TW408244B - Liquid crystal displaying apparatus and manufacturing method therefor - Google Patents

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40824-. 五、發明説明（2 ) (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第12圖為顯示例如在日本的平成二年於電子資訊通訊 學會技術報告會（EID90-13)中提出報告之CS在閘電極上方 式TFT-LCD之一像素之平面圖，第13圖係顯示其製造方法 的線A - A ’剖面圖。 圖中，1為玻璃基板（第13(A)丽），2為形成在玻璃基 板1上肜成之閘電極，4為包含閘電極2之上面而在玻璃基 板1上彤成之閘電極絕緣膜（第13(8)圖），5為藉閘電極絕 緣膜4而形成在閘電極2上的非晶形矽，6為形成在非晶形 矽5上的摻雜有p Η 3的η +非晶形矽（第U ( B )圖）；係彤成源 電極•汲電極領域者。7為設在閘電極絕緣膜4上，其一部 分重盤在前一行閘電極2上的像素電極，8為設在閘電極絕 緣膜4上，延伸至η +非晶形矽6上之源電極接線，9為跨在 素電極7 , η +非晶形矽6及閘電極絕緣膜4上所設的汲.電極， 10為全面設在玻璃基板1的保護膜（第13(E)圖）。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 玆根據第13圖就上述先前之液晶顯示器之製造方法說 明如下。在玻璃基板1上形成閘電極2(第13(A)圖）。接著， 連壤地堆積閘極絕緣膜4 ,非晶形矽5 ,摻雜有Ρ的η +非晶 形矽6。將非晶形矽5及摻雜有Ρ的η +非晶形矽6留下必要部 分而用蝕刻法除去其餘部分（第13(B)圖）。之後，形成像 素電極7成為重壘於前一行之閘電極（第η-1個）（第13(C)圖 )。然後，形成源電極接線8及汲電極9。之後，將摻雜有 Ρ的η +非晶形矽6中留下為形成TFT之源電極領域，汲極領 域所必要的部分而除去其餘的部分（第13(D)圖）。最後形 成保護膜10(第13(E)圖）。 本纸诔尺度適用尹國國家標準（CNS ) A4规格（21〇Χ_297公釐） 4~( W it Μ ) ^ 408244 經濟部中央標华局只工消赀合作社印^ 五、 發明説明（1 ) 1 [發 诉} 听屬之技術領域] 1. 本 發 明 係 關 於 種 活 ffil. 動 矩 陣 (a c t i v e m a t r i X) 1 I 型 之 液 晶 顯 示 裝 置 及 其 製 造 方 法 > 係 關 於 其 薄 膜電 晶 體者 請 先 .1 0 閱 讀 背 面 Ί I [先前之技Ϊ 标1 1 之 1 j 使 用 液 晶 之 顯 示 器 之 開 關 元 件 ， 有 正 在 開 發在 玻 璃等 意 1 I 事 1 之 絕 緣 性 基 板 上 9 將 使 用 非 晶 形 矽 半 導 體 的 薄 膜電 晶 體（ 項 再 填 Μ 下 簡 稱 為 TPT)形 成 為 矩 陣 狀 的 活 JSI. 動 矩 陣 顯 示 元件 0 在Μ 寫 本 裝 頁 1 該 TFT做為開關（ S W it c h i η g )元 件 之 液 晶 顯 示 器 (以下簡稱 ·>_^ 1 I 為 TFT- LC D )中 由 TFT之閘（ g a t e )罨極與源（so u r c e )電極 1 1 及 汲 (d r a in)電極之重叠所發生之寄生電容量（以下 簡 稱為 _ 1 1 訂 Cg d) 及 通 道 電 容 量 (Μ下簡稱為C c h >大時， 閘訊號為由0H - 1 狀 態 變 化 成 為 0FP狀態之際， 藉c g d及 Cc h而發生電荷之流 1 Λ 加 在 液 晶 的 電 壓 有 大 大 地 變 化 〇 該 電 壓 之 變化 係 隨著 1 1 液 晶 之 電 容 率 各 向 異 性 之 容 量 變 化 而 變 化 〇 因 此， 有 直流 1 電 偏 壓 相 加 於 液 晶 0 液 晶 為 需 要 交 流 驅 ffil. 動 9 若 有直 流 偏壓 Ί I 相 加 時 會 劣 化 t 或 成 為 m 爍 (f 1 i c k er)及餘像等之顯示特 1 1 I 性 劣 化 之 原 因 Φ Ί 為 防 止 上 述 缺 點 9 需 要 將 負 載 電 容 量 並 聯 地附 加 於液 i 晶 之 電 容 量 Μ 減 低 C g d , C c h之 影 響 〇 對 液 晶 電 容量 並 聯附 1 1 加 負 載 電 容 量 的 方 法 有 ； 使 用 共 同 接 線 的 方 式 (M下簡稱 1 | 為 CS共 同 接 線 方 式 )， 及將像素電極重壘於該像素之前一 1 I 行 閘 極 接 線 的 方 式 (以下簡稱為CS在閘電極上方式）的 兩種 1 1 | 方 法 〇 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ..... 〇 〇 〇 〇 1 y A7 B7 補充

五、發明説明（b ) 共同接線係藉閘電極絕緣膜來配置在像素電極之同時 ,電容量用電極係藉閘電極絕緣膜而其一部分重蠡在鄰接 之閘電極之構成者。 又，具備有： 形成在絕緣性基板上之具有源極領域及汲極領域之半 導體材料膜； 形成為覆蓋該半専體材料膜之上面及側面之閘極絕緣 經濟部智慧財產局ii工消費合作社印製 膜； 形成在包含該閘電極絕緣膜上之 閘電極； 形成在絕緣性基板上，配置在鄰 電容量用之共同接線； 形成在包含閘極絕緣膜上及閘電 絕緣性基板上之絕緣瞑； 形成在該絕緣膜上而覆蓋共同接 形成在絕緣膜上，連接於像素電 叠在鄰接之閘電極之構成之電容量用 再者，電容量用電極係延長像素 又，閛電極與共同接線係使用相 再者，共同接線係使用透明材料 又，共同接線之透明材枓為，對 50〜100匁.且電阻係數在50〜50 0 w 又共同接線之透明材料為，選自 絕緣性基板上之複數 接之閘電極間之輔助 極上及共同接線上之 線之像素電極；Μ及 極之同時其一部分重 電極者。 電極者。 同材料所成者。 所成者。 可視光之透過率在 Ω ♦ cm之材料者。 氧化絪錫，氧化錫， (諳先閱讀背面之注意事磺再填寫本頁) 絪磷當中之任何一種者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 8 (修正頁）

40824-. 五、發明説明（2 ) (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第12圖為顯示例如在日本的平成二年於電子資訊通訊 學會技術報告會（EID90-13)中提出報告之CS在閘電極上方 式TFT-LCD之一像素之平面圖，第13圖係顯示其製造方法 的線A - A ’剖面圖。 圖中，1為玻璃基板（第13(A)丽），2為形成在玻璃基 板1上肜成之閘電極，4為包含閘電極2之上面而在玻璃基 板1上彤成之閘電極絕緣膜（第13(8)圖），5為藉閘電極絕 緣膜4而形成在閘電極2上的非晶形矽，6為形成在非晶形 矽5上的摻雜有p Η 3的η +非晶形矽（第U ( B )圖）；係彤成源 電極•汲電極領域者。7為設在閘電極絕緣膜4上，其一部 分重盤在前一行閘電極2上的像素電極，8為設在閘電極絕 緣膜4上，延伸至η +非晶形矽6上之源電極接線，9為跨在 素電極7 , η +非晶形矽6及閘電極絕緣膜4上所設的汲.電極， 10為全面設在玻璃基板1的保護膜（第13(E)圖）。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 玆根據第13圖就上述先前之液晶顯示器之製造方法說 明如下。在玻璃基板1上形成閘電極2(第13(A)圖）。接著， 連壤地堆積閘極絕緣膜4 ,非晶形矽5 ,摻雜有Ρ的η +非晶 形矽6。將非晶形矽5及摻雜有Ρ的η +非晶形矽6留下必要部 分而用蝕刻法除去其餘部分（第13(B)圖）。之後，形成像 素電極7成為重壘於前一行之閘電極（第η-1個）（第13(C)圖 )。然後，形成源電極接線8及汲電極9。之後，將摻雜有 Ρ的η +非晶形矽6中留下為形成TFT之源電極領域，汲極領 域所必要的部分而除去其餘的部分（第13(D)圖）。最後形 成保護膜10(第13(E)圖）。 本纸诔尺度適用尹國國家標準（CNS ) A4规格（21〇Χ_297公釐） 4~( W it Μ ) ^

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (7 ) 1 加 Μ t 與 共 同 接 線 接 觸 而 設 有 透 明 電 極 成 為 覆 蓋 該 透 1 1 明 電 極 者 〇 J 又 覆 蓋 共 同 接 線 之 透 明 電 極 為 > 使 用 對 可 視 光 之 透 1 I 請 j 過 率 在 5C 〜 100 丸， 且電阻ΐ 系數在5 0〜E 00 U S3 * C ID 之 材 料 先 間 1 者 〇 * in 背 1 之 1 又 覆 蓋 共 同 接 線 之 透 明 電 極 為 * 使 用 選 白 氧 化 絪 錫 注 查 1 i f 氧 化 錫 i 銦 磷 當 中 之 任 何 —- 種 者 〇 項 再 1 再 者 > 半 導 體 材 料 膜 為 ， 非 晶 形 矽 膜 者 〇 填 寫 今 頁 又 » 半 導 體 材 料 膜 為 t 多 结 晶 矽 膜 者 〇 ί 有 關 本 發 明 之 液 晶 顯 示 装 置 之 製 造 方 法 為 > 包 括 ： 1 在 絕 緣 性 基 板 上 形 成 複 數 閘 電 極 的 第 一 製 造 過 程 9 Ί 形 成 配 置 在 所 鄰 接 之 閘 電 極 間 之 共 同 接 線 之 第 二 製 造 訂 過 程 ) . 1 在 包 含 閘 電 極 上 及 共 同 接 線 上 之 絕 緣 性 基 板 上 形 成 閘 I 1 I 電 極 絕 緣 膜 之 第 三 製 造 過 程 1 1 1 形 成 至 少 —、 曆 之 半 専 體 材 科 膜 之 第 四 製 造 過 程 ϊ ./ 形 成 像 素 電 極 成 為 * 藉 閘 極 絕 緣 膜 來 覆 蓋 共 同 接 線 之 1 同 時 9 其 — 部 分 重 叠 在 鄰 接 之 閘 電 極 之 狀 態 之 第 五 製 造 過 1 程 1 >1 及 1 將 半 専 體 材 料 予 蝕 刻 來 形 成 源 極 領 域 及 汲 極 領 域 之 Ί I 第 Ί - 製 造 過 程 者 〇 1 1 1 又 * 再 包 括 1 1 形 成 透 明 電 極 成 為 覆 蓋 共 同 接 線 之 第 七 製 造 過 程 * 而 1 i 該 第 七 製 造 m 程 係 在 完 成 第 二 製 造 過 程 後 而 在 第 三 製 造 過 I 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2I0X 297公釐） g (修正頁） 經濟部中央標準局負工消费合作杜印製 408244 A7 B7__ 五、發明説明（3 ) 第14圖係顯示在同樣的文獻中報告的CS共同接線方式 TPT-LCD之一像素之平面圖，第15圖係顯示其製造方法之 線A-Af剖面画。圖中，1〜1〇為與在第12、 13圖中所示者 相同。11係配置在鄰接之閘電極間之共同接線。像素電極 ?係設成為覆蓋共同接線11的狀態。 茲根據第15画就上述液晶顯示器之製造方法說明如下 。在玻璃基板1上形成闸電極2之同時形成共同接線11(第 15(A)圖）。接著，連鑛地堆積閘極絕緣膜4,非晶形矽5, 摻雜有P的η +非晶形矽6。將非晶形矽5及摻雜有P的η +非晶 形矽6留下必要部分而用蝕刻法除去其餘部分（第Ι5(β)圖） 。之後，彤成像素電極7成為重叠於共同接線11(第15(C) 圃）。Μ下為如同CS在閘電極上方式同樣的製造過程，因 此省略之。 f發明所欲解決之課題] 先前之TFT-LCD之構成為如上述。在CS在閘電極上之 方式時，重昼像素電極7與前一行之閘電極2來彤成電容量 。因此，閛電極2之負載電容量變大。閛電極2係當畫面之 精细度為視頻圖像矩陣（K下簡稱為VGA)時，傳達50// sec 左右的訊號即可；然而，為XGA時即變短到l〇u sec左右。 因此，所要求之傳達訊號之延遲時間為必需在數wsec左 右Μ下。因此，在CS在閘極上方式中，因閘電極2之負載 電容量大，因此，爾要擴大閘電極2之寬度以便縮短閛電 極之延遲時間。閘電極2係通常使用不透明的金屬膜，例 如鉻，鋁，妲，鉬等之金屬膜，或將該等予以積層或合金 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） 5 38 8 1 9 A7 B7 408244 五、發明説明（8 ) 程之前所實行者。 [實施發明之彤態] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [實施乏形態1] 第1圖為顯示根據本發明實施之形態1之通導蝕刻（ .channel etching)塑倒交錯配置（stagger)構造之 TFT-L CD之平面國，第2圖為顯示其製造方法之線A-A’剖面圖。 画中，1〜6, 8〜11為如同上述之先前裝置，因此省 略其有關說明。12為像素電極，係覆蓋共同接線11之同時 ，其一部分重壘在前一行之閘電極2上。 Η根據第2圖將其製造方法說明如下。 在玻璃基板1上與閘電極2同時形成共同接線11。閘電 極2及共同接線11係將不透明材料，例如，鉻，鋁，鉬， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 組，銅，鋁-銅，鋁-矽-銅，鈦，鋳，或該等之合金，或 積層該等之構造；形成為其膜厚在自O.l^m〜l.Owra的範 圍內（第2(A)圖）。接著，連繽地堆積閘極絕緣膜4,非晶 彩矽5，摻雜有P的rt +非晶形矽6。將非晶形矽5及摻雜有P 的η +非晶彤矽6留下必要部分而用蝕刻法除去其餘部分（.第 2(B)画）。之後，形成像素電極12成為不僅覆蓋共同接線 11,而且重叠於前一行之閘電極（第η-1個）（第2(C)圖）。 然後，彤成源電極接線δ及汲電極9。之後，將摻雜有Ρ的 η +非晶形矽6中留下為形成TFT之源電極領域，汲極領域所 必要的部分而除去其餘的部分（第2(D)圖）。最後形成保護 膜10 (第2 (E)圖）。 由上述之製造過程，可形成實施之形態1之用共同接 1 0 (修正頁） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 408244 A7 __B7_ 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 化的膜的關係，閘電極接線部不會透光。因此，會降低 TFT-LCD之開口率。在TFT-LCD中，開口率愈高光的利用效 率愈高，且可減低消耗電力。即，CS在閘電極上方式為， 有閘電極接線寬度變大，開口率下降而消耗電力增力的問 題存在。 另一方面，CS共同接線方式為，未重疊像素電極7與 閘電極2,閘電極2之負載電容量較小，可使接線寬度為细 。又，共同接線11所要求之CS訊號之延遲時間為比閘電極 訊號所要求之延遲時間較長。因此，在CS共同接線方式中 ,閛電極接線寬度加上共同接線寬度者為可小於CS在閘電 極上方式之閘電極線寬度。然而，在CS共同接線方式中， 在像素電極7與前一行之閘電極2之間留有間隔。通過該部 分之光，因為該部分之液晶不受像素電極7之電場影響的 關係，未被控制。因此，雖然在像素電極7中有作黑色顯 示，但從像素電極7與前一行電極2之間隔有漏光的情形。 為防止上述之漏光，在對向於形成TFT之玻璃基板1來 夾液晶之漶色鏡下簡稱為CF)基板上，需要形成遮光膜 (M下簡稱為黑色屏蔽（blackmask, BM)來屏蔽從該部分所 漏出的光。將形成TFT的玻璃基板1與CF基板予Μ重疊時的 精度通常在5wm〜lOunt的範園内。欲完全屏蔽像素電極 7與前一行之閘電極2之間隔所漏出的光時，需要從像素電 極7之端部，再向内側形成相當於該重蠱精度之量之BM。 因此，有更使開口率減低，降低光的利用效率而增加電力 消耗的問題。 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 6 38 8 1 9 A7 B7 408244 五、發明説明（1 〇 ) 在玻璃基板1上形成閘電極2。閘電極2係將不透明材 料，例如，鉻，鋁，鉬，鉅，銅，鋁-錮，鋁-矽-銅，鈦， 鎢，或該等之合金，或積層該等之構造；形成為其膜厚在 自O.lwm〜l.Owm的範圍内（第4(A)圖）。其次，用透明電 極，例如，氧化銦錫（ITO),氧化錫，絪磷等之對可視光 之透過率在50〜100丸，且電阻係數在50〜500α Ώ * cm之 材料來形成共同接線13(第4(A’）圖）。Μ後之製造過程為 如同實施之形態1。 由上述之製造過程，可製造用共同接線13來形成實施 之形態2中之負載電容量之同時，將像素電極12重叠在前 一行閘電極2之TFT-LCD。實施之形態2中，有形成如同實 施形態1之共同接線13的關係，TFT-LCD所需要的負載電容 量為，大部分可由共同接線13及像素電極12之重昼部分之 電容畺來形成。因此，像素12及前一行之閘電極2為，只 屛蔽該部分所漏出的光即可；至少，只要有重叠即可。因 此，像素電極12及前一行之閘電極2之重叠部分很小，幾 乎不會增加閘電極2之負載電容量。因此，閘電極之寬度 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之‘ 共 極 h 在 電為 霉 2 * 閘態此 加形因 増之 ， 有胞線 會實接 不在同 ,’ 共 形者作 情再來 的 。料 式生材 方發的 線形性 接情電 通的導 共率有 CS口具 於開且 同低明 相降透 略度用 為寬使 態 彤 之 施 實 比 至 得中 可 2 ，.態 低形 減之 之施 率實 口在 開 ， 無又 分 0 部率 線口 接開 同的 極 電 閘 成 形 在 :後 受 XI 1 之 2 高 線 接 同 共 成 果 效 的 OF 樣 同 至 得 可 也 來 過 倒 序 順 該 將 但 態 形 之 施 實 ΓΖ ~(修止頁） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29?公釐） 408244 A7 B7 五、發明説明（5 ) 本發明係為解決上述問題所成；提供一種可縮短閛電 極訊號之延遲時間之同時，加大開口率來減低電力消耗之 液晶顯示裝置為其第一目的。 又，提供該種液晶顯示裝置之製造方法為其第二目的 0 [用以解決課題之手段] 有關本發明之液晶顯示裝置為，具備有： 配置於形成在絕緣性基板上之複數閘電極及所鄰接之 閘電極間之輔助電容量用之共同接線； 藉形成在絕緣性基板上之閘極絕緣膜來覆蓋閘電極之 至少一部分之至少一層之半導體材料膜； 形成在該半導體材料膜之源電極領域及汲電極領域， 形成在閘極絕緣膜上，覆蓋共同接線之像素電極； 形成為連接於該像素電極之同時，其一部分重叠在鄰 接之閘電極上之電容量用電極；κ及 各別設在源極領域及汲極領域上之源電極及汲電極者 (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局Λ工消费合作社印犁 連料域膜半用 及材領緣在量 極體極絕成容 電導電極形電 素半源電而肋 像的之閘膜輔 之層層之緣之 上 一料上絕間 板少材板極極 基至體基電鬧 性及導性閱之 : 緣極半緣該接 有絕電該絕藉鄰 備 在用在 在在及 具成量成成置極 又形容形形配電 電 閘 之 數 極 .，複 電 域 之 ； 素 領上線 像 極 料接 該 電 材同 於；汲 體共 接層及.，導之 本紙張尺度適用中國國家標4Μ CNS > Α4規格（210Χ297公釐） 7 38 8 1 9 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408244 五、發明説明（11 ) 第5画為顯示根據本發明茛施之形態3之TFT-LCD之平 面圖，第6圖顯示其製造方法之線A-A’剖面圖。圖中，1〜 6,8〜12為如同上述之實腌之形態1,因此省略其有關說明 。14為由不透明材料形成之共同接線。15係形成為覆蓋共 同接線14之透明電極。 玆根據第6圖將其製造方法說明如下。 在玻璃基板1上形成閘電極2及共同接線14。閘電極2 及共同接線14係將不透明材科，例如，鉻，鋁，鉬，钽， 飼，鋁-飼，鋁-矽-銅，钛，鎢，或該等之合金，或積層 該等之構造；形成為其瞑厚在自O.lwm〜l.Owm的範圍内 (第6(A)圖）。接著，例如用氧化絪錫（IT0),氧化錫，銦 磷等之對可視光之透過率在50〜100〆，且電阻係數在 5 0 — 5 0 0 μ Ω · cm之材料來形成透明電極15來覆篕我同接 線14(第6(A')圖）。Μ後之製造過程為如同實施之形態1。 由上述之製造過程，可製造用共同接線14來形成實施 之形態3中之負載電容量之同時，將像素電極12重蠱在前 一行閘電極2之TFT-LCD。實施之形態3中，有彤成如同實 施形態1之共同接線14的關係，TFT-LCD所需要的負載電容 量為，大部分可由共同接線14及像素電極12之重叠部分之 電容量來形成。因此，像素12及前一行之閘電極2為，只 屏蔽該部分所漏出的光即可；至少，只要有重S印可。因 此，像素電極12及前一行之閘電極2之重疊部分很小，幾 乎不會增加閘電極2之負載電容量。因此，閛電極之寬度 為略相同於CS共通接線方式的情形，不會有增加閘電極之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1 3 (修正頁） A7 B7 補充

五、發明説明（b ) 共同接線係藉閘電極絕緣膜來配置在像素電極之同時 ,電容量用電極係藉閘電極絕緣膜而其一部分重蠡在鄰接 之閘電極之構成者。 又，具備有： 形成在絕緣性基板上之具有源極領域及汲極領域之半 導體材料膜； 形成為覆蓋該半専體材料膜之上面及側面之閘極絕緣 經濟部智慧財產局ii工消費合作社印製 膜； 形成在包含該閘電極絕緣膜上之 閘電極； 形成在絕緣性基板上，配置在鄰 電容量用之共同接線； 形成在包含閘極絕緣膜上及閘電 絕緣性基板上之絕緣瞑； 形成在該絕緣膜上而覆蓋共同接 形成在絕緣膜上，連接於像素電 叠在鄰接之閘電極之構成之電容量用 再者，電容量用電極係延長像素 又，閛電極與共同接線係使用相 再者，共同接線係使用透明材料 又，共同接線之透明材枓為，對 50〜100匁.且電阻係數在50〜50 0 w 又共同接線之透明材料為，選自 絕緣性基板上之複數 接之閘電極間之輔助 極上及共同接線上之 線之像素電極；Μ及 極之同時其一部分重 電極者。 電極者。 同材料所成者。 所成者。 可視光之透過率在 Ω ♦ cm之材料者。 氧化絪錫，氧化錫， (諳先閱讀背面之注意事磺再填寫本頁) 絪磷當中之任何一種者 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 8 (修正頁） 附件三

經濟部中央標準局員工福利委寅會印製 -V叫 fr !·> /4 v,! 408244 條 下 丄一!'汗.H3 —一 .1 丨一-- i 第 86 1 0 4 1 3 5 號 _ vS> d 钃: i 請 案 申 請 專 利 範 圍 修 正 本 (8 8年 3月1 8 E 1 ) 1 . 一 種 液 晶 顯 示 裝 置 t 其 特 徵 為 f 具 備 有 m 緣 性 基 板 9 形 成 在 該 絕 緣 性 基 板 上 之 複 數 閘 電 極 ί 形 成 在 上 述 絕 緣 性 基 板 上 > 配 置 在 所 鄰 接 之 閛 電 極 間 之 輔 助 電 容 童 用 之 共 同 接 線 9 形 成 在 包 含 有 上 述 閛 電 極 上 及 共 同 接 線 上 之 絕 緣 性 基 板 上 之 閛 極 絕 緣 膜 ; 藉 形 成 在 該 絕 緣 性 基 板 上 之 該 閛 極 絕 緣 膜 來 覆 蓋 上 述 閘 電 極 之 至 少 一 部 分 之 至 少 一 層 之 半 導 體 材 枓 膜 * 形 成 在 該 半 導 體 riWi 材 料 膜 之 源 極 領 域 及 极 極 領 域 9 彤 成 在 上 述 閘 棰 絕 ΛΑ 緣 膜 上 1 覆 蓋 上 述 共 同 接 線 之 像 素 電 極 » 形 成 為 連 接 於 該 像 素 電 極 之 同 時 ， 其 一 部 分 藉 閘 極 絕 緣 膜 而 重 蠱 在 鄰 接 之 閘 電 極 上 之 電 容 量 用 電 極 Μ 及 各 別 設 在 源 極 領 域 及 汲 極 領 域 上 之 源 電 極 及 汲 電 極 者 0 2 . 一 種 液 晶 頭 示 裝 置 具 樹 有 絕 緣 性 基 板 I 形 成 在 絕 緣 性 基 板 上 之 像 素 電 極 連 接 於 該 像 素 電 極 之 電 容 童 用 電 極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公釐） 3 8 8 1 9

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、 發明説明 (7 ) 1 加 Μ t 與 共 同 接 線 接 觸 而 設 有 透 明 電 極 成 為 覆 蓋 該 透 1 1 明 電 極 者 〇 J 又 覆 蓋 共 同 接 線 之 透 明 電 極 為 > 使 用 對 可 視 光 之 透 1 I 請 j 過 率 在 5C 〜 100 丸， 且電阻ΐ 系數在5 0〜E 00 U S3 * C ID 之 材 料 先 間 1 者 〇 * in 背 1 之 1 又 覆 蓋 共 同 接 線 之 透 明 電 極 為 * 使 用 選 白 氧 化 絪 錫 注 查 1 i f 氧 化 錫 i 銦 磷 當 中 之 任 何 —- 種 者 〇 項 再 1 再 者 > 半 導 體 材 料 膜 為 ， 非 晶 形 矽 膜 者 〇 填 寫 今 頁 又 » 半 導 體 材 料 膜 為 t 多 结 晶 矽 膜 者 〇 ί 有 關 本 發 明 之 液 晶 顯 示 装 置 之 製 造 方 法 為 > 包 括 ： 1 在 絕 緣 性 基 板 上 形 成 複 數 閘 電 極 的 第 一 製 造 過 程 9 Ί 形 成 配 置 在 所 鄰 接 之 閘 電 極 間 之 共 同 接 線 之 第 二 製 造 訂 過 程 ) . 1 在 包 含 閘 電 極 上 及 共 同 接 線 上 之 絕 緣 性 基 板 上 形 成 閘 I 1 I 電 極 絕 緣 膜 之 第 三 製 造 過 程 1 1 1 形 成 至 少 —、 曆 之 半 専 體 材 科 膜 之 第 四 製 造 過 程 ϊ ./ 形 成 像 素 電 極 成 為 * 藉 閘 極 絕 緣 膜 來 覆 蓋 共 同 接 線 之 1 同 時 9 其 — 部 分 重 叠 在 鄰 接 之 閘 電 極 之 狀 態 之 第 五 製 造 過 1 程 1 >1 及 1 將 半 専 體 材 料 予 蝕 刻 來 形 成 源 極 領 域 及 汲 極 領 域 之 Ί I 第 Ί - 製 造 過 程 者 〇 1 1 1 又 * 再 包 括 1 1 形 成 透 明 電 極 成 為 覆 蓋 共 同 接 線 之 第 七 製 造 過 程 * 而 1 i 該 第 七 製 造 m 程 係 在 完 成 第 二 製 造 過 程 後 而 在 第 三 製 造 過 I 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2I0X 297公釐） g (修正頁） A7 B7 408244 五、發明説明（8 ) 程之前所實行者。 [實施發明之彤態] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) [實施乏形態1] 第1圖為顯示根據本發明實施之形態1之通導蝕刻（ .channel etching)塑倒交錯配置（stagger)構造之 TFT-L CD之平面國，第2圖為顯示其製造方法之線A-A’剖面圖。 画中，1〜6, 8〜11為如同上述之先前裝置，因此省 略其有關說明。12為像素電極，係覆蓋共同接線11之同時 ，其一部分重壘在前一行之閘電極2上。 Η根據第2圖將其製造方法說明如下。 在玻璃基板1上與閘電極2同時形成共同接線11。閘電 極2及共同接線11係將不透明材料，例如，鉻，鋁，鉬， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 組，銅，鋁-銅，鋁-矽-銅，鈦，鋳，或該等之合金，或 積層該等之構造；形成為其膜厚在自O.l^m〜l.Owra的範 圍內（第2(A)圖）。接著，連繽地堆積閘極絕緣膜4,非晶 彩矽5，摻雜有P的rt +非晶形矽6。將非晶形矽5及摻雜有P 的η +非晶彤矽6留下必要部分而用蝕刻法除去其餘部分（.第 2(B)画）。之後，形成像素電極12成為不僅覆蓋共同接線 11,而且重叠於前一行之閘電極（第η-1個）（第2(C)圖）。 然後，彤成源電極接線δ及汲電極9。之後，將摻雜有Ρ的 η +非晶形矽6中留下為形成TFT之源電極領域，汲極領域所 必要的部分而除去其餘的部分（第2(D)圖）。最後形成保護 膜10 (第2 (E)圖）。 由上述之製造過程，可形成實施之形態1之用共同接 1 0 (修正頁） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 408244 A7 B7___ 五、發明説明（9) 線11來形成負載電容量之同時，像素電極2重疊在前一行 閘電極2之TFT-LCD。實施之彤態1中有彤成共同接線11的 關係，TFT-LCD所需要的負載電容量為，大部分可由共同 接線11及像素電極12之重叠部分之電容量來形成。因此， 像素12及前一行之閘電極2為，只屏蔽該部分所漏出的光 卽可；至少，只要有重*即可。因此，像素電槿12及前一 行之閘罨極2之重#部分很小，幾乎不會增加閘電極2之負 載電容量。因此，閘霉極之寬度為略相同於CS共通接線方 / 式的情形，不會有缯加閘電極之寬度降低開口率的情形發 生。如以上所述，實細之形態1之TFT-LCD為，不增加閘電 極接線之負載電容量，且可消除像素電極12與前一行閘電 極2之間隔，因此，可得到開口率高，電力消耗小的TFT-LCD。又，實施之形態1為，完全不改變Μ注之製造過程， 因此，可製造成本不變動而電力消耗小的TFT-LCD。 又，顯示通導蝕刻型倒交錯配置構造之TFT之製造例 作為TFT之構造例，但在通道領域上形成保護膜的停止蝕 刻型（etching stopper)倒交錯配置構造TFT亦具有同樣的 效果，而在下述實施之形態中亦相同。 [實施之形態2 ] 第3圖為顯示根據本發明實腌之形態2之TFT-LCD之平 面圃，第4圖為顯示其製造方法之線A-A·剖面圖。圖中， 1〜6 ,8〜10, 12為如同上述之實施之形態1,因此省略其有 關說明D 13為由透明材料形成之共同接線。 玆根據第4画將其製造方法說明如下。 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

•1T 經濟部中央標率局貝工消费合作社印？木 本紙张尺度適用中國國家標辛-(CNS ) Α4規格（2丨0Χ297公釐） 3 88 1 9 A7 B7 408244 五、發明説明（1 〇 ) 在玻璃基板1上形成閘電極2。閘電極2係將不透明材 料，例如，鉻，鋁，鉬，鉅，銅，鋁-錮，鋁-矽-銅，鈦， 鎢，或該等之合金，或積層該等之構造；形成為其膜厚在 自O.lwm〜l.Owm的範圍内（第4(A)圖）。其次，用透明電 極，例如，氧化銦錫（ITO),氧化錫，絪磷等之對可視光 之透過率在50〜100丸，且電阻係數在50〜500α Ώ * cm之 材料來形成共同接線13(第4(A’）圖）。Μ後之製造過程為 如同實施之形態1。 由上述之製造過程，可製造用共同接線13來形成實施 之形態2中之負載電容量之同時，將像素電極12重叠在前 一行閘電極2之TFT-LCD。實施之形態2中，有形成如同實 施形態1之共同接線13的關係，TFT-LCD所需要的負載電容 量為，大部分可由共同接線13及像素電極12之重昼部分之 電容畺來形成。因此，像素12及前一行之閘電極2為，只 屛蔽該部分所漏出的光即可；至少，只要有重叠即可。因 此，像素電極12及前一行之閘電極2之重叠部分很小，幾 乎不會增加閘電極2之負載電容量。因此，閘電極之寬度 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之‘ 共 極 h 在 電為 霉 2 * 閘態此 加形因 増之 ， 有胞線 會實接 不在同 ,’ 共 形者作 情再來 的 。料 式生材 方發的 線形性 接情電 通的導 共率有 CS口具 於開且 同低明 相降透 略度用 為寬使 態 彤 之 施 實 比 至 得中 可 2 ，.態 低形 減之 之施 率實 口在 開 ， 無又 分 0 部率 線口 接開 同的 極 電 閘 成 形 在 :後 受 XI 1 之 2 高 線 接 同 共 成 果 效 的 OF 樣 同 至 得 可 也 來 過 倒 序 順 該 將 但 態 形 之 施 實 ΓΖ ~(修止頁） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29?公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 408244 五、發明説明（11 ) 第5画為顯示根據本發明茛施之形態3之TFT-LCD之平 面圖，第6圖顯示其製造方法之線A-A’剖面圖。圖中，1〜 6,8〜12為如同上述之實腌之形態1,因此省略其有關說明 。14為由不透明材料形成之共同接線。15係形成為覆蓋共 同接線14之透明電極。 玆根據第6圖將其製造方法說明如下。 在玻璃基板1上形成閘電極2及共同接線14。閘電極2 及共同接線14係將不透明材科，例如，鉻，鋁，鉬，钽， 飼，鋁-飼，鋁-矽-銅，钛，鎢，或該等之合金，或積層 該等之構造；形成為其瞑厚在自O.lwm〜l.Owm的範圍内 (第6(A)圖）。接著，例如用氧化絪錫（IT0),氧化錫，銦 磷等之對可視光之透過率在50〜100〆，且電阻係數在 5 0 — 5 0 0 μ Ω · cm之材料來形成透明電極15來覆篕我同接 線14(第6(A')圖）。Μ後之製造過程為如同實施之形態1。 由上述之製造過程，可製造用共同接線14來形成實施 之形態3中之負載電容量之同時，將像素電極12重蠱在前 一行閘電極2之TFT-LCD。實施之形態3中，有彤成如同實 施形態1之共同接線14的關係，TFT-LCD所需要的負載電容 量為，大部分可由共同接線14及像素電極12之重叠部分之 電容量來形成。因此，像素12及前一行之閘電極2為，只 屏蔽該部分所漏出的光即可；至少，只要有重S印可。因 此，像素電極12及前一行之閘電極2之重疊部分很小，幾 乎不會增加閘電極2之負載電容量。因此，閛電極之寬度 為略相同於CS共通接線方式的情形，不會有增加閘電極之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1 3 (修正頁） 408244 a? B7 經濟部中央標準局員工消f合作杜印？ 未 五、發明説明 ( 1 £ ) I 寬 度 降 低 開 〇 率 的 情 形 發 生 0 再 者 9 組 合 共 同接 線 1 4與 透 1 I 明 罨 極 1 E 如 此 一 來 ， 可 由 共 同 接 線 14來 實 現共 同 接 線 所 J 1 | 要 求 之 電 阻 值 > 作 為 負 載 電 容 量 所 需 要 之 面 積為 可 由 透 明 t—'v 請 1 電 極 1 5 來 形 成 9 因 此 * 減 少 共 同 接 線 1 4 之 寬 度之 同 時 可 確 閱 讀 ί 保 必 要 的 負 載 電 容 量 值 而 可 提 高 開 □ 率 〇 背 1 j 之 1 1 [實胞之彤態4 ] 意 事 I I 第 7圖為顯示根據本發明實施之形態之TFT-LCD 之 平 再 圖 ， 第 8圖為顯示其製造方法之線A -A ’剖面圖。圖中， 1 寫 頁 1 6， 8〜1 0， 1 2為 如 同 上 述 之 實 腌 之 形 態 1 , 因此省略其有關 V_ 1 | 說 明 〇 1 4為 由 不 透 明 材 料 形 成 之 共 同 接 線 〇 16係 形 成 為 覆 I 1 蓋 共 同 接 線 11 » 與 第 η " 1個之閘電極未重叠之像素電極。 1 訂 1 17係 形 成 為 與 像 素 電 極 16 連 接 > 且 與 第 η - 1個之閘電極2 重 曼 之 電 容 量 用 電 極 〇 1 1 玆 根 據 第 將其製造方法說明如下。 第8 (Α)圖， 第 1 1 8 ( B ) 圖 之 製 造 過 程 為 如 同 實 施 之 形 態 1， 因此省略其關說 1 明 〇 實 行 第 8(A) 9 第 8 ( Β) 圖 之 製 造 \.ΠΤ. 趣 程 之 後 ,將 像 素 電 極 1 I 16形 成 為 只 覆 蓋 共 同 接 線 11 (第8 (C)圖） 〇 接 著， 形 成 源 電 1 1 1 極 接 線 8及汲電極9 〇 該 時 1 將 電 容 量 用 電 極 17形 成 為 與 1 1 像 素 電 極 16 連 接 9 且 與 第 η - 1個閘電極2 重 鲞 ο如 此 一 來 ， 1 在 第 π - 1個之閘電極2與 像 素 電 極 16 之 間 可 形 成電 容 量 〇 1 1 後 1 之 製 造 過 程 (第8 (D )圖） ♦ 第 8(E) 圖 )為如同實施之形態 1 1 ! 丄〇 由 上 述 之 製 造 適 程 * 可 製 造 用 共 同 接 線 1 1來 形 成 本 發 1 1 I 明 之 負 載 電 容 量 之 同 時 » 將 像 素 電 極 16 重 叠 在前 一 行 閘 電 1 1 14 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS > A4規格（210X297公釐） 3 8 8 1 9 A7 408244 B7 _ 五、發明説明（is) 極2之TFT-LCD,不必增加閘電極之寬度。 啻施夕形锶5 第9、10圖為顯示根據本發明賁施之形態5之正交鍇配 置構造之TFT-LCD之製造方法之剖面圖。實施之形態5為， 閘電極2形成在比源電極•汲電極領域6更上方之位置，而 上下顛倒之構造。如同實胞之形態1,有共同接線11及像 素電極12軎叠，而像素電極12之一部分與第n-I個之閘電 極2重®之構成。第9圖係汲電極9與像素電極12連接之構 造，而第10圖儀形成為汲電極與像素電極共同之構造之製 造方法。 玆就第9圖之TFT-LCD之製造方法說明如下。 在玻璃基板1上形成像素電極12(第9(A)圓）。接著， 形成源電極接線8及汲電極9,使汲電極9之一部分重鏟在 像素電極12,在其上面堆積n +非晶形矽6,形成為預定形 狀來彤成源極♦汲極領域（第9(B)圖h接著，在n +非晶形 矽6及玻璃基板1上堆積非晶形矽5(第9(C))。接著，全面 形成閘極絕緣膜4(第9(D)圖）之後，藉閘極絕錄膜4在像素 電極12上形成共同接線11，同時形成閘電極2於非晶形矽5 上Μ及其一部分重#在像素罨極12,然後全面形成保護膜 10 (第 9 (Ε)圖）。 茲就第10圖之TFT-LCD之製造方法說明如下。 在玻璃基板1上形成源極接線8(第10(A)圖）。接著， 茌破璃基板1上形成像素電極12,在該像素電極12上及源 電極8上堆積η +非晶形矽6,形成為預定形狀來構成源極· 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ~ 7777~η , Ό: In- 1 BrL— n —4—· -- m nn —^ϋ (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁) 討 經濟部中央標準局员工消资合作社印製 408244 A7 __B7___ 五、發明説明（i4) 汲極領域（第10(B)圖Μ後第10(C)〜（E)之製造過程為 如同第9(C)〜（Ε)圖之製造過程。 本構造之TPT-LCD亦具有如同實施形態1之效果。 又，在本實施之形態中亦可構成為實施之形態2〜4之 構造。 [實施之形態6] 第11圖為顯示根據本發明實施之形態6之共平面型構 造之TFT-LCD之製造方法之剖面圖。19係其一部分形成有 源極•汲極領域之多結晶矽，20係全面堆積在包含閘電極 2及共同接線11上之絕緣膜。實施之形態6為，在源極•汲 極領域上形成閘電極2，且將像素電極12形成為覆蓋共同 接線11之同時其一部分重®在閘電極2上者。 經濟部中央標率局负工消f合作社印製 茲根據第11圖來說明其製造方法如下。在玻璃板1上 堆積多結晶矽1 9 (第U (Α )圖）。接著，將多結晶矽1 9予Μ 熱氧化來形成閘極絕緣膜4(第11(B)圃）。在多结晶矽19及 玻璃基板1上形成閘電極2及共同接線11(第11(C)圃）。全 面堆積絕緣膜20之後，形成像素電極12使其藉絕緣膜20覆 蓋共同接線11之同時其一部分重盤在閘電極2之狀態（第 11(D)圖 接著，形成源極接線8及汲電極9之後，全面構 成保護膜1 0 (第1 1 ( Ε )圖）。 在本構造之TFT-LCD中亦可具有如同實施之形態1之效 果。 又，在本實施之形態中亦可構成為實施之形態2〜4之 構造。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇X297公釐） 3 88 1 9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 16 408244 A7 B7 經濟部中央標华局員工消费合作社印製 五、發明説明（ 15) 上 述 實 胞 之 形 態 1〜6中 之 閘 極 絕 緣 膜 為 可 使 用 氣 化 矽 (s m, 二氧化矽1 ：S i 0 2 ), 氧化鉅， 氧化鈦， 氧化鋁， 氧 化 鉻 等 之 膜 9 或 積 層 該 等 之 膜 之 任 何 一 種 〇 又 ， 形 成 TFT之半導體材料為， 不僅僅是非晶形矽， 亦 可 同 樣 地 使 用 多 結 晶 矽 9 鎘 -硒等C [發明之效果] 本 發 明 之 構 造 為 如 上 面 之 說 明 9 因 此 * 可 發 揮 下 述 之 效 果 0 由 於 其 具 備 有 ： 形 成 在 絕 緣 性 基 板 上 的 複 數 閘 電 極 及 所 鄰 接 閘 電 極 間 所 配 置 之 輔 助 電 容 量 用 之 共 同 接 線 藉 形 成 在 絕 緣 性 基 板 上 之 閘 極 絕 緣 膜 而 形 成 為 至 少 耰 蓋 閘 電 極 之 一 部 分 之 至 少 一 層 之 半 導 體 材 料 膜 形 成 在 該 半 導 體 材 料 膜 之 源 極 域 及 汲 極 領 域 * 形 成 在 閘 極 絕 緣 膜 上 ， 覆 蓋 共 同 接 線 之 像 素 電 極 * 彤 成 為 連 接 於 該 像 素 電 極 之 同 時 9 其 --- 部 分 重 叠 在 鄰 接 之 閘 電 極 上 之 電 容 量 用 電 棰 » >λ 及 各 別 設 在 源 極 領 域 及 汲 極 領 域 上 之 源 電 極 及 汲 電 極 藉 像 素 電 極 與 共 間 接 線 之 重 盤 來 得 到 電 容 量 的 關 係 > 可 縮 小 與 電 容 童 用 電 極 鄰 接 之 閘 電 極 之 重 # 部 分 » 因 此 不 會 增 加 閘 電 極 之 負 載 電 容 量 的 情 形 下 可 縮 短 閘 極 訊 號 之 延 遲 時 間 再 者 » 電 容 量 用 電 極 係 像 素 電 極 予 Μ 延 長 者 ， 因 此 可 消 除 像 素 電 極 與 所 鄰 接 之 閘 電 極 之 間 隔 » 可 使 開 率 高 而 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2〗0Χ297公釐） 17 3 8 8 1 9 請 先 閱 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 寫 本 頁 訂 408244 a7 B7 經濟部中央標準局员工消t合作社印m 五、發明説明（ 16) 消 耗 電 力 小 Q 再 者 * 共 同 接 線 係 用 透 明 且 具 有 導 電 性 的 材 料 來 製 成 * 因 此 在 共 同 接 線 部 分 無 開 Ρ 率 降 低 ， 可 得 到 更 高 的 開 請 先 口 率 閲 讀 加 背 Μ > 與 共 同 接 線 接 觸 並 覆 蓋 共 同 接 線 的 狀 態 設 有 透 之 明 電 極 共 注 » 將 同 接 線 及 透 明 電 極 予 >λ 組 合 * 因 此 细 小 化 共 意 事 同 接 線 之 寬 度 之 同 時 > 用 透 明 電 極 可 確 保 所 需 要 的 負 載 電 項 再 ^ 填赛 Lr ri 容 量 值 因 此 可 提 高 開 α 率 〇 寫！ 本4 Ψ 頁 又 9 有 關 本 發 明 之 液 晶 顯 示 裝 置 之 製 造 方 法 為 y 包 括： 在 絕 緣 性 基 板 上 彤 成 複 數 閘 電 極 的 第 製 造 過 ύ 9 彤 成 配 置 在 所 鄰 接 之 閛 電 極 間 之 共 同 接 線 之 第 二 製 造 訂 過 程 ί 在 包 含 閘 電 極 上 及 共 同 接 線 上 之 絕 緣 性 基 板 上 形 成 閘 電 極 絕 緣 膜 之 第 三 製 造 過 程 9 形 成 至 少 一 層 之 半 導 體 材 料 膜 之 第 四 製 造 過 程 9 形 成 像 素 電 極 成 為 * 藉 閘 極 絕 緣 膜 來 覆 蓋 共 同 接 線 之 同 時 1 其 部 分 重 叠 在 鄰 接 之 閘 電 極 之 狀 態 之 第 五 製 造 過 程 Ϊ >λ 及 將 半 導 體 材 料 予 Μ 蝕 刻 來 彤 成 源 電 極 領 域 及 汲 電 極 領 域 之 第 、- 製 造 過 程 f 因 此 $ 可 製 造 使 像 素 電 極 與 閘 電 檣 之 重 叠 部 分 為 小 不 會 增 加 閘 電 極 之 負 載 電 容 量 之 狀 態 下 可 縮 短 閛 搔 訊 號 之 延 遲 時 間 開 口 率 高 9 消 耗 電 力 小 之 液 晶 顯 示 裝 置 〇 又 9 再 包 括 18 本紙尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0Χ297公釐〉 38 8 1 9 4 Ο 8 2 4 4^7 Β7五、發明説明（1?) 而過 ， ; 造合 程製組 過三 Μ 造第予 製在極 七而電 第後明 之程透 線過及 接造線 同製接 共二 同 蓋第共 覆成將 為完 ， 成在此 極係因 電程 ， 明過行 透造實 成製所 形七前 第之 該程 化載 ί 第 、Ϊ 面 4 負 3 0 3 ί 圖 细的 ί 圖 要 需 所 保 確 可 極 電 明 透 用 〇 , 率 時口 同 開 之髙 度提 寬可 之 ， 線值 接量 同容 共 電 之 11 態 形 施 實 明 發 本 關 J 有 明 示 說顯 單為 簡圖 之 面 平 之 態 態 形 形 施 施 實 實 明 明 發 發 本 本 關 關 有 有 示 示 顯0Ο顯 5 圖 ，面g 圖J3_ 2 剖 3 第之第 法 c 方 圖 之 之 造 之 面 平 之 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

訂 之 法 方 第 之 之 2 3 態 態 彤 形 施 施 實 實 發 發 本 本 關 關 有 有 示 示 顯so顔 i 圖 圖JB圖 4SI5 造 製 之 面 平 之 圖 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 圖 面 剖 第之第 法 方 圖 之 3 態 形 腌 實 明 發 本 有 示 顯 為 圖 6 之 4 態 形 施 實 明 發 本 關 有 示 顯 為 圖 態 態 肜 形 施 施 實 實 明 明 發 發 本 本 關 關 有 有 示 示 顯IO顯 圈 為 δ 為 面0^0 8窜9 第之第 法 。 方 圖 之 4 之 5 造 製 之 面 平 之 造 製 之 面 平 之 本紙张尺度適州中國國家標隼（CNS ) Α4规格（2[0Χ 297公釐） 19 3 88 1 9 408244 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（ 18) 1 I .第 1 0圖 為顯示 有 m 本 發明 實 施 彤 態 5 之 TFT -LCD之製造 1 1 方 法之 剖面 圖。 V 1 第 1 1圖 為顯 有 m fftro 本 發明 管 施 形 態 6 之 TFT -LCD之製造 ! 方 法之 剖面 圖Ο 請 1 閲 \ 第 1 2圃 為顯示 先 月！J 之 CS在 閘 極 上 方 式 TFT- LCD之 平 面 讀 背 | 面 J 圖 〇 之 Ί 注 1 第 1 3圖 為顯示 先 前 之 CS在 閘 極 上 方 式 TFT- LCD之 製 造 事 1 項 方 法之 剖面 闽 圃。 填 寫 f'-f 第 14圖 為顯示 先 前 之 CS共 同 接 線 方 式 TFT- LCD之 平 面 本 頁 1 画 0 1 I 第 1 5圖 為顯示 先 前 之 CS共 同 接 線 方 式 TFT- LCD之 製 造 1 方 法之 剖面 圖。 - 1 [圖號之說明 ] 訂 1 1 ： 玻璃 基板 1 I 2 ： 閘電 極 1 1 1 4 ： 閘極 絕緣膜 1 1 5 ： 非晶 形矽 丨 6 ： η +非 晶形矽 1 I 12 ,16： 像素電 極 I 1 8 ： 源極 接線 1 9 ： 汲電 極 1 I 10 :保護膜 1 1 1 11 ,13,1 4 ：共同 接 線 1 ί 15 :透明電極 1 I 17 :電容量甩電 極 1 1 1 本紙张尺度適用中國國家標準（cns ) A4規格（210XM7公釐）20 38819 附件三

經濟部中央標準局員工福利委寅會印製 -V叫 fr !·> /4 v,! 408244 條 下 丄一!'汗.H3 —一 .1 丨一-- i 第 86 1 0 4 1 3 5 號 _ vS> d 钃: i 請 案 申 請 專 利 範 圍 修 正 本 (8 8年 3月1 8 E 1 ) 1 . 一 種 液 晶 顯 示 裝 置 t 其 特 徵 為 f 具 備 有 m 緣 性 基 板 9 形 成 在 該 絕 緣 性 基 板 上 之 複 數 閘 電 極 ί 形 成 在 上 述 絕 緣 性 基 板 上 > 配 置 在 所 鄰 接 之 閛 電 極 間 之 輔 助 電 容 童 用 之 共 同 接 線 9 形 成 在 包 含 有 上 述 閛 電 極 上 及 共 同 接 線 上 之 絕 緣 性 基 板 上 之 閛 極 絕 緣 膜 ; 藉 形 成 在 該 絕 緣 性 基 板 上 之 該 閛 極 絕 緣 膜 來 覆 蓋 上 述 閘 電 極 之 至 少 一 部 分 之 至 少 一 層 之 半 導 體 材 枓 膜 * 形 成 在 該 半 導 體 riWi 材 料 膜 之 源 極 領 域 及 极 極 領 域 9 彤 成 在 上 述 閘 棰 絕 ΛΑ 緣 膜 上 1 覆 蓋 上 述 共 同 接 線 之 像 素 電 極 » 形 成 為 連 接 於 該 像 素 電 極 之 同 時 ， 其 一 部 分 藉 閘 極 絕 緣 膜 而 重 蠱 在 鄰 接 之 閘 電 極 上 之 電 容 量 用 電 極 Μ 及 各 別 設 在 源 極 領 域 及 汲 極 領 域 上 之 源 電 極 及 汲 電 極 者 0 2 . 一 種 液 晶 頭 示 裝 置 具 樹 有 絕 緣 性 基 板 I 形 成 在 絕 緣 性 基 板 上 之 像 素 電 極 連 接 於 該 像 素 電 極 之 電 容 童 用 電 極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210 X 297公釐） 3 8 8 1 9 408244 H3 形成在上述絕緣性基板上之至少一曆的半導體材 料膜； 形成在該半導體材料膜之源極領域及汲極領域； 形成在包含上述半導體材料膜上及像素電極上及 容量電極上之絕緣性基板上之閘極絕緣膜； 形成在包含上述半導體材料膜上之閘極絕緣膜上 之複數個閛電極； 形成在上述閘極絕緣膜上，而配置在所鄰接之閘 電極間之輔助電容量用之共同接線； 上述共同接線係藉閘極絕緣膜來配置在上述像素 電極之同時，電容量用電極係藉閘極絕緣膜而其一部 分重蠱在鄰接之閘電極之構成者。 3. —種液晶顯示裝置，具備有： 絕緣性基板； ’_ 形成在該絕緣性基板上之具有源極領域及汲極領 域之半導體材料膜； 形成為覆蓋該半導體材料膜之上面及側面之閘極 絕緣膜； 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 形成在包含該閘極絕緣膜上之上述絕緣性基板上 之複數閘電極； 形成在上述絕緣性基板上，配置在郯接之閘電極 間之輔助電容量用之共.同接線； 形成在包含鬧極絕緣膜上及聞電極上及共同接線 上之絕緣性基板上之絕緣瞑； 形成在該絕緣瞑上而覆蓋共同接線之像素電極； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X 297公愛) ~~ 40824 H3 以及 形成在上述絕緣膜上，連接於上述像素電極之同 時其一部分重叠在鄰接之閛電極之構成之電容量用電 極者。 .如申請專利範園第1項至3項中任何一項之液晶顯示裝 置，其中上述電容量用電極係延長像素者。 .如申請專利範圃第1項至第3項中任何一項之液晶顯示 裝置，其中上述閘電極與共同接線係使用相同材料所 成者。 .如申請專利範圍第1項至第3項中任何一項之液晶顯示 裝置，其中上述共同接線係使用透明材料所成者。 .如申請專利範圍第δ項之液晶顛示装置，其中上述共同 接線之透明材料為，對可視光之透過率在50〜100允， 且電阻係數在5 0〜5 0 0 w Ω ♦ c m之材料者。 .如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置，其中上述共同 接線之透明材料為，選自氧化絪錫，氧化鍚，銦磷當

Q 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 同 。 第共 者圍與 種範， 一 利中 何專其 任譆 -之申置 中如裝 9 第 至 項 接 線 接 示覆 顯為 晶 成 液極 之電 項明 一 透 何有 任設 中而 項觸 3 蓋 覆 中 其 置 裝 示 顯 晶 液 之 項 9 〇 第 者圍 極範 電利 明專 透 請 該申 蓋如 為 極 電 明 透 之 線 接 I. J AW 同 1 共 一 在 數 係 阻 電 且 在者 率料 過材 透之 之cm 光 * 視 Ω 可μ 對00 ! 5 用 使0- 蓋 覆 錫 化 ， 氧 中， 其錫 , 銦 置化 裝氧 示自 顯選 晶 用 液使 之 ， 項為 9 .極 第 電 圍 明 範透 利之 專線 請接 甲 同 如共 3 8 8 I 9 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ΙΟ X 297公変) H3 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 408244 絪磷當中之任何一種者。 12. 如申請專利範圍第1項至第3項中任何一項之液晶顯示 裝置，其中半導體材料膜為，非晶形矽膜者。 13. 如申請專利範圍第1項至第3項中任何一項之液晶顯示 裝置，其中半導體材料膜為，多结晶矽膜者。 14. 一種液晶顯示装置之製造方法，其特徵為，包括： 在絕緣性基板上形成複數閘電極的第一製造過程； 形成配置在所鄰接之閘電極間之共同接線之第二 形 ；接第 領 ， 程三 上 程同之 極 法 過第 板 過共態. 汲 方 造在 基 造蓋狀I 及 造 製而 性 製覆之 域 製 七後 緣 四來極 領 之 第程 絕 第膜電 極 置 之過 之 之緣閘 源 裝 線造 上 膜絕之 成 示 接製 線；料極接 形 顯 同二 接程材閘鄰 來 晶 共第/ 同過體藉在 刻 液 蓋成 — 共造導 ，昼 蝕 之 覆完。 及製半為重M。 項 為在者 上三 之成分 予者14成係行 極第層極部及料程第 極程實 電 之一電 1K 材過圍 電過所 閘膜 少素其_ 體造範明造前 ; 含緣至像 ，程導製利括透製之 程包絕成成時過半六 專包成七程 過在極形形同造將第請再形第過 造 閛 之製 之申中 該造 製 成 線五 域如其 而製 3 8 8 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )A4規格（210X 297公楚〕