JPS5938381A - 真空蒸着炉 - Google Patents
真空蒸着炉Info
- Publication number
- JPS5938381A JPS5938381A JP14690782A JP14690782A JPS5938381A JP S5938381 A JPS5938381 A JP S5938381A JP 14690782 A JP14690782 A JP 14690782A JP 14690782 A JP14690782 A JP 14690782A JP S5938381 A JPS5938381 A JP S5938381A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heater
- furnace
- heat input
- vacuum deposition
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、所望のメッキ量を瞬時に変化させることので
きる真空蒸着炉に関するものであるＯＷＩ？？Ｆ等に連
続的にＺｎ 、 Ａｔ 等の金属皮膜を真空蒸着させる
ための蒸発源のうち、上部加熱方式として現在考えられ
ている蒸着炉は、第１図に示すような構造のものである
。
きる真空蒸着炉に関するものであるＯＷＩ？？Ｆ等に連
続的にＺｎ 、 Ａｔ 等の金属皮膜を真空蒸着させる
ための蒸発源のうち、上部加熱方式として現在考えられ
ている蒸着炉は、第１図に示すような構造のものである
。
第１図において、１は銅帯、２は真空容器、５は蒸着銅
、４は加熱ヒータ、５はメッキ材である溶融金属、６は
蒸着口、７は保温材、１１はスノーケル、１２は溶解炉
である。
、４は加熱ヒータ、５はメッキ材である溶融金属、６は
蒸着口、７は保温材、１１はスノーケル、１２は溶解炉
である。
真空容器２内に設置された蒸着Ｍ５は、その内部にメッ
キ材５を保有し、該メッキ材５は加熱ヒータ４によって
加熱されて蒸発し、蒸着口６より噴出１．て、その上方
を走行している鋼帯１に連続的にメッキされる。
キ材５を保有し、該メッキ材５は加熱ヒータ４によって
加熱されて蒸発し、蒸着口６より噴出１．て、その上方
を走行している鋼帯１に連続的にメッキされる。
なお、このメッキ材５け溶解炉１２で予め溶解した後、
Ｗ力差によってスノーケル１１を経て蒸着銅５内に吸上
げられる。
Ｗ力差によってスノーケル１１を経て蒸着銅５内に吸上
げられる。
このような従来の蒸着炉には次のような欠点がある。
例えば、供給される銅帯の厚みが変化した場合、銅帯に
メッキすべき−ｔ’ｔ＝瞬間的に変化させたいことがあ
るが、蒸着炉内のメッキ材及び炉体自身の熱容ａ゛が大
きいために、加熱源の加熱量全瞬間的に変化させても、
メッキ材の蒸発速度の応答が遅れ、整定するまでに規格
外の目付量を持つ皮製品ができてし甘う。
メッキすべき−ｔ’ｔ＝瞬間的に変化させたいことがあ
るが、蒸着炉内のメッキ材及び炉体自身の熱容ａ゛が大
きいために、加熱源の加熱量全瞬間的に変化させても、
メッキ材の蒸発速度の応答が遅れ、整定するまでに規格
外の目付量を持つ皮製品ができてし甘う。
本発明は、このような欠点を排除し、銅帯にメッキさせ
たいｔＶ瞬間的に変化させることのできる真空蒸着炉を
提供するものである。
たいｔＶ瞬間的に変化させることのできる真空蒸着炉を
提供するものである。
すなわち本発明は、炉内上方に加熱源ヒータ會有する真
空蒸着炉において、該加熱源ヒータと浴面との間に回動
可能な入熱制御板を設けたことを特徴とする真空蒸着炉
に関するものである。
空蒸着炉において、該加熱源ヒータと浴面との間に回動
可能な入熱制御板を設けたことを特徴とする真空蒸着炉
に関するものである。
第２図は本発明蒸着炉の一実施態様例を示す図である。
第２図中、第１図と同一符号は第１図と同一機能部品を
示し、第１図と異なる点は加熱ヒータ４とメッキ拐５と
の間に回転軸８を中心に回転することのできる入熱制御
板？全備えている点である。
示し、第１図と異なる点は加熱ヒータ４とメッキ拐５と
の間に回転軸８を中心に回転することのできる入熱制御
板？全備えている点である。
この回転軸８及び入熱制御板９Ｆよ、（ン１示省略の炉
側に設けられた駆ｖＪＪ機拾により駆動されるようにな
っている。
側に設けられた駆ｖＪＪ機拾により駆動されるようにな
っている。
第２図において、定常運転時には、入熱制御板９を成る
一定の一度（例えば、水平に対し４５ の位置）に保持
する。
一定の一度（例えば、水平に対し４５ の位置）に保持
する。
蒸発レートを変化させたい場合は、加熱ヒータ４のヒー
タパワーを瞬間的に変化させる（例えば、増加させる）
と同時に、入熱制御板９の開度′１ｊｃ変化させる（開
く、すなわち加熱ヒータ４からメッキ材５への有効照射
面積を増加させる）り 蒸発レートが整定されたならば、入熱制御板９の開度を
徐々に元に戻す。
タパワーを瞬間的に変化させる（例えば、増加させる）
と同時に、入熱制御板９の開度′１ｊｃ変化させる（開
く、すなわち加熱ヒータ４からメッキ材５への有効照射
面積を増加させる）り 蒸発レートが整定されたならば、入熱制御板９の開度を
徐々に元に戻す。
この時の蒸発レートの制御性全第５図により模式的に説
明する。
明する。
ｗｒ、３図中、（Ａ）は入熱制御板９の開度を、（Ｂ）
は加熱ヒータ４のヒータパワーをそれぞれ（１１，（２
１゜（，１）、 （４）の態様で変化させることを示し
ており、（Ｃり、 （ＤＪ、 （Ｆ、）、伊）はこの変
化に応じてヒータ外表面温度（周方向に温度分布があり
、その乎均温度を示す）（Ｃ）、メッキ材５への入熱中
）、メッキ材５表面温度（Ｅ）、蒸発レート（Ｆ）がそ
れぞれ（１）。
は加熱ヒータ４のヒータパワーをそれぞれ（１１，（２
１゜（，１）、 （４）の態様で変化させることを示し
ており、（Ｃり、 （ＤＪ、 （Ｆ、）、伊）はこの変
化に応じてヒータ外表面温度（周方向に温度分布があり
、その乎均温度を示す）（Ｃ）、メッキ材５への入熱中
）、メッキ材５表面温度（Ｅ）、蒸発レート（Ｆ）がそ
れぞれ（１）。
＋２１． （３１，＋４＋の態様で変化することを示し
ている０先ず、第５図の（１１け、入熱制御板９の開度
（Ａ）を・一定にし、加熱ヒータ４のヒータパワーＣＢ
）のみをステップ変化させる場合であり、ヒータ外表面
温度（Ｃ）はヒータ４及び炉体２の熱容量のために一次
遅れで応答し、従ってメッキ材５への入熱（Ｄ）も−次
遅れで変化し、これに伴なってメッキ材５の表面温度（
ト））及び蒸発レートＣＦ）が−次遅れに近い応答を示
す。
ている０先ず、第５図の（１１け、入熱制御板９の開度
（Ａ）を・一定にし、加熱ヒータ４のヒータパワーＣＢ
）のみをステップ変化させる場合であり、ヒータ外表面
温度（Ｃ）はヒータ４及び炉体２の熱容量のために一次
遅れで応答し、従ってメッキ材５への入熱（Ｄ）も−次
遅れで変化し、これに伴なってメッキ材５の表面温度（
ト））及び蒸発レートＣＦ）が−次遅れに近い応答を示
す。
次に、第５図の（２）は、加熱ヒータ４のヒータパワー
（Ｂ） ’に一定にし、入熱制御板９の開度（Ａ）のみ
金ステップ変化させる場合であり、ヒータ外表面温度（
０）Ｆｉ上記の（１）の場合と同様に一次遅れで応答し
、メッキ材５への入熱（Ｄ）も−次遅れで応答するが、
ヒータパワー（ＢＪが一足のままであるから、整定後の
値は変化前と同一になる。メッキ材５０表面温度（ｇ）
及び蒸発レート伊）も、メッキ材５への入熱（功とほぼ
同様の応答を示す。
（Ｂ） ’に一定にし、入熱制御板９の開度（Ａ）のみ
金ステップ変化させる場合であり、ヒータ外表面温度（
０）Ｆｉ上記の（１）の場合と同様に一次遅れで応答し
、メッキ材５への入熱（Ｄ）も−次遅れで応答するが、
ヒータパワー（ＢＪが一足のままであるから、整定後の
値は変化前と同一になる。メッキ材５０表面温度（ｇ）
及び蒸発レート伊）も、メッキ材５への入熱（功とほぼ
同様の応答を示す。
第５図の（３）は、加熱ヒータ４のヒータパワー（Ｂ）
と入熱制御板９の開度値）とを同時にステップ変化させ
る場合であり、メッキ材５への入熱（Ｄ）及びメッキ材
５０表面温度（Ｋ）は図示のようにステップ変化に近い
応答を示し、そして入熱制御板９の開度（Ａ）？図示す
るように段階的に徐々に元に戻すと上記の（２）の入熱
制御板９の開度のみをステップ変化させる場合に相当す
るので蒸発レート便）は図示のように応答する。
と入熱制御板９の開度値）とを同時にステップ変化させ
る場合であり、メッキ材５への入熱（Ｄ）及びメッキ材
５０表面温度（Ｋ）は図示のようにステップ変化に近い
応答を示し、そして入熱制御板９の開度（Ａ）？図示す
るように段階的に徐々に元に戻すと上記の（２）の入熱
制御板９の開度のみをステップ変化させる場合に相当す
るので蒸発レート便）は図示のように応答する。
第５図の（４）は、加熱ヒータ４のヒータパワー（Ｂ）
と入熱制御板９の開度（Ａ）とを同時にステップ変化さ
せた後に、入熱制御板９０開度俸）を連続的に滑らかに
元に戻す場合であり、蒸発レート（Ｆｌは先ず上記の（
３）の場合と四抑にステップ的に変化するが、その後は
上記の（３）のようなステップ変化は示さず、図示する
ように変化した値をそのま１保持する。
と入熱制御板９の開度（Ａ）とを同時にステップ変化さ
せた後に、入熱制御板９０開度俸）を連続的に滑らかに
元に戻す場合であり、蒸発レート（Ｆｌは先ず上記の（
３）の場合と四抑にステップ的に変化するが、その後は
上記の（３）のようなステップ変化は示さず、図示する
ように変化した値をそのま１保持する。
このように、加熱ヒータ４のヒータパワー（Ｂ）と入熱
制御板９の開度（Ａ）とを同時にステップ変化させ、所
望の蒸発レートが整定されｆＬｖｆ：に、入熱制御板９
の開度を第５図（４）のように連続的に滑らかに元に戻
せば、蒸発レート（Ｆ）’ｔニーヒータパワー（Ｂ）の
変化に対して遅れなく変化させることができるのである
。
制御板９の開度（Ａ）とを同時にステップ変化させ、所
望の蒸発レートが整定されｆＬｖｆ：に、入熱制御板９
の開度を第５図（４）のように連続的に滑らかに元に戻
せば、蒸発レート（Ｆ）’ｔニーヒータパワー（Ｂ）の
変化に対して遅れなく変化させることができるのである
。
以上詳述したことから明らかなように、本発明蒸着炉に
おいては、銅帯等へのメッキｔを瞬時に変化させること
ができ、工業上極めて有益である。
おいては、銅帯等へのメッキｔを瞬時に変化させること
ができ、工業上極めて有益である。
第１図は従来の真空蒸着炉を示す図、第２図は本発明蒸
着炉の一実施態様例を示す図、第５図は本発明蒸着炉に
よる作用効果ケ説明するための図である０ 復代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 第１図
着炉の一実施態様例を示す図、第５図は本発明蒸着炉に
よる作用効果ケ説明するための図である０ 復代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 − 第１図
Claims (1)
- 炉内上方に加熱源ヒータを有する真空蒸着炉において、
前記加熱源ヒータと浴面との間に回動可能な入熱制御板
金設けたことを特徴とする真空蒸着炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14690782A JPS5938381A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 真空蒸着炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14690782A JPS5938381A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 真空蒸着炉 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5938381A true JPS5938381A (ja) | 1984-03-02 |
| JPH028023B2 JPH028023B2 (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=15418264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14690782A Granted JPS5938381A (ja) | 1982-08-26 | 1982-08-26 | 真空蒸着炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5938381A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI409346B (zh) * | 2007-03-26 | 2013-09-21 | Ulvac Inc | 蒸鍍源、蒸鍍裝置、成膜方法 |
| CN103451625A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 三星显示有限公司 | 沉积设备和利用其制造有机发光二极管显示器的方法 |
-
1982
- 1982-08-26 JP JP14690782A patent/JPS5938381A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI409346B (zh) * | 2007-03-26 | 2013-09-21 | Ulvac Inc | 蒸鍍源、蒸鍍裝置、成膜方法 |
| CN103451625A (zh) * | 2012-05-31 | 2013-12-18 | 三星显示有限公司 | 沉积设备和利用其制造有机发光二极管显示器的方法 |
| CN103451625B (zh) * | 2012-05-31 | 2017-04-12 | 三星显示有限公司 | 沉积设备和利用其制造有机发光二极管显示器的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028023B2 (ja) | 1990-02-22 |
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