KR100429843B1 - 전자 방출 및 상변화물질을 이용한 고밀도정보기록/재생방법 및 이를 응용한 정보저장장치 및 이에사용되는 미디어 - Google Patents

전자 방출 및 상변화물질을 이용한 고밀도정보기록/재생방법 및 이를 응용한 정보저장장치 및 이에사용되는 미디어 Download PDF

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Abstract

정보기록/재생 방법 및 이를 응용한 장치, 이에 적용되는 미디어에 관해 개시된다. 개시된 방법은: 전자 흡수에 의해 상변화가 일어나는 정보기록층을 가지는 미디어를 준비하는 단계; 기록을 위한 정보에 따라 주어진 전자 발생원에 의해 전자를 발생시키는 단계; 전자의 진행 경로 상에 자기장을 형성하여 전자를 싸이클로트론 운동시키는 단계; 싸이클로트론운동하는 전자를 상기 정보기록층에 입사시켜 정보기록층의 전자 흡수에 따른 국부적인 용융/냉각에 의해 데이타 기록을 행하는 단계;를 포함한다. 본 발명에 의하면 전자빔을 정보기록층에 비접촉된 상태에서 충돌시키기 때문에 기존의 AFM 이 SPM 방식 등에서와 같은 마이크로 팁의 마모 등에 의한 손상이 발생되지 않고, 정보를 기록하고 재생하는 속도가 매우 빠르다. 또한 전자빔을 싸이클로트론운동에 의해 정보기록면에 집중시키기 때문에 적절한 거리의 조정에 의해 전자빔이 도달하는 영역을 매우 작게 할 수 있어서 정보 기록 밀도를 극대화할 수 있다

Description

전자 방출 및 상변화물질을 이용한 고밀도정보 기록/재생방법 및 이를 응용한 정보저장장치 및 이에 사용되는 미디어{High density data storage method utilizing electron emission, phase change media and storage system adopting the same and data storage media for the system}
본 발명은 상변화물질에 대한 전자빔의 주사에 의해 데이타를 기록/재생하는 방법 및 이를 응용한 데이타 저장 장치 및 이에 사용되는 정보 기록 미디어에 관한 것이다.
데이타의 기록 및 재생에 레이저 광이 이용되는 CD, DVD는 레이저 광의 파장의 한계에 의해 단위 면적당 데이타 기록 밀도를 높이는데 한계가 있다. 또한, 비교적 기록 밀도가 높은 수직 자기 기록 방식의 정보 저장 장치의 경우는 미디어에 근접하여 정보를 기록하거나 재생하는 프로브의 크기에 의해 기록밀도보다 높이는데 역시 한계가 있다.
이러한 기록밀도의 한계를 극복하기 위하여 AFM(Atomic Force Microscope), SPM(Scanning Probe Microscope) 등에서와 같이 미디어에 근접 또는 접촉되는 팁을 이용한 정보의 기록 및 재생 방법이 있으나 팁의 마모, 팁의 진동 등에 의한 정보 기폭 및 재생에서의 실패 등의 문제 외에 정보의 기록 및 재생의 속도가 느린 문제가 있다.
바람직하기는 전자빔을 이용한 SEM(Scanning Electron Microscope), TEM(Transmission Electron Microscope)의 방식을 이용하면 정보의 기록밀도를 극대화할 수 있지만 이러한 방식은 매우 큰 규모의 설비를 요구하고 따라서 휴대용 정보기록 장치에 응용되기 사실상 불가능하다.
본 발명의 제1의 목적은 전자빔과 상변화물질을 이용한 새로운 개념의 고밀도의 정보 기록/재생/트랙킹 방법 및 이를 응용한 정보 저장 장치, 이에 적용되는 정보 기록 미디어를 제공하는 것이다.
본 발명의 제2의 목적은 높은 기록밀도를 가지면서도 소형화가 가능한 정보 기록/재생/트랙킹 방법 및 이를 응용한 정보 저장 장치, 이에 적용되는 정보 기록 미디어를 제공하는 것이다.
도 1 은 본 발명의 정보 기록 방법 및 장치를 설명하는 도면으로서, 본 발명에 따른 정보 기록/재생 장치의 기본적인 구조를 보인다.
도 2는 본 발명에 따른 정보 기록장치의 개략적 구성을 보이는 사시도이다.
도 3는 본 발명의 다른 실시예에 따른 미디어의 개략적 단면도이다.
도 4는 쓰기 과정 중 비정질화에 의한 부위 형성 원리를 설명하고, 도 5는 쓰기 과정 중 결정질화에 의한 부위 형성원리를 설명하는 도면이다.
도 6은 읽기 과정 중 비정질화된 부위를 읽는 원리를 설명하고, 도 7은 읽기 과정 중 결정질화된 부위를 읽는 원리를 설명하는 도면이다.
도 8은 도 6 및 도 7과 함께 설명된 읽기 방법과 다른 전류변화에 따른 정보의 읽기 원리를 설명하는 도면이다.
도 9는 도 3에 도시된 본 발명에 따른 미디어의 프리포멧팅 공정도이다.
도 10는 도 3에 도시된 미디어를 기록매체로 적용하는 본 발명의 정보 저장장치에 있어서, 전자빔의 랜딩 위치에 따른 트랙킹 오류의 발생 유형을 보인다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면,
전자 흡수에 의해 상변화가 일어나는 정보기록층을 가지는 미디어를 준비하는 단계;
상기 정보기록층으로 부터 소정 거리 이격된 위치에서, 기록을 위한 정보에 따라 주어진 전자 발생원에 의해 전자를 발생시키는 단계;
상기 전자의 진행 경로 상에 자기장을 형성하여 상기 전자를 싸이클로트론 운동시키는 단계;
싸이클로트론운동하는 상기 전자를 상기 정보기록층에 입사시켜 정보기록층의 전자 흡수에 따른 국부적인 용융/냉각에 의해 데이타 돗트를 형성하는 단계;를 포함하는 정보 기록 방법이 제공된다.
상기 정보 기록 방법에 있어서, 상기 전자발생원과 정보기록층 간의 간격을 상기 전자가 전자발생원으로 방출된 후 싸이클론 운동시 1회전하는 거리로 조절하는 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 방법에 있어서, 전자 발생원으로서 전자를 방출하는 마이크로 팁과 마이크로 팁과 상기 기록층 사이에 개재되는 게이트 전극을 포함하는 전계방출수단을 응용하는 것이 바람직하다.
상기 전자 진행경로상의 전기장과 자기장은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 형성되며, 상기 자기장은 상기 전자 방출원과 상기 미디어의 양측에 위치하는 직류자기장형성수단에 의해 형성하는 것이 바람직하다.
또한 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면,
전자 흡수에 의해 상변화(phase change)가 일어나는 정보기록층을 가지는 미디어와;
상기 정보기록층으로 부터 소정 거리 이격된 위치에 설치되어 상기 정보 기록층으로 기록을 위한 정보에 따라 전자를 방출하는 전자 발생원과;
상기 전자 발생원과 미디어 사이의 전자의 진행 경로 상에, 상기 전자의 싸이클로 운동을 위한 자기장을 형성하는 자기장 발생원을; 구비하는 정보 기록 장치가 제공된다.
상기 정보 기록 장치에 있어서, 상기 전자발생원과 정보기록층 간의 간격을 상기 전자가 전자발생원으로 방출된 후 싸이클론 운동시 1회전하는 거리로 설정되는 것이 바람직하다.
상기 본 발명의 장치에 있어서, 바람직한 실시예에 따르면 상기 전자 발생원으로서 전자를 방출하는 마이크로 팁과 마이크로 팁과 상기 기록층 사이에 개재되는 게이트 전극을 포함한다. 또한, 상기 게이트 전극과 상기 마이크로 팁은 상호간의 간격이 조절가능하게 설치되며, 또한 상기 게이트 전극과 상기 미디어도 상호 간격의 조절이 가능하게 설치된다.
상기 자기장발생원은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 자기장을 형성하며, 바람직한 실시예에 따르면, 상기 전자 방출원과 상기 미디어의 양측에 위치하는 영구자석 또는 전자석에 의한 직류자기장형성수단을 포함한다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따르면,
전자 흡수에 의해 상변화(phase change)가 일어나는 정보기록층과;
정보기록층을 지지하면 도전성을 가지는 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치용 미디어가 제공된다.
본 발명의 한 실시예에 따르면, 상기 정보 기록층은 상기 기판 상에 전면적으로 형성되는 상변화물질층과; 상기 상변화물질층의 위에 소정간격의 채널을 두고 형성되는 절연층을; 구비한다.
본 발명의 정보 기록 방법 및 이를 응용한 장치는, 고밀도 정보저장 및 정보해독을 위해 원격으로 전자빔을 미디어에 주사하여 정보를 저장, 삭제하고, 저장된 정보에 전자빔을 주사하여 미디어에서 전자 빔이 산란하는 것을 검출하거나 기록부위를 통해 흐르는 전류량을 검출함으로써 정보를 해독하도록 하는 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 정보 기록 방법 및 이를 응용한 장치의 실시예를 살펴본다.
도 1 은 본 발명의 정보 기록 방법 및 장치를 설명하는 도면으로서, 본 발명에 따른 정보 기록/재생 장치의 기본적인 구조를 보이며, 도 2는 본 발명에 따른 정보 기록장치의 개략적 구성을 보이는 사시도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, GeTeSb 등의 상변화물질로 된 정보 기록영역을 가지는 정보 기록층(22)과 이를 지지하는 기판(21)을 포함하는 미디어(20)의 상방에 게이트 전극(12) 및 마이크로 팁(11)를 포함하는 전자발생원(10)이 위치한다. 도 2에 도시된 바와 같이 마이크로 팁(11)은 도전성 캔틸레버(11a)의 선단부에 고정되어 있고, 자기발생원(30)에 의해 수직자계(B)가 형성되어 있다. 한편, 상기 전자발생원(10)과 상기 미디어(20)의 상하에 자기발생원(30)을 구성하는 상부 자기발생원(31) 및 하부 자기발생원(32)이 각각 위치한다. 상기 마이크로 팁(11) 및 이 하부의 게이트 전극(12)은 기본적으로 전계방출(field emission) 구조를 응용한 것이다. 전계(electric field)에 의해 전자를 방출하는 에미터 즉 마이크로 팁(11) 하부의 게이트 전극(12)은 전자가 통과하는 게이트홀(12a)를 가진다. 상기 게이트 전극(12)의 하부에는 정보 기록면(22)에서 전자충돌에 의해 발생된 산란 전자 또는 2차전자를 검출하는 전자검출기(60, 60a)가 위치한다. 이러한 게이트 전극(12)은 상기 마이크로 팁(11)에 의한 전자방출을 제어하는 동시에 방출된 전자에 의한 빔이 게이트홀(12a)의 근방, 실질적으로는 게이트 홀(12a)의 하부 가까이에 집중시킨다.
상기 마이크로 팁(11)은 구동장치(40)에 의해 음(-) 전압으로 바이어스 되어 있고, 게이트 전극(12)은 소정 전위의 양(+)전압이 인가된다. 또한 상기 미디어(20)의 기판(21)은 일종의 콜렉터(collector)로서 상기 게이트 전압보다 높은 양(+)의 기판 전압이 인가된다. 상기 게이트 전압과 기판전압은 상기 구동장치에 의해 적절히 가변됨으로써 상기 마이크로 팁으로 부터의 전자 방출 및 상기 미디어(20)의 정보기록층(21)에 대한 전자 충돌을 제어한다. 이러한 전압 인가 구조는 기존의 3극 구조의 전계방출구조에서 응용된 것이므로 더 이상 설명되지 않는다.
상기 자기발생원(30)의 상, 하부 자기발생원(31, 32)은 영구자석 또는 전자석에 의해 구성되어 상기 미디어를 수직으로 통과하는 자속을 형성한다. 이러한 자속과 게이트 전극(12)과 미디어(20) 간의 전기장에 의해 상기 게이트홀(12a)을 통과한 전자빔(50)에 자기장 및 이에 평행인 전기장이 걸림으로써 싸이클로트론 운동을 하게 된다. 따라서, 마이크로 팁(11)에서 방출된 후 게이트 전극(12)을 통과한 전자는 자기장과 이에 평행인 전기장에 의해 회전하면서 정보기록층(22)으로 진행하게 된다.
이와 같이 싸이클로트론 운동에 의해 정보기록층(22)에 전자가 높은 운동에너지로 충돌 후 흡수되면, 정보기록층(22)이 국부적으로 용융된 후 냉각된다. 이러한 용융 및 냉각에 따르면 정보기록층(22)에 국부적인 비정질화부분(22a)이 발생된다. 이러한 비정질화부분, 즉 데이타 돗트(22a)는 본 발명의 한실시예에 따라 후술하는 상변화물질이 채워진 정보기록층의 미소 공극 또는 그루브 내에서 발생된다.
본 발명은 전자를 싸이클로트론 운동에 의해 높은 운동에너지를 갖도록 하고 이를 정보기록층에 충돌시켜 비정질화/정질화부분등에 의한 데이타 돗트를 형성하여 정보의 기록을 행할 수 있도록 한다. 이때에 전자충돌에 의한 정보 부위의 크기는 정보 기록밀도에 반비례한다. 즉, 부위의 크기가 크면 기록밀도가 감소하고 그 반대이면 기록밀도가 증가한다. 여기에서 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 상기 게이트 전극(12)과 정보기록층(22)까지의 거리의 적절한 조절에 의해 부위의 크기를 원자 크기의 퀀텀도트(quantumn dot)화 할 수 있다. 이를 위하여 상기 게이트 전극(12)과 정보기록층(22)까지의 거리는 회호리 형태로 회전 및 진행하는 전자가 마이크로 팁(11)으로 부터 방출된 후 일회 회전한 후 정보 기록면(22)에 도달할 수 있는 거리로 설정하며, 경우에 따라서는 이 거리의 배수가 되는 거리로 설정할 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 미디어의 개략적 단면도이다.
본 실시예에서의 미디어(20)는 도전성의 기판(21)의 상면 전체에 상변화물질층(22)이 형성되어 있고, 상변화물질층(22) 위에 스트립상의 유전물질층(22a)가 일정간격을 두고 형성된다. 여기에서 유전물질층(22a)에 덮히지 않은 부분은 전자(e-)의한 정보의 기록이 이루어지는 그루브(22b)에 해당된다.
전술한 바와 같이 상기 마이크로 팁(11)에서 방출되는 전자는 게이트 전극(12)과 기판(21)간의 전장과 이 전장과 평행인 자장에 의해 싸이클로트론 운동을 하게 되는데, 마이크로 팁(11)과 기판(21)의 거리 내에서 한 회전만 되도록 자장을 조절하면 전자들은 빔의 퍼짐과 관계 없이 발생 되었던 지점과 일대일 대응되는 점에 모인다. 이 때 전자의 운동에너지에 의해 전자는 상변화물질로 된 정보기록층(22)을 뚫고 들어가고 열을 발생시켜 전자가 흡수된 부위의 상이 변하게 된다. 전자의 운동에너지는 게이트 전극(12)과 기판(21)간의 전압으로 조절하는데, 이 전압과 게이트 전극(12)-정보기록층(22) 표면간의 거리에 의해 전자가 통과하는 경로에서의 자기장의 크기가 결정된다. 따라서 게이트 전극(12)과 정보기록층(22) 간의 거리는 일정하게 유지시키고 전기장과 자기장의 변화에 의해 정보기록층(22)에 대한 정보기록을 제어하는 것이 바람직하다.
위의 구조에서 마이크로 팁(11)과 이 하부의 게이트 전극(12)은 상호 상대적인 위치가 고정된 상태이고, 상기 정보 기록면(22)에 대해서는 위치이동이 가능하게 배치된다. 이러한 구조는 일반적인 수직자기 기록방식이나 일반적인 자기기록 방식 등에서 응용될 수 있다.
이하 본 발명에 따른 정보의 기록 및 재생 원리를 설명한다.
도 4는 쓰기 자계(Bw)가 인가된 상태에서의 쓰기 과정 중 비정질화 부분 형성 원리를 설명하고, 도 6은 소거자계(Be)가 인가된 상태에서의 쓰기 과정(엄밀히는 지우기 과정) 중 결정질화 과정을 설명한다.
상기 정보기록층(22)을 구성하는 상변화물질은 입사되는 전자의 운동에너지에 의해서 그 상이 결정된다. 따라서 도 4에 도시된 바와 같이, 상하 영구자석(31, 32)에 의해 가장 높은 기록전압 (Vw)을 인가하면 정보기록층(22)표면에 도달하는 전자의 운동 에너지는 eVw이다. 이 때 e는 1.6x10-19coul이다. 따라서 eVw의 에너지에 의해서 상변화물질이 충분히 녹을 수 있도록 기록전압(Vw)을 결정한다. 녹은 부위는 순간적으로 냉각되면서 비정질 상태가 된다. 이상과 같은 과정이 비정질화에 의한 정보를 기록하는 과정이다.
정보를 지우기 위해서는, 도 5에 도시된 바와 같이, 기록전압(Vw)보다 낮은소거전압(Ve)을 인가하되 이 소거전압(Ve)은 전자가 정보기록층(22)의 표면에 충돌 및 흡수된 후 정보기록층(22)이 결정화(crystallization)될 수 있는 열을 발생시키는 정도의 전위로 결정한다.
도 6은 수직의 읽기자계(Br)이 인가된 상태에서의 읽기 과정 중 비정질화된 부위를 읽는 원리를 설명하고, 도 8은 읽기 과정 중 결정질화된 부위를 읽는 원리를 설명하는 도면이다.
정보기록층(22)에 비정질화부분과 정질화부분에 의한 정보를 인식하기 위해서 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 가장 낮은 읽기 전압(Vr)은 인가한다. 이때에는 eVr의 운동에너지에 의해서 정보기록층(22)에서 아무런 상변화가 일어나지 않기에 충분히 작은 전위를 갖는다. eVr의 에너지로 정보기록층(22)기판에 충돌한 전자는 산란 및 흡수되고 또한 2차 전자를 발생시키게 된다. 이 때에 전자가 충돌 및 흡수된 부분의 상(phase)의 상태에 따라서 산란 정도가 다르게 나타난다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이 비정질화된 부분에서 전자의 산란이 매우 크게 일어 나며, 도 7에 도시된 바와 같이 정질화 된 부분에서는 산란이 크게 일어 나지 않는다. 따라서 전자의 산란 영역에 인접하여 설치되는 전술한 전자 검출기에 의해 전자의 산란의 정도에 따라 전자가 충돌한 부위의 상(phase)을 상태를 검출할 수 있게 된다.
도 8은 도 6 및 도 7과 함께 설명된 읽기 방법과 다른 전류변화에 따른 정보의 읽기 원리를 설명하는 도면이다.
이것은 입사된 전자에 의해 게이트 전극(12)과 미디어(20)간의 빔 전류의 변화를 검출하여 이를 정보로 이용한다.
즉, 미디어(20)의 도전성 기판(21)과 게이트 전극(12) 사이의 전기 통로 상에 전류계(70) 또는 센서 등전류를 검출할 수 있는 검출기를 마련한다. 따라서, 읽기 전압(Vr)에 의해 eVr의 에너지를 갖는 전자 빔이 정보 기록층(22)에 에 입사되도록 하면 결정질, 비결정질 부위에 따라 미디어(20)와 게이트 전극(12)간의 전류가 변화되게 된다. 이 때 전류량 및 전류량 차이가 작을 것이므로 전류계(70)는 별도의 전류증폭장치를 갖추는 것이 바람직하다.
정보 기록층을 단일층으로 구성할 경우 전자 빔이 충돌하는 부위를 정확히 추적(tracking)하기 위하여 도 3과 함께 설명된 미디어와 같이 유전체층 또는 전기적 절연층 등에 의해 정보 기록 영역을 제한하여 실제 정보가 기록될 부분을 제한된 크기를 가지는 그루브 내에 형성하거나 절연층에 의해 정보 기록에 요구되는 부분만 노출되게 하는 것이 바람직하다. 이것을 프리포멧팅이라 한다.
이하 도 3 에 도시된 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 미디어의 제작방법을 설명한다.
도 9a 내지 도 9e 를 참조하면서 도 3에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 미디어의 제조 공정을 설명한다.
도 9a에 도시된 바와 같이, 준비된 도전성 기판(21)의 상면에 상변화물질층(22)을 형성한다.
도 9b에 도시된 바와 같이 상변화물질층(22) 상에 절연층(22a)을 형성하고, 그 위에 폴러머층(80)을 형성한다.
도 9c에 도시된 바와 같이 소정 간격을 둔 돌출부를 가진 스탬프(90)로 각인하여 상기 절연층(22a)에 정보기록을 위한 그루브를 형성한다.
도 9d에 도시된 바와 같이, 에칭 과정을 통해 폴리머층(80)의 얇은 부위가 먼저 에칭되면서 폴리머층(80) 밑의 절연층(22a)도 에칭되어 그루브 바닥으로 상변화물질층(22)이 노출되게 한다.
도 9e에 도시된 바와 같이, 절연층(22a) 상에 잔류하는 폴리머층(80)을 제거한다.
도 10은 3에 도시된 미디어를 기록매체로 적용하는 본 발명의 정보 저장장치에 있어서, 전자빔의 랜딩 위치에 따른 트랙킹 오류의 발생유형을 보인다.
도 10에서 a) 는 전자빔이 그루브의 중앙에 정확하게 랜딩되었을 때의 상태를 보이는 것이다. 전자빔이 정확하게 그루브의 바닥에 랜딩됨으로써 모든 방향으로 2차 전자 또는 전자의 산란이 균일하게 일어나고 따라서, 그 상방의 양 전자검출기로 부터 소정범위내에서 동일한 량이 검출된다. 따라서 이때에는 트래킹 오차가 없는 것이므로, 전자발생원의 트래킹 보정이 필요없다.
도 10에서 b)와 c)는 전자빔이 그루브의 중앙으로 부터 벗어난 위치에 랜딩되었을 때의 상태를 보이는 것이다. 전자빔이 그루브의 바닥의 일측 또는 그 상부의 절연층에 랜딩됨으로써 한 쪽 방향으로 2차 전자 또는 전자의 산란이 크게 일어나고 따라서, 그 상방의 양 전자검출기 중 어느 하나의 검출기에서 다른 하나의 검출기에 비해 많은 전자가 검출되게 된다. 따라서 이때에는 트래킹 오차가 있는 것이므로 시행착오적으로 도 10의 a) 상태가 되도록 전자발생원의 트래킹 보정을 행해야 한다.
본 발명에 의하면 전자빔을 정보기록층에 비접촉된 상태에서 충돌시키기 때문에 기존의 AFM 방식 등에서와 같은 마이크로 팁의 마모 등에 의한 손상이 발생되지 않고, 정보를 기록하고 재생하는 속도가 매우 빠르다.
또한 전자빔을 싸이클로트론운동에 의해 정보기록면에 집중시키기 때문에 적절한 거리의 조정에 의해 전자빔이 도달하는 영역이 매우 작게 할 수 있고 따라서 정보 기록 밀도를 극대화할 수 있다

Claims (22)

  1. 전자 흡수에 의해 상변화가 일어나는 정보기록층을 가지는 미디어를 준비하는 단계;
    상기 정보기록층으로 부터 소정 거리 이격된 위치에서, 기록을 위한 정보에 따라 주어진 전자 발생원에 의해 전자를 발생시키는 단계;
    상기 전자의 진행 경로 상에 자기장을 형성하여 상기 전자를 싸이클로트론 운동시키는 단계;
    싸이클로트론운동하는 상기 전자를 상기 정보기록층에 입사시켜 정보기록층의 전자 흡수에 따른 국부적인 용융/냉각에 의해 데이타 기록을 행하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자발생원과 정보기록층 간의 간격을 상기 전자가 전자발생원으로 방출된 후 싸이클론 운동시 1회전 또는 그 이상의 정수배로 회전하는 거리로 조절하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전자 발생원으로서 전자를 방출하는 마이크로 팁과 마이크로 팁과 상기 기록층 사이에 개재되는 게이트 전극을 포함하는 전계방출수단을 응용하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 미디어에 도전성 기판을 마련하고, 도전성 기판에 최고의 기판 전압을 인가하고, 상기 게이트 전극에는 상기 기판 전압보다는 낮은 게이트 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 정보 기록방법.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 전자 진행경로상의 자기장은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 방법.
  6. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 진행경로상의 자기장은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 방법.
  7. 제 1 항, 제 2 항 및 제 4 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 미디어의 전자빔 충돌부분 근방에 전자검출기를 마련하여 전자 검출기로 부터의 신호를 재생신호를 사용하는 것을 특징으로 하는 정보 기록방법.
  8. 제 4 항에 있어서,
    상기 미디어의 기판과 상기 게이트 전극 사이의 전류변화에 의해 미디어에 기록된 정보를 재생하는 것을 특징으로 하는 정보 기록방법.
  9. 전자 흡수에 의해 상변화(phase change)가 일어나는 정보기록층을 가지는 미디어와;
    상기 정보기록층으로 부터 소정 거리 이격된 위치에 설치되어 상기 정보 기록층으로 기록을 위한 정보에 따라 전자를 방출하는 전자 발생원과;
    상기 전자 발생원과 미디어 사이의 전자의 진행 경로 상에, 상기 전자의 싸이클로 운동을 위한 자기장을 형성하는 자기장 발생원을; 구비하는 정보 기록 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 전자발생원과 정보기록층 간의 간격을 상기 전자가 전자발생원으로방출된 후 싸이클론 운동시 1회전 또는 이상의 정수배의 거리로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 전자 발생원은 전계에 의해 전자를 방출하는 마이크로 팁과 마이크로 팁으로 부터의 전자 방출을 제어하는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 마이크로 팁 및/또는 상기 게이트 전극과 상기 미디어간의 상호 간격이 조절이 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  13. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 마이크로 팁 및/또는 상기 게이트 전극과 상기 미디어간의 상호 간격이 조절이 가능하게 되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  14. 제 9 항, 제 10항 및 제 12 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 자기장발생원은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 자기장을 형성하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 자기장발생원은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 자기장을 형성하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  16. 제 13 항에 있어서,
    상기 자기장발생원은 상기 정보 기록면에 수직인 방향으로 자기장을 형성하도록 되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  17. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 전자발생원과 상기 미디어의 사이에 미디어로 부터 발생된 산란 전자 또는 2차 전자를 검출하는 전자 검출기가 더 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  18. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 전자빔이 충돌하는 미디어와 상기 게이트 전극 사이의 전류를 검출하는 전류계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치.
  19. 전자 흡수에 의해 상변화(phase change)가 일어나는 정보기록층과;
    정보기록층을 지지하면 도전성을 가지는 기판을 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치용 미디어.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 정보 기록층은 상기 기판 상에 형성되며 그루브를 가지는 유전체층과;
    상기 유전체층의 그루브 내에 존재하는 상변화물질을; 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치용 미디어.
  21. 제 19 항에 있어서,
    상기 정보 기록층은 상기 기판 상에 전면적으로 형성되는 상변화물질층과;
    상기 상변화물질층의 위에 소정간격의 채널을 두고 형성되는 절연층을; 구비하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치용 미디어.
  22. 전자 흡수에 의해 상변화가 일어나는 정보기록층이 그루브의 바닥으로 노출되어 있는 미디어를 준비하는 단계;
    상기 정보기록층으로 부터 소정 거리 이격된 위치에서, 기록을 위한 정보에 따라 주어진 전자 발생원에 의해 전자를 발생시키는 단계;
    상기 전자의 진행 경로 상에 자기장을 형성하여 상기 전자를 싸이클로트론 운동시키는 단계;
    싸이클로트론운동하는 상기 전자를 상기 정보기록층에 입사시키는 단계;
    상기 미디어 상방에 전자빔이 입사하는 그루브의 상부 양측에서 미디어로 부터 발생된 2차 전자 또는 산란 전자를 검출하는 단계;
    상기 2차 전자 또는 산란 전자의 검출량에 따라 상기 전자발생원의 위치를 조정하여 미디어의 상부 양방향에서 소정 범위 내에서 동일한 량의 전자가 검출되도록 하는 것을 특징으로 하는 정보 기록 장치의 트랙킹 방법.
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