DE69422079T2

DE69422079T2 - Herstellungsverfahren für optischen Aufzeichnungsträger

Info

Publication number: DE69422079T2
Application number: DE69422079T
Authority: DE
Inventors: Toshio Adachi; Kazuoki Hongu; Akio Koganei; Toshimori Miyakoshi; Kunio Takada
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1993-04-05
Filing date: 1994-04-05
Publication date: 2000-05-25
Anticipated expiration: 2014-04-06
Also published as: EP0619576A3; EP0619576B1; EP0619576A2; DE69422079D1; US5525379A

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Gebiet der Erfindung

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers. Noch spezifischer, sie betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers jenes Typs, welcher ein Substrat und einen darauf vorhandenen dielektrischen, anorganischen Film aufweist.

Stand der Technik

In den letzten Jahren ist die Forderung nach Aufzeichnungsträgern, welche eine große Aufzeichnunsgkapazität haben, Daten mit hoher Geschwindigkeit übertragen können und als Computerspeicher und Bildinformationsspeicher verwendet werden, stark angestiegen. Um diese Forderung zu erfüllen, sind z. B. magnetooptische Aufzeichnungsträger und Aufzeichnungsträger vom Phasenänderungstyp entwickelt worden, bei welchen Aufzeichnen und Wiedergabe durch Laserstrahlen erfolgt.
Das heißt, beim magnetooptischen Aufzeichnungsträger erfolgt das Aufzeichnen und die Wiedergabe durch Nutzung von Eigenschaften (Magnetkraftwirkung) dahingehend, daß beim Auftreffen eines abgelenkten Laserstrahls auf die Oberfläche der Aufzeichnungsschicht, welche ein magnetisches Material enthält, die Drehrichtung der abgelenkten Oberfläche des reflektierten Laserstrahls von der Magnetisierungsrichtung des magnetischen Materials abhängt. Dagegen erfolgt beim Aufzeichnungsträger vom Phasenänderungstyp das Aufzeichnen und die Wiedergabe durch Nutzung der reversiblen Phasenumwandlung zwischen einem amorphen Zustand und einem kristallinen Zustand, welcher zum Zeitpunkt des Bestrahlens einer z. B. Te enthaltenden Aufzeichnungsschicht mit einem Laserstahl erhalten wird, und durch Nutzung von gegenseitig verschiedenen optischen Eigenschaften der Aufzeichnungsschicht in diesen Stadien.
Um für jeden dieser optischen Aufzeichnungsträger ein Lesesignal mit einem größeren C/N-Verhältnis zu erhalten, kann zwischen einem Aufzeichnungsfilm und einem Substrat z. B. ein dielektrischer, anorganischer Film eingelegt werden, um das Lesesignal durch Verwendung eines optischen Interferenzeffektes (Verstärkungseffekt) zu verstärken. Wie Fig. 4A außerdem zeigt, kann ein Aufzeichnungsfilm 41 zwischen die dielektrischen, anorganischen Filme 42 und 43 eingelegt werden, um den Lesestrahl zu verstärken und den Aufzeichnungsfilm 41 zu schützen. Um, wie in Fig. 4B gezeigt, den Interferenzeffekt weiter zu erhöhen, gibt es auch eine bekannte Konstruktion, bei welcher auf dem dielektrischen, anorganischen Film 43 eine Reflexionsschicht angeordnet ist.
Als dielektrischer anorganischer Film wird z. B. ein Dünnfilm aus Si&sub3;N&sub4;, SiC, SiO, SiO&sub2;, amorphem Si (a-Si), AlN, Al&sub2;O&sub3;, TiO&sub2;, Ta&sub2;O&sub5; oder ZnS verwendet.
In diesem Zusammenhang muß bemerkt werden, daß beim magnetooptischen Aufzeichnungsträger oder optischen Aufzeichnungsträger vom Phasenänderungstyp, bei welchem ein dielektrischer anorganischer Film verwendet wird, das C/N-Verhältnis des Lesesignals und die Stabilität des Aufzeichnungsfilms bezüglich der Zeit im wesentlichen nicht nur von den Eigenschaften des Aufzeichnungsfilms, sondern auch von denen des dielektrischen Films wie oben beschrieben abhängen. Demzufolge wird in inländischen und ausländischen Forschungseinrichtungen gegenwärtig eine intensive Forschungsarbeit betrieben, um dielektrische Werkstoffe mit hohem Verstärkungseffekt des Lesesignals und ausgezeichneter Schutzfunktion für die Aufzeichnungsschicht und Herstellungstechnologien für solche dielektrischen Werkstoffe zu entwickeln. Wie z. B. in der japanischen Patentveröffentlichung 2-15929 beschrieben, wird AlN oder SiN in einer Stickstoffgasatmosphäre durch reaktives Besprühen eines Al- oder Si-Zielobjektes vorbereitet, und in den japanischen Offenlegungspatenten 3-66043, 3-69033 und 4-30343 wurde versucht, den dielektrischen, anorganischen Film durch CVD-Beschichten mittels ECR-Plasma zu erzeugen.
Das CVD-Plasmabeschichten kann gegenüber dem Besprühen die Filmerzeugungsrate verbessern, so daß diesem kostengünstigen Verfahren zur Herstellung eines qualitativ hochwertigen optischen Aufzeichnungsträgers gegenwärtig große Aufmerksamkeit gewidmet wird.
Wenn jedoch beabsichtigt ist, durch Anwendung dieses CVD- Plasmabeschichtungsverfahren den Aufzeichnungsschichtschutz auf einem hohen Level zu erhalten, unterliegt der dielektrische, anorganische Film unvermeidlich hohen Belastungen und diese Tendenz ist noch deutlicher erkennbar, als wenn der Film bei hoher Plasmadichte zur Erhöhung der Filmerzeugungsgeschwindigkeit hergestellt wird. Infolge dessen verursacht der dielektrische, anorganische Film ein Wölben des optischen Aufzeichnungsträgers, so daß es unmöglich ist, einen solchen dielektrischen, anorganischen Film auf den optischen Aufzeichnungsträger aufzubringen. Wenn aus diesem Grund der dielektrische, anorganische Film für den optischen Aufzeichnungsträger nach dem CVD-Plasmaverfahren erzeugt wird, ist der Aufzeichnungsschichtschutz bisher in Erwägung der Innenspannung des dielektrischen anorganischen Films entschieden worden.
Jedoch in dem Fall, daß ein optischer Aufzeichnungsträger mit einer höheren Qualität gefordert wird, macht eine weitere Erhöhung des Aufzeichnungsschichtschutzes sich erforderlich, während die Innenspannung im dielektrischen, anorganischen Film so weit wie möglich herabgesetzt wird, selbst dann, wenn der dielektrische, anorganische Film für den optischen Aufzeichnungsträger nach dem CVD-Plasmaverfahren hergestellt wird.

ZUSAMMENFASSUNG DER Erfindung

Die vorliegende Erfindung wurde gemacht, um die genannten Probleme zu lösen, und eine Aufgabe dieser Erfindung ist die Bereitstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers, mit dem ein stabiles C/N-Verhältnis (Signal/Lärm-Verhältnis) des Lesesignals auf hohem Niveau über eine lange Zeit erhalten werden kann, während eine Verformung wie z. B. das Wölben oder Verbiegen abgeschwächt wird, und mit dem eine längere verbesserte Stabilität erreicht wird.
Eine weiter Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers, bei welchem eine Verformung wie Wölben oder Verbiegen abgeschwächt wird, ein hohes C/N-Verhältnis des Lesesignals vorhanden und eine ausgezeichnete Stabilität über einen langen Zeitraum zu verzeichnen ist.
Die Erfinder haben intensive Untersuchungen durchgeführt, um die genannten Aufgaben zu lösen und im Ergebnis dieser Untersuchungen haben wir ermittelt, daß beim Aufbringen eines dielektrischen, anorganischen Films auf einen optischen Aufzeichnungsträger nach dem CVD-Spiralwellenplasmabeschichten mittels eines Plasmas, welches durch induktives Koppeln eines elektrischen Hochfrequenzfeldes mit einem Magnetfeld erzeugt wird und welches sich spiralförmig entlang des Magnetfeldes fort pflanzt, dieser optische Aufzeichnungsträger eine bessere Formbeständigkeit aufweist und das C/N-Verhältns des Lesesignals des optischen Aufzeichnungsträgers im Vergleich zu einem optischen Aufzeichnungsträger mit einem dielektrischen, anorganischen Film, welcher nach einem herkömmlichen Verfahren, z. B. nach dem CVD-Verfahren mit einem ECR-Plasma hergestellt wird, auf einem hohen Niveau gehalten werden kann. Folglich wurde auf der Grundlage dieser Erkenntnis die vorliegende Erfindung gemacht.
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers bereitgestellt, welcher ein Substrat, ein Laminat als Aufzeichnungsfilm und mindestens einen darauf vorhandenen dielektrischen, anorganischen Film aufweist, wobei das Verfahren den Schritt der Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films nach dem CVD- Plasmaverfahren beinhaltet und dadurch gekennzeichnet ist, daß als CVD-Plasmaverfahren das CVD-Spiralwellenplasmaverfahren angewendet wird.

KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Fig. 1 zeigt schematisch die Draufsicht einer Vorrichtung zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers in Übereinstimmung mit einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 zeigt schematisch die Schnittansicht der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung zur Herstellung eines dielektrischen, anorganischen Films.
Fig. 3 zeigt schematisch die Schnittansicht der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung zur Herstellung eines dielektrischen, anorganischen Films in einer weiteren Ausführungsform.
Die Fig. 4A und 4B zeigen Schnittansichten des optischen Aufzeichnungsträgers.
Fig. 5A zeigt schematisch eine Ausführungsform der Antenne zur Verwendung bei der in Fig. 2 oder 3 dargestellten Vorrichtung zur Herstellung des Films, Fig. 5B eine weitere Ausführungsform der Antenne zur Verwendung bei der in Fig. 2 oder 3 dargestellten Vorrichtung zur Herstellung des Films und Fig. 5C noch eine weitere Ausführungsform der Antenne zur Verwendung bei der in Fig. 2 oder 3 dargestellten Vorrichtung zur Herstellung des Films.
Fig. 6A zeigt schematisch die Schnittansicht der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung zur Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films in einer weiteren Ausführungsform und Fig. 6B die Schnittansicht entlang der in Fig. 6A angedeuteten Linie A-A.
Fig. 7A zeigt schematisch die Ansicht des Substratauflegebereiches auf einem Substrathalter und Fig. 7B schematisch die Draufsicht des Substratauflegebereiches auf dem Substrathalter.
Fig. 8 zeigt schematisch die Schnittansicht einer Vorrichtung zur CVD-Herstellung des Films mit einem ECR-Plasma.
Fig. 9 zeigt schematisch die Schnittansicht einer Vorrichtung zur Herstellung des Films nach dem Hochfrequenzmagnetronsprühen.

DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

Nachfolgend wird mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen die vorliegende Erfindung näher beschrieben.
Fig. 1 zeigt schematisch die Draufsicht einer Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung eines dielektrischen, anorgani schen Films vom in-line-Typ und eines Aufzeichnungsfilms, welche bei einer Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung des in Fig. 4B dargestellten optischen Aufzeichnungsträgers gemäß dieser Erfindung verwendet werden kann. In Fig. 1 kennzeichnet das Bezugszeichen 11 eine Kammer, in welche Substrate 10 geworfen werden, das Bezugszeichen 12 eine Entgasungskammer, kennzeichnen die Bezugszeichen 13 und 14 Kammern zur Herstellung der dielektrischen, anorganischen Filme 42, 43, kennzeichnet das Bezugszeichen 15 eine Kammer zur Herstellung des Aufzeichnungsfilms 41 z. B. in Form eines optischen, magnetischen Aufzeichnungsfilms, das Bezugszeichen 16 eine Kammer zur Herstellung eines Reflexionsfilms 44 und das Bezugszeichen 17 eine Kammer, aus welcher die Substrate 10 mit den darauf erzeugten Aufzeichnungsfilmen 41 und den dielektrischen, anorganischen Filmen 42, 43 gezogen werden. Zwischen jedem Kammer- Paar ist eine zu öffnende Tür (nicht dargestellt) angeordnet und zum Stützen der Substrate 10 ist ein Substrathalter vorhanden, welcher die Substrate schrittweise von der Einwerfkammer 11 bis zur Substratziehkammer 17 bewegt. Das Substrat 10 für den optischen Aufzeichnunsgträger wird von der Substrateinwerfkammer 11 bis zur Substratziehkammer 17 transportiert und während dieses Transportes wird das Substrat begast, werden der dielektrische, anorganische Film 42, der Aufzeichnungsfilm 41, der dielektrische, anorganische Film 43 und der Reflexionsfilm 44 nacheinander erzeugt, um den optischen Aufzeichnungsträger herzustellen, wobei das Laminat des Aufzeichnungsfilms 41, die dielektrischen, anorganischen Filme 42, 43 und der Reflexionsfilm 44 auf dem Substrat entstehen.
Bei dieser Ausführungsform sind die Kammern 13, 15 mit Vorrichtungen zur Herstellung der dielektrischen, anorganischen Filme nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren ausgerüstet.
Fig. 2 zeigt schematisch die Schnittansicht einer der in den Filmerzeugungskammern 13, 15 angeordneten Vorrichtungen zur Erzeugung eines dielektrischen, anorganischen Films 42, 43 nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren im rechten Winkel zur Substrattransportrichtung, welche in der in Fig. 1 dargestellten Filmerzeugungsvorrichtung verwendet werden. In Fig. 2 kennzeichnet das Bezugszeichen 21 einen um die und entlang der X-Achse sich erstreckenden zylindrischen, Plasma erzeugenden Behälter, das Bezugszeichen 22 eine Antenne zur Erzeugung eines elektrischen Hochfrequenzfeldes im Plasma erzeugenden Behälter, das Bezugszeichen 23 eine Spule zur Erzeugung eines Magnetfeldes in Richtung der X-Achse im Plasma erzeugenden Behälter, das Bezugszeichen 24 einen in Richtung der X-Achse an den Plasma erzeugenden Behälter angeschlossenen Verfahrensbehälter, das Bezugszeichen 25 eine Vorrichtung zum Einleiten von Gas in den Plasma erzeugenden Behälter 21, das Bezugszeichen 26 eine Vorrichtung zum Einleiten von Gas in den Verfahrensbehälter 24, das Bezugszeichen 27 eine Substratstützvorrichtung, welche so konstruiert ist, daß sie den Substrathalter 18 zur Aufnahme des Substrates 10 für eine optische Scheibe im Verfahrensbehälter stützt, so daß die Filmerzeugungsfläche des Substrats 10 die X-Achse im rechten Winkel kreuzt und das Drehen des Substrathalters um die X-Achse im Filmerzeugungsprozeß gewährleistet.
Die Antenne 22 ist außerdem über einen passenden Kasten 28 an eine Hochfrequenzspannungsquelle 29 angeschlossen, wodurch im Plasma erzeugenden Behälter 21 das elektrische Hochfrequenzfeld erzeugt werden kann.
Fig. 3 zeigt schematisch die Schnittansicht einer weiteren Ausführungsform der Vorrichtung zur Erzeugung eines Films nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren, welche in den Kammern 13 und 15 zur Herstellung eines dielektrischen, anorganischen Films der in Fig. 1 dargestellten Filmerzeugunsvorrichtung vom in-line-Typ verwendet werden können. Die in Fig. 3 dargestellte Ausführungsform entspricht der in Fig. 2 gezeigten CVD-Spiralwellenplasmavorrichtung mit der Ausnahme, daß der Verfahrensbehälter 24 im Plasma erzeugenden Behälter 21 integriert ist und somit nur eine Gaseinleitungsvorrichtung 25 verwendet wird.
In dem Fall, daß durch Verwendung der in Fig. 2 gezeigten Vorrichtung zur Erzeugung eines Films nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren z. B. ein SiNx-Film erzeugt wird, werden der Plasma erzeugende Behälter 21 und der Verfahrensbehälter 24 mittels einer Vakuumpumpe 30 evakuiert. Danach wird durch ein Rohr 25 ein Stickstoffgas als Reaktionsgas in den Plasma erzeugenden Behälter 21 und außerdem SiH&sub4; als Reaktionsgas in den Verfahrensbehälter 24 eingeleitet. Als nächstes wird die Antenne 22 dazu benutzt, im Plasma erzeugenden Behälter ein elektrisches Hochfrequenzfeld zu erzeugen und gleichzeitig die Spule 23 zum Einsatz gebracht, um im Plasma erzeugenden Behälter ein Magnetfeld in Richtung X-Achse zu erzeugen, wobei im Plasma erzeugenden Behälter 21 hauptsächlich das Plasma aus Stickstoffgas erzeugt werden kann und dieses Plasma sich spiralförmig entlang des Magnetfeldes ausbreitet und zum Verfahrensbehälter gelangt. In diesem Verfahrensbehälter absorbiert das SiH&sub4;-Gas die Energie des zu ionisierenden Plasmas, so daß auf dem Substrat der SiNx-Film gebildet wird.
Die Spule 23, welche in der in Fig. 2 oder 3 gezeigten Vorrichtung zur Erzeugung eines Films nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren verwendet werden kann, ist vorzugsweise so angeordnet, daß im Plasma erzeugenden Behälter 21 das Magnetfeld in Richtung X-Achse erzeugt wird, weil diese Anordnung der Spule die Erzeugung des Spiralwellenplasmas im Plasma erzeugenden Behälter 21 ermöglicht. Die Stärke (G) des aufzubrin genden Magnetfeldes ist vorzugsweise so eingestellt, daß die Dichte des Plasmas, welches im Plasma erzeugenden Behälter 21 in Verbindung mit dem an den Behälter 21 angelegten elektrischen Hochfrequenzfeld erzeugt wird, mindestens 1 · 10¹¹ Elementarteilchen/cm³, vorzugsweise aber 1 · 10¹² Elementarteilchen/cm³ oder mehr betragen kann. Besonders in dem Fall, daß durch die Antenne 22 ein elektrisches Hochfrequenzfeld mit einer Frequenz von etwa 10 bis 30 MHz im Plasma erzeugenden Behälter erzeugt wird, ist die Anzahl der Spulenwindungen und/oder der durch die Spule fließende Strom vorzugsweise so eingestellt, daß im Mittelabschnitt des Plasma erzeugenden Behälters 21 "G" den Wert 0 bis 0,05 Tesla (0 bis 500 Gauß), vorzugsweise 0 bis 0,02 Tesla (0 bis 200 Gauß), besser aber 0 bis 0,01 Tesla (0 bis 100 Gauß) haben kann, weil die genannte Einstellung eine Belastungserhöhung verhindert und die Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films für den optischen Ausfzeichnungsträger mit hohem Schutz für die Aufzeichnungsschicht ermöglicht.
Außerdem hat bei dieser Ausführungsform die Antenne 22 als Vorrichtung zur Erzeugung des elektrischen Hochfrequenzfeldes im Plasma erzeugenden Behälter den in Fig. 5A, 5B oder 5C gezeigten Aufbau, so daß der Hochfrequenzstrom zwei voneinander getrennte, den Plasma erzeugenden Behälter 21 umgebende Zirkulationsschleifen ziehen und in Uhrzeigerrichtung durch eine Schleife und entgegen Uhrzeigerrichtung durch die andere Schleife fließen kann, wie das z. B. im Dokument USP 4990229 offenbart ist, wodurch ein Absenken der Belastung des dielektrischen, anorganischen Films möglich ist.
Die Verwendung der Antenne mit dem in Fig. 5A gezeigten Aufbau macht die Herstellung des qualitativ hochwertigen dielektrischen, anorganischen Films mit hoher Geschwindigkeit möglich, so daß diese Antenne vorzugsweise für die Herstellung des qualitativ hochwertigen optisch Aufzeichnungsträgers bei niedrigen Kosten verwendet wird. Der Grund, weshalb die Antenne mit diesem Aufbau die genannten Effekte bringt, ist nicht augenscheinlich, doch es kann angenommen werden, daß dieser Effekt dem Fakt zuzuschreiben ist, daß der Einfluß durch die Wechselbeziehung zwischen dem Magnetfeld, welches zum Zeitpunkt des Fließens des Hochfrequenzstromes durch die Antenne erzeugt wird, und dem von der Spule 23 aufgebrachten Magnetfeld auf ein relativ niedriges Niveau reduziert werden kann.
Außerdem wird der Raum (1) zwischen den beiden Schleifen, welche den Plasma erzeugenden Behälter 21 umgeben, vorzugsweise kontrolliert, um die Qualität des dielektrischen, anorganischen Films und somit die des optischen Aufzeichnungsträgers entsprechend zu verbessern. Dieser Raum (1) ist vom Filmmaterial, von der Frequenz des aufgebrachten elektrischen Feldes, von der Größe des Plasma erzeugenden Behälters 21 und von der Stärke des von der Spule 23 aufgebrachten Magnetfeldes abhängig, so daß über diesen nicht grundsätzlich entschieden werden kann. Jedoch in dem Fall z. B., daß der dielektrische, anorganische Film auf Si-Basis unter solchen Bedingungen hergestellt wird, bei welchen der Innendurchmesser des Plasma erzeugenden Behälters 21 etwa 80 bis 300 mm, die Frequenz des elektrischen Hochfrequenzfeldes 10 bis 30 MHz und die Magnetfeldstärke im Mittelteil des Plasma erzeugenden Behälters 21 0< G≤0,05 Tesla (0< G≤500 Gauß) beträgt, werden für den Raum (1) zwischen den Schleifen 100 bis 500 mm, vorzugsweise aber 100 bis 250 mm ausgewählt, so daß ein Verstärkungseffekt erzielt wird, welcher mit dem eines durch Besprühen erzeugten Films vergleichbar ist, wodurch ein dielektrischer, anorganischer Film erzeugt und ein qualitativ hochwertiger optischer Aufzeichnungsträger hergestellt werden kann, welcher einen Brechungsindex von etwa 1,7 bis 3,7, vorzugsweise aber etwa 1,9 bis 2,7, eine Spannung von ±30 kg/mm² oder weniger, vorzugsweise ±25 kg/mm² oder weniger (wobei "+" und "-" Zug- bzw. Druckspannung bedeuten) und einen ausgezeichneten Aufzeichnungsschutz aufweist. Der genannte Spannungswert für den dielektrischen, anorganischen Film ist erforderlich, um ein Verformen des optischen Aufzeichnungsträgers zu unterdrücken.
Nachfolgend wird auf die Lage des im Verfahrensbehälter oder Plasma erzeugenden Behälter montierten Substrats gemäß der vorliegenden Erfindung eingegangen. In dem Fall, daß z. B. die in Fig. 2 dargestellte Vorrichtung zum Erzeugung eines Films nach dem CVD-Spirahwellenplasmaverfahren verwendet wird, wie das die Fig. 7A und 7B als Schnitte entlang der Linie B-B zeigen, wird das Substrat vorzugsweise so montiert, daß es in einem Bereich 71 eines Kreises mit dem Radius d/0,5, vorzugsweise d/1,6 um die X-Achse vorhanden ist, wobei d den Durchmesser eines Fensters darstellt, welches an einem gemeinsamen Abschnitt des Plasma erzeugenden Behälters 21 und des Verfahrensbehälters 24 angeordnet ist.
Gemäß diesem Aufbau kann der dielektrische, anorganische Film auf einem Substrat keine ungleichmäßige Dicke haben und wenn auf einer Vielzahl von Substraten die Filme gleichzeitig erzeugt werden, wird gewährleistet, daß aufgrund der gleichmäßigen Dicke der dielektrischen, anorganischen Filme im Los der optische Aufzeichnungsträger eine gleichmäßig gute Qualität aufweist.
Nachfolgend wird auf das Gas eingegangen, welches zur Erzeugung der dielektrischen, anorganischen Filme für den optischen Aufzeichnungsträger nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. Im Falle der Herstellung von Halbleiterfilmen auf Si-Grundlage, wie z. B. a- Si und SiC, als dielektrische, anorganische Filme gehören zu den Rohgasen, welche Si enthalten, anorganische Silane wie SiH&sub4; und SiH&sub6;, organische Silane wie Tetraäthylsilan, Tetramethylsilan und Dimethylsilan, Halosilane wie SiF&sub4;, Si&sub2;F&sub6;, SiHF&sub3;, SiH&sub2;F&sub2;, SiCl&sub4;, Si&sub2;Cl&sub6;, SiHCl&sub3;, SiH&sub2;Cl&sub2;, SiH&sub3;Cl uns SiCl&sub2;F&sub2;, welche bei gewöhnlicher Temperatur sich im gasförmigen Zustand befinden oder leicht in den gasförmigen Zustand gebracht werden können. Diese können einzeln oder in einer Kombination verwendet werden.
Im Falle der Herstellung eines Si-Verbundfilms aus SiNx, SiO, SiO&sub2; oder einem ähnlichen Material als dielektrischen, anorganischen Film werden ein Rohgas, welches ein Si-Atom enthält, und ein Reaktivgas entsprechend verwendet. Beispiele für Rohgase sind anorganische Silane wie SiH&sub4; und SiH&sub6;, organische Silane wie Tetraäthoxysilan, Tetramethoxysilan und Oktamethylzyklotetrasilan, Halosilane wie SiF&sub4;, Si&sub2;F&sub6;, SiHF&sub3;, SiH&sub2;F&sub2;, SiCl&sub4;, Si&sub2;Cl&sub6;, SiHCl&sub3;, SiH&sub2;Cl&sub2;, SiH&sub3;Cl und SiCl&sub2;F&sub2;, welche bei gewöhnlichen Temperaturen sich im gasförmigen Zustand befinden oder leicht in den gasförmigen Zustand gebracht werden können. Beispiele für Reaktivgase sind NH&sub3;, N2114, Hexamethyldisilizan, O&sub2;, O&sub3;, H&sub2;O, NO, N&sub2;O und NO&sub2;.
Im Falle der Herstellung eines metallischen Verbunddünnfilms aus AlN, Al&sub2;O&sub3;, TiO&sub2;, Ta&sub2;O&sub5; oder einem ähnlichen Material als dielektrischen, anorganischen Film werden ein Rohgas, welches ein Metallatom enthält, und ein Reaktivgas entsprechend verwendet. Beispiele für Rohgase sind organische Metalle wie Trimethylaluminium, Triäthylaluminium, Triisobutylaluminium und ein Dimethylaluminiumhalogenid, Halogenmetalle wie AlCl&sub3;, TiCl&sub3; und TaCl&sub5;. Beispiele für Reaktivgase sind O&sub2;, O&sub3;, H&sub2;O, NO, N&sub2;O, NO&sub2;, N&sub2;, NW, N&sub2;H&sub4; und Hexamethyldisilizan.
In dem Fall, daß die beiden Arten von Gasen, d. h. das Rohgas und das Reaktivgas, zur Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films wie oben beschrieben verwendet werden, wird die Verwendung der Zweikammervorrichtung mit dem Plasma erzeugenden Behälter 21 und dem Verfahrensbehälter 24 gemäß Fig. 2 bevorzugt, wobei das Reaktivgas und das Rohgas in die beiden unterschiedlichen Behälter eingeleitet werden. Wenn das Reaktivgas über die Gaseinleitungsvorrichtung 25 in den Plasma erzeugenden Behälter und das Rohgas über die Gaseinleitungsvorrichtung 26 in den Verfahrensbehälter 24 eingeleitet werden, kann die Dichte des Plasmas in der Nähe des Substrats 10 erhöht werden, so daß der dielektrische, anorganische Film, durch welchen der qualitativ hochwertige Aufzeichnungsträget bereitgestellt wird, sehr effektiv hergestellt werden.
Wie die Fig. 6A und 6B zeigen, können am Außenumfang des Verfahrensbehälters 24 Permanentmagnete 61 so angeordnet werden, daß der N-Pol und der S-Pol sich abwechseln und daß die Permanentmagnete mit dem gleichen Pol sich in Richtung der X- Achse erstrecken. Weil in diesem Fall ein ausgezeichneter Aufzeichnungsschichtschutz und eine geringe Innenspannung als bevorzugte Eigenschaften des dielektrischen, anorganischen Films für den optischen Aufzeichnungsträger erhalten werden, wird ein Ablagern des dielektrischen, anorganischen Films auf der Innenwand des Verfahrensbehälters 24 verhindert, wodurch der Filmerzeugungsvorgang sehr effektiv wird.
In diesem Fall ist die Stärke der Permanentmagnete vorzugsweise 0,02 bis 0,1 Tesla (200 bis 1000 Gauß), besser noch 0,07 bis 0,09 Tesla (700 bis 900 Gauß), am besten aber etwa 0,08 Tesla (800 Gauß).
Als nächstes wird auf die Bedingungen zur Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films für den optischen Aufzeichnungsträger bei Verwendung der genannten CVD-Spiralwellenplasmavorrichtung näher eingegangen. Die Leistung des von der Hochspannungsquelle in die Antenne eingespeisten Hochlei stungsstroms liegt vorzugsweise im Bereich von 0,5 bis 5 kW, besser noch im Bereich von 1 bis 3 kW. Bei Erzeugung des Films wird der Gesamtdruck des Rohgases, des Reaktivgases oder eines Gemisches aus diesen Gasen im Plasma erzeugenden Behälter und/oder im Verfahrensbehälter auf vorzugsweise 0,1 bis 2 pa, besser noch auf 0,5 bis 1,0 pa eingestellt.
Bei der Herstellung des optischen Aufzeichnungsträgers gemäß der vorliegenden Erfindung gibt es lediglich für den Schritt der Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren als charakteristische Forderung der vorliegenden Erfindung Beschränkungen. So ist z. B. die Gestaltung des Schrittes zur Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films und die des Schrittes zur Herstellung des optischen Aufzeichnungsfilms nicht auf die Gestaltung des in Fig. 1 dargestellten in-line-Verfahrens beschränkt, so daß die Filmherstellung in Übereinstimmung mit dem Aufbau des gewünschten optischen Aufzeichnungsträgers schrittweise durchgeführt werden kann.
Bei der Herstellung des Aufzeichnungsfilms kann ein bekanntes Filmherstellungsverfahren, welches sich für die Eigenschaften des Filmmaterials eignet, angewendet werden. Ein solches Verfahren ist z. B. das Bedampfen, das Sprühen, das Naßbeschichten oder ein ähnliches Verfahren.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann jeder optische Aufzeichnungsfilm ohne besondere Beschränkung verwendet werden, sofern dieser in der Lage ist, Informationen durch Bestrahlung mit einem Lichtstrahl aufzuzeichnen und wiederzugeben. So gibt es z. B. den Aufzeichnungsfilm, welcher ein Chalgogenidelement wie Te enthält, und den magnetischen, optischen Aufzeichnungsfilm, welcher einen amorphen magnetischen Film hat, der Seltenerdmetalle und/oder Umwandlungsmetalle wie Tb-Fe-Co, Gd-Fe-Co, Tb- Fe-Co-Cr oder Gd-Fe-Co-Cr enthält, oder ein Laminat aus solchen amorphen, magnetischen Filmen ist, aber diese sind sehr korrosiv. Demzufolge wird vom dielektrischen, anorganischen Film gefordert, daß er einen besonders guten Aufzeichnungsschichtschutz aufweist. Die Anwendung der vorliegenden Erfindung auf diese optisch-magnetischen Aufzeichnungsfilme besteht vorzugsweise darin, daß die Wirkung des Verfahrens zur Herstellung des optischen Aufzeichnungsträgers effektiver genutzt werden kann.
Beim optischen Aufzeichnungsträger gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Dicke des dielektrischen, anorganischen Films vom Material und Aufbau der Aufzeichnungsschicht und von den Eigenschaften des dielektrischen, anorganischen Films abhängig. So liegt z. B. bei dem in den Fig. 4A und 4B gezeigten Konstruktionen, bei welcher der optische, magnetische Aufzeichnungsfilm zwischen den beiden dielektrischen, anorganischen Filmen eingebettet ist, die Dicke des zwischen dem Substrat und dem optischen, magnetischen Aufzeichnungsfilm vorhandenen dielektrischen, anorganischen Films vorzugsweise im Bereich von 100 bis 1500 Å und die des dielektrischen, anorganischen Films auf dem optischen, magnetischen Aufzeichnungsfilm vorzugsweise im Bereich von 100 bis 1000 Å.
Falls es sich erforderlich macht, kann auf der Aufzeichnungsschicht, auf dem dielektrischen, anorganischen Film oder auf der Reflexionsschicht des optischen Aufzeichnungsträgers, welcher gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, eine Schutzschicht erzeugt werden.
Die Erzeugung der Schutzschicht kann in diesem Fall z. B. durch Aufbringen eines fotoaushärtenden Harzes auf die Aufzeichnungsschicht erfolgen, so daß die Schutzschicht eine vorbestimmte Dicke (z. B. 10 bis 30 um) haben kann, und danach wird das Harz durch Bestrahlung mit Licht ausgehärtet, oder sie erfolgt durch Aufkleben einer vorher hergestellten Harzfolie (Polykarbonat- oder Polyesterharz) mit vorbestimmter Dicke auf die Aufzeichnungsschicht, den dielektrischen, anorganischen Film oder die Reflexionsschicht mit einem geeigneten Kleber oder ähnlichen Material. Die Verwendung der vorher hergestellten Harzfolie vorbestimmter Dicke als Schutzschicht wird bevorzugt, weil ein Verformen des optischen Aufzeichnungsträgers durch die innere Spannung, welche die Schutzschicht hat, verhindert wird.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann als Substrat für den optischen Aufzeichnungsträger jedes gewöhnliche Substrat verwendet werden. Zu diesen Substraten gehören solche, welche Glas, Polykarbonatharz auf Bisphenolbasis, andere modifizierte Polykarbonatharze, Akrylharze und amorphe Polyolefinharze aufweisen.
Wie bereits erwähnt, können gemäß der vorliegenden Erfindung nachfolgende funktionelle Effekte erzielt werden.
Die Aufzeichnungsschichtschutzwirkung eines dielektrischen, anorganischen Films kann im Bereich der Spannung, welche der dielektrische, anorganische Film für den optischen Aufzeichnungsträger aufweist, merklich verbessert werden, so daß die Herstellung des optischen Aufzeichnungsträgers mit höherer Qualität möglich ist.
Der dielektrische, anorganische Film für den optischen Aufzeichnungsträger, welcher eine geringe Innenspannung und ausgezeichnete Aufzeichnungsschichtschutzfunktion aufweist, kann nach dem CVD-Plasmaverfahren schnell hergestellt werden. Demzufolge ist die Herstellung des optischen Aufzeichnungsträgers höherer Qualität bei geringen Kosten möglich.
Der dielektrische, anorganische Film für den optischen Aufzeichnungsträger, welcher eine geringe Innenspannung und ausgezeichnete Aufzeichnungsschichtschutzfunktion aufweist, kann mit hoher Geschwindigkeit hergestellt werden, ohne daß die Temperatur des Substrats ansteigt. Dadurch kann das Wölben und Verformen des Substrats unterdrückt werden, so daß die Herstellung des optischen Aufzeichnungsträgers mit ausgezeichneter Formstabilität möglich wird.
Im Gegensatz zur Verwendung der CVD-Vorrichtung für ECR-Plasma kann bei Verwendung eines Hochfrequenzstroms mit niedriger Frequenz und einem schwachen Magnetfeld ein qualitativ hochwertiger dielektrischer, anorganischer für den optischen Aufzeichnungsträger hergestellt werden, so daß eine Kostensenkung des qualitativ hochwertigen optischen Aufzeichnungsträger möglich ist.
Nachfolgend wird die vorliegende Erfindung anhand einiger Beispiele näher beschrieben.

Beispiel 1

Das nachfolgende Verfahren wurde angewendet, um eine magnetooptische Scheibe herzustellen, bei welcher ein 950 Å dicker SiNx-Film als erster dielektrischer Film, ein Laminat aus einer amorphen, magnetischen, 100 Å dicken Gd-Fe-Co-Schicht und einer amorphen, magnetischen, 200 Å dicken Tb-Fe-Co-Schicht als Aufzeichnungsschicht, ein 300 Å dicker SiNx-Film als zweite dielektrische Schicht und ein 600 dicker A1-Film als Reflexionsschicht in dieser Reihenfolge auf der Oberfläche einer Substratscheibe mit einem Außendurchmesser von 130 mm, einem Innendurchmesser von 15 mm und einer Dicke von 1,2 mm aufgebracht wurde, wobei das Substrat mit einer Spiralnut mit einer Breite von 0,6 um, einer Teilung von 1,6 um und einer Tiefe von 800 Å auf der Oberfläche versehen und aus einem Polykarbonatharz (Handelsname Yupiron H4000 von der Mitsubishi Gas Chemicals Co., Ltd) hergestellt worden war.
Das heißt, daß zunächst die in Fig. 1 dargestellte Filmerzeugungsvorrichtung vom in-line-Typ vorbereitet wurde.
In der zur Filmerzeugungsvorrichtung gehörenden ersten Kammer 13 und zweiten Kammer 15 zur Herstellung des SiNx-Films wurden CVD-Spiralwellenvorrichtungen gemäß Fig. 2 angeordnet.
Der Plasmaerzeugungsbehälter 21 in jeder hierfür verwendeten CVD-Spiralwellenfilmerzeugungsvorrichtung weist einen Zylinder auf, welcher einen Außendurchmesser von 115 mm, einen Innendurchmesser von 100 mm und eine Länge von 150 mm hat, und dieser Behälter ist an einen zylindrischen Verfahrensbehälter 24 angeschlossen, der vertikal unter dem Behälter 21 angeordnet ist und einen Außendurchmesser von 400 mm, einen Innendurchmesser von 380 mm und eine Länge von 450 mm hat, wobei die Mittelachse beider Behälter übereinstimmen sollte. In diesem Fall betrug der Durchmesser (d) eines Fensters am angeschlossenen Abschnitt 100 mm. Die verwendete Antenne hatte den in Fig. 5A gezeigten Aufbau. Bei dieser Antenne betrug der Radius jedes Schleifenabschnitts 65 mm und der Raum (1) zwischen den Schleifen 150 mm. Eine Spule 23 zum Aufbringen eines Magnetfeldes auf den Plasma erzeugenden Behälter war so konstruiert, daß diese in der Nähe des Mittelachsenabschnitts im Plasma erzeugenden Behälter 21 ein Magnetfeld von 0,01 Tesla (100 Gauß) erzeugt. Während des Filmerzeugungsschrittes war das Scheibensubstrat 10 auf der Substratstützvorrichtung 27 montiert, so daß dieses in einem Kreisbereich mit einem Radius von 62 mm um die Mittelachse des Verfahrensbehälters 24 zu liegen kam.
Als nächstes wurde ein Substrathalter 18, an welchen das Scheibensubstrat 10 angeheftet war, in die Substrateinwerfkammer 11 der Filmerzeugungsvorrichtung vom in-line-Typ mit der oben beschriebenen Kammer zur Erzeugung eines SiN-Films geworfen und das Substrat dann zu einer Entgasungskammer 12 transportiert, in welcher das Entlüften erfolgte. Danach wurde das Substrat in eine erste Kammer zur Erzeugung eines SiNx-Films transportiert, in welcher der erste SiNx-Film entstand.
Was die Bedingungen zur Erzeugung des SiNx-Films betrifft, so wurden der Plasma erzeugende Behälter 21 und der Verfahrensbehälter 24 mittels einer Vakuumpumpe 30 auf 10&supmin;&sup5; Pa evakuiert, worauf dann durch eine Gaseinleitungsvorrichtung 25 Stickstoffgas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 203 SCCM in den Plasma erzeugenden Behälter und durch eine Gaseinleitungsvorrichtung 26 SiH&sub4;-Gas mit einer Strömungsgeschwindigkeit von 306 SCCM in den Verfahrensbehälter eingeleitet wurde. In diesem Fall war der Druck im Plasma erzeugenden Behälter 21 und im Verfahrensbehälter 24 auf 0,7 Pa eingestellt.
Als nächstes wurde die Antenne von einer Hochspannungsquelle mit einem Hochfrequenzstrom mit einer Frequenz von 13,56 MHz und einer Leistung von 2,8 kW gespeist und ein Strom mit 5 A durch die Spule geschickt, um im Plasma erzeugenden Behälter ein Magnetfeld von 100 Gauß und einen SiNx-Film zu erzeugen. Innerhalb von 8 Sekunden entstand ein SiNx-Film mit einer Dicke von 950 Å, wobei die Ablagerungsgeschwindigkeit für den SiNx-Film etwa 7000 Å/min betrug. Die Temperatur des Substrats unmittelbar nach Erzeugung des Films war etwa 50ºC.
Nach Fertigstellung des ersten SiNx-Films wurde das Substrat in eine Kammer zur Erzeugung der Aufzeichnungsschicht transportiert, in welcher durch Hochfrequenzsprühen ein Gd-Fe-Co- Film und ein Tb-Fe-Co-Film entstand.
In diesem Fall wurde als Sprühziel ein Ziel aus einer Gd-Fe- Co-Legierung mit einem Durchmesser von 150 mm und einer Dicke von 6 mm oder ein Ziel aus einer Tb-Fe-Co-Legierung der gleichen Größe verwendet. Zum Hochfrequenzsprühen wurde die Kammer auf 1 · 10&sup5; Pa evakuiert und das Sprühen erfolgte bei einem Ar- Gasdruck von 0,1 Pa und einer Hochfrequenzleistung von 5,6 W/cm².
Nach dem Erzeugen der Aufzeichnungsschicht wurde das Substrat in eine zweite Kammer zur Erzeugung eines SiNx-Films 15 transportiert, in welcher der SiNx-Film unter den gleichen Bedingungen wie bei der Erzeugung des ersten SiNx-Films entstand. Demzufolge betrug die Zeit zum Erzeugen des zweiten SiNx-Films 2 oder 3 Sekunden.
Als nächstes wurde das Substrat in eine Kammer zur Erzeugung des Reflexionsfilms transportiert, in welcher durch Hochfrequenzsprühen der Al-Reflexionsfilm entstand. In diesem Fall wurde als Sprühziel ein Al-Ziel mit einem Durchmesser von 150 mm und einer Dicke von 6 mm verwendet. Zum Durchführen des Hochfrequenzsprühens wurde die Kammer auf 1 · 10&sup5; Pa evakuiert und das Sprühen erfolgte bei einem Ar-Gasdruck von 0,2 bis 0,4 Pa und einer Leistung von 5 bis 7 W/cm².
Danach wurde das Substrat der Filmerzeugungsvorrichtung vom in-line-Typ entnommen und ein Guinmibasiskleber, vorbereitet durch Vermischen von 100 Gewichtsteilen eines Polystyrenpolybutadien-Blockkopolymers (Handelsname Kaliflex TR1107, hergestellt von der Shell Petrochemical Co., Ltd.), 50 Gewichtsteilen eines modifizierten Wurzelharzes und 1 Gewichtsteil eines Stabilisators auf den Al-Reflexionsfilm aufgebracht. Dann wurde ein Film mit einer Dicke von 6 λm, erzeugt durch Aushärten eines UV-Aushärtharzes auf Urethanakrylatbasis, auf die Kle berschicht laminiert, um die optisch-magnetische Scheibe herzustellen.
In Übereinstimmung mit diesem Verfahren wurden insgesamt 10 magnetooptische Scheiben hergestellt. Bei den auf diese Weise erhaltenen magnetooptischen Scheiben wurden in einem ersten Stadium und nach einer Standzeit von 1500 Stunden bei 80ºC und RH von 85% das C/N-Verhältnis und das Fehlererscheinungsverhältnis (Bitfehlerrate, BFR) gemessen und bewertet.
In diesem Fall wurden das C/N-Verhältnis und die BFR durch Befestigen der optisch-magnetischen Scheibe auf einer Vorrichtung zum Prüfen der Aufzeichen/Wiedergabefähigkeit der magnetooptischen Scheibe (Handelsname LN52A, hergestellt von der Sibasoku Co., Ltd.) gemessen und dann das Aufzeichnen und die Wiedergabe von Informationen durchgeführt.
In diesem Fall lagen für das Aufzeichnen und die Wiedergabe folgende Bedingungen vor:
Lineargeschwindigkeit: 9,04 m/s
Aufzeichnungsfrequenz: 6 MHz
Aufzeichnungsleistung: 10 mW
Wiedergabeleistung: 1 mW
Wellenlänge des Aufzeichnungs/Wiedergabelichtes 830 nm.
Bei den so vorbereiteten magnetooptischen Scheiben wurde der Neigungswinkel mittels einer Neigungswinkelmeßeinheit (Handelsname LM-100, hergestellt von der Ono Sokki Co., Ltd.) gemessen. Von den Meßwerten der 10 Scheiben wurden Durchschnittswerte für das C/N-Verhältnis, die BFR und den Neigungswinkel gebildet.
Die Meßergebnisse zeigt Tabelle 1. In Tabelle 1 wurde das C/N- Verhältnis auf folgender Grundlage bewertet: A = der Fall, bei dem die Differenz zwischen den Verhältnissen vor und nach dem Dauertest weniger als 3 dB betrug, B = der Fall, bei dem sie im Bereich 3 bis 8 dB lag und C = der Fall, bei dem sie über 8 dE lag.
Die BFR wurde auf folgender Grundlage bewertet: A = der Fall, bei dem der Wert nach dem Dauertest von gleicher Größenordnung war wie der Ausgangswert, B = der Fall, bei dem er um eine Größe unter dem Ausgangswert lag und C = der Fall, bei dem er um zwei Größen unter dem Ausgangswert lag.
Der Neigungswinkel wurde auf folgender Grundlage bewertet: A = der Fall, bei dem der gemessene Winkel 5 mrad oder weniger betrug, B = der Fall, bei dem er über 5 mrad lag.
Für den ersten nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren hergestellten SiNx-Film wurden Spannung und Brechungsindex wie folgt gemessen.
Zum Spannungsmessen wurde der SiNx-Film auf einem Glassubstrat mit einem Durchmesser von 30 mm und einer Dicke von 1,0 mm unter den gleichen Bedingungen wie oben erwähnt hergestellt und die Verformung dieses Substrats hinsichtlich der Anzahl Newtonscher Ringe mittels eines Interferometers untersucht. Wenn die Anzahl der Newtonsche Ringe mit m angenommen wird, kann der Krümmungsradius r des Substrats aus Gleichung (1) erhalten werden.
R = a²/mλ ......................(1)
In dieser Gleichung ist a der Substratradius und λ die Wellenlänge der im Interferometer verwendeten Lichtquelle.
Außerdem kann durch Einsetzen des Wertes r in die Gleichung (2) die Spannung σ des ersten SiNx-Films erhalten werden.
σ = Eb²/6(1- )rd ...............(2).
In dieser Gleichung ist
E der Elastizitätsmodul des Substrats
die Poissonsche Zahl des Substrats
r der Krümmungsradius des Substrats
d die Dicke des SiNx-Films und
b die Substratdicke
Der Brechungsindex des ersten SiNx-Films wurde aus dem Reflexionsvermögen der Spektraleigenschaften der Probe, nach welchen der Film auf dem Glassubstrat erzeugt worden war, berechnet. Das heißt, für die eine Probe wurde das Reflexionsvermögen an 10 Wahlpunkten gemessen und der Brechungsindex aus diesen Reflexionsvermögen berechnet, wobei der Durchschnitt dieser Brechungsindizes als Brechungsindex dieser Probe angesehen wurde. Tabelle 1 zeigt die Minimal- und Maximalwerte der Spannungsdaten und den Brechungsindex der 10 Proben, welche unter den gleichen Bedingungen vorbereitet worden waren.
Um die Dickenungleichmäßigkeiten des nach dem CVD-Spiralwellenplasmaverfahren hergestellten SiNx-Films zu messen, wurden 10 Glasscheiben mit einem Durchmesser von 130 mm und einer Dicke von 1,2 mm vorbereitet und auf dem ersten Film jeder Scheibe wurde nach dem gleichen CVD-Spiralwellenplasmaverfahren ein SiNx-Film mit einer Dicke von 2000 Å erzeugt. Danach wurde die Dicke des SiNx-Films an 8 Wahlpunkten in einem Bereich (welcher dem Aufzeichnungsbereich der optisch-magnetischen Scheibe entspricht) zwischen einem Kreis mit Radius 30 mm und einem weiteren Kreis mit Radius 60 mm auf dieser Scheibe gemessen. Die Bewertung wurde auf folgender Grundlage vorgenommen: AA = der Fall, bei welchem alle Werte der Filmdicke an allen Meßpunkten auf jeder Scheibe bei ±2,5% oder weniger bezüglich einer Standarddicke betrugen, A = der Fall, bei welchem sie mehr als ±2,5%, aber nicht mehr als ±3% betrugen, B = der Fall, bei welchem sie mehr als ±3%, aber nicht mehr als ±5% betrugen, und C = der Fall, bei welchem sie mehr als ±5% betrugen.
Außerdem wurden Scheibensubstrate mit einem Durchmesser von 130 mm und einer Dicke von 1,2 mm aus einem Polykarbonatharz (Handelsname Yupiron H4000, hergestellt von der Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) gefertigt und auf jedem Substrat wurde nach dem gleichen CVD-Spiralwellenplasmaverfahren ein SiNx- Film mit einer Dicke von 950 Å erzeugt. Während der Filmerzeugung wurden mittels eines an der Rückseite des Substrats angebrachten Thermoelementes die Temperatur jedes Substrats gemessen. Die erzielten Ergebnisse zeigt Tabelle 1.

Vergleichsbeispiel 1

Es wurde das gleiche Verfahren wie beim Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß die verwendeten Filmerzeugungsvorichtungen 13 und 15 für den ersten und den zweiten SiNx-Film durch die in Fig. 8 gezeigten CVD-Filmerzeugungsvorrichtungen zur Erzeugung eines Elektronenstrahlzyklotronresonanzplasmas (ECR), welche mit einer Vorrichtung 81 zum Einleiten einer Mikrowelle in eine Kammer und einer Spule 83 zur Erzeugung der Elektronenzyklotronresonanz in der Kammer ausgerüstet waren, ersetzt wurden, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten.
Bei diesem Vergleichsbeispiel wurde bezüglich der Bedingungen für die Erzeugung der SiNx-Films die Innenspannung des SiNx- Films auf einen Spannungsbereich (0 bis -30 kg/mm²) eingestellt, welcher ein dielektrischer, anorganischer Film für die optisch-magnetische Scheibe tolerieren kann. Genauer ausgedrückt, die Mikrowelle mit einer Frequenz von 2,45 GHz wurde über eine Wellenleitung 81 in den Plasma erzeugenden Behälter 82 eingeleitet und ein Magnetfeld (875 Gauß), welches den Bedingungen für die Elektronenzyklotronresonanz genügt, wurde dann im Behälter mittels einer außen am Behälter angeordneten Spule 83 erzeugt. In diesem Fall betrug die Mikrowellenleistung 500 W und SiH&sub4; und N&sub2; wurden mit Gasströmungsgeschwindigkeiten von 10 bzw. 30 SCCM zugeführt, wobei der Gasdruck im Plasma erzeugenden Behälter 82 und im Verfahrensbehälter 84 auf 1,0 Pa eingestellt war. Der Plasma erzeugende Behälter 82, der Verfahrensbehälter 84 und das Substrat waren wie beim Beispiel 1 angeordnet. Die Innenspannung des auf diese Weise erzeugten SiNx-Films betrug -30 kg/mm² oder weniger.
Bei der auf diese Weise vorbereiteten magnetooptischen Scheibe erfolgte die Bewertung wie im Beispiel 1. Wenn die Scheibe bei hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit gelagert wurde, konnte eine wesentliche Verminderung des C/N-Verhältnisses und ein starker Anstieg des BFR beobachtet werden, wie Tabelle 1 zeigt.

Vergleichsbeispiel 2

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Vergleichsbeispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß der Gasdruck als eine Filmerzeugungsbedingung im Vergleichsbeispiel 1 auf 0,2 Pa eingestellt war, um die Plasmadichte mit der Absicht zu erhöhen, einen kondensierten SiNx-Film mit hoher Schutzfunktion zu erhalten, damit eine magnetooptische Scheibe entsteht. Die magnetooptische Scheibe wurde auf gleiche Weise wie beim Beispiel 1 bewertet.
Außerdem wurde auch die Spannung des SiNx-Films, welcher unter den Bedingungen des Vergleichsbeispiels erzeugt worden war, auf gleiche Weise wie beim Beispiel 1 gemessen. Wie aus den in Tabelle 1 gezeigten Ergebnissen zu erkennen ist, waren die Werte des C/N-Verhältnisses und der BFR hoch und auch nach Durchführung des Dauertests ausgezeichnet. Die Innenspannung des SiNx-Films war jedoch hoch, so daß der Neigungswinkel nach Durchführung des Dauertests bei über 5 mrad als Standardwert lag. Tabelle 1

Beispiel 2

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß die Aufzeichnungsschicht, welche im Beispiel 1 ein Laminat aus einem GD-Fe-Co-Film und einem Tb-Fe-Co-Film aufwies, gegen einen durch Magnetronsprühverfahren erzeugten Aufzeichnungsfilm, welcher einen Tb-Fe-Co-Film aufwies, ausgetauscht wurde, um die magnetooptische Scheibe herzustellen.
Diese magnetooptische Scheibe hatte etwa die gleichen Eigenschaften wie die des Beispiels 1.

Beispiel 3

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß das Material für den ersten und den zweiten dielektrischen, anorganischen Film, SiNx in Beispiel 1, durch SiC ersetzt worden war, um die optischmagnetische Scheibe vorzubereiten, die Bewertung erfolgte jedoch auf gleiche Weise wie im Beispiel 1.
Zur Erzeugung des SiC-Films lagen folgende Bedingungen vor:
Hochfrequenz 13,56
Aufgebrachte Leistung 3 kW
Magnetfeld in Achsrichtung 100 Gauß
Gase Reaktionsgas: C&sub2;H&sub2;
Materialgas: SiH&sub4;
Gasströmungsgeschwindigkeit C&sub2;H&sub2;: 312 SCCM
SiH&sub4;: 96 SCCM
Druck im Behälter 0,7 Pa
Bei dem unter diesen Bedingungen erzeugten SiC-Film wurden die Innenspannung, der Brechungsindex, die Substrattemperatur und die Ungleichmäßigkeit der Filmdicke gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet.
Die Ergebnisse zeigt Tabelle 2.

Vergleichsbeispiel 3

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 3 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß die im Beispiel 3 verwendeten Vorrichtungen 13 und 15 zur Erzeugung des ersten und des zweiten SiC-Films durch die in Fig. 8 gezeigten CVD-Filmerzeugungsvorrichtungen für Elektronenstrahlzyklotronresonanzplasma ersetzt worden waren, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten.
Was die Bedingungen für die SiC-Filmerzeugung bei diesem Vergleichsbeispiel betrifft, wurde die Innenspannung des SiC- Films auf einen Spannungsbereich. (0 bis -30 kg/mm²) festgelegt, welchen ein dielektrischer, anorganischer Film für die magnetooptische Scheibe tolerieren kann. Genauer ausgedrückt, die Mikrowelle mit einer Frequenz von 2,45 GHz wurde durch einen Wellenleiter 81 in den Plasma erzeugenden Behälter 82 eingeleitet und ein Magnetfeld von 0,0875 Tesla (875 Gauß), welche den Bedingungen für die Elektronenzyklotronresonanz genügte, wurde dann im Behälter durch eine am Behälter angeordnete Spule 82 erzeugt. In diesem Fall wurde eine Mikrowellenleistung von 500 W verwendet und das SiH&sub4; und N&sub2; wurden bei Gasströmungsgeschwindigkeitn von 10 bzw. 15 SCCM eingeleitet, wobei der Gasdruck im Plasma erzeugenden Behälter 82 und im Verfahrensbehälter 83 auf 1,5 Pa eingestellt worden war. Anzumerken ist, daß der Plasma erzeugende Behälter 82, der Verfahrensbehälter 83 und das Substrat auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 angeordnet waren. Die Innenspannung des auf diese Weise erzeugten SiC-Films betrug -30 kg/mm² oder weniger.
Bei der auf diese Weise vorbereiteten magnetooptischen Scheibe erfolgte die Bewertung wie im Beispiel 1. Wenn die Scheibe bei hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit gelagert wurde, konnte eine wesentliche Verringerung des C/N-Verhältnisses und ein großer Anstieg der BFR beobachtet werden, wie Tabelle 2 zeigt.

Vergleichsbeispiel 4

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Vergleichsbeispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß der Gasdruck als eine Filmerzeugungsbedingung im Vergleichsbeispiel 3 auf 0,4 eingestellt war, um die Plasmadichte mit der Absicht zu erhöhen, einen kondensierten SiC-Films mit hoher Schutzfunktion zu erhalten und somit die optisch-magnetische Scheibe vorzuberei ten. Die optisch-magnetische Scheibe wurde auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet. Außerdem wurde auch die Spannung des unter den Bedingungen des Vergleichsbeispiels erzeugten SiC-Films auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet. Wie Tabelle 2 zeigt, waren die Werte für das C/N-Verhältnis und die BFR hoch und somit auch nach Durchführung des Dauertests ausgezeichnet. Die Innenspannung des SiC-Films war jedoch hoch, so daß sein Neigungswinkel nach Durchführung des Dauertests über dem Standardwert von 5 mrad lag. Tabelle 2

Beispiel 4

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 3 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß die Aufzeichnungsschicht, welche im Beispiel 3 ein Laminat aus einem Gd-Fe-Co-Film und einem Tb-Fe-Co-Film aufwies, durch einen Aufzeichnungsfilm, welcher einen durch Magnetronsprühen erzeugten Tb-Fe-Co-Film aufwies, ersetzt worden war, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten.
Die Aufzeichnungseigenschaften dieser magnetooptischen Scheibe wurden untersucht. Es wurde festgestellt, daß das gesättigte C/N-Verhältnis im Bereich 48 dB bis 50 dB lag. Diese Eigenschaften entsprachen annähernd denen der magnetooptischen Scheibe im Beispiel 3.

Beispiel 5

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß das. Material für den ersten und den zweiten dielektrischen, anorganischen Film, SiNx im Beispiel 1, durch ein a-Si ersetzt worden war, um die magnetooptische Scheiben vorzubereiten, danach erfolgte das Bewerten.
Für die Erzeugung des a-Si-Films lagen folgende Bedingungen vor:
Hochfrequenz 13,56
Aufgebrachte Leistung 2,8 kW
Magnetfeld in Achsrichtung 100 Gauß
Gase Reaktionsgas: O&sub2;H&sub2;
Materialgas: SiH&sub4;
Gasströmungsgeschwindigkeit SiH&sub4;: 315 SCCM
Druck im Behälter 0,7 Pa.
In diesem Fall wurde das Rohgas durch eine Gaseinleitungsvorrichtung 25 eingeleitet.
Bei dem unter den genannten Bedingungen erzeugten a-Si-Film wurden die Innenspannung, der Brechungsindex, die Ungleichmäßigkeit der Filmdicke und die Substrattemperatur unmittelbar nach der Filmerzeugung gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet.
Die Ergebnisse zeigt Tabelle 3.

Beispiel 6

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß das Material für den ersten und den zweiten dielektrischen, anorganischen Film, SiNx im Beispiel 1, durch SiO&sub2; ersetzt worden war, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten, danach erfolgte das Bewerten.
Für die Erzeugung des SiO&sub2;-Films lagen folgende Bedingungen vor:
Hochfrequenz 13,56 MHz
Aufgebrachte Leistung 2,8 kW
Magnetfeld in Achsrichtung 0,01 Tesla (100 Gauß)
Gase Reaktionsgas: O&sub2;
Materialgas: SiH&sub4;
Gasströmungsgeschwindigkeit O&sub2;: 312 SCCM
SiH&sub4;: 96 SCCM
Druck im Behälter 0,7 Pa.
Bei den unter diesen Bedingungen erzeugten SiO&sub2;-Film wurden die Innenspannung, der Brechungsindex, die Ungleichmäßigkeit der Filmdicke und die Substrattemperatur unmittelbar nach Erzeugung des Films gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet.
Die Ergebnisse zeigt Tabelle 3

Beispiel 7

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß anstelle des im Beispiel 1 verwendeten magnetooptischen Aufzeichnungsfilms ein Aufzeichnungsfilm, welcher eine Sb-Te-Legierung aufwies, durch Magne tonsprühen erzeugt wurde, um eine optische Scheibe vom Phasenänderungstyp vorzubereiten.
Die Eigenschaften dieser optischen Scheibe wurden auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet. Die Ergebnisse zeigt Tabelle 3.
Zum Messen des C/N-Verhältnisses und der BFR der optischen Scheibe wurde bei diesem Beispiel eine Bewertungsvorrichtung mit dem Handelsnamen OMS-2000, hergestellt von der Nakamichi Co., Ltd. verwendet.

Bezugsbeispiel 1

Es wurde das gleiche Verfahren wie beim Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß die im Beispiel 1 verwendeten Vorrichtungen 13 und 15 zur Erzeugung des ersten und des zweiten SiNx-Films durch Hochfrequenzmagnetronsprühvorrichtungen ersetzt worden waren, um eine optisch-magnetische Scheibe vorzubereiten.
Wie Fig. 9 zeigt, weist die Magnetronsprühvorrichtung zur Filmerzeugung folgende Elemente auf: eine Filmerzeugungskammer 91, eine leitende Stützplatte 92, welche als Kathode dient, eine Hochfrequenzspannungsquelle 93 zum Aufbringen einer vorbestimmten Sprühleistung auf ein Ziel 95, welches auf der Stützplatte montiert und mit dieser verbunden ist, einen Permanentmagneten 94, einen Substrathalter 96 zum Stützen des Substrats 10, eine Vakuumpumpe 97 und eine Gaseinleitungsvorrichtung 98.
Bei diesem Bezugsbeispiel 1 wurde die Filmerzeugungskammer zunächst auf 1 · 10&sup5; Pa evakuiert und dann das Einleiten von Argongas und Stickstoffgas in die Kammer durchgeführt, so daß der Druck des Gemisches aus Argongas und Stickstoffgas etwa 0,2 Pa betrug (Argon: Stickstoff = 20 : 10 SCCM). Dann wurde durch Reaktivsprühen bei einer Hochfrequenzleistung von 7 W/cm² der SiNx-Film erzeugt. Die auf diese Weise erhaltene optisch-magnetische Scheibe wurde auf gleiche Weise wie beim Beispiel 1 bewertet. Wie Tabelle 3 zeigt, waren das C/N-Verhältnis, die BFR und der Neigungswinkel selbst nach Durchführung des Dauertests ausgezeichnet. Außerdem lagen die Spannung, der Brechungsindex, die Dickenverteilung des SiNx-Films und die Substrattemperatur ebenfalls in einem akzeptablen Bereich. Die Ablagerungsrate des SiNx-Films lag jedoch bei etwa 60 bis 100 Å und das entsprach etwa 1/1000 der Filmablagerungsrate im Falle des CVD-Plasmaverfahrens.

Bezugsbeispiel 2

Um die beim Bezugsbeispiel 1 erzielte Filmerzeugungsrate zu verbessern, wurde zur Erzeugung des Films eine Hochfrequenzleistung von 10 W/cm² verwendet. In diesem Fall konnte oft ein abnormales Entladen verzeichnet werden, so daß es schwierig war, einen qualitativ hochwertigen dielektrischen Film ohne Fehler wie Lunker zu erzeugen.
Außerdem stieg die Temperatur des Substrats im Vergleich zur Ablagerungsrate wesentlich und bei einer Ablagerungsrate von 10 nm/min oder mehr wölbte sich das Substrat um 200 λm und mehr. Aus diesem Grund konnten die für eine optischmagnetische Scheibe notwendigen mechanischen Eigenschaften nicht befriedigen. Tabelle 3

Beispiel 8

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß der Durchmesser des Fensters am gemeinsamen Abschnitt des Plasma erzeugenden Behälters 21 und des Verfahrensbehälters 24 auf 70 mm eingestellt worden war, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten, danach erfolgte das Bewerten.
Bei dem nach diesem Verfahren erzeugten SiNx-Film wurden die Spannung, der Brechungsindex, die Filmerzeugungsrate, die Filmdickenungleichmäßigkeit und die Substrattemperatur gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet. Die Ergebnisse zeigt Tabelle 4.

Beispiel 9

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß der Raum zwischen den Schleifen einer Antenne 22 auf 80 mm eingestellt worden war, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten, danach erfolgte das Bewerten.
Bei dem nach diesem Verfahren erzeugten SiNx-Film wurden die Spannung, der Brechungsindex, die Filmerzeugungsrate, die Filmdickenungleichmäßigkeit und die Substrattemperatur unmittelbar nach Erzeugung des Films gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet. Die Ergebnisse zeigt Tabelle 4.

Beispiel 10

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 1 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß das im Beispiel 1 verwendete Substrat 10 durch ein Substrat für eine optische 3,5"-Scheibe mit einem Außendurchmesser von 86 mm, einem Innendurchmesser von 15 mm und einer Dicke von 1,2 mm, hergestellt aus einem Polykarbonatharz (Handelsname Yupiron H4000 von der Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) ersetzt worden war, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten, danach erfolgte das Bewerten.
Bei dem nach diesem Verfahren erzeugten SiNx-Film wurden die Spannung, der Brechungsindex, die Filmerzeugungsrate, die Filmdickenungleichmäßigkeit und die Substrattemperatur gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 1 bewertet. Die Ergebnisse zeigt Tabelle 4.

Beispiel 11

Es wurde das gleiche Verfahren wie im Beispiel 3 durchgeführt, jedoch mit der Ausnahme, daß das im Beispiel 3 verwendete Substrat 10 durch ein Substrat für eine optische 3,5"-Scheibe mit einem Außendurchmesser von 86 mm, einem Innendurchmesser von 15 mm und einer Dicke von 1,2 mm, hergestellt aus einem Polykarbonatharz (Handelsname Yupiron H4000 von der Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) ersetzt worden war, um die magnetooptische Scheibe vorzubereiten, danach erfolgte das Bewerten.
Bei dem nach diesem Verfahren erzeugten SiNx-Film wurden die Spannung, der Brechungsindex, die Filmerzeugungsrate, die Filmdickenungleichmäßigkeit und die Substrattemperatur gemessen und auf gleiche Weise wie im Beispiel 3 bewertet. Die Ergebnisse zeigt Tabelle 4. Tabelle 4

Claims

1. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers, welches ein Substrat (10) und ein Laminat aus einem Aufzeichnungsfilm (41) und mindestens einen darauf vorhandenen dielektrischen, anorganischen Film (42) aufweist,

wobei das Verfahren den Schritt zur Herstellung des dielektrischen, anorganischen Films (42) nach dem CVD-Plasmaverfahren aufweist und

das Verfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß als CVD-Plasmaverfahren das CVD-Spiralwellenplasmaverfahren angewendet wird.

2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei das CVD-Spiralwellenplasmaverfahren folgende Schritte aufweist:

Einbringen des Substrats (10) in den Verfahrensbehälter (24) auf eine solche Weise, daß die Oberfläche des Substrats (10) eine Achse im rechten Winkel schneidet, wobei die Verfahrenskammer (24) neben dem Plasma erzeugenden Behälter angeordnet ist;

Einleiten von mindestes einem Reaktionsgas oder Rohgas in den Plasma erzeugenden Behälter (21) und

Erzeugung eines elektrischen Hochfrequenzfeldes und eines Magnetfeldes entlang der genannten Achse im Plasma erzeugenden Behälter (21) um das Gas im Plasma erzeugenden Behälter (21) in ein Plasma umzuwandeln.

3. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das elektrische Hochfrequenzfeld durch eine um den Plasma erzeugenden Behälter (21) angeordnete Antenne (22) erzeugt wird.

4. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Frequenz des elektrischen Hochfrequenzfeldes im Bereich 10 bis 30 MHz liegt.

5. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Stärke (G) des Magnetfeldes im Bereich 0< G≤0,05 Tesla (0< G≤500 Gauß) im Mittelabschnitt des Plasma erzeugenden Behälters (21) liegt.

6. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Stärke (G) des Magnetfeldes im Bereich 0< G≤0,04 Tesla (0< G≤200 Gauß) im Mittelabschnitt des Plasma erzeugenden Behälters (21) liegt.

7. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei die Stärke (G) des Magnetfeldes im Bereich 0,001< G0,01 Tesla (10< G≤100 Gauß) im Mittelabschnitt des Plasma erzeugenden Behälters (21) liegt.

8. Verfahren gemäß Anspruch 2, wobei das Magnetfeld von einer um den Plasma erzeugenden Behälter (21) angeordneten Spule (23) erzeugt wird.

9. Verfahren gemäß Anspruch 3, wobei die Antenne (22) aus separaten Schleifen, welche den Plasma erzeugenden Behälter umgeben, aufgebaut ist.

10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei der Raum zwischen den Schleifen der Antenne (22) im Bereich 100 bis 500 mm liegt.

11. Verfahren gemäß Anspruch 10, wobei der Raum zwischen den Schleifen der Antenne (22) im Bereich 100 bis 250 mm liegt.

12. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei der Hochfrequenzstrom in zueinander umgekehrten Richtungen durch die Schleifen fließen muß.

13. Verfahren gemäß einem der vorgehenden Ansprüche, wobei der dielektrische, anorganische Film (42) ein Halbleiterfilm auf Si-Basis ist.

14. Verfahren gemäß Anspruch 13, wobei der dielektrische, anorganische Film (42), welcher einen Halbleiter auf Si-Basis enthält, durch Verwendung von mindestens einem Rohgas erzeugt wird, dessen Auswahl aus der Gruppe von anorganischen Silanen, organischen Silanen und Halogensilanen erfolgt.

15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der dielektrische, anorganische Film (42) ein Verbundfilm auf Si- Basis ist.

16. Verfahren gemäß Anspruch 15, wobei der dielektrische, anorganische Film (42), welcher den Halbleiter auf Si-Basis enthält, durch Verwendung von mindestens einem Rohgas, dessen Auswahl aus der Gruppe von anorganischen Silanen, organischen Silanen und Halogensilanen erfolgt, und einem Reaktionsgas erzeugt wird.

17. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei der dielektrische, anorganische Film (42) ein metallischer Verbundfilm ist.

18. Verfahren gemäß Anspruch 17, wobei der dielektrische, anorganische Film (42), welcher eine metallische Verbindung enthält, durch Verwendung von mindestens einem Rohgas, dessen Auswahl aus der Gruppe von organischen Metallen und halogenierten Metallen erfolgt, und einem Reaktionsgas erzeugt wird.

19. Verfahren gemäß einem der von Anspruch 2 abhängigen Ansprüche, wobei das Reaktionsgas in den Plasma erzeugenden Be hälter (21) und das Rohgas in den Verfahrensbehälter (24) eingeleitet wird.

20. Verfahren gemäß einem der von Anspruch 2 abhängigen Ansprüche, wobei die Erzeugung des Films durch Erzeugung eines Magnetfeldes in der Nähe der Innenwand des Verfahrensbehälters (24) erfolgt.

21. Verfahren gemäß Anspruch 20, wobei das Magnetfeld von Permanentmagneten (61) erzeugt wird, welche auf der Außenwand des Verfahrensbehälters (24) angeordnet sind.

22. Verfahren gemäß Anspruch 21, wobei die Magneten (61) so angeordnet sind, daß gleiche Pole sich in Richtung der Achse des Verfahrensbehälters (24) erstrecken und daß unterschiedliche Pole sich entlang der Peripherie des Verfahrensbehälters (24) abwechseln.

23. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22, wobei der Aufzeichnungsfilm (41) mindestens ein Seltenerdelement oder ein Umwandlungsmetall enthält.

24. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 23, wobei der Aufzeichnungsfilm (41) mindestens einen amorphen, magnetischen Aufzeichnungsfilm aufweist, welcher ein Seltenerdelement und ein Umwandlungsmetall enthält.

25. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 24, wobei der Aufzeichnungsfilm (41) ein Laminat aus mehreren amorphen, magnetischen Filmen ist.

26. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß einem der Ansprüche 1 bis 22, wobei der Aufzeichnungsfilm (41) ein Chalkogenidelement enthält.

27. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß einem der Vorgehenden Ansprüche, wobei der Träger eine Reflexionsschicht (44) einschließt.

28. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 1, wobei das Laminat in folgender Reihenfolge einen dielektrischen, anorganischen Film (42), den Aufzeichnungsfilm (41) und einen weiteren dielektrischen, anorganischen Film (43) aufweist.

29. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 1, wobei das Laminat in folgender Reihenfolge einen dielektrischen, anorganischen Film (42), den Aufzeichnungsfilm (41), einen weiteren dielektrischen, anorganischen Film (43) und eine Reflexionsschicht (44) aufweist.

30. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 28 oder 29, wobei der dielektrische, anorganische Film (42) zwischen dem Substrat und dem Aufzeichnungsfilm (43) eine Dicke zwischen 10 und 150 nm (100 bis 1500 Å) hat.

31. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 27 oder 28, wobei der dielektrische, anorganische Film (44) auf dem Aufzeichnungsfilm (43) eine Dicke zwischen 10 und 100 nm (100 bis 1000 Å) hat.

32. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß einem der Ansprüche 1 und 27 bis 29, wobei das Verfahren außerdem den Schritt zur Erzeugung einer Schutzschicht auf dem Laminat aufweist.

33. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 32, wobei der Schritt zur Erzeugung der Schutzschicht das Aufbringen eines fotoempfindlichen Harzes auf das Laminat zwecks Erreichens einer vorbestimmten Dicke der Schutzschicht und das Aushärten des auf das Laminat aufgebrachten fotoempfindlichen Harzes einschließt.

34. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß Anspruch 32, wobei der Schritt zur Erzeugung der Schutzschicht das Verkleben einer vorher erzeugten Harzfolie mit dem Laminat einschließt.

35. Verfahren zur Herstellung eines optischen Aufzeichnungsträgers gemäß einem der Ansprüche 32 bis 34, wobei die Schutzschicht eine Dicke zwischen 10 und 30 um hat.