JP2808922B2 - ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 - Google Patents
ダイヤモンド状カーボン膜形成方法Info
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- JP2808922B2 JP2808922B2 JP3128773A JP12877391A JP2808922B2 JP 2808922 B2 JP2808922 B2 JP 2808922B2 JP 3128773 A JP3128773 A JP 3128773A JP 12877391 A JP12877391 A JP 12877391A JP 2808922 B2 JP2808922 B2 JP 2808922B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、たとえば磁気ディス
ク，磁気ヘッド，及び光学部品等の保護膜として用いら
れる硬質カーボン膜を形成する方法に関し、特に、ＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロ
ン共鳴）プラズマＣＶＤ法により硬質カーボン膜を形成
する技術に関する。
ク，磁気ヘッド，及び光学部品等の保護膜として用いら
れる硬質カーボン膜を形成する方法に関し、特に、ＥＣ
Ｒ（Electron Cyclotron Resonance：電子サイクロトロ
ン共鳴）プラズマＣＶＤ法により硬質カーボン膜を形成
する技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、ＤＬＣ（Diamond Like Carbon
）膜は、硬度，絶縁性，熱伝導性，光透過性，及び化
学的安定性等の点においてダイヤモンドに似た優れた性
質を有していることから、最近注目を集めている。この
ＤＬＣ膜の製造には、イオンビーム法，スパッタリング
法，イオンプレーティング法，及びプラズマＣＶＤ法等
の各種の方法が用いられている。
）膜は、硬度，絶縁性，熱伝導性，光透過性，及び化
学的安定性等の点においてダイヤモンドに似た優れた性
質を有していることから、最近注目を集めている。この
ＤＬＣ膜の製造には、イオンビーム法，スパッタリング
法，イオンプレーティング法，及びプラズマＣＶＤ法等
の各種の方法が用いられている。
【０００３】一方、最近、プラズマＣＶＤ法の一種とし
て、低温で高品質の膜形成が可能なＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ法が開発され、すでに実用に供されている。このＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法では、電子サイクロトロン共鳴を励
起することにより低ガス圧下において高密度のプラズマ
を発生させ、このプラズマ流をＥＣＲイオン源による発
散磁界で引き出し、基板等の試料に照射して成膜を行っ
ている。
て、低温で高品質の膜形成が可能なＥＣＲプラズマＣＶ
Ｄ法が開発され、すでに実用に供されている。このＥＣ
ＲプラズマＣＶＤ法では、電子サイクロトロン共鳴を励
起することにより低ガス圧下において高密度のプラズマ
を発生させ、このプラズマ流をＥＣＲイオン源による発
散磁界で引き出し、基板等の試料に照射して成膜を行っ
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したような形成方
法を用いて基板上にＤＬＣ膜を形成する場合、反応ガス
として従来からメタンガスが用いられているが、その場
合ＤＬＣ膜には、１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 程度の高い圧
縮応力が残留している。このため、ＤＬＣ膜と基板、特
に金属製基板との密着性が悪く、ＤＬＣ膜の生成中に剥
離やクラック等が生じるという問題がある。
法を用いて基板上にＤＬＣ膜を形成する場合、反応ガス
として従来からメタンガスが用いられているが、その場
合ＤＬＣ膜には、１０10ｄｙｎｅ／ｃｍ2 程度の高い圧
縮応力が残留している。このため、ＤＬＣ膜と基板、特
に金属製基板との密着性が悪く、ＤＬＣ膜の生成中に剥
離やクラック等が生じるという問題がある。
【０００５】また、メタンを反応ガスとして基板上にＤ
ＬＣ膜を形成する場合、基板に対する付着速度が低いと
いう問題がある。
ＬＣ膜を形成する場合、基板に対する付着速度が低いと
いう問題がある。
【０００６】さらに、ＥＣＲプラズマＣＶＤ法を用いて
ＤＬＣ膜を形成しようとする場合、成膜条件が非常に重
要となる。特に、プラズマ室内部に導入されるマイクロ
波のパワー，基板に発生する自己バイアス，及び反応圧
力により大きな影響を受ける。これらの条件のうちマイ
クロ波のパワーについては、反応ガスを分解する必要か
らある程度大きくする必要がある。しかし、あまり大き
くしすぎると、たとえば反応ガスとしてメタンガスを用
いた場合には、メタンガスが分解されすぎて大量のＨラ
ジカルが発生し、これが膜中に取り込まれてＤＬＣ膜が
生成されない。また自己バイアスについては、イオンの
加速エネルギーを増加させてやる必要からある程度大き
くする必要がある。しかし、あまり大きくしすぎると膜
がグラファイト化して黒鉛状になる場合がある。さらに
反応圧力については、反応を促進させる必要からある程
度高くする必要があり、低すぎる場合には前記マイクロ
波のパワーが過大な場合と同様な現象が発生して、ＤＬ
Ｃ膜の生成が困難となる。
ＤＬＣ膜を形成しようとする場合、成膜条件が非常に重
要となる。特に、プラズマ室内部に導入されるマイクロ
波のパワー，基板に発生する自己バイアス，及び反応圧
力により大きな影響を受ける。これらの条件のうちマイ
クロ波のパワーについては、反応ガスを分解する必要か
らある程度大きくする必要がある。しかし、あまり大き
くしすぎると、たとえば反応ガスとしてメタンガスを用
いた場合には、メタンガスが分解されすぎて大量のＨラ
ジカルが発生し、これが膜中に取り込まれてＤＬＣ膜が
生成されない。また自己バイアスについては、イオンの
加速エネルギーを増加させてやる必要からある程度大き
くする必要がある。しかし、あまり大きくしすぎると膜
がグラファイト化して黒鉛状になる場合がある。さらに
反応圧力については、反応を促進させる必要からある程
度高くする必要があり、低すぎる場合には前記マイクロ
波のパワーが過大な場合と同様な現象が発生して、ＤＬ
Ｃ膜の生成が困難となる。
【０００７】このように、前記条件（マイクロ波パワ
ー，自己バイアス，反応圧力）いかんによっては基板上
にＤＬＣ膜を生成できず、重合膜やグラファイト膜が生
成する場合がある。
ー，自己バイアス，反応圧力）いかんによっては基板上
にＤＬＣ膜を生成できず、重合膜やグラファイト膜が生
成する場合がある。
【０００８】本発明の目的は、基板との密着度が高く、
付着速度が高く、かつ安定してダイヤモンド状カーボン
膜を形成するための方法を提供することにある。
付着速度が高く、かつ安定してダイヤモンド状カーボン
膜を形成するための方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係るダイヤモン
ド状カーボン膜形成方法は、炭化水素ガスを反応室に導
入して反応室内を所定の圧力とし、プラズマ室の内部に
マイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴によるプ
ラズマを発生させるとともに、反応室内に配置された基
板に所定の高周波電圧を印加し、それにより発生する自
己バイアスによりプラズマ中のイオンを前記基板に照射
して、基板上にダイヤモンドカーボン膜を形成するよう
にした方法である。この方法は、炭化水素ガスとしてベ
ンゼンを用いるとともに反応室内の反応圧力を１×１０
-3Ｔｏｒｒ以上としている。
ド状カーボン膜形成方法は、炭化水素ガスを反応室に導
入して反応室内を所定の圧力とし、プラズマ室の内部に
マイクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴によるプ
ラズマを発生させるとともに、反応室内に配置された基
板に所定の高周波電圧を印加し、それにより発生する自
己バイアスによりプラズマ中のイオンを前記基板に照射
して、基板上にダイヤモンドカーボン膜を形成するよう
にした方法である。この方法は、炭化水素ガスとしてベ
ンゼンを用いるとともに反応室内の反応圧力を１×１０
-3Ｔｏｒｒ以上としている。
【００１０】望ましくは、他の条件として、マイクロ波
パワーを２００Ｗ以下にし、基板に発生する自己バイア
スが−３００Ｖ以下になるように高周波電圧を印加す
る。
パワーを２００Ｗ以下にし、基板に発生する自己バイア
スが−３００Ｖ以下になるように高周波電圧を印加す
る。
【００１１】
【作用】本発明に係るダイヤモンド状カーボン膜形成方
法では、電子サイクロトロン共鳴によるプラズマがプラ
ズマ室内に発生し、このプラズマ流が基板上に照射され
る。このとき、炭化水素としてベンゼンを用いているた
め、従来例のメタンガスを用いたものに比べて、付着速
度は約１０倍速くなり、膜生成後の圧縮応力は約１／１
０に低下している。
法では、電子サイクロトロン共鳴によるプラズマがプラ
ズマ室内に発生し、このプラズマ流が基板上に照射され
る。このとき、炭化水素としてベンゼンを用いているた
め、従来例のメタンガスを用いたものに比べて、付着速
度は約１０倍速くなり、膜生成後の圧縮応力は約１／１
０に低下している。
【００１２】一方、マイクロ波のパワーを２００Ｗ以下
とし、反応圧力を１×１０-3Ｔｏｒｒ以上とすると、ベ
ンゼンの過剰分解によるＨラジカルの大量発生が防止さ
れる。また、基板に発生する自己バイアスが−３００Ｖ
以下になるように高周波電圧を印加すると、膜のグラフ
ァイト化が防止される。
とし、反応圧力を１×１０-3Ｔｏｒｒ以上とすると、ベ
ンゼンの過剰分解によるＨラジカルの大量発生が防止さ
れる。また、基板に発生する自己バイアスが−３００Ｖ
以下になるように高周波電圧を印加すると、膜のグラフ
ァイト化が防止される。
【００１３】
【実施例】まず、本発明の一実施例が適用されるＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置について説明する。図１は、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の断面構成図である。図において、
プラズマ室１は、導入されるマイクロ波（周波数２．４
５ＧＨｚ）に対して空洞共振器となるように構成されて
おり、たとえば直径２０ｃｍ，高さ２０ｃｍの円筒形状
の室である。プラズマ室１には、石英等で構成されたマ
イクロ波導入窓２を介してマイクロ波を導入するための
矩形状断面の導波管３が接続されている。また、プラズ
マ室１の周囲には、プラズマ発生用の磁気回路としての
電磁コイル４ａ，４ｂが配設されている。電磁コイル４
ａ，４ｂによる磁界の強度は、マイクロ波による電子サ
イクロトロン共鳴の条件がプラズマ室１の内部で成立す
るように決定される。この電磁コイル４ａ，４ｂによっ
て、下方に向けて発散する発散磁界が形成される
プラズマＣＶＤ装置について説明する。図１は、ＥＣＲ
プラズマＣＶＤ装置の断面構成図である。図において、
プラズマ室１は、導入されるマイクロ波（周波数２．４
５ＧＨｚ）に対して空洞共振器となるように構成されて
おり、たとえば直径２０ｃｍ，高さ２０ｃｍの円筒形状
の室である。プラズマ室１には、石英等で構成されたマ
イクロ波導入窓２を介してマイクロ波を導入するための
矩形状断面の導波管３が接続されている。また、プラズ
マ室１の周囲には、プラズマ発生用の磁気回路としての
電磁コイル４ａ，４ｂが配設されている。電磁コイル４
ａ，４ｂによる磁界の強度は、マイクロ波による電子サ
イクロトロン共鳴の条件がプラズマ室１の内部で成立す
るように決定される。この電磁コイル４ａ，４ｂによっ
て、下方に向けて発散する発散磁界が形成される
【００１４】プラズマ室１の下方には、反応室５が設け
られている。反応室５の下部には、プラズマ室１から引
き出されたプラズマ流Ｍが照射される基板７が基板ホル
ダ８に保持されている。基板ホルダ８は支軸９に取り付
けられている。また、基板ホルダ８には、支軸９を介し
て高周波電源（たとえば周波数１３．５６ＭＨｚ）１１
が接続されており、これにより基板７に対して所定の高
周波電圧が印加されるようになっている。また、高周波
電源１１は印加する電圧を変えることができるようにな
っている。
られている。反応室５の下部には、プラズマ室１から引
き出されたプラズマ流Ｍが照射される基板７が基板ホル
ダ８に保持されている。基板ホルダ８は支軸９に取り付
けられている。また、基板ホルダ８には、支軸９を介し
て高周波電源（たとえば周波数１３．５６ＭＨｚ）１１
が接続されており、これにより基板７に対して所定の高
周波電圧が印加されるようになっている。また、高周波
電源１１は印加する電圧を変えることができるようにな
っている。
【００１５】また、基板ホルダ８の上方には、開閉自在
なシャッタ１２が設けられている。このシャッタ１２の
開度により、プラズマ流Ｍの基板７への照射を調節し得
るようになっている。また、反応室５の上部側面にはベ
ンゼンガス導入口５ａが形成されている。反応室５の下
部には、排気口５ｂが形成されており、この排気口５ｂ
は図示しない排気系に接続されている。また、反応室５
内の真空圧及び反応圧力は、図示しない真空計により計
測されるようになっている。
なシャッタ１２が設けられている。このシャッタ１２の
開度により、プラズマ流Ｍの基板７への照射を調節し得
るようになっている。また、反応室５の上部側面にはベ
ンゼンガス導入口５ａが形成されている。反応室５の下
部には、排気口５ｂが形成されており、この排気口５ｂ
は図示しない排気系に接続されている。また、反応室５
内の真空圧及び反応圧力は、図示しない真空計により計
測されるようになっている。
【００１６】次に、本装置の作用を説明しながら、ダイ
ヤモンド状カーボン膜の形成方法について説明する。ま
ず、成膜すべき基板７を基板ホルダ８に保持させる。次
に、図示しない排気系によりプラズマ室１及び反応室５
を真空状態にする。そして、ベンゼンガス導入口５ａか
ら反応室５内にベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）ガスを導入する。
続いて、プラズマ室１の周囲に設けられた電磁コイル４
ａ，４ｂに通電してプラズマ室１内の所定位置での磁束
密度が８７５ガウスになるようにする。また、このと
き、基板７には高周波電圧を印加しない。この状態から
導波管３を介して周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
プラズマ室１に導入し、プラズマ室１内にプラズマを発
生させる。このときのマイクロ波のパワーは２００Ｗ以
下になるようにする。
ヤモンド状カーボン膜の形成方法について説明する。ま
ず、成膜すべき基板７を基板ホルダ８に保持させる。次
に、図示しない排気系によりプラズマ室１及び反応室５
を真空状態にする。そして、ベンゼンガス導入口５ａか
ら反応室５内にベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）ガスを導入する。
続いて、プラズマ室１の周囲に設けられた電磁コイル４
ａ，４ｂに通電してプラズマ室１内の所定位置での磁束
密度が８７５ガウスになるようにする。また、このと
き、基板７には高周波電圧を印加しない。この状態から
導波管３を介して周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波を
プラズマ室１に導入し、プラズマ室１内にプラズマを発
生させる。このときのマイクロ波のパワーは２００Ｗ以
下になるようにする。
【００１７】このような条件により、プラズマ室１内に
おいては、８７５ガウスの磁場により回転する電子の周
波数と、マイクロ波の周波数２．４５ＧＨｚとが一致
し、電子サイクロトロン共鳴を起こす。これにより、電
子はマイクロ波から効率良くエネルギーを吸収し加速す
る。加速された電子はガス分子と衝突してガス分子をイ
オン化させることにより、低圧ガスにて高密度のプラズ
マが発生する。このとき、マイクロ波のパワーを２００
Ｗ以下にしているので、反応ガスの過剰分解が抑えら
れ、Ｈラジカルの大量発生が防止される。このプラズマ
室１内に発生したプラズマは、電磁コイル４ａ，４ｂに
よって形成される発散磁界の磁力線にそって引き出され
る。
おいては、８７５ガウスの磁場により回転する電子の周
波数と、マイクロ波の周波数２．４５ＧＨｚとが一致
し、電子サイクロトロン共鳴を起こす。これにより、電
子はマイクロ波から効率良くエネルギーを吸収し加速す
る。加速された電子はガス分子と衝突してガス分子をイ
オン化させることにより、低圧ガスにて高密度のプラズ
マが発生する。このとき、マイクロ波のパワーを２００
Ｗ以下にしているので、反応ガスの過剰分解が抑えら
れ、Ｈラジカルの大量発生が防止される。このプラズマ
室１内に発生したプラズマは、電磁コイル４ａ，４ｂに
よって形成される発散磁界の磁力線にそって引き出され
る。
【００１８】次に、高周波電源１１から基板７に対し高
周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加する。そしてシャッタ
１２を開く。すると、プラズマ室１から引き出されたプ
ラズマ流が基板７上に照射され、基板７上にダイヤモン
ドカーボン膜が形成される。このとき基板７に発生する
自己バイアスについては、−３００Ｖ以下になるよう
に、高周波電力を調整する。基板７に発生する自己バイ
アスを前記範囲にしたことにより、膜表面と膜中での反
応が促進されるとともに、基板上に生成される膜のグラ
ファイト化が防止される。また成膜中においては、反応
室５内の反応圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ以上に維持され
るようにベンゼンガスを導入する。したがって、ベンゼ
ンガスの過剰分解が抑制され、Ｈラジカルの大量発生が
防止される。
周波（１３．５６ＭＨｚ）を印加する。そしてシャッタ
１２を開く。すると、プラズマ室１から引き出されたプ
ラズマ流が基板７上に照射され、基板７上にダイヤモン
ドカーボン膜が形成される。このとき基板７に発生する
自己バイアスについては、−３００Ｖ以下になるよう
に、高周波電力を調整する。基板７に発生する自己バイ
アスを前記範囲にしたことにより、膜表面と膜中での反
応が促進されるとともに、基板上に生成される膜のグラ
ファイト化が防止される。また成膜中においては、反応
室５内の反応圧力が１×１０-3Ｔｏｒｒ以上に維持され
るようにベンゼンガスを導入する。したがって、ベンゼ
ンガスの過剰分解が抑制され、Ｈラジカルの大量発生が
防止される。
【００１９】実施例１ 前記装置を用いて、ベンゼンガスを１００ｓｃｃｍ（st
andard cubic per minutes）の流量で供給し、マイクロ
波のパワーを１５０Ｗ、基板に発生する自己バイアスを
−４００Ｖ、反応圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒとした。ま
た、基板として、直径３インチのシリコンウェハを用い
た。
andard cubic per minutes）の流量で供給し、マイクロ
波のパワーを１５０Ｗ、基板に発生する自己バイアスを
−４００Ｖ、反応圧力を３×１０-3Ｔｏｒｒとした。ま
た、基板として、直径３インチのシリコンウェハを用い
た。
【００２０】この結果、５分後、基板全面に厚さ約５５
００オングストロームの膜が堆積した。膜の硬度は、Ｈ
ｋ（ヌープ硬度）≒１５００ｋｇ／ｍｍ2、屈析率は約
２．４であった。これらの結果及びラマン分光等から、
ＤＬＣ膜が形成されたと判断した。この膜の圧縮応力は
約８×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であった。
００オングストロームの膜が堆積した。膜の硬度は、Ｈ
ｋ（ヌープ硬度）≒１５００ｋｇ／ｍｍ2、屈析率は約
２．４であった。これらの結果及びラマン分光等から、
ＤＬＣ膜が形成されたと判断した。この膜の圧縮応力は
約８×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であった。
【００２１】実施例２ 前記実施例１の装置を用いて、ベンゼンガスを１００ｓ
ｃｃｍの流量で供給し、マイクロ波のパワーを１５０
Ｗ、基板の自己バイアスを−４００Ｖ、反応圧力を８．
５×１０-3Ｔｏｒｒとした。また前記実施例１と同様
に、直径約３インチのシリコンウェハを基板として用い
た。
ｃｃｍの流量で供給し、マイクロ波のパワーを１５０
Ｗ、基板の自己バイアスを−４００Ｖ、反応圧力を８．
５×１０-3Ｔｏｒｒとした。また前記実施例１と同様
に、直径約３インチのシリコンウェハを基板として用い
た。
【００２２】この結果、５分後に、基板全面に約５００
０オングストロームの膜が堆積した。膜の硬度は、Ｈｋ
≒２００ｋｇ／ｍｍ2 、屈析率は２．２であった。これ
らの結果及びラマン分光等から、ダイヤモンド状カーボ
ン膜が形成されたと判断した。なお、この膜の圧縮応力
は約５×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であった。
０オングストロームの膜が堆積した。膜の硬度は、Ｈｋ
≒２００ｋｇ／ｍｍ2 、屈析率は２．２であった。これ
らの結果及びラマン分光等から、ダイヤモンド状カーボ
ン膜が形成されたと判断した。なお、この膜の圧縮応力
は約５×１０9 ｄｙｎｅ／ｃｍ2 であった。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係るダイヤモンド状カーボン膜
形成方法によれば、反応ガスとしてベンゼンを用いるこ
とで付着速度は高まり、また圧縮応力を減らすことがで
きるので基板へのダイヤモンド状カーボン膜の密着度が
高まる。
形成方法によれば、反応ガスとしてベンゼンを用いるこ
とで付着速度は高まり、また圧縮応力を減らすことがで
きるので基板へのダイヤモンド状カーボン膜の密着度が
高まる。
【００２４】また、本発明に係る望ましいダイヤモンド
状カーボン膜形成方法では、マイクロ波のパワー，基板
の自己バイアス，及び反応室の反応圧力を所定の条件下
にしてダイヤモンド状カーボン膜を生成するようにした
ので、安定してダイヤモンド状カーボン膜を形成するこ
とができる。
状カーボン膜形成方法では、マイクロ波のパワー，基板
の自己バイアス，及び反応室の反応圧力を所定の条件下
にしてダイヤモンド状カーボン膜を生成するようにした
ので、安定してダイヤモンド状カーボン膜を形成するこ
とができる。
【図１】本発明が適用されるダイヤモンド状カーボン膜
形成装置の断面構成図。
形成装置の断面構成図。
１ プラズマ室 ５ 反応室 ７ 基板
Claims (1)
- 【請求項１】炭化水素ガスとしてのベンゼンを反応室に
導入して反応室内の反応圧力を１×１０−３Ｔｏｒｒ以
上とし、プラズマ室の内部にパワーが２００Ｗ以下のマ
イクロ波を導入して電子サイクロトロン共鳴によるプラ
ズマを発生させるとともに、それにより発生する自己バ
イアスが−３００Ｖ以下になるように反応室内に配置さ
れた基板に所定の高周波電圧を印加し、前記自己バイア
スによりプラズマ中のイオンを前記基板に照射して、基
板上にダイヤモンド状カーボン膜を形成するようにした
ダイヤモンドカーボン膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128773A JP2808922B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3128773A JP2808922B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04329879A JPH04329879A (ja) | 1992-11-18 |
| JP2808922B2 true JP2808922B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=14993117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3128773A Expired - Fee Related JP2808922B2 (ja) | 1991-04-30 | 1991-04-30 | ダイヤモンド状カーボン膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2808922B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2270326B (en) * | 1992-09-03 | 1996-10-09 | Kobe Steel Europ Ltd | Preparation of diamond films on silicon substrates |
| US5626963A (en) * | 1993-07-07 | 1997-05-06 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hard-carbon-film-coated substrate and apparatus for forming the same |
| US5691010A (en) * | 1993-10-19 | 1997-11-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Arc discharge plasma CVD method for forming diamond-like carbon films |
| WO2003000558A1 (fr) * | 2001-06-20 | 2003-01-03 | Mitsubishi Shoji Plastics Corporation | Contenant en plastique a cloisons de separation et caracteristique d'isolation contre l'humidite et les gaz, dispositif et procede de fabrication dudit contenant en plastique |
| US20040146667A1 (en) * | 2001-06-26 | 2004-07-29 | Kenichi Hama | Manufacturing device for dlc film coated plastic container, dlc film coated plastic container, and method of manufacturing the dlc film coated plastic container |
| US7309526B2 (en) * | 2004-06-15 | 2007-12-18 | Siemens Power Generation, Inc. | Diamond like carbon coating on nanofillers |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01298095A (ja) * | 1988-05-27 | 1989-12-01 | Canon Inc | ダイヤモンド状炭素膜の製造方法 |
| JP2819588B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1998-10-30 | 株式会社島津製作所 | 硬質カーボン膜生成装置 |
-
1991
- 1991-04-30 JP JP3128773A patent/JP2808922B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04329879A (ja) | 1992-11-18 |
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