JPS59171055A - 磁気光学記憶素子 - Google Patents
磁気光学記憶素子Info
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- JPS59171055A JPS59171055A JP4548883A JP4548883A JPS59171055A JP S59171055 A JPS59171055 A JP S59171055A JP 4548883 A JP4548883 A JP 4548883A JP 4548883 A JP4548883 A JP 4548883A JP S59171055 A JPS59171055 A JP S59171055A
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- rare earth
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- G11B2007/25706—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing transition metal elements (Zn, Fe, Co, Ni, Pt)
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- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
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- G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
- G11B2007/25705—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
- G11B2007/25713—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials containing nitrogen
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
末完#Jはレーザ等の光により情報の記録・再生・消去
等を行々う磁気光学記憶素子に関する。
等を行々う磁気光学記憶素子に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ素子は高密度・大容量のメモリである為
に将来性を期待され多方面で種々の研究開発が行なわれ
ている。中・でも使用者が追加記録をなし得る光メモリ
素子(消去は不可能)、及び使用者が追加記録と消去を
在し得る光メモリ素子については強い期待が寄せられ既
に種々の記録媒体や光メモリシステムが発表されている
。前者の光メモリ素子の記録媒体としてはTeOx、T
eSe。
に将来性を期待され多方面で種々の研究開発が行なわれ
ている。中・でも使用者が追加記録をなし得る光メモリ
素子(消去は不可能)、及び使用者が追加記録と消去を
在し得る光メモリ素子については強い期待が寄せられ既
に種々の記録媒体や光メモリシステムが発表されている
。前者の光メモリ素子の記録媒体としてはTeOx、T
eSe。
TeC等が知られ、後者の光メモリ素子の記録媒体とし
てはGdTbFe、GdTbDyFe、TbFe等が知
らノLでいる。しかしこれらの記録媒体の大半は耐食性
に欠ける為従来その対策として光メモリ素子構造に色々
な工夫がなされて来た。
てはGdTbFe、GdTbDyFe、TbFe等が知
らノLでいる。しかしこれらの記録媒体の大半は耐食性
に欠ける為従来その対策として光メモリ素子構造に色々
な工夫がなされて来た。
次に記録媒体が腐食(酸化)された場合の光メモリ素子
の不都合な点について説明を行なう。本発明者は記録媒
体が希土類遷移金属合金を用いて形成される、使用者が
追加記録と消去とをなし得る光メモリ素子(所謂磁気光
学記憶素子)につbで研究調査を行なった。第1図にそ
の磁気光学記憶素子の従来の具体的構造を示す。1はガ
ラス基板であり、その上に膜厚100〜200AのGd
TbFe非晶質合金薄膜2(記録媒体)がスパッタリン
グによって形成され、その上に膜厚300〜400Aの
SiO2膜3(透明誘電体膜)がスパッタリングによっ
て形成され、その上に膜厚300〜500AのCu膜4
(反射膜)がスパッタリングによって形成されている。
の不都合な点について説明を行なう。本発明者は記録媒
体が希土類遷移金属合金を用いて形成される、使用者が
追加記録と消去とをなし得る光メモリ素子(所謂磁気光
学記憶素子)につbで研究調査を行なった。第1図にそ
の磁気光学記憶素子の従来の具体的構造を示す。1はガ
ラス基板であり、その上に膜厚100〜200AのGd
TbFe非晶質合金薄膜2(記録媒体)がスパッタリン
グによって形成され、その上に膜厚300〜400Aの
SiO2膜3(透明誘電体膜)がスパッタリングによっ
て形成され、その上に膜厚300〜500AのCu膜4
(反射膜)がスパッタリングによって形成されている。
この構造の磁気光学記憶素子について第2図に示す光学
系で磁気光学回転角の磁場依存性を測定口だ。第2図に
おいて5は単色光を出力する光源(レーザ光源)であり
、該光源5から出力された光は偏光子6を通過すること
により直線偏光に変えられ、更にノ・−フミラー7を通
過して上述した磁気光学記憶素子8に面に垂直に入射さ
れる。上記素子8の記録媒体2への光の入射はガラス基
板〜1を通じて行なわれる。上記磁気光学記憶素子8か
らの反射光嬬:上記ノ・−フミラー7によって進路を変
えられた後で光検出器9(光の偏光面の回転角を検出)
に入射する。10は磁場を変える電磁石である○ 以上の光学系を用いて磁気光学回転角の磁場依存性を測
定したところ第3図の結果が得られた。
系で磁気光学回転角の磁場依存性を測定口だ。第2図に
おいて5は単色光を出力する光源(レーザ光源)であり
、該光源5から出力された光は偏光子6を通過すること
により直線偏光に変えられ、更にノ・−フミラー7を通
過して上述した磁気光学記憶素子8に面に垂直に入射さ
れる。上記素子8の記録媒体2への光の入射はガラス基
板〜1を通じて行なわれる。上記磁気光学記憶素子8か
らの反射光嬬:上記ノ・−フミラー7によって進路を変
えられた後で光検出器9(光の偏光面の回転角を検出)
に入射する。10は磁場を変える電磁石である○ 以上の光学系を用いて磁気光学回転角の磁場依存性を測
定したところ第3図の結果が得られた。
同図において横軸は印加した磁場Hの強さて示し、縦軸
はカー回転角θにの角度を示している。同図のI(cは
保磁力(磁化を反転する磁力)の値であ必。この保磁力
の値は磁気光学記憶素子において極めて重要な要素であ
る。保磁力が大き過ぎれr丁情報の記録に過大な熱が必
要となり半導体し〜ザ等の小型レーザでは記録が困難な
場合がある。又情報の記録時に付与する磁場も過大なも
のが要求される。一方探磁力が小さ過ぎれば外部温度あ
るいは外部磁場の比較市価かな上昇によって記録情報が
誤捷って消滅する虞れがある。一般的に記録媒体の保磁
力の値が経時変化し7た場合、記録に必要な温度、磁場
の値は変化するので、理想的には保磁力の値が一定であ
ることが望ましい。
はカー回転角θにの角度を示している。同図のI(cは
保磁力(磁化を反転する磁力)の値であ必。この保磁力
の値は磁気光学記憶素子において極めて重要な要素であ
る。保磁力が大き過ぎれr丁情報の記録に過大な熱が必
要となり半導体し〜ザ等の小型レーザでは記録が困難な
場合がある。又情報の記録時に付与する磁場も過大なも
のが要求される。一方探磁力が小さ過ぎれば外部温度あ
るいは外部磁場の比較市価かな上昇によって記録情報が
誤捷って消滅する虞れがある。一般的に記録媒体の保磁
力の値が経時変化し7た場合、記録に必要な温度、磁場
の値は変化するので、理想的には保磁力の値が一定であ
ることが望ましい。
さて、上記磁気光学記憶素子の記録媒体の保磁力の値は
」=記記録媒体が希土類と遷移金属の合金の場合上記希
土類の組成比によって大きく変化するものである。第4
図はGdTbFe非晶質合金薄膜における希土類(Gd
、Tb)の組成比と保磁力の値との関係を示すグラフ図
である。同図の横軸はスパッタリングの際に鉄ターゲツ
ト上に置かれた希土類の面積比を示す。尚Gd、Tbは
同量である。同図のグラフから室温が補償温度である9
d T b F e非晶質合金薄膜の希土類%は約2
6.3%であることがわかる。ここで磁気光学効果の変
化特性(第3図に示す如きカー回転角の変化特性)はG
d T b F e非晶質合金薄膜の希土類%の値が
上記26.3%の点を境に逆転し、上記26.3%より
希土類%が多い(希土類リンチ)場合右上がりの変化を
示し上記263%より希土類%が少ない(鉄リッチ)場
合左上がりり変化を示す。
」=記記録媒体が希土類と遷移金属の合金の場合上記希
土類の組成比によって大きく変化するものである。第4
図はGdTbFe非晶質合金薄膜における希土類(Gd
、Tb)の組成比と保磁力の値との関係を示すグラフ図
である。同図の横軸はスパッタリングの際に鉄ターゲツ
ト上に置かれた希土類の面積比を示す。尚Gd、Tbは
同量である。同図のグラフから室温が補償温度である9
d T b F e非晶質合金薄膜の希土類%は約2
6.3%であることがわかる。ここで磁気光学効果の変
化特性(第3図に示す如きカー回転角の変化特性)はG
d T b F e非晶質合金薄膜の希土類%の値が
上記26.3%の点を境に逆転し、上記26.3%より
希土類%が多い(希土類リンチ)場合右上がりの変化を
示し上記263%より希土類%が少ない(鉄リッチ)場
合左上がりり変化を示す。
本発明者は第4図のAで示す組成の記録媒体を作成し、
その信頼性を調べる為に70℃の状態で42時間放置し
た。すると保磁力Hcが3KOeのBで示す組成の記録
媒体に変化(変化状態を矢印で示す)していた。これは
GdTbFe非晶質合金膜中の希土類(Gd、Tb)が
特にGdTbFe非晶質合金膜に臨接する5102膜か
ら分離した酸素によって酸化され、その酸化されただけ
の量の希土類が磁気的特性に関与できなくな゛っだ為と
考えられる。
その信頼性を調べる為に70℃の状態で42時間放置し
た。すると保磁力Hcが3KOeのBで示す組成の記録
媒体に変化(変化状態を矢印で示す)していた。これは
GdTbFe非晶質合金膜中の希土類(Gd、Tb)が
特にGdTbFe非晶質合金膜に臨接する5102膜か
ら分離した酸素によって酸化され、その酸化されただけ
の量の希土類が磁気的特性に関与できなくな゛っだ為と
考えられる。
以上のように従来構造の磁気光学記憶素子においては酸
化による記録媒体の経時変化を防止するととができず、
一定した保磁力特性を得ることができない為情報の記録
を安定して行なえなかった。
化による記録媒体の経時変化を防止するととができず、
一定した保磁力特性を得ることができない為情報の記録
を安定して行なえなかった。
これに対する対応策として本発明者は上記透明誘電体膜
を窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の酸素を含有しない
窒化膜にて形成する構造とするものを発案した。即ち例
えばアルミニラl、ターゲ、yトを用いて穿索雰囲中で
反応性スパッタリングすることによって上記透明誘電体
膜を形成すればその膜形成時において記録媒体に酸素が
侵入する虞れがない為従来構造の磁気光学記憶素子に比
べて著しく信頼性が向上したのである。
を窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の酸素を含有しない
窒化膜にて形成する構造とするものを発案した。即ち例
えばアルミニラl、ターゲ、yトを用いて穿索雰囲中で
反応性スパッタリングすることによって上記透明誘電体
膜を形成すればその膜形成時において記録媒体に酸素が
侵入する虞れがない為従来構造の磁気光学記憶素子に比
べて著しく信頼性が向上したのである。
しかしこの透明誘電体膜を窒化膜にて形成する素子構造
においても若干の問題があることが判明した。つまり透
明誘電体膜をS ] 02膜で形成1〜だ場合に比べ窒
化膜で形成した場合はカー回転角が減少するものである
。実験では入射レーザ波長が300’nmの時に5iO
z膜ではカー回転角が1.0であったものが窒化膜では
0.8に低下したのである。。
においても若干の問題があることが判明した。つまり透
明誘電体膜をS ] 02膜で形成1〜だ場合に比べ窒
化膜で形成した場合はカー回転角が減少するものである
。実験では入射レーザ波長が300’nmの時に5iO
z膜ではカー回転角が1.0であったものが窒化膜では
0.8に低下したのである。。
〈目的〉
本発明は以上の問題点に鑑みてなさ11だもので、上記
透明誘電体膜を窒化膜で形成し〆こ場合の再生信号の品
質向上を促すことを目的とするものであるO 〈実施例〉 以下、本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例につい
て図面を用いて詳細に説明する。第5図は本発明に係る
磁気光学記憶素子の一実施例の構造を示す一部側面断面
図である。11はガラス基板であり、そ(7)上に膜厚
150〜20 OA ノGdTbFe非晶質合金薄膜]
2(記録媒体)がスパッタリングによって形成され、そ
の上に膜厚4.00〜500AのAtN(窒化アルミニ
ウム)膜13(透明誘電体膜)が窒素雰囲気中でのアル
ミニウムの反応性スパッタリングによって形成され、そ
の上に膜厚500〜600AのTi(チタン)膜若しく
はTiN(窒化チタン)膜14(反射膜)がスパッタリ
ングによって形成される。
透明誘電体膜を窒化膜で形成し〆こ場合の再生信号の品
質向上を促すことを目的とするものであるO 〈実施例〉 以下、本発明に係る磁気光学記憶素子の一実施例につい
て図面を用いて詳細に説明する。第5図は本発明に係る
磁気光学記憶素子の一実施例の構造を示す一部側面断面
図である。11はガラス基板であり、そ(7)上に膜厚
150〜20 OA ノGdTbFe非晶質合金薄膜]
2(記録媒体)がスパッタリングによって形成され、そ
の上に膜厚4.00〜500AのAtN(窒化アルミニ
ウム)膜13(透明誘電体膜)が窒素雰囲気中でのアル
ミニウムの反応性スパッタリングによって形成され、そ
の上に膜厚500〜600AのTi(チタン)膜若しく
はTiN(窒化チタン)膜14(反射膜)がスパッタリ
ングによって形成される。
上記の如く反射膜をチタン若しくは窒化チタンで形成し
プヒ場合は次の利点がある。即ち上述した透明誘電体膜
を窒化アルミニウムで形成した場合その上にCu’??
A1等の従来反射膜をレーザ波長域(800nm)での
反射率が高い状態で被着することは非常に困難、であっ
た。こ第1−は窒化アルミニウム・内の窒素成分のCu
やAtに対する影響が無視できない為と考えられる。と
ハに対しチタン若しく(・マ窒化チタンによる反射膜は
窒化アルミニウムの透明誘電体膜にレーザ波長域での反
射率が高い状態で被着することが容易にできるのである
。
プヒ場合は次の利点がある。即ち上述した透明誘電体膜
を窒化アルミニウムで形成した場合その上にCu’??
A1等の従来反射膜をレーザ波長域(800nm)での
反射率が高い状態で被着することは非常に困難、であっ
た。こ第1−は窒化アルミニウム・内の窒素成分のCu
やAtに対する影響が無視できない為と考えられる。と
ハに対しチタン若しく(・マ窒化チタンによる反射膜は
窒化アルミニウムの透明誘電体膜にレーザ波長域での反
射率が高い状態で被着することが容易にできるのである
。
そしてこの事により反射光量を多くでき再生信号の向上
を得ることができるのである。又、チタン若しくは窒化
チタンによる反射膜をスパッタリングによって形成する
場合Tiがターゲソ!・となるがTiは比較的安価であ
って入手が容易であることも一つの利点である。
を得ることができるのである。又、チタン若しくは窒化
チタンによる反射膜をスパッタリングによって形成する
場合Tiがターゲソ!・となるがTiは比較的安価であ
って入手が容易であることも一つの利点である。
とこで本発明に係る磁気光学記憶素子の構成は上記実施
例の構造に限定されるものではない。即ち窒化アルミニ
ウムからなる透明誘電体膜をガラス基板11とG d
T b F e非晶質合金薄膜120間にも設けること
によってGdTbFe非晶質合金薄膜を窒化アルミニウ
ムからなる透明誘電体膜にて挾持する構造でもよく、上
記ガラス基板の代わりにポリカルボネート、アクリル等
の樹脂基板を用いた構造でもよい。
例の構造に限定されるものではない。即ち窒化アルミニ
ウムからなる透明誘電体膜をガラス基板11とG d
T b F e非晶質合金薄膜120間にも設けること
によってGdTbFe非晶質合金薄膜を窒化アルミニウ
ムからなる透明誘電体膜にて挾持する構造でもよく、上
記ガラス基板の代わりにポリカルボネート、アクリル等
の樹脂基板を用いた構造でもよい。
く効果〉
本発明によれば記録媒体の酸化を著しく防止することが
でき、又その構造の素子において再生信号の状態を品質
上問題ない程度に確保し得るものである。
でき、又その構造の素子において再生信号の状態を品質
上問題ない程度に確保し得るものである。
・第1図は従来の磁気光学記憶素子の構造の一部側面断
面図、第2図は測定光学系の構成説明図、第3図は磁気
光学回転角の磁場依存性を示すグラフ図、第4図はGd
TbFe非晶質合金薄膜の希土類の組成比と保磁力の値
との関係を示すグラフ図、第5図は本発明に係る磁気光
学記憶素子の一実施例の構成の一部側面断面図を示す。 図中、■ ガラス基板 2 : GdTbFe非晶質、
3 : S i02膜 合金薄膜5光源 4Cu
膜 7、ハーフミラ−6,偏光子 9、光検出器 8 磁気光学記憶素子11 カラス基
板10:電磁石 13 : AtN膜 12 : GdTbFe非晶質合
金薄膜 14:Ti膜若しくは TiN膜ン 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)4’
yA/図 8 第 2 図
面図、第2図は測定光学系の構成説明図、第3図は磁気
光学回転角の磁場依存性を示すグラフ図、第4図はGd
TbFe非晶質合金薄膜の希土類の組成比と保磁力の値
との関係を示すグラフ図、第5図は本発明に係る磁気光
学記憶素子の一実施例の構成の一部側面断面図を示す。 図中、■ ガラス基板 2 : GdTbFe非晶質、
3 : S i02膜 合金薄膜5光源 4Cu
膜 7、ハーフミラ−6,偏光子 9、光検出器 8 磁気光学記憶素子11 カラス基
板10:電磁石 13 : AtN膜 12 : GdTbFe非晶質合
金薄膜 14:Ti膜若しくは TiN膜ン 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)4’
yA/図 8 第 2 図
Claims (1)
- 1 基板上に希土類遷移金属合金薄刃免と、酸素を含有
し2ない窒化アルミニウム、g化ケイ素等の窒化膜から
なる透明誘電体膜と、チタン若しくは窒化チタンからな
る反射膜とをこの順にて積層したことを特徴とする磁気
光学記憶素子。
Priority Applications (14)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4548883A JPS59171055A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気光学記憶素子 |
DE3382791T DE3382791T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-20 | Magneto-optischer Speicher. |
EP88104160A EP0319636B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
DE88104161T DE3382702T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optischer Speicher. |
EP88104159A EP0316508B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
DE8383302419T DE3380539D1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
EP83302419A EP0111988B2 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
DE8888104160T DE3382672T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optischer speicher. |
EP88104161A EP0314859B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optic memory device |
EP92110340A EP0509555B1 (en) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | A method of making a magneto-optic memory device |
DE8888104159T DE3382671T2 (de) | 1982-12-15 | 1983-04-28 | Magneto-optischer speicher. |
CA000427088A CA1209698A (en) | 1982-12-15 | 1983-04-29 | Magneto-optic memory device |
US08/443,760 US5738765A (en) | 1982-12-15 | 1995-05-18 | Magneto-optic memory device |
US08/450,219 US5714251A (en) | 1982-12-15 | 1995-05-25 | Magneto-optic memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4548883A JPS59171055A (ja) | 1983-03-17 | 1983-03-17 | 磁気光学記憶素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59171055A true JPS59171055A (ja) | 1984-09-27 |
JPH0215929B2 JPH0215929B2 (ja) | 1990-04-13 |
Family
ID=12720784
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4548883A Granted JPS59171055A (ja) | 1982-12-15 | 1983-03-17 | 磁気光学記憶素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59171055A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
US5232790A (en) * | 1990-04-28 | 1993-08-03 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording disc and method of producing it |
EP0619576A2 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for manufacturing it |
JPH07272336A (ja) * | 1995-03-17 | 1995-10-20 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
-
1983
- 1983-03-17 JP JP4548883A patent/JPS59171055A/ja active Granted
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0323532A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Nec Home Electron Ltd | 光ディスク及びその製造方法 |
US5232790A (en) * | 1990-04-28 | 1993-08-03 | Kyocera Corporation | Magneto-optical recording disc and method of producing it |
EP0619576A2 (en) * | 1993-04-05 | 1994-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for manufacturing it |
EP0619576A3 (en) * | 1993-04-05 | 1995-04-05 | Canon Kk | Optical record carrier and manufacturing process. |
JPH07272336A (ja) * | 1995-03-17 | 1995-10-20 | Sharp Corp | 光メモリ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0215929B2 (ja) | 1990-04-13 |
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