TWI304145B - - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 238
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 235
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 235
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 212
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 212
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 204
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 204
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 184
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 180
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 180
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 145
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 127
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 72
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 50
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 33
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 25
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 19
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 15
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims description 14
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims description 13
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 7
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 claims 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 935
- 239000010408 film Substances 0.000 description 169
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 69
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 68
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 67
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 61
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 43
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 29
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 21
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 18
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 15
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 9
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 7
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 6
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 5
- 239000002585 base Substances 0.000 description 5
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 3
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium oxide Inorganic materials O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N oxogermanium Chemical compound [Ge]=O PVADDRMAFCOOPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 2
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910016048 MoW Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N [O].[O] Chemical compound [O].[O] QRSFFHRCBYCWBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000002496 gastric effect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N uranium(0) Chemical compound [U] JFALSRSLKYAFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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1304145 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於具有彩色畫像顯示機能之液晶顯示裝置 即是主動型之液晶顯示裝置。 【先前-技術】
依據近年來之微細加工技術、液晶材料技術及高密度 實裝技術等之進步，於投產基數大量提供5〜50cm對角 之液晶顯示裝置來作爲電視畫像或各種畫像顯示機器。再 者，也容易藉由在構成液晶面板之2片玻璃基板之一方上 形成RGB著色層來實現彩色顯示。尤其，於每畫素中內 藏開關元件之所謂的主動型液晶面板是保證有比較少串音 ，具有應答速度較快之對比度的畫像。
該些液晶顯示裝置（液晶面板）雖然一般是掃描線爲 200〜1200條左右，訊號線爲300〜1600條左右之矩陣編 成，但是最近也同時進行著應對應於顯示容量之增大的大 畫面和高精細化。 第2 3圖是表示液晶面板之實際安裝狀態，依據使用 導電性之黏著劑連接將驅動訊號供給至被形成在構成液晶 面板1之一方透明性絕緣基板上，例如被形成於玻璃基板 2上之掃描線之電極端子群5之半導體積體電路晶片3的 COG ( Chip -On-Glass )方式，或以例如聚醯亞胺樹脂薄 膜當作基底，以含有導電性媒體之適當黏著劑，將具有被 金屬或焊劑焊接之銅箔端子（無圖示）之TCP薄膜，壓 -4- (2) 1304145 合並固定於訊號線之電極端子群6之TCP ( Tape-Cani e「 Package )方式等之實際安裝手段，將電氣訊號供給至畫 像顯示部上。在此，爲了方便將兩個安裝方式同時圖示’ 但是於實際上是適當選擇二者中之一方式。 連接位於液晶面板1之略中央部之畫像顯示部內之畫 素和掃描線及訊號線之電極端子5、6之間的配線路爲7 、8，並不一定需要以與電極端子群5、6相同之導電材料 所構成。9是在對向面上具有共通於所有晶胞之透明導電 性對向電極之另一片透明性絕緣基板的對向玻璃基板或彩 色濾光片。 第24圖是表示在每畫素上配置絕緣閘極型電晶體10 當作開關元件的主動型液晶顯示裝置之等效電路圖，1 1 ( 第23圖中爲7)是掃描線，12(第23圖中爲8)是訊號 線，1 3爲晶胞，晶胞1 3於電性上是當作電容元件。實線 所描畫之元件類是被形成在構成液晶面板之一方玻璃基板 2上，虛線所描畫之所有共通於晶胞1 3之對向電極1 4是 被形成在另一方玻璃基板9之相向主表面上。絕緣閘極型 電晶體10之OFF電阻或晶胞13之電阻爲低之時或重視 顯示畫像之灰階性時，則必須設想一些例如將用以增大作 爲負荷之晶胞1 3之間常數的存儲電容1 5並列施加於晶胞 1 3上等的電路性竅門。並且，1 6是存儲電容1 5之共通母 線。 第25圖是表示液晶顯示裝置之畫像顯示部之重要部 位剖面圖，構成液晶面板1之兩片玻璃基板2、9是依據 -5- (3) 1304145 ® ^ 14 ^ M '珠或者被形成在彩色濾光片9上之柱狀間隔 % _ @胃隔材料（無圖示）而隔開數# m左右之規定距離 m m % )¾ ’其間隙爲用由有機性樹脂所構成之密封材料及 /或封□材料（兩者皆無圖示）在玻璃基板9之周圍部上 封□之閉空間’於該閉空間充塡液晶。 於.實現彩色顯示之時，因在玻璃基板9之閉空間側上 被者附稱爲著色層18之染料或顏料中之任一者或含有雙 方之厚度1〜2vm左右之有機薄膜，而被賦予顏色顯示 機能’故於此時，玻璃基板9則被另稱彩色濾光片（ Color Filter略稱CF)。然後，依據液晶材料17之性質 在玻璃基板9之上面或是玻璃基板2之下面中之任一者或 雙面上貼上偏光板1 9，液晶面板1示當作光電元件而發 揮機能。現在，市面上的大部分液晶面板之液晶材料是使 用TN( Twist Nematic)系列的物品，偏光板19通常需要 2片。雖然無圖示，但是透過型液晶面板適配置有背面光 源當作光源，由下方照射白色光。 連接於液晶1 7，被形成在2片玻璃基板2、9上之例 如厚度爲0.1//ΙΠ左右之聚醯亞胺樹脂薄膜20，是用以使 液晶分子配向於所決定之方向上的配向膜。2 1是連接絕 緣閘極型電晶體1 0之汲極和透明導電性之畫素電極22的 汲極電極（配線），與訊號線（源極線）同時被形成之情 形爲多。位於訊號線12和汲極電極21之間爲半導體2 3 ，詳細於後述。在彩色濾光片9上被形成在相鄰著色層 18之境界上的厚度〇.1/^^左右之（：]*薄膜層2 4爲用以防 -6 - (5) 1304145 金屬之Cr、Ta、Mo或是該些之矽化物予以積層化，或是 在A1表面施加陽極氧化賦予氧化層（Al2〇3 )也爲一般技 術。即是，掃描線11由1層以上之金屬層所構成。
接著，使用PC VD裝置在玻璃基板2之全表面上，分 別以例如〇.3//m，0.2/zm，〇.〇5//m左右之膜厚，依序被 覆將成爲閘極絕緣層之矽氮化（SiNx )層30、將成爲幾 乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體之通道的第1非晶質矽層 3 1，及將成爲含有雜質之絕緣閘極型電晶體之源極·汲極 的第2非晶質矽層33之3種類薄膜層。然後，如第26圖 (b)和第27圖（b)所示般，在閘極電極11A上島狀 31A、33A般地殘留由比閘極11電極A之寬度還寬的第1 和第2非晶質矽層島狀所構成之半導體層’露出閘極絕緣 層3 0。
接著，使用SPT等之真空製膜裝置’依序被覆例如 將膜厚左右之Ti薄膜層34當作耐熱金屬層，將 膜厚0.3 // m左右之A1薄膜層35當作低電阻配線層’例 如膜厚Ο.ΐμπι左右之Ti薄膜層36當作中間導電層’如 第2 6圖（c )及第2 7圖（c )所示般’藉由微細加工技術 選擇性形成由該些薄膜層34A、35A、36A之疊層所構成 之絕緣閘極型電晶體之汲極電極2 1和兼作源極電極之訊 號線1 2。該選擇性形式是將使用於汲極配線形成之感光 性樹脂圖案當作遮罩，依序餓刻T i薄膜層3 6、A1薄膜層 35、Ti薄膜層34、第2非晶質砂層33A及第1非晶質砂 層3 1 A，第1非晶質矽層3 1 A因鈾刻成剩下0 · 0 5〜0 · 1 -8- (6) 1304145 // m左右，故被稱通道蝕刻。 爲了使絕緣閘極型電晶體不成爲補償構造’源極·汲 極電極 12、21是形成一部分（數//m)與閘極電極11A 平面性重疊。因該重疊是當作寄生電容發揮電氣性作用， 雖然越小爲越佳，但是由曝光機之配合精度和遮罩之精度 和玻璃基板之膨脹係數及曝光時之玻璃基板溫度所決定， 實用之數値爲2//m左右。
並且，除去上述感光性樹脂圖案後，使用PCVD裝置 在玻璃基板2之全表面上，與當作透明性絕緣層之閘極絕 緣層相同地被覆0.3 //m左右之膜厚的SiNx層當作鈍化絕 緣層37，如第26圖（d)和第27圖（d)所示般，依據 微細加工技術選擇性除去鈍化絕緣層3 7，並在汲極電極 2 1上形成開口部62，在畫像顯示部外之區域形成有掃描 線1 1之電極端子5之位置上形成開口部63，在形成有訊 號線1 2之電極端子之位置上形成開口部64而露出汲極電 極2 1和掃描線1 1和訊號線1 2之一部分。在存儲電容線 1 6 (平行捆束的電極圖案）上形成開口部65而露出存儲 電容線1 6之一部分。 最後使用SPT等之真空製膜裝置被覆膜厚0.1〜0.2 // m 左右 ITO ( Indium-Tin-Oxide )或是 IZO(Indium-Zinc-Oxide)當作透明導電層，如第26圖（e)和第27 圖（e )所示般，依據微細加工技術在鈍化絕緣層3 7上選 擇性形成包含開口部62的畫素電極22，而完成主動基板 2。即使將開口部63內之露出的掃描線.11之一部分當作 •9- (8) 1304145 即使採用乾式蝕刻，汲極電極2 1上之開口部62因僅 爲鈍化絕緣層3 7，故比起掃描線1 1上之開口部6 3無法 避免過分蝕刻，有發生由於材質不同中間導電層36A之 膜厚被蝕刻氣體削減的情形。再者，對於蝕刻完成後之感 光性樹脂圖案的除去，首先爲了除去被氟化之表面的聚合 物，以.氧化電漿灰化，將感光性樹脂圖案之表面削減0.1 〜0 · 3 // m左右，之後，以使用有機剝離液，例如東京應 化所製作之剝璃液1 06等的藥液處理爲一般，但是當削減 中間導電層36A而露出基底之鋁層35A的狀態時，以氧 氣電漿灰化處理在鋁層35A之表面上形成屬於絕緣體之 A1203而在畫素電極22之間取得歐姆接觸。在此，即使 削減中間導電層36A之膜厚，例如將膜厚設定成0.2// m ，則解決該問題。或是於形成開口部62〜65之時，成爲 除去鋁層35A而露出基底之耐熱金屬層的薄膜層34A後 形成畫素電極22的迴避對策，此時，也有從一開始不需 要中間導電層36A的優點。 但是，於前者之對策中，該些薄膜之膜厚的面內均勻 性若不佳時，該配合則不一定發揮有效作用，再者，蝕刻 速度之面內均勻性若不良好也完全相同。於後者之對策中 ，雖然不需要中間導電層36A，但是增加除去鋁層35 A之 工程，再者當開口部62之剖面控制不充分時，則有發生 畫素電極22斷線的可能性。 除此之外，通道蝕刻型之絕緣閘極型電晶體終’通道 區域之不含雜質的第1非晶質矽層3 1若不被覆成厚度（ -11 - (9) 1304145 通道蝕刻型中通常爲〇·2 // m以上）時，則大大影響玻璃 基板之面內均勻性，往往成爲電晶體特性不一致尤其OFF 電流。該是大大影響PVCD裝置之運轉率和粒子發生狀況 ，從生產成本之觀點來看也是非常重要之事項。 以上所述之5道光罩製程的詳細經過雖然予以省略， 但是因半導體之島化工程的合理化，和接觸形成工程是1 次刪減而所取得之結果，故當初需要7〜8道左右之光罩 ，藉由導入乾蝕刻技術，於現階段則可減少至5道，有助 於製造成本之刪減。爲了降低液晶顯示裝置之生產成本， 眾知之開發目標爲在主動基板之製作工程中，降低製造成 本，在面板組裝和模組安裝工程中，降低構件成本爲有效 。爲了降低製造成本，有縮短製程的工程刪減，和開發便 宜製程或更換製程，在此，將以4道光罩來取得主動基板 的4道光罩製程，當作工程刪減之一例予以說明。 4道光罩製程是依據導入半色調曝光技術，削減光蝕 刻工程，第28圖是對應於4道光罩製程之主動基板之單 位畫素的平面圖，第29圖是表示第28圖（e)之A-A’、 B-B’及C-C’線上之剖面圖。 首先，與5道光罩製程相同在玻璃基板2之一主表面 上，使用SPT等之真空製膜裝置，被覆膜厚0.1〜〇.3//m 左右之第1金屬層，並如第28圖（a)和第29圖（a)所 示般，依據微細加工技術選擇性形成也兼作閘極電極1 1 A 之掃描線1 1和存儲電容線1 6。 接著，使用PCVD裝置在剝離基板2之全面上分別以 -12- (11) 1304145 第2 9圖（b )所示般之剖面形狀的感光性樹脂圖案8 0 A、 80B。 將上述感光性樹脂圖案80A、80B當作遮罩如第29 圖（b )所示般，依序蝕刻Ti薄膜層36、A1薄膜層35、 Ti薄膜層34、第2非晶質矽33及第1非晶質矽層31而 露出閘.極絕緣層3 0後，如第2 8圖（c )和第2 9圖（c ) 所示般，依據氧氣電漿等之灰化手段將感光性樹脂圖案 80A、80B例如從3 // m減少1 .5 // m以上時，感光性樹脂 圖案80B則消失而露出通道區域，並且可僅在源極、汲極 配線形成區域上殘留80C ( 12 ) 、80C ( 21 )。在此，將 削減膜之感光性樹脂圖案80C(12) 、80C(21)當作遮 罩，再次依據蝕刻源極、汲極配線間（通道形成區域）之 Ti薄膜層、A1薄膜層3、Ti薄膜層、第2非晶質矽層及 第1非晶質矽層，第1非晶質矽層31A是蝕刻殘留0.05 〜Ο.Ι/zm左右。並且，在上述氧氣電晶處理中’因抑制 圖案尺寸之變化，故以增強異方性爲佳，其理由於後敘述 〇 並且，除去上述感光性樹脂圖案80C(12) 、80C( 21 )之後，與5道光罩製程相同’如第2 8圖（d )和第 29圖（d )所示般，在玻璃基板2之全面上被覆〇·3 // m 左右膜厚之SiNx層當作透明性絕緣層，並以此當作鈍化 絕緣層3 7，在汲極電極2 1上和形成有掃描線】1和訊號 線12之電極端子之區域上各形成有開口部62、63、64 ’ 並除去開口 63內之鈍化絕緣層37和鬧極絕緣層30而露 -14- (12) 1304145 出掃描線之一部分，同時除去開口部6 2、6 4內之鈍化絕 緣層37而露出汲極電極21之一部分和訊號線之一部分。 最後’使用SPT等之真空製膜裝置，被覆例如IT0 或ΙΖΟ當作膜厚0.1〜〇.2//m左右之透明導電層，如第 28圖（e)和第29圖（e)所示般，依據微細加工技術在 鈍化絕緣層3 7上選擇性形成包含開口部6 2之透明導電性 之畫素電極22而完成主動基板2。關於電極端子，在此 ，在含有開口部63、64之鈍化絕緣層3 7上選擇性形成由 ITO所構成之透明導電性之電極端子5A、6A。 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 如此，依據使用半色調曝光技術，使用4道光罩取得 幾乎和以往以使用5道光罩製程所取得之相同裝置，則可 簡化製程。但是於4道光罩製程中，所適用之通道形成工 程因選擇性除去源極、汲極配線1 2、2 1間之源極、汲極 配線材料和半導體層，故爲決定左右絕緣閘極型電晶體之 ON特性的通道長度（現在之量產品爲4〜6 // m )的工程 。該通道長度之長度變動因使絕緣閘極型電晶體之ON電 流値大大變化，故通常要求嚴格製造管理。 如之前所述，通道長度即是半色調曝光區域之圖案尺 寸是被曝光量（光源強度和光罩精度，尤其行和空格尺寸 )、感光性樹脂之塗布厚度、感光性樹脂之顯像處理及該 餘刻工程中之感光性樹脂之膜削減量等之多參數所左右， •15- (13) 1304145 除此之外，也加上該些諸多面內均勻性，則不一定可以良 率高安定生產，需要比以往更嚴格之製造管理，以現狀而 言，不可以說是已達到高度之水準。尤其，通道長度爲6 // m以下，該傾向越爲顯著。 本發明是鑒於現狀而所創造出者，不僅避免共通於以 往5道光罩製程或4道光罩製程之接觸形成時的不佳狀況 ，採用製造範圍大之半色調曝光技術而實現刪減製造工程 者。再者，爲了實現液晶面板之低價格化，並對應於需求 之增大，明顯可知追求刪減更多製造工程數是必要的，因 有助於簡化主要製造工程或低成本化之技術，故更提高本 發明之價値。 〔解決課題之手段〕 於本發明中，首先以將半色調曝光技術適用於容易圖 案精度管理之半導體層之島化工程和閘極絕緣層的接觸形 成工程，實現製造工程之刪減。接著，爲了將通道保護層 賦予在絕緣閘極型電晶體上，使揭示於先前技術之日本特 開平4-302438號中，依據陽極氧化將含有雜質之半導體 層變換成氧化矽層之技術，和爲了有效僅鈍化源極、汲極 配線，揭示於先前技術之日本特開平2-216129號公報中 ，在由鋁所構成之源極、汲極配線之表面上形成絕緣層之 陽極氧化技術予以融合，實現製程之合理化和低溫化。並 且，使先前技術之日本特願平5-268726號公報中所揭示 之畫素電極之形成工程合理化者適合於本發明而予以採用 -16 - (14) 1304145 。再者又爲了刪減工程’也於汲極配線之陽極氧化層’適 用半色調曝光技術而使電極端子之保護層形成工程予以合 理化。 專利申請範圍第1項所記載之絕緣閘極電晶體是一種 底部閘極型之絕緣閘極型電晶體，其特徵爲：在絕緣基板 之一主表面上形成有閘極電極，在上述閘極電極之側面上 形成有絕緣層，並且在閘極電極上形成有1層以上之閘極 絕緣層和不含雜質之第1半導體層，在上述第1半導體層 上形成有將成爲閘極電極型電晶體之源極、汲極的1對含 有雜質之第2半導體層，在上述第2半導體層和絕緣基板 上形成有由包含耐熱金屬層之1層以上的金屬層所構成之 源極、汲極配線。 依據該構成，可以使用半色調曝光技術，以1道光罩 處理閘極電極之形成工程和半導體層之島化工程。對於閘 極電極之側面的絕緣層上可選擇無機材質和有機材質的2 種類，該說明於專利申請範圍第2項和第3項。 專利申請範圍第2項是如專利申請範圍第1項所記載 之底部閘極型之絕緣閘極型電晶體，其中，絕緣層爲有機 絕緣層。依據該構成，不管閘極電極之材質，可以依據電 鍍法形成絕緣層。有關於液晶顯示裝置則於專利申請範圍 第5項、第6項、第7項、第8項、第9項、第10項、 第1 1項、第12項、第1 3項及第14項，以及第1、第2 、第3、第4、第5、第6、第7、第8、第9及第10實施 例中有明確記載。 -17- (15) 1304145 專利申請範圍第3項是如專利申請範圍第1項所記載 之底部閘極型之絕緣閘極型電晶體，其中，閘極電極是由 可陽極氧化之金屬層所構成，絕緣層爲陽極氧化層。依據 該構成，閘極電極之材質可陽極氧化，同時產生該陽極氧 化層爲絕緣性之限制。有關於液晶顯示裝置則於專利申請 範圍第_ 5項、第6項 '第7項、第1 〇項、第1 1項、第 12項、第13項及第14項，以及第1、第2、第3、第6 、第7、第8、第9及第10實施例中有明確記載。 專利申請範圍第4項是如專利申請範圍第1項所記載 之底部閘極型之絕緣閘極型電晶體，其中，閘極電極是由 透明導電體層和金屬層之疊層所構成，絕緣層爲有機絕緣 層。依據該構成，可實現使用1道光罩來形成閘極電極（ 掃描線）和畫素電極的工程刪減。有關於液晶顯示裝置則 於專利申請範圍第8項及第9項，以及第4及第5實施例 中有明確記載。 專利申請範圍第5項之液晶顯示裝置，是屬於將液晶 充塡於在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上 述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極 配線的訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之 單位畫素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和 與上述第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板 或者彩色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 -18- (16) 1304145 層以上之金屬層所構成，其側面具有絕緣層的掃描線， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由1層以上之第2金屬層所構成之源極（訊號線）、汲 極配線， 在上述汲極配線上和閘極絕緣層上，於透明導電性之 畫素電極和畫像顯示部之外的區域上，形成有透明導電性 之電極端子， 在上述汲極配線上，和畫像顯示部外之區域中掃描線 和訊號線之電極端子形成區域上具有開口部之保護絕緣層 和透明樹脂層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， 上述掃描線之電極端子形成區域上之閘極絕緣層是被 除去， 包含有上述汲極配線上之開口部的透明導電性之畫素 電極，和包含有電極端子形成區域上之開口部的透明導電 性之電極端子是被形成在上述透明樹脂層上。 依據該構成，半導體層和掃描線是以相同之圖案寬度 所形成，在掃描線之側面上賦予與閘極絕緣層不同之絕緣 層，可形成掃描線和訊號線之交差。其係共通於本發明之 構造性特徵。再者，與先行例相同鈍化絕緣層之開口部形 成工程因兼作用以掃描線之電性連接的接觸形成工程，其 -19- (17) 1304145 製造工程被刪減，故可以使用4道光罩製作開口率高，容 易顯示明亮畫像之TN型的液晶顯示裝置。 專利申請範圍第6項所記載之液晶顯示裝置，其特徵 是同樣在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1層 以上之金屬層所構成，其側面具有絕緣層的掃描線， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由1層以上之可陽極氧化之金屬層所構成之源極（訊號 線）、汲極配線，和包含有上述開口部之相同掃描線的電 極端子， 在上述汲極配線上和第1透明性絕緣基板上形成有透 明導電性之畫素電極，和於畫像顯示部外之區域中，在訊 號線上形成有透明導電性之電極端子， 除與上述汲極配線上之畫素電極重疊之區域和上述訊 號線之電極端子區域之外，在源極·汲極配線之表面上形 成有陽極氧化層， 在上述源極·汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 依據該構成，使用1道光罩處理畫素電極之形成工程 -20- (18) 1304145 和鈍化層形成工程的光蝕刻工程數被刪減，可使用4道光 罩製造TN型之液晶顯示裝置。在源極、汲極間之通道上 形成含有雜質之氧化矽層而保護通道，同時在訊號線和汲 極配線之表面上，形成屬於絕緣性之陽極氧化層之五氧化 鉅（Ta20 5 )或是氧化鋁（Al2〇3 )而賦予鈍化機能。因此 無需將鈍化絕緣層被覆於玻璃基板之全表面上，絕緣閘極 型電晶體之耐熱性則不會產生問題。除此之外，保護通道 之絕緣層因是以陽極氧化含有雜質之非晶質矽層而變換成 氧化矽層所取得，故不需要將成爲通道層之不含雜質的非 晶質層製作成厚膜，實現TN型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第7項所記載之液晶顯示裝置，其特徵 是相同在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1層 以上之金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描線和透 明導電層所構成之畫素電極， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可陽極氧化的金屬層 所構成之源極配線（訊號線）；和在上述第2半導體層上 和第1透明性絕緣基板上和上述畫素電極之一部分上，形 -21 - (19) 1304145 成有相同汲極配線；在畫像顯示部外之區域中由訊號線之 一部分所構成之訊號線的電極端子，和包含有開口部之相 同掃描線的電極端子， 除上述訊號線之電極端子之外，在源極、汲極配線之 表面上形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 依據該構成，使用1道光罩處理源極、汲極配線之形 成工程和鈍化層形成工程的光蝕刻工程數被刪減，可使用 4道光罩製造TN型之液晶顯示裝置。在源極、汲極間之 通道上形成含有雜質之氧化矽層而保護通道，同時在訊號 線和汲極配線之表面上，形成屬於絕緣性之陽極氧化層之 五氧化鉬或是氧化鋁而賦予鈍化機能，取得與專利申請範 圍第6項所記載之液晶顯示裝置相同之效果。 專利申請範圍第8項所記載之液晶畫像顯示裝置，其 特徵是同樣在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由 1層以上之金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描線 ，第1金屬層被疊層於周圍部之透明導電性之畫素電極， 和第1金屬層被疊層於周圍部之一部分的透明導電性之訊 號線的電極端子， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， -22- (20) 1304145 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上 述訊號線之電極端子之第1金屬層上形成有由包含有耐熱 金屬層之1層以上之第2金屬層所構成之源極配線（訊號 線），和在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上 和上述畫素電極之周圍部之第1金屬層的一部分上，形成 有相同汲極配線， 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線之電極端子形成 區域上具有第1開口部；相同在上述訊號線之電極端子上 具有第2開口部；在畫素電極上具有與上述周圍部之第1 金屬層內側連接之大小的第3開口部的保護絕緣層，是被 形成在上述第1透明性絕緣基板上，透明導電性之掃描線 的電極端子和訊號線之電極端子和畫素電極，是各露出於 上述第1和第2和第3之開口部內。 依據該構成，使用1道光罩處理源極、汲極配線之形 成工程和鈍化層形成工程的光蝕刻工程數被刪減，而且對 於鈍化層形成雖然和以往相同使用SiNx，但是可使用3 道光罩來製作TN型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第9項所記載之液晶畫像顯示裝置，其 特徵是相同在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由 透明導電層和第1金屬層之疊層所構成，其側面上具有絕 緣層的掃描線和透明導電性之畫素電極， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 -23- (21) 1304145 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於畫像顯示部外之區域中，於掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部，於開口部內露出有透明導電層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可陽極氧化之金屬層 所構成之源極配線（訊號線）：在上述第2半導體層上和 第1透明性絕緣基板上和上述畫素電極之一部分上，形成 有相同汲極配線；於畫像顯示部外之區域中，由訊號線之 一部分所構成之訊號線之電極端子；和包含有上述開口部 之相同掃描線的電極端子， 除上述訊號線之電極端子之外，在源極、汲極配線之 表面上形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 依據該構成，使用1道光罩處理掃描線和畫素電極的 光蝕刻工程數被刪減，除此之外，使用1道光罩處理源極 、汲極配線之形成工程和鈍化層形成工程的光蝕刻工程數 也被刪減，可使用3道光罩製造TN型之液晶顯示裝置。 在源極、汲極間之通道上形成含有雜質之氧化矽層而保護 通道，同時在訊號線和汲極配線之表面上，形成屬於絕緣 性之陽極氧化層之五氧化鉬或是氧化鋁而賦予鈍化機能， 取得與專利申請範圍第6項所記載之液晶顯示f裝置相同 之效果。 專利申請範圍第1 〇項所記載之液晶畫像顯示裝置， -24- (22) 1304145 其特徵是相同在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有 由1層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的 掃描線， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由1層以上之第2金屬層所構成之源極（訊號線）、汲 極配線， 在上述汲極配線上，和畫像顯示部外之區域中掃描線 和訊號線之電極端子形成區域上具有開口部之保護絕緣層 和透明樹脂層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， 上述掃描線之電極端子形成區域上之閘極絕緣層是被 除去， 包含有上述汲極配線上之開口部的導電性之畫素電極 ，和包含有掃描線上和訊號線上的對向電極，和包含有電 極端子形成區域上之開口部的導電性之電極端子是被形成 在上述透明樹脂層上。 依據該構成，於屬於以往技術，在鈍化絕緣層上疊層 厚感光性之透明樹脂層，形成用以貫通透明樹脂層和鈍化 絕緣層之開口部後，在透明樹脂層上形成導電性之畫素電 極和對向電極之工程被刪減，可使用4道光罩實現開口率 高，容易顯示明亮畫像的IPS型液晶顯示裝置。 -25- (23) 1304145 專利申請範圍第1 1項所記載之液晶畫像顯示裝置， 其特徵是同樣在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有 由1層以上之第1金屬層所構成’其側面上具有絕緣層的 掃描線和對向電極， 於上述對向電極上形成有1層以上之閘極絕緣層，在 閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜質之第 1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層’ 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可陽極氧化之金屬層 所構成之源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素電極）； 包含上述開口部之相同掃描線的電極端子；和於畫像顯示 部外之區域中，由訊號線之一部分所構成之訊號線之電極 端子， 除上述訊號線之電極端子之外，在源極、汲極配線之 表面上形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 依據該構成，使用1道光罩處理掃源極、汲極配線之 形成工程和鈍化層形成工程的光蝕刻工程數被刪減，可使 用4道光罩製造IPS型之液晶顯示裝置。在源極、汲極閏 -26- (24) 1304145 之通道上形成含有雜質之氧化矽層而保護通道，同時在訊 號線和汲極配線之表面上，形成屬於絕緣性之陽極氧化層 之五氧化鉬或是氧化鋁而賦予鈍化機能，取得與專利申請 範圍第6項所記載之液晶顯示•裝置相同之效果。 專利申請範圍第1 2項所記載之液晶畫像顯示裝置， 其特徵是同樣在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有 由1層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的 掃描線和對向電極，和於畫像顯示部外之區域中，由掃描 線之一部分所構成之掃描線的電極端子， 於上述對向電極上形成有1層以上之閘極絕緣層，在 閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜質之第 1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之第2金屬層所構成之 源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素電極）；和於畫像 顯示部外之區域中，由訊號線之一部分所構成之訊號線之 電極端子， 於上述掃描線和訊號線之電極端子上具有開口部之保 護絕緣層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， 露出有上述開口部內之電極端子。 依據該構成，對於鈍化絕緣層，和以往相同使用 SiNx層，並在掃描線和訊號線之電極端子上設置開口部’ -27- (25) 1304145 則可使用3道光罩製造IP S型之液晶顯示裝置。但是，對 於靜電，則必須特別注意。 專利申請範圍第1 3項所記載之液晶畫像顯不裝置’ 其特徵是同樣在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有 由1層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的 掃描線和對向電極， 於閘極電極上，掃描線和訊號線之父差點附近上’對 向電極和訊號線之交差點附近上’和對向電極和畫素電極 之交差點附近上形成有閘極絕緣層和不含有雜質之第1半 導體層， 於閘極電極上之第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘 極型電晶體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層 於掃描線和訊號線之交差點上，對向電極和訊號線之 交差點上，和對向電極和畫素電極之交差點上之第1半導 體層上，形成有含有雜質之第2半導體層， 於將成爲源極、汲極之1對第2半導體層和第1透明 性絕緣基板上形成有由包含有耐熱金屬層之1層以上之第 2金屬層所構成之源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素 電極）；於畫像顯示部外之區域中，由訊號線之一部分所 構成之訊號線之電極端子；和包含掃描線之一部分的掃描 線之電極端子， 於上述掃描線和訊號線之電極端子上具有開口部之保 護絕緣層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， -28- (26) 1304145 露出有上述開口部內之電極端子。 依據該構成，鈍化絕緣層因和以往相同使用SiNx層 ’不僅通道和源極、汲極配線也保護露出的掃描線，故可 使用3道光罩製造編入有防靜電對策的IP S型之液晶顯示 裝置。 專利申請範圍第1 4項所記載之液晶畫像顯示裝置’ 其特徵是同樣在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有 由1層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的 掃描線和對向電極， 在上述對向電極上形成有絕緣層或是另外的絕緣層， 於閘極電極上，掃描線和訊號線之交差點附近上，對 向電極和訊號線之交差點附近上，和對向電極和畫素電極 之交差點附近上形成有閘極絕緣層和不含有雜質之第1半 導體層， 於閘極電極上之第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘 極型電晶體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層 ， 於掃描線和訊號線之交差點上，對向電極和訊號線之 交差點上，和對向電極和畫素電極之交差點上之第1半導 體層上，形成有含有雜質之第2半導體層， 於將成爲源極、汲極之1對第2半導體層和第1透明 性絕緣基板上形成有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可 陽極氧化的金屬層所構成之源極配線（訊號線）、汲極配 ’線（畫素電極）；於畫像顯示部外之區域中，由訊號線之 -29 - (27) 1304145 一部分所構成之訊號線之電極端子；和包含掃描線之一部 分的掃描線之電極端子， 除上述電極端子上之外，在源極、汲極配線之表面上 形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間，和除掃描線和訊號線之交 差點外.的掃描線和訊號線之交差點附近上，除對向電極和 訊號線之交差點外的對向電極和訊號線之交差點附近上， 和除對向電極和畫素電極之交差點外的對向電極和畫素電 極之交差點附近上的第1半導體體層上，形成有氧化矽層 〇 依據該構成，使用1道光罩處理源極、汲極配線之形 成工程和鈍化層形成工程的光蝕刻工程數被刪減，可使用 2道光罩製造IPS型之液晶顯示裝置。在源極、汲極間之 通道上形成含有雜質之氧化矽層而保護通道，同時在訊號 線和汲極配線之表面上，形成屬於絕緣性之陽極氧化層之 五氧化鉬或是氧化鋁而賦予鈍化機能，在掃描線之表面也 形成有屬於絕緣性之陽極氧化層之五氧化鉬或是氧化鋁而 賦予鈍化機能，而取得與專利申請範圍第6項所記載之液 晶顯示’裝置相同之效果。 專利申請範圍第1 5項是如專利申請範圍第5、6、7 、8、9、1 0、1 1、1 2、1 3及1 4項所記載之液晶顯示裝置 ，其中，被形成於掃描線之側面的絕緣層爲有機絕緣層。 依據該構成，不管掃描線之材質或構成’可以依據電 鍍法在掃描線之側面上形成有機絕緣層’可使用半色調曝 •30- (28) 1304145 光技術，以1道光罩連續處理掃描線之形成工程和半導體 層之島化工程。 專利申請範圍第1 6項是如專利申請範圍第5、6、7 、1 0、1 1、1 2、1 3及1 4項所記載之液晶顯示裝置，其中 ，第1金屬層是由可陽極氧化之金屬層所構成，被形成於 掃描線之側面的絕緣層爲陽極氧化層。 依據該構成，可以依據陽極氧化在掃描線之側面形成 陽極氧化層，可使用半色調曝光技術以1道光罩連續處理 掃描線之形成工程和半導體層之島化工程。 專利申請範圍第1 7項是專利申請範圍第5項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 1層以上之第1金屬層，1層以上之閘極絕緣層，不含雜 質之第1非晶質矽層和含有雜質之第2非晶質矽層的工程 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上之閘極絕緣層的工程； -31 - (29) 1304145 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後’在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 被覆1層以上之第2金屬層後’使可成爲與閘極電極 一部分重疊地選擇性形成由源極、汲極配線和訊號線之一 部分所構成之訊號線之電極端子的工程； 除去上述源極.汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 在上述第1透明性絕緣基板之全面上形成保護絕緣層 ，和於汲極配線上和畫像顯示部外之區域中，在掃描線之 電極端子形成區域和訊號線之電極端子上具有開口部之透 明樹脂層的工程； 選擇性地除去上述開口部內之保護絕緣層和閘極絕緣 層的工程；和 將含有汲極配線上之開口部的透明導電性之畫素電極 ，形成在上述透明樹脂層上的工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程，實現刪減光蝕刻工程數。而且 ，半導體層和掃描線是以相同之圖案寬度所形成，在掃描 線之輒面上賦予與閘極絕緣層不同之絕緣層，可形成掃描 線和訊號線之交差。該是共通於本發明之構造性特徵。再 者，因爲屬於先行技術之在鈍化絕緣層上疊層透明樹脂層 ’於形成貫通鈍化絕緣層和透明樹脂層之開口部後，在透 明樹脂層上形成透明導電性之畫素電極的工程也被刪減， 故可以使用4道光罩製作開口率高，容易顯示明亮畫像之 -32- (30) 1304145 TN型的液晶顯示裝置。 專利申請範圍第1 8項是專利申請範圍第6項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 1層以上之第1金屬層，1層以上之閘極絕緣層，不含雜 質之第1非晶質矽層和含有雜質之第2非晶質矽層的工程 j 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上之閘極絕緣層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線之電極端子形成 區域上之閘極絕緣層上形成開口部而露出掃描線之一部分 的工程； 被覆1層以上之第2金屬層後’使可成爲與閘極電極 一部分重疊地選擇性形成源極、汲極配線，和在畫像顯示 部外之區域中由訊號線之一部分所構成之訊號線之電極端 -33- (31) 1304145 子，和包含上述開口部之掃描線之電極端子的工程； 在第1透明性絕緣基板上和上述汲極配線之一部分上 形成透明導電性之畫素電極，和在上述掃描線和訊號線之 電極端子上形成透明導電性之電極端子的工程；和 將上述透明導電性之畫素電極和透明導電性之電極端 子的選眉性圖案形成所使用之感光性樹脂圖案當作遮罩， 一面保護畫素電極和電極端子，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光飩刻工程數之刪減。除 此之外，對於鈍化層形成，使用1道光罩處理畫素電極之 形成工程和鈍化層形成工程的製造工程也被刪減’可使用 4道光罩製造TN型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第1 9項是專利申請範圍第7項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上’依序被覆 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工 程； 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩’而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； -34- (32) 1304145 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質砂層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上之閘極絕緣層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 在第1透明性絕緣基板上形成透明導電性之畫素電極 的工程； 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線之電極端子形成 區域上之閘極絕緣層上形成開口部而露出掃描線之一部分 的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後，形成與閘極 電極一部分重疊，與源極配線（訊號線）相同含有畫素電 極的汲極配線；含有上述開口部之掃描線之電極端子；和 在畫像顯示部外之區域中，對應於由訊號線之一部分所構 成之訊號線之電極端子，且掃描線和訊號線之電極端子上 之膜厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，選擇性除去1層以 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露出源極、汲極 配線的工程；和 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程。 -35- (33) 1304145 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪減。除 此之外，加上於鈍化層形成中，對於源極、極極配線之形 成工程，和通道和源極、汲極配線之陽極氧化，因使用1 道光罩處理保護訊號線之電極端子的工程也被刪減，故可 以4片之光罩製作TN型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第20項是專利申請範圍第8項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 透明導電層、第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含 雜質之第1非晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的 工程； 形成對應於掃描線，及掃描線和訊號線的擬似電極端 子及畫素電極，且閘極電極和掃描線和訊號線之交差區域 上之膜厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程 9 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層和 透明導電層的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上、掃 描線和訊號線的擬似電極端子上及畫素電極上之第2非晶 質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 將上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案當作遮罩，依序 •36- (34) 1304145 蝕刻掃描線上、掃描線和訊號線的擬似電極端子上及畫素 電極上之第2非晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層 ，而選擇性露出上述第1金屬層的工程； 除去上述感光性樹脂圖案之後，被覆1層以上之第2 金屬層的工程； 選擇性形成與閘極電極一部分重疊’含有訊號線之擬 似電極端子之一部分的源極配線（訊號線），和相同地含 有畫素電極之一部分的汲極配線的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 在上述第1透明性絕緣基板上形成在畫素電極上及畫 像顯示部外之區域中，於掃描線和訊號線之擬似電極端子 上具有開口部的保護絕緣層的工程；和 除去上述開口部內之第1金屬層而露出透明導電層的 工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪減。除 此之外，因加上使用1道光罩處理畫素電極和掃描線的光 蝕刻工程數也被刪減，故可以3片之光罩製作TN型之液 晶顯示裝置。再者，因於鈍化絕緣層上使用和以往相同之 SiNx層，故比起以往之被合理化的4道光罩製程，變更點 較少，容易導入量產工場。 專利申請範圍第2 1項是專利申請範圍第9項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 -37- (35) 1304145 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 透明導電層、第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含 雜質之第1非晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的 工程； 形成對應於掃描線和畫素電極，且閘極電極上之膜厚 比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層和 透明導電層的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上和畫 素電極上之第2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層，而露出掃描線上和畫素電極上之閘極絕緣層的工 程； 除去上述被減少膜厚的感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 形成在畫素電極上和畫像顯示部外之區域中，於掃描 線之擬似端子上具有開口部的感光性樹脂圖案，選擇性除 去上述開口部內之閘極絕緣層和第1金屬層，而露出透明 導電性之畫素電極和掃描線之一部分的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後，形成與閘極 電極一部分重疊，與源極配線（訊號線）相同含有畫素電 極的汲極配線；含有上述掃描線之一部分的掃描線之電極 端子；和在畫像顯示部外之區域中，對應於由訊號線之一 -38- (36) 1304145 部分所構成之訊號線之電極端子，且掃描線和訊號線之電 極端子上之膜厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案 的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩’選擇性除去1層以 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和.源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚’而露出源極、汲極 配線的工程；和 一面保護上述電極端子上’ 一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光鈾刻工程數之刪減。並 且，除了使用1道光罩處理畫素電極和掃描線的光蝕刻工 程數也被刪減之外，加上於鈍化層形成中’對於源極、汲 極配線之形成工程，和通道和源極、汲極配線之陽極氧化 ，使用1道光罩處理保護訊號線之電極端子的工程也被删 減，故可以3片之光罩製作TN型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第22項是專利申請範圍第1 0項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； -39- (37) 1304145 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層，而露出掃描線上和畫素電極上之閘極絕緣層的工 程； 除去上述被減少膜厚的感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 被覆1層以上之第2金屬層後，選擇性形成與閘極電 極一部分重疊的源及配線（訊號線）、汲極配線（畫素電 極）的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 j 在上述第1透明性絕緣基板之全表面上形成保護絕緣 層，和在汲極配線上和畫像顯示部外之區域中，訊號線之 電極端子形成區域上具有開口部之透明樹脂層的工程； 選擇性除去上述開口部內之保護絕緣層和閘極絕緣層 的工程；和 在上述透明樹脂層上，形成含有上述汲極配線上之開 口部的導電性畫素電極，和掃描線上和訊號線上相同之對 向電極的工程。 -40- (38) 1304145 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪 者，於屬於以往技術，在鈍化絕緣層上疊層厚感光 明樹脂層，形成用以貫通透明樹脂層和鈍化絕緣層 部後，在透明樹脂層上形成導電性之畫素電極和對 之工程也被刪減，故可使用4道光罩實現開口率高 顯示明亮畫像的IPS型液晶顯示裝置。 專利申請範圍第23項是專利申請範圍第1 1項 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上 比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線 向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第 質矽層，而露出掃描線上和對向電極上之閘極絕緣 程； 除去上述被減少膜厚的感光性樹脂圖案後，在 之側面上形成絕緣層的工程； 形成工 減。再 性之透 之開口 向電極 ，容易 所記載 序被覆 第1非 之膜厚 第2非 屬層的 上和對 1非晶 層的工 掃描線 -41 - (39) 1304145 在畫像顯示部外之區域中’於掃描線之電極端子形成 區域上之閘極絕緣層，形成開口部而露出掃描線之一部分 的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後’形成與閘極 電極一部分重疊的源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素 電極）_，和含有上述開口部之掃描線的電極端子，和在畫 像顯示部外之區域中，對應於由訊號線之一部分所構成之 訊號線之電極端子，且掃描線和訊號線之電極端子上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，選擇性除去1層以 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露出源極、汲極 配線的工程；和 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪減。並 且，於鈍化層形成中，對於源極、汲極配線之形成工程， 和通道和源極、汲極配線之陽極氧化，使用1道光罩處理 保護訊號線之電極端子的工程也被刪減，故可以3片之光 罩製作IPS型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第24項是專利申請範圍第1 2項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 -42- (40) 1304145 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上之膜厚 比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層和 透明導電層的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上和對 向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上和對向電極上之閘極絕緣層的工程 j 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後，選擇性形成 與閘極電極一部分重疊之源極配線（訊號線）、汲極配線 (畫素電極）的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 在上述第1透明性絕緣基板上，形成在畫像顯示部外 之區域中，於掃描線和訊號線之電極端子形成區域上具有 開口部的保護絕緣層的工程；和 除去上述開口部內之閘極絕緣層的工程。 -43- (41) 1304145 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪減。而 且對於鈍化層形成，和以往相同使用S iNx層，在掃描線 之電極端子上形成貫通鈍化絕緣層和閘極絕緣層之開口部 ，再者在訊號線之電極端子上同時形成貫通鈍化絕緣層之 開口部的工程也被刪減，故可使用3片之光罩製作IPS型 之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第25項是專利申請範圍第1 3項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上，和掃 描線和訊號線之交差點區域上，和對向電極和訊號線之交 差點區域上，和對向電極和畫素電極之交差點區域上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上和對 向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 將上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案當作遮罩，依序 蝕刻掃描線上和對向電極上之第2非晶質矽層和第1非晶 -44- (42) 1304145 質矽層和閘極絕緣層，而選擇性露出上述第1金屬層的工 程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案之後，被覆1 層以上之第2金屬層的工程； 選擇性形成與閘極電極一部分重疊的源極配線（訊號 線）、_ (汲極配線），和在晝像顯示部外之區域中包含掃 描線之一部分的掃描線之電極端子，和由訊號線之一部分 所構成之訊號線之電極端子的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 ;和 在上述第1透明性絕緣基板上形成在上述掃描線和訊 號線之電極端子上具有開口部的保護絕緣層的工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪減。對 於鈍化絕緣層形成，雖然和以往相同使用SiNx層而在掃 描線和訊號線之電極端子上，形成有開口部，但是於半導 體層之島化工程中，利用包括半導體層除去閘極絕緣層而 露出掃描線，使掃描線之接觸形成工程予以合理化之工程 也被刪除，故可以使用3道光罩製造編入有防靜電對策的 IPS型之液晶顯示裝置。 專利申請範圍第26項是專利申請範圍第1 4項所記載 之液晶顯示裝置之製造方法，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第】非 -45- (43) 1304145 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上，和掃 描線和訊號線之交差點區域上，和對向電極和訊號線之交 差點區域上，和對向電極和畫素電極之交差點區域上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而選擇性露出掃描線 上和對向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 將上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案當作遮罩，依序 蝕刻掃描線上和對向電極上之第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層和閘極絕緣層，而露出上述第1金屬層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案之後，被覆1 層以上之可陽極氧化之金屬層的工程； 形成與閘極電極一部分重疊的源極配線（訊號線）、 汲極配線（畫素電極），和在畫像顯示部外之區域中包含 掃描線之一部分的掃描線之電極端子，和對應於由訊號線 之一部分所構成之訊號線之電極端子，且電極端子上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，選擇性除去1層以 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和源極、汲極配線的工程； -46 - (44) 1304145 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露出源極、汲極 配線的工程； 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程；和 在上述對向電極上形成陽極氧化層的工程。 依據該構成，可以使用1道光罩處理掃描線之形成工 程和半導體層之島化工程而實現光蝕刻工程數之刪減。於 半導體層之島化工程中，利用包括半導體層除去閘極絕緣 層而露出掃描線，使掃描線之接觸形成工程予以合理化之 工程也被刪除，除此之外，於鈍化形成中，對於源極、汲 極配線之形成工程，及通道和源極、汲極配線之陽極氧化 ，使用1道光罩處理保護訊號線之電極端子之工程的光蝕 刻工程數也被刪減，故可以使用2道光罩製造IP S型之液 晶顯示裝置。 專利申請範圍第27項是如專利申請範圍第1 7項、第 18項、第19項、第20項、第21項、第22項、第23項 、第24項、第25項及第26項所記載之液晶顯示裝置之 製造方法，其中，被形成於掃描線之側面的絕緣層爲有機 絕緣層，藉由電鍍而所形成。 依據該構成，不管掃描線之材質或構成，依據電鍍法 在掃描線之側面上可以形成有機絕緣層，可使用半色調曝 光技術以1道光罩連續處理掃描線之形成工程和半導體層 之島化工程。 專利申請範圍第28項是如專利申請範圍第1 7項、第 -47- (45) 1304145 18項、第19項、第20項、第21項、第22項、第23項 、第24項、第25項及第26項所記載之液晶顯示裝置之 製造方法，其中，第1金屬層是由可陽極氧化之金屬所構 成，被形成於掃描線之側面的絕緣層是被陽極氧化所形成
依_據該構成，可以依據陽極氧化在掃描線之側面上形 成陽極氧化層，可使用半色調曝光技術以1道光罩連續處 理掃描線之形成工程和半導體層之島化工程。 【實施方式】
根據第1圖〜第22圖說明本發明之實施例。第1圖 是表示本發明之第1實施形態所涉及之顯示裝置用半導體 裝置（主動基板）之平面圖’第2圖是表不第1圖（f) 之Α·Α’線上和B-B’線上及CNC’線上之製造工程之剖面圖 。同樣地第2實施形態是以第3圖和第4圖，第3實施形 態是以第5圖和第6圖，第4實施形態是以第7圖和第8 圖’第5實施形態是以第9圖和第1〇圖，第6實施形態 是以第11圖和第12圖，第7實施例是以第13圖和第14 圖’第8實施例是以第1 5圖和第1 6圖，第9實施例是以 第1 7圖和第1 8圖，第10實施例是以第19圖和第20圖 ’各表示主動基板之平面圖和製造工程的剖面圖。並且， 針fef與先則例相同部位’賦予相同符號並省略詳細說明。 (第I實施例） -48- (47) 1304145 和第1非晶質矽層3 1和閘極絕緣層3 0及第1金屬層，而 露出玻璃基板2。掃描線1 1和存儲電容線1 6之線寬因電 阻値之關係一般即使最小也有1 〇 // m以上之大小，故極 容易製作用以形成8 1 B (中間色調區域）的光罩，還有容 易管理該完成尺寸之精度。 接著，當依據氧氣電漿等之灰化手段將上述感光性樹 脂圖案8 1 A、8 1 B刪減1 // m以上之膜厚時，則感光性樹 脂圖案81B消失，露出第2非晶質矽層33A、33B (無圖 示），同時可以僅在半導體形成區域上選擇性形成感光性 樹脂圖案8 1 C。感光性樹脂圖案8 1 C (黑區域），即是半 導體層形成區域之圖案寬因是將光罩配合精度加上於源極 、汲極配線間之尺寸，故當將源極、汲極配線間設爲4〜 6//m，配合精度設爲±3//m時，即使最小也有10〜12 "m，以尺寸精度而言並非屬於嚴格者。但是，自光阻圖 案8 1 A變換至8 1 C時，若光阻圖案等方性地刪減1 // m之 膜厚，尺寸則不僅減少2 // m，後續之源極、汲極配線形 成時之光罩配合精度縮小l//m而成爲±2//m，對於曝光 機之配合精度管理在製程上則爲嚴格者。因此，於上述氧 氣電漿處理中，因抑制圖案尺寸之變化，以增強異方性爲 佳。具體而言，RIE (Reactive Ion Etching)方式、還有 具有高密度電紫源之 ICP( Inductive Coupled Plasama) 方式或TCP ( Transfer Coupled Plasama)方式之氧氣電漿 處理爲最佳。或是預估光阻圖案之尺寸變化量，預先設計 大光阻圖案81 A之圖案尺寸，或是以可使光阻圖案81 a -50- (48) 1304145
之圖案尺寸變大之曝光、顯像條件，來達成製程上之對應 等的措施爲最佳。然後’如第1圖（d )和第2圖（d )所 示般，將感光性樹脂圖案8 1 C當作遮罩選擇性將第2非晶 質矽層3 3 A和第1非晶質矽層3 1 A殘留在閘極電極1 1 A 上，同時除去掃描線1 1上和存儲電容線1 6上之第2非晶 質矽層_ 3 3 A、3 3 B (無圖示），和第1非晶質矽3 1 A、3 1 B (無圖示），各露出閘極絕緣層30A、30B。半導體層形 成區域，即是感光性樹脂圖案8 1 C (黑色區域）之大小即 使爲最小也有不僅容易製作將白色區域和黑色區 域以外之區域當作半色調曝光區域的光罩，即使島狀半導 體層31A、33A之尺寸精度變動，因幾乎無絕緣閘極型電 晶體之電氣特性之變動，故可想應容易執行製程管理。
接著，除去上述感光性樹脂圖案8 1 C後，如第1圖（ c )和第2圖（c )所示般，在閘極電極1 1 A之側面上形成 絕緣層76。因此，則如第2 1圖所示般，必須有並列捆束 掃描線11 (雖然存儲電容線1 6也相同，但是在此省略圖 示）的配線7 7，和於電鍍或陽極氧化時在玻璃基板2之 外圍部用以給予電位的連接圖案78，並且，使用依據電 漿C V D裝置之非晶質矽層3 1、3 3和氮化矽層3 0之適當 遮罩手段的製膜區域7 9則被連接圖案7 8限定於內側，必 須至少露出連接圖案7 8。使用彈簧夾等之連接手段將+ ( 正）電位供給至連接圖案7 8，使玻璃基板2浸泡於以乙 烯爲主成分之反應液中而執行陽極氧化時’掃描線1 1若 爲Α1系之合金，則以例如反應電壓200V形成具有0.3 // -51 - (50) 1304145 。該是即使採用IZO取代ITO也相同。 並且，如第1圖（e)和第2圖（e)所示般，依據 PCVD裝置在玻璃基板2之全表面上形成膜厚〇.3/zm左 右之鈍化絕緣層3 7，並且以比1 · 5 // m厚，最佳爲3 // m 左右之厚度塗布感光性丙烯樹脂3 9當作透明性和耐熱性 佳的透明樹脂層，依據使用光罩之選擇性紫外線照射，在 汲極電極2 1上和畫像顯不部外之區域中，掃描線之—部 分5上和訊號線之一部分6上和存儲電容線16之一部分 上各形成開口部62、63、64、65。然後，後烘乾之後， 將感光性樹脂39當作遮罩，選擇性除去開口部63、65內 之鈍化絕緣層3 7和閘極絕緣層3 0 A、3 0 B，再者開口部 62、64內之鈍化絕緣層37，而露出汲極電極21之一部分 和掃描線之一部分73 ( 5 )和訊號線之一部分74 ( 6 )和 存儲電容線1 6之一部分7 5。並且，可知開口率雖然些許 下降，但是不使用感光性丙烯樹脂3 9，而使用一般之感 光性樹脂，即使在鈍化絕緣層3 7上形成上述之開口部62 、63、64、65 亦可。 最後，使用SPT等之真空製膜裝置在玻璃基板2之 全表面上，被覆例如膜厚〇·1〜〇.2//m左右之IT0當作透 明導電層，如第1圖（f)和第2圖（f)所示般，依據微 細加工技術選擇性在包含有露出於開口部62內之汲極電 極21之中間導電層36A之〜部分的感光性丙烯樹脂39 上，形成畫素電極22。感光性丙烯樹脂39因較厚，故即 使將畫素電極22形成較大而與掃描線1 1或訊號線】2 一 -53- (51) 1304145 部分重疊，亦不會產生串音等之畫質惡化。此時， 有開口部63內之掃描線一部分73和開口部64內 線之一部分74的透明導電性之電極端子5A、6A。 在此，和先行例相同，設置透明導電性之短路線 據將電極端子5A、6A和短路線40之間形成細長 則成高.電阻化，並容易防靜電。 貼合如此所取得之主動基板2 (顯示裝置用半 置）和彩色濾光板而予以液晶面板化，完成本發明 實施例。關於存儲電容1 5之構成，雖然如第1圖 示般，例示有構成經由閘極絕緣層3 0 B疊層存儲 1 6和汲極電極2 1之區域5 0 (右下方斜線部）爲構 電容1 5之情形，即使汲極電極2 1和前段之掃描，福 由閘極絕緣層3 0 A而構成存儲電容1 5亦可，但是 略詳細之說明。 於第1實施形態中，是將半色調曝光技術適用 描線之形成工程和半導體層之島化工程的圖案精度 層而執行刪減光蝕刻工程，雖然使用鈍化絕緣層（ 性透明樹脂層），將接觸形成工程予以合理化，以 罩製作主動基板，但是亦可使用1道光罩處理取代 極之形成工程和鈍化絕緣層的陽極氧化層之形成工 則以第2實施例說明。 (第2實施例） 第2實施例是如第3圖（c )和第4圖（c )所 成爲含 之訊號 並且， 40，依 條狀， 導體裝 之第1 (e)所 電容線 成存儲 I 1 1經 在此省 於如掃 低的塗 和感光 4道光 畫素電 程，該 示般， -54- (52) 1304145 到在閘極電極1 1 A之側面上形成絕緣層76爲止的製 程，是以與第1實施例相同之製造工程所進行。但是 此，第1非晶質矽層31是以製作成〇·〇5〜之 爲佳。 接著，如第3圖（d )和第4圖（d )所示般，依 細加工技術，在畫像顯示部外之區域中，於掃描線1 形成開口部63 A，和於存儲電容線1 6上形成開口部 ，選擇性除去各開口部內之閘極絕緣層30A、30B而 掃描線之一部分73和存儲電容線1 6之一部分75。 接著，使用SPT等之真空製膜裝置，依序被覆 左右之Ti、Ta等之耐熱金屬薄膜層34當作 極氧化的耐熱金屬層，膜厚〇.3//m左右之A1薄膜乃 同樣當作可陽極氧化之低電阻配線層，還有膜厚〇 . 左右之Ta等之耐熱金屬薄膜層36同樣當作可陽極氧 中間導電層。然後，依據微細加工技術使用感光性樹 案依序蝕刻由該些3種類之薄膜所構成之源極、汲極 材，如第3圖（e )和第4圖（e )所示般，選擇性形 3 4 A、3 5 A、3 6 A之疊層所構成之絕緣閘極型電晶體 極電極（配線）2 1和也兼作源極電極（配線）的訊 1 2。對於源極、汲極配線1 2、2 1之選擇性圖案形成 需要蝕刻含有雜質之第2非晶質矽層3 3 A和不含雜 第1非晶質矽層31A。並且，一般爲了避免因電池作 引起之副作用，雖然於形成源極、汲極配線1 2、2 1 同時形成包含開口部63A內之掃描線1 1 一部分73 造工 ，在 薄膜 據微 1上 65 A 露出 膜厚 可陽 | 35 I β m 化之 脂圖 配線 成由 之汲 號線 ，不 質之 用所 時也 的掃 -55- (53) 1304145 描線之電極端子5和由訊號線之一部分所構成之電極端子 6，但是因不需要電極端子5，故於後續工程中’即使直 接形成透明導電性之電極端子5 A亦可。作爲源極、汲極 配線1 2、2 1之構成若爲舒緩電阻値之制約者時’則可予 以簡化亦可設爲可陽極氧化之Ta單層，再者’添加有Nd 之A1合金因抑制化學性電位下降之顯像液’或與光阻剝 離液等之鹼溶液中之ITO化學腐蝕反應，故於此時不需要 中間導電層36A，可將源極、汲極配線12、21之疊層構 造設爲2層構造（3 4 A、3 5 A )，成爲簡易源極、汲極配 線1 2、2 1之構成，可予以簡化。該是即使採用IZO取代 ITO亦相同。 於形成源極、汲極配線12、21後，使用SPT等之真 空製膜裝置在玻璃基板2之全表面上，例如被覆膜厚0.1 〜0.2 // m左右之ITO當作透明導電層，如第3圖（f)和 第4圖（f)所示般，依據使用感光性樹脂圖案8 3之微細 加工技術，在玻璃基板2上選擇性形成包含有汲極電極 21之中間導電層36A之一部分和存儲電容線16的畫素電 極22。此時，也在掃描線之電極端子5上和訊號線之電 極端子6上使用感光性樹脂圖案8 3 B、8 3 C而形成透明導 電層，設爲透明導電性之電極端子5A、6A。如先前所述 ，不形成電極端子5，即使此時直接形成包含有開口部 63A之電極端子5A亦可。在此，與先行例相同設置透明 導電性之短路線40，依據使電極端子5A、6A和短路線 4〇之間形成姻長條狀，則容易成爲對抗靜電用之高電姐 •56- (54) 1304145 接著，將上述之感光性樹脂圖案8 3 A〜8 3 C當作遮罩 ，一面照射光，一面陽極氧化源極、汲極配線1 2、2 1， 而在該表面上形成氧化層，同時陽極氧化含有露出於源極 、汲極配線1 2、2 1間之雜質的第2非晶質矽層3 3 A，和 不含雜質之第1非晶質矽層31A之一部分，如第3圖（g )和第4圖（g )所示般，形成屬於絕緣層之含有雜質之 氧化矽層（Si02) 66，和不含雜質之氧化矽層（無圖示） 〇 在源極、汲極配線12、21之上面露出有Ta，再者在 側面上露出有Ta、Al、Ti之疊層，依據陽極氧化Ti是變 質成屬於半導體之氧化鈦（Ti02 ) 68，A1是變質誠屬於 絕緣層之氧化鋁（Al2〇3 ) 69，然後Ta是變質成屬於絕緣 層之五氧化鉅（Ta205 ) 70。氧化鈦層68雖然不是絕緣層 ，但是膜厚極爲薄，並且露出面積也爲小，故對於鈍化上 是不會造成問題，耐熱金屬薄膜層34A也事先選擇Ta爲 最佳。但是，Ta是與Ti不同，必須注意欠缺吸收基底之 表面氧化層而容易成爲歐姆接觸之機能的特性。 通道間之含有雜質的第2晶質矽層33A當在厚度方 向完全不絕緣層化時，則造成增大絕緣閘極型電晶體之漏 電流。在此，一面照射光，一面實施陽極氧化，對於陽極 氧化工程爲非常重要之要點，於先行例中也有揭示。具體 而言，若照射1萬米燭光左右之相當強的光，絕緣閘極型 電晶體之漏電流若超過# A時，則自源極、汲極配線1 2 -57- (55) 1304145 、21間之通道部和汲極電極 21之面積計算，取得 10mA/cm2左右之用以取得陽極氧化且良好之膜質的電流 密度。 再者，利用陽極氧化含有雜質之第2非晶質矽層3 3 A ，而將足夠變質成屬於絕緣層之氧化矽層66之反應電壓 100V設定成高出10V左右，至接觸於含有該所形成之雜 質的氧化矽層66之不含雜質的第1非晶質矽層31A之一 部分（100A左右）爲止，使變質成不含雜質之氧化矽層 (無圖示），藉此通道之電性純度爲高，可以成爲源極、 汲極配線1 2、2 1間之電性完全分離者。即是，絕緣閘極 型電晶體之OFF電流充分減少，可取得高ΟΝ/OFF比。 由陽極氧化所形成之五氧化鉬70、鋁69、氧化鈦68 之各氧化層之膜厚是以0.1〜0.2// m左右當作配線之鈍化 即足夠，使用乙二醇等之反應液，施加電壓相同地以超過 1 〇〇V而予以實現。對於源極、汲極配線1 2、2 1之陽極氧 化應留意之事項，雖然無圖示但是所有訊號線1 2是必須 電性並聯或串聯而形成，之後當在製造工程之任何處解除 並串聯時，當然不僅對主動基板2之電氣檢查，就連對於 液晶顯示裝置之實際動作也不會造成障礙。以解除手段而 言，可採照射雷射光之蒸散，或依據刮片之機械性切除爲 簡易手段，省略詳細說明。 以感光性樹脂圖案83 A覆蓋畫素電極22，是因爲不 僅不需要陽極氧化畫素電極22，也不需要將經由絕緣閘 極性電晶體而流動於汲極電極2 1之反應電流確保所需以 -58- (56) 1304145 上即可之故。 最後，除去上述感光性樹脂圖案83 A〜C如第3 h )和第4圖（h )所示般，完成主動基板2。貼合如 取得之主動基板2和彩色濾光片而予以液晶面板化’ 本發明之第2實施形態。關於存儲電容1 5之構成’ 如第3 _圖（h )例示有構成經由閘極絕緣層3 0平面性 存儲電容線1 6和畫素電極22的構成例（右下方斜 5 1 )，但是存儲電容1 5之構成並不限定此，即使爲 素電極22和前段之掃描線1 1之間介存有包含閘極絕 3 0A之絕緣層的構成亦可。 第2實施例雖然是於畫素電極之形成時，執行鈍 形成，但是於源極、汲極配線之形成時，亦可執行鈍 形成，該以第3實施例予以說明。 (第3實施形態） 第3實施例是如第5圖（c )和第6圖（c )所示 到在閘極電極1 1 A之側面上形成絕緣層76爲止的製 程，是以與第1實施例相同之製造工程所進行。接著 用SPT等真空製膜裝置被覆例如膜厚〇·1〜〇·2 # m左 ITO當作透明導電層，如第5圖（d )和第6圖（d ) 般，依據微細加工技術選擇性形成畫素電極22。 接著，如第5圖（e)和第6圖（e)所示般，依 細加工技術，在畫像部外之區域，於掃描線1 1上形 口部63A，和於存儲電容線16上形成開口部65 A， 圖（ 此所 完成 雖然 重疊 線部 在畫 緣層 化層 化層 般， 造工 ，使 右之 所示 據微 成開 選擇 -59- (57) 1304145 性除去各開口部內之閘極絕緣層30 A、30B而露出掃 之一部分73和存儲電容線16之一部分75。 接著，使用SPT等之真空製膜裝置，依序被覆 左右之Ti、Ta等之耐熱金屬薄膜層34當作 極氧化的耐熱金屬層，膜厚〇.3//m左右之A1薄膜擇 同樣當作可陽極氧化之低電阻配線層。然後，如第5 f)和第6圖（f)所示般，依據微細加工技術使用感 樹脂圖案87A、87B依序蝕刻由該些薄膜所構成之源 汲極配線材，選擇性形成由包含有畫素電極22之一 的34A、35A之疊層所構成之絕緣閘極型電晶體之汲 極（配線）2 1和也兼作源極電極的訊號線1 2。對於 、汲極配線1 2、2 1之選擇性圖案形成，不需要蝕刻 雜質之第2非晶質矽層3 3 A和不含有雜質之第1非 矽層3 1 A。於形成源極、汲極配線1 2、2 1之同時， 也包含開口部63A內之掃描線一部分73而同時形成 線之電極端子5和由訊號線之一部分所構成之電極端 ，此時，依據半色調曝光技術事先形成對應於電極端 、6之區域8 7 A之膜厚（黑區域）例如爲3 # m，和 應於源極、汲極配線12、21之區域87B (中間色調 )之膜厚1.5 // m還厚的感光性樹脂圖案87A、87B， 爲第3實施例之重要特徵。雖然對應於電極端子5、 區域87A之最小尺寸若爲10 M m大時，則容易製作 及管理完成尺寸，但是因對應於源極、汲極配線12 之區域87B之最小尺寸爲4〜8 e m，尺寸精度比較高 描線 膜厚 可陽 I 35 圖（ 光性 極、 部分 極電 源極 含有 晶質 雖然 掃描 子6 子5 比對 區域 此則 6之 光罩 、21 ，故 -60· (58) 1304145 必須要有細長條狀圖案作爲半色調區域。但是於本發明中 ，源極、汲極配線12、21因以1次曝光處理和1次蝕刻 處理所形成，故比起以往之半色調曝光技術般之1次曝光 處理和2次蝕刻處理所形成之時，不論源極、汲極配線 1 2、21之尺寸管理，或是源極、汲極配線1 2、2 1間，即 是通道長度之尺寸管理也比以往之半色調曝光技術容易管 理圖案精度。 源極、汲極配線1 2、2 1形成後，當依據氧氣電漿等 之灰化手段，將上述感光性樹脂圖案87A〜87D削減1.5 // m以上之膜厚時，感光性樹脂圖案87B則消失而露出源 極、汲極配線1 2、2 1，同時可以僅在電極端子5、6上， 選擇性形成感光性樹脂圖案87C。從電極端子5、6之大 小也可容易理解，在此藉由氧氣電漿處理而幾乎不影響圖 案尺寸之情形也是本發明之特徵。在此，如第5圖（g) 和第6圖（g )所示般，將感光性樹脂圖案87C當作遮罩 與第2實施形態相同地，一面照射光，一面陽極氧化源極 、汲極配線1 2、2 1而形成氧化層6 8、6 9，同時陽極氧化 露出於源極、汲極配線1 2、2 1間之第2非晶質矽層3 3 A 和鄰接的第1非晶質矽層3 1 A之一部分，而形成屬於絕 緣層之含有雜質的氧化矽層66和不含有雜質之氧化矽層 (無圖示）。 於陽極氧化完成後，當除去感光性樹脂圖案8 7 C時， 則如第5圖（h )和第6圖（h )所示般，露出於該表面具 有低電阻金屬層3 5 A的電極端子5、6。但是，於第5圖 -61 - (59) 1304145 (h )和第6圖（h )中，爲了以適當電阻性構件連接電極 端子5、6間，雖然僅在電極端子6之側面形成陽極氧化 層，但是於形成畫素電極22時，若在主動基板之外圍形 成細長防靜電線，並連接防靜電線和電極端子5、6間時 ，即使於電極端子5之側面上膜厚爲薄，也形成陽極氧化 層。而_且，以源極、汲極配線12、21之構成而言，若爲 舒緩電阻値之約制者時，則可予以簡化亦可設爲Ta之單 層。 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光片而予以液 晶面板化，完成本發明之第3實施形態。關於存儲電容 1 5之構成，雖然如第5圖（h )例示有構成經由閘極絕緣 層3 0B平面性重疊畫素電極22和存儲電容線1 6的構成例 (右下方斜線部5 2 )，但是存儲電容1 5之構成並不限定 此，即使與後述之第4和第5實施例相同，爲於包含畫素 電極22 (或是汲極電極21)而所形成之存儲電極和前段 之掃描線1 1之間介存有包含閘極絕緣層3 0 A之絕緣層的 構成亦可。 第3實施形態中，因於如此陽極氧化源極、汲極i 2 、2 1和第2非晶質矽層3 3 A時，電性連接汲極電極2 1之 畫素電極22也露出，故畫素電極22同時也被陽極氧化， 該點則與第2實施形態大有差異。因此，也有隨著構成畫 素電極22之透明導電層之膜質而不同，依據陽極氧化而 增加電阻値之情形，於此時，雖然必須適當變更透明導電 層之製膜條件，事先準備氧不足之膜質，但是在陽極氧化 -62- (60) 1304145 不會發生降低透明導電層之透明度下降的情形。再者，用 以陽極氧化汲極電極21和畫素電極22之電流雖然也通過 絕緣閘極型電晶體之通道而被供給，但是因爲畫素電極 2 2之面積爲大，故需要較大之反應電流或長時間之反應 ，即使照射多強之外光也不會對通道部之電阻造成障礙， 對於在_汲極電極2 1上形成與訊號線1 2上同等之膜質的陽 極氧化層，僅以延長反應時間是較難以對應。但是，即使 被形成於汲極電極21上之陽極氧化層多少有不完全，在 實用上取得無障礙之信賴性之情形爲多。該是因爲被施加 於液晶之驅動訊號基本上爲交流，爲了使在對向電極1 4 和畫素電極22之間，可減少直流電壓成分，對向電極1 4 之電壓於畫像檢查時因被調整（降低閃爍調整），因此， 若可使僅在訊號線1 2上不流動直流成分而形成絕緣層即 可之故。 於第1〜第3實施形態中，是將半色調曝光技術適用 於如掃描線之形成工程和半導體層之島化工程的圖案精度 低的塗層而執行删減光蝕刻工程，雖然以4道光罩製作主 動基板，但是因亦可以賦予以相同之光罩處理畫素電極和 掃描線之技術，而更推進刪減工程，可使用3道光罩製作 主動基板，故將此以第4和第5實施例予以說明。 (第4實施例） 第4實施例是首先使用SPT等真空製膜裝置，在玻 璃基板2之一主表面上被覆例如膜厚0.1.〜0.2 // m左右之 -63- (61) 1304145 ITO當作透明導電層91，和膜厚0·1〜0.3/im左 金屬層9 2。於之後的說明中雖然有明確表示，但 和第5實施例中，因以透明導電層和第1金屬層 成掃描線，故於陽極氧化中，不可能在掃描線之 成絕緣層。在此，絕緣層因是藉由電鍍而形成有 ，故選擇屬於透明導電層之ITO當作掃描線材料 例如Cr、Ta、Mo等之高熔點金屬或是該些合金 當作不產生不產生電池反應之第1金屬層92。 阻化，若採用 Al，A1 ( Nd )合金單層則最爲簡 是介存有 Ta 的 Ta/Al ( Zr、Hf、Nd )，在 ί Ta/Al/Ta之疊層則成爲複雜。 接著，使用PC VD裝置在玻璃基板2之全表 分別以〇.3//m，0.2//m，0.05em左右之膜厚依 成爲閘極絕緣層之第lSiNx層30、將成爲幾乎不 絕緣閘極型電晶體之通道的第1非晶質矽層3 1 爲含有雜質之絕緣閘極型電晶體之源極、汲極的 質矽層3 3的3種類薄膜層，然後如第7圖（a ) (a )所示般，依據半色調曝光技術，形成在半 成區域，即是閘極電極1 1 A上之區域82A1，和ί 和訊號線12交差的附近區域上之區域82Α2， 11上之存儲電容形成區域82Α3之膜厚爲2// m 於由透明導電層91A和第1金屬層92A的疊層 也兼作閘極電極1 1 A的掃描線1 1，和由透明導 和第1金屬層92B之疊層所構成之擬似畫素電韦 右之第1 是於第4 之疊層構 側面上形 機絕緣層 ，和選擇 或氧化矽 爲了低電 單，接著 妾下來是 面上例如 序覆蓋將 含雜質之 ，及將成 第2非晶 和第8圖 導體層形 需描線I 1 和掃描線 ，比對應 所構成之 電層91B 93，和 -64 - (62) 1304145 由相同透明導電層91A和第1金屬層92A之疊層所構成 之掃描線之擬似電極端子94，和由相同透明導電層9 1 C 和第1金屬層9 2 C之疊層所構成之訊號線之擬似電極端子 95的感光性樹脂圖案82B之膜厚還厚的感光性樹脂圖案 82A1、82A2 > 82A3及 82B，將感光性樹脂圖案 82A1〜 82A3及8 2B當作遮罩，選擇性除去第2非晶質矽層33、 第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣層3 0及第1金屬層92還 有透明導電層91而露出玻璃基板2。 如此一來，取得對應於也兼作閘極電極1 1 A之掃描 線1 1和擬似畫素電極93和擬似電極端子94、95的多層 膜圖案後，接著，當依據氧氣電漿等之灰化手段，將上述 感光性樹脂圖案82A1〜82A3及82B減少1 // m以上之膜 厚時，感光性樹脂圖案82B則消失，如第7圖（b )和第 8圖（b)所示般，露出第2非晶質矽層33A〜33C，同時 可僅在半導體層形成區域上選擇性形成感光性樹脂圖案 82C1〜82C3。上述氧氣電漿處理是以增強異方性，抑制 圖案尺寸之變化，使後續之源極、汲極配線形成工程中之 遮罩配合精度不會下降爲最佳，此事情如同前述說明。 接著，在閘極電極1 1 A之側面上形成絕緣層76。因 此，雖然對第22圖所示之連接圖案78使用彈簧夾等之連 接手段將+(正）電位供給至掃描線1 1上，但是依據電鍍 液之組成不同，即使供給·（負）電位亦可。然後’以電 鍍電壓數V形成具有0.3//m之膜厚的聚醯亞胺樹脂層當 作有機絕緣層。擬似畫素電極93因是電性獨立’故在擬 -65- (63) 1304145 似畫素電極93之周圍上不形成絕緣層76。 接著，如第7圖（c )和第8圖（c )所示般，將感光 性樹脂圖案82C1〜82C3當作遮罩，在閘極電極1 1 A上， 和掃描線1 1和訊號線1 2交差的附近區域上及存儲電容形 成區域上，選擇性殘留第2非晶質矽33A和第1非晶質 矽3 1 A和閘極絕緣層3 0 A，同時選擇性蝕刻掃描線1 1上 和擬似畫素電極93上和擬似電極端子94、95上之第2非 晶質矽層3 3 A〜3 3 C和第1非晶質矽層3 1 A〜3 1 C和閘極 絕緣層30A〜30C而露出第1金屬層92A〜92C。即是， 露出擬似畫素電極93和擬似電極端子94、95。 然後，除去上述感光樹脂圖案82C1〜82 C3之後，使 用SPT等之真空製膜裝置，依序被覆例如膜厚O.l^m左 右之Ti、Ta等耐熱金屬薄膜層34當作的耐熱金屬層，膜 厚0·3 // m左右之A1薄膜層35當作低電阻配線層。然後 ，雖然如第7圖（d )和第8圖（d )所示般，依據微細加 工技術使用感光性樹脂圖案依序鈾刻該些薄膜層，選擇性 形成含有擬似畫素電極93之一部分而由34A、35A之疊 層所構成的絕緣閘極型電晶體之汲極電極（配線）2 1，和 含有擬似電極端子95之一部分而也兼作相同源極電極的 訊號線12，但是，在此與先行例相同，依序蝕刻第2非 晶質矽層3 3 A及第1非晶質矽層3 1 A，第1非晶質矽層 31A是蝕刻成剩下0.05〜0.1 // m左右。並且，即使在此 ，作爲源極、汲極配線1 2、2 1之構成若爲舒緩電阻値之 制約者時，則亦可予以簡化而成爲可陽極氧化之Ta、Cr -66- (64) 1304145 、MoW合金等之單層。 源極、汲極配線1 2、2 1之形成後，使用P C V D裝置 在玻璃基板2之全表面上被覆〇.3/zm左右之膜厚的第 2 S iNx層當作鈍化絕緣層3 7，如第7圖（e )和第8圖（e )所示般，在擬似電極93上和擬似電極端子94、95上選 擇性地各形成開口部3 8、63、64 ’並選擇性除去各開口 部內之第2SiNx層和第1金屬層92A〜92C而露出透明導 電性之圖案91 A〜91C之大部分，各當作畫素電極22和 電極端子5A、6A。 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光片而予以液 晶面板化，完成本發明之第4實施形態。關於存儲電容 15之構成，雖然如第7圖（e)所示般，例示有與包含擬 似畫素電極9 3之一部分的汲極配線2 1同時形成之存儲電 極72和前段之掃描線1 ί，是經由第2非晶質矽層33 A、 第1非晶質矽層3 1 A及閘極絕緣層30A而平面性重疊的 構成例（右下方斜線部5 2 )，但是存儲電容1 5之構成 並不限定此，即使爲在與掃描線同時被形成之存儲電容線 和畫素電極之間介存有含有閘極絕緣層之絕緣層的構成亦 可。再者，也可能爲其他構成，在此省略其詳細說明。 亦可於源極、汲極配線形成時依據陽極氧化執行鈍化 層形成，來取代第4實施例中使用SiNx的鈍化層形成， 將此以第5實施例予以說明。 (第5實施形態） -67 - (66) 1304145 脂圖案8 2 A、8 2 B減少1 " m以上之膜厚時’感光性樹脂 圖案8 2 B則消失，而露出第2非晶質矽層3 3 A〜3 3 C ’同 時可僅在半導體層形成區域上選擇性形成感光性樹脂圖案 8 2 C。上述氧氣電漿處理是以增強異方性，抑制圖案尺寸 之變化，使後續之源極、汲極配線形成工程中之遮罩配合 精度不會下降爲最佳，此事情如同前述說明般。然後’如 第9圖（b)和第10圖（b)所示般，將感光性樹脂圖案 82C當作遮罩，在閘極電極1 1 A上選擇性殘留第2非晶質 矽3 3 A和第1非晶質矽3 1 A，同時選擇性蝕刻掃描線1 1 和擬似畫素電極93上和防靜電線95上之第2非晶質矽層 3 3 A〜3 3 C和第1非晶質矽層3 1 A〜3 1 C而露出閘極絕緣 層 30A〜30C。 除去上述感光性樹脂圖案82C後，如第9圖（c )和 第1 〇圖（c )所示般，在閘極電極1 1 A之側面上形成絕緣 層7 6。因此，雖然對第2 1圖所示之連接圖案7 8使用彈 簧夾等之連接手段將+(正）電位供給至掃描線1 1上，但 是依據電鍍液之組成不同，即使供給-(負）電位亦可。 然後，以例如電鍍電壓數V形成具有〇. 3 // m之膜厚的聚 醯亞胺樹脂層當作有機絕緣層。 接著，如第9圖（d )和第1 〇圖（d )所示般，依據 微細加工技術使用感光性樹脂圖案8 8在畫像顯示部外中 ，擬似電極端子9 4上形成開口部6 3 A，和在擬似畫素電 極93上形成開口部3 8 A，和在畫像顯示部外之區域中， 防靜電線95上形成開口部64八，選擇性除去各開口部內 -69· (67) 1304145 之閘極絕緣層30A〜30C和第1金屬層92A〜92C而露出 透明導電性之圖案9 1 A〜9 1 C，各個成爲掃描線1 1之一部 分5A、畫素電極22及防靜電線之大部分91C(40)。 除去上述感光樹脂圖案88之後，使用SPT等之真空 製膜裝置，依序被覆例如膜厚左右的Ti、Ta等之 耐熱金屬薄膜層34當作耐熱金屬層，膜厚0.3//m左右之 A1薄膜層3 5當作低電阻配線層。然後，雖然如第9圖（ e )和第1 0圖（e )所示般，依據微細加工技術使用感光 性樹脂圖案8 7 A、8 7B依序蝕刻由該些薄膜所構成之源極 、汲極配線材，選擇性形成含有開口部74內之畫素電極 22之一部分而由34A、35A之疊層所構成的絕緣閘極型電 晶體之汲極電極2 1，和也兼作相同源極電極之訊號線1 2 。不需要蝕刻含有雜質之第2非晶質矽層3 3 A和不含有 雜質之第1非晶質矽層3 1 A。於形成源極、汲極配線1 2 、2 1之同時，雖然也包含由透明導電層所構成之掃描線 之一部分5A而同時形成由掃描線之電極端子5和訊號線 之一部分所構成之電極端子6，但是，此時，依據半色調 曝光技術事先形成對應於電極端子5、6之區域87A之膜 厚（黑區域）例如爲3 // m，和比對應於源極、汲極配線 12、21和存儲電極72的區域87B (中間色調區域）之膜 厚1.5 m還厚的感光性樹脂圖案87A、87B，此則爲第5 實施例之重要特徵。 源極、汲極配線1 2 ' 2 1形成後，當依據氧氣電漿等 之灰化手段，將上述感光性樹脂圖案87A、87B削減1.5 -70- (68) 1304145 // m以上之膜厚時，感光性樹脂圖案87B則消失而露出源 極、汲極配線1 2、2 1和存儲電極72 ’同時可以僅在電極 端子5、6上，選擇性形成感光性樹脂圖案8 7 C。在此， 如第9圖（f)和第1 0圖（f)所示般，將感光性樹脂圖 案8 7C當作遮罩與第2實施形態相同地，一面照射光，一 面陽極.氧化源極、汲極配線12、21而形成氧化層68、69 ，同時陽極氧化露出於源極、汲極配線1 2、2 1間之第2 非晶質矽層3 3 A和鄰接的第1非晶質矽層3 1 A之一部分 ，而形成屬於絕緣層之含有雜質的氧化矽層66和不含有 雜質之氧化矽層（無圖示）。 於陽極氧化完成後，當除去感光性樹脂圖案87C時， 則如第9圖（g )和第10圖（g )所示般，露出於該表面 具有陽極氧化層，由低電阻金屬層35A所構成的電極端 子5、6。但是，爲了防止靜電，掃描線之一部分5A是被 連接於例如短路線9 1 C，並且如圖示般，訊號線1 2或電 極端子6若無含有短路線9 1而被形成時，則在電極端子 5之側面無形成陽極氧化層。而且，以源極、汲極配線 1 2、2 1之構成而言，若爲舒緩電阻値之約制者時，則可 予以簡化亦可設爲Ta之單層。貼合如此所取得之主動基 板2和彩色濾光片而予以液晶面板化，完成本發明之第5 實施形態。關於存儲電容1 5之構成，雖然如第9圖（g ) 例示有構成經由閘極絕緣層3 0 A平面性重疊與源極、汲 極配線12、21同時包含畫素電極22之一部分而被形成的 存儲電極72和被形成於前段之掃描線1 1的突起區域的構 -71- (69) 1304145 成例（右下方斜線部5 2 )，但是存儲電容1 5之構成並不 限定此，即使與第2實施例相同，爲於畫素電極22和與 掃描線同時被形成之存儲電容線1 6之間，介存有包含閘 極絕緣層3 0 B之絕緣層的構成亦可。再者，雖然也可能爲 其他之構成，在此省略詳細之說明。 於_第5實施形態中也因於陽極氧化源極、汲極1 2、 2 1和第2非晶質矽層3 3 A時，電性連接汲極電極2 1之畫 素電極22也露出，故畫素電極22同時也被陽極氧化，該 點則與第2實施形態大有差異。因此，也有隨著構成畫素 電極22之透明導電層之膜質而不同，依據陽極氧化而增 加電阻値之情形，於此時，雖然必須適當變更透明導電層 之製膜條件，事先準備氧不足之膜質，但是在陽極氧化不 會發生降低透明導電層之透明度下降的情形。再者，用以 陽極氧化汲極電極2 1和畫素電極22之電流雖然也通過絕 緣閘極型電晶體之通道而被供給，但是因爲畫素電極22 之面積爲大，故需要較大之反應電流或長時間之反應，即 使照射多強之外光也不會對通道部之電阻造成障礙，對於 在汲極電極2 1上和存儲電極7 2上形成與訊號線1 2上同 等之膜質的陽極氧化層，僅以延長反應時間是較難以對應 。但是，即使被形成於汲極電極2 1上之陽極氧化層多少 有不完全，在實用上取得無障礙之信賴性之情形爲多，該 如之前所說明。 以上所說明之液晶顯示裝置雖然爲使用TN型之晶胞 者，但是即使以和畫素電極相隔規定距離而所形成之一對 -72- (70) 1304145 的對向電極和畫素電極，控制橫方向電場之IPS ( In-Plain-Swticing )方式之液晶顯示裝置中，因本發明中所 提案之工程刪減也爲有效，故將此以之後的實施例予以說 明。 (第6實施例） 第6實施例是形成源極 '汲極配線1 2、2 1，接著如 第11圖（e)和第12圖（e)所示，依據PCVD裝置在玻 璃基板2之全表面上形成膜厚〇·3#ηι左右之鈍化絕緣層 37，並且以比厚，最佳爲3//m左右之厚度塗布 感光性丙烯樹脂3 9當作透明性和耐熱性佳的透明樹脂層 ，依據使用光罩之選擇性紫外線照射，在汲極電極2 1上 和畫像顯示部外之區域中，掃描線之電極端子形成區域上 和訊號線之電極端子形成區域上，各形成開口部62、63 、6 4，於後烘乾之後，將感光性樹脂3 9當作遮罩，選擇 性除去開口部6 3、6 5內之鈍化絕緣層3 7和閘極絕緣層 30A、3 0B，再者開口部62、64內之鈍化絕緣層37，而露 出汲極電極2 1之一部分和掃描線之一部分7 3和訊號線之 一部分7 4，至此爲止的製造工程則執行與第1實施例相 同的製造工程。 接著，使用SPT等之真空製膜裝置在玻璃基板2之 全表面上，被覆例如ITO當作膜厚0.1〜0.2//m左右之透 明導電層，如第1 1圖（f)和第12圖（f)所示般，依據 微細加工技術選擇性在包含有汲極電極21之中間導電層 •73- (71) 1304145 36A之一部分的透明樹脂39上形成畫素電極41，和包含 掃描線1 1上和訊號線12上的對向電極42。並且，43是 被形成於畫像顯示部外之區域上的對向電極42之電極端 子。此時，成爲含有開口部63內之掃描線一部分73和開 口部64內之訊號線之一部分74的透明導電性之電極端子 5 A、6 A。雖然無圖示但是與先行例相同，在畫像顯示部 外之區域上設置透明導電性之短路線40，依據將電極端 子5A、6A和短路線40之間形成細長條狀，則成高電阻 化，並容易防靜電。 對於IPS型之液晶顯示裝置，畫素電極41和對向電 極4 2之間隙雖然有助於顯示，但是畫素電極4 1和對向電 極42因電極內之電位爲一定，無助於顯示，故以透明導 電層形成畫素電極41和對向電極42不一定爲最適合之選 擇。因當使用金屬性例如T i、C r、Μ 〇 W合金等來取代透 明導電層時，電阻値則下降，故可以將畫素電極4 1和對 向電極42之膜厚予以更薄化，而提升配向性。或是依據 运擇Ti/Al合金的疊層，無需再源極、汲極配線12、21 之上層部配置Ti或Ta等之中間金屬層，簡化源極、汲極 配線1 2、2 1的構成。但是，於選擇金屬性之電極時，當 不實施與上述防靜電對策另外的防靜電對策時，高電阻化 則有困難。畫素電極41和對向電極42採用透明導電層的 優點，是因爲對於同時生產TN型液晶面板和IP S型液晶 面板之量產工場，不需要更換濺鍍裝置之靶，或是不用2 種類之濺鍍裝置等之理由。 -74- (72) 1304145 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光板而 曰^化’完成本發明之第6實施例。關於存儲電容1 成’如第1 1圖（e )所示般，例示有經由閘極絕緣 重疊存儲電容線1 6和汲極電極的區域5 0 (右下方 )構成存儲電容1 5之情形。 第6實施例是可在以往光學性無效之掃描線1 訊號線12上配置對向電極42，該結果雖然可擴大 顯示之區域，取得高開口率之IPS型液晶面板，但 易刪減更多之製造工程數。在此，以第7〜第10 說明雖然不期望提升開口率，但是採用不使用感光 樹脂3 9的鈍化技術而促進刪減製造工程數的發明。 (第7實施例） 第7實施例是首先使用SPT等之真空製膜裝 玻璃基板2之一主表面上被覆例如Cr、Ta、Mo等 合金或氧化矽當作膜厚0.1〜〇.3//m左右之第1金 接著，使用PC VD裝置在玻璃基板2之全表面上例 以0.3//m，0.05//m左右之膜厚依序被覆 閘極絕緣層之第lSiNx層30、將成爲幾乎不含雜質 閘極型電晶體之通道的第1非晶質矽層3 1，及將 有雜質之絕緣閘極型電晶體之源極、汲極的第2非 層3 3的3種類薄膜層，然後如第1 3圖（a )和第】 a )所示般，依據半色調曝光技術，形成在半導體 區域，即是閘極電極1 1 A上之區域84A之膜厚爲： 予以液 5之構 層30B 斜線部 1上和 有助於 是不容 實施例 性丙烯 置，在 或該些 屬層。 如分別 將成爲 之絕緣 成爲含 晶質矽 4圖（ 層形成 ϊ μ m， -75- (73) 1304145 比對應於掃描線1 1和兼作存儲電容線之對向電極1 6的區 域84B上之膜厚lym還厚的感光性樹脂圖案84A、84B ，將感光性樹脂圖案84A、84B當作遮罩，選擇性除去第 2非晶質矽層3 3、第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣層3 0及 第1金屬層而露出玻璃基板2。 接_著，當依據氧氣電漿等之灰化手段，將上述感光性 樹脂圖案84A、84B減少1 // m以上之膜厚時，感光性樹 脂圖案84B則消失，而露出第2非晶質矽層33A、33B， 同時可僅在半導體層形成區域上選擇性形成感光性樹脂圖 案84C。當然上述氧氣電漿處理因抑制圖案尺寸之變化故 以增強異方性爲佳。然後，如第1 3圖（b )和第14圖（b )所示般，將感光性樹脂圖案84C當作遮罩，在閘極電極 1 1A上選擇性殘留第2非晶質矽33A和第1非晶質矽31 A ，同時除去掃描線1 1上和對向電極1 6上之第2非晶質矽 層3 3 A、3 3 B和第1非晶質矽層3 1 A、3 1 B而露出閘極絕 緣層 30A、30B。 除去上述感光性樹脂圖案84C後，如第1 3圖（c )和 第1 4圖（c )所示般，在閘極電極1 1 A之側面上形成絕緣 層76。因此，如第2 1圖所示般，必須有並列捆束掃描線 1 1 (雖然存儲電容線1 6也相同，但是在此省略圖示）的 配線77，和於電鍍或陽極氧化時在玻璃基板2之外圍部 用以給予電位的連接圖案78。對於絕緣層76即使是採用 有機絕緣層和陽極氧化層之任一者亦可。 然後，如第13圖（d )和第14圖（d )所示般，依據 •76- (74) 1304145 微細加工技術，在畫像部外之區域，於掃描線 Π上形成 開口部6 3 A，和於對向電極1 6上形成開口部6 5 A，選擇 性除去各開口部內之閘極絕緣層3 0 A、3 0B而各露出掃描 線之一部分7 3和對向電極之一部分7 5。 之後，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆膜厚〇·1 // m左右之Ti、Ta等之耐熱金屬薄膜層34當作可陽極氧 化的耐熱金屬層，膜厚〇.3//m左右之A1薄膜層35同樣 當作可陽極氧化之低電阻配線層。然後，如第1 3圖（e ) 和1 4圖（e )所示般，依據微細加工技術使用感光性樹脂 圖案87A、87B依序蝕刻由該些薄膜所構成之源極、汲極 配線材，選擇性形成由34A和35A之疊層所構成，將成 爲畫素電極之絕緣閘極型電晶體之汲極電極2 1和也兼作 相同源極電極的訊號線1 2。對於源極、汲極配線1 2、2 1 之選擇性圖案形成，不需要蝕刻含有雜質之第2非晶質矽 層3 3 A和不含有雜質之第1非晶質矽層3〗A。於形成源極 、汲極配線1 2、2 1之同時，雖然也包含開口部6 3 A內之 掃描線一部分73而同時形成掃描線之電極端子5和由訊 號線之一部分所構成之電極端子6，但此時，依據半色調 曝光技術事先形成對應於電極端子5、6之區域8 7 A之膜 厚（黑區域）例如爲3 // ni，和比對應於源極、汲極配線 12、21之區域87B (中間色調區域）之膜厚爲1.5 # m厚 的感光性樹脂圖案87A、87B，此則爲第7實施例之重要 特徵。 源極、汲極配線1 2、2 1形成後，當依據氧氣電漿等 77- (75) 1304145 之灰化手段，將上述感光性樹脂圖案87A、8 7B削減1.5 // m以上之膜厚時，感光性樹脂圖案8 7B則消失而露出源 極、汲極配線1 2、2 1，同時可以僅在電極端子5、6上， 選擇性形成感光性樹脂圖案8 7C。在此，如第1 3圖（f) 和第14圖（f)所示般，將感光性樹脂圖案87C當作遮罩 與第2實施形態相同地，一面照射光，一面陽極氧化源極 、汲極配線12、21而形成氧化層68、69，同時陽極氧化 露出於源極、汲極配線1 2、2 1間之第2非晶質矽層3 3 A 和鄰接的第1非晶質矽層3 1 A之一部分，而形成屬於絕 緣層之含有雜質的氧化矽層66和不含有雜質之氧化矽層 (無圖示）。 於陽極氧化完成後，當除去感光性樹脂圖案87C時， 則如第1 3圖（g )和第14圖（g )所示般，露出於該側面 具有陽極氧化層，由低電阻金屬層3 5A所構成之電極端 子5、6。而且，以源極、汲極配線1 2、2 1之構成而言， 若爲舒緩電阻値之約制者時，則可予以簡化亦可設爲Ta 之單層。 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光片而予以液 晶面板化，完成本發明之第7實施形態。IP S型之液晶顯 示裝置由以上之敘述明顯得知，在主動基板2上不需要透 明導電性之畫素電極22，再者，於彩色滬光板之對向面 上，也不需要透明導電性之對向電極1 4。因此，也不需 要源極、汲極配線〗2、2 1上之中間導電層。關於存儲電 容1 5之構成，雖然如第13圖（g )例示有構成經由閘極 -78- (76) 1304145 絕緣層3 0B平面性重疊兼作存儲電容線之對向電極1 6和 畫素電極（汲極電極）2 1的構成例（右下方斜線部5 0 ) ’但是存儲電容15之構成並不限定此，即使爲於畫素電 極2 1和前段之掃描線1 1之間介存有含有閘極絕緣層3 0 A 之絕緣層的構成亦可。並且，於第13圖（g)中，雖然無 特別Η示以高電阻，例如OFF狀態之絕緣閘極型電晶體 或細長導電性線路，連接掃描線之電極端子5和訊號線之 電極端子6之間的防靜電對策，但是因賦予設置開口部 63 A，露出掃描線11之一部分73的工程，故容易防止靜 電。 (第8實施例） 第3實施例雖然到在閘極電極1 1 A之側面上形成絕 緣層76爲止的製造工程，是以與第7實施例相同之製造 工程所進行，但是必須製作第1非晶質矽層3 1的膜厚爲 0.2/zm。接著，使用SPT等之真空製膜裝置，依序被覆 膜厚左右之Ti、Ta等之耐熱金屬薄膜層34當作 可陽極氧化的耐熱金屬層，膜厚〇.3//m左右之A1薄膜層 3 5當作低電阻配線層，如第1 5圖（d )和1 6圖（d )所 示般，雖然依據微細加工技術使用感光性樹脂圖案87A、 8 7 B選擇性蝕刻由該些2層薄膜所構成之源極、汲極配線 材，但是在此和先行例相同依序蝕刻第2非晶質矽層3 3 A 和第1非晶質矽層31人，第1非晶質矽層31八是被蝕刻成 剩下0.05〜0.1 // m左右，選擇性形成由34A和35A之疊 -79- (77) 1304145 層所構成，將成爲畫素電極之絕緣閘極型電晶體之汲極電 極2 1和也兼作相同源極電極的訊號線1 2和由訊號線之一 部分所構成之電極端子6。而且，以源極、汲極配線1 2、 2 1之構成而言，若爲舒緩電阻値之約制者時，則可予以 簡化亦可設爲Ta之單層。 接_著，如第1 5圖（e )和第1 6圖（e )所示般，依據 電漿CVD裝置在玻璃基板2之全面上形成0.3//m左右膜 厚之鈍化絕緣層3 7，依據微細加工技術在畫像顯示部外 之區域中，掃描線1 1之一部分5上和訊號線1 2之電極端 子6上和存儲電容線之電極端子形成區域上各形成有開口 部63、64、65，並選擇性除去開口 63、65內之鈍化絕緣 層37和閘極絕緣層30A、30B而露出掃描線之一部分5 和存儲電容量線之一部分75，各當作掃描線之電極端子5 和存儲電容線之電極端子，同時選擇性除去開口部64內 之鈍化絕緣層3 7而露出訊號線之電極端子6。 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光板而予以液 晶面板化，即完成本發明之第8實施例。關於存儲電容 1 5之構成，雖然如第1 5圖（e )例示有構成經由閘極絕 緣層3 0B平面性重疊對向電極（存儲電容線）〗6和畫素 電極（汲極電極）2 1的構成例（右下方斜線部5 0 )，但 是存儲電容1 5之構成並不限定此，即使爲在畫素電極2 1 和前段之掃描線1 1之間介存有包含閘極絕緣層3 0 A之絕 緣層的構成亦可。 第8實施例是在源極、汲極配線形成前，在掃描線上 -80- (79) 1304145 ，將感光性樹脂圖案84A、84B當作遮罩，選擇性 2非晶質矽層3 3、第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣周 第1金屬層而露出玻璃基板2。 如此一來，取得對應於也兼作閘極電極1 1 A 線1 1和對向電極1 6的多層膜圖案後，接著，當依 電漿等之灰化手段，將上述感光性樹脂圖案85 A 1 及8 5 B減少1 // m以上之膜厚時，感光性樹脂圖 則消失，如第7圖（b )和第8圖（b )所示般，露 非晶質矽層3 3 A、3 3 B，同時可僅在閘極電極1 1 A 描線‘ 1 1和訊號線1 2交差的附近區域上、對向電桓 訊號線1 2交差的附近區域上、存儲電容形成區域 素電極21和對向電極16交差的附近區域上，選擇 感光性樹脂圖案85A1〜85A5。上述氧氣電漿處理 異方性而抑制圖案尺寸之變化，使汲極配線形成工 遮罩配合精度不會下降爲佳，此已於先前敘述過。 接著，在閘極電極 H A之側面上形成絕緣層 此，雖然在第22圖所示之連接圖案78上，使用彈 之連接手段將+(正）電位供給至掃描線1 1，但是 鍍液組成之不同，即使供給-(負）電位亦可。對 層76即使是採用有機絕緣層和陽極氧化層之任一 〇 接著，如第1 7圖（C )和第1 8圖（c )所示般 光性樹脂圖案85C1〜85C5當作遮罩，在閘極電極 、掃描線1 1和訊號線I 2交差的附近區域上，選擇 除去第 ί 30及 之掃描 據氧氣 〜85Α5 案 85Β 出第2 上、掃 i 16和 ，和畫 性形成 是增強 程中之 7 6 〇因 簧夾等 依據電 於絕緣 者亦可 ，將感 1 1 A上 性殘留 -82- (80) 1304145 第2非晶質矽33 A和第1非晶質矽3 1 A和閘極絕緣層 3 0 A的疊層，並在對向電極1 6和訊號線1 2交差的附近區 域上、存儲電容形成區域上，和畫素電極2 1和對向電極 1 6交差的附近區域上，選擇性殘留第2非晶質矽3 3 B和 第1非晶質矽3 1 B和閘極絕緣層3 0B，同時蝕刻掃描線 1 1上之第2非晶質矽層33A和第1非晶質矽層31A和閘 極絕緣層3 0 A，並且蝕刻對向電極1 6上之第2非晶質矽 層33B和第1非晶質矽層3 1B和閘極絕緣層30B而露出 對向電極1 6。 然後，除去上述感光樹脂圖案85C1〜85C3之後，使 用SPT等真空製膜裝置，依序被覆例如膜厚左右 的Ti、Ta等之耐熱金屬薄膜層34當作耐熱金屬層，膜厚 0.3 v m左右之A1薄膜層35當作低電阻配線層。然後， 雖然如第1 7圖（d )和第1 8圖（d )所示般，依據微細加 工技術使用感光性樹脂圖案依序蝕刻該些薄膜層，選擇性 形成由34A、35A之疊層所構成也兼作畫素電極的絕緣閘 極型電晶體之汲極電極2 1，和也兼作源極配線的訊號線 1 2，和在畫像顯示部外之區域中於掃描線1 1之一部分上 的掃描線之電極端子5，和由訊號線之一部分所構成的電 極端子6，但是，在此與先行例相同，依序蝕刻第2非晶 質矽層33A及第1非晶質矽層31 A，第1非晶質矽層31A 是餘刻成剩下 〇. 〇 5〜0.1 // m左右。並且，即使在此，作 爲源極、汲極配線1 2、2 1之構成若爲舒緩電阻値之制約 者時，則亦可予以.簡化而成爲Ta、Cr、MoW合金等之單 -83- (81) 1304145 層。 源極、汲極配線12、21之形成後，使用PCVD 在玻璃基板2之全表面上被覆〇.3//m左右之膜厚 2SiNx層當作鈍化絕緣層37，如第17圖（e )和第1 (e)所示般，在電極端子5、6上和存儲電容線之電 子形成區域上選擇性地各形成開口部63、64、65 ’ 擇性除去各開口部內之第2 SiNx層而露出電極端子 之大部分，同時將所露出之存儲電容線之一部分或是 成在存儲電容線之一部分上的電極端子當作存儲電容 電極端子。 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光片而予 晶面板化，完成本發明之第9實施形態。關於存儲 1 5之構成，雖然如第1 7圖（e )例示有構成經由閘 緣層30B和第1非晶質矽層31B和第2非晶質矽層 的疊層而平面性重疊畫素電極（汲極電極）21和對 極（存儲電容線）16的構成例（右下方斜線部50 ) 是存儲電容1 5之構成並不限定此，即使爲於畫素電 前段之掃描線之間介存有含有閘極絕緣層之絕緣層的 亦可。再者，雖然其他構成也可能，但是在此省略其 說明。雖然無圖示，但是因於形成汲極配線1 2、2 1 ，存在有露出掃描線11之工程，故介存有半導體 OFF狀態之絕緣閘極型電晶體等之電阻性構件，則可 極、汲極配線材連接電極端子5、6間，可以賦予有 防靜電對策。 裝置 的第 8圖 極端 並選 5、6 被形 線之 以液 電容 極絕 33B 向電 ，但 極和 構成 詳細 之前 層或 以源 效之 -84- (82) 1304145 第9實施例中雖然鈍化絕緣層是使用SiNx層 因使用第7實施例中所採用之依據源極、汲極配線 之陽極氧化而所取得之鈍化層形成技術時，可以使 光罩取得IPS型之液晶顯示裝置，故將此以第10 予以說明。 (第1 〇實施例） 如第1 9圖（c )和第20圖（c )所示般，雖然 光性樹脂圖案8 5 C 1〜8 5 C 5當作遮罩，在閘極電極 、掃描線11和訊號線12交差的附近區域上，選擇 第2非晶質矽3 3 A和第1非晶質矽3 1A和閘極 30A的疊層，並在對向電極16和訊號線12交差的 域上、存儲電容形成區域上，和畫素電極21和對 1 6交差的附近區域上，選擇性殘留第2非晶質矽 第1非晶質矽3 1 B和閘極絕緣層3 0B，同時蝕刻 1 1上之第2非晶質矽層3 3 A和第1非晶質矽層3 1 極絕緣層3 0 A，並且蝕刻對向電極1 6上之第2非 層33B和第1非晶質矽層31B和閘極絕緣層30B 對向電極1 6的製造工程，是執行與第9實施例相 造工程，但是第1非晶質矽層3 1是以製造成〇 · 1 # 膜爲佳。 然後，除去上述感光樹脂圖案85C1〜85C3之 用SPT等之真空製膜裝置，依序被覆例如膜厚0.1 右的Ti、Ta等之耐熱金屬薄膜層34當作耐熱金屬 ，但是 和通道 用2道 實施例 到將感 1 1 A上 性殘留 絕緣層 附近區 向電極 3 3B和 掃描線 A和閘 晶質砂 而露出 同之製 m的薄 後，使 μ m左 層，膜 -85- (83) 1304145 厚0.3 // m左右之A1薄膜層3 5當作低電阻配線層。然後 ，雖然如第1 9圖（d )和第2 0圖（d )所示般，依據微細 加工技術使用感光性樹脂圖案87A、87B依序蝕刻該些薄 膜所構成之源極、汲極配線材，選擇性形成由34A ' 35 A 之疊層所構成，將成爲畫素電極之絕緣閘極型電晶體之汲 極電極2 1，和也兼作相同源極配線的訊號線1 2。對於源 極、汲極配線1 2、2 1之選擇性圖案形成，不需要蝕刻含 有雜質之第2非晶質矽層3 3 A，和不含有雜質之第1非晶 質矽層3 1 A。雖然於形成源極、汲極配線1 2、2 1之時， 也同時在畫像顯示部外之區域掃描線1 1之一部分上形成 掃描線之電極端子5，和由訊號線之一部分所構成之電極 端子6，但是，此時，依據半色調曝光技術事先形成對應 於電極端子5、6之區域8 7 A之膜厚（黑區域）例如爲3 /z m，和比對應於源極、汲極配線12、21的區域87B (中 間色調區域）之膜厚1 . 5 // m還厚的感光性樹脂圖案8 7 A 、8 7B，此則爲第10實施例之重要特徵。 源極、汲極配線1 2、2 1形成後，當依據氧氣電漿等 之灰化手段，將上述感光性樹脂圖案87A、87B削減1.5 // m以上之膜厚時，感光性樹脂圖案87B則消失而露出源 極、汲極配線1 2、2 1，同時可以僅在電極端子5、6上， 選擇性形成感光性樹脂圖案87C。在此，如第1 9圖（e ) 和第20圖（e )所示般，將感光性樹脂圖案87C當作遮罩 與第2實施形態相同地，一面照射光，一面陽極氧化源極 、汲極配線12、21而形成氧化層68、69，同時陽極氧化 -86- (84) 1304145 露出於源極、汲極配線1 2、2 1間之第2非晶質矽層3 3 A 和鄰接的第1非晶質矽層3 1 A之一部分，而形成屬於絕 緣層之含有雜質的氧化矽層66和不含有雜質之氧化矽層 (無圖示）。此時，也同時陽極氧化露出的掃描線1 1和 對向電極16而在該表面形成氧化層17。也如第22圖所 示般，因形成有並列捆束掃描線1 1之配線7 7和連接圖案 7 8，故可以容易同時與源極、汲極配線1 2、2 1之陽極氧 化實施掃描線1 1之陽極氧化。依據陽極氧化，掃描線1 1 和訊號線1 2交差的附近區域上，和對向電極1 6和訊號線 1 2交差的附近區域上，和存儲電容形成區域上，和畫素 電極2 1和對向電極1 6交差的附近區域上之第2非晶質矽 層33A、33B也被陽極氧化，變質成含有雜質之矽層66 和不含有雜質之氧化矽層（無圖示）。而且，也爲了在掃 描線1 1和對向電極1 6之上面形成絕緣層71，對於掃描 線1 1以可陽極氧化之金屬則可以選擇Ta單層、A1 ( Zr、 Ta)合金等之單層構成或是 Al/Ta、Ta/Al/Ta、Al/Al ( Ta 、Zr )合金等之疊層構成。該如之前所敘述般。 於陽極氧化完成後，當除去感光性樹脂圖案87C時’ 則如第19圖（f)和第20圖（f)所示般，露出於該側面 具有陽極氧化層，由低電阻金屬層35A所構成之電極端 子5、6。而且，以源極、汲極配線1 2、21之構成而言， 若爲舒緩電阻値之約制者時’則可予以簡化亦可設爲Τ a 之單層。 貼合如此所取得之主動基板2和彩色濾光片而予以液 -87- (85) 1304145 晶面板化，完成本發明之第1 0實施形態。關於存 15之構成，雖然如第19圖（f)例示有構成經由閘 緣層30B和第1非晶質矽層31B和第2非晶質矽層 的疊層而平面性重疊畫素電極（汲極電極）2 1和對 極（存儲電容線）1 6的構成例（右下方斜線部5 0 ) 是存儲電容1 5之構成並不限定此，即使爲於畫素電 前段之掃描線之間介存有含有閘極絕緣層之絕緣層的 亦可。並且，於第19圖（f)中，雖然無圖示，但是 形成汲極配線1 2、2 1之前，存在有露出掃描線1 1之 ，故介存有半導體層或OFF狀態之絕緣閘極型電晶 之電阻性構件，則可以源極、汲極配線材連接電極端 、6間，可以賦予有效之防靜電對策。 〔發明效果〕 如上所述，本發明所記載之液晶顯示之一部分， 時陽極氧化由可陽極氧化之源極、汲極配線材料所構 源極、汲極配線，和絕緣閘極型電晶體之通道表面， 成保護層（鈍化層），故不用另外的加熱工程，將非 矽層當作半導體層之絕緣閘極型電晶體不需要過度之 性。換言之，以形成鈍化效果則附加有不產生電氣性 化的效果。再者，對於源極、汲極配線之陽極氧化， 導入半色調曝光技術，則可選擇性保護掃描線或訊號 電極端子上，取得可以阻止增加光蝕刻工程數的效果 而且，將成爲絕緣閘極型電晶體之源極、汲極的 電容 極絕 33B 向電 ，但 極和 構成 因於 工程 體等 子5 因同 成之 而形 晶質 耐熱 能惡 依據 線之 〇 1對 -88- (86) 1304145 含有雜質之非晶質矽層的絕緣分離，因爲以陽極氧化使含 有雜質之非晶質矽層予以變質的電氣化學性手法，故不會 如以往般，有因通道半導體層之蝕刻時的損傷而導致絕緣 閘極型電晶體之電性特性惡化的可能性，再者，因可以將 成爲通道之不含有雜質之非晶質矽層減至最適當的膜厚而 予以製膜，故即使有關PCVD裝置之運轉率和粒子發生狀 況也有顯著改善。 可依據導入半色調曝光技術以相同之光罩處理掃描線 之形成工程和半導體層之島化工程，故刪減工程爲本發明 之主要目的，於在露出的掃描線之側面上賦予有機絕緣層 或是陽極氧化層時，同時存在於掃描線上之閘極絕緣層之 針孔也被有機絕緣層或是陽極氧化層掩埋，減少掃描線和 訊號線之間的層間短路，其副效果也具有相當之價値。 除此之外，依據導入擬似畫素電極使用相同之光罩同 時形成畫素電極和掃描線等之合理化，可以將光蝕刻工程 數刪減成比以往之5道更低，使用4道或3道光罩來製作 液晶顯示裝置，即使從液晶顯示裝置之成本刪減之觀點來 看，工業性之價値也極大。而且，該些工程之圖案精度並 不是那樣高，故也不會對量產率或品質有極大影響，容易 執行生產管理。 並且，因於第6實施形態之IPS型之液晶顯示裝置中 ，產生於對向電極和畫素電極之間的電場，僅被施加於液 晶層，第7實施例之IPS型之液晶顯示裝置中，被施加於 對向電極上之閘極絕緣層和液晶層和畫素電極上之陽極氧 -89· (87) 1304145 化層，再者，第10實施例之IPS型 被施加於對向電極上之陽極氧化層和 之陽極氧化層上，故任一者不介存有 絕緣層，也有不容易產生顯示畫像之 。該是汲極配線（畫素電極）之陽極 層還高_電阻層而發揮機能，故不產生 而且，本發明之要件由上述之說 道蝕刻型之絕緣閘極型電晶體，依據 入，可以相同之光罩處理掃描線之形 化工程，同時有在掃描線之側面上賦 極氧化層之點，關於除此之外的構成 極、閘極絕緣層等之材質或膜厚等爲 或是該製造方法之差異也屬於本發明 型液晶顯示裝置，本發明之應用性也 緣閘極型電晶體之半導體層也不限定 【圖式簡單說明】 第1圖是本發明之第1實施形態 半導體裝置之平面圖。 第2圖是本發明之第丨實施形態 半導體裝置之製造工程剖面圖。 第3圖是本發明之第2實施形態 半導體裝置之平面圖。 第4圖是本發明之第2實施形態 之液晶顯不裝置中， 液晶層和畫素電極上 以往般之劣質的鈍化 燒焦殘影現象的優點 氧化層因當作比絕緣 存儲電荷之故。 明明顯可知，對於通 半色調曝光技術之導 成工程和半導體之島 予有機絕緣層或是陽 ，閘極電極、畫素電 不同之液晶顯示裝置 之範疇，即使爲反射 不會改變，再者，絕 於非晶質矽。 所涉及之顯示裝置用 所涉及之顯示裝置用 所涉及之顯示裝置用 所涉及之顯示裝置用 ~ 90 · (88) 1304145 半導體裝置之製造工程剖面圖。 第5圖是本發明之第3實施形態所涉及之顯示裝置用 半導體裝置之平面圖。 第6圖是本發明之第3實施形態所涉及之顯示裝置用 半導體裝置之製造工程剖面圖。 第胃7圖是本發明之第4實施形態所涉及之顯示裝置用 半導體裝置之平面圖。 第8圖是本發明之第4實施形態所涉及之顯示裝置用 #導體裝置之製造工程剖面圖。 第9圖是本發明之第5實施形態所涉及之顯示裝置用 +導體裝置之平面圖。 第1 0圖是本發明之第5實施形態所涉及之顯示裝置 半導體裝置之製造工程剖面圖。 第11圖是本發明之第6實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之平面圖。 第1 2圖是本發明之第6實施形態所涉及之顯示裝置 半導體裝置之製造工程剖面圖。 第1 3圖是本發明之第7實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之平面圖。 第1 4圖是本發明之第7實施形態所涉及之顯示裝置 半導體裝置之製造工程剖面圖。 第1 5圖是本發明之第8實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之平面圖。 第1 6圖是本發明之第8實施形態所涉及之顯示裝置 -91 - (89) 1304145 用半導體裝置之製造工程剖面圖。 第1 7圖是本發明之第9實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之平面圖。 第1 8圖是本發明之第9實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之製造工程剖面圖。 第_ 1 9圖是本發明之第1 0實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之平面圖。 第20圖是本發明之第1 0實施形態所涉及之顯示裝置 用半導體裝置之製造工程剖面圖。 第21圖是第1、第2、第3、第5、第6、第7及第8 實施例中之連接圖案。 第22圖是第4、第9及第10實施例中之連接圖案。 第23圖是表示液晶面板之安裝狀態。 第24圖是液晶面板之等效電路圖。 第2 5圖是以往液晶面板之剖面圖。 第26圖是先行例之主動基板之平面圖。 第27圖是先行例之主動基板之製造工程剖面圖。 第28圖是被合理化之主動基板之平面圖。 第29圖是被合理化之主動基板之製造工程剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :液晶面板 2 :主動基板（玻璃基板） 3 :半導體積體電路晶片 -92- (90) (90)1304145 4 : TCP薄膜 5 :掃描線之電極端子、掃描線之一部分 6 :訊號線之電極端子、訊號線之一部分 9 ： 彩色濾光片（相向之玻璃基板） 1 〇 :絕緣閘極型電晶體 1 :掃描線 1 1 A :閘極配線、閘極電極 1 2 :訊號線（源極配線、源極電極） 16:共通電容線（IPS型中爲對向電極） 1 7 :液晶 1 9 :偏光板 2 0 :配向膜 21 :汲極電極（汲極配線，IPS型中爲畫素電極） 22 :(透明導電性之）畫素電極 30、 30A、30B、30C ：閘極絕緣層 31、 31A、31B、31C:第1非晶質矽層 33、 33A、33B、33C:第2非晶質矽層 34、 34A:(可陽極氧化之）耐熱金屬層 35、 35A :(可陽極氧化之）低電阻金屬層（A1) 36、 36A :(可陽極氧化之）中間導電層 3 7 :鈍化絕緣層 41 : IPS型液晶顯示裝置之畫素電極 42 : IPS型液晶顯示裝置之對向電極 50、51、52:存儲電容形成區域 -93- (91) 1304145 62:(汲極電極上之）開口部 63、 63A ··(掃描線上之）開口部 64、 64A :(訊號線上之）開口部 6 5、6 5 A :(對向電極上之）開口部 66:含有雜質之氧化矽層 68 :陽極氧化層（氧化鈦，Ti02 ) 69 :陽極氧化層（氧化鋁，Al2〇3 )
70 :陽極氧化層（五氧化鉬，Ta205 ) 7 1 :掃描線和存儲電容線上之陽極氧化層 72 :存儲電極
7 3 :掃描線之一部分 74 :訊號線之一部分 7 5 :存儲電容線之一部分 76 :被形成在掃描線之側面的絕緣層 80A、80B、81A、8 1 B、82A、82B、84A、84B、 85A1〜85A5、85B、87A、87B:(以半色調曝光所形成 )感光性樹脂圖案 83A :(用以形成畫素電極之）感光性樹脂圖案 91 :透明導電層 92 :第1金屬層 -94 -
Claims (1)
- 年月日修正本 97. 10. 0 1 1304145 第93109964號，97年10月修正頁 (1) 拾、申請專利範圍 1 · 一種底部閘極型之絕緣閘極型電晶體，其特徵爲： 在絕緣基板之一主表面上形成有閘極電極，在上述閘極電 極之側面上形成有絕緣層，並且在閘極電極上形成有1層 以上之閘極絕緣層和不含雜質之第1半導體層，在上述第 1半導體層上形成有將成爲閘極電極型電晶體之源極、汲 極的1對含有雜質之第2半導體層，在上述第2半導體層 和絕緣基板上形成有由包含耐熱金屬層之1層以上的金屬 φ 層所構成之源極、汲極配線。 2·如申請專利範圍第1項所記載之底部閘極型之絕緣 閘極型電晶體，其中，絕緣層爲有機絕緣層。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之底部閘極型之絕緣 閘極型電晶體，其中，閘極電極是由可陽極氧化之金屬層 所構成，絕緣層爲陽極氧化層。 4.如申請專利範圍第1項所記載之底部閘極型之絕緣 閘極型電晶體，其中，閘極電極是由透明導體層和金屬層 · 之疊層所構成，絕緣層爲有機絕緣層。 5·—種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面上 .至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶體 之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和被 連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成二 次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性絕 緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之間 而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： -95- (2) 1304145 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之金屬層所構成，其側面具有絕緣層的掃描線， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由1層以上之第2金屬層所構成之源極（訊號線）、汲 極配線， 在上述汲極配線上和閘極絕緣層上，於透明導電性之 畫素電極和畫像顯示部之外的區域上，形成有透明導電 性之電極端子， 在上述汲極配線上，和畫像顯示部外之區域中掃描線 和訊號線之電極端子形成區域上具有開口部之保護絕緣層 和透明樹脂層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， 上述掃描線之電極端子形成區域上之閘極絕緣層被除 去， . 包含有上述汲極配線上之開口部的透明導電性之畫素 電極，，和包含有電極端子形成區域上之開口部的透明導電 性之電極端子是被形成在上述透明樹脂層上。 6.—種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面上 至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶體 之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和被 連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成二 -96- (3) 1304145 次元之矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性 絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之 間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之金屬層所構成，其側面具有絕緣層的掃描線， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由1層以上之可陽極氧化之金屬層所構成之源極（訊號 線）、汲極配線，和包含有上述開口部之相同掃描線的電 極端子， 在上述汲極配線上和第1透明性絕緣基板上形成有透 明導電性之畫素電極，和於畫像顯示部外之區域中，在訊 號線上形成有透明導電性之電極端子， 除與上述汲極配線上之畫素電極重疊之區域和上述訊 號線之電極端子區域之外，在源極·汲極配線之表面上形 成有陽極氧化層， 在上述源極·汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 7.—種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面上 -97- (4) 1304145 至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶體 之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和被 連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成二 次元之矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性 絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之 間而所構成之液晶顯市裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描線和 透明導電層所構成之畫素電極， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可陽極氧化的金屬層 所構成之源極配線（訊號線）：和在上述第2半導體層上 和第1透明性絕緣基板上和上述畫素電極之一*部分上’形 成有相同汲極配線；在畫像顯示部外之區域中由訊號線之 一部分所構成之訊號線的電極端子，和包含有開口部之相 同掃描線的電極端子， 除上述訊號線之電極端子之外，在源極、汲極配線之 表面上形成有陽極氧化層， -98- (5) 1304145 在上述源極、汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 8 · —種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面上 至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶體 之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和被 連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成二 次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性絕 緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之間 而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描線； 第1金屬層被疊層於周圍部之透明導電性之畫素電極，和 第1金屬層被疊層於周圍部之一部分的透明導電性之訊號 線的電極端子， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上 述訊號線之電極端子之第1金屬層上形成有由包含有耐熱 金屬層之1層以上之第2金屬層所構成之源極配線（訊號 線），和在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上 和上述畫素電極之周圍部之第1金屬層的一部分上’形成 有相同汲極配線， -99- (6) 1304145 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線之電極端子形成 區域上具有第1開口部；相同在上述訊號線之電極端子上 具有第2開口部；在畫素電極上具有與上述周圍部之第1 金屬層內側連接之大小的第3開口部的保護絕緣層，是被 形成在上述第1透明性絕緣基板上，透明導電性之掃描線 的電極端子和訊號線之電極端子和畫素電極，是各露出於 上述第1、第2和第3開口部內。 9. 一種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面上 至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶體 之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和被 連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成二 次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性絕 緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之間 而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由透 明導電層和第1金屬層之疊層所構成’其側面上具有絕緣 層的掃描線和透明導電性之畫素電極， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層’ 於畫像顯示部外之區域中，於掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部，於開口部內露出有透明導電層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 -100- (7) 1304145 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可陽極氧化之金屬層 所構成之源極配線（訊號線）；在上述第2半導體層上和 第1透明性絕緣基板上和上述畫素電極之一部分上，形成 有相同汲極配線；於畫像顯示部外之區域中’由訊號線之 一部分所構成之訊號線之電極端子；和包含有上述開口部 之相同掃描線的電極端子’ 除上述訊號線之電極端子之外，在源極、汲極配線之 表面上形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砂層。 1 0 . —種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面 上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶 體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和 被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成 二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性 絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之 間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描 線， 在閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜 質之第1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， -101 - (8) 1304145 於上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由1層以上之第2金屬層所構成之源極（訊號線）、汲 極配線， 在上述汲極配線上，和畫像顯示部外之區域中掃描線 和訊號線之電極端子形成區域上具有開口部之保護絕緣層 和透明樹脂層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， 上述掃描線之電極端子形成區域上之閘極絕緣層是被 除去， 包含有上述汲極配線上之開口部的導電性之畫素電極 ，和包含有掃描線上和訊號線上的對向電極，和包含有電 極端子形成區域上之開口部的導電性之電極端子是被形成 在上述透明樹脂層上。 11 · 一種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面 上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶 體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和 被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成 二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性 絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之 間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描 線和對向電極， 於上述對向電極上形成有1層以上之閘極絕緣層，在 閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜質之第 -102- (9) 1304145 1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 於畫像顯示部外之區域中’在掃描線上之閘極絕緣層 上形成有開口部， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可陽極氧化之金屬層 所構成之源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素電極）； 包含上述開口部之相同掃描線的電極端子；和於畫像顯示 部外之區域中，由訊號線之一部分所構成之訊號線之電極 端子， 除上述訊號線之電極端子之外’在源極、汲極配線之 表面上形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間之第1半導體層上形成有氧 化砍層。 1 2. —種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面 上至少具有絕緣閘極型電晶體’兼作上述絕緣閘極型電晶 體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和 被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成 二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性 絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之 間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描 -103- (10) 1304145 線和對向電極，和於畫像顯示部外之區域中，由掃描線之 一部分所構成之掃描線的電極端子’ 於上述對向電極上形成有1層以上之閘極絕緣層’在 閘極電極上形成有1層以上之閘極絕緣層和不含雜質之第 1半導體層， 在上述第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘極型電晶 體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層， 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上形成 有由包含有耐熱金屬層之1層以上之第2金屬層所構成之 源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素電極）；和於畫像 顯示部外之區域中，由訊號線之一部分所構成之訊號線之 電極端子， 於上述掃描線和訊號線之電極端子上具有開口部之保 護絕緣層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上’ 露出有上述開□部內之電極端子。 1 3 . —種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面 上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶 體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和 被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成 二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明性 絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板之 間而所構成之液晶顯示裝置’其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之第1金屬層所構成’其側面上具有絕緣層的掃描 -104- (11) 1304145 線和對向電極， 於閘極電極上，掃描線和訊號線之交差點附近上’對 向電極和訊號線之交差點附近上，和對向電極和畫素電極 之交差點附近上形成有閘極絕緣層和不含有雜質之第1半 導體層， 於閘極電極上之第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘 極型電晶體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層 於掃描線和訊號線之交差點上，對向電極和訊號線之 交差點上，和對向電極和畫素電極之交差點上之第1半導 體層上，形成有含有雜質之第2半導體層， 於將成爲源極、汲極之1對第2半導體層和第1透明 性絕緣基板上形成有由包含有耐熱金屬層之1層以上之第 2金屬層所構成之源極配線（訊號線）、汲極配線（畫素 電極）；於畫像顯示部外之區域中，由訊號線之一部分所 構成之訊號線之電極端子；和包含掃描線之一部分的掃描 線之電極端子， 於上述掃描線和訊號線之電極端子上具有開口部之保 護絕緣層是被形成在上述第1透明性絕緣基板上， 露出有上述開口部內之電極端子。 1 4 · 一種液晶顯示裝置，是將液晶充塡於在一主表面 上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣閘極型電晶 體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的訊號線，和 被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫素被配列成 -105- (12) 1304145 二次元之矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述第1透明 性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩色濾光板 之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲： 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上形成有由1 層以上之第1金屬層所構成，其側面上具有絕緣層的掃描 線和對向電極， 在上述對向電極上形成有絕緣層或是另外的絕緣層， 於閘極電極上，掃描線和訊號線之交差點附近上，對 向電極和訊號線之交差點附近上，和對向電極和畫素電極 之交差點附近上形成有閘極絕緣層和不含有雜質之第1半 導體層， 於閘極電極上之第1半導體層上形成有將成爲絕緣閘 極型電晶體之源極、汲極之1對含有雜質的第2半導體層 於掃描線和訊號線之交差點上，對向電極和訊號線之 交差點上，和對向電極和畫素電極之交差點上之第1半導 體層上，形成有含有雜質之第2半導體層’ 於將成爲源極、汲極之1對第2半導體層和第1透明 性絕緣基板上形成有由包含有耐熱金屬層之1層以上之可 陽極氧化的金屬層所構成之源極配線（訊號線）、汲極配 線（畫素電極）；於畫像顯币部外之區域中’由訊號線之 一部分所構成之訊號線之電極端子；和包含掃描線之一部 分的掃描線之電極端子， 除上述電極端子上之外’在源極、汲極配線之表面上 -106- (13) 1304145 形成有陽極氧化層， 在上述源極、汲極配線間，和除掃描線和訊號線之交 差點外的掃描線和訊號線之交差點附近上，除對向電極和 訊號線之交差點外的對向電極和訊號線之交差點附近上， 和除對向電極和畫素電極之交差點外的對向電極和畫素電 極之交差點附近上的第1半導體體層上，形成有氧化矽層 〇 1 5 ·如申請專利範圍第5、6、7、8、9、1 0、1 1、1 2、 1 3或1 4項所記載之液晶顯示裝置，其中，被形成於掃描 線之側面的絕緣層爲有機絕緣層。 1 6 ·如申請專利範圍第 5、6、7、1 0、1 1、12、1 3或 14項所記載之液晶顯示裝置，其中，第1金屬層是由可 陽極氧化之金屬層所構成，被形成於掃描線之側面的絕緣 層爲陽極氧化層。 i 7 . —種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元之矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上 述第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者 彩色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具 有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 1層以上之第1金屬層，1層以上之閘極絕緣層，不含雜 -107- (14) 1304145 質之第1非晶質矽層和含有雜質之第2非晶質矽層的工程 f 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上之閘極絕緣層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 被覆1層以上之第2金屬層後，使可成爲與閘極電極 一部分重疊地選擇性形成由源極、汲極配線和訊號線之一 部分所構成之訊號線之電極端子的工程； 除去上述源極·汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 在上述第1透明性絕緣基板之全面上形成保護絕緣層 ，和於汲極配線上和畫像顯示部外之區域中，在掃描線之 電極端子形成區域和訊號線之電極端子上具有開口部之透 明樹脂層的工程； 選擇性地除去上述開口部內之保護絕緣層和閘極絕緣 層的工程；和 -108- (15) 1304145 將含有汲極配線上之開口部的透明導電性之畫素電極 ，形成在上述透明樹脂層上的工程。 H 一種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 1層以上之第1金屬層，1層以上之閘極絕緣層，不含雜 質之第1非晶質矽層和含有雜質之第2非晶質矽層的工程 9 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上之閘極絕緣層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後’在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； -109- (16) 1304145 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線之電極端子形成 區域上之閘極絕緣層上形成開口部而露出掃描線之一部分 的工程； 被覆1層以上之第2金屬層後，使可成爲與閘極電極 一部分重疊地選擇性形成源極、汲極配線，和在畫像顯示 部外之區域中由訊號線之一部分所構成之訊號線之電極端 子，和包含上述開口部之掃描線之電極端子的工程； 在第1透明性絕緣基板上和上述汲極配線之一部分上 形成透明導電性之畫素電極，和在上述掃描線和訊號線之 電極端子上形成透明導電性之電極端子的工程；和 將上述透明導電性之畫素電極和透明導電性之電極端 子的選擇性圖案形成所使用之感光性樹脂圖案當作遮罩， 一面保護畫素電極和電極端子，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程。 19.一種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 1層以上之第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜 質之第1非晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工 -110- (17) 1304145 程； 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； _ 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上之閘極絕緣層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 在第1透明性絕緣基板上形成透明導電性之畫素電極 的工程； 於畫像顯示部外之區域中，在掃描線之電極端子形成 區域上之閘極絕緣層上形成開口部而露出掃描線之一部分 ® 的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後’形成與閘極 電極一'部分重疊’與源極配線（訊號線）相问含有畫素電 極的汲極配線；含有上述開口部之掃描線之電極端子；和 在畫像顯示部外之區域中，對應於由訊號線之一部分所構 成之訊號線之電極端子，且掃描線和訊號線之電極端子上 之膜厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩’選擇性除去1層以 -111 - (18) 1304145 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露出源極、汲極 配線的工程；和 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質砂層的工程。 2 0.—種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元之矩陣的第1透明性絕緣基板’和與上 述第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者 彩色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置’其特徵爲：具 有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 透明導電層、第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含 雜質之第1非晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的 工程； 形成對應於掃描線，及掃描線和訊號線的擬似電極端 子及畫素電極，且閘極電極和掃描線和訊號線之交差區域 上之膜厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程 9 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩’而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層和 -112- (19) 1304145 透明導電層的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上、掃 描線和訊號線的擬似電極端子上及畫素電極上之第2非晶 質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 將上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案當作遮罩，依序 蝕刻掃描線上、掃描線和訊號線的擬似電極端子上及畫素 電極上之第2非晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層 ，而選擇性露出上述第1金屬層的工程； 除去上述感光性樹脂圖案之後，被覆1層以上之第2 金屬層的工程； 選擇性形成與閘極電極一部分重疊，含有訊號線之擬 似電極端子之一部分的源極配線（訊號線），和相同地含 有畫素電極之一部分的汲極配線的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 在上述第1透明性絕緣基板上形成在畫素電極上及畫 像顯示部外之區域中，於掃描線和訊號線之擬似電極端子 上具有開口部的保護絕緣層的工程；和 除去上述開口部內之第1金屬層而露出透明導電層的 工程。 2 1 . —種液晶顯示裝置之製造方法’是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 -113- (20) 1304145 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之 素被配列成二次元之矩陣的第1透明性絕緣基板， 述第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基 彩色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵 有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依 透明導電層、第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層 雜質之第1非晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質 工程； 形成對應於掃描線和畫素電極，且閘極電極上 比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金 透明導電層的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線 素電極上之第2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第 質矽層，而露出掃描線上和畫素電極上之閘極絕緣 程； 除去上述被減少膜厚的感光性樹脂圖案後，在 之側面上形成絕緣層的工程； 形成在畫素電極上和畫像顯示部外之區域中， 線之擬似端子上具有開口部的感光性樹脂圖案，選 去上述開口部內之閘極絕緣層和第1金屬層，而露 單位畫 和與上 板或者 爲 * 具 序被覆 、不含 石夕層的 之膜厚 第2非 屬層和 上和畫 1非晶 層的工 掃描線 於掃描 擇性除 出透明 -114- (21) 1304145 導電性之畫素電極和掃描線之一部分的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後，形成與閘極 電極一部分重疊，與源極配線（訊號線）相同含有畫素電 極的汲極配線；含有上述掃描線之一部分的掃描線之電極 端子；和在畫像顯示部外之區域中，對應於由訊號線之一 部分所構成之訊號線之電極端子，且掃描線和訊號線之電 極端子上之膜厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案 的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，選擇性除去1層以 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露出源極、汲極 配線的工程；和 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程。 22.—種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 -115- (22) 1304145 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質砂層的工程； 形成對應於掃描線且閘極電極上之膜厚比其他區域之 膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩’而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上之第 2非晶質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層，而露出掃描線上和畫素電極上之閘極絕緣層的工 程； 除去上述被減少膜厚的感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 被覆1層以上之第2金屬層後，選擇性形成與閘極電 極一部分重疊的源及配線（訊號線）、汲極配線（畫素電 極）的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 9 在上述第1透明性絕緣基板之全表面上形成保護絕緣 層，和在汲極配線上和畫像顯示部外之區域中，訊號線之 電極端子形成區域上具有開口部之透明樹脂層的工程； 選擇性除去上述開口部內之保護絕緣層和閘極絕緣層 的工程；和 -116- (23) 1304145 在上述透明樹脂層上，形成含有上述汲極配線上之開 口部的導電性畫素電極，和掃描線上和訊號線上相同之對 向電極的工程。 23 . —種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板’和與上述 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上’依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上之膜厚 比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上和對 向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質砂層，而露出掃描線上和對向電極上之閘極絕緣層的工 程； 除去上述被減少膜厚的感光性樹脂圖案後’在掃描線 -117- (24) 1304145 之側面上形成絕緣層的工程； 在畫像顯示部外之區域中，於掃描線之 區域上之閘極絕緣層，形成開口部而露出掃 的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後 電極一部分重疊的源極配線（訊號線）、汲 電極），和含有上述開口部之掃描線的電極 像顯示部外之區域中，對應於由訊號線之一 訊號線之電極端子，且掃描線和訊號線之電 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，選擇 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和 端子和源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露 配線的工程；和 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工 24.—種液晶顯示裝置之製造方法，是 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體， 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其 電極端子形成 描線之一部分 ，形成與閘極 極配線（畫素 端子，和在畫 部分所構成之 極端子上之膜 的工程； 性除去1層以 訊號線之電極 出源極、汲極 化源極、汲極 程。 將液晶充塡於 兼作上述絕緣 作源極配線的 等等之單位畫 板，和與上述 性基板或者彩 特徵爲：具有 -118- (25) 1304145 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上之膜厚 比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層和 透明導電層的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上和對 向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在閘極電極上選擇性殘留第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層而露出掃描線上和對向電極上之閘極絕緣層的工程 9 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案後，在掃描線 之側面上形成絕緣層的工程； 被覆1層以上之可陽極氧化之金屬層後，選擇性形成 與閘極電極一部分重疊之源極配線（訊號線）、汲極配線 (畫素電極）的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 在上述第1透明性絕緣基板上，形成在畫像顯示部外 之區域中，於掃描線和訊號線之電極端子形成區域上具有 開口部的保護絕緣層的工程；和 除去上述開口部內之閘極絕緣層的工程。 -119- (26) 1304145 2 5 · —種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上，和掃 描線和訊號線之交差點區域上，和對向電極和訊號線之交 差點區域上，和對向電極和畫素電極之交差點區域上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而露出掃描線上和對 向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 將上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案當作遮罩’依序 倉虫刻掃描線上和對向電極上之弟2非晶質砂層和弟1非曰曰 質矽層和閘極絕緣層，而選擇性露出上述第1金屬層的工 程； -120- (27) 1304145 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案之後，被覆1 層以上之第2金屬層的工程； 選擇性形成與閘極電極一部分重疊的源極配線（訊號 線）、（汲極配線），和在畫像顯示部外之區域中包含掃 描線之一部分的掃描線之電極端子，和由訊號線之一部分 所構成之訊號線之電極端子的工程； 除去上述源極、汲極配線間之第2非晶質矽層的工程 ;和 在上述第1透明性絕緣基板上形成在上述掃描線和訊 號線之電極端子上具有開口部的保護絕緣層的工程。 2 6.-種液晶顯示裝置之製造方法，是將液晶充塡於 在一主表面上至少具有絕緣閘極型電晶體，兼作上述絕緣 閘極型電晶體之閘極電極的掃描線，和也兼作源極配線的 訊號線，和被連接於汲極配線上之畫素電極等等之單位畫 素被配列成二次元矩陣的第1透明性絕緣基板，和與上述 第1透明性絕緣基板對向的第2透明性絕緣性基板或者彩 色濾光板之間而所構成之液晶顯示裝置，其特徵爲：具有 至少在第1透明性絕緣基板之一主表面上，依序被覆 第1金屬層、1層以上之閘極絕緣層、不含雜質之第1非 晶質矽層，和含有雜質之第2非晶質矽層的工程； 形成對應於掃描線和對向電極，且閘極電極上，和掃 描線和訊號線之交差點區域上，和對向電極和訊號線之交 差點區域上，和對向電極和畫素電極之交差點區域上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； -121 (28) 1304145 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，而依序蝕刻第2非 晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層和第1金屬層的 工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚而選擇性露出掃描線 上和對向電極上之第2非晶質矽層的工程； 在掃描線之側面上形成絕緣層的工程； 將上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案當作遮罩’依序 蝕刻掃描線上和對向電極上之第2非晶質矽層和第1非晶 質矽層和閘極絕緣層，而露出上述第1金屬層的工程； 除去上述被減少膜厚之感光性樹脂圖案之後’被覆1 層以上之可陽極氧化之金屬層的工程； 形成與閘極電極一部分重疊的源極配線（訊號線）、 汲極配線（畫素電極），和在畫像顯示部外之區域中包含 掃描線之一部分的掃描線之電極端子，和對應於由訊號線 之一部分所構成之訊號線之電極端子，且電極端子上之膜 厚比其他區域之膜厚還厚的感光性樹脂圖案的工程； 將上述感光性樹脂圖案當作遮罩，選擇性除去1層以 上之可陽極氧化之金屬層，而形成掃描線和訊號線之電極 端子和源極、汲極配線的工程； 減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，而露出源極、汲極 配線的工程； 一面保護上述電極端子上，一面陽極氧化源極、汲極 配線和源極、汲極配線間之非晶質矽層的工程；和 在上述對向電極上形成陽極氧化層的工程。 -122- (29) 1304145 2 7.如申請專利範圍第17項、第18項、第19項、第 20項、第21項、第22項、第23項、第24項、第25項 或第26項所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中’被 形成於掃描線之側面的絕緣層爲有機絕緣層，藉由電鍍而 所形成。 2 8·如申請專利範圍第17項、第18項、第19項、第20 項、第21項、第22項、第23項、第24項、第25項或第26項 所記載之液晶顯示裝置之製造方法，其中，第1金屬層是 由可陽極氧化之金屬所構成，被形成於掃描線之側面的絕 緣層是被陽極氧化所形成。 -123- l3〇m^ η (a) 年月日修正替換頁+ η 第1圖 (b) =«=c π_, I81巳⑽ 81 巳(11) 30B⑽ 30A(11)C Ι8Ό44465 年月日修正替換頁 第5圖 (a) ΓΊ (b) η81 巳(16) 81B(11) 81C 30B(16) 30A01) cc； ~33A^^======^= 30B(16) 30A01) (d)(e)IT TIΙ^δ4?45" 年月日修正替換頁 (a) 82B95 (iic^3?§ 82A 33A 31A 30A -q11A(微 1 __1 ψι UUL^JUU 11 82B 33B 么31已 ，30巳 (c) 30C 2 30A I 33A 76 V X VUmJu »11 11A 30B (e) 87A ⑹ 87A(5) ιμΒΒΙfl2)B (g) 1S-画 11A 1頸I I m |1(徵 T 第10 82B(94)2
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003182106A JP2005017669A (ja) | 2003-06-26 | 2003-06-26 | 液晶表示装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW200510886A TW200510886A (en) | 2005-03-16 |
| TWI304145B true TWI304145B (zh) | 2008-12-11 |
Family
ID=34182580
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093109964A TW200510886A (en) | 2003-06-26 | 2004-04-09 | Liquid crystal display and its manufacturing method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005017669A (zh) |
| TW (1) | TW200510886A (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006267877A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Quanta Display Japan Inc | 液晶表示装置とその製造方法 |
| EP1933293A4 (en) | 2005-10-05 | 2009-12-23 | Idemitsu Kosan Co | TFT SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING A TFT SUBSTRATE |
| WO2007063966A1 (ja) | 2005-12-02 | 2007-06-07 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ｔｆｔ基板及びｔｆｔ基板の製造方法 |
| WO2007088722A1 (ja) | 2006-01-31 | 2007-08-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板並びにそれらの製造方法 |
| JP2007212699A (ja) | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 反射型ｔｆｔ基板及び反射型ｔｆｔ基板の製造方法 |
| JPWO2008136505A1 (ja) | 2007-05-08 | 2010-07-29 | 出光興産株式会社 | 半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法 |
| US8481351B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-07-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate manufacturing method and liquid crystal display device manufacturing method |
| WO2012074000A1 (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-07 | シャープ株式会社 | 表示装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-06-26 JP JP2003182106A patent/JP2005017669A/ja active Pending
-
2004
- 2004-04-09 TW TW093109964A patent/TW200510886A/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2005017669A (ja) | 2005-01-20 |
| TW200510886A (en) | 2005-03-16 |
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|---|---|---|---|
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