe ist so aufgebaut, dass das Substrat 6 von der Beförderungsquelle zu dem Beförderungsbestimmungsort einzeln nacheinander oder in mehreren Zahlen in einen Zustand angebracht an dem Halter 10 befördert wird.
  • Die jeweiligen Ausstoßtore 24 liegen jeweils unterhalb der Mitte des Beförderungswegs, entlang dem das Substrat befördert wird, und während des Zeitraums von der Ankunft der Substratkante bei der Kante des Ausstoßtors 24, das der Beförderungsquelle am nächsten ist, zu dem Moment, wenn die Substratkante an der Kante des Ausstoßtors 24, das dem Beförderungsbestimmungsort am nächsten ist, vorbeigegangen ist, wird ein Dünnfilm des Dampfabscheidungsmaterials an der Substratoberfläche gebildet. Unterdessen kann eine Maske zwischen dem Substrat und dem Ausstoßtor 24 angeordnet sein, um einen Dünnfilm lediglich in einem vorgeschriebenen Bereich der Substratoberfläche zu bilden.
  • Die Dampfabscheidungsquelle 3 wird als Nächstes im Detail beschrieben. Die Zuführungsvorrichtung 30 weist eine Zuführungskammer 31, ein Zuführungsrohr 32 und eine Drehungsachse 35 auf. Die Zuführungskammer 31 ist oberhalb der Verdampfungskammer 15 angeordnet.
  • Die Bodenfläche der Zuführungskammer 31 ist mit einer Öffnung versehen, und das Führungsrohr 32 ist an einem Ende mit dem Inneren der Zuführungskammer 31 verbunden und an dem anderen Ende in das Innere der Verdampfungskammer 15 von der Decke luftdicht eingeführt.
  • In der Zuführungskammer 31 hat die Deckenseite einen größeren Durchmesser als die Bodenseite, und die Seitenwand des Bodenabschnitts ist geneigt. Das Dampfabscheidungsmaterial 16 zur Verwendung bei der Dampfabscheidungsvorrichtung 1 ist pulverförmig, und wenn das Dampfabscheidungsmaterial 16 in der Zuführungskammer 31 untergebracht ist, gleitet das Dampfabscheidungsmaterial 16 die Neigung, die für den Bodenabschnitt gebildet ist, herunter, um hin zu der Öffnung, die der Verbindungsabschnitt zu dem Zuführungsrohr 32 ist, herunterzufallen.
  • Die Drehungsachse 35 ist in das Zuführungsrohr 32 derart eingeführt, dass die Oberkante von der Öffnung aufwärts vorsteht, und das Dampfabscheidungsmaterial 16, das hin zu der Öffnung heruntergefallen ist, sammelt sich um die Drehungsachse 35 an.
  • Für den höher als die Bodenkante des Zuführungsrohrs 32 gelegenen Abschnitt in der Seitenoberfläche der Drehungsachse 35 ist eine wendelförmige Nut bis mindestens hoch zu der höher als der Verbindungsabschnitt der Zuführungskammer 31 und des Zuführungsrohrs 32 gelegenen Position gebildet, und das Dampfabscheidungsmaterial 16, das um die Drehungsachse 35 angesammelt ist, berührt die Nut.
  • Der konvexe Abschnitt zwischen den Nuten der Drehungsachse 35 berührt die Innenwandoberfläche des Zuführungsrohrs 32, oder der Zwischenraum zwischen dem konvexen Abschnitt und der Innenwandoberfläche ist auf nicht mehr als der Durchmesser von Partikeln des Dampfabscheidungsmaterials 16 eingestellt, derart, dass das Dampfabscheidungsmaterial 16 nicht durch die Öffnung der Bodenfläche der Zuführungskammer 31 in die Verdampfungskammer 15 fällt, wenn die Drehungsachse 35 in einem stationären Zustand ist.
  • Außerhalb der Vakuumkammer 11 ist ein Dreher 37 angeordnet. Derselbe ist so aufgebaut, dass die Drehungsachse 35 mit dem Dreher 37 verbunden ist, und dass, wenn die Treibleistung des Drehers 37 zu der Drehungsachse 35 übertragen wird, sich die Drehungsachse 35 um die mittige Achsenline C ohne einen Anstieg oder ein Fallen dreht, während der Zustand eingeführt in das Zuführungsrohr 32 beibehalten wird.
  • Hier ist kein Schraubengewinde für die Innenwandfläche des Zuführungsrohrs 32 gebildet, und wenn sich die Drehungsachse 35 in einem stationären Zustand in Auf- und Abrichtungen dreht, wird das Dampfabscheidungsmaterial 16, das die Nut der Drehungsachse 35 berührt, abwärts extrudiert.
  • Die Bodenkante der Nut ist mit dem inneren Raum der Verdampfungskammer 15 verbunden, und wenn das Dampfabscheidungsmaterial 16 abwärts extrudiert wird, fällt dasselbe in die Verdampfungskammer 15.
  • Die Schale 41 ist genau unter der Bodenkante des Zuführungsrohrs 32 innerhalb der Verdampfungskammer 15 angeordnet, und das gefallene Dampfabscheidungsmaterial 16 wird auf der Schale 41 angeordnet.
  • Für die Bodenwand der Verdampfungskammer 15 wird ein Durchgangsloch gebildet, und in das Durchgangsloch wird die Oberkante einer höher gelegenen Achse 46 eingeführt, und die Schale 41 wird an der höher gelegenen Achse 46 angebracht.
  • Die Bodenkante der höher gelegenen Achse 46 ist an der Oberkante einer tiefer gelegenen Achse 47 über eine Trägerplatte 43 befestigt. Die Bodenkante der unteren Achse 47 ist auf einen Massenmesser 49 gesetzt, und entsprechend ist die Schale 41 über die höher gelegene Achse 46, die Trägerplatte 43 und die höher gelegene Achse 47 auf den Massenmesser 49 gesetzt, und die Last der Schale 41 und des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 ist an den Massenmesser 49 angelegt.
  • Um das Durchgangsloch der Bodenwand der Verdampfungskammer 15 ist hier ein Ende eines Balgs 42 luftdicht befestigt, und ein zweites Ende des Balgs 42 ist an der Trägerplatte 43 um die höher gelegene Achse 46 luftdicht befestigt, um den inneren Raum der Verdampfungskammer 15 von einer äußeren Atmosphäre zu trennen.
  • Der Balg 42 ist ausdehnbar, und wenn das Dampfabscheidungsmaterial 16 herunterfällt, um die Gesamtmasse der Schale 41 und des Dampfabscheidungsmaterials 16 zu erhöhen, dehnt sich der Balg 42 aus, während die Verdampfungskammer 15 von einer äußeren Atmosphäre getrennt ist, um die Last einer erhöhten Masse zu dem Massenmesser 49 zu übertragen, ohne durch den Balg 42 blockiert zu sein.
  • Der Massenmesser 49 und der Dreher 37 sind jeweils mit der Steuerung 45 verbunden. Der Massenmesser 49 ist beispielsweise ein Dehnungsmessfühler und überträgt ein Signal, das der Gesamtlast der Schale 41 und des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 entspricht, zu der Steuerung 45.
  • Die Masse der Schale 41 ist vorher bekannt, und die Steuerung 45 berechnet die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16, das auf der Schale 41 angeordnet ist, aus dem Signal, das von dem Massenmesser 49 übertragen wird, und der Masse der Schale 41.
  • Die Beziehung zwischen der Drehungsmenge der Drehungsachse 35 und der Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16, das auf die Schale 41 herunterfällt, ist vorher bekannt (beispielsweise 0,01 g pro eine Umdrehung), und daher ist es durch Berechnen der Drehungsmenge der Drehungsachse 35 zum Zuführen einer notwendigen Menge des Dampfabscheidungsmaterials 16 und durch Drehen der Drehungsachse 35 um die erhaltene Drehungsmenge möglich, das Dampfabscheidungsmaterial 16 in einer notwendigen Menge innerhalb der Verdampfungskammer nachzufüllen.
  • Die Beziehung zwischen der Drehungsmenge der Drehungsachse 35 und der Menge, die auf die Schale 41 herunterfällt, ist nicht notwendigerweise zu allen Zeiten konstant, sondern wenn beispielsweise ein Teil des Dampfabscheidungsmaterials 16 verklebt, um einen Klumpen zu bilden, und der Klumpen fällt, fällt eine Menge des Dampfabscheidungsmaterials 16, die größer als dieselbe ist, die der Drehungsmenge entspricht, auf die Schale 41. Lediglich das Drehen der Drehungsachse 35 um die Drehungsmenge, die aus der notwendigen Menge berechnet wird, kann dementsprechend einen Fehler erzeugen.
  • Wie im Vorhergehenden beschrieben ist, ist es, da die Steuerung 45 die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 messen kann, durch Drehen der Drehungsachse 35, während die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 gemessen wird, und dann Stoppen der Drehung vor dem Ende der Drehungsmenge, die aus der notwendigen Menge berechnet wird, wenn ein gemessener Wert die notwendige Menge erreicht, oder Erhöhen der Drehungsmenge, wenn ein gemessener Wert die notwendige Menge selbst nach dem Ende der Drehungsmenge, die der notwendigen Menge entspricht, nicht erreicht, möglich, die notwendige Menge des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 exakt anzuordnen.
  • Die Verdampfungskammer 15 ist mit einem transparenten Fensterabschnitt 19 versehen. Bei dieser Gelegenheit liegt die Verdampfungskammer 15 innerhalb der Vakuumkammer 11, und ein Fensterabschnitt 4 ist ferner an der Seitenwand der Vakuumkammer 11 bei einer Position vorgesehen, die zu dem Fensterabschnitt 19 gewandt ist, wenn jedoch mindestens ein Abschnitt, bei dem der Fensterabschnitt 19 gebildet ist, außerhalb der Vakuumkammer 11 in der Verdampfungskammer 15 angeordnet ist, ist es nicht notwendig, den Fensterabschnitt 4 bei der Vakuumkammer 11 vorzusehen.
  • Außerhalb der Vakuumkammer 11 ist ein Lasergenerator 2, der ein Wärmeerzeuger ist, angeordnet, und derselbe ist derart aufgebaut, dass der Laserstrahl, der von dem Lasergenerator 2 emittiert wird, durch die Fensterabschnitte 4, 19 geht, um das Dampfabscheidungsmaterial 16 auf der Schale 41 zu bestrahlen und die Temperatur anzuheben.
  • Zwischen der Verdampfungskammer 15 und dem Dampfabscheidungsbehälter 21 ist ein verbindendes Rohr 26 vorgesehen, und das verbindende Rohr 26 verbindet innere Räume der Verdampfungskammer 15 und des Dampfabscheidungsbehälters 21.
  • Das Ausstoßtor 24 ist an der Decke des Dampfabscheidungsbehälters 21 vorgesehen, und dementsprechend ist der innere Raum der Verdampfungskammer 15 über das verbindende Rohr 26, den Dampfabscheidungsbehälter 21 und das Ausstoßtor 24 mit dem inneren Raum der Vakuumkammer 11 verbunden.
  • Mit der Vakuumkammer 11, der Verdampfungskammer 15 und dem Dampfabscheidungsbehälter 21 ist das Evakuierungssystem 9 jeweils verbunden, wobei das Evakuierungssystem 9 betrieben wird, um den inneren Raum der Vakuumkammer 11, der Verdampfungskammer 15 und des Dampfabscheidungsbehälters 21 zu evakuieren, und, wenn eine Vakuumatmosphäre eines vorgeschriebenen Drucks gebildet ist, wird die Evakuierung der Vakuumkammer 11 fortgesetzt, die Evakuierung der Verdampfungskammer 15 und des Dampfabscheidungsbehälters 21 wird jedoch gestoppt.
  • Ein organisches Material für eine organische EL-Schicht (wie zum Beispiel ein Ladungsbeförderungsmaterial, ein Ladungserzeugungsmaterial oder ein Elektronenbeförderungsmaterial) ist in der Zuführungskammer 31 als das Dampfabscheidungsmaterial 16 angeordnet, und das Dampfabscheidungsmaterial 16 ist auf der Schale 41 angeordnet.
  • Während die Evakuierung der Vakuumkammer 11 fortgesetzt wird, wird ein Laserstrahl, der einer Absorptionswellenlänge des Dampfabscheidungsmaterials 16 entspricht, von dem Lasergenerator 2 gestrahlt, um den Dampf des Dampfabscheidungsmaterials 16 zu erzeugen.
  • Für den inneren Raum des verbindenden Rohrs 26 wird, da ein Abschnitt (Verbindungstor) 38, der den kleinsten Durchmesser hat, kleiner als die Querschnittsfigur der Verdampfungskammer 15 und des Dampfabscheidungsbehälters 21 ist, ein Druckunterschied zwischen der Verdampfungskammer 15 und dem Dampfabscheidungsbehälter 21 erzeugt, und der Dampf, der die Verdampfungskammer 15 füllt, wird durch den Dampfabscheidungsbehälter 21 gestrahlt. Das verbindende Rohr 26 hat hier einen gleichmäßigen inneren Durchmesser (wie zum Beispiel ein rostfreies Stahlrohr, das einen inneren Durchmesser von 1 mm hat), und ein willkürlicher Abschnitt in dem verbindenden Rohr 26 arbeitet als das Verbindungstor 38.
  • Der Dampf, der in den Dampfabscheidungsbehälter durch das Verbindungstor 38 eintritt, wird in die Vakuumkammer durch das Ausstoßtor 24, das an der Decke des Dampfabscheidungsbehälters 21 vorgesehen ist, ausgestoßen, wenn derselbe in den Dampfabscheidungsbehälter 21 gefüllt wird.
  • Nach der Stabilisierung des inneren Drucks des Dampfabscheidungsbehälters 21 und der Stabilisierung der Dampfausstoßmenge von dem Ausstoßtor 24 werden Substrate 6 kontinuierlich von der Beförderungsquelle zu dem Beförderungsbestimmungsort befördert, und dann wird ein Dünnfilm des organischen Materials während eines Vorbeigehens oberhalb des Ausstoßtors 24 für jeweilige Substrate 6 gebildet.
  • Durch Fortsetzen der Evakuierung der Vakuumkammer 11 und des Wärmens des Dampfabscheidungsmaterials 16, während kontinuierlich mehrere Substrate 6 von der Beförderungsquelle zu dem Beförderungsbestimmungsort gesendet werden, wird ein Dünnfilm kontinuierlich für mehrere Substrate 6 gebildet.
  • Wenn das Wärmen des Dampfabscheidungsmaterials 16 ohne eine Nachfüllung des Dampfabscheidungsmaterials 16 und ein Bilden eines Films für mehrere Substrate 6 fortgesetzt wird, verringert sich das Dampfabscheidungsmaterial 16 auf der Schale 41, und das Dampfabscheidungsmaterial 16 geht aus, während ein Film für das Substrat 6 gebildet wird, um das Substrat 6 als ein minderwertiges Erzeugnis zu hinterlassen.
  • Bei der vorliegenden Erfindung wird, bevor das Dampfabscheidungsmaterial 16 ausgeht, das Dampfabscheidungsmaterial 16 in einem Zustand nachgefüllt, bei dem kein Substrat oberhalb der jeweiligen Ausstoßtore 24 existiert.
  • Wenn insbesondere die Position genau oberhalb des Ausstoßtors 24, die am nächsten zu der Beförderungsquelle ist, oder eine Position auf der Beförderungsquellenseite, die von der Position genau oberhalb um meinen vorgeschriebenen Abstand entfernt ist, als die Position eines Startens des Filmbildens eingestellt wird, und die Position genau oberhalb des Ausstoßtors 24, die am nächsten zu dem Beförderungsbestimmungsort ist, oder eine Position auf der Beförderungszielseite, die von der Position genau oberhalb um einen vorgeschriebenen Abstand entfernt ist, als die Position eines Endens des Filmbildens eingestellt wird, und durch Einstellen des Beförderungsintervalls zwischen einem Substrat 6 und einem Substrat 6, um länger als der Abstand zwischen der Position eines Startens des Filmbildens und der Position eines Endens des Filmbildens zu sein, tritt ein Zustand, bei dem kein Substrat 6 existiert, zwischen dem Moment, wenn der hinterste Teil eines vorhergehenden Substrats in der Beförderungsrichtung an der Position eines Endens der Dünnfilmbildens vorbeigeht, und dem Moment, wenn der Kopf eines anschließenden Substrats 6 in der Beförderungsrichtung die Position eines Startens des Filmbildens erreicht, mindestens zwischen der Position genau oberhalb des Ausstoßtors 24 auf der äußersten Beförderungsquellenseite und der Position genau oberhalb des Ausstoßtors 24 auf der äußersten Beförderungsbestimmungsortseite, auf.
  • Wenn das Dampfabscheidungsmaterial 16 nachgefüllt wird, während das Dampfabscheidungsmaterial 16 auf der Schale 41 gewärmt wird, erhöht sich die Verdampfungsmenge in dem Moment der Nachfüllung, um die Ausstoßmenge von dem Ausstoßtor 24 für einen kurzen Zeitraum zu erhöhen, jedoch existiert durch Nachfüllen des Dampfabscheidungsmaterials 16 zwischen dem Moment, wenn der hinterste Teil eines vorhergehenden Substrats in der Beförderungsrichtung an der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigeht, und dem Moment, wenn der Kopf eines anschließenden Substrats 6 in der Beförderungsrichtung die Position eines Startens des Filmbildens erreicht, kein Substrat 6 oberhalb jeweiliger Ausstoßtore 24 während des Nachfüllens des Dampfabscheidungsmaterials 16, und daher tritt keine Unebenheit der Dickenverteilung zwischen den Substraten 6 auf.
  • Eine spezifischere Erläuterung des Verfahrens zum Nachfüllen des Dampfabscheidungsmaterials 16 ist wie folgt: vorher Bestimmen der Zahl von Substraten 6, die dem Filmbilden bei einer Nachfüllung zu unterwerfen sind, Berechnen der Menge des Dampfabscheidungsmaterials 16, das zum Bilden von Filmen für die Substrate 6 in dieser Zahl notwendig ist, Bestimmen eines größeren Werts als die Menge als den Bezugswert, vorangehendes Eingeben der Zahl von Substraten 6, die dem Filmbilden zu unterwerfen sind, bei einer Nachfüllung und des Bezugswerts zu der Steuerung 45.
  • Die Steuerung 45 zählt die Zahl von Substraten 6, die an der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigehen, und misst die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41, um den gemessenen Wert mit dem Bezugswert bei einem Zustand zu vergleichen, bei dem kein Substrat 6 oberhalb jeweiliger Ausstoßtore 24 existiert, nachdem eine vorangehend bestimmte Zahl von Substraten 6 an der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigegangen ist, und bevor ein anschließendes Substrat 6 die Position eines Startens des Filmbildens erreicht.
  • Bei einem ersten Verfahren der vorliegenden Erfindung wird der gemessene Wert mit dem Bezugswert verglichen, um den Unterschied zwischen dem Bezugswert und dem gemessenen Wert zu erhalten, und das Dampfabscheidungsmaterial 16, das dem Unterschied entspricht, wird nachgefüllt, bevor ein anschließendes Substrat 6 die Position eines Startens des Filmbildens erreicht, um die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 bis hoch zu dem Bezugswert zu erhöhen.
  • Bei einem zweiten Verfahren der vorliegenden Erfindung wird der gemessene Wert mit dem Bezugswert verglichen, und wenn der gemessene Wert nicht kleiner als der Bezugswert ist, wird keine Nachfüllung durchgeführt, selbst wenn eine vorbestimmte Zahl von Substraten 6 an der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigegangen ist, um das Filmbilden für Substrate 6 einer anschließend bestimmten Zahl durchzuführen. Der gemessene Wert wird mit dem Bezugswert jeder vorbestimmten Zahl verglichen, und wenn der gemessene Wert kleiner als der Bezugswert wird, wird das Dampfabscheidungsmaterial 16 derart nachgefüllt, dass der gemessene Wert nicht kleiner als der Bezugswert wird.
  • In beiden Fällen geht, da das Dampfabscheidungsmaterial 16 in einer Menge angeordnet wird, die zum Bilden einer vorbestimmten Zahl von Filmen notwendig ist, bevor das anschließende Substrat 6 die Position eines Startens des Filmbildens erreicht, ein Dampfabscheidungsmaterial 16 nicht aus, während ein Film für ein Substrat 6 gebildet wird.
  • Der gemessene Wert kann unterdessen mit dem Bezugswert bei jeder gleichen Zahl oder jeder unterschiedlichen Zahl verglichen werden. Wenn der Vergleich bei jeder unterschiedlichen Zahl von Substraten durchgeführt wird, wird ein Bezugswert bei jeder Zahl gefunden, und ein Wert, der größer als eine für eine Zahl eines Filmbildens ohne die Nachfüllung bei einem anschließenden kontinuierlichen Filmbilden notwendige Menge ist, wird als der Bezugswert bestimmt.
  • Die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 kann ferner gemessen werden, nachdem das Substrat 6 bei der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigegangen ist, oder bevor das Substrat 6 bei der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigegangen ist, um durch eine Spekulation die Masse zu berechnen, wenn das Substrat 6 an der Position eines Endens des Filmbildens vorbeigeht.
  • Die vorliegende Erfindung misst schließlich die Masse des Dampfabscheidungsmaterials 16 auf der Schale 41 in dem Zustand, bei dem kein Substrat 6 oberhalb der jeweiligen Ausstoßtore existiert, und füllt auf der Basis des gemessenen Werts das Dampfabscheidungsmaterial 16 in dem Zustand nach, bei dem kein Substrat oberhalb der jeweiligen Ausstoßtore 24 existiert.
  • Die Nachfüllung des Dampfabscheidungsmaterials 16 kann in einem Zustand durchgeführt werden, bei dem ein anschließendes Substrat 6 auf einer Beförderungsquellenseite von der Position eines Startens des Filmbildens gestoppt wird, um die Position eines Startens des Filmbildens nicht zu erreichen, oder, wenn das Intervall eines Beförderns des Substrats 6 lang ist und die Nachfüllung des Dampfabscheidungsmaterials 16 endet, bevor ein anschließendes Substrat 6 die Position eines Startens des Filmbildens erreicht, wobei das Dampfabscheidungsmaterial 16 nachgefüllt werden kann, während die Substrate 6 befördert werden.
  • Die im Vorhergehenden erwähnte Beschreibung bezieht sich auf den Fall, bei dem der Lasergenerator 2 zum Wärmen des Dampfabscheidungsmaterials 16 verwendet ist, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf begrenzt, und als eine Wärmevorrichtung kann eine Vorrichtung zum Wärmen des Dampfabscheidungsbehälters 21 durch ein Widerstandswärmeelement, das durch eine Leistungsversorgung oder eine elektromagnetische Induktion Wärme erzeugt, eine Vorrichtung zum Wärmen des Dampfabscheidungsbehälters 21 durch Strahlen von Infrarotstrahlen, eine Vorrichtung zum Wärmen des Dampfabscheidungsbehälters 21 durch eine Wärmeleitung von einem Wärmemedium, das eine angehobene Temperatur hat, eine Vorrichtung zum Wärmen durch einen Peltier-Effekt und dergleichen verwendet sein.
  • Da jedoch der Laserstrahl nicht nur anorganische Materialien, sondern ferner organische Materialien, wie zum Beispiel ein Monomer, Oligomer oder Polymer, verdampfen kann, und zusätzlich Dampfabscheidungsmaterialien mit einer kleinen Änderung der chemischen Zusammensetzung verdampfen kann, ist derselbe besonders vorzuziehen.
  • Da ferner zerfallene Erzeugnisse des Dampfabscheidungsmaterials 16 und Verunreinigungen unterschiedliche Absorptionswellenlängen zu denselben einer Zielverbindung vor dem Zerfall haben, ist es durch Auswählen eines Laserstrahls, der eine Wellenlänge hat, die durch die Zielverbindung ohne Weiteres absorbiert wird, möglich, lediglich die Zielverbindung selektiv zu verdampfen und einen Dünnfilm zu bilden, der eine kleine gemischte Menge von zerfallenen Erzeugnissen oder Verunreinigungen hat, selbst wenn ein Teil des Dampfabscheidungsmaterials 16 zerfällt oder Verunreinigungen gemischt werden.
  • Durch Nutzen eines Lasergenerators, der fähig ist, Laserstrahlen von variabler Wellenlänge als der Lasergenerator 2 oszillieren zu lassen, kann die Wellenlänge eines Laserstrahls, der zu emittieren ist, entsprechend der Absorptionswellenlänge des Dampfabscheidungsmaterials 16 ausgewählt sein, und daher kann die Dampfabscheidungsvorrichtung 1 der vorliegenden Erfindung zum Bilden von Filmen aus verschiedenen Dampfabscheidungsmaterialien 16 verwendet werden.
  • Die Wellenlänge eines Laserstrahls ist nicht besonders begrenzt, wenn jedoch das Dampfabscheidungsmaterial 16 beispielsweise Polymer ist, liegt diese von 680 nm bis 10,6 μm. Ein Beispiel des Lasergenerators 2 ist ein CO2-Laser, der eine Apertur von 10 bis 20 μm hat.
  • Bei dem vorhergehenden Beispiel wird ein organischer Dünnfilm durch die Dampfabscheidungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung gebildet, die Dampfabscheidungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung ist jedoch für ein Erzeugungsverfahren eines Verdampfens eines Dampfabscheidungsmaterials, das sich durch ein langes Wärmen verschlechtert, in einer Vakuumatmosphäre und eines allmählichen Bildens eines Dünnfilms auf mehreren filmbildenden Objekten geeignet, und ein Dampfabscheidungsmaterial, dessen Dampf in der Verdampfungskammer 15 erzeugt wird, ist nicht auf eine organische Verbindung begrenzt. Die Dampfabscheidungsvorrichtung der vorliegenden Erfindung kann kurz gesagt zum Bilden von anorganischen Dünnfilmen und Dünnfilmen aus zusammengesetzten Materialien zusätzlich zu einem Bilden von Dünnfilmen aus organischen Verbindungen verwendet sein.
  • Da der Dampf des Abscheidungsmaterials 16 abgeschieden wird, wenn der Dampf gekühlt wird, ist das Vorsehen eines Wärmeerzeugers 28 mindestens um das Verbindungstor 38 (ein verbindendes Rohr 26) wünschenswert. Hier ist der Wärmeerzeuger 28 ferner an der Verdampfungskammer 15 und dem Dampfabscheidungsbehälter 21 befestigt, und durch Versorgen des Wärmeerzeugers 28 mit Leistung, um die Verdampfungskammer 15, den Dampfabscheidungsbehälter 21 und das verbindende Rohr 26 auf eine Temperatur, bei der keine Abscheidung des Dampfes auftritt, zu wärmen, wird der Dampf nicht innerhalb der Verdampfungskammer 15, dem Dampfabscheidungsbehälter 21 oder dem verbindenden Rohr 26 abgeschieden.
  • Ein Erhöhen oder Verringern der Verdampfungsmenge des Dampfabscheidungsmaterials 16 ist durch Anordnen eines Vakuummessfühlers 5 in dem Dampfabscheidungsbehälter 21, jeweils Verbinden des Vakuummessfühlers 5 und des Lasergenerators 2 mit der gleichen Steuerung 45, mit der der Massenmesser 49 verbunden ist, oder mit unterschiedlichen Steuerungen, Erhalten des Drucks innerhalb des Dampfabscheidungsbehälters 21 basierend auf dem Signal, das von dem Vakuummessfühler 5 gesendet wird, und Ändern der Strahlungszeit, der Pulszahl oder dergleichen des Lasergenerators 2, derart, dass der Druck ein anvisierter Druck wird, möglich.
  • Bei dieser Gelegenheit wird die Dampfmenge, die von dem Ausstoßtor 24 ausgestoßen wird, stabil, jedoch erhöht sich, selbst bei einer Gelegenheit, bei der der Lasergenerator 2 gesteuert wird, die Dampfausstoßmenge sofort bei einem Nachfüllen des Dampfabscheidungsmaterials 16, und daher wird das Dampfabscheidungsmaterial 16 wünschenswert in einem Zustand nachgefüllt, bei dem kein Substrat 6 oberhalb des Ausstoßtors 24 existiert.
  • Es ist ferner möglich, die Verdampfungskammer 15 und die Zuführungsvorrichtung 30 außerhalb der Vakuumkammer 11 anzuordnen. Bei dieser Gelegenheit ist die Anordnung des Fensterabschnitts 4 an der Vakuumkammer 11 nicht notwendig. Keine spezielle Begrenzung ist der Zahl von Verdampfungskammern 15, die mit einem Dampfabscheidungsbehälter 21 verbunden sind, auferlegt, und mehrere Verdampfungskammern 15 können über das Verbindungstor 38 mit einem Dampfabscheidungsbehälter 21 verbunden sein, um Dampf von mehreren Verdampfungskammern 15 dem Dampfabscheidungsbehälter 21 zuzuführen. Bei dieser Gelegenheit können Dampfe der gleichen Dampfabscheidungsmaterialien 16 von den jeweiligen Verdampfungskammern 15 zugeführt werden, oder Dampfe von unterschiedlichen Dampfabscheidungsmaterialien 16 können zugeführt werden. Durch gleichzeitiges Zuführen von Dämpfen von unterschiedlichen Dampfabscheidungsmaterialien 16 wird ein Dünnfilm, der aus zwei oder mehreren Arten von Dampfabscheidungsmaterialien 16 zusammengesetzt ist, gebildet.
  • Die im Vorhergehenden erwähnte Beschreibung bezieht sich auf den Fall, bei dem das Evakuierungssystem 9 mit ferner der Verdampfungskammer 15 und dem Dampfabscheidungsbehälter 21 verbunden ist, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht darauf begrenzt. Durch lediglich Verbinden des Evakuierungssystems 9 mit der Vakuumkammer 11, um das Innere der Vakuumkammer zu evakuieren, ist es ferner möglich, über das Ausstoßtor 24 das Innere des Dampfabscheidungsbehälters 21 zu evakuieren, und ferner über das Verbindungstor 38 das Innere der Verdampfungskammer 15 zu evakuieren. Entweder die Verdampfungskammer 15 oder der Dampfabscheidungsbehälter 21 können ferner mit dem Evakuierungssystem verbunden sein.
  • Die im Vorhergehenden erwähnte Beschreibung bezieht sich auf den Fall, bei dem ein Ausstoßtor 24 vertikal hin zu der oberen Richtung zeigt und zugelassen ist, dass sich das Substrat 6 oberhalb des Ausstoßtors 24 bewegt, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dies begrenzt, und es ist beispielsweise ferner möglich, zuzulassen, dass der Dampf die Oberfläche des Substrats 6 erreicht, indem ein langer und schmaler Dampfabscheidungsbehälter 21 derart eingestellt wird, dass die lange Seite in die vertikale Richtung zeigt, und die Substrate 6, die durch die Halter 10 in einem vertikalen Zustand getragen sind, befördert werden, um an der Position, die dem Ausstoßtor 24 zugewandt ist, vorbeizugehen.
  • Die im Vorhergehenden erwähnte Beschreibung bezieht sich auf den Fall, bei dem die Substrate 6 in einer Linie bei einer Position, die zu dem Ausstoßtor 24 gewandt ist, vorbeigehen, die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf dies begrenzt, und die Erfindung weist ferner einen Fall auf, bei dem zwei oder mehrere Beförderungswege gebildet sind und Substrate 6 in zwei oder mehreren Linien vorbeigehen.
  • ZUSAMMENFASSUNG
  • Um eine Dampfabscheidungsvorrichtung zu schaffen, die fähig ist, einen organischen Dünnfilm zu bilden, ist bei der Dampfabscheidungsvorrichtung (1) der vorliegenden Erfindung eine Schale (41) in einer Verdampfungskammer (15) angeordnet, und eine Zuführungsvorrichtung (30) führt ein Dampfabscheidungsmaterial (16) auf die Schale (41) zu. Die Schale (41) ist auf einen Massemesser (49) gesetzt, der die Masse des Dampfabscheidungsmaterials (16), das auf der Schale (41) angeordnet ist, misst, und eine Steuerung (45) vergleicht den gemessenen Wert mit einem Bezugswert, um zu veranlassen, dass die Zuführungsvorrichtung (30) das Dampfabscheidungsmaterial (16) in einer notwendigen Menge zuführt.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - JP 2003-96557 A [0009]

Claims (9)

  1. Dampfabscheidungsquelle mit: einem Dampfabscheidungsbehälter, der mit einem Ausstoßtor versehen ist; einer Verdampfungskammer, die über ein Verbindungstor mit dem Dampfabscheidungsbehälter verbunden ist; einer Schale, die innerhalb der Verdampfungskammer angeordnet ist: einer Zuführungsvorrichtung zum Anordnen eines Dampfabscheidungsmaterials auf der Schale; und einem Massenmesser, an dem die Last der Schale angelegt ist.
  2. Dampfabscheidungsquelle nach Anspruch 1, mit bei der Zuführungsvorrichtung ferner: einer Zuführungskammer, in der das Dampfabscheidungsmaterial angeordnet ist; einem Zuführungsrohr, das an einem Ende mit der Zuführungskammer und an dem anderen Ende bei einer Position oberhalb der Schale mit der Verdampfungskammer verbunden ist; einer Drehungsachse, die in das Zuführungsrohr eingeführt ist; einer wendelförmigen Nut, die an der Seitenfläche der Drehungsachse gebildet ist; und einem Dreher zum Drehen der Drehungsachse um eine mittige Achsenlinie.
  3. Dampfabscheidungsquelle nach Anspruch 1, mit ferner einem Wärmeerzeuger zum Wärmen des Dampfabscheidungsmaterials, das auf der Schale angeordnet ist.
  4. Dampfabscheidungsquelle nach Anspruch 3, bei der der Wärmeerzeuger ein Lasergenerator ist, und der Lasergenerator konfiguriert ist, um fähig zu sein, einen Laserstrahl zu dem Dampfabscheidungsmaterial, das auf der Schale angeordnet ist, zu strahlen.
  5. Dampfabscheidungsquelle nach Anspruch 2, mit ferner einer Steuerung, die jeweils mit dem Massenmesser und der Zuführungsvorrichtung verbunden ist, wobei der Massenmesser ein Signal, das der Last der Schale entspricht, zu der Steuerung überträgt; und die Steuerung die Drehungsmenge der Drehungsachse ansprechend auf das Signal, das von dem Massenmesser übertragen wird, steuert.
  6. Dampfabscheidungsvorrichtung, die eine Vakuumkammer und eine Dampfabscheidungsquelle hat, mit bei der Dampfabscheidungsquelle: einem Dampfabscheidungsbehälter, der mit einem Ausstoßtor versehen ist; einer Verdampfungskammer, die über ein Verbindungstor mit dem Dampfabscheidungsbehälter verbunden ist; einer Schale, die innerhalb der Verdampfungskammer angeordnet ist; einer Zuführungsvorrichtung zum Anordnen eines Dampfabscheidungsmaterials auf der Schale; und einem Massenmesser, an den die Last der Schale angelegt ist, wobei der innere Raum des Dampfabscheidungsbehälters und der innere Raum der Vakuumkammer über das Ausstoßtor miteinander verbunden sind.
  7. Filmbildungsverfahren mit folgenden Schritten: Zuführen eines Dampfabscheidungsmaterials von einer Zuführungsvorrichtung zu dem Inneren einer Verdampfungskammer, Verdampfen des Dampfabscheidungsmaterials innerhalb der Verdampfungskammer, und Ausstoßen des Dampfes des Dampfabscheidungsmaterials von einem oder einer Mehrzahl von Ausstoßtoren, die mit der Verdampfungskammer verbunden sind, zu dem Inneren einer Vakuumkammer, und kontinuierliches Bewegen einer Mehrzahl von Substraten, um an einer Position genau oberhalb des Ausstoßtors vorbeizugehen, während die Substrate von einer Beförderungsquelle zu einem Beförderungsbestimmungsort bewegt werden, um einen Dünnfilm an der Oberfläche der jeweiligen Substrate zu bilden, wobei das Verfahren ferner folgende Schritte aufweist: Zählen der Zahl der Substrate, die oberhalb des Ausstoßtors vorbeigehen, und Messen der Masse des Dampfabscheidungsmaterials innerhalb der Verdampfungskammer, nachdem die Substrate in einer vorbestimmten Zahl an einer Position oberhalb des Ausstoßtors vorbeigegangen sind, die am nächsten zu dem Beförderungsbestimmungsort ist, und bevor das anschließende Substrat eine Position oberhalb des Ausstoßtors erreicht, die am nächsten zu der Beförderungsquelle ist, und Vergleichen des gemessenen Werts mit einem vorbestimmten Bezugswert, um das Dampfabscheidungsmaterial zu der Verdampfungskammer nachzufüllen.
  8. Filmbildungsverfahren nach Anspruch 7, mir ferner folgenden Schritten: Einstellen einer Masse größer als eine Masse, die zum Bilden von Filmen für die Substrate in einer vorbestimmten Zahl notwendig ist, als der Bezugswert; und Nachfüllen des Dampfabscheidungsmaterials in der Verdampfungskammer, derart, dass dasselbe den Bezugswert haben kann.
  9. Filmbildungsverfahren nach Anspruch 7, mit ferner folgenden Schritten: Einstellen einer Masse größer als eine Masse, die zum Bilden von Filmen für die Substrate in einer vorbestimmten Zahl notwendig ist, als der Bezugswert; und Nachfüllen des Dampfabscheidungsmaterials, wenn der gemessene Wert nicht mehr als der Bezugswert wird.
DE112008000669T 2007-03-26 2008-03-17 Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren Ceased DE112008000669T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007078252 2007-03-26
JP2007-078252 2007-03-26
PCT/JP2008/054876 WO2008117690A1 (ja) 2007-03-26 2008-03-17 蒸着源、蒸着装置、成膜方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112008000669T5 true DE112008000669T5 (de) 2010-03-25

Family

ID=39788426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112008000669T Ceased DE112008000669T5 (de) 2007-03-26 2008-03-17 Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20100015324A1 (de)
JP (1) JP5081899B2 (de)
KR (1) KR101167547B1 (de)
CN (1) CN101641457B (de)
DE (1) DE112008000669T5 (de)
TW (1) TWI409346B (de)
WO (1) WO2008117690A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016121256A1 (de) 2016-11-07 2018-05-09 Carl Zeiss Vision International Gmbh Vakuumverdampfungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsverfahren

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100984148B1 (ko) * 2007-12-21 2010-09-28 삼성전기주식회사 소스량 제어가 가능한 진공증착장치
JP2010111916A (ja) * 2008-11-06 2010-05-20 Ulvac Japan Ltd 真空蒸着装置、蒸着源、成膜室、蒸着容器交換方法
KR101103508B1 (ko) * 2009-02-10 2012-01-06 한국생산기술연구원 선형 유기물 증착 장치
JP5186591B2 (ja) * 2009-02-24 2013-04-17 株式会社アルバック 有機化合物蒸気発生装置及び有機薄膜製造装置
JP5341986B2 (ja) * 2009-04-24 2013-11-13 東京エレクトロン株式会社 蒸着処理装置および蒸着処理方法
JP5410235B2 (ja) * 2009-10-15 2014-02-05 小島プレス工業株式会社 有機高分子薄膜の形成方法及び形成装置
KR101132834B1 (ko) * 2009-10-29 2012-04-02 한국생산기술연구원 유기박막 증착 장치
JP5414587B2 (ja) * 2010-03-23 2014-02-12 日立造船株式会社 蒸着装置
JP5820731B2 (ja) * 2011-03-22 2015-11-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置および固体原料補充方法
KR101711504B1 (ko) 2011-06-22 2017-03-02 아익스트론 에스이 기상 증착 시스템 및 공급 헤드
DE102011051260A1 (de) 2011-06-22 2012-12-27 Aixtron Se Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs
KR101711502B1 (ko) 2011-06-22 2017-03-02 아익스트론 에스이 기상 증착 방법 및 장치
EP2723912B1 (de) 2011-06-22 2018-05-30 Aixtron SE Aufdampfungsmaterialquelle und herstellungsverfahren dafür
JP2013127086A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Ulvac Japan Ltd 蒸着装置及び蒸着方法
JP2013189701A (ja) * 2012-02-14 2013-09-26 Tokyo Electron Ltd 成膜装置
KR101363354B1 (ko) * 2012-05-01 2014-02-17 주식회사 유니텍스 소스 컨테이너 및 기상 증착용 반응로
KR101364835B1 (ko) * 2012-06-20 2014-02-25 주식회사 야스 고온 증발원 및 그 제조방법
CN103966551B (zh) * 2013-01-27 2016-11-23 常州国成新材料科技有限公司 一种解决高温下衬底原子蒸发影响平整度的方法及装置
CN104278249A (zh) * 2013-07-02 2015-01-14 上海和辉光电有限公司 坩埚材料量检测装置、方法及蒸镀机
CN103812854B (zh) * 2013-08-19 2015-03-18 深圳光启创新技术有限公司 身份认证系统、装置、方法以及身份认证请求装置
TWI472635B (zh) * 2013-09-13 2015-02-11 Univ Nat Taiwan 脈衝雷射蒸鍍系統
CN107109628B (zh) * 2014-08-29 2019-08-23 国立研究开发法人产业技术综合研究所 有机材料膜或有机无机复合材料膜的激光蒸镀方法、激光蒸镀装置
CN105586570A (zh) * 2014-11-17 2016-05-18 上海和辉光电有限公司 辐射源蒸发系统及蒸镀控制方法
CN108138309B (zh) * 2015-10-06 2020-08-14 株式会社爱发科 材料供给装置及蒸镀装置
WO2019171545A1 (ja) * 2018-03-08 2019-09-12 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜装置、蒸着膜の成膜方法および有機el表示装置の製造方法
JP6959680B1 (ja) * 2020-11-13 2021-11-05 株式会社シンクロン 成膜装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003096557A (ja) 2001-09-25 2003-04-03 Sanyo Electric Co Ltd 有機el素子の製造装置および有機el素子の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5938381A (ja) * 1982-08-26 1984-03-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 真空蒸着炉
DE69218152T2 (de) * 1991-12-26 1997-08-28 Canon Kk Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht mittels CVD, unter Verwendung von flüssigem Rohstoff und dazu geeignete Vorrichtung
DE69825893T2 (de) * 1997-05-08 2005-09-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma Vorrichtung und verfahren zur herstellung eines aufzeichnungsträgers
US6251233B1 (en) * 1998-08-03 2001-06-26 The Coca-Cola Company Plasma-enhanced vacuum vapor deposition system including systems for evaporation of a solid, producing an electric arc discharge and measuring ionization and evaporation
JP2000252061A (ja) * 1999-03-03 2000-09-14 Sony Corp 電界発光素子の製造方法及びその装置、並びに電界発光素子用のペレットの製造方法
CN1252312C (zh) * 2000-08-10 2006-04-19 新日铁化学株式会社 有机el元件的制造方法及装置
JP2002235167A (ja) * 2001-02-06 2002-08-23 Toyota Motor Corp 真空蒸着装置
CN1444423A (zh) * 2002-03-08 2003-09-24 伊斯曼柯达公司 用于制造有机发光器件的长条形热物理蒸汽淀积源
JP2003293121A (ja) * 2002-04-05 2003-10-15 Cluster Ion Beam Technology Kk 蒸着材料供給手段を備えた蒸着用坩堝
JP4013859B2 (ja) * 2003-07-17 2007-11-28 富士電機ホールディングス株式会社 有機薄膜の製造装置
US6909839B2 (en) * 2003-07-23 2005-06-21 Advanced Technology Materials, Inc. Delivery systems for efficient vaporization of precursor source material
JP2005307302A (ja) * 2004-04-23 2005-11-04 Canon Inc 成膜方法
US7625601B2 (en) * 2005-02-04 2009-12-01 Eastman Kodak Company Controllably feeding organic material in making OLEDs
US7132128B2 (en) * 2005-03-31 2006-11-07 Tokyo Electron Limited Method and system for depositing material on a substrate using a solid precursor
US7951421B2 (en) * 2006-04-20 2011-05-31 Global Oled Technology Llc Vapor deposition of a layer

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003096557A (ja) 2001-09-25 2003-04-03 Sanyo Electric Co Ltd 有機el素子の製造装置および有機el素子の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016121256A1 (de) 2016-11-07 2018-05-09 Carl Zeiss Vision International Gmbh Vakuumverdampfungseinrichtung und Vakuumbeschichtungsverfahren

Also Published As

Publication number Publication date
CN101641457B (zh) 2012-04-25
CN101641457A (zh) 2010-02-03
JP5081899B2 (ja) 2012-11-28
US20100015324A1 (en) 2010-01-21
TW200907078A (en) 2009-02-16
KR20090114475A (ko) 2009-11-03
KR101167547B1 (ko) 2012-07-20
WO2008117690A1 (ja) 2008-10-02
TWI409346B (zh) 2013-09-21
JPWO2008117690A1 (ja) 2010-07-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112008000669T5 (de) Dampfabscheidungsquelle, Dampfabscheidungsvorrichtung, Filmbildungsverfahren
DE60028492T2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Dünnfilmen
DE602004000051T2 (de) Verfahren zum Beschichten von grossflächigen Substraten
DE102010062937B4 (de) Lineare Verdampfungsquelle und Beschichtungsvorrichtung mit linearer Verdampfungsquelle
DE60305246T2 (de) Quelle zur thermischen PVD-Beschichtung für organische elektrolumineszente Schichten
DE60318170T2 (de) Vakuumverdampfer
EP1255876B1 (de) Kondensationsbeschichtungsverfahren
DE69927225T2 (de) Verfahren zur herstellung einer dünnen schicht, anzeigevorrichtung und farbfilter
DE3103227C2 (de)
DE102010062945A1 (de) Verdampfungsquelle und Beschichtungsvorrichtung mit Verdampfungsquelle
EP2116629A1 (de) Abscheidungsquelle, abscheidungsvorrichtung und verfahren zur bildung eines dünnen organischen films
DE112007002293T5 (de) Bedampfungsvorrichtung, Vorrichtung zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung, Verfahren zum Steuern der Bedampfungsvorrichtung und Verfahren zur Verwendung der Bedampfungsvorrichtung
EP1041169A1 (de) Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten durch Aufdampfen mittels eines PVD-Verfahrens
DE112011105618T5 (de) Oxidfilm-Niederschlagsverfahren und Oxidfilm-Niederschlagsvorrichtung
DE4005796A1 (de) Vorrichtung zum bilden einer duennenschicht
DE3103234C2 (de)
DE102009003781A1 (de) Verfahren zum Abscheiden eines dünnschichtigen Polymers in einer Niederdruckgasphase
DE102011051261A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden von OLEDs insbesondere Verdampfungsvorrichtung dazu
DE112008000313T5 (de) Bedampfungseinrichtung, Bedampfungsverfahren sowie Herstellverfahren für die Bedampfungseinrichtung
EP2458029A1 (de) Filmmaterial und Verfahren zur Vorhersage eines Filmmaterials
DE3315332A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum beschichten von glasscheiben oder -bahnen
EP1422313A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung
DE2361744B2 (de) Verfahren zum Beschichten von Oberflächen, insbesondere von Glas
KR20090106632A (ko) 증착원, 증착 장치, 유기 박막의 성막 방법
DE102018006091A1 (de) Kontinuierlicher 3D-Pulver-Sinterdruck

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final