JP2000285505A

JP2000285505A - 光記録媒体

Info

Publication number: JP2000285505A
Application number: JP11088093A
Authority: JP
Inventors: Seiji Kojima; 誠司小島; Kazuyuki Ogura; 和幸小椋
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1999-03-30
Filing date: 1999-03-30
Publication date: 2000-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】近接場光による情報の記録、再生及び（又
は）消去を行うことができる光記録媒体であって、近接
場光による情報の記録、再生及び（又は）消去を行う情
報記録装置において近接場光発生装置を利用したトラッ
キング動作におけるトラッキング位置検出、近接場光発
生装置と光記録媒体との間の距離検出等のうち少なくと
も一つを精度よく行うことができ、ひいてはそれだけ光
記録媒体と近接場光発生装置との相対位置関係を精度よ
く決定することができる光記録媒体を提供する。【解決手段】近接場光Ｌによる情報の近接場光記録、
再生及び（又は）消去を行うことができる光記録媒体５
であり、情報記録層５２を有し、記録層５２の表面に薄
い金属からなる層５３が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は近接場光による情報
の近接場光記録、再生及び（又は）消去を行うことがで
きる光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】光記録媒体は光が照射されることで、該
媒体への情報の記録、該媒体からの情報の再生（読み出
し）、及び該媒体の情報の消去が行われる。この光によ
る情報の記録、再生及び消去は、例えば、情報の記録、
再生及び（又は）消去を行う装置（以下、単に情報記録
装置という）にて行われる。

【０００３】情報記録装置には情報の記録、再生及び
（又は）消去のために光記録媒体に光を照射する光ヘッ
ドが搭載されている。そして、光ヘッドと光記録媒体と
の相対位置関係が制御される。すなわち、この光ヘッド
から射出される光を光記録媒体の目的とする部位に適切
に照射するために光ヘッドと光記録媒体との間隔距離が
制御されるとともに、光ヘッド位置をその目的とする部
位に対応させるためのトラッキング制御がなされる。

【０００４】光ヘッドと光記録媒体との間隔制御につい
てはシェアフォース法、トンネル電流法、原子間力法等
の手法で間隔制御を検出し、その検出値に基づいて、光
ヘッドを光記録媒体に対し近接、離反させることで行わ
れている。また、トラッキング制御については、光記録
媒体に段差を有するトラッキング溝（例えば、断面Ｖ字
形状の溝、円形状のトラッキング用ピットなど）をトラ
ッキングパターンとして設け、このパターンに光ヘッド
から光照射することで、該ヘッドを該パターンに追随さ
せてトラッキング制御する。

【０００５】ところで、最近では、情報の記録、再生及
び消去に近接場光を用いる光記録媒体が注目されてい
る。近接場光を用いた情報の記録、再生及び消去は、
「光の回折限界」の制約を受けない近接場光を用いるた
め、光の波長サイズよりも小さな単位で情報の記録、再
生及び消去を行うことができる。例えば、Applied Phys
ics Letters ：61,142,1992 （American Institute of
Physics 出版）では近接場光を用いた光磁気記録媒体へ
の情報の記録について記載されている。

【０００６】近接場光による情報記録装置においては、
近接場光発生装置が搭載されており、該近接場光発生装
置からの近接場光を光記録媒体に照射することで、該光
記録媒体に情報の近接場光記録、再生及び消去が行われ
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、「近接
場光は、近接場光発生装置のごく近傍にしか存在せず、
且つ、その近接場光強度は該近接場光発生装置からの距
離に大きく依存する」という特徴を持つ。このため、近
接場光による情報記録装置では、情報の近接場光記録、
再生及び消去時に、光記録媒体の表面と近接場光発生装
置との間隔距離を近接場光発生装置の近傍領域内で一定
距離に維持するように制御する必要がある。

【０００８】このことが原因して、近接場光により情報
記録等を行う光記録媒体ではトラッキング制御の上で次
の問題がある。すなわち、トラッキング制御のために光
記録媒体に前記のような段差を有するトラック溝を設
け、近接場光発生装置を用いてトラッキング位置検出を
行う場合には、既述のとおり近接場光発生装置と媒体と
の間隔を厳しく制御する必要があるため、トラック溝に
よる段差を有する記録面と近接場光発生装置の近接場光
射出部との間隔保持技術が複雑なものになる。

【０００９】また、近接場光による光記録媒体では、情
報が記録される記録スポットが微細になるため、それに
伴い、当然その記録媒体におけるトラック溝に要求され
るトラック幅・トラック間隔（ピッチ）も小さくなる。
このように小さなトラック幅・トラック間隔（ピッチ）
のトラック溝を有する光記録媒体を従来のスタンパ法に
より製作することは困難である。

【００１０】なお、従来の光記録媒体では、媒体表面か
ら離れた深部にトラッキング層を設ける構成も提案され
ているが、かかる構成では、トラッキング層が近接場光
が存在する領域、いわゆる”近接場領域”から離れてし
まうので、該トラッキング層を近接場光によるトラッキ
ングに用いることは困難である。そこで本発明は、近接
場光による情報の記録、再生及び（又は）消去を行うこ
とができる光記録媒体であって、近接場光による情報の
記録、再生及び（又は）消去を行う情報記録装置におい
て近接場光発生装置を利用したトラッキング動作におけ
るトラッキング位置検出、近接場光発生装置と光記録媒
体との間の距離検出等のうち少なくとも一つを精度よく
行うことができ、ひいてはそれだけ光記録媒体と近接場
光発生装置との相対位置関係を精度よく決定することが
できる光記録媒体を提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するため、次の第１及び第２の光記録媒体を提供する。（１）第１の光記録媒体近接場光による情報の近接場光記録、再生及び（又は）
消去を行うことができる光記録媒体であり、情報記録層
を有し、該記録層の表面に薄い金属からなる層が設けら
れていることを特徴とする光記録媒体。（２）第２の光記録媒体近接場光による情報の近接場光記録、再生及び（又は）
消去を行うことができる光記録媒体であり、金属からな
る層を有し、該金属からなる層の表面に薄い情報記録層
が設けられていることを特徴とする光記録媒体。本発明
の第１の光記録媒体では、情報記録層を有し、該記録層
の表面に薄い金属からなる層が設けられている。また、
本発明の第２の光記録媒体では、金属からなる層を有
し、該金属からなる層の表面に情報記録層が設けられて
いる。

【００１２】前記第１、第２の各光記録媒体において、
「情報記録層」は、これから情報を記録する層、既に情
報を記録した層のいずれでもよい。また、前記「情報の
近接場光記録、再生及び（又は）消去を行うことができ
る光記録媒体」には、情報の近接場光記録、再生及び消
去のいずれも行える光記録媒体、既に情報が近接場光記
録されており、その情報の近接場光再生を行える光記録
媒体等がいずれも含まれる。

【００１３】本発明に係る第１及び第２の光記録媒体
は、例えば、近接場光による情報の記録、再生及び（又
は）消去を行う装置（以下、単に情報記録装置という）
に収容され、該装置に搭載されているヘッド（近接場光
発生装置）から近接場光が照射されることで、情報の近
接場光記録、再生及び（又は）消去を行うことができ
る。

【００１４】本発明の第１及び第２の光記録媒体による
と、例えば、近接場光による情報記録装置において、情
報が記録、再生、消去されるにあたり、該媒体表面に近
接場光発生装置（より正確にはその近接場光射出部）が
近接配置され、該近接場光発生装置との相対位置関係が
決定される。すなわち、該近接場光発生装置との媒体表
面に沿う方向と平行方向及び垂直方向における相対位置
が決定される。

【００１５】ところで、通常、光記録媒体と近接場光発
生装置との相対位置関係を知るためには、光記録媒体と
近接場光発生装置との相対位置に依存して変化する物性
値を検出する必要がある。光記録媒体表面に沿う方向と
光記録媒体に対し垂直な方向における光記録媒体と近接
場光発生装置との相対位置検出のうち垂直方向の相対位
置、換言すれば光記録媒体と近接場光発生装置との間隔
距離の検出としては、近接場光発生装置の振動振幅の減
少或いは励振信号に対する位相変化を検出する、いわゆ
る、シェアフォース法による検出、記録媒体と近接場光
発生装置との間のトンネル電流を検出する、いわゆる、
トンネル電流法による検出、記録媒体と近接場光発生装
置と間の静電容量の検出などが知られている。そうした
物性値の中で、例えばトンネル電流、静電容量を検出す
るためには、「光記録媒体側が導電性部分を有するこ
と」という制約がある。特にトンネル電流の検出の場合
では、導電性部分は光記録媒体表面になければならな
い。

【００１６】本発明に係る第１の光記録媒体では、前記
記録層の表面に前記薄い金属からなる層が設けられてお
り、本発明に係る第２の光記録媒体では、前記金属から
なる層の表面に前記薄い記録層が設けられているので、
いずれにしても、この金属からなる層を近接場光発生装
置との間隔距離の検出に利用することで、前記のような
「光記録媒体に対する制約」、すなわち「光記録媒体側
が導電性部分を有する」という制約のある物性値検出も
行うことができる。

【００１７】例えば、静電容量等で検出する場合、本発
明の第１の光記録媒体によると、前記記録層表面に設け
られた前記薄い金属からなる層が、本発明の第２の光記
録媒体によると、表面に前記薄い記録層を設けた前記金
属からなる層が、該検出に利用され、この検出によって
得られる検出値のＳＮ比を向上させることができる。ひ
いては、この検出に基づいて近接場光発生装置の該媒体
表面に垂直な方向における相対位置関係を精度よく決定
することができる。

【００１８】また、光記録媒体と近接場光発生装置との
該媒体表面に平行な方向における相対位置に依存して変
化する物性値の検出としては、光記録媒体における、光
学的特性（例えば、光反射率又は光透過率）や非光学的
特性（例えば、光記録媒体と近接場光発生装置との間の
静電容量）の違いによる検出などが知られている。そこ
で、本発明の第１の光記録媒体においては、前記薄い金
属からなる層を、本発明の第２の光記録媒体において
は、前記薄い記録層を、予め所定形状のパターンに形成
しておくことができる。

【００１９】こうすることで、例えば、本発明の第１の
光記録媒体では、表面に金属からなる層のある部分と金
属からなる層のない部分（すなわち前記記録層が媒体表
面に表れている部分）とを設けることができる。この媒
体表面に光を照射して、該表面からの反射光、散乱光を
モニターすると、モニター値は金属からなる層のある部
分に該光が照射される場合は大きく、金属からなる層の
ない部分（すなわち前記記録層が媒体表面に表れている
部分）に該光が照射される場合は小さくなる。また、本
発明の第２の光記録媒体では、表面に記録層のある部分
と記録層のない部分（すなわち前記金属からなる層が媒
体表面に表れている部分）とを設けることができる。こ
の媒体表面に光を照射して、該表面からの反射光、散乱
光をモニターすると、モニター値は記録層のある部分に
該光が照射される場合は小さく、記録層のない部分（す
なわち前記金属からなる層が媒体表面に表れている部
分）に該光が照射される場合は大きくなる。なお、本発
明の第２の光記録媒体では、該媒体表面における記録層
のある部分に情報の記録、再生、消去を行う。

【００２０】従って、本発明の第１及び第２の光記録媒
体によると、近接場光発生装置と該媒体との該媒体表面
に平行な方向の相対的な移動に伴って変化する前記モニ
ター値を検出して該方向における相対位置を制御するこ
とで、本発明の第１の光記録媒体については前記薄い金
属からなる層のパターンに基づいて、本発明の第２の光
記録媒体については前記薄い記録層のパターンに基づい
て、該近接場光発生装置を該媒体の該方向における所望
の位置に移動させることができる。

【００２１】このように、本発明の第１の光記録媒体で
は、前記記録層表面に設けられた前記薄い金属からなる
層を、本発明の第２の光記録媒体では、表面に前記薄い
記録層を設けた前記金属からなる層を、該媒体と近接場
光発生装置との該媒体表面に平行な方向における相対位
置の検出に利用することができる。ひいては、この検出
に基づいて近接場光発生装置の該媒体表面に平行な方向
における相対位置関係を精度よく決定することができ
る。

【００２２】本発明の第１及び第２の光記録媒体におけ
る金属からなる層の、近接場光発生装置の該媒体表面に
平行な方向における相対位置検出の利用例としては、該
光記録媒体について情報の記録、再生及び（又は）消去
を行うための近接場光発生装置による該光記録媒体に対
するトラッキング動作時のトラッキング位置検出を挙げ
ることができる。

【００２３】このように、本発明の第１及び第２の光記
録媒体によると、近接場光発生装置の該媒体表面に平行
な方向及び垂直な方向における相対位置関係を３次元的
に精度よく決定することができる。本発明に係る第１の
光記録媒体では、前記薄い金属からなる層は、媒体表面
に形成されているので、該金属からなる層を近接場光発
生装置の該媒体表面に平行な方向における相対位置の光
学的特性の違いによる検出、例えば、光学的特性の違い
によるトラッキング位置検出に利用する場合、該金属か
らなる層に照射される光として、通常光は勿論のこと、
近接場光も用いることができる。従って、前記薄い金属
からなる層を光学的特性の違いによるトラッキング位置
検出に利用する場合、通常光は勿論のこと、近接場光に
よるトラッキングも行うことができる。

【００２４】前記薄い金属からなる層の層厚としては、
前記記録層が情報の記録、再生、消去にあたりいわゆる
近接場領域から離れない程度の層厚にすることができ、
それには限定されないが、１ｎｍから２００ｎｍを例示
できる。これにより、近接場光による情報の記録、再生
及び（又は）消去を行うことができる。また、前記薄い
金属からなる層は、前記記録層表面を保護できるという
利点もある。前記薄い金属からなる層は、前記記録層表
面全体を覆っていてもよいし、一部を覆っていてもよ
い。

【００２５】いずれにしても、前記薄い金属からなる層
に用いることができる金属材料としては、それには限定
されないが、アルミニウムを例示できる。また、前記記
録層に用いることができる材料としては、フォトクロミ
ック材料であるジアリールエテン化合物を例示でき、そ
の層厚としては、１ｎｍから２００ｎｍを例示できる
が、それに限定されるものではない。

【００２６】前記記録層を形成する方法としては、スピ
ンコート法などを例示できる。また、前記薄い金属から
なる層を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタ
法などを例示できる。前記薄い金属からなる層を予め所
定形状のパターンに形成しておく場合、そのパターン形
状としては、同じ径の微小円が所定間隔をおいて規則的
に並べられたパターンや同心円状又は螺旋状のパターン
を例示できる。例えば、真空蒸着法によりかかるパター
ンを形成する場合、微細加工されたパターン形成用マス
クを介して前記記録層表面に真空蒸着することができ
る。

【００２７】なお、このように所定形状のパターンを持
った金属からなる層を作製する場合は、特に真空蒸着法
によるパターン形成に限定されるものではないが、真空
蒸着法によるパターン形成はマスクパターンを忠実に反
映した層を作製でき、また層厚も精度よくコントロール
できる点で適している。また、スパッタ法によるパター
ン形成も真空蒸着法によるパターン形成と同様の特徴を
有するが、記録層に有機材料を用いる場合には、プラズ
マ雰囲気による有機材料の劣化が生じないように、スパ
ッタ条件の設定に注意が必要である。

【００２８】このような形成方法により前記薄い金属か
らなる層は、所定形状のパターンにに形成することがで
きるので、該金属からなる層をトラッキング位置検出に
利用する場合、近接場光記録に要求されるトラック幅、
トラック間隔（ピッチ）のトラッキングパターンに形成
することもできる。このトラック幅としては、５ｎｍか
ら５００ｎｍを例示でき、トラック間隔としては、５ｎ
ｍから５００ｎｍを例示できるが、それに限定されるも
のではない。

【００２９】本発明に係る第２の光記録媒体では、前記
薄い記録層は、媒体表面に形成されているので、近接場
光による情報の記録、再生及び（又は）消去を行うこと
ができる。前記薄い記録層の層厚としては、前記金属か
らなる層が情報の記録、再生、消去にあたりいわゆる近
接場領域から離れない程度の層厚にすることができ、そ
れには限定されないが、１ｎｍから２００ｎｍを例示で
きる。これにより、前記金属からなる層を近接場光発生
装置の該媒体表面に平行な方向における相対位置の光学
的特性の違いによる検出、例えば、光学的特性の違いに
よるトラッキング位置検出に利用する場合、前記金属か
らなる層に照射される光として、通常光は勿論のこと、
近接場光も用いることができる。従って、前記金属から
なる層を光学的特性の違いによるトラッキング位置検出
に利用する場合、通常光は勿論のこと、近接場光による
トラッキングも行うことができる。

【００３０】また、前記薄い記録層は、前記金属からな
る層表面全体を覆っていてもよいし、一部を覆っていて
もよい。いずれにしても、前記薄い記録層に用いること
ができる材料としては、それには限定されないが、フォ
トクロミック材料であるジアリールエテン化合物を例示
できる。

【００３１】また、前記金属からなる層に用いることが
できる金属材料としては、アルミニウムを例示でき、そ
の層厚としては、１ｎｍから２００ｎｍを例示できる
が、それに限定されるものではない。前記金属からなる
層を形成する方法としては、真空蒸着法などを例示でき
る。また、前記薄い記録層を形成する方法としては、真
空蒸着法、スパッタ法などを例示できる。

【００３２】前記薄い記録層を予め所定形状のパターン
に形成しておく場合、そのパターン形状としては、同じ
径の微小円が所定間隔をおいて規則的に並べられたパタ
ーンや同心円状又は螺旋状のパターンを例示できる。例
えば、真空蒸着法によりかかるパターンを形成する場
合、微細加工されたパターン形成用マスクを介して前記
金属からなる層表面に真空蒸着することができる。

【００３３】なお、このように所定形状のパターンを持
った記録層を作製する場合は、特に真空蒸着法によるパ
ターン形成に限定されるものではないが、真空蒸着法に
よるパターン形成はマスクパターンを忠実に反映した層
を作製でき、また層厚も精度よくコントロールできる点
で適している。また、スパッタ法によるパターン形成も
真空蒸着法によるパターン形成と同様の特徴を有する
が、スパッタ源に有機材料を用いる場合には、ほとんど
の場合において有機材料の分解が生じてしまい、成膜条
件、有機材料種の限定といった制約を大きく受けること
になると思われるので、それだけプラズマ雰囲気による
有機材料の劣化（分解）が生じないように、スパッタ条
件の設定に注意が必要である。

【００３４】なお、有機材料からなる記録層上にスパッ
タ法により金属からなる層を形成する場合、金属からな
る層上に有機材料からなる記録層をスパッタ法により形
成する場合、いずれにしても、プラズマにより有機材料
が損傷を受けないように注意が必要である。このような
形成方法により前記薄い記録層は、所定形状のパターン
に形成することができるので、前記金属からなる層をト
ラッキング位置検出に利用する場合、前記薄い記録層を
近接場光記録に要求されるトラック幅、トラック間隔
（ピッチ）のトラッキングパターンに形成することもで
きる。このトラック幅としては、５ｎｍから５００ｎｍ
を例示でき、トラック間隔としては、５ｎｍから５００
ｎｍを例示できるが、それに限定されるものではない。

【００３５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明に係る光記録媒体の
１例を収容する情報記録装置の概略構成を示す図であ
る。図１に示す情報記録装置は、ヘッド１００、光記録
媒体収容部２００、距離検出装置３００、近接場光発生
装置駆動部４００、位置検出装置５００ａ、再生情報検
出装置５００ｂ、制御部ＣＯＮＴなどを含んでおり、光
記録媒体収容部２００に収容される光記録媒体５に対し
て近接場光Ｌによる情報の近接場光記録、再生及び消去
のいずれも行うことができる。すなわち、情報記録又は
消去時には制御部ＣＯＮＴからの記録情報に基づく情報
記録用の近接場光Ｌを、又は情報消去用の近接場光Ｌを
ヘッド１００の近接場光射出部４’から光記録媒体５の
表面５ａに照射し、記録媒体５に情報の記録又は消去を
行う。また、情報再生時には制御部ＣＯＮＴからの指示
信号により情報再生用の近接場光Ｌをヘッド１００の近
接場光射出部４’から光記録媒体５の表面５ａに照射
し、光記録媒体５を透過した透過光６を再生情報検出装
置５００ｂにて検出し、情報の再生を行う。なお、情報
の記録、再生及び消去のいずれの場合も距離検出装置３
００による検出値に基づいて、制御部ＣＯＮＴにより光
記録媒体５と後述する近接場光発生装置４の光射出部
４’との媒体表面５ａに垂直な方向における相対位置、
すなわち、近接場光発生装置４の光射出部４’と光記録
媒体５との間隔距離が制御され、位置検出装置５００ａ
による検出値に基づいて、制御部ＣＯＮＴにより光記録
媒体５と近接場光発生装置４の光射出部４’との媒体表
面５ａに平行な方向における相対位置が制御される。

【００３６】なお、図１において、矢印ｘ方向及びｙ方
向は、いずれも光記録媒体５の表面５ａに平行な方向で
あり、互いに直交関係にある。また、矢印ｚ方向は、光
記録媒体５の表面５ａに垂直な方向である。ヘッド１０
０は、Ａｒイオンレーザ光源１、光学結合装置３及び近
接場光発生装置４を含んでいる。レーザ光源１は制御部
ＣＯＮＴに接続されており、制御部ＣＯＮＴの指示の
下、レーザ光２（本例では、波長５１４ｎｍ、出力電力
１０ｍＷのレーザ光）を光学結合装置３に向けて出射で
きる。光学結合装置３はレーザ光源１からのレーザ光２
を近接場光発生装置４に照射できる。近接場光発生装置
４は光学結合装置３からのレーザ光２を近接場光Ｌに変
換できる。

【００３７】図２に近接場光発生装置４の断面図を示
す。近接場光発生装置４は、本例ではコア部４１とクラ
ッド部４２を有する光ファイバ４ａからなっている。図
２に示すように、光ファイバ４ａは、その先端部４ｂが
化学エッチングにより先鋭化されたあと、その周辺部に
アルミニウムが蒸着されることによりコート膜４ｃが施
されている。そしてその先鋭化部分の先端部のアルミニ
ウムのみが化学エッチングにより除去されることによっ
て、本例では、開口径約１００ｎｍの開口部４ｄが形成
されている。これにより、近接場光発生装置４は光学結
合装置３からのレーザ光２が光ファイバ４ａの先鋭化さ
れていない側４ｅに入射されることで先鋭化されている
側、すなわち、近接場光射出部４’の開口部４ｄより近
接場光Ｌを出射できる。

【００３８】図１に示すように、距離検出装置３００
は、レーザ光源１とは異なる距離検出用レーザ光源１
２、２分割フォトダイオード１７、集束レンズ１４、集
光レンズ１６を含んでいる。レーザ光源１２は制御部Ｃ
ＯＮＴに接続されており、制御部ＣＯＮＴの指示の下、
距離検出用レーザ光１３（本例では、波長７８０ｎｍ、
出力電力１ｍＷ）を射出でき、該光をレンズ１４を介し
て近接場光発生装置４における近接場光射出部４’に照
射できる。この場合、光照射部における光のスポット径
の方が、近接場光射出部４’の該レーザ光１３が照射さ
れる部分の幅に比べて大きくされる。

【００３９】２分割フォトダイオード１７はフォトダイ
オード１７ａ、１７ｂを含んでおり、制御部ＣＯＮＴに
接続されている。フォトダイオード１７ａ、１７ｂに
は、近接場光射出部４’に照射された後の近接場光射出
部４’の影を有する光１５がレンズ１６を介して入射さ
れ、各フォトダイオードへの入射光はそれぞれその光量
に応じて電気信号に変換（光電変換）される。この信号
は電気回路１７ａ’、１７ｂ’によって光量として検出
され、それぞれ制御部ＣＯＮＴに送られる。制御部ＣＯ
ＮＴは、フォトダイオード１７ａ、１７ｂを介して検出
される光量を比較することで、照射ビーム位置との相対
値という形で近接場光発生装置４の所定方向（図１中ｘ
方向）における位置を検出することができる位置検出手
段を含んでいる。

【００４０】近接場光発生装置駆動部４００は図１中ｘ
方向の駆動素子（駆動部）１８及び近接場光発生装置昇
降方向（図１中ｚ方向）駆動素子（駆動部）１９を含ん
でいる。駆動素子１８は制御部ＣＯＮＴに接続されてお
り、制御部ＣＯＮＴの指示の下、近接場光発生装置４に
ｘ方向の振動を付与することができる。なお、本例で
は、近接場光発生装置４に付与する振動周波数は、近接
場光発生装置４の共振周波数にほぼ等しく１０ｋＨｚ、
振幅は５０ｎｍである。駆動素子１９は制御部ＣＯＮＴ
に接続されており、制御部ＣＯＮＴの指示の下、駆動素
子１８により振動する近接場光発生装置４を媒体５の方
に近づけたり、媒体５から遠ざけたりできる。

【００４１】駆動素子１８により振動する近接場光発生
装置４を媒体５に近づける場合、両者の距離がある距離
以内に近づくと、近接場光発生装置４の振動の振幅及び
位相が変化する。この原因は媒体表面５ａの吸着水の影
響と考えられ、この影響を受けて振幅は次第に小さくな
り、また位相は初期（両者の距離が遠い場合）に比べて
ずれていく。このことを利用して、振幅変化、或いは位
相のずれを前記の２分割フォトダイオード１７を介して
検出することにより、両者の間の相対的な距離がわか
る。すなわち、制御部ＣＯＮＴでは、２分割フォトダイ
オード１７にて検出されたｘ方向の相対距離変動に基づ
いて、図１中ｚ方向に駆動する駆動素子１９にフィード
バックをかける。これにより、駆動素子１９を制御し
て、装置４と媒体５との距離を目標値（本例では３０ｎ
ｍ）に合わせることができる。

【００４２】媒体収容部２００は、光記録媒体保持部材
２０、図１中ｘ方向の駆動素子（駆動部）２１及び図１
中ｙ方向の駆動素子（駆動部）２２を備えており、光記
録媒体５を収納できる。駆動素子２１は、制御部ＣＯＮ
Ｔに接続されており、制御部ＣＯＮＴの指示の下、光記
録媒体保持部材２０を図中ｘ方向の移動させることがで
きる。駆動素子２２は、制御部ＣＯＮＴに接続されてお
り、制御部ＣＯＮＴの指示の下、光記録媒体保持部材２
０を図中ｙ方向の移動させることができる。光記録媒体
保持部材２０は、駆動素子２１及び駆動素子２２の図示
を省略した可動部にそれぞれ接続されており、光記録媒
体５を保持することができる。これにより、光記録媒体
５は、駆動素子２１により図中ｘ方向に、駆動素子２２
により図中ｙ方向に保持部材２０を介して移動される。

【００４３】位置検出装置５００ａは光記録媒体５の上
方に設けられており、集光レンズ１０、反射光量検出用
フォトダイオード１１を含んでいる。集光レンズ１０は
光記録媒体５からの反射光、散乱光９をフォトダイオー
ド１１に集光できる。フォトダイオード１１は制御部Ｃ
ＯＮＴに接続されており、レンズ１０からの入射光を電
気信号に変換（光電変換）できる。この信号は電気回路
１１’によって光量として検出され、制御部ＣＯＮＴに
送られる。

【００４４】再生情報検出装置５００ｂは光記録媒体５
の下方に設けられており、集光レンズ７、透過光量検出
用フォトダイオード８を含んでいる。集光レンズ７は光
記録媒体５からの透過光６をフォトダイオード８に集光
できる。フォトダイオード８は制御部ＣＯＮＴに接続さ
れており、レンズ７からの入射光を電気信号に変換（光
電変換）できる。この信号は電気回路８’によって光量
として検出され、制御部ＣＯＮＴに送られる。

【００４５】制御部ＣＯＮＴはコンピュータを中心に構
成されており、情報記録装置全体を制御する。制御部Ｃ
ＯＮＴは既述のとおり、レーザ光源１、距離検出装置３
００、近接場光発生装置駆動部４００、駆動素子２１、
２２、位置検出装置５００ａ及び再生情報検出装置５０
０ｂに接続されている。制御部ＣＯＮＴは、レーザ光源
１のレーザ光２の射出タイミングの制御を行ったり、或
いは距離検出装置３００の検出値に基づいて、駆動部４
００による光記録媒体５と近接場光発生装置４との間の
距離制御、位置検出装置５００ａの検出値に基づいて、
光記録媒体５と接場光射出部４’との媒体表面５ａに平
行な方向における相対位置制御及び再生情報検出装置５
００ｂによる検出値に基づいて情報の再生などを行う。

【００４６】図３に図１に示す光記録媒体５の一部の拡
大断面図を示す。光記録媒体５は、図３に示すように、
ガラスからなる基板５１、フォトクロミック記録層５
２、薄い金属からなる層５３から構成されている。さら
に言うと、光記録媒体５は、ガラス基板５１上にフォト
クロミック材料であるジアリールエテン化合物をポリス
チレン樹脂に混合した記録層５２をスピンコート法によ
り形成し、さらにその上に薄い金属からなる層５３、本
例ではアルミニウムからなる層を真空蒸着法により形成
したものである。

【００４７】記録層５２の層厚としては、それには限定
されないが、１ｎｍから２００ｎｍを例示でき、ここで
は約５０ｎｍ（図３中ｄ１）である。薄い金属からなる
層５３の層厚としては、記録層５２が情報の記録、再
生、消去にあたりいわゆる近接場領域から離れない程度
の層厚にすることができ、それには限定されないが、１
ｎｍから２００ｎｍを例示できる。ここでは約２０ｎｍ
（図３中ｄ２）である。これにより、近接場光による情
報の記録、再生及び消去を行うことができる。

【００４８】この場合、媒体５の薄い金属からなる層５
３側に近接場光発生装置４が近接配置される。なお、本
例では、薄い金属からなる層５３は記録層５２表面の一
部を覆っているが、記録層５２表面の全体を覆っていて
もよい。光記録媒体５では、真空蒸着法によるアルミニ
ウムからなる層５３の形成にあたり、媒体５における記
録層５２表面に所定形状のパターンが微細加工されたマ
スクを載置し、そのマスクを介してアルミニウムの真空
蒸着を行っている。従って、記録層５２表面にはマスク
における孔のパターンが転写された形でアルミニウム層
５３が形成される。なお、マスクの概略構成図を図４に
示す。ここで用いたマスクは径１００ｎｍ（図４中Ａ）
の円形の孔が２００ｎｍ（図４中Ｂ）おきに作製されて
おり、このマスクの厚みは１ｍｍである。

【００４９】なお、このように所定形状のパターンを持
った金属からなる層（アルミニウム層）５３を作製する
場合は、特に真空蒸着法によるパターン形成に限定され
るものではないが、真空蒸着法によるパターン形成はマ
スクパターンを忠実に反映した層を作製でき、また層厚
も精度よくコントロールできる点で適している。また、
スパッタ法によるパターン形成も真空蒸着法によるパタ
ーン形成と同様の特徴を有するが、例えば、記録層５２
に有機材料を用いる場合には、プラズマ雰囲気による有
機材料の劣化が生じないように、スパッタ条件の設定に
注意が必要である。

【００５０】図５にフォトクロミック材料であるジアリ
ールエテン化合物の構造式を示す。ここで簡単にフォト
クロミック材料について触れておく。フォトクロミック
材料が示すフォトクロミック反応とは、Ａの状態（例え
ば、図５のジアリールエテン化合物では左側の状態）に
あるフォトクロミック材料に、Ａの状態が吸収を有する
波長λ１の光を照射することにより、異なる波長光の吸
収を有するＢの状態（例えば、図５のジアリールエテン
化合物では右側の状態）が生成し、また、Ｂの状態にあ
るフォトクロミック材料に、Ｂの状態が吸収を有する波
長λ２の光を照射することにより、元のＡの状態に戻る
可逆反応のことである。従って、フォトクロミック媒体
である光記録媒体５は、このＡの状態、Ｂの状態を情報
未記録状態、情報記録状態に又は情報記録状態、情報未
記録状態にそれぞれ対応させることにより、情報の書き
換えが可能な光記録媒体となる。

【００５１】以上説明した情報記録装置によると、光記
録媒体５に対して情報の記録、再生、消去を行うにあた
り、光記録媒体５と近接場光発生装置４との該媒体表面
５ａに垂直な方向及び平行な方向における相対位置の検
出、制御が行われる。先ず、光記録媒体５と近接場光発
生装置４との該媒体表面５ａと垂直な方向における相対
位置、すなわち近接場光発生装置４と光記録媒体５との
間隔距離の検出、制御について説明する。なお、本例に
適用される近接場光発生装置４と媒体５との距離検出方
法は、いわゆるシェアフォース法として知られているも
のである。

【００５２】近接場光発生装置駆動部４００は、近接場
光発生装置４に装着されている駆動素子１８により近接
場光発生装置４に図１中ｘ方向の振動を付与する。駆動
素子１８によりｘ方向に振動させられた近接場光発生装
置４は、駆動素子１９により媒体表面５ａの方に近づけ
られる。距離検出装置３００では、距離検出用レーザ光
源１２から発せられた距離検出用レーザ光１３が近接場
光発生装置４における近接場光射出部４’に照射され
る。このとき、照射部において、近接場光射出部４’の
レーザ光照射部分の幅に比べて光のスポット径のほうが
大きくなっている。近接場光射出部４’に照射された後
の光１５は、近接場光射出部４’の影を有している。こ
の光は２分割フォトダイオード１７によって光電変換さ
れ、光量が検出されたあと、その検出信号が制御部ＣＯ
ＮＴに送られる。制御部ＣＯＮＴでは、フォトダイオー
ド１７ａ、１７ｂにて検出される光量を比較すること
で、近接場光発生装置４の振動の振幅（又は位相）の変
化、さらにはそれから装置４と媒体表面５ａとの間の距
離を求める。そして近接場光発生装置４と媒体５との間
の検出相対距離に基づいて、駆動素子１９にフィードバ
ックをかける。これにより、両者の距離が目標値（本例
では３０ｎｍ）に合わせられる。

【００５３】次に、光記録媒体５と近接場光発生装置４
との該媒体表面５ａに平行な方向における相対位置、こ
こではトラッキング位置の検出、制御について図１及び
図６を参照しながら説明する。図６は光記録媒体５と近
接場光発生装置４との媒体表面５ａに平行な方向におけ
る相対位置の検出、制御を説明するための図であり、光
記録媒体５の光記録媒体収容部２００における収容状態
の一部を拡大した図である。なお、図６において、矢印
ｘ方向及びｙ方向は、いずれも光記録媒体５の表面５ａ
に平行な方向であり、互いに直交関係にある。

【００５４】初期段階では、近接場光発生装置４におけ
る近接場光射出部４’は近接場光発生装置初期位置ｉに
配置されている。光記録媒体５をｘ方向駆動素子２１に
より図１及び図６中ｘ方向（図中左方向）に移動させ
る。媒体５の移動時、近接場光射出部４’から近接場光
Ｌが媒体５の表面５ａに照射され続けている。媒体５か
ら反射された反射光、散乱光９はフォトダイオード１１
にて検出され、ここで反射光、散乱光９がモニターされ
る。フォトダイオード１１により検出されたモニター値
は、制御部ＣＯＮＴに送られる。このモニター値は、ア
ルミニウム層５３に照射される場合は大きく、アルミニ
ウム層５３ではなく記録層５２に照射される場合は小さ
くなる。制御部ＣＯＮＴでは、このモニター値に基づい
てｘ方向駆動素子２１及びｙ方向駆動素子２２を制御す
る。すなわち、媒体５を図中ｘ方向に移動させるとき、
フォトダイオード１１により検出されるモニター値は、
媒体５の移動につれて大小パターンを繰り返すことにな
る。この繰り返しのピークを数えることによって、近接
場光射出部４’を図６中＊印の位置（第１位置決め位置
ｆ）に配置する。次に、光記録媒体５をｙ方向駆動素子
２２により図中ｙ方向（図６中下方向）に移動させ、ｘ
方向の位置決めと同様にして、近接場光射出部４’を所
望の図６中×印の位置（最終位置決め位置ｅ）に配置す
る。

【００５５】このようにして、近接場光射出部４’と光
記録媒体５との該媒体表面５ａに平行な方向における相
対位置関係が決定される。なお、ｘ方向駆動素子２１及
びｙ方向駆動素子２２による光記録媒体５のｘｙ座標の
駆動方向と、光記録媒体５における金属からなる層５３
のパターン（微小円の配列パターン）のｘｙ座標の配列
方向とは、完全に一致しておらず、ｘｙ方向のずれを含
んでいるので、例えば光記録媒体５をｘ方向に移動させ
る場合もｘ方向駆動素子２１だけでなく、ｙ方向駆動素
子２２を用いて、そのずれを逐次ｙ方向に補正しながら
移動させる。

【００５６】また、近接場光射出部４’の、フォトダイ
オード１１によるモニター出力がピーク（極大）となる
位置ごとに、前記のシェアフォース法による距離検出に
より近接場光射出部４’と光記録媒体５との間隔距離を
検出し、その検出値を近接場光発生装置昇降方向（図１
中ｚ方向）駆動素子１９にフィードバックして近接場光
射出部４’と光記録媒体５（アルミニウムからなる層５
３最表面）との間隔が３０ｎｍとなるように位置決めし
ている。

【００５７】このように、光記録媒体５では、記録層５
２表面に設けられた薄い金属からなる層５３を、媒体５
と近接場光発生装置４との媒体表面５ａに平行な方向に
おける相対位置の検出に利用することができる。ひいて
は、この検出に基づいて近接場光発生装置４の媒体表面
５ａに平行な方向における相対位置関係を精度よく決定
することができる。また、薄い金属からなる層５３は、
媒体表面５ａに形成されており、該層５３を近接場光発
生装置４の媒体表面５ａに平行な方向における相対位置
の光学的特性の違いによる検出、本例では、光学的特性
の違いによるトラッキング位置検出に利用するので、金
属からなる層５３に照射される光として、通常光は勿論
のこと、近接場光Ｌも用いることができる。従って、本
例では薄い金属からなる層５３をトラッキング位置検出
に利用するので、通常光は勿論のこと、近接場光Ｌによ
るトラッキングも行うことができる。また、薄い金属か
らなる層５３は、記録層５２表面を保護できるという利
点もある。

【００５８】また、薄い金属からなる層５３は、真空蒸
着法により所定形状のパターンに形成することができる
ので、該層５３をトラッキング位置検出に利用する場
合、近接場光記録に要求されるトラック幅、トラック間
隔（ピッチ）のトラッキングパターンに形成することも
できる。このトラック幅としては、５ｎｍから５００ｎ
ｍを例示でき、トラック間隔としては、５ｎｍから５０
０ｎｍを例示でき、本例では、それぞれ１００ｎｍ、２
００ｎｍである。

【００５９】図７に本発明に係る光記録媒体の他の例
５’の一部の拡大断面図を示す。光記録媒体５’は、図
７に示すように、ガラスからなる基板５１’、金属から
なる層５２’、薄いフォトクロミック記録層５３’から
構成されている。さらに言うと、光記録媒体５’は、ガ
ラス基板５１’上に金属からなる層５２’、本例ではア
ルミニウムからなる層を真空蒸着法により形成し、さら
にその上にフォトクロミック材料であるジアリールエテ
ン化合物をポリスチレン樹脂に混合した薄い記録層５
３’を同じく真空蒸着法により形成したものである。

【００６０】金属からなる層５２’の層厚としては、そ
れには限定されないが、１ｎｍから２００ｎｍを例示で
き、ここでは約１００ｎｍ（図７中ｄ１’）である。薄
い記録層５３’の層厚としては、金属からなる層５２’
が情報の記録、再生、消去にあたりいわゆる近接場領域
から離れない程度の層厚にすることができ、それには限
定されないが、１ｎｍから２００ｎｍを例示できる。こ
こでは約５０ｎｍ（図７中ｄ２’）である。

【００６１】この場合、媒体５の薄い記録層５３’側に
近接場光発生装置４が近接配置される。なお、本例で
は、薄い記録層５３’は金属からなる層５２’表面の一
部を覆っているが、金属からなる層５２’表面の全体を
覆っていてもよい。光記録媒体５’では、真空蒸着法に
よる薄い記録層５３’の形成にあたり、媒体５’におけ
る金属からなる層５２’表面に、図１及び図３に示す光
記録媒体５作製時に用いたものと同様のマスク（図４参
照）を載置し、そのマスクを介してフォトクロミック材
料の真空蒸着を行っている。従って、金属からなる層５
２’表面にはマスクにおける孔のパターンが転写された
形でフォトクロミック記録層５３’が形成される。

【００６２】なお、このように所定形状のパターンを持
った記録層（フォトクロミック記録層）５３’を作製す
る場合は、特に真空蒸着法によるパターン形成に限定さ
れるものではないが、真空蒸着法によるパターン形成は
マスクパターンを忠実に反映した層を作製でき、また層
厚も精度よくコントロールできる点で適している。ま
た、スパッタ法によるパターン形成も真空蒸着法による
パターン形成と同様の特徴を有するが、例えば、スパッ
タ源に有機材料を用いる場合には、プラズマ雰囲気によ
る有機材料の劣化が生じないように、スパッタ条件の設
定に注意が必要である。

【００６３】なお、フォトクロミック媒体である光記録
媒体５’も、光記録媒体５と同様、フォトクロミック反
応によって得られるＡの状態、Ｂの状態を情報未記録状
態、情報記録状態に又は情報記録状態、情報未記録状態
にそれぞれ対応させることにより、情報の書き換えが可
能な光記録媒体となる。この光記録媒体５’も図１に示
す情報記録装置に収容でき、情報の記録、再生及び消去
を行うことができる。

【００６４】次に、図１に示す装置に光記録媒体５’を
収容した場合の媒体５’と近接場光発生装置４との該媒
体表面５ａ’に平行な方向における相対位置、ここでは
トラッキング位置の検出、制御について図１及び図８を
参照しながら説明する。図８は光記録媒体５’と近接場
光発生装置４との媒体表面５ａ’に平行な方向における
相対位置の検出、制御を説明するための図であり、光記
録媒体５’の光記録媒体収容部２００における収容状態
の一部を拡大した図である。なお、図８において、矢印
ｘ方向及びｙ方向は、いずれも光記録媒体５’の表面５
ａ’に平行な方向であり、互いに直交関係にある。

【００６５】初期段階では、近接場光発生装置４におけ
る近接場光射出部４’は近接場光発生装置初期位置ｉに
配置されている。光記録媒体５’をｘ方向駆動素子２１
により図１及び図８中ｘ方向（図中左方向）に移動させ
る。媒体５’の移動時、近接場光射出部４’から近接場
光Ｌが媒体５’の表面５ａ’に照射され続けている。媒
体５’から反射された反射光、散乱光９はフォトダイオ
ード１１にて検出され、ここで反射光、散乱光９がモニ
ターされる。フォトダイオード１１により検出されたモ
ニター値は、制御部ＣＯＮＴに送られる。このモニター
値は、アルミニウム層５２’に照射される場合は大き
く、アルミニウム層５２’ではなく記録層５３’に照射
される場合は小さくなる。制御部ＣＯＮＴでは、このモ
ニター値に基づいてｘ方向駆動素子２１及びｙ方向駆動
素子２２を制御する。すなわち、媒体５’を図中ｘ方向
に移動させるとき、フォトダイオード１１により検出さ
れるモニター値は、媒体５’の移動につれて大小パター
ンを繰り返すことになる。この繰り返しのピークを数え
ることによって、近接場光射出部４’を図８中＊印の位
置（第１位置決め位置ｆ’）に配置する。次に、光記録
媒体５’をｙ方向駆動素子２２により図中ｙ方向（図８
中下方向）に移動させ、ｘ方向の位置決めと同様にし
て、近接場光射出部４’を所望の図８中×印の位置（最
終位置決め位置ｅ’）に配置する。なお、光記録媒体
５’では、媒体表面５ａ’における記録層５３’のある
部分に情報の記録、再生及び消去を行う。

【００６６】このようにして、近接場光射出部４’と光
記録媒体５’との該媒体表面５ａ’に平行な方向におけ
る相対位置関係が決定される。なお、ｘ方向駆動素子２
１及びｙ方向駆動素子２２による光記録媒体５’のｘｙ
座標の駆動方向と、光記録媒体５’における記録層５
３’のパターン（微小円の配列パターン）のｘｙ座標の
配列方向とは、完全に一致しておらず、ｘｙ方向のずれ
を含んでいるので、例えば光記録媒体５’をｘ方向に移
動させる場合もｘ方向駆動素子２１だけでなく、ｙ方向
駆動素子２２を用いて、そのずれを逐次ｙ方向に補正し
ながら移動させる。

【００６７】また、近接場光射出部４’の、フォトダイ
オード１１によるモニター出力が極小となる位置ごと
に、前記のシェアフォース法による距離検出により近接
場光射出部４’と光記録媒体５’との間隔距離を検出
し、その検出値を近接場光発生装置昇降方向（図１中ｚ
方向）駆動素子１９にフィードバックして近接場光射出
部４’と光記録媒体５’（記録層５３’最表面）との間
隔が３０ｎｍとなるように位置決めしている。

【００６８】このように、光記録媒体５’では、表面に
薄い記録層５３’を設けた金属からなる層５２’を、媒
体５’と近接場光発生装置４との媒体表面５ａ’に平行
な方向における相対位置の検出に利用することができ
る。ひいては、この検出に基づいて近接場光発生装置４
の媒体表面５ａ’に平行な方向における相対位置関係を
精度よく決定することができる。

【００６９】また、薄い記録層５３’は、金属からなる
層５２’が情報の記録、再生、消去にあたりいわゆる近
接場領域から離れない程度の層厚にされており、金属か
らなる層５２’を近接場光発生装置４の媒体表面５ａ’
に平行な方向における相対位置の光学的特性の違いによ
る検出、本例では、光学的特性の違いによるトラッキン
グ位置検出に利用するので、金属からなる層５２’に照
射される光として、通常光は勿論のこと、近接場光も用
いることができる。従って、本例では金属からなる層５
２’をトラッキング位置検出に利用するので、通常光は
勿論のこと、近接場光によるトラッキングも行うことが
できる。

【００７０】また、薄い記録層５３’は、真空蒸着法に
より所定形状のパターンに形成することができるので、
金属からなる層５２’をトラッキング位置検出に利用す
る場合、近接場光記録に要求されるトラック幅、トラッ
ク間隔（ピッチ）のトラッキングパターンに形成するこ
ともできる。このトラック幅としては、５ｎｍから５０
０ｎｍを例示でき、トラック間隔としては、５ｎｍから
５００ｎｍを例示でき、本例では、それぞれ１００ｎ
ｍ、２００ｎｍである。

【００７１】なお、本例ではトラッキング位置の検出に
近接場光Ｌ照射時の光記録媒体５、５’からの反射光、
散乱光９を用いるが、既述のとおり通用光を用いてトラ
ッキング位置の検出を行ってもよい。また、光記録媒体
５、５’と近接場光発生装置４との間の距離を静電容量
などの非光学的特性の違いにより検出してもよい。ま
た、本例では図１、図６及び図８においてｘｙ方向には
光記録媒体５、５ａを、ｚ方向には近接場光発生装置４
を移動させたが、勿論これに限るものではない。

【００７２】さらに、本例では金属からなる層５３、５
２’をトラッキング位置検出のみに利用するが、いわゆ
るトンネル電流法による検出により、光記録媒体５、
５’と近接場光発生装置４との間隔距離の制御に利用し
てもよい。次に、図１に示す装置をトンネル電流法によ
る検出ができるように変更して、該装置に光記録媒体
５、５’を収容した場合の媒体５、５’と近接場光発生
装置４との間隔距離のトンネル電流法による検出につい
て説明する。

【００７３】図９（Ａ）に光記録媒体５と近接場光発生
装置４とのトンネル電流法による検出状態を示し、図９
（Ｂ）に光記録媒体５’と近接場光発生装置４とのトン
ネル電流法による検出状態を示す。図９（Ａ）、（Ｂ）
に示すように、近接場光発生装置４と記録媒体表面５
ａ、５ａ’の間の距離は、近接場光射出部４’の先端部
４ｂにおける開口部４ｄ付近のアルミニウムコート膜４
ｃの最先端部４ｃ’と、媒体表面５ａ、５ａ’における
金属からなる層５３、５２’との間でバイアス電圧によ
って生じるトンネル電流Ｔが一定になるように制御され
る。

【００７４】光記録媒体５によると、記録層表面５ａに
設けられた薄い金属からなる層５３が、光記録媒体５’
によると、表面に薄い記録層５３’を設けた金属からな
る層５２’が、トンネル電流法による検出に利用され、
この検出によって得られる検出値のＳＮ比を向上させる
ことができる。ひいては、この検出に基づいて近接場光
発生装置４の媒体表面５ａ、５ａ’に垂直な方向におけ
る相対位置関係を精度よく決定することができる。

【００７５】以上説明したように、光記録媒体５、５’
によると、近接場光発生装置４の媒体表面５ａ、５ａ’
に平行な方向及び垂直な方向における相対位置関係を３
次元的に精度よく決定することができる。

【００７６】

【発明の効果】本発明によると、近接場光による情報の
記録、再生及び（又は）消去を行うことができる光記録
媒体であって、近接場光による情報の記録、再生及び
（又は）消去を行う情報記録装置において近接場光発生
装置を利用したトラッキング動作におけるトラッキング
位置検出、近接場光発生装置と光記録媒体との間の距離
検出等のうち少なくとも一つを精度よく行うことがで
き、ひいてはそれだけ光記録媒体と近接場光発生装置と
の相対位置関係を精度よく決定することができる光記録
媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光記録媒体の１例を収容する情報
記録装置の概略構成を示す図である。

【図２】図１に示す近接場光発生装置の断面図である。

【図３】図１に示す光記録媒体の一部の拡大断面図であ
る。

【図４】所定形状のパターンが微細加工されたマスクの
概略構成図である。

【図５】フォトクロミック材料であるジアリールエテン
化合物の構造式である。

【図６】図１及び図３に示す光記録媒体と近接場光発生
装置との該媒体表面に平行な方向における相対位置の検
出、制御を説明するための図であり、該光記録媒体の光
記録媒体収容部における収容状態の一部を拡大した図で
ある。

【図７】本発明に係る光記録媒体の他の例の一部の拡大
断面図である。

【図８】図７に示す光記録媒体と近接場光発生装置との
該媒体表面に平行な方向における相対位置の検出、制御
を説明するための図であり、該光記録媒体の光記録媒体
収容部における収容状態の一部を拡大した図である。

【図９】光記録媒体と近接場光発生装置との間隔距離の
トンネル電流法による検出について説明するための図で
あり、図（Ａ）は図１及び図３に示す光記録媒体と近接
場光発生装置との検出状態を示すものであり、図（Ｂ）
は図７に示す光記録媒体と近接場光発生装置との検出状
態を示すものである。

【符号の説明】

１Ａｒイオンレーザ光源２レーザ光源１から発せられたレーザ光３光学結合装置４近接場光発生装置４’ 近接場光発生装置４における近接場光射出部４ａ光ファイバ４ｂ光ファイバ４ａの先端部４ｃコート膜４ｃ’ コート膜４ｃの最先端部４ｄ開口部４ｅ光ファイバ４ａの先鋭化されていない側４１コア部４２クラッド部５、５’ 光記録媒体５ａ光記録媒体５の表面５ａ’ 光記録媒体５’の表面５１、５１’ ガラス基板５２、５３’ 記録層５３、５２’ 金属からなる層６光記録媒体を透過した光７集光レンズ８透過光量検出用フォトダイオード８’ フォトダイオード８の電気回路９光記録媒体からの反射光、散乱光１０集光レンズ１１反射光量検出用フォトダイオード１１’ フォトダイオード１１の電気回路１２距離検出用レーザ光源１３距離検出用レーザ光１４集束レンズ１５近接場光発生装置４に照射された後の光１６集光レンズ１７２分割フォトダイオード１７ａ、１７ｂフォトダイオード１７ａ’、１７ｂ’ フォトダイオード１７ａ、１７ｂ
の電気回路１８ｘ方向駆動素子（駆動部）１９近接場光発生装置昇降方向（ｚ方向）駆動素子
（駆動部）２０光記録媒体保持部材２１ｘ方向駆動素子（駆動部）２２ｙ方向駆動素子（駆動部）１００ヘッド２００光記録媒体収容部３００距離検出装置４００近接場光発生装置駆動部５００ａ位置検出装置５００ｂ再生情報検出装置ＣＯＮＴ制御部Ａマスクにおける円形の孔の径（トラック幅）Ｂマスクにおける円形の孔の間隔（トラック間隔）ｄ１記録層５２の層厚ｄ２金属からなる層５３の層厚ｄ１’ 金属からなる層５２’の層厚ｄ２’ 記録層５３’の層厚ｅ、ｅ’ 最終位置決め位置ｆ、ｆ’ 第１位置決め位置ｉ近接場光発生装置初期位置Ｌ近接場光Ｔトンネル電流

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】近接場光による情報の近接場光記録、再生
及び（又は）消去を行うことができる光記録媒体であ
り、情報記録層を有し、該記録層の表面に薄い金属から
なる層が設けられていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】前記金属からなる層は前記記録層表面の一
部を覆っている請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】前記金属からなる層は、それを設けた光記
録媒体について情報の記録、再生及び（又は）消去を行
うための近接場光発生装置による該光記録媒体に対する
トラッキング動作時のトラッキング位置検出及び該近接
場光発生装置の近接場光射出部と該光記録媒体との間隔
距離検出のうち少なくとも一方に利用される層である請
求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】近接場光による情報の近接場光記録、再生
及び（又は）消去を行うことができる光記録媒体であ
り、金属からなる層を有し、該金属からなる層の表面に
薄い情報記録層が設けられていることを特徴とする光記
録媒体。
【請求項５】前記記録層は前記金属からなる層表面の一
部を覆っている請求項４記載の光記録媒体。
【請求項６】前記金属からなる層は、それを設けた光記
録媒体について情報の記録、再生及び（又は）消去を行
うための近接場光発生装置による該光記録媒体に対する
トラッキング動作時のトラッキング位置検出及び該近接
場光発生装置の近接場光射出部と該光記録媒体との間隔
距離検出のうち少なくとも一方に利用される層である請
求項４又は５記載の光記録媒体。