JP2948420B2

JP2948420B2 - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JP2948420B2
Application number: JP19976392A
Authority: JP
Inventors: 純一郎中山; 理伸三枝; 順司広兼; 博之片山; 賢司太田
Original assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Current assignee: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date: 1992-07-27
Filing date: 1992-07-27
Publication date: 1999-09-13
Anticipated expiration: 2014-09-13
Also published as: JPH0644622A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録方式とは、基板上に磁性体か
らなる垂直磁化膜を形成した構成の光磁気記録媒体に対
して、以下の方法で記録、再生を行う方式である。

【０００３】記録の際には、先ず、光磁気記録媒体を強
力な外部磁場等によって初期化する。即ち、垂直磁化膜
の磁化の方向を一方向（上向き、あるいは下向き）に揃
える。その後、光磁気記録媒体上の記録を行う部分にレ
ーザービームを照射することにより、その部分の垂直磁
化膜をキュリー温度近傍以上、もしくは補償温度近傍以
上に加熱する。これにより、加熱された部分の保磁力は
ゼロ、または殆どゼロとなる。この状態で、初期化され
た磁化の方向とは逆向きの外部磁場（バイアス磁場）を
印加する。レーザービームの照射を止めると、垂直磁化
膜の温度は常温に戻るので磁化の向きは反転して固定さ
れ、熱磁気的に情報が記録される。

【０００４】再生の際には、直線偏光したレーザービー
ムを垂直磁化膜に照射し、その反射光または透過光にお
ける偏光面の回転が磁気の向きによって異なる現象（磁
気カー効果、磁気ファラデー効果）を利用して光学的に
情報が読み出される。

【０００５】以上のように、光磁気記録媒体は、情報の
記録、再生が可能であるため、書き換え可能な大容量記
憶素子として注目されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の光磁気記録媒体では、記録層や読み出し層からなる
垂直磁化膜をキュリー温度近傍以上、もしくは補償温度
近傍以上に加熱し易いように、垂直磁化膜にキュリー温
度の低い磁性材料を使用しているので磁気光学効果が小
さい。このため、磁気カー回転角が小さく、読み出され
る信号レベルが低いという問題を有している。

【０００７】尚、垂直磁化膜表面に、この垂直磁化膜よ
りキュリー温度の高い磁性材料を積層する方法が提案さ
れているが、このような磁性材料を積層するには、膜厚
や組成等を厳しく制御する必要があり、光磁気記録媒体
の製造工程が複雑になって生産効率が低下するという新
たな問題を招来する。

【０００８】また、光磁気記録媒体の腐食を防止し、信
頼性を向上させるために、記録層の両界面（上下面）
に、記録層と同一の磁性材料を含有する金属窒化物から
なる窒化物層を形成した構成の光磁気記録媒体が提案さ
れている（日本金属学会誌第５５巻第６号（１９９
１）６９６−７０５）。

【０００９】ところが、上記の金属窒化物は、窒素と金
属とが結合することにより形成されるので、窒化物層の
構造（磁性材料の原子配列）は、記録層の構造と異なっ
ている。このため、窒化物層は垂直磁気異方性を示し難
く、記録層よりも磁気光学効果が小さい。つまり、信頼
性の向上を目的とする限り、窒化物層の構造は、記録層
の構造と異なっている必要があり、信号レベルを高くす
ることは不可能であった。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の光
磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、情報を
光磁気記録する希土類金属を含む合金からなる記録層
と、垂直磁気異方性を示し、記録層の光入射側に隣接す
る、上記合金に窒素が侵入した窒素侵入型固溶体層とを
備えていることを特徴としている。

【００１１】また、請求項２記載の発明の光磁気記録媒
体は、上記の課題を解決するために、情報を光磁気記録
する記録層と、上記の記録層より低いキュリー温度を有
し、かつ、常温での保磁力が記録層より高い希土類金属
を含む合金からなる読み出し層と、垂直磁気異方性を示
し、読み出し層の光入射側に隣接する、上記合金に窒素
が侵入した窒素侵入型固溶体層とを備えていることを特
徴としている。

【００１２】

【００１３】

【作用】請求項１記載の発明の光磁気記録媒体によれ
ば、垂直磁気異方性を示し、記録層の光入射側に隣接す
る、希土類金属を含む合金に窒素が侵入した窒素侵入型
固溶体層を備えている。この窒素侵入型固溶体層は、上
記合金からなる記録層よりも飽和磁化が大きくなるの
で、磁気光学効果が増大し、磁気カー回転角が大きくな
り、読み出される信号レベルが高くなる。このため、高
精度に情報の再生が行える、信頼性が向上した光磁気記
録媒体を得ることができる。

【００１４】また、請求項２記載の発明の光磁気記録媒
体によれば、記録層より低いキュリー温度を有し、か
つ、常温での保磁力が記録層より高い読み出し層と、垂
直磁気異方性を示し、読み出し層の光入射側に隣接す
る、希土類金属を含む合金に窒素が侵入した窒素侵入型
固溶体層とを備えている。この窒素侵入型固溶体層は、
上記合金からなる読み出し層よりも飽和磁化が大きくな
るので、磁気光学効果が増大し、磁気カー回転角が大き
くなり、読み出される信号レベルが高くなる。このた
め、高精度に情報の再生が行える、信頼性が向上した重
ね書き（消去動作をせずに行う書き換え）可能な光磁気
記録媒体を得ることができる。

【００１５】

【００１６】

【実施例】〔実施例１〕本発明の第一の実施例について図１ないし図４に基づい
て説明すれば、以下の通りである。

【００１７】本実施例にかかる光磁気記録媒体である光
磁気ディスクは、図１に示すように、透明基板１、接着
層７、透明誘電体層２、窒素侵入型固溶体層３、記録層
４、透明誘電体層５、基板６がこの順に積層された構成
を有している。

【００１８】上記の記録層４としては、例えば、Ｄｙ
_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14を使用しており、膜厚は２０ｎｍ
〜２００ｎｍ程度、好ましくは８０ｎｍである。また、
そのキュリー温度は１５０℃から２５０℃に設定してい
る。尚、記録層４は、垂直磁気記録が可能な垂直磁気異
方性を示す磁性材料であれば、上記のＤｙ_0.23Ｆｅ_0.63
Ｃｏ_0.14に限定されない。

【００１９】上記の透明誘電体層２は、例えば、ＡｌＮ
やＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等の窒化物からなり、その膜厚は
再生時の光ビーム波長の1/4 を屈折率で除した値程度に
設定される。例えば、再生時の光ビーム波長を８００ｎ
ｍとすると、透明誘電体層２の膜厚は１０ｎｍ〜２００
ｎｍ程度、好ましくは８０ｎｍ程度となる。また、透明
誘電体層５は、例えば、ＡｌＮやＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等
の窒化物からなる保護層であり、膜厚は１０ｎｍ〜２０
０ｎｍ程度、好ましくは５０ｎｍである。尚、透明誘電
体層２・５は、記録・再生時の光ビーム波長に対して透
明であれば、上記のＡｌＮやＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ等に限
定されない。

【００２０】上記の透明基板１および基板６の材料に
は、ガラス、または、ポリカーボネート等のプラスチッ
クが使用される。また、接着層７は、例えば、屈折率が
約１.5の紫外線硬化樹脂からなり、膜厚は５μｍであ
る。

【００２１】上記の窒素侵入型固溶体層３は、例えば、
Ｄｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14にＮが侵入した窒素侵入型固
溶体を使用しており、膜厚は５ｎｍである。

【００２２】次に、上記構成の光磁気ディスクの作成方
法の一例を説明する。

【００２３】図２に示すように、先ず、充分に洗浄した
基板６をスパッタリング装置であるチャンバー１４内の
所定位置に保持し、チャンバー１４内を排気装置（図示
せず）により５×１０^-6Torr以下の真空にする。次に、
チャンバー１４内にＡｒガスを導入し、Ａｒガスの圧力
９ｍTorr、放電電力７００Ｗの条件で基板６を逆スパッ
タリングすることにより、基板６表面をクリーニングす
る。

【００２４】その後、ＡｒガスとＮ₂ガスとを４：１の
割合となるように導入し、Ａｌターゲット１３を使用し
て、混合ガスの圧力８ｍTorr、放電電力１ｋＷの条件で
スパッタリングすることにより、基板６表面にＡｌＮか
らなる透明誘電体層５を５０ｎｍの膜厚で成膜する。

【００２５】混合ガスを排気した後、Ａｒガスを導入
し、Ｄｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14ターゲット１２を使用し
て、Ａｒガスの圧力９ｍTorr、放電電力１ｋＷの条件で
スパッタリングすることにより、透明誘電体層５表面に
記録層４を９５ｎｍの膜厚で成膜する。そして、Ａｒガ
スを排気した後、Ｎ₂ガスを導入し、Ｎ₂ガスの圧力９
ｍTorr、放電電力７００Ｗの条件で上記の記録層４表面
を約１０ｎｍエッチングすることによりＤｙ_0.23Ｆｅ
_0.63Ｃｏ_0.14にＮを侵入させ、窒素侵入型固溶体層３を
５ｎｍの膜厚で形成する。これにより、結果として、透
明誘電体層５表面に記録層４が８０ｎｍの膜厚で形成さ
れ、記録層４表面に窒素侵入型固溶体層３が５ｎｍの膜
厚で形成される。

【００２６】次に、Ｎ₂ガスを排気した後、Ａｒガスと
Ｎ₂ガスとを４：１の割合となるように導入し、上述し
た透明誘電体層５の成膜条件と同一の条件により、窒素
侵入型固溶体層３表面にＡｌＮからなる透明誘電体層２
を８０ｎｍの膜厚で成膜する。

【００２７】その後、基板６をチャンバー１４内から取
り出し、透明誘電体層２表面に紫外線硬化樹脂（接着層
７）を塗布し、透明基板１を貼着して硬化させる。これ
により、光磁気ディスクが作成される。

【００２８】上記の光磁気ディスクを用いて測定された
磁気カー回転角と外部印加磁界との関係を図３に示す。
図中、横軸は外部印加磁界Ｈ_c、縦軸は磁気カー回転角
θ_kである。また、比較のために、窒素侵入型固溶体層
３を省略し、記録層４の膜厚を８５ｎｍとした光磁気デ
ィスクを上記と同一の条件で試作し、これについて測定
された磁気カー回転角と外部印加磁界との関係を図４に
示す。

【００２９】一般に、窒素侵入型固溶体は、同一の磁性
材料からなる磁性体よりも飽和磁化が大きくなるため、
磁気光学効果が増大する。この理由により、窒素侵入型
固溶体層３を省略した光磁気ディスクでは、磁気カー回
転角θ_kが１.05 deg であるのに対し、本実施例の光磁
気ディスクでは、磁気カー回転角θ_kは１.26 deg と大
きくなっている。即ち、本実施例の光磁気ディスクで
は、読み出される信号レベルが高くなる。

【００３０】上記構成により、高精度に情報の再生が行
える、信頼性が向上した光磁気ディスクを得ることがで
きる。

【００３１】〔実施例２〕本発明の第２の実施例について図５に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施
例１の説明の際に用いた図２を再度用いると共に、実施
例１の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００３２】本実施例にかかる光磁気記録媒体である光
磁気ディスクは、図５に示すように、透明基板１、透明
誘電体層２、窒素侵入型固溶体層３、記録層４、透明誘
電体層５、オーバーコート層８がこの順に積層された構
成を有している。上記のオーバーコート層８は、例え
ば、紫外線硬化樹脂からなっている。

【００３３】次に、上記構成の光磁気ディスクの作成方
法の一例を説明する。

【００３４】図２に示すように、先ず、充分に洗浄した
透明基板１をチャンバー１４内の所定位置に保持し、チ
ャンバー１４内を排気装置（図示せず）により５×１０
^-6Torr以下の真空にする。次に、チャンバー１４内にＡ
ｒガスを導入し、透明基板１を逆スパッタリング（Ａｒ
ガスの圧力９ｍTorr、放電電力７００Ｗ）することによ
り、透明基板１表面をクリーニングする。

【００３５】その後、ＡｒガスとＮ₂ガスとを４：１の
割合となるように導入し、Ａｌターゲット１３を使用し
てスパッタリング（混合ガスの圧力８ｍTorr、放電電力
１ｋＷ）することにより、透明基板１表面にＡｌＮから
なる透明誘電体層２を８０ｎｍの膜厚で成膜する。

【００３６】混合ガスを排気した後、Ａｒガスを導入
し、Ｄｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14ターゲット１２を使用し
てスパッタリング（Ａｒガスの圧力９ｍTorr、放電電力
１ｋＷ）することにより、透明誘電体層２表面にＤｙ
_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14を１５ｎｍの膜厚で成膜する。そ
して、Ａｒガスを排気した後、Ｎ₂ガスを導入し、上記
のＤｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14表面を約１０ｎｍエッチン
グ（Ｎ₂ガスの圧力９ｍTorr、放電電力７００Ｗ）する
ことによりＤｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14にＮを侵入させ、
窒素侵入型固溶体とすることにより、窒素侵入型固溶体
層３を５ｎｍの膜厚で形成する。

【００３７】次に、Ｎ₂ガスを排気した後、Ａｒガスを
導入し、再びＤｙ_0.23Ｆｅ_0.63Ｃｏ_0.14ターゲット１２
を使用してスパッタリング（Ａｒガスの圧力９ｍTorr、
放電電力１ｋＷ）することにより、窒素侵入型固溶体層
３表面に記録層４を８０ｎｍの膜厚で成膜する。

【００３８】Ａｒガスを排気した後、ＡｒガスとＮ₂ガ
スとを４：１の割合となるように導入し、上述した透明
誘電体層２の成膜条件と同一の条件により、記録層４表
面にＡｌＮからなる透明誘電体層５を５０ｎｍの膜厚で
成膜する。

【００３９】その後、透明基板１をチャンバー１４内か
ら取り出し、透明誘電体層５表面に紫外線硬化樹脂（オ
ーバーコート層８）を塗布して硬化させる。これによ
り、光磁気ディスクが作成される。

【００４０】以上のように構成された光磁気ディスク
は、前記の実施例１の光磁気ディスクとほぼ同様の性能
を示した。よって、上記構成により、高精度に情報の再
生が行える、信頼性が向上した光磁気ディスクを得るこ
とができる。

【００４１】〔実施例３〕本発明の第３の実施例について図６に基づいて説明すれ
ば、以下の通りである。尚、説明の便宜上、前記の実施
例２の図面に示した部材と同一の機能を有する部材に
は、同一の符号を付記し、その説明を省略する。

【００４２】本実施例にかかる光磁気記録媒体である光
磁気ディスクは、前記の実施例２の構成に加えて、反射
層が設けられた構成となっており、図６に示すように、
透明基板１、透明誘電体層２、窒素侵入型固溶体層３、
記録層４、透明誘電体層５、反射層９、オーバーコート
層８がこの順に積層された構成を有している。

【００４３】上記の反射層９は、例えば、Ａｌを使用し
ており、膜厚は１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度、好ましくは
５０ｎｍである。尚、反射層９は、Ａｌに限定されるも
のではなく、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等、再生時
の光ビームの反射率が５０％以上の材料であればよい。

【００４４】尚、本実施例では磁気光学効果をエンハン
スするための反射層９が設けられている以外は、前記の
実施例２の構成および諸特性と同じであるので、詳細な
説明をここでは省略する。但し、膜厚は、記録層４が１
０ｎｍ〜５０ｎｍ程度、好ましくは２０ｎｍであり、透
明誘電体層５が１０ｎｍ〜２００ｎｍ程度、好ましくは
３０ｎｍである。

【００４５】上記の構成によれば、透明基板１の側から
集光レンズを介して再生時の光ビーム（何れも図示せ
ず）が窒素侵入型固溶体層３に照射される。このとき、
入射された光ビームのうち、記録層４および透明誘電体
層５を透過した光ビームは、反射層９で反射されるよう
になっている。

【００４６】上記の構成により、前記の実施例２の構成
に伴う効果に加えて、反射層９により、磁気光学効果が
エンハンスされて磁気カー回転角がより大きくなるの
で、読み出される信号レベルが一層高くなり、再生信号
の品質が向上する。よって、高精度に情報の再生が行え
る、信頼性が向上した光磁気ディスクを得ることができ
る。

【００４７】〔実施例４〕本発明の第４の実施例について図７ないし図１０に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。尚、説明の便宜
上、前記の実施例２の図面に示した部材と同一の機能を
有する部材には、同一の符号を付記し、その説明を省略
する。

【００４８】本実施例にかかる光磁気記録媒体である光
磁気ディスクは、図７に示すように、透明基板１、透明
誘電体層２、窒素侵入型固溶体層３、読み出し層１０、
記録層１１、透明誘電体層５、オーバーコート層８がこ
の順に積層された構成を有している。

【００４９】上記の読み出し層１０としては、例えば、
Ｔｂ₁₈Ｆｅ₇₇Ｃｏ₅を使用しており、膜厚は１０ｎｍ〜
２００ｎｍ程度、好ましくは５０ｎｍである。尚、読み
出し層１０は、保磁力を比較的大きくできる磁性材料で
あれば、上記のＴｂ₁₈Ｆｅ₇₇Ｃｏ₅に限定されない。

【００５０】上記の記録層１１としては、例えば、Ｔｂ
₂₅Ｆｅ₆₁Ｃｏ₁₄を使用しており、膜厚は１０ｎｍ〜２０
０ｎｍ程度、好ましくは５０ｎｍである。尚、記録層１
１は、垂直磁気記録が可能な垂直磁気異方性を示す磁性
材料であれば、上記のＴｂ₂₅Ｆｅ₆₁Ｃｏ₁₄に限定されな
い。

【００５１】上記構成の光磁気ディスクは、情報を記録
する記録層１１と、情報を読み出す読み出し層１０との
交換結合２層膜で構成されているので、光変調による重
ね書き（消去動作をせずに行う書き換え）が可能となっ
ている。ここで、重ね書きの手順について説明する。

【００５２】初期化においては、図８に示す向きに初期
化磁界Ｈ_iniを印加することによって記録層１１の向き
を一方向（この場合、下向き）に揃える。尚、初期化は
常時行われるか、あるいは記録時のみに行われる。この
とき、図９に示すように、記録層１１の保磁力Ｈ₂は初
期化磁界Ｈ_iniよりも小さいので、記録層１１の磁化は
反転する。一方、読み出し層１０の保磁力Ｈ₁は初期化
磁界Ｈ_iniよりも大きいので、読み出し層１０の磁化の
反転は生じない。

【００５３】情報の記録は、光磁気ディスクに対して、
記録磁界Ｈ_Wを印加しながら、高・低２レベルに強度変
調された光ビームを照射することによって行われる。即
ち、図１０中にＩで示す高レベルの光ビームが照射され
ると、読み出し層１０および記録層１１は共にキュリー
温度Ｔ₁、Ｔ₂付近またはそれ以上となる温度Ｔ_Hまで
昇温するようになっている。一方、図１０中にIIで示す
低レベルの光ビームが照射されると、読み出し層１０の
みがキュリー温度Ｔ₁付近またはそれ以上となる温度Ｔ
_Lまで昇温するようになっている。

【００５４】従って、光ビームＩが照射されると、記録
層１１の磁化は、記録磁界Ｈ_Wにより、上向き（図８参
照）に反転し、読み出し層１０の磁化の向きは、冷却の
過程で界面に作用する交換結合力により記録層１１の対
応部位の磁化の向きと一致する。これにより、読み出し
層１０の磁化の向きは上向きとなる。

【００５５】一方、光ビームIIが照射されると、記録層
１１の磁化は記録磁界Ｈ_Wの影響で反転することはなく
（図９参照）、この場合、読み出し層１０の磁化の向き
は、冷却の過程で界面に作用する交換結合力により記録
層１１の対応部位の磁化の向きと一致することになる。
従って、読み出し層１０の磁化の向きは下向きとなる
（図８参照）。尚、図９に示すように、記録磁界Ｈ_Wは
初期化磁界Ｈ_iniより充分小さくなるように設定されて
いる。また、図１０中にIII で示すように、再生時の光
ビームの強度は、記録時よりも充分小さく設定されてい
る。

【００５６】このように、上記の読み出し層１０は、常
温で初期化磁界Ｈ_iniよりも高い保磁力Ｈ₁を有してい
るが、記録層１１は常温での保磁力Ｈ₂は小さい。そし
て、読み出し層１０の再生部位の温度が上昇すると記録
層１１の影響を受けて、磁化の向きが記録層１１の向き
と一致する。即ち、読み出し層１０および記録層１１の
２層間の交換結合力によって、記録層１１の磁化が読み
出し層１０に転写されるようになっている。

【００５７】尚、本実施例の光磁気ディスクでは、読み
出し層１０の保磁力Ｈ₁は約１０ｋOe、キュリー温度Ｔ
₁は約２００℃であり、一方、記録層１１の保磁力Ｈ₂
は約２ｋOe、キュリー温度Ｔ₂は約２５０℃である。

【００５８】上記構成の光磁気ディスクは、読み出し層
１０にキュリー温度の低い磁性材料を使用しているにも
関わらず、読み出し層１０表面に窒素侵入型固溶体層３
が形成されているので、この窒素侵入型固溶体層３によ
り磁気光学効果がエンハンスされて磁気カー回転角が大
きくなり、読み出される信号レベルが高くなる。よっ
て、高精度に情報の再生が行える、信頼性が向上した重
ね書き可能な光磁気ディスクを得ることができる。

【００５９】尚、上記実施例１〜４では、光磁気記録媒
体として光磁気ディスクについて説明したが、本発明は
これに限定されるものではなく、光磁気テープ、光磁気
カード等にも適用できる。

【００６０】また、発明の詳細な説明の項においてなし
た具体的な実施様態、または実施例は、あくまでも本発
明の技術内容を明らかにするものであって、そのような
具体例にのみ限定して狭義に解釈されるべきものではな
く、本発明の精神と前記特許請求事項の範囲内で、いろ
いろと変更して実施することができるものである。

【００６１】

【発明の効果】請求項１記載の発明の光磁気記録媒体
は、以上のように、情報を光磁気記録する希土類金属を
含む合金からなる記録層と、垂直磁気異方性を示し、記
録層の光入射側に隣接する、上記合金に窒素が侵入した
窒素侵入型固溶体層とを備えている構成である。

【００６２】窒素侵入型固溶体層は、上記合金からなる
記録層よりも飽和磁化が大きくなるので、磁気光学効果
が増大し、磁気カー回転角が大きくなり、読み出される
信号レベルが高くなる。

【００６３】これにより、高精度に情報の再生が行え
る、信頼性が向上した光磁気記録媒体を得ることができ
るという効果を奏する。

【００６４】また、窒素侵入型固溶体層を備えているの
で、耐環境性が向上するという効果も併せて奏する。

【００６５】請求項２記載の発明の光磁気記録媒体は、
以上のように、情報を光磁気記録する記録層と、上記の
記録層より低いキュリー温度を有し、かつ、常温での保
磁力が記録層より高い希土類金属を含む合金からなる読
み出し層と、垂直磁気異方性を示し、読み出し層の光入
射側に隣接する、上記合金に窒素が侵入した窒素侵入型
固溶体層とを備えている構成である。

【００６６】窒素侵入型固溶体層は、上記合金からなる
読み出し層よりも飽和磁化が大きくなるので、磁気光学
効果が増大し、磁気カー回転角が大きくなり、読み出さ
れる信号レベルが高くなる。

【００６７】これにより、高精度に情報の再生が行え
る、信頼性が向上した重ね書き可能な光磁気記録媒体を
得ることができるという効果を奏する。

【００６８】また、窒素侵入型固溶体層を備えているの
で、耐環境性が向上するという効果も併せて奏する。

【００６９】

【００７０】

【００７１】

【００７２】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における光磁気ディスク
の概略の構成を示す縦断面図である。

【図２】上記光磁気ディスクの作成方法の一例を示す説
明図である。

【図３】上記光磁気ディスクの記録層に印加される外部
印加磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図であ
る。

【図４】比較例を示すものであり、窒素侵入型固溶体層
を有しない光磁気ディスクの記録層に印加される外部印
加磁界と磁気カー回転角との関係を示す説明図である。

【図５】本発明の第２の実施例における光磁気ディスク
の概略の構成を示す縦断面図である。

【図６】本発明の第３の実施例における光磁気ディスク
の概略の構成を示す縦断面図である。

【図７】本発明の第４の実施例における光磁気ディスク
の概略の構成を示す縦断面図である。

【図８】本発明の第４の実施例における光磁気ディスク
の光磁気記録方法を示す説明図である。

【図９】本発明の第４の実施例における光磁気ディスク
の記録層および読み出し層の保磁力の温度依存性を示す
説明図である。

【図１０】本発明の第４の実施例における光磁気ディス
クを用いて記録、再生を行うときの光ビームの強度を示
す説明図である。

【符号の説明】

１透明基板２透明誘電体層３窒素侵入型固溶体層４記録層５透明誘電体層６基板７接着層８オーバーコート膜９反射層１０読み出し層１１記録層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者片山博之大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者太田賢司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (56)参考文献特開平１−119939（ＪＰ，Ａ) 特開平１−208749（ＪＰ，Ａ) 特開平４−117647（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) G11B 11/10

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】情報を光磁気記録する希土類金属を含む合
金からなる記録層と、垂直磁気異方性を示し、記録層の光入射側に隣接する、
上記合金に窒素が侵入した窒素侵入型固溶体層とを備え
ていることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項２】情報を光磁気記録する記録層と、上記の記録層より低いキュリー温度を有し、かつ、常温
での保磁力が記録層より高い希土類金属を含む合金から
なる読み出し層と、垂直磁気異方性を示し、読み出し層の光入射側に隣接す
る、上記合金に窒素が侵入した窒素侵入型固溶体層とを
備えていることを特徴とする光磁気記録媒体。