TWI305288B

TWI305288B -

Info

Publication number: TWI305288B
Application number: TW93109980A
Authority: TW
Inventors: Kawasaki Kiyohiro
Original assignee: Quanta Display Inc; Quanta Display Japan Inc
Priority date: 2003-07-30
Filing date: 2004-04-09
Publication date: 2009-01-11
Also published as: TW200510884A; JP2005049667A; CN1591141A

Description

1305288 (1) 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明是關於具有彩色畫像顯示功能的液晶顯示裝置，尤其是關於主動（active )型的液晶顯示裝置。【先前技術】近年來，隨著微細加工技術、液晶材料技術及高密度安裝技術等技術的進步，5至5〇cm對角的液晶顯示裝置中，在商用基礎下大量提供電視畫像或各種畫像顯示機器。又，藉由在構成液晶面板之兩片玻璃基板的一邊，預先形成RGB的著色層，也比較容易實現彩色顯示。尤其各畫素內設有開關元件之所謂的主動式（active )液晶面板中，信號間串音（cross-talk )較少、反應速度也較快，保證得以獲致具有高對比値的畫像。 —般，這些液晶顯示裝置（液晶面板）是由200至1200 條之掃描線，3 0 0至1 6 0 0條左右之信號線的矩陣所編成，近來，可對應顯示容量增大之大畫面化和高精細化正同時進行中。

第2 8圖是顯示液晶顯示面板的安裝狀態，利用C 0 G (Chip-On-Glass)方式或 TCP (Tape-Carrier-Package)方式等安裝手段，將電性信號供給至畫像顯示部。該C 0 G方式，是使用導電性黏著劑，連接用以將驅動信號供給至掃描線電極端子群5的半導體積體電路晶片3，而該掃描線電極端子群5乃形成於構成液晶面板1 一邊的透明性絕緣 -4- (2) 1305288 基板例如玻璃基板2上。該T C P方式’是以聚醯亞胺系樹脂薄膜爲基底，利用含導電性媒介之適當黏著劑，將具有金或鍍銲錫銅箔端子的TCP薄膜4 ’壓接於信號線的電極端子群6而固定。此處’爲了方便說明，同時圖示了兩種安裝方式，而實際上適當選擇任一種方式即可。用來連接位於液晶面板1大致中央部之畫像顯示部內的畫素、和掃描線及信號線之電極端子5、6間的配線路是 7、8’不一定要使用與電極端子群5、6相同的導電材來構成。9是相對玻璃基板或彩色濾光片，即在相對面上具有與所有液晶晶胞共通之透明導電性相對電極的另一片透明性絕緣基板。第29圖是表示將絕緣閘極型電晶體丨〇配置於各畫素作爲開關元件之主動式液晶顯示裝置的等效電路圖，11 ( 第2 8圖是7 )是掃描線、1 2 (第2 8圖是8 )是信號線、1 3 是液晶晶胞’而液晶晶胞1 3係作爲電性的電容元件來處理。實線所描繪之元件類是形成於構成液晶面板之一邊的玻璃基板2上’點線所描繪之與所有液晶晶胞丨2共通的相對電極1 4則形成於另一邊玻璃基板9的相對主面上。在絕緣閘極型電晶體1 0之〇 F F電阻或液晶晶胞1 3之電阻較低時 '或重視顯示畫像之灰階性時，可設法增加電路設置，即將輔助儲存電容1 5與液晶晶胞丨3並聯而增設，而該輔助儲存電容1 5可增加作爲負載之液晶晶胞1 3的時間常數。此外’ 1 6是儲存電容1 5的共母線。第3 0圖是液晶顯示裝置之畫像顯示部的主要部位剖 -5- (3) 1305288 視圖’構成液晶面板1的兩片玻璃基板2、9，是藉由形成於樹脂性纖維（f i b e r )、珠粒（b e a d s )或彩色據光片9上支柱狀間隔件等間隔材（未圖示），隔著數μπι左右的預定間隔而形成’並且，其間隙（g ap )在玻璃基板9的周緣部，乃形成被有機性樹脂所構成之密封材和封口材（任一者皆未圖示）密封的密閉空間，而在該密閉空間中充塡液晶 17 ° 因爲彩色顯不進彳了時，是在玻璃基板9的密閉空間側，被覆含有稱爲著色層18之染料或顏料的任一者或兩者，而形成厚度1至2μηι左右的有機薄膜，以賦予顏色顯示的功能，所以此時，玻璃基板9的別名又稱爲彩色濾光片（ Color Filter略語爲CF)。繼之，按液晶材料17的性質，而在玻璃基板9的上面或玻璃基板2的下面之任一面或兩面上黏貼偏光板1 9，使液晶面板1具有電性光學元件的功能。目前，市面上販售的大部分液晶面板，都是在液晶材料上使用TN(twistnematic)系的構造，因此一般需要兩片偏光板。雖然圖中並未顯示，然而在透過型液晶面板中，乃配置有背面光源作爲光源，由下方照射白色光。與液晶1 7相連而形成於兩片玻璃基板2、9上之例如厚度0·1μπι左右的聚醯亞胺系樹脂薄膜20,是用以令液晶分子配向於定向的配向膜。2 1是用以連接絕緣閘極型電晶體1 〇之汲極、和透明導電性畫素電極2 2的汲極電極（配線），通常與信號線（源極線）1 2同時形成。位於信號線 12和汲極電極21之間的是半導體層23，而該半導體層23 -6 - (4) 1305288 稍後會詳細說明。在彩色濾光片9上，形成於著色層1 8 交界之厚度〇_1μιη左右的Cr薄膜層24，是用來防止外部光入射至半導體層23和掃描線1 1及信號線1 2的光遮蔽構件，這就是所謂黑色矩陣（Black Matrix，略語BM )的慣用技術。於此，說明作爲開關元件之絕緣閘極型電晶體的構造和製造方法。目前，常用的絕緣閘極型電晶體有兩種，其中一種稱爲蝕刻終止（e t c h - s t ο p )型，這在習知例中介紹過。第31圖是構成習知液晶面板之主動式基板（顯示裝置用半導體裝置）的單位畫素平面圖。第32圖是表示第31 圖（e )之A — A，、B — B ’及C — C ’線的剖視圖，以下簡單說明其製造步驟。首先，如第31圖（a)和第32圖（〇所示，在厚度 0.5至1 · 1 μιη左右的玻璃基板2，例如康寧公司製.商品名 1737的一主面上，使用SPT (濺鍍）等真空製膜裝置，被覆膜厚0.1至〇·3μηι左右的第1金屬層，作爲耐熱性、耐藥品性和透明性高的絕緣性基板’並且，利用微細加工技術，選擇性地形成兼具閘極電極11Α的掃描線〗丨和儲存電容線1 6。就掃描線材質而言，綜合考慮耐熱性、耐藥品性、耐氫氟酸性和導電性後，一般選擇使用Cr、Ta、Μo W合金等耐熱性高的金屬或合金° 爲了因應液晶面板的大畫面化和高精細化，降低掃描線的電阻値，使用A L (鋁）作爲掃描線的材料是合理的，但由於AL是單體且耐熱性低’所以目前採用的技術是層 -7- (5) 1305288 積上述耐熱金屬之Cr、Ta、Mo或這些的砂化物，或者，在AL表面，利用陽極氧化附加氧化層（Al2〇3 )。也就是說，掃描線1 1是由一層以上的金屬層所構成。

繼之，在玻璃基板2的整面上，使用PC VD (電漿化學氣相沉積）裝置，以例如0 _ 3 — 0 · 0 5 — 0 · 1 μ m左右的膜厚，依序被覆三種薄膜層：作爲閘極絕緣層的第1 S iNx (氮化矽）層3 0 ;和作爲幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體的通道的第1非晶質矽（a - S i )層3 1 ;和作爲保護通道的絕緣層的第2 SiNx層32，並且如第31圖（b )和第32圖（b )所示，利用微細加工技術，選擇性地殘留閘極電極1 1 A 上的第2 S iNx層3 2，使其寬幅比閘極電極1 1 A更細而形成32D，露出第1非晶質砂層31。

接著，同樣使用PCVD裝置，以例如0.05μηι左右的膜厚，整面被覆例如含磷的第2非晶質矽層3 3作爲雜質後，如第31圖（c)和第32圖（c)所示，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚〇· 1 μηι左右的例如Ti、Cr、Mo 等薄膜層34,作爲耐熱金屬層；和膜厚0·3μιη左右的例如 Α1薄膜層3 5，作爲低電阻配線層；和膜厚0 · 1 μπι左右的例如Ti薄膜層3 6，作爲中間導電層，繼之，利用微細加工技術，選擇性地形成：由作爲源極·汲極配線材之這三種薄膜層34 A、3 5 A、3 6A層積所構成的絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1、和兼具源極電極的信號線1 2。該選擇性圖案的形成方式，是以源極·汲極配線形成時所使用的感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻Ti薄膜層3 6、A1薄膜層3 5 -8- (6) 1305288 、Ti薄膜層3 4後，再去除源極.汲極電極12、21間的第 2非晶質矽層33，而露出第2SiNx層32D’同時亦於其他區域去除第1非晶質矽層3 1，而露出閘極絕緣層3 0。如上所述，因爲具有作爲通道保護層之第2SiNx層32D’故第 2非晶質矽層3 3的蝕刻會自動終止’所以該製法即稱爲蝕刻終止。以絕緣閘極型電晶體不會形成偏置（offset)構造之方式，使源極.汲極電極1 2、2 1與蝕刻終止層3 2 D在平面上呈部分（數μπι)重疊。由於該重疊部分在電性上具有寄生電容的作用，故小構造即可，但因爲是由曝光機的對準精度、光罩的精度和玻璃基板的膨脹係數及曝光時的玻璃基板溫度所決定，故實際的數値頂多2 μηι左右。再者，去除上述感光性樹脂圖案後，與閘極絕緣層同樣地，使用PC VD裝置，在玻璃基板2的整面，被覆膜厚 0.3 μ m左右的S iNx層作爲透明性絕緣層，而形成鈍化（ passivation)絕緣層37，然後，如第31圖（d)和第32 圖（d )所示，利用微細加工技術，選擇性地去除鈍化絕緣層3 7，形成：開口部6 2，其位於汲極電極21上；和開口部6 3，其位於畫像顯示部以外的區域且形成有掃描線1 i 之電極端子5的部位；和開口部64，其位於形成有信號線 12之電極端子6的部位，而露出汲極電極21、掃描線11 和部分信號線1 2。在儲存電容線1 6 (平行綁束的圖案電極 )上形成開口部65，而露出部分儲存電容線1 6。最後’使用SPT等真空製膜裝置，被覆例如IT0( Indium (7) 1305288 一 Tin - Oxide)或 IZO( Indium - Zinc- Oxide)’ 如第 31

圖（e )和第3 2圖（e )所示’利用微細加工技術’含開口部62地在鈍化絕緣層37上選擇性地形成畫素電極22 ’而完成主動式基板2。亦可將開口部63內露出的部分掃描線 1 1設爲電極端子5，將開口部64內露出的部分信號線1 2 設爲電極端子6，亦可如圖示那樣’含開口部63、64地在鈍化絕緣層3 7上，選擇性地形成由ITO所構成的電極端子 5A、6A，一般，連接電極端子5A、6A間的透明導電性短路線40也會同時形成。此處雖未圖示，然而，之所以如此是因爲將電極端子5A、6A和短路線40間形成細長的線（ stripe )狀，可高電阻化而形成靜電對策用高電阻之故。同樣地，可含開口部6 5地形成儲存電容線1 6的電極端子。

信號線1 2的配線電阻不會造成問題時，就不一定要使用由A1構成的低電阻配線層3 5，此時，若選擇C r、Ta、 Mo等耐熱金屬材料的話，可將源極·汲極配線1 2、2 1單層化、簡化。藉此構成，源極·汲極配線使用耐熱金屬層，來確保與第2非晶質矽層電性連接是很重要的，另外，關於絕緣閘極型電晶體的耐熱性，則詳細記載於習知例之日本特開平7 — 743 68號公報。此外，第3 1圖（c )中，儲存電容線1 6和汲極電極2 1，介著閘極絕緣層3 0呈平面重疊的區域5 0 (右下斜線部），係形成有儲存電容1 5，但是，在此省略其詳細的說明。上述5道光罩·製程（mask· process)是半導體層之島化（islanding )步驟的合理化、和接觸形成步驟減少一 -10- (8) 1305288 次所獲得的結果’此處省略說明其詳細的原委。當初’需要使用7至8道左右，藉由光罩與乾鈾刻技術的導入’目前減少爲5道’這對於製程成本（process cost )的降低有相當大的助益。爲了降低液晶顯示裝置的生產成本’有效的方式是降低主動式基板之製作步驟中的製程成本（ p r 〇 c e s s c 〇 s t )，再者，降低面板組裝步驟和模組安裝步驟中的構件成本，此乃爲眾所週知的開發目標。此外，爲了降低製程成本，具有；使製程縮短之步驟數刪減、和廉價製程開發或製程的置換等方式，此處例舉以4道光罩，製得主動式基板的4道光罩製程，來說明步驟的減少。4道光罩·製程係藉由半色調曝光技術的導入，來減少照相蝕刻步驟，第33圖是對應於4道光罩製程之主動式基板的單位畫素平面圖，第34圖是表示第33圖（e)之A—A’、B —B ’及C — C ’線的剖視圖。如上所述，目前較常使用的絕緣型電晶體有2種，在此使用的是通道型的絕緣閘極型電晶體。首先，與5道光罩製程（mask . process )同樣地，在玻璃基板2的一主面上，使用SPT等真空製膜裝置，被覆膜厚0.1至〇_3μηι左右的第1金屬層，接著，如第33圖（ a )和第3 4圖（a )所示地，利用微細加工技術，選擇性地形成兼具閘極電極Π A的掃描線1 1和儲存電容線1 6。繼之，在玻璃基板2的整面，使用PC VD (電漿化學氣相沉積）裝置，以例如〇·3— 〇·2— 0·05μιη左右的膜厚，依序被覆三種薄膜層：作爲閘極絕緣層之S i Ν X層3 0 ;和 1305288 Ο) 質極 » 耐電爲微極極成 ( 置區空即解析正之作爲幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體通道的第1非晶砂層3 1 ;和作爲含雜質之絕緣閘極型電晶體之源極·汲的第2非晶質矽層33。接著，使用SPt等真空製膜裝置依序被覆：膜厚Ο.ίμηι左右的例如Ti薄膜層34，作爲熱金屬層；和膜厚〇.3μηι左右的A1薄膜層35，作爲低阻配線層；和膜厚〇 · 1 μ m左右的例如Ti薄膜層3 6，作中間導電層，亦即，依序被覆源極.汲極配線材。利用細加工技術，選擇性地形成絕緣閘極型電晶體的汲極電 2 1、和兼具源極電極的信號線1 2，而該選擇圖案形成時最大特徵係如第3 3圖（b )和第3 4圖（b )所示地，源 •汲極間之通道形成區域80B (斜線部）的膜厚例如形爲1 · 5 μ m，比源極·汲極配線形成區域8 0 A ( 1 2 )、8 0 A 21 )的膜厚3μιη更薄的感光性樹脂圖案80A、80B。由於此種感光性樹脂圖案80A、80B在液晶顯示裝用基板的製作中，通常使用正性感光性樹脂，所以源極汲極配線形成區域80A爲黑色，即形成Cr薄膜；通道域8 0 B爲灰色，即形成例如寬度0 · 5至1 μ m左右之線/ 行間距（line and space )的Cr圖案；其他區域爲白色，使用去除Cr薄膜的光罩即可。由於灰色區域，曝光機的析度不足，故線/空行間距（1 i n e a n d s p a c e )無法被解，可使發自光源的光罩照射光透過一半左右，因此依據感光性樹脂的殘膜特性，可獲致具有第34圖（b )所示剖面形狀的感光性樹脂圖案80A、80B ° 以上述感光性樹脂圖案8 0 A、8 0B作爲光罩，如第 34 (10) 1305288

圖（b)所示地依序触刻：Ti薄膜層36、AL薄膜層35、 Ti薄膜層3 4、第2非晶質矽層3 3及第1非晶質矽層3 1，而露出閘極絕緣層3 0後，如第3 3圖（c )和第3 4圖（c )所示，利用氧電漿等灰化（a s h i n g )手段，令感光性樹脂圖案80A、80B的膜厚，減少例如3μηι至1.5μηι以上時，感光性樹脂圖案80Β消失，而露出通道區域，同時僅可在源極·汲極配線形成區域上殘留80C ( 12 )、80C ( 21 ) 。在此，以膜厚減少的感光性樹脂圖案80C ( 12 )、80C ( 2 1 )作爲光罩，再依序蝕刻源極·汲極配線間（通道形成區域）的Ti薄膜層、AL薄膜層、Ti薄膜層、第2非晶質矽層3 3 A及第1非晶質矽層3 1 A，使第1非晶質矽層3 1 A 殘留約〇 . 〇 5至0 . 1 μιη左右。由於源極·汲極配線係藉由蝕刻金屬層後，殘留0.05至0.1 μιη左右的第1非晶質矽層

3 1 Α而製成者，故以此製法獲致的絕緣閘極型電晶體乃稱爲通道蝕刻。此外，爲了抑制上述氧電漿處理時圖案尺寸產生變化，故以加強向異性爲佳，其理由後續會闡述。再者，去除上述感光性樹脂圖案80C ( 12 )、80C ( 21 )後，與5道光罩製程同樣地，如第3 3圖（d )和第3 4 圖（d)所示地，在玻璃基板2整面，被覆0.3μιη左右膜厚的SiNx層作爲透明性絕緣層，而形成鈍化絕緣層37 ’在形成汲極電極2 1和掃描線1 1和信號線1 2之電極端子的區域上’分別形成開口部62、63、64，接著，去除開口部63 內的鈍化絕緣層3 7和閘極絕緣層3 0，而露出部分掃描線 11’同時去除開口部62、64內的鈍化絕緣層37’而露出 -13- (11) 1305288 部分汲極電極2 1和部分信號線1 1。最後’使用SPT等真空製膜裝置，被覆例如IT〇或IZ〇 ’作爲膜厚0.1至〇.2μηι左右的透明導電層，如第33圖（ e )和第3 4圖（e )所示，利用微細加工技術，在鈍化絕緣層3 7上’含開口部6 2地選擇性形成透明導電性畫素電極 22’而完成主動式基板2。關於電極端子，在此係於鈍化絕緣層37上’含開口部63、64而選擇性地形成由IT0構成的透明導電性電極端子5Α、6Α。【發明內容】 (發明所欲解決之課題）藉此構成’由於在5道光罩.製程和4道光罩製程中 ’對於汲極電極2 1和掃描線1 1的接觸形成步驟是同時完成的，故與此等對應之開口部62、63內的絕緣層厚度和種類是不同的。鈍化絕緣層3 7相較於閘極絕緣層3 〇，製膜溫度較低且膜質較低劣’利用氫氟酸系蝕刻液施行蝕刻時，兩者的蝕刻速度分別爲數1000Α/分、數100Α/分，相差一位數，而且，基於汲極電極2 1上之開口部6 2的剖面形狀上部，發生過度蝕刻而無法控制孔徑的理由，所以採用使用氟系氣體的乾式触刻（dry-etch)。即使採用乾蝕刻時，由於汲極電極2 1上的開口部62 僅爲鈍化絕緣層37，所以與掃描線i 1上的開口部63相比較’無法避免過度蝕刻，而依照材質之不同，有時會有中間導電層3 6 A因蝕刻氣體而導致膜厚減少的情形。又，一 _ -14 - (12) 1305288 般，蝕刻結束後，欲去除感光性樹脂圖案時，首先爲了去除氟化表面的聚合物，故利用氧電漿灰化，將感光性樹脂圖案的表面，減少0.1至0.3μηι左右，然後’再使用有機剝離液，例如東京應化工業株氏會社製的剝離液1 〇6 ’進行藥液處理。而當中間導電層3 6 Α的膜厚減少’呈露出基底鋁層35A的狀態時，利用氧電漿灰化處理，在鋁層35A 的表面形成作爲絕緣體之AL203，致使其與畫素電極22間無法獲得歐姆接觸。在此，亦可將膜厚設爲例如〇.2 Pm ’ 使中間導電層3 6 A膜厚減少，即可避免此問題發生。或者，開口部62至65形成時，去除鋁層35A，露出作爲基底耐熱金屬層之Ti薄膜層34A後，再形成畫素電極22亦是解決對策，而此時具有從最初即不需要中間導電層3 6 A的優點。然而，以前者的對策而言，當這些薄膜之膜厚的面內均勻性不良時，此配合不一定可有效地發揮作用’此外’ 當蝕刻速度的面內均勻性不良時，也是完全同樣的情形。後者的對策雖可不需要中間導電層3 6 A，但是’會增加鋁層35A的去除步驟，此外，當開口部62的剖面控制不充足時，恐怕會有畫素電極22發生斷裂的虞慮。再加上，通道鈾刻型的絕緣閘極型電晶體中，通道區域之不含雜質的第1非晶質矽層3 1 ’沒有事先被覆某程度的厚度（通常爲0.2 μ m以上）時’會對玻璃基板的面內的均勻性產生很大的影響’電晶體特性’特別是OFF電流容易發生不一致的現象。這點對pcVD的運轉率和粒子發生 (13) 1305288 狀況有很大的影響，從生產成本觀點來看，是非常重要的事項。再者，由於適用於4道光罩製程的通道形成步驟，是選擇性地去除源極·汲極配線1 2、2 1間的源極·汲極配線材和含雜質的半導體層，所以是用來決定大幅左右絕緣閘極型電晶體之ON特性之通道長度（目即的量產品是4至 6 μιη )的步驟。由於該通道長度的變動會使絕緣閘極型電晶體的ON電流値產生大幅變化，所以一般都會要求嚴謹的製造管理。然而，現狀，通道長度即半色調曝光區域的圖案尺寸，乃受到曝光量（光源強度和光罩的圖案精度，尤其是線/空行間距尺寸）、感光性樹脂的塗布厚度、感光性樹脂的顯影處理、以及該蝕刻步驟之感光性樹脂膜厚減少量等諸多參數的影響，再加上此等諸量的面內均勻性’ 所以不一定可以在良率高且穩定的狀態生產，必須有較以往的製造管理，更加嚴格的製造管理，因此不敢說一定會有高水準的產出。特別是通道長度爲6μηι以下時’隨著鈾刻圖案膜厚的減少，對圖案尺寸產生的影響很大’這傾向很明顯。本發明是有鑒於此現狀而開發者’其目的不僅在於避免以往5道光罩製程或4道光罩製程’共同在接觸形成時產生的不良情況，藉由採用製造餘裕度（margin )較大的半色調曝光技術，來實現製造步驟的減少。又’要實現液晶面板的低價格化，因應需求的增加’必須銳意追求更少的製造步驟數，而藉由將其他主要製造步驟簡略化或低成 -16- (14) 1305288 本化的技術’得以提升本發明的價値。 (用以解決課題之手段）本發明中’首先藉由將半色調曝光技術，適用在圖案精度管理容易施行的掃描線形成步驟、和供掃描線電性連接用的接觸形成步驟’以實現製造步驟的減少。繼之，爲了僅將源極·汲極配線有效地鈍化（p a s s i v a t i 〇 n )，融合習知技術之日本特開平2 - 2 1 6 1 29號公報所揭示，在鋁所構成之源極·汲極配線的表面，形成絕緣層的陽極氧化技術 ’以實現製程的合理化和低溫化。再者，如習知技術之日本特開平8- 136951號公報所揭示，將畫素電極之形成步驟合理化的構成適用於本發明。又，爲了更減少步驟，源極·汲極配線陽極氧化層之形成亦適用半色調曝光技術，以將電極端子之保護層形成步驟合理化。申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第 1透明性絕緣基板係由一主面上至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線之畫素電極的單位畫素係配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成有由一層以上的金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜 -17- (15) 1305288 質的第1半導體層；在上述第1半導體層上’形成寬幅比間極電極运細的保護絕緣層，在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層與含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化之金屬層層積所構成的源極 (信號線）汲極配線、和同樣地含上述開口部週邊之第1 半導體層的掃描線電極端子；在上述部分汲極配線上和第1透明性絕緣基板上，形成透明導電性的畫素電極，在畫像顯示部以外區域的信號線上，形成透明導電性的電極端子；及除了與上述汲極配線之畫素電極重疊的區域和信號線電極端子的區域外，在源極·汲極配線的表面，形成陽極氧化層。藉此構成，閘極絕緣層係以相同於掃描線的圖案寬度形成者，在掃描線的側面賦予不同於閘極絕緣層的其他絕緣層，而掃描線和信號線可形成交差。這是本發明液晶顯示裝置在構造上的共同特徵。此外，由於在源極.汲極間的通道上’形成保護絕緣層以保護通道，同時在信號線和汲極配線的表面’形成作爲絕緣性陽極氧化層之5氧化鉅 (Ta205 )、或氧化鋁（Al2〇3 )，以賦予鈍化（passivati〇n )功能’故不需將鈍化絕緣層被覆於玻璃基板的整面，且 -18- (16) 1305288 絕緣閘極型電晶體的耐熱性不會產生問題。於是’可獲致具有透明導電性電極端子的TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上’形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和透明導電性畫素電極與信號線的電極端子，在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層，在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，在畫像顯示部以外的區域，去除掃描線上的閘極絕緣層，而露出作爲掃描線之電極端子的透明導電層，在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述信號線的部分電極端子上，形成由含雜質之第2半導體層和含耐熱金屬層之一層以上的第2 金屬層的層積所構成的源極配線（信號線），以及在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣地形成汲極配線；及在上述源極·汲極配線上，形成感光性有機絕緣層。藉此構成，因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道，同時在源極· 汲極配線的表面，可形成感光性有機絕緣層，以賦予鈍化 -19- (17) 1305288 功能，故不需將鈍化絕緣層被覆於玻璃基板的整面，而絕緣閘極型電晶體的耐熱性不會產生問題。於是，可獲致具有透明導電性電極端子的TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上’形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域’去除掃描線上的閘極絕緣層，而露出作爲部分掃描線的透明導電層；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層、和含耐熱金屬層之一層以上之第2金屬層的層積所構成的源極配線（信號線）；以及在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上’同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述部分掃描線的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域’形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外’在信號線上形成感光性有機絕緣層。 -20- (18) 1305288 藉此構成，因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道，同時在信號線 (源極配線）的表面，可形成感光性有機絕緣層，以賦予鈍化功能，故可獲致與申請專利範圍第2項所記載之液晶顯示裝置同樣的效果。於是，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層，在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，去除掃描線上的閘極絕緣層，而露出作爲部分掃描線的透明導電層；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層、和含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化之金屬層的層積所構成的源極配線（信號線）；以及在上述部分保護絕緣層上和第1 半導體層上和第I透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述部分掃描線 -21 - (19) 1305288 的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外，在源極·汲極配線上形成陽極氧化層。藉此構成，因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道’同時在信號線和汲極配線的表面，形成作爲絕緣性陽極氧化層之5氧化鉬（Ta205 ) '或氧化鋁（Al2〇3 )，以賦予鈍化功能，故可獲致與申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置同樣的效果。於是，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第 1透明性絕緣基板係由一主面上至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成之相對電極的單位畫素係配列成二維矩陣，其特徵爲至少在第〗透明性絕緣基板的一主面上，形成有由一層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極； •22- (20) 1305288 在上述相對電極上，形成一層以上的閘極絕緣層，以及在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質之第2半導體層和含耐熱金屬層之一層以上之第2金屬層的層積所構成的源極配線 (信號線）、汲極配線（畫素電極）；以及同樣形成含上述開口部週邊之第1半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外，在信號線上形成感光性有機絕緣層。藉此構成，由於畫素電極和相對電極係形成於玻璃機板上，在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道，同時在信號線和汲極配線的表面，可形成作爲絕緣性陽極氧化層之5氧化钽（Ta205 )、或氧化鋁（A12〇3 ) ，以賦予鈍化功能，故可獲致與申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置同樣的效果。於是，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的ips型液晶顯示裝置。申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特 -23- (21) 1305288 徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕和相對電極；在上述相對電極上，形成一層以上的閘及在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線在上述部分保護絕緣層上和第1半導體明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導金屬層之一層以上可陽極氧化之金屬層的層極配線（信號線）、汲極配線（畫素電極）；含上述開口部週邊之第1半導體層的掃描線及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信信號線電極端子；除了上述信號線之電極端子上之外，在線的表面形成陽極氧化層。藉此構成，由於畫素電極和相對電極係板上，在源極·汲極間的通道上，可形成保護通道，同時在信號線和汲極配線的表面，緣性陽極氧化層之5氧化钽（Ta205 )、或氧，形成有由一緣層的掃描線極絕緣層，以和不含雜質的極電極還細的的閘極絕緣層 » 層上和第1透體層和含耐熱積所構成的源以及同樣形成電極端子；以號線所構成的源極·汲極配形成於玻璃機護絕緣層以保可形成作爲絕化銘（A ] 2 〇 3 ) (22) 1305288 ，以賦予鈍化功能，故可獲致與申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置同樣的效果。於是，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的IP S型液晶顯示裝置。申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第 1透明性絕緣基板係由一主面上至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線之畫素電極的單位畫素係配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極.汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線的透明導電層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第丨透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線、 -25- (23) 1305288 和同樣形成含上述開口部的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域’形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及上述畫素電極上和上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第1透明性絕緣基板上。藉此構成，因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在主動式基板上，可形成習知之鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極·汲極配線。又，由於對於掃描線的接觸形成步驟、和對於鈍化絕緣層的開口部形成步驟是獨立的，故不會如習知5道光罩製程所示，發生接觸不穩定的疑慮，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的IPS型液晶顯示裝置。申請專利範圍第8項之液晶顯示裝置亦同樣地’其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上’形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上’形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在書像顯示部以外的TS域’於'掃描線上的閘極絕緣層 -26- (24) 1305288 形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線之透明導電層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上’形成由含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第1 透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上’同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述開口部的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；除了上述信號線的電極端子外，在源極·汲極配線的表面形成陽極氧化層；及在上述源極·汲極配線間的第1半導體層上，形成氧化砂層。藉此構成，因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在源極·汲極間的通道上，可形成氧化矽層以保護絕緣閘極型電晶體的通道，同時在信號線和汲極配線的表面，可形成作爲絕緣性陽極氧化層之5氧化鉬（Ta2〇5)、或氧化銘（AI2O3)，以賦予鈍化功能，故可獲致與申請專利範圍第1項所記載之 TN型液晶顯示裝置同樣的效果。申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的 -27- (25) 1305288 掃描線和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線之透明導電層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；在上述畫素電極上和上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第1透明性絕緣基板上。藉此構成，因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在主動式基板上，可形成習知的鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極·汲極配線。又，由於掃描線的接觸形成步驟、和鈍化絕緣層的開口部形成步驟是獨立的，故不會如習知5道光罩製程所示，發生接觸不穩定的疑慮，故可獲致 -28- (26) 1305288 與信號線具有相同金屬性之電極端子的IPS型液晶顯示裝置。然而，由於當通道長度縮短時，爲了要實現高良率，嚴謹的製造管理是必要的，而且也必須留意畫素電極的膜厚減少。申請專利範圍第1 〇項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和將第1金屬層層積於週邊部之一部分的透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線之透明導电層，在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上’形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述畫素電極週邊部之部分第1金屬層上’ 同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述開口部週邊之第 1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子 29- (27) 1305288 ;及在上述畫素電極上和上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層’係形成於上述第1透明性絕緣基板上。藉此構成’因爲透明導電性畫素電極係與掃描線同時形成，所以會自動地形成於玻璃基板上。在主動式基板上，可形成習知之鈍化絕緣層’以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極·汲極配線。又’由於掃描線的接觸形成步驟、和鈍化絕緣層的開口部形成步驟是獨立的，故不會如習知5道光罩製程所示，發生接觸不穩定的疑慮，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的TN型液晶顯示裝置。然而，由於當通道長度縮短時，要實現高良率，必須有嚴謹的製造管理’但是，畫素電極膜厚減少的情形不易發生，是一種容易製造的裝置。申請專利範圍第1 1項之液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第 1透明性絕緣基板係由一主面上至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成之相對電極的單位畫素係配列成二維矩陣，其特徵爲至少在弟1透明性絕緣基板的一主面上，形成由一層 -30- (28) 1305288 以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極；在上述相對電極上形成一層以上的閘極絕緣層’在閘極電極上形成一層以上的閛極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在畫像顯示部以外的區域’於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）；以及同樣形成含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子 ;以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及在上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第1透明性絕緣基板上。藉此構成，因爲畫素電極和相對電極係形成於玻璃基板上，所以主動式基板上，可形成習知之鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極·汲極.配線。又，由於掃描線的接觸形成步驟、和鈍化絕緣層的開口部形成步驟是獨立的，故不會如習知5道光罩製程所示，發生接觸不穩定的虞慮，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的IPS型液晶顯示裝置。然而，當通道縮短時，爲了實 (29) 1305288 現高良率，嚴謹的製造管理是必要的。申請專利範圍第1 2項之液晶顯示裝置亦同樣地，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由一層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極；在上述相對電極上，形成一層以上的閘極絕緣層，以及在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層所構成的源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）；以及同樣形成含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；除了上述信號線之電極端子外，在源極·汲極配線的表面形成陽極氧化層；及在上述源極·汲極配線間的第1半導體層上，形成氧化砂層。藉此構成，由於畫素電極和相對電極係形成於玻璃機 -32- (30) 1305288 板上’在源極.汲極間的通道上，可形成氧化矽層以保護絕緣閘極型電晶體的通道，同時在信號線和汲極配線的表面’可形成作爲絕緣性陽極氧化層之5氧化钽（Ta20 5 )、或氧化鋁（A12 0 3 )，以賦予鈍化功能，在相對電極上形成閘極絕緣層，故可獲致與申請專利範圍第1項所記載之液晶顯示裝置同樣的效果。於是，可獲致與信號線具有相同金屬性之電極端子的IPS型液晶顯示裝置。申請專利範圍第1 3項之液晶顯示裝置係如申請專利範圍第 1、 2、 3、 4、 5、 6、 7、 8、 9、 10、 11、 12 項所記載，其中，形成於掃描線側面的絕緣層是有機絕緣層。藉此構成，不管掃描線的材質或構成爲何，可藉由電鍍法在掃描線的側面形成有機絕緣層，且可使用半色調曝光技術，以一道光罩，連續處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟〇申請專利範圍第1 4項之液晶顯示裝置係如申請專利範圍第1、5、6、11、12項所記載，其中，第1金屬層是由可陽極氧化的金屬層所構成，而形成於掃描線側面的絕緣層是陽極氧化層。藉此構成，可藉由陽極氧化在掃描線的側面形成陽極氧化層，且可使用半色調曝光技術，以一道光罩，連續處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟。申請專利範圍第1 5項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第1項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：一層以上的金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜 -33- (31) 1305288 質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線，在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保 δ蒦絕緣層、和弟1非晶質砂層、和闊極絕緣層、和第1金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，以與上述保護絕緣層呈部分重疊之方式，形成源極（信號線）·汲極配線、和含上述部分掃描線的掃描線電極端子的步驟；在上述第1透明性絕緣基板上和部分汲極配線上，形成透明導電性畫素電極；和在畫像顯示部以外的區域於信號線上，形成透明導電性電極端子；和在上述掃描線的電極端子上，形成透明導電性電極端子的步驟；及以使用於上述畫素電極和電極端子之選擇圖案形成的 -34- (32) 1305288 感光性樹脂圖案作爲光罩，一邊保護透明導電性畫素電極和透明導電性電極端子，一邊將源極·汲極配線施以陽極氧化的步驟。藉此構成，可使用一道光罩，處理掃描線的形成步驟和掃描線之電性連接所需的接觸形成步驟，以實現照相蝕刻步驟數的減少。而且，接觸係與掃描線自行整合而形成者，掃描線的側面則賦予不同於閘極絕緣層的其他絕緣層 ’而掃描線和信號線可形成交差。這是本發明液晶顯示裝置製法上的共通特徵。此外，由於在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道，同時在畫素電極形成時，藉由將源極·汲極配線施以陽極氧化，亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，可使用4道光罩來製作TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第1 6項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第2項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和畫素電極及掃描線和信號線的電極端子，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域’形成掃描線和信號線之電極端子形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金 (33) 1305288 屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出畫素電極上和掃描線與信號線之電極端子形成區域上之保護絕緣層的步驟：在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上和掃描線與信號線之電極端子區域上的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層 ’而露出透明導電性的畫素電極、和掃描線的電極端子、和信號線的電極端子的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；及被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，以與上述保護絕緣層呈部分重疊之方式，形成含信號線的部分電極端子且表面具有感光性有機絕緣層的源極配線（信號線）、和同樣含部分畫素電極之汲極配線的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少 '和使用一片光光罩’處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少’得以同時實現。此外，在源極·汲極間的通道上’可形成保護絕緣層以保護通道，同時源極·汲極配線形成時’僅在源極·汲極配線上，選擇性地殘留感光性有機絕緣層’以此 -36- (34) 1305288 方式’亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果’使用3道光罩，即可製作TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第1 7項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第3項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆： h明導電層、和弟1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和畫素電極及掃描線的電極端子，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之電極端 +形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出畫素電極上和掃插線之電極端子形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上和掃描線之電極端子區域上的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層 '和第1金屬層’而露出透明導電性的畫素電極、和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面’被覆含雜質之第 -37- (35) 1305288 2非晶質矽層的步驟；及被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後’與上述保護絕緣層呈部分重疊’且對應於源極配線（信號線）、和同樣地含部分畫素電極之汲極配線、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子’而形成信號線上的膜厚比其他區域更厚的感光性有機絕緣層圖案的步驟；以上述感光性有機絕緣層圖案作爲光罩’選擇性地去除第2金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；及減少上述感光性有機絕緣層圖案的膜厚，而露出汲極配線和掃描線和信號線的電極端子的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少、和使用一道光罩，處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少，得以同時實現。此外，在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道，同時源極·汲極配線形成時，使用半色調曝光技術，僅在信號線上選擇性地殘留感光性有機絕緣層，以此方式’亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，使用3道光罩即可製作TN型液晶顯示裝置〇申請專利範圍第1 8項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第4項所記載，其特徵爲具備下列步驟： -38- (36) 13〇5288 至少在第1透明性絕緣基板的一主面上’依序被覆：逸明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和畫素電極及掃描線的電極端子’在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域’形成掃描線之電極端子形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出畫素電極上和掃描線之電極端子形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上和掃描線之電極端子區域上的保護絕緣層、和第〗非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性的畫素電極、和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質砂層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層，與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣地含部分畫素電極之汲極配線、和含上述部分 -39- (37) 1305288 掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯不部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子’而形成掃描線和信號線之電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除可陽極氧化的金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出源極汲極配線的步驟；及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極·汲極配線施以陽極氧化的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少、和使用一道光罩，處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相鈾刻步驟數的減少，得以同時實現。此外，在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道，同時源極·汲極配線形成時，使用半色調曝光技術，在源極·汲極配線上選擇性地形成陽極氧化層，以此方式，亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，使用3道光罩即可製作TN型液晶顯示裝置〇申請專利範圍第1 9項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第5項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆： -40- (38) 1305288 一層以上的第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序鈾刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層' 和閘極絕緣層、和第1金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出接觸形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線和相對電極的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域之保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線） •汲極配線（畫素電極）、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成信號線上的膜厚比其他區域更厚的感光性有機絕緣層圖案的步驟； -41 - (39) 1305288 以上述感光性有機絕緣層圖案作爲光罩’選擇性地去除第2金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層’ 而形成源極.汲極配線 '和掃描線與信號線的電極端子的步驟；及減少上述感光性有機絕緣層圖案的膜厚’而露出汲極配線和掃描線與信號線的電極端子的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理掃描線與相對電極之形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少，得以實現。此外’在源極·汲極間的通道上，可形成保護絕緣層以保護通道’ 同時在源極·汲極配線形成時，使用半色調曝光技術，僅在信號線上選擇性地殘留感光性有機絕緣層，以此方式，亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，使用3道光罩，即可製作IP S型液晶顯示裝置。申請專利範圍第20項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第6項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：一層以上的第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域 ’形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的 _光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層的步驟； -42 - (40) 1305288 減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線和相對電極的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域之保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和部分信號線所構成的信號線電極端子’ 而形成上述電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性地去除可陽極氧化的金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質砂層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂層圖案的膜厚’而露出汲極·源極配線的步驟，及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極·汲極配線施以陽極氧化的步驟。 -43- (41) 1305288 藉此構成，使用一道光罩，處理掃描線與相對電極之形成步驟、和接觸形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少，得以實現。此外，在源極·汲極間的通道上，可形成有保護絕緣層以保護通道，同時源極·汲極配線形成時，使用半色調曝光技術，僅在源極·汲極配線上選擇性地形成陽極氧化層，以此方式，亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，使用3道光罩，即可製作IPS型液晶顯示裝置。申請專利範圍第2 1項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第7項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序触刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第i 金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻： -44- i (42) 1305288 畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性的畫素電極、和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成第2非晶質矽層、和第 1非晶質矽層，而露出掃描線上的閘極絕緣層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，以與閘極電極呈部分重疊之方式，選擇性地形成源極配線（信號線）、和同樣含上述部分畫素電極的汲極配線、和含上述部分掃描線的掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子的步驟：去除上述源極·汲極配線間之第2非晶質矽層的步驟 :及在畫素電極上及掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1透明性絕緣基板上的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少、和使用一道光罩，處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相鈾刻步驟數的減少，得以同時實現。此外，在主動式基板上，可形成習知的鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極.汲極配線。結果’使用4道光罩，即可製作TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第22項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第8項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆： -45- (43) !3〇5288 透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第i 金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性畫素電極和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成第2非晶質矽層、和第 1非晶質矽層，而露出掃描線上的閘極絕緣層的步驟；與被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣含部分畫素電極之汲極配線、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成掃描線和信號線之電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的 -46- (44) 1305288 步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除可陽極氧化的金屬層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性有機絕緣層圖案的膜厚，而露出汲極 •源極配線的步驟；及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極·汲極配線和源極·汲極配線間的非晶質矽層施以陽極氧化的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少、和使用一道光罩，處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少，得以同時實現。此外，在源極·汲極間的通道上，可形成氧化矽層以保護通道，同時源極·汲極配線形成時，使用半色調曝光技術，在源極·汲極配線上選擇性地形成陽極氧化層，以此方式，亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，使用3道光罩即可製作TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第23項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第9項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層' 和不含雜質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其 -47- (45) 1305288 他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1 金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，鈾刻·‘ 畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性畫素電極和部分掃描線的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣含上述部分畫素電極之汲極配線、和源極·汲極配線間的通道區域、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成上述通道區域的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除第2 金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層，而選擇性地形成源極.汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚’而露出上述通道區域之第2金屬層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性 -48- (46) 1305288 地去除上述通道區域之第2金屬層、和第2非晶質矽層的步驟；及在畫素電極上及掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1透明性絕緣基板上的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少、和使用一道光罩，處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少，得以同時實現。與習知之4道光罩製程同樣地，半導體層的形成 (島化）步驟、和源極·汲極配線的形成步驟，亦可使用同一光罩來處理，以達成照相蝕刻步驟數的減少。此外，在主動式基板上可形成習知之鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極·汲極配線。結果，使用3道光罩即可製作TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第24項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第1 0項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第〗非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序鈾刻：上述第 -49- (47) 1305288 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第！金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層’而露出由第1金屬層所構成之畫素電極和部分掃描線的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣含上述部分畫素電極之汲極配線、和源極.汲極配線間的通道區域、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成上述通道區域的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除第2 金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層，而選擇性地形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出上述通道區域之第2金屬層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除上述通道區域之第2金屬層、和第2非晶質矽層，同時去除畫素電極上的第I金屬層，而露出透明導電性畫 -50- (48) 1305288 素電極的步驟；及在上述透明導電性的畫素電極上及掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1 透明性絕緣基板上的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理畫素電極和掃描線之照相蝕刻步驟數的減少、和使用一道光罩，處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟之照相蝕刻步驟數的減少，得以同時實現。與習知之4道光罩製程同樣地，半導體層的形成 (島化）步驟、和源極·汲極配線的形成步驟，亦可使用同一道光罩來處理，以達成照相蝕刻步驟數的減少。此外，在主動式基板上可形成習知之鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極·汲極配線。結果，使用3道光罩即可製作TN型液晶顯示裝置。申請專利範圍第23項和申請專利範圍第24項的差異是，由透明導電層和第1金屬層的層積所構成，且將接觸形成時露出之模擬畫素電極端子和構成模擬電極的第1金屬層’於該時點加以去除，或於後續之源極·汲極配線形成時加以去除。申請專利範圍第25項之液晶顯不裝置的製造方法係如申請專利範圍第1 1項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第 1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域 -51 - (49) 1305288 ，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；與以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質砂層、和第1非晶質砂層、和鬧極絕緣層、和第1 金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後’與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）、和源極·汲極配線間的通道區域、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成上述通道區域的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性地去除第2 金屬層、和第2非晶質政層、和第1非晶質砂層’而^擇性地形成源極.汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出上述通道區域之第2金屬層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性 -52- (50) 1305288 地去除上述通道區域之第2金屬層、和第2非晶質矽層的步驟；及在上述掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1透明性絕緣基板上的步驟。藉此構成，使用一道光罩，處理掃描線與相對電極的形成步驟和接觸形成步驟之照相飩刻步驟數的減少，得以同時實現。與習知之4道光罩製程同樣地，半導體層的形成（島化）步驟、和源極·汲極配線的形成步驟，亦可使用同一道光罩來處理，以達成照相蝕刻步驟數的減少。此外，在主動式基板上可形成習知的鈍化絕緣層，以保護絕緣閘極型電晶體的通道和源極汲極配線。結果，使用3 道光罩即可製作IP S型液晶顯示裝置。申請專利範圍第26項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第1 2項所記載，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第 1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1 金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域 -53- (51) 1305288 上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成第2非晶質矽層、和第 1非晶質矽層，而露出掃描線上和相對電極上之閘極絕緣層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線） -汲極配線（畫素電極）、和含上述部分掃描線的掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成掃描線和信號線之電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除可陽極氧化的金屬層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出源極·汲極配線的步驟；一邊保護上述電極端子上’一邊將源極·汲極配線和源極.汲極配線間的非晶質矽層施以陽極氧化的步驟。藉此構成，使用一道光罩’處理掃描線與相對電極之形成步驟、和接觸形成步驟之照相蝕刻步騾數的減少得以實現。此外，在源極·汲極間的通道上’可形成保護絕緣 -54- (52) 1305288 層以保護通道，同時源極·汲極配線形成時，使用半色調曝光技術，在源極·汲極配線上選擇性地形成陽極氧化層，以此方式，亦可減少鈍化絕緣層形成時不必要的製造步驟，結果，使用3道光罩，即可製作IP S型液晶顯示裝置〇申請專利範圍第27項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第 15、 16、 17' 18、 19、 20、 21、 22、 23 、24 ' 25 ' 26項所記載，其中，形成於掃描線側面的絕緣層是有機絕緣層，且藉由電鍍形成者。藉此構成，不管掃描線的材質或構成爲何，可藉由電鍍法在掃描線的側面形成有機絕緣層，且可使用半色調曝光技術，以一道光罩，連續處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟。申請專利範圍第2 8項之液晶顯示裝置的製造方法係如申請專利範圍第1 5、1 9、2 0、2 5、2 6項所記載，其中，第1金屬層是由可陽極氧化的金屬層所構成，而形成於掃描線側面的絕緣層是藉由陽極氧化形成者。藉此構成，可藉由陽極氧化在掃描線的側面形成陽極氧化層，且可使用半色調曝光技術’以一道光罩，連續處理掃描線形成步驟和接觸形成步驟。 (發明之效果）本發明所記載之液晶顯示裝置的一部分中，絕緣閘極型電晶體係在通道上具有保護絕緣層，故僅在畫像顯示部內的源極·汲極配線上、或僅在信號線上，選擇性地形成 -55- (53) 1305288 感光性有機絕緣層，或將可陽極氧化之源極·汲極配線材所構成的源極·汲極配線施以陽極氧化，而在其表面形成絕緣層，藉此方式，可賦予主動式基板鈍化（passivation )功能。同樣地，本發明所記載之液晶顯示裝置的其他一部分中，係藉由陽極氧化在通道上形成氧化矽層，將可陽極氧化之源極·汲極配線材所構成的源極·汲極配線與通道同時施以陽極氧化，而在其表面形成絕緣層，藉此方式，可賦予主動式基板鈍化功能。因此，製作構成這些液晶顯示裝置之主動式基板時，不需具備特別的加熱步驟，以非晶質矽層作爲半導體層的絕緣閘極電晶體，不需要過度的耐熱性。換言之，藉由鈍化形成，具有不會發生電性性能劣化的附加效果。此外，源極汲極配線進行陽極氧化時，藉由半色調曝光技術的導入，可選擇性地保護掃描線或信號線的電極端子，而可獲致得以阻止照相蝕刻步驟數增加的效果。本發明的宗旨在於，可藉由半色調曝光技術的導入，以一道光罩來處理掃描線的形成步驟、和供掃描線電性連接的接觸形成步驟，來達成步驟的減少，其構造的特徵是藉由在露出的掃描線側面，形成有機絕緣層或陽極氧化層，使掃描線和信號線得以交叉。又，藉由模擬畫素電極的導入，將畫素電極和掃描線以一道光罩來形成等的合理化，可將照相蝕刻步驟數從習知的5道進一步地減少，而使用4道或3道光罩來製作液晶顯 -56- (54) 1305288 示裝置’從液晶顯示裝置之成本減少的觀點來看的話，工業的價値極大。而且，這些步驟的圖案精度要求不是那麼的高，所以不會對良率或品質造成很大的影響，因此生產管理也比較容易實施。再者，第5實施例之IPS型液晶顯示裝置中，相對電極和畫素電極間所生的電場，僅施加於相對電極上的閘極絕緣層和液晶層，第6實施例和第1 2實施例之IPs型液晶顯示裝置中，同樣可施加於相對電極上的閘極絕緣層和液晶層與畫素電極的陽極氧化層，故任一者皆不會存有習知之諸多缺陷的劣質鈍化絕緣層，具有難以產生顯示畫素之燒焦殘影現象的優點。這是因爲汲極配線（畫素電極）的陽極氧化層，相較於絕緣層，可發揮高電阻層之功能，所以不會產生電荷蓄積之故。又，本發明之必要條件，由上述說明即可知悉，製作主動式基板時，可藉由半色調曝光技術的導入，以一道光罩來處理掃描線（與相對電極）的形成步驟、和接觸形成步驟之處理，同時在所露出的掃描線（與相對電極）的側面，形成有機絕緣層或陽極氧化層。關於除此之外的構成，畫素電極、閘極絕緣層等材質或膜厚等不同的顯示裝置用半導體裝置、或者其製造方法的差異皆屬於本發明的範疇，就使用垂直配向液晶的液晶顯示裝置或反射型液晶顯示裝置而言，本發明的實用性亦不變，再者，絕緣閘極型電晶體的半導體層亦不侷限於非晶質矽。 -57- (55) 1305288 【實施方式】茲參佐第1圖至第27圖，說明本發明之實施例。第1 圖是本發明第1實施例之顯不裝置用半導體裝置（主動式基板）的平面圖。第2圖是第1圖之a— A’線和B—B’線及C - C，線之製造步驟的剖面圖。同樣的’第2實施例是以第3圖和第4圖，第3實施例是以第5圖和第6圖，第 4實施例是以第7圖和第8圖，第5實施例是以第9圖和第1 〇圖，第6實施例是以第Π圖和12圖，第7實施例是以第13圖和第14圖，第8實施例是以第15圖和第16圖，第9實施例是以第1 7圖和第1 8圖，第1 0實施例是以第 1 9圖和第20圖，第1 1實施例是以第21圖和第22圖，第 12實施例是以第23圖和第24圖，分別表示主動式基板的平面圖和製造步驟的剖面圖。此外，與習知例同樣的部位，則附以相同的符號以省略詳細的說明。 (第1實施例）第1實施例係與習知例同樣的，首先，在玻璃基板2 的一主面上，使用SPT等真空製膜裝置，被覆膜厚0.1至 0·3μηι左右的例如Cr、Ta、Mo等或這些的合金、或砍化物 ’作爲第1金屬層。由繼後的說明得知，本發明在形成於閘極絕緣層側面的絕緣層，選擇有機絕緣層時，掃描線材料幾乎沒有限制，然而，在形成於閘極絕緣層側面的絕緣層’選擇陽極氧化膜層時，則該陽極氧化層必須具有絕緣性’此時若將Ta單體的電阻較高、和AL單體缺乏耐熱性 -58- (56) 1305288 列入考慮的話，爲了達成掃描線的低電阻化，掃描線的構成須選擇AL ( Zr、Ta、Nd )合金等單層構成、或AL/ Ta 、Ta/ AL/ Ta、AL/ AL ( Ta、Zr、Nd )合金等層積的構成。此外，AL ( Ta、Zr、Nd )乃意味著添加數％以下之Ta 、Zr或Nd等耐熱性高的AL合金。繼之，使用PCVD裝置，在玻璃基板2整面，以0.3 —0.05— Ο.ίμηι左右的膜厚，依序被覆：作爲閘極絕緣層的第ISiNx層30、和幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體所屬的第1非晶質矽層3 1、和用以保護通道之作爲絕緣層的第 2 SiNx層32等三種薄膜層。然後，如第1圖（a)和第2 圖（a )所示，利用半色調（h a 1 f t ο n e )曝光技術，形成比對應於開口部63 A、65 A之接觸形成區域8 1 B的膜厚例如 1 μιη，及對應於掃描線1 1和儲存電容線1 6之區域8 1 A的膜厚2μηι更薄的感光性樹脂圖案81A、81B。接著，以感光性樹脂圖案8 1 A、8 I Β作爲光罩，選擇性地去除第2 SiNx 層3 2、第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣層3 0、和第1金屬層，而露出玻璃基板2。由於接觸的大小具有與電極端子相當之一般爲1 〇 μιη以上的大小，故用以形成8丨B (中間調區域）的光罩製作、或成品尺寸的精度管理皆可容易地施行。之後’利用氧氣電漿等灰化手段，使上述感光性樹脂圖案8 1 A、8 1 B的膜厚減少]μηι以上時，如第1圖（b )和第2圖（b )所示’感光性樹脂圖案8 1 B消失，而露出開口部63A、65A內的第2 SiNx層32A、32B，同時可在掃描 (57) 1305288 線11上和儲存電容線1 6上’選擇性地形成感光性樹脂圖案81C。由於感光性樹脂圖案81C(黑區域）’即鬧極電極 11A的圖案寬度，是保護絕緣層的尺寸加上光罩對準精度，所以保護絕緣層設爲10至12μιη，對準精度設爲土3μηι 時，最小也有16至18μπι，尺寸精度並不嚴格要求。又，掃描線1 1和相對電極1 6的圖案寬度，由電阻値的關係，一般係設定在1 Ομπι以上。然而，從蝕刻圖案8 1 Α變換至 8 1 C時，當蝕刻圖案的膜厚等向性減少1 μιη時，尺寸不僅會減少2μιη，後續保護絕緣層形成時，光罩對準精度會縮小1 μιη，而形成± 2 μηι，在製程上後者的影響較前者嚴重。因此，上述氧氣電漿處理中，要抑制圖案尺寸的變化時，以加強向異性爲佳。具體而言，以RIE( Reactive Ion Etching )方式、具有高密度電漿源之ICP ( Inductive Coupled Plasama)方式 '或 TCP (Transfer Coupled Plasama)方式的氧電漿處理爲佳。或者，理想的情況是，估算蝕刻圖案的尺寸變化量，將鈾刻圖案8 1 A的圖案尺寸重新設計得較大，以獲致製程上的對應。繼之’如第2圖（b )所示，在閘極電極1 1 A的側面形成絕緣層76。因此，如第25圖所示，必須具有與掃描線1 1 (儲存電容線1 6也一樣，此處則省略圖示）並列綁束之配線7 7、和在玻璃基板2的外周部供陰極塗裝或陽極氧化時用以賦予電位之連接圖案78，再者，使用根據電漿 CVD之非晶質矽層3丨和氮化矽層3 〇、3 2之適當電漿手段的製膜區域79，乃限定在靠連接圖案78的內側，至少必 -60- (58) 1305288 須露出連接圖案78。在連接圖案78上，使用具有銳利刀鋒之鱷魚夾等連接手段，戳破連接圖案7 8上的感光性樹脂圖案8 1 C ( 7 8 )，賦予+(正）電位，令玻璃基板2浸透於以乙二醇爲主成分的反應液中以進行陽極氧化時，若掃描線1 1爲AL系合金的話，則可以例如反應電壓200V，形成具有0.3μηι膜厚的鋁（AL203)。電鍍時，如月刊「高分子加工」2002年11月號文獻所示，含側苯羧苯之聚醯亞胺電鍍液，以數V的電鍍電壓，形成具有0.3 μιη膜厚的聚醯亞胺樹脂層。在露出之掃描線1 1和儲存電容線1 6的側面形成絕緣層時，應留意的事項是，後續製造步驟中若沒有解除掃描線11的並聯時，不僅會對主動式基板2的電氣檢查造成妨礙，對液晶顯示裝置的實際動作也會有所妨礙。這是後續實施例的共同事項，以解除手段而言，可利用雷射光照射使之蒸散、或利用刮除之機械式去除，相當簡單，而此處省略詳細的說明。絕緣層76形成後，如第1圖（c )和第2圖（c )所示，以感光性樹脂圖案8 1 C作爲光罩，選擇性地蝕刻開口部 63 A、65Α內的第2 SiNx層32Α、32Β、第1非晶質矽層 31A、31B、和閘極絕緣層30A、30B，而分別露出掃描線 1 1的一部分7 3和相對電極1 6的一部分7 5。去除感光性樹脂圖案8 1 C後，如第1圖（d )和第2 圖（d )所示，利用微細加工技術，選擇性地蝕刻閘極電極 11A上的第2 SiNx層32A，使32A的寬幅小於閘極電極ilA ，而形成第2 SiNx層3 2D (飩刻終止層、通道保護層、保 -61 - (59) 1305288 護絕緣層），同時露出掃描線11上的第1非晶質矽層3 1 A 和儲存電谷線16上的第1非晶質砂層31B。此時，雖未圖示，但有需要的話，若事先在露出之掃描線11的一部分 73和相對電極1 6的一部分75，以感光性樹脂加以覆蓋，則掃描線1 1的一部分73和相對電極1 6的一部分75，在閘極絕緣層3 0 A ' 3 0B蝕刻時，可容易避免發生膜厚減少之情形、或變質等不良情形。亦即，在開口部63 A、65 A 的周圍，殘留有第2 SiNx層32C(未圖示），然而對掃描線的接觸性沒有任何妨礙。再者，使用PC VD裝置，在玻璃基板2的整面，以例如0.0 5 μιη左右的膜厚，被覆例如含磷的第2非晶矽層3 3 作爲雜質後，在源極·汲極配線的形成步驟中，使用S Ρ Τ 等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚0.1 μιη左右之例如Ti、 Ta等薄膜層3 4，作爲可施行陽極氧化的耐熱金屬層；和膜厚〇.3μιη左右之例如A1薄膜層35，作爲同樣可施行陽極氧化的低電阻配線層；和膜厚〇 . 1 μπι左右之例如Ta等薄膜層3 6，作爲同樣可施行陽極氧化的中間導電層。然後，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案，依序蝕刻由這三層薄膜構成的源極•汲極配線材、和第2非晶質矽層3 3、和第1非晶質矽層3 1 A、3 1 B，而露出閘極絕緣層3 0 A、3 0B ，並且如第1圖（e )和第2圖（e )所示，選擇性地形成由34A、35A、36A之層積所構成的絕緣閘極型電晶體的汲極電極21、和兼具源極電極的信號線12。爲了不使源極. 汲極配線1 2、2 1偏置而無法動作，當然必須與通道保護層 -62- (60) 1305288 3 2 D形成部分重疊。此外’一般’爲了避免電池作用伴隨而生的副作用’在源極•汲極配線1 2、2 1形成的同時，亦同時含部分掃描線7 3地形成掃描線的電極端子5，但因爲金屬性電極端子不是必要的，所以亦可在後續步驟’直接形成透明導電性的電極端子5 A。就源極•汲極配線1 2、 2 1的構成而言，電阻値的限制較鬆時，簡化而形成Ta單層是合理的’此外，添加N d的A L合金中’化學的電位降低，鹼性溶液中與ITO產生的化學腐蝕反應得以受到抑制，所以此時不需要中間導電層3 6，可將源極、汲極配線12 、2 1的層積構造形成兩層構成，而源極•汲極配線1 2、2 1 的構成得以獲得若干簡化。這部分採用IZO來代替ITO亦是同樣的情況。源極•汲極配線1 2、21形成後，使用SPT等真空製膜裝置，在玻璃基板2整面，被覆例如膜厚0.1至〇.2μιη 左右的ITO，作爲透明導電層，並且如第1圖（f)和第2 圖（f)所示，利用微細加工技術，包含汲極電極2 1之部分中間導電層36A，在玻璃基板2上選擇性地形成畫素電極2 2。此時，亦在畫素顯示部外的區域，掃描線的電極端子5上和部分信號線的電極端子6上，形成透明導電層圖案，而形成透明導電性的電極端子5 A、6 A。如上所述，沒有形成電極端子5，此時亦可含開口部6 3 A地直接形成電極端子5A。又’在此係與習知例同樣的，藉由設置透明導電性的短路線4 0，將電極端子5 A、6 A和短路線4 0間形成細長的線狀，進行高電阻化而形成靜電對策用的高電阻。 -63- (61) 1305288

繼之，如第1圖（g )和第2圖（g )所示，以使用於畫素電極22之選擇性圖案形成的感光性樹脂圖案83A，作爲光罩’一面照射光，一面將源極•汲極配線1 2、2 1施以陽極氧化，以在其表面形成氧化層。此時，電極端子5 A、 6 A和靜電對策線4 〇是以感光性樹脂圖案8 3 B至8 3 D保護。在源極.汲極配線12、2 1的上面，露出Ta，又，在其兩側面’露出Ta、AL、Ti及第2非晶質矽層33A的層積，然後，利用陽極氧化，分別使第2非晶質矽層3 3 A變質成含雜質的氧化矽層（Si02 ) 66，Ti變質成半導體之氧化鈦（Ti02 ) 68，A1變質成作爲絕緣層的鋁（AL2 03 ) 69， Ta變質成作爲絕緣層的5氧化鉬（Ta2 05 ) 70。氧化鈦層 68不是絕緣層，膜厚極薄，露出的面積也很小，故在表面鈍化（passivation)上不會構成問題，而耐熱金屬薄膜層 34A亦以選擇Ta爲佳。然而，Ta係與Ti是不同的，其欠缺吸收基底之表面氧化層以容易進行歐姆接觸的功能，這點是必須留意的。習知例亦揭示有：要在汲極配線2 1上形成良好膜質的陽極氧化層時，一邊照射光，一邊實施陽極氧化是陽極氧化步驟上重要的一點。具體而言，若照射一萬米燭光（lux )左右之強度充足的光，絕緣閘極型電晶體的漏洩電流超過μΑ的話，由汲極電極21的面積計算，以10mA/ cm2 左右的陽極氧化，可獲得用以獲致良好膜質的電流密度。然後，即使汲極配線21上陽極氧化層的膜質不充分，一般，可獲得充分可靠性的理由是，施加於液晶晶胞的驅動信 -64- (62) 1305288 號基本上是交流的，因爲形成於彩色濾光片之相對面上的相對電極1 4、和畫素電極22 (汲極電極2 1 )之間，相對電極1 4的電壓在畫像檢查時進行調整（閃爍降低調整），使直流電壓成分變少，所以基本的原理是事先形成絕緣層，以使直流成分僅不流動於信號線1 2上即可。以陽極氧化形成的5氧化鉬70、鋁69、氧化鈦68、氧化砍層66等各氧化層的膜厚，形成0.1至0.2μιη左右已足以作爲配線的鈍化（passivation)，使用乙二醇等反應液，施加電壓同樣超過1 〇〇V來實現。源極•汲極配線1 2、 2 1之陽極氧化時應留意的事項雖未圖示，但所有的信號線 1 2必須形成電性並聯或串聯，後續數個製造步驟中，沒有解除該並聯或串聯時，不僅會對主動式基板2的電氣檢查造成妨礙，也會對液晶顯示裝置的實際動作造成妨礙。以解除手段而言，可利用雷射光照射使之蒸散、或利用刮除之機械式去除，相當簡單’而此處省略詳細的說明。先以感光性樹脂圖案83A覆蓋畫素電極22,不僅不需將畫素電極22陽極氧化，也不用經由絕緣閘極型電晶體，確保流至汲極電極21的反應電流爲必需値以上。最後，去除上述感光性樹脂圖案83 A至83D，如第1 圖（h)至第2圖（h)所示地完成主動式基板2 (顯示裝置用半導體裝置）。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化’而完成本發明第1實施例。關於儲存電容1 5的構成，則如第1圖（h )所示，例舉：儲存電容線1 6和畫素電極2 2介著閘極絕緣層3 0 B形成平面 -65- (63) 1305288 重疊的區域51 (右下斜線部），構成儲存電容15的情形’ 然而，儲存電容15的構成不僅侷限於此’亦可在畫素電極和前段掃描線Π間，介著含閘極絕緣層3 0 A的絕緣層來構成。此外，其他構成方式亦有可能，然而在此省略詳細的說明。同樣地，由於具有對掃描線11的接觸（開口部 6 3 )形成步驟，故使用透明導電層以外的導電性材料或半導體層，來進行靜電對策亦較容易。第1實施例，是在掃描線的形成步驟、和供掃描線之電性連接的接觸（開口部）形成步驟之所謂圖案精度低的層（layer )，應用半色調曝光技術，來減少照相蝕刻步驟，以4道光罩即可製作主動式基板，但是，藉由以1道光罩來處理畫素電極和掃描線的形成，可再減少步驟，以3 道光罩即可製作主動式基板，這部分將在第2至第4實施例中說明。 (第2實施例）第2實施例中，首先在玻璃基板2的一主面上，使用 SPT等真空製膜裝置，被覆：膜厚爲0.1至〇·2μιη左右的透明導電層91，例如ΙΤΟ ;和膜厚爲0.1至〇·2μιη左右的透明導電層91;和膜厚爲0.1至0_3μιη左右的第1金屬層 92。由後續的說明可知悉，第2至第4實施例中，掃描線是透明導電層和金屬層的層積，故無法利用陽極氧化在掃描線的側面形成絕緣層。此處，因爲是藉由電鑛在絕緣層形成有機絕緣層，所以就掃描線材料而言，可選擇不會與 66 - (64) 1305288 作爲透明導電層之ITO發生電池反應的第1金屬層，例如 Cr、Ta、Mo等高熔點金屬或這些的合金或矽化物。要實現低電阻化時，若採用AL的話，AL ( Nd )合金的單層最爲簡單，接著，介著Ta所構成的Ta/ AL ( Zr、Hf)、或Ta / AL/ Ta的層積較爲複雜。繼之，在玻璃基板2的整面，使用PC VD裝置，以例如0.3— 0.05— Ο.ΐμπι左右的膜厚，依序被覆：作爲閘極絕緣層之第ISiNx層30、和作爲幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體通道的第1非晶質矽層3 1、和作爲用以保護通道之絕緣層的第2 SiNx層32。然後，如第3圖（a )和第4圖 (a )所示，利用半色調（halftone )曝光技術，形成感光性樹脂圖案82A、82B，而該感光性樹脂圖案82A、82B的厚度係大於：對應於兼具閘極電極1 1 A之掃描線1 1之區域 82A的膜厚例如 2μιη ;對應於模擬畫素電極93 (由透明導電層91Β和第1金屬層92Β的層積所構成）、模擬電極端子94(由透明導電層91Α和第1金屬層92Α的層積所構成 )及模擬電極端子95(由透明導電層91C和第1金屬層92C 的層積所構成）之區域 8 2 Β的膜厚1 μ m。接著，以感光性樹脂圖案82A、82B作爲光罩，依序去除第2 SiNx層32 (通道保護層）、第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣層3 0及第 1金屬層92和透明導電層91 ,而露出玻璃基板2。以上述方式，獲得與兼具閘極電極11A之掃描線Π、和模擬畫素電極93、和模擬電極94、95相對應的多層膜圖案後，利用氧電漿等灰化手段，使上述感光性樹脂圖案 -67- (65) 1305288 82A、82B的膜厚減少1 μηι以上時，如第3圖（b)和第4 圖（b)所示，感光性樹脂圖案82B消失’露出第2 SiNx 層32A至32C，同時可僅在掃描線11上選擇性地形成感光性樹脂圖案82C。如習知所述，上述氧電漿處理係以加強向異性，來抑制圖案尺寸的變化’使後續蝕刻終止層之形成步驟的光罩對準精度不會降低爲佳。如第4圖（b )所示，在閘極電極1 1A的側面形成有機絕緣層76。因此’在第26圖所示的連接圖案78上，使用具有銳利刀鋒之鱷魚夾等連接手段，戳破連接圖案78 上的感光性樹脂圖案82C ( 78)，對掃描線11賦予+ (正 )電位，但是，亦可依據電鍍液的組成，賦予一（負）電位。有機絕緣層是以例如數V電鍍電壓，形成具有0.3 μηι 膜厚的聚醯亞胺樹脂層。由於模擬畫素電極9 3係呈電性孤立狀態，故在模擬畫素電極93的周圍，沒有形成有機絕緣層7 6。接著，如第3圖（c )和第4圖（c )所示，以感光性樹脂圖案82C作爲光罩，依序去除第2SiNx層3 2Α至32C '第1非晶質砂層31A至31C、間極絕緣層30A至30C' 和第1金屬層92A至92C，而露出透明導電層91A至91C 時，可分別獲得由透明導電層構成之掃描線的電極端子5 A '畫素電極22、和信號線的電極端子6A。

去除上述感光性樹脂圖案82C後，如第3圖（d )和第 4圖（d )所示，利用微細加工技術，選擇性地將閘極電極 11A上之第2 SiNx層32A的寬幅，蝕刻得比閘極電極11A (66) 1305288 更細，而形成第2 SiNx層3 2D (保護絕緣層），同時露出掃描線11上的第1非晶質矽層31A。SiNx層32A的乾蝕刻可使用氟系氣體，露出之透明導電性掃描線的電極端子 5A、畫素電極22、和信號線的電極端子6a不會被氟系氣體蝕刻、也不會變質，是極佳的情況。繼之，使用PCVD裝置’在玻璃基板2整面，以例如 0 · 0 5 μ m左右的膜厚，被覆例如含磷的第2非晶質矽層3 3 ，作爲雜質，在源極·汲極配線的形成步驟中，使用s P T 等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚Ο.ίμιη左右的Ti、Ta等薄膜層34，作爲耐熱金屬層；和膜厚爲0.3 μπι左右的AL 薄膜層3 5，作爲低電阻配線層。利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案85，依序蝕刻由這兩層薄膜構成的源極· 汲極配線材、第2非晶質矽層3 3、和第1非晶質矽層3 1A ，而露出閘極絕緣層3 0 A。如第3圖（e )和第4圖（e ) 所示，選擇性地形成：含畫素電極22的一部分且由34A 和35 A層積所構成之絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和同樣含信號線之電極端子6A的一部分且兼具源極電極的信號線1 2。得知掃描線的電極端子5 A和信號線的電極端子6 A在源極.汲極配線1 2、2 1的蝕刻結束時，會在玻璃基板2上露出。此外，就源極·汲極配線1 2、2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話，則亦可簡化形成Ta、Cr、 Μ 〇 W等單層。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合’ 液晶面板化，而完成本發明第2實施例。第2實施例中’ -69- (67) 1305288 由於感光性樹脂圖案8 5係連接於液晶，故感光性樹脂圖案 85不是以漆用酚醛（novoiac )樹脂爲主成分的一般感光性樹脂’使用純度高且主成分含丙烯基樹脂或聚醯亞胺樹脂之耐熱性高的感光性有機絕緣層是很重要的，而且，亦可根據材質進行加熱，使其流動化，以覆蓋源極·汲極電極配線1 2、2 1側面之方式構成，此時，可進一步提升液晶面板的可靠性。關於儲存電容1 5的構成，係如第3圖（e ) 所示’例舉：含源極.汲極配線12、21與畫素電極22的一部分，.而形成的儲存電極72和前段掃描線11 (所設置的突起部），介著閘極絕緣層3 0 B、第1非晶質矽層3 1 A、第2非晶質矽層33D (未圖示）形成平面重疊的區域52( 右下斜線部），構成儲存電容1 5的情況。然而，儲存電容 1 5的構成並不侷限於此，與第1實施例同樣地，亦可在與掃描線1 1同時形成的共用電容線1 6和畫素電極2 1之間，介著含閘極絕緣層30的絕緣層來構成。靜電對策線40是以連接於電極端子5A、6A的透明導電層構成，然而因被賦予對間極絕緣層30A至30C之開口部形成步驟’所以亦可採其他的靜電對策。如上所述，第2實施例中’掃描線的電極端子和信號線的電極端子皆在透明導電層之裝置構成上產生限制’但是，亦可使用解除該限制的裝置·製程（device· Process )，這部分將在第3、第4實施例中說明。 (第3實施例） -70- (68) 1305288 第3實施例係如第5圖（d )和第6圖（d )所示，至蝕刻終止層3 2 D的形成步驟爲止，係以大致相同於第2實施例的步驟來進行。然而，由後述的理由得知，不一定需要模擬電極端子95。繼之，源極·汲極配線形成步驟中，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚〇·1μιη左右的 Ti、Ta等薄膜層34’作爲耐熱金屬層；和膜厚爲0·3μπι& 右的A L薄膜層3 5 ’作爲低電阻配線層。利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案8 6，依序蝕刻由這兩層薄膜構成的源極·汲極配線材、第2非晶質矽層3 3、和第1非晶質砂層31A，而露出閘極絕緣層30A。如第5圖（e)和第46 圖（e )所示，選擇性地形成：含畫素電極22的一部分且由34A和35A層積所構成之絕緣閘極型電晶體的汲極電極 2 1 ;和兼具源極配線的信號線1 2。也就是說，不一定需具有如第2實施例之模擬電極端子95。此時，第3實施例的重要特徵是，利用半色調曝光技術，事先形成感光性樹脂圖案86A、86B，而該感光性樹脂圖案86A、86B的膜厚係大於信號線12上之區域86A (黑區域）的膜厚例如3μηι、以及汲極電極21上、電極端子5、6上和儲存電極72上之區域86b的膜厚例如1.5 μπι。與電極端子5、6相對應之區域8 6Β的最小尺寸爲數十μιη比較大，光罩製作、成品尺寸管理相對比較容易，但與信號線1 2相對應之區域8 6 Α的最小尺寸爲4至8 μπι，尺寸精度要求較高，故黑區域必須形成較細的圖案。然而，如習知例之說明，與利用1次曝光處理和2次蝕刻處理形成的源極·汲極配線1 2、2 1相比 -71 - (69) 1305288 較，因爲本發明之源極·汲極配線1 2、2 1係藉由1次曝光處理和1次蝕刻處理所形成，所以導致圖案寬度變動的因素較少，而源極·汲極配線1 2、2 1的尺寸管理 '源極·汲極配線1 2 ' 2 1間（即通道長度的尺寸管理），相較於習知的半色調曝光技術，圖案精度的管理較容易。又，與通道蝕刻型的絕緣閘極電晶體相比較時，決定蝕刻終止型之絕緣閘極型電晶體的ON電流，是通道保護絕緣層3 2D的尺寸，而不是源極·汲極配線1 2、2 1間的尺寸，由幾點得知，製程管理更爲容易。源極·汲極配線1 2、2 1形成後，利用氧電漿等灰化手段，使上述感光性樹脂圖案86 A、86B的膜厚減少1.5 μηι 以上時，感光性樹脂圖案8 6 Β消失，如第5圖（f)和第6 圖（f)所示，汲極電極21、電極端子5、6和儲存電極72 露出，同時可僅在信號線1 2上，選擇性地形成感光性樹脂圖案86C，但是，由於利用上述氧電漿處理，使感光性樹脂圖案8 6C的圖案寬度變細時，信號線12的上面露出，可靠性降低，故以加強向異性，抑制圖案尺寸的變化爲佳。此外，就源極·汲極配線1 2、2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話，則亦可簡化成Ta、Cr、Mo等單層。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化，而完成本發明第3實施例。電極端子5、6 是由與信號線1 2相同的金屬材所構成的，然而如第2實施例所示，以透明導電性的電極端子5 A、6A來構成也很容易。由於第3實施例中，感光性樹脂圖案86C係連接於液 (70) 1305288 晶’故感光性樹脂圖案86C並不是以漆用酚醛（novolac )樹脂爲主成分的一般感光性樹脂，使用純度高且主成分含丙烯基樹脂或聚醯亞胺樹脂之耐熱性高的感光性有機絕緣層是很重要的。儲存電容I 5的構成係與第2實施例相同。再者’藉由將用以連接部分掃描線5 A及信號線1 2下所形成的透明導電性圖案6 A ( 9 1 C )、和短路線4 0的透明導電層圖案形狀，形成細長的線狀，可形成靜電對策的高電阻配線，然而，當然亦可使用其他導電性構件的靜電對策〇本發明的第3實施例中，僅在信號線1 2上形成有機絕緣層，汲極電極2 1係在確保導電性的狀態露出，藉此構成亦可獲得充分的可靠性，其理由是施加於液晶晶胞的驅動信號基本上是交流的，在彩色濾光片相對面所形成的相對電極12和畫素電極22間，以直流電壓成分變少之方式，相對電極1 4的電壓在畫像檢查時進行調整，（閃爍減少調整），因此，僅在信號線1 2上事先形成絕緣層，使直流成分不會流通即可。本發明之第2和第3實施例中，僅分別在源極·汲極配線上和信號線上，選擇性地形成有機絕緣層，以達成製造步驟的減少，但是，因爲有機絕緣層的厚度通常爲以上，故高精細面板的畫素較小時，使用磨擦（rubbing ) 用布之配向膜的配向處理，恐怕會有其高低差招致非配向狀態，或在液晶晶胞之間隙精度的確保上產生障礙之虞。在此，第4實施例具備藉由增設最小限度的步驟數’以變 -73- (71) 1305288 成有機絕緣層的鈍化技術。 (第4實施例）第4實施例係如第7圖（d )和第8圖（d )所示，至蝕刻終止層32D的形成步驟爲止，係以大致相同於第3實施例的步驟來進行。繼之，在源極·汲極配線形成步驟中，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚〇.1μπι左右的Ti、Ta等薄膜層34，作爲可施行陽極氧化的耐熱金屬層；和膜厚〇·3 μηι左右的AL薄膜層35，作爲可施行陽極氧化的低電阻配線層。然後，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案87,依序蝕刻由這兩層薄膜構成的源極·汲極配線材、第2非晶質矽層3 3、和第1非晶質矽層3 1A，而露出閘極絕緣層30A。如第7圖（e)和第8圖（e)所示，選擇性地形成：含畫素電極22的一部分且由3 4 A和 35A層積所構成之絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1、和兼具源極配線的信號線1 2，同時亦形成：掃描線的電極端子 5，其包含與源極·汲極配線1 2、2 1之形成同時露出的部分掃描線5 A ;和由部分信號線所構成的電極端子6。此時，第4實施例的重要特徵是，利用半色調曝光技術，事先形成感光性樹脂圖案87 A、87B ’而該感光性樹脂圖案87 A 、87B的膜厚係大於電極端子5、6上之區域87A (黑區域 )的膜厚例如3 μ m，與源極·汲極電極1 2、2 1上和儲存電極72上之區域87B (中間調區域）的膜厚例如1_5μπι° 源極.汲極配線1 2、2 1形成後’利用氧電漿等灰化手 -74- (72) 1305288 段，令上述感光性樹脂圖案87A、87B的膜厚減少1·5μιη 以上時，感光性樹脂圖案87C消失’源極·汲極配線12、 2 1和儲存電極72露出，同時可僅在掃描線1 2上選擇性地形成感光性樹脂圖案87C。値得一提的特徵是，即使利用上述氧電漿處理，使感光性樹脂圖案8 7C的圖案寬度變細，由於僅在具有大圖案尺寸的電極端子5、6周圍，形成陽極氧化層，故幾乎不會對電性特性和良率及品質造成影響。接著，以感光性樹脂圖案8 7C作爲光罩，一邊照射光，如第7圖（f)和第8圖（〇所示，將源極.汲極配線12 、21施以陽極氧化而形成氧化層68、69，同時將源極·汲極配線12、21下側面所露出的第2非晶質矽層33A施以陽極氧化，而形成作爲絕緣層之氧化矽層（S i 02 ) 6 6。由於陽極氧化層6 8、6 9的膜厚係與第1實施例同樣地，0. 1 至0.2 μ m左右即可獲得充足的鈍化功能，故不會有因配向處理而產生不良情況的虞慮。陽極氧化結束後，去除感光性樹脂圖案87C時，如第 7圖（g )和第8圖（g )所示，在其側面露出由形成陽極氧化層之低電阻薄膜層3 5 A所構成的電極端子5、6。得知掃描線電極端子5的側面，係經由靜電對策用高電阻短路線4 0 ( 9 1 C )，流通陽極氧化電流，故與信號線之電極端子 6相比較，形成於側面之陽極氧化層厚度較薄。此外，就源極·汲極配線1 2、2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話，則亦可簡化形成得以施行陽極氧化的Ta單層。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板 -75- (73) 1305288 係 21 2 1 時，會的度極電外存氧使致絕的對驟化’而完成本發明第4實施例。關於儲存電容1 5的構成與第2及第3實施例相同。如上所述，第4實施例中，源極.汲極配線12、和第2非晶質矽層3 3 A進行陽極氧化時，與汲極電極電性相繫的畫素電極22也會露出，故畫素電極22也同會被陽極氧化，這點與第1實施例有很大的不同。因此根據構成畫素電極22之透明導電層的膜質，有時電阻値因陽極氧化而增大，此時，必須先適當變更透明導電層製膜條件，形成氧不足的膜質，但是透明導電層的透明不會因陽極氧化而降低。再者，供汲極電極21、畫素電 22、和儲存電極72陽極氧化的電流也是經由絕緣閘極型晶體的通道而供給，然而，由於畫素電極22的面積較大故需要大的反應電流或長時間的反應，不論照射多強的光，通道部的電阻都不會產生妨礙，在汲極電極2 1和儲電極72上，形成與信號線1 2上同等膜質和膜厚的陽極化層，僅利用反應時間的延長實有因應困難。然而，即形成於汲極配線2 1上的陽極氧化層有些不完全，多可獲實際上沒有妨礙的可靠性。之所以如此是由於如上所述僅在信號線12上，以直流成分不會流通之方式事先形成緣層即可。上述說明的液晶顯示裝置是使用TN型的液晶晶胞構成，而藉由與畫素電極隔著預定距離所形成的一對相電極和畫素電極，控制橫方向電場之IPS (In — Plain S wt i c i n g )方式的液晶顯示裝置中，本發明所提案的步 (74) 1305288 減少是有用的，這部分將於後續的實施例中說明。 (第5實施例）第5實施例中，首先，與習知例同樣地，使用SPT等真空製膜裝置，在玻璃基板2的一主面上，被覆膜厚0.1 至〇_3μιη左右的例如Cr、Ta、Mo等或這些的合金或矽化物’作爲第1金屬層。繼之，使用PC VD裝置，在玻璃基板2的整面，以例如0.3 - 〇.〇5 — 0.1 μιη左右的膜厚，依序被覆：作爲閘極絕緣層之第1 SiNx層30;和作爲幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體通道之第1非晶質矽層3 1 ;和作爲保護通道之絕緣層的第2 SiNx層32等三種薄膜層。然後，如第9圖（a )和第10圖（a )所示，利用半色調曝光技術，形成膜厚比對應於開口部63A、65A之接觸形成區域84B的膜厚例如1 μιη ’對應於兼具掃描線1 1和儲存電容線之相對電極 16之區域84Α的膜厚2μιη更薄的感光性樹脂84Α、84Β，並且’以感光性樹脂圖案84Α、84Β爲光罩，依序去除第2 SiNx層32、第1非晶質矽層31、閘極絕緣層30及第1金屬層，而露出玻璃基板2。接著’利用氧電漿等灰化手段，令上述感光性樹脂圖案84A、84B的膜厚減少ιμιη以上時，如第9圖（b)'第 10圖（b )所示’感光性樹脂圖案84B消失，在開口部63 A 內露出第2 SiNx層32A，在開口部65A內露出第2 SiNx 層3 2 B ’同時可在掃描線1 1和相對電極！ 6上，選擇性地 (75) 1305288 形成感光性樹脂圖案84C。如第1 0圖（b )所示’在閘極電極1 1 A的側面形成絕緣層7 6。因此，如第2 7圖所示，將掃描線1 1 (相對電極 1 6也是同樣的，此處省略圖示）並列綁束之配線7 7、和在玻璃基板2的外周部進行電鍍或陽極氧化時用以賦予電位的連接圖案7 8是必須的’再者’使用利用電漿C V D之非晶矽層31和氮化矽層30、32層之適當光罩手段的製膜區域7 9，係限定於靠連接圖案7 8的內側，至少必須露出連接圖案78。在連接圖案78上，使用具有銳利刀鋒之鱷魚夾等連接手段，戳破連接圖案7 8上的感光性樹脂圖案84C (7 8 )，對掃描線1 1施予電位，以進行電鍍或陽極氧化，並在絕緣層76形成有機絕緣層或陽極氧化層之任一者。又，如第9圖（c )和第1 0圖（c )所示，以感光性樹脂圖案8 4 C作爲光罩，依序蝕刻：開口部6 3 A、6 5 A內的第2 SiNx層32A、32B '第1非晶質矽層31 A、31B、和閘極絕緣層30A、30B，而分別露出掃描線11的一部分73和相對電極1 6的一部分7 5。去除上述感光性樹脂圖案84C後，如第9圖（d)和第 1 0圖（d )所不’利用微細加工技術，選擇性地將閘極電極11A上的第2 SiNx層32A寬度，蝕刻得比閘極電極11A 更細’而形成第2 SiNx層3 2D (蝕刻終止層或通道保護層或保護絕緣層），同時露出掃描線U上的第1非晶質矽層 31A、和相對電極16上的第1非晶質砂層31B。使用PCVD裝置，在玻璃基板2的整面，以例如〇.〇5μηι (76) 1305288 左右的膜厚，被覆例如含磷的第2非晶矽層3 3作爲雜質後，在源極·汲極配線的形成步驟中，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚Ο.ΐμπι左右的Ti、Ta等薄膜層34 ，作爲耐熱金屬層；和膜厚〇.3μιη左右的AL薄膜層35，作爲低電阻配線層。然後，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案8 6，依序蝕刻由這兩層薄膜構成的源極·汲極配線材、和第2非晶質矽層3 3、和第1非晶質矽層3 1A、 31B，而露出閘極絕緣層30A、30B。如第9圖（e)和第 10圖（e )所示地，選擇性地形成：由34A和35A層積所構成之作爲畫素電極的絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 、和兼具源極配線的信號線1 2，同時亦形成：掃描線的電極端子5，其包含源極·汲極配線1 2、2 1形成之同時所露出之部分掃描線73 ;和由部分信號線所構成的電極端子6 。此時，第5實施例的重要特徵是，利用半色調曝光技術，事先形成膜厚比信號線12上之86A的膜厚例如3μπι，與源極電極21上和電極端子5、6上之8 6Β的膜厚例如 1.5μηι更厚的感光性樹脂圖案86Α、86Β。源極.汲極配線1 2、2 1形成後，利用氧電漿等灰化手段，令上述感光性樹脂圖案8 6 A、8 6 Β的膜厚減少1 · 5 μ m 以上時，感光性樹脂圖案8 6 C消失，如第9圖（f)和第 10圖（f)所示地，汲極電極21和電極端子5、6露出’ 同時可僅在掃描線12上選擇性地形成感光性樹脂圖案86C ，然而如以往所述，當利用上述氧電漿處理’感光性樹脂圖案86C的圖案寬度變細時，信號線1 2的上面露出，可靠 -79- (77) 1305288 性降低’故以加強向異性，抑制圖案尺寸的變化爲佳。此外’以源極.汲極配線1 2、2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話’則亦可簡化而形成Ta、Cr、MoW等單層。

令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化’而完成本發明第5實施例。IP S型液晶顯示裝置由上述之說明可知悉，主動式基板2上，不需要透明導電性的畫素電極2 2，再者，彩色濾光片的相對面上，亦不需要透明導電性的相對電極1 4。因此，亦不需要源極· 汲極配線1 2、2 1上的中間導電層。由於第5實施例中，感光性樹脂圖案86C係連接於液晶，故感光性樹脂圖案86C 不是以漆用酚醛（novo lac )系樹脂爲主成分的一般感光性樹脂，使用純度高且主成分含丙烯基樹脂或聚醯亞胺樹脂之耐熱性高的感光性有機絕緣層是很重要的。關於儲存電容1 5的構成係如第9圖（f)所示，例舉：畫素電極（汲極配線）2 1之一部分和兼具儲存電容線之相對電極1 6，介著閘極絕緣層3 0B、第1非晶質矽層3 1 B和第2非晶質矽層33D(未圖示），形成平面重疊的區域51(右下斜線部 )，構成儲存電容1 5的情形，此外，關於靜電對策’則省略了記載，因爲設置開口部63 A，具有露出掃描線1 1之一部分73的步驟，故靜電對策是容易的。本發明之第5實施例係藉由僅在信號線上形成有機絕緣層，來減少製造步驟，但是，由於有機絕緣層的厚度通常形成1 μ m以上，故高精細面板的畫素較小時’使用磨擦 (rubbing )用布之配向膜的配向處理中’恐怕會有因高低 -80 - (78) 1305288 差招致非配向狀態’或在液晶晶胞之間隙精度的確保上發生障礙的虞慮。在此’桌6實施例具備藉由最小限度地增設步驟數，變成有機絕緣層的鈍化技術。 (第6實施例）

第6實施例係如第1 1圖（d )和第12圖（d )所示，至餓刻終止層3 2 D的形成步驟爲止，係與大致相同於第5 貫施例的製造步驟來進fr。繼之’在源極·汲極配線形成步驟中，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚0.1μιη 左右的Ti、Ta等薄膜層34’作爲可施行陽極氧化的耐熱金屬層；和膜厚〇·3μιη左右的AL薄膜層35，作爲同樣可施行陽極氧化的低電阻配線層。然後，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案87’依序蝕刻由這兩層薄膜構成的源極·汲極配線材、第2非晶質矽層3 3、和第1非晶質矽層31Α、31Β，而露出閘極絕緣層30Α、30Β。如第11圖（ e)和第12圖（e)所示，選擇性地形成：由34Α和35 A 層積所構成之作爲畫素電極的絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1、和兼具源極配線的信號線1 2，同時亦形成：掃描線的電極端子5，其包含在源極·汲極配線1 2、2 1之形成同時露出的部分掃描線73;和由部分信號線所構成的電極端子6。此時，第6實施例的重要特徵是，利用半色調曝光技術，事先形成膜厚比電極端子5、6上的膜厚例如3 μηι ，與源極.汲極配線1 2、2 1上的膜厚例如1 · 5 μιη，更厚的感光性樹脂圖案87Α、87Β。 -81 - (79) 1305288 源極·汲極配線1 2、2 1形成後，利用氧電漿等灰化手段，令上述感光性樹脂圖案87A、87B的膜厚減少1·5μηι 以上時，感光性樹脂圖案8 7 Β消失’源極·汲極配線1 2、 2 1露出，同時可僅在電極端子5、6上選擇性地形成感光性樹脂圖案8 7 C。在此，以感光性樹脂圖案8 7 C作爲光罩，一邊照射光，一邊如第Π圖（f)和第12圖（f)所示地，將源極·汲極配線1 2、2 1施以陽極氧化，而形成氧化層6 8、6 9，同時將源極·汲極配線12、21下側面所露出之第2非晶質矽層3 3 A施以陽極氧化，而形成作爲絕緣層之氧化砂層（Si02) 66。陽極氧化結束後，去除感光性樹脂圖案87C時，如第 11圖（g)和第12(g)所示，露出表面具有低電阻薄膜層 3 5 A的電極端子5、6。但是，兩圖中，以高電阻性構件，連接掃描線電極端子5和信號線電極端子6之間的靜電對策，並未特別圖示，在掃描線之電子端子5側面，雖沒有形成陽極氧化層，然而，由於賦予設置開口部6 3 A，及露出掃描線1 1之一部分7 3的步驟，故靜電對策是容易的。此外’就源極.汲極配線1 2 ' 2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話’則亦可簡化形成得以實施陽極氧化的Ta 單層。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合 ’液晶面板化’而完成本發明第6實施例。關於儲存電容 1 5的構成，係與第5實施例相同。上述液晶顯示裝置中，雖爲使用蝕刻終止型的絕緣閘極型電晶體’然而即便是使用通道蝕刻型之絕緣閘極型電 -82- (80) 1305288 晶體，亦同樣可實現步驟的減少，這部分將於下列實施例中說明。 (第7實施例）第7實施例中，首先，使用SPT等真空製膜裝置，在玻璃基板2的一主面上，被覆膜厚0.1至〇.2μπι左右的透明導電層91例如ΙΤΟ ;和膜厚0.1至0·3μιη左右的第1金屬層92。繼之，使用PCVD裝置，在玻璃基板2的整面上，以例如0.3 - 0.2 - 0.0 5 μιη左右的膜厚，依序被覆：作爲閘極絕緣層的第1 SiNx層30;和作爲幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體的通道的第1非晶質矽層3 1 ;和作爲含雜質之絕緣閘極型電晶體的源極·汲極之第2非晶質矽層3 3等三種薄膜層。如第1 3圖（a )和第14圖（a )所示，利用半色調曝光技術，形成感光性樹脂圖案82 A、82B ’而該感光性樹脂圖案82A、82B的膜厚係大於=對應於兼具閘極電極 11A之掃描線11之區域82A的膜厚例如 2μηι ;以及對應於（由透明導電層91Β和第1金屬層92Β之層積所構成）模擬畫素電極93、和（由透明導電層91C和第1金屬層92C 之層積所構成）靜電對策線95、和接觸形成區域63A之區域82B的膜厚。以感光性樹脂圖案82A、82B作爲光罩，依序去除第2非晶矽層3 3、第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣層30及第1金屬層92和透明導電層91 ’而露出玻璃基板2。 -83- (81) 1305288 以上述方式，獲得對應於兼具閘極電極1 1 A之掃描線 1 1、和模擬畫素電極93、和靜電對策線95之多層膜圖案後，接著’利用氧電漿等灰化手段，令上述感光性樹脂圖案82A、82B的膜厚減少1 μιη以上時，如第1 3圖（b )和第1 4圖（b )所示，感光性樹脂圖案8 2 B消失，而在開口部63A內、和模擬畫素電極93上和靜電對策線95上，露出第2SiNx層33A至33C，同時，可在掃描線形成區域上，選擇性地形成感光性樹脂圖案82C。上述氧電漿處理是以後續之源極·汲極配線形成步驟的光罩對準精度不會降低之方式’加強向異性以抑制圖案尺寸的變化爲佳，這與第1實施例所述的理由相同。繼之’如第14圖（b )所示，在閘極電極1 1A的側面形成有機絕緣層76。因此，如第26圖所示，與掃描線11 並列綁束的配線7 7、和在玻璃基板2的外周部實施電鍍時用以賦予電位的連接圖案7 8是必要的，再者，使用利用電漿CVD之非晶矽層31、33和氮化矽層30之適當光罩手段的製膜區域7 9，係限定於靠連接圖案7 8的內側，至少必須露出連接圖案78。在連接圖案78上，使用具有銳利刀鋒之鱷魚夾等連接手段，戳破連接圖案7 8上的感光性樹脂圖案8 2C( 78)，而賦予+(正）電位，然而，亦可根據電鍍液的組成，賦予一（負）電位。就有機絕緣層76而言，以例如數V電鍍電壓，形成具有〇.3μπ1膜厚的聚醯亞胺樹脂層。如第1 3圖（c )和第Μ圖（c )所示，以感光性樹脂 -84- (82) 13〇5288 圖案8 2 C作爲光罩，選擇性地去除：第2非晶質矽層3 3 a 至3 3 C、第1非晶質矽層3丨a至3丨c、閘極絕緣層3 〇 a至 3〇C、和第1金屬層92a至92C;而露出透明導電層91A 至9 1 C時’可分別獲得由透明導電層所構成的部分掃描線 5A、和畫素電極22、和靜電對策線4〇。去除上述感光性樹脂圖案82C後，如第13圖（d)和第1 4圖（d )所示地’利用微細加工技術，僅在閘極電極 1 1 A上，選擇性地殘留第2非晶質矽層3 3 a、和第1非晶質矽層3 1 A ’而露出掃描線1 i上的閘極絕緣層3 〇 a。非晶質矽層的乾蝕刻（dry etch )可使用氟系氣體，所露出之透明導電性的部分掃描線5A和畫素電極22不會被氟系氣體蝕刻，不會變質，是極佳的情況。在源極·汲極配線形成步驟中，使用S P T等真空製膜裝置’依序被覆：膜厚Ο.ίμηι左右的Ti、Ta等薄膜層34 ’作爲耐熱金屬層；和膜厚爲〇.3μιη左右的AL薄膜層35 ’作爲低電阻配線層。然後，如第13圖（e )和第丨4圖（ e)所示地，利用微細加工技術，依序蝕刻這些薄膜層3 5 ’同時選擇性地形成：含畫素電極22的一部分，且由34a 和3 5 A層積所構成的絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和同樣地兼具源極配線的信號線1 2;和含掃描線的一部分5 A 的掃描線電極端子5 ;和由部分信號線所構成的信號線電極端子6，然而，在此’與習知例同樣地，依序蝕刻第2 非晶質矽層3 3 A及第1非晶質矽層3 1 A ’而第1非晶質矽層31A是以殘留0.05至Ο.ίμιη左右之方式施行餘刻。此外 -85- (83) 1305288 ，就源極•汲極配線1 2、2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話，則亦可簡化而形成Ta、Cr、MoW合金等單層。源極.汲極配線1 2、2 1形成時，如第1 3圖（e )所示地，在其形狀形成線狀之靜電對策線40的兩端，賦予電極1 00A 、100B，將這些電極連接於掃描線11和信號線12時，可形成有效的靜電對策，這點不需要說明。源極•汲極配線1 2、2 1形成後，使用P C V D裝置，在玻璃基板2的整面，被覆膜厚0.3 μιη左右的第2 SiNx層，而形成鈍化絕緣層3 7。如第13圖（f)和第14圖（f)所示，在畫素電極22上和電極端子5、6上，分別形成開口部3 8、63、64，選擇性地去除各開口部內的鈍化絕緣層，而露出畫素電極22和電極端子5、6的大部分。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化，而完成本發明第7實施例。關於儲存電容1 5 的構成，係如第1 3圖（f)所示，例如含畫素電極（汲極配線）22的一部分且與源極·汲極配線1 2、2 1同時形成的儲存電極72和前段掃描線1 1，介著閘極絕緣層30A形成平面重疊的區域52 (右下斜線部），構成儲存電容1 5的情形，然而’儲存電容1 5的構成並不侷限於此，與第2 實施型態同樣地’亦可在畫素電極2 2和與掃描線1 1同時形成的儲存電容線1 6間，介著含閘極絕緣層3 〇B的絕緣層來構成。又’其他的構成也是可能的，在此省略詳細的說明。如第4和桌6貫施例所不，源極.汲極配線材使用可 -86- (84) 1305288 施以陽極氧化的金屬薄膜，取代第7實施例中使用SiNx 的鈍化形成，而源極·汲極配線形成時，可藉由陽極氧化，形成絕緣性陽極氧化層，以進行源極·汲極配線的鈍化形成。通道蝕刻型的絕緣閘極型電晶體中，亦可同時在通道表面形成氧化矽層，以進行通道的鈍化形成，利用此方式，也可達成照相蝕刻步驟數的減少，這部分將於第8實施例中說明。

(第8實施例）第8實施例係如第15圖（d )和第16圖（d )所示，至構成通道之半導體層31 A、33A的島化步驟爲止，係以大致相同於第7實施例的製造步驟來進行。然而，第1非晶質矽層3 1亦可製成較薄的膜厚，例如0 · 1 μιη。在源極· 汲極配線的形成步驟中，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚Ο.ίμιη左右的Ti、Ta等薄膜層34，作爲可施以陽極氧化的耐熱金屬層；和膜厚爲0.3 μιη左右的AL薄膜層3 5，作爲同樣可施以陽極氧化的低電阻配線層。然後，如第1 5圖（e )和第1 6圖（e )所示，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案87 A、87B，依序蝕刻由這些薄膜所構成的源極·汲極配線材，同時選擇性地形成：含畫素電極22的一部分，且由34A和35A層積所構成的絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和同樣地兼具源極電極的信號線1 2 ;和含畫素電極2 2的一部分且同樣位於前段掃描線 11上的儲存電極72。含雜質之第2非晶質矽層33A和不 -87- (85) 1305288 含雜質之第1非晶質矽層3 1 A的蝕刻是不需要的。第8實施例的重要特徵是，源極·汲極配線1 2、2 1形成時，亦同時形成：掃描線電極端子5，其係含透明導電層所構成的部分掃描線5 A ;和由部分信號線所構成的電極端子6。此時，利用半色調曝光技術，事先形成膜厚比電極端子5、6 上的膜厚例如3 μηι ;與源極·汲極配線1 2、2 1上和儲存電極72上的膜厚例如1.5 μιη更厚的感光性樹脂圖案87 A、87Β 〇源極·汲極配線1 2、2 1形成後，利用氧電漿等灰化手段，使上述感光性樹脂圖案87Α、87Β的膜厚減少1.5μιη 以上時，感光性樹脂圖案8 7 C消失，露出源極.汲極配線 12、21和儲存電極72，同時可僅在電極端子5、6上，選擇性地形成感光性樹脂圖案87C。値得一提的特徵是，利用上述氧電槳處理，即使感光性樹脂圖案87C的圖案寬度變細，藉由在具有大圖案尺寸的電極端子5、6周圍，形成陽極氧化層，幾乎不會對電性特性和良率及品質造成影響。在此，如第1 5圖（f)和第1 6圖（f)所示，以感光性樹脂圖案8 7 C作爲光罩，與第1實施型態同樣地，—面照射光’一面將源極·汲極配線1 2、2 1施以陽極氧化，而形成氧化層6 8、6 9，同時將與源極·汲極配線12、21之間露出的第2非晶質矽層3 3 A鄰接的部分第1非晶質矽層 31A施以陽極氧化，而形成含絕緣層之雜質的氧化矽層66 、和不含雜質的氧化矽層（未圖示）。在源極.汲極配線12、2 1的上面露出A L，又，在兩 -88- (86) 1305288 側面露出AL、Ti的層積，並且利用陽極氧化，分別使Ti 變質成半導體的氧化鈦（Ti02 ) 68，AL變質成絕緣層的鋁 (AL2 〇3 ) 69。通道間之含雜質的第2非晶質矽層33A，在厚度方向沒有完全絕緣化時，會導致絕緣閘極型電晶體之漏洩電流增加。因此，習知例中亦揭示有：一邊照射光，一邊實施陽極氧化，這在陽極氧化步驟是很重要的。具體而言，照射一萬米燭光（lux )左右之強度充足的光，若絕緣閘極型電晶體的漏洩電流超過μA的話，以源極·汲極電極1 2、 21間的通道部和汲極電極的面積來計算，藉由10mA/ cm2 左右的陽極氧化，可獲得用以獲致良好膜質的電流密度。又，將含雜質之第2非晶質矽層33A施以陽極氧化，使之變質成絕緣層之氧化砂層66，足夠進行上述變質的反應電壓是100V，將反應電壓設得較高，比100V多10V左右，令所形成之含雜質之氧化矽層66、和與其連接之不含雜質的部分第1非晶質矽層3 1 A ( 1 0 0 A左右），變質成不含雜質的氧化矽層（未圖示），以此方式，通道的電性純度較高，源極·汲極間得以完全電性分離。亦即，絕緣閘極型電晶體的OFF電流充分減少，可獲得較高的ON/ OFF 比。以陽極氧化形成的鋁69、氧化鈦68等各氧化層的膜厚，作爲配線的鈍化層，0.1至0.2 μιη左右已足夠，使用乙二醇等反應液，施加電壓同樣超過1 00V。進行源極·汲極配線1 2、2 ]的陽極氧化時，應留意的事項係如第1實施 -89- (87) 1305288 例所示，所有的信號線1 2係形成並聯或串聯，後續數個製造步驟中，必須解除該並串聯。陽極氧化結束後，去除感光性樹脂8 7 C時，如第15 圖（g)和第16圖（g)所示，在其側面具有陽極氧化層，而露出由低電阻金屬層35A所構成的電極端子5、6。然而，爲了達成靜電對策，部分掃描線5 A係連接於例如短路線40 ( 9 1 C )，並且如圖所示，若信號線1 2或電極端子6 沒有含短路線4〇而形成的話，則無法在電極端子5側面形成陽極氧化層。此外，就源極.汲極配線1 2、2 1的構成而言，若電阻値的限制較鬆的話，則亦可簡化而形成得以施行陽極氧化的Ta單層。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化，而完成本發明第8實施例。關於儲存電容1 5的構成係與第7實施例相同。第8實施例亦如上所述，源極汲極配線1 2、2 1、和源極·汲極配線間之第2非晶質矽層3 3 A在進行陽極氧化時，與汲極電極2 1電性相繫的畫素電極22也會露出，故畫素電極22也同時會被陽極氧化，這點與第1實施例有很大的不同。因此，依據構成畫素電極22之透明導電層的膜質，有時電阻値會因陽極氧化而增大，此時，必須適當變更透明導電層的製膜條件，事先形成氧不足的膜質，然而，透明導電層的透明度不會因陽極氧化而降低。再者，供汲極電極2 1和畫素電極2 2進行陽極氧化的電流亦可經由絕緣閘極型電晶體的通道來供給，由於畫素電極22的面積較大，所以必須有大的反應電流或長時間的；又應，不論照 -90- (88) 1305288 射多強的外光，通道部的電阻都不會造成妨礙。要在汲極電極21和儲存電極72上，形成與信號線12上同等膜質和膜厚的陽極氧化層，僅藉由反應時間的延長實有實用上的困難。然而，如以往所述，即使形成於汲極配線2 1上的陽極氧化層有些不完全，實際上，多可獲致無礙的可靠性。亦可如習知例之說明，使用一道光罩，合理化源極· 汲極配線形成步驟和半導體層島化步驟的技術，與本發明提案之步驟減少技術相互融合，這部分將於第9和第1〇實施例中說明。 (第9實施例）第9實施例係如第17圖（c )和第18圖（c )所示，以大致相同於第7實施例的步驟來進行’直到露出透明導電層所構成之部分掃描線5A、畫素電極22、和靜電對策線4 0 ( 9 1 C )爲止。在源極·汲極配線形成步驟中’使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚左右的Ti薄膜層34’作爲耐熱金屬層；和膜厚〇.3μηα左右的AL薄膜層35’作爲低電阻配線層。然後’利用微細加工技術’使用感光性樹脂圖案，依序餓刻由這些薄膜所構成的源極·汲極配線材’ 並且選擇性地形成：含部分畫素電極2 2之絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和兼具源極電極的信號線1 2 ;和含部分畫素電極22之前段掃描線11上的儲存電極72;和含開口部63Α的掃描線電極端子5 ;和由部分信號線所構成的信 (89) 1305288

號線電極端子6。亦如習知例的說明，該選擇圖案形成時，利用半色調曝光技術，形成膜厚比源極.汲極間之通道形成區域8 0 B (斜線部）的膜厚例如1 . 5 μ m，與源極·汲極配線形成區域8 0A( 12)、80A(21)、和儲存電極形成區域80A(72)和電極端子形成區域80A(5)、8 0A(6)的膜厚例如3μηι更薄的感光性樹脂圖案80A、80B。以感光性樹脂圖案80A、80Β作爲光罩，如第17圖（d)和第18 圖（d)所示，依序蝕刻AL薄膜層35、Ti薄膜層34、第 2非晶質矽層33A及第1非晶質矽層31A，露出掃描線11 上的閘極絕緣層30A時，畫素電極22亦會露出。

繼之，如第17圖（e )和第1 8圖（e )所示，利用氧電漿等灰化手段，令上述感光性樹脂圖案80A、80B的膜厚減少例如3μηι至1_5μιη以上時，感光性樹脂圖案80B消失，而露出通道區域，同時亦可在源極·汲極配線形成區域、儲存電極形成區域、和電極端子形成區域，殘留感光性樹脂圖案 8 0 C ( 1 2 )、8 0 C ( 2 1 )、8 0 C ( 7 2 )、8 0 C ( 5 ) 及8 0C ( 6 )。在此，以膜厚減少的此等感光性樹脂圖案作爲光罩，再依序蝕刻源極·汲極配線間（通道形成區域）的AL薄膜層、Ti薄膜層、第2非晶質矽層33Α及第1非晶質砂層31A，而第1非晶質砂層31A係以殘留〇.〇5μηι 至Ο.ίμηι之方式蝕刻。去除上述感光性樹脂圖案80C(12)、80C(21)、80C (72)、80A(5)及80A(6)後，使用PCVD裝置，在玻璃基板2的整面，被覆膜厚0·3μηι左右的第2SiNx層，作 •92- (90) 1305288 爲透明性絕緣層，而形成鈍化絕緣層3 7，並且如第1 7圖 (f)和第1 8圖（f)所示，利用微細加工技術，分別在畫素電極22上和電極端子5、6上，形成開口部38、63、64 ，並且選擇性地去除各開口部內的第2 SiNx層，而分別露出畫素電極22和電極端子5、6的大部分。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化，而完成本發明第9實施例。關於儲存電容1 5 的構成，係如第1 7圖（f)所示地，例舉：含畫素電極（汲極配線）22的一部分且與汲極配線2 1同時形成的儲存電極72、和前段掃描線1 1，介著第2非晶質矽層33 A、第 1非晶質矽層3 1 A及閘極絕緣層3 0 A而形成平面重疊的區域52 (右下斜線部），構成儲存電容1 5的情形。第9實施例中，由於畫素電極22是在源極·汲極配線的形成步驟中，在第2次的蝕刻步驟中保持著露出，所以隨著源極·汲極配線材和其蝕刻方法的不同，畫素電極2 2 膜厚減少很多、或消失的情況發生的可能性很高。而避免此種不良情況的對策的發明將於第1 0實施例中說明。 (第1 〇實施例）第1 〇實施例係如第1 9圖（c )和第2 0圖（C )所示，以膜厚減少的感光性樹脂圖案82C作爲光罩，選擇性地去除第2非晶質矽層33A至33C、和第1非晶質矽層31 A至 31C、和閘極絕緣層30A至30C，而露出第1金屬層92A 至92C’而利用大致相同於第7實施例的步驟來進行，直 (91) 1305288 到分別獲得部分掃描線73、和模擬畫素電極93和模擬靜電對策線9 5爲止。亦即，該蝕刻步驟中第丨金屬層沒有蝕刻，這部分乃不同於第9實施例。在源極·汲極配線形成步驟中，使用S P T等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚ο.ίμηι左右的Ti薄膜層34，作爲耐熱金屬層；和膜厚0.3μιη左右的AL薄膜層35，作爲低電阻配線層。然後，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案，依序鈾刻由這些薄膜所構成的源極.汲極配線材，並且選擇性地形成：含部分模擬畫素電極93之絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和兼具源極電極的信號線1 2 ;和含部分模擬畫素電極93之位於前段掃描線1 1上的儲存電極 72 ;和含開口部63 Α的掃描線電極端子5 ;和由部分信號線所構成的信號線電極端子6。與第9實施例同樣地，利用半色調曝光技術，形成感光性樹脂圖案80 A、80B，而該感光性樹脂圖案80A、80B的膜厚係比源極·汲極間之通道形成區域80B (斜線部）的膜厚例如1·5μηι ’與源極· 汲極配線形成區域80Α ( 12 )、80Α ( 21 )和儲存電極形成區域80Α(72)和電極端子形成區域80Α(5)、80Α(6) 的膜厚例如3μηι更薄。接著，以感光性樹脂圖案80Α ' 80Β 作爲光罩，如第19圖（d )和第2 0圖（d )所示’依序蝕刻AL薄膜層35、Ti薄膜層34、第2非晶質矽層33A及第 1非晶質矽層3 1 A，而露出掃描線1 1上的閘極絕緣層3 0 A 時，模擬畫素電極93也會露出。在此’無論模擬畫素電極 93之第1金屬層92B的膜厚減少多少’都不會造成任何妨 (92) 1305288 礙。

之後，如第19圖（e )和第20圖（e )所示，利用氧電漿等灰化手段，令感光性樹脂圖案80A、80B的膜厚減少例如3μηι至1.5μπι以上時，感光性樹脂圖案80B消失，露出通道區域，同時可在源極·汲極配線形成區域、和儲存電極形成區域、和電極端子形成區域，殘留膜厚減少的感光性樹月旨圖案 80C ( 1 2 ) > 80C(21)、80C(72)、80C ( 5 )及80C ( 6 )。在此，以膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，再度依序蝕刻源極·汲極配線間（通道形成區域）的AL薄膜層、Ti薄膜層、第2非晶質矽層3 3 A及第1非晶質矽層3 1 A，而第1非晶質矽層3 1 A係以殘留0.05 μιη 至0 · 1 μ m左右之方式蝕刻。該第2次的蝕刻步驟中，構成模擬畫素電極93之上層第1金屬層92B也被去除，而露出作爲畫素電極22的透明導電層91B。

去除上述感光性樹脂圖案80C(12)、80C(21)、80C (72 )、80C ( 5 )及80C ( 6 )後，與第9實施例同樣地，使用PC VD裝置，在玻璃基板2的整面，被覆膜厚〇.3 μιη 左右的第2 SiNx層作爲透明性絕緣層，而形成鈍化絕緣層 3 7 ’然後’如第19圖（f)和第2 0圖（f)所示，利用微細加工技術，在畫素電極2 2上和電極端子5、6上，分別形成開口部3 8、63、64，且選擇性地去除各開口部內的第 2SiNx層’而分別露出畫素電極22和大部分的電極端子5 令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合， -95- (93) 1305288 液晶面板化，而完成本發明第1 〇實施例。關於靜電對策，係採用與第7實施例相同的方式，關於儲存電容15的構成，則與第9實施例相同。上述第7至第1 〇實施例中，液晶顯示裝置是絕緣閘極型電晶體上採用通道飩刻型且使用TN型液晶晶胞的構成 ’但是’藉由與畫素電極隔著預定距離而形成的一對相對電極和畫素電極’來控制橫方向電場之IPS ( In-Plain-Switcing)方式的液晶顯示裝置中，本發明所提案的步驟減少也是有用的，這部分將於後續的實施例中說明 (第1 1實施例）第11實施例中，首先使用SPT等真空製膜裝置，在玻璃基板2的一主面上，被覆膜厚0.1至〇.3μιη左右的第 1金屬層，例如Cr、Ta、Mo等、或這些的合金或矽化物。繼之，在玻璃基板2的整面，使用PC VD裝置，以例如0.3 — 0.2— 0.1 μιη左右的膜厚，依序被覆：作爲閘極絕緣層的第ISiNx層30;和作爲幾乎不含雜質之絕緣閘極型電晶體通道的第1非晶質矽層3 1 ;和作爲源極·汲極之含雜質的第2非晶質矽層3 3等三種薄膜層。然後，如第21 圖（b )和第22圖（b )所示，利用半色調曝光技術，形成膜厚比對應於開口部63A、65A之接觸形成區域84B膜厚例如1 μιη，與對應於兼具掃描線1 1和儲存電容線之相對電極1 6的區域84Α膜厚例如2μπα更薄，並且以感光性樹脂 -96- (94) 1305288 圖案84A、84B作爲光罩，依序去除第1非晶質矽層33、第1非晶質矽層3 1、閘極絕緣層3 〇及第1金屬層，而露出玻璃基板2。

利用氧電漿等灰化手段，令感光性樹脂圖案8 4 A、8 4 B 的膜厚減少例如1 μ m以上時，感光性樹脂圖案8 4 B消失’ 而在開口部63A內露出第2非晶質矽層33A’在開口部65A 內露出第2非晶質矽層3 3 B，同時可在掃描線1 1和相對電極1 6上，選擇性地形成感光性樹脂圖案84C。

接著，如第21圖（b)、第22圖（b)所示’在閘極電極1 1A的側面形成絕緣層76。因此，如第27圖所示，將掃描線1 1 (相對電極1 6也是同樣的情形，而在此省略圖示）並列綁束之配線7 7、和在玻璃基板2的外周部施以電鍍或陽極氧化時用以賦予電位的連接圖案78是必要的，再者，使用利用電漿CVD之非晶矽層3 1 ' 3 3和氮化矽層3 0 之適當光罩手段的製膜區域79，乃限定於靠連接圖案78 的內側，至少須露出連接圖案7 8。在連接圖案7 8上，使用具有銳利刀鋒之鱷魚夾等連接手段，戳破連接圖案78 上的感光性樹脂圖案84C ( 78 )，對掃描線1 1賦予電位，以進行電鍍或陽極氧化，亦可在絕緣層7 6上形成有機絕緣層或陽極氧化層之任一者。如第21圖（c )和第22圖（c )所示，以感光性樹脂圖案8 4 C作爲光罩，選擇性地蝕刻開口部6 3 A、6 5 A內的第2非晶質矽層33A、33B、第1非晶質矽層31A、31B、和閘極絕緣層30A、30B，而分別露出掃描線1 1的一部分 -97- (95) 1305288 7 3和相對電極1 6的一部分7 5。

去除上述感光性樹脂圖案84C後，在源極·汲極配線的形成步驟中’使用SPT等真空製膜裝置’依序被覆：膜厚0 . 1 μ m左右的T i薄膜層3 4，作爲耐熱金屬層；和膜厚 0.3μιη左右的AL薄膜層35，作爲低電阻配線層。接著’ 利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案’依序蝕刻由這些薄膜構成的源極·汲極配線材’並且選擇性地形成：作爲畫素電極2 2之絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和兼具源極電極的信號線1 2 ;和含開口部6 3 Α的掃描線電極端子5 ;和由部分信號線所構成的信號線電極端子6。如習知例之說明，該選擇圖案形成時’利用半色調曝光技術’形成感光性樹脂圖案8 0 A、8 0 B ’而該感光性樹脂圖案8 0 A、

8 0 B的膜厚係比源極·汲極間通道形成區域8 0 B (斜線部 )的膜厚例如1 · 5 μ m，與源極·汲極配線形成區域8 0 A ( 12 )、80A ( 21 )、和電極端子形成區域80A ( 5 )、80A ( 6 )的膜厚例如3 μιη更薄。然後’以感光性樹脂圖案80 A、 80B作爲光罩，如第21圖（d)和第21圖（d)所示，依序鈾刻AL薄膜層35' Ti薄膜層34、第2非晶質砂層33A 、3 3 B及第1非晶質矽層3 1 A、3 1 B，而分別露出掃描線1 1 上和相對電極1 6上的閘極絕緣層3 0 A、3 0 B。再者，如第21圖（e )和第22圖（e )所示，利用氧電漿等灰化手段，令感光性樹脂圖案80A、80B的膜厚減少例如3μιη至1·5μιη以上時，感光性樹脂圖案80B消失，露出通道區域，同時可在源極·汲極配線形成區域和電極 -98- (96) 1305288 端子形成區域，殘留感光性樹脂圖案80C ( 12 )、80C ( 21 )、8 0 C ( 5 )及8 0 C ( 6 )。在此，以這些膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，再依序蝕刻源極·汲極配線間（通道形成區域）的AL薄膜層、Ti薄膜層、第2非晶質矽層33 A 及第1非晶質矽層3 1 A ’而第1非晶質矽層3 1 A係以殘留 0.05μηι至Ο.ΐμπι左右之方式進行蝕刻。

去除上述感光性樹脂圖案80C(12)、80C(21)、80C (5 )及80C ( 6 )後，使用PCVD裝置，在玻璃基板2的整面，被覆膜厚〇·3μηι左右的第2 SiNx層，而形成鈍化絕緣層37。如第21圖（f)和第22圖（f)所示，利用微細加工技術，分別在電極端子5、6上，選擇性地形成開口部 63、64，且選擇性地去除各開口部內的第2 SiNx層，而分別露出電極端子5、6的大部分。令以此方式製成的主動式基板2和彩色濾光片貼合，液晶面板化，而完成本發明第1 1實施例。關於儲存電容 1 5的構成，係如第2 1圖（f)所示’例如兼具汲極配線之畫素電極2 1和兼具儲存電容線之相對電極1 6，介著第2 非晶質矽層3 3 B、第1非晶質矽層3 1 B及閘極絕緣層3 0B ，而形成平面重曼的區域50 (右下斜線部），構成儲存電容1 5的情形，此外，關於靜電對策，則省略了記載。與第8實施例同樣地’亦可同時進行絕緣閘極型電晶體的通道和源極’汲極配線的鈍化形成，來取代第1 1實施例中使用S iNx的鈍化形成，以此方式’亦可達成照相蝕刻步驟數的減少，這部分將於第1 2實施例中說明。 -99- (97) 1305288 (第1 2實施例）第12實施例係如第23圖（c )和第24圖（c )所示，至接觸形成爲止，係以大致相同於第1 1實施例的製造步驟來進行。然而，第1非晶質矽層31的膜厚，亦可製成Ο.ΐμπι 之較薄的膜厚。接著，去除膜厚減少的感光性樹脂圖案84C 後，如第2 3圖（d )和第24圖（d )所示，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案8 8 A，在閘極電極1 1 A上，選擇性地殘留第2非晶質矽層3 3 A和第1非晶質矽層3 1 A，而露出掃描線1 1上和相對電極1 6上的閘極絕緣層3 0 A、 3 0B。此時，開口部63 A、65A內露出之部分掃描線73和部分相對電極7 5，一般以受到感光性樹脂圖案8 8 B、8 8 C 保護，而抑制不必要的膜厚減少或反應生成物的發生。因此，開口部63 A、65 A的周圍會殘留第2非晶質矽層和第1 非晶質矽層，但是，關於掃描線的接觸性，則沒有任何妨礙。繼之，去除上述感光性樹脂圖案88A至88C後，在源極·汲極配線的形成步驟中，使用SPT等真空製膜裝置，依序被覆：膜厚Ο.ίμιη左右的Ti、Ta等薄膜層34，作爲耐熱金屬層；和膜厚〇.3μηι左右的AL薄膜層35，作爲低電阻配線層。然後，利用微細加工技術，使用感光性樹脂圖案8 7，依序蝕刻由這兩層薄膜所構成的源極·汲極配線材，而露出閘極絕緣層30Α、30Β。如第23圖（e )和第 24圖（e)所示，選擇性地形成：由34A和35A層積所構 -100- (98) 1305288 成之作爲畫素電極的絕緣閘極型電晶體的汲極電極2 1 ;和兼具源極配線的信號線1 2，同時亦形成：掃描線的電極端子5 ’其係含在源極·汲極配線】2、2 1形成的同時露出之部分掃描線7 3 ;和由部分信號線構成的電極端子6。此時 ’利用半色調曝光技術，事先形成膜厚比電極端子5、6 上的膜厚例如3 μιη、和源極·汲極配線1 2、2 1上的膜厚例如1.5 μιη更厚的感光性樹脂圖案8 7Α、8 7Β，這是第12實施例的重要特徵。源極·汲極配線1 2、2 1形成後，利用氧電漿等灰化手段，令上述感光性樹脂圖案87Α、87Β的膜厚減少1.5μιη 以上時，感光性樹脂圖案8 7 C消失，而露出源極·汲極配線12、2 1，同時可僅在電極端子5、6上，選擇性地形成感光性樹脂圖案87C。在此，以感光性樹脂圖案87C作爲光罩，一邊照射光，一邊如第23圖（f)和第24圖（f) 所示地，將源極·汲極配線1 2、2 1予以陽極氧化，而形成氧化層68、69，同時將源極·汲極配線12、21間露出的第2非晶質矽層33A予以陽極氧化，而形成作爲絕緣層的氧化矽層（Si02) 66。陽極氧化結束後，去除感光性樹脂圖案8 7 C時，如第 23圖（g)和第24圖（g)所示，露出表面具有低電阻薄膜層35A的電極端子5、6。令以此方式製成的主動式基板 2和彩色濾光片貼合，液晶面板化’而完成本發明第1 2實施型態。關於儲存電容1 5的構成’係如第2 3圖（g )所示，例如部分畫素電極2 1和相對電極1 6 ’介著閘極絕緣層 -101 - (99) 1305288 3 〇B而形成平面重疊的區域5 0 (右下斜線部），構成儲存電容1 5的情形。此外，關於靜電對策，則省略記載，然而，由於賦予被設置開口部6 3 A 73的步驟，故靜電對策是容【圖式簡單說明】第1圖是關於本發明第體裝置的平面圖。第2圖是關於本發明第體裝置的製造步驟剖面圖。第3圖是關於本發明第體裝置的平面圖。第4圖是關於本發明第體裝置的製造步驟剖面圖。第5圖是關於本發明第體裝置的平面圖。第6圖是關於本發明第體裝置的製造步驟剖面圖。第7圖是關於本發明第體裝置的平面圖。第8圖是關於本發明第體裝置的製造步驟剖面圖。第9圖是關於本發明第體裝置的平面圖。，而露出掃描線Π之一部分易的。 1實施型態之顯示裝置用半導 1實施型態之顯示裝置用半導 2實施型態之顯示裝置用半導 2實施型態之顯示裝置用半導 3實施型態之顯示裝置用半導 3實施型態之顯示裝置用半導 4實施型態之顯示裝置用半導 4實施型態之顯示裝置用半導 5實施型態之顯示裝置用半導 -102- (100) 1305288 第1 0圖是關於本發明第5實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第1 1圖是關於本發明第6實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。第1 2圖是關於本發明第6實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第1 3圖是關於本發明第7實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。第1 4圖是關於本發明第7實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第1 5圖是關於本發明第8實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。第1 6圖是關於本發明第8實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第1 7圖是關於本發明第9實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。第1 8圖是關於本發明第9實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第1 9圖是關於本發明第1 0實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。第20圖是關於本發明第1 0實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第2 1圖是關於本發明第1 1實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。 -103- (101) 1305288 第22圖是關於本發明第11實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第23圖是關於本發明第12實施型態之顯示裝置用半導體裝置的平面圖。第24圖是關於本發明第12實施型態之顯示裝置用半導體裝置的製造步驟剖面圖。第25圖是用以形成第1實施例之絕緣層的連接圖案配置圖。第26圖是用以形成第2、第3、第4、第7、第8、第 9及第1 〇實施例之絕緣層的連接圖案配置圖。第27圖是用以形成第5、第6、第11及第12實施例之絕緣層的連接圖案配置圖。第28圖是表示液晶面板之安裝狀態的主體圖。第29圖是液晶面板的等效電路圖。第30圖是習知液晶面板的剖面圖。第31圖是習知例之主動式基板的平面圖。第3 2圖是習知例之主動式基板的製造步驟剖面圖。第33圖是合理化之主動式基板的平面圖。第34圖是合理化之主動式基板的製造步驟剖面圖。【主要元件對照表】 1 :液晶面板 2:主動式基板（玻璃基板） 3:半導體積體電路晶片 -104- (102) (102)1305288 4 : TCP薄膜 5 :掃描線的電極端子、掃描線的一部分 6 :信號線的電極端子、信號線的一部分 9 :彩色濾光片（相對的玻璃基板） I 0 :絕緣閘極型電晶體 II :掃描線 1 1 A :閘極配線、閘極電極 1 2 :信號線（源極配線、源極電極） 1 6 :儲存電容線（IPS型相對電極） 1 7 :液晶 1 8 :偏光板 20 :配向膜 21:汲極電極（IPS型畫素電極） 22 :(透明導電性）畫素電極 30、30A、30B、30C :閘極絕緣層（第 1 SiNx 層） 3 1、3 1 A、3 1 B、3 1 C :(不含雜質）第1非晶質矽層 32 ' 32A、32B、32C ：第 2 SiNx 層 3 2D :通道保護絕緣層（蝕刻終止層、保護絕緣層） 3 3、3 3 A、3 3 B、3 3 C :(含雜質）第2非晶質矽層 34、 34A :(可陽極氧化）耐熱金屬層 35、 35A:(可陽極氧化）低電阻金屬層（AL) 3 6、3 6 A :(可陽極氧化）中間導電層 3 7 :鈍化絕緣層 3 8 :(畫素電極上的）開口部 -105- (103) 1305288 50、51、52:儲存電容形成區域 6 2 :(汲極電極上的）開口部 6 3、6 3 A :(掃描線上的）開口部 6 4、6 4 A :(信號線上的）開口部 6 5、6 5 A :(相對電極上的）開口部 66:含雜質的氧化砂層 68 :陽極氧化層（氧化鈦、Ti02 ) 6 9 :陽極氧化層（氧化鋁、A12 Ο 3 ) 70 :陽極氧化層（5氧化鉬、Ta205 ) 72 :儲存電極 7 3 :掃描線的一部分 7 4 :信號線的一部分 76 :形成於掃描線側面的絕緣層 8 1A ' 8 1B ' 82A、82B、84A、84B、87A、87B:(以半色調曝光形成的）感光性樹脂圖案 8 3 A :(供畫素電極形成的一般）感光性樹脂圖案 8 5 :感光性有機絕緣層 86A、86B :(以半色調曝光形成的）感光性有機絕緣層 91、 91A、91B、91C:透明導電層 92、 92A ' 92B、 92C:第 1 金屬層 -106 -

Claims

I修(更)正本务——~J 拾、申請專利範圍 1. 一種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成有由一層以上的金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層與含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化之金屬層層積所構成的源極 (信號線）.汲極配線、和同樣地含上述開口部週邊之第 1半導體層的掃描線電極端子；在上述部分汲極配線上和第1透明性絕緣基板上’形成透明導電性的畫素電極，在畫像顯示部以外區域的信號線上，形成透明導電性的電極端子；及 -107- 1305288 (2) 除了與上述汲極配線之畫素電極重疊的區域和信號線電極端子的區域外，在源極·汲極配線的表面，形成陽極氧化層。 2 · 一種液晶顯不裝置’係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和透明導電性畫素電極與信號線的電極端子；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，去除掃描線上的閘極絕緣層，而露出作爲掃描線之電極端子的透明導電層；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述信號線的部分電極端子上，形成由含雜質之第2半導體層和含耐熱金屬層之一層以上的第2 金屬層的層積所構成的源極配線（信號線），以及在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基 -108- 1305288 (3) 板上和上述部分畫素電極上，同樣地形成汲極配線；及在上述源極·汲極配線上，形成感光性有機絕緣層。 3 · —種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和透明導電性畫素電極，在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，去除掃描線上的閘極絕緣層，而露出作爲部分掃描線的透明導電層；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層、和含耐熱金屬層之一層以上之第2金屬層的層積所構成的源極配線（信號線）；以及在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述部分掃描線的掃 -109- 1305288 (4) 描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域’形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外，在信號線上形成感光性有機絕緣層。 4.一種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線 '和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，去除掃描線上的閘極絕緣層，而露出作爲部分掃描線的透明導電層；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層、和含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化之金屬層的層積所構成的源極配線（信號線）；以及在上述部分保護絕緣層上和第 -110- 1305288 (5) 1半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述部分掃描線的掃描線電極端子：以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外，在源極·汲極配線上形成陽極氧化層。 5. —種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成有由一層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極；在上述相對電極上，形成一層以上的閘極絕緣層’以及在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線； -111 - 1305288 (6) 在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質之第2半導體層和含耐熱金屬層之一層以上之第2金屬層的層積所構成的源極配線 (信號線）、汲極配線（畫素電極）：以及同樣形成含上述開口部週邊之第〗半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外，在信號線上形成感光性有機絕緣層。 6. —種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成有由一層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極；在上述相對電極上，形成一層以上的閘極絕緣層，以及在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成寬幅比閘極電極還細的 -112- 1305288 (7) 保護絕緣層；在畫像顯示部以外的區域’於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述部分保護絕緣層上和第1半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含雜質的第2半導體層和含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化之金屬層的層積所構成的源極配線（信號線）、汲極配線（畫素電極）：以及同樣形成含上述開口部週邊之第1半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及除了上述信號線之電極端子上之外，在源極·汲極配線的表面形成陽極氧化層。 7.—種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層； -113- 1305288 (8) 在上述第1半導體層上’形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域’於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線的透明導電層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上’形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線、和同樣形成含上述開口部的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及上述畫素電極上和上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第1透明性絕緣基板上。 8 · —種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上’至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣間極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的 -114- (9) , 1305288 掃描線和透明導電性畫素電:極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層； ‘ 在上述第1半導體層上’形成作爲絕緣閘極型電晶體 - 之源極.汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域’於掃描線上的間極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線之透明導電層； # 在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上’形成由含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第 1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上’同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述開口部的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域’形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；除了上述信號線的電極端子外，在源極·汲極配線的 β 表面形成陽極氧化層；及在上述源極.汲極配線間的第1半導體層上’形成氧化砂層。 9. 一種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極 -115- 1305288 (10) 配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和透明導電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線之透明導電層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述部分畫素電極上，同樣形成汲極配線 :以及同樣形成含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域’形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及在上述畫素電極上和上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第1透明性絕緣基板上。’ 1 〇 .—種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板 -116- 1305288 (11) 或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上’至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源 · 極配線的信號線 '和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫 _ 素’被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由透明導電層和第1金屬層的層積所構成且其側面具有絕緣層的掃描線、和將第1金屬層層積於週邊部之一部分的透明導鲁電性畫素電極；在閘極電極上，形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出作爲部分掃描線之透明導電層；鲁在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）；以及在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上和上述畫素電極週邊部之.部分第1金屬層上，同樣形成汲極配線；以及同樣形成含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及 -117- (12) 1305288 在上述畫素電極上和上述掃描線與信號線的電極端子上’具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第i透明性絕緣基板上。 Π · —種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上’至少具有：絕緣閛極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由一層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極；在上述相對電極上形成一層以上的閘極絕緣層，在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極·汲極之一對含雜質的第2半導體層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形成由含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層所構成的源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）；以及同樣形成 -118- 1305288 (13) 含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域，形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；及在上述掃描線與信號線的電極端子上，具有開口部的鈍化絕緣層，係形成於上述第1透明性絕緣基板上。 1 2 . —種液晶顯示裝置，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣聞極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，形成由一層以上的第1金屬層所構成且其側面具有絕緣層的掃描線和相對電極；在上述相對電極上，形成一層以上的閘極絕緣層，以及在閘極電極上形成一層以上的閘極絕緣層和不含雜質的第1半導體層；在畫像顯示部以外的區域，於掃描線上的閘極絕緣層形成開口部，而在開口部內露出部分掃描線；在上述第1半導體層上，形成作爲絕緣閘極型電晶體之源極.汲極之一對含雜質的第2半導體層；在上述第2半導體層上和第1透明性絕緣基板上，形 -119- 1305288 (14) 成由含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層所構成的源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）；以及同樣形成含上述開口部週邊之第1和第2半導體層的掃描線電極端子；以及在畫像顯示部以外的區域’形成由部分信號線所構成的信號線電極端子；除了上述信號線之電極端子外，在源極·汲極配線的表面形成陽極氧化層；及在上述源極·汲極配線間的第1半導體層上，形成氧化砂層。 1 3.如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8、9、 1 0、1 1或1 2項所記載之液晶顯示裝置，其中，形成於掃描線側面的絕緣層是有機絕緣層。 14.如申請專利範圍第5、6、1 1或1 2項所記載之液晶顯示裝置，其中，第1金屬層是由可陽極氧化的金屬層所構成，而形成於掃描線側面的絕緣層是陽極氧化層。 1 5 . —種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上’依序被覆： -120- 1305288 (15) 一層以上的金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線，在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，以與上述保護絕緣層呈部分重疊之方式，形成源極（信號線）.汲極配線、和含上述部分掃描線的掃描線電極端子的步驟；在上述第1透明性絕緣基板上和部分汲極配線上’形成透明導電性畫素電極；和在畫像顯示部以外的區域於信號線上，形成透明導電性電極端子；和在上述掃描線的電極端子上，形成透明導電性電極端子的步驟；及 -121 - 1305288 (16) 以使用於上述畫素電極和電極端子之選擇圖案形成的感光性樹脂圖案作爲光罩，一邊保護透明導電性畫素電極和透明導電性電極端子，一邊將源極.汲極配線施以陽極氧化的步驟。 1 6. —種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；與對應於掃描線和畫素電極及掃描線和信號線的電極端子，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線和信號線之電極端子形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1弗晶質砂層、和閛極絕緣層、和第1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出畫素電極上和掃描線與信號線之電極端子形成區域上之保護絕緣層的步 -122- 1305288 (17) 驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’蝕刻：衋素電極上和掃描線與信號線之電極端子區域上的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性的畫素電極、和掃描線的電極端子、和信號線的電極端子的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；及被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，以與上述保護絕緣層呈部分重疊之方式，形成含信號線的部分電極端子且表面具有感光性有機絕緣層的源極配線（信號線）、和同樣含部分畫素電極之汲極配線的步驟。 17.—種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆： -123- 1305288 (18) 透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層' 和不含雜晳的第1非晶質砂層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和畫素電極及掃描線的電極端子· ’在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域’形成掃描線之電極端子形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層 '和第1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚’露出畫素電極上和掃描線之電極端子形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻·· 畫素電極上和掃描線之電極端子區域上的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性的畫素電極、和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣地含部分畫素電極之汲極配線、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部 -124- 1305288 (19) 分信號線所構成的信號線電極端子’而形成信號線上的膜厚比其他區域更厚的感光性有機絕緣層圖案的步驟；以上述感光性有機絕緣層圖案作爲光罩，選擇性地去除第2金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；及_ 減少上述感光性有機絕緣層圖案的膜厚，而露出汲極配線和掃描線和信號線的電極端子的步驟。 1 8 . —種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和畫素電極及掃描線的電極端子，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之電極端子形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保 -125- I3〇5288 (20) 護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出畫素電極上和掃插線之電極端子形成區域上之保護絕緣層的步驟；與在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上和掃描線之電極端子區域上的保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性的畫素電極、和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層’ 與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣地含部分畫素電極之汲極配線、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成掃描線和信號線之電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性地去除可陽極氧化的金屬層、和第2非晶質矽層 '和第1非晶質砂層，而形成源極.汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟； -126- 1305288 (21) 減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出源極.汲極配線的步驟；及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極.汲極配線施以陽極氧化的步驟。 1 9 · 一種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：一層以上的第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚，露出接觸形成區域上之保護絕緣層的步驟； -127- (22) 1305288 在掃描線和相對電極的側面，形成絕緣層的步驟；與以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域之保護絕緣層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第〗非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質矽層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線） •汲極配線（畫素電極）、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成信號線上的膜厚比其他區域更厚的感光性有機絕緣層圖案的步驟；以上述感光性有機絕緣層圖案作爲光罩，選擇性地去除第2金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；及減少上述感光性有機絕緣層圖案的膜厚，而露出汲極配線和掃描線與信號線的電極端子的步驟。 20.—種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電 -128- 1305288 (23) 晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣聞極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素’被配列成二維矩陣’其特徵爲具備下列步驟· 至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：一層以上的第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和保護絕緣層的步驟；對應於掃描線和相對電極’在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序鈾刻：上述保護絕緣層 '和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域上之保護絕緣層的步驟；在掃描線和相對電極的側面’形成絕緣層的步驟；與以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域之保護絕緣層、和第1非晶質砂層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成寬幅比閘極電極還細的保護絕緣層，而露出第1非晶質矽層的步驟；在上述第1透明性絕緣基板的整面，被覆含雜質之第 2非晶質砂層的步驟， -129- 1305288 (24) 被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，與上述保護絕緣層呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）.汲極配線（畫素電極）、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成上述電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除可陽極氧化的金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層 ‘，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂層圖案的膜厚，而露出汲極·源極配線的步驟；及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極·汲極配線施以陽極氧化的步驟。 2 1 . —種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的鬧極絕緣層、 -130- !3〇5288 (25) 和不含雜質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極’在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域’形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第 1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，鈾刻：畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性的畫素電極、和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成第2非晶質矽層、和第 1非晶質矽層，而露出掃描線上的閘極絕緣層的步驟；與被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，以與閘極電極呈部分重疊之方式，選擇性地形成源極配線（信號線）、和同樣含上述部分畫素電極的汲極配線、和含上述部分掃描線的掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子的步驟：去除上述源極.汲極配線間之第2非晶質矽層的步驟 :及 1305288 (26) 在畫素電極上及掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1透明性絕緣基板上的步驟。 22.—種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第 1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚’露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟； -132- 1305288 (27) 以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性畫素電極和部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成第2非晶質矽層、和第 1非晶質矽層，而露出掃描線上的閘極絕緣層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣含部分畫素電極之汲極配線、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成掃描線和信號線之電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除可陽極氧化的金屬層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性有機絕緣層圖案的膜厚，而露出汲極 •源極配線的步驟；及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極.汲極配線和源極·汲極配線間的非晶質砍層施以陽極氧化的步驟。 23 · —種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電 -133- (28) 1305288 晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：透明導電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第 1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，飩刻：畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層、和第丨非晶質砂層、和閘極絕緣層、和第1金屬層，而露出透明導電性畫素電極和部分掃描線的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣含上述部分畫素電極之汲極配線、和源極·汲極配線間 -134- (29) 1305288 的通道區域、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子’而形成上述通道區域的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性地去除第2 金屬層、和第2非晶質砍層、和第1非晶質砂層’而選擇性地形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚’而露出上述通道區域之第2金屬層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作遮光罩，選擇性地去除上述通道區域之第2金屬層、和第2非晶質矽層的步驟；及在畫素電極上及掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1透明性絕緣基板上的步驟。 24.—種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於汲極配線的畫素電極之單位畫素，被配列成二維矩陣而構成，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆： -135- l3〇5288 (30) 透曰月_電層、和第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和；^ m質的第1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟； gf H於' 掃描線和畫素電極，在畫素電極上和畫像顯示部以外的區域’形成掃描線之接觸形成M域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質砂層、和第1非晶質砂層、和閘極絕緣層、和第 1金屬層、和透明導電層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案之膜厚’露出畫素電極上和接觸形成區域上之第2非晶質政層的步驟；在掃描線的側面’形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’蝕刻：畫素電極上與接觸區域的第2非晶質矽層和第1非晶質矽層和閘極絕緣層’而露出由第1金屬層所構成之畫素電極和部分掃描線的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後’與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）、和同樣含上述部分畫素電極之汲極配線、和源極·汲極配線間的通道區域、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子’而形成上述通道區域的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除第2 金屬層、和第2非晶質矽層 '和第1非晶質矽層’而選擇 -136- 1305288 (31) 性地形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線的電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出上述通道區 ’ 域之第2金屬層的步驟； · 以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’選擇性地去除上述通道區域之第2金屬層、和第2非晶質矽層’ 同時去除畫素電極上的第1金屬層，而露出透明導電性畫素電極的步驟；及 φ 在上述透明導電性的畫素電極上及掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1 透明性絕緣基板上的步驟。 25.—種液晶顯示裝置的製造方法’係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第 1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域 -137- 1305288 (32) ，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩’依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層、和第 1 .金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚’露出接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟；在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’蝕刻：上述接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上的第2金屬層後’與聞極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線）·汲極配線（畫素電極）、和源極·汲極配線間的通道區域、和含上述部分掃描線之掃描線電極端子、和由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成上述通道區域的膜厚比其他區域更薄的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除第2 金屬層、和第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層’而選擇性地形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出上述通道區域之第2金屬層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩’ __ 14 -138- (33) 1305288 地去除上述通道區域之第2金屬層、和第2非晶質矽層的步驟；及在上述掃描線和信號線的電極端子上，將具有開口部的鈍化絕緣層形成於上述第1透明性絕緣基板上的步驟。 26.—種液晶顯示裝置的製造方法，係由第1透明性絕緣基板、和與上述第1透明性絕緣基板相對的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間充塡液晶所構成，而該第1 透明性絕緣基板係於一主面上，至少具有：絕緣閘極型電晶體、和兼具上述絕緣閘極型電晶體之閘極電極的掃描線、和兼具源極配線的信號線、和連接於上述絕緣閘極型電晶體之汲極的畫素電極、和與上述畫素電極隔著預定距離形成的相對電極之單位畫素，被配列成二維矩陣，其特徵爲具備下列步驟：至少在第1透明性絕緣基板的一主面上，依序被覆：第1金屬層、和一層以上的閘極絕緣層、和不含雜質的第 1非晶質矽層、和含雜質的第2非晶質矽層的步驟；對應於掃描線和相對電極，在畫像顯示部以外的區域，形成掃描線之接觸形成區域上的膜厚比其他區域更薄的感性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，依序蝕刻：上述第 2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閜極絕緣層、和第 1金屬層的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，露出接觸形成區域上之第2非晶質矽層的步驟； -139- (34) 1305288 在掃描線的側面，形成絕緣層的步驟；以上述膜厚減少的感光性樹脂圖案作爲光罩，蝕刻：上述接觸區域的第2非晶質矽層、和第1非晶質矽層、和閘極絕緣層，而露出部分掃描線的步驟；在閘極電極上，選擇性地形成第2非晶質矽層、和第 1非晶質矽層，而露出掃描線上和相對電極上之閘極絕緣層的步驟；被覆含耐熱金屬層之一層以上可陽極氧化的金屬層後，與閘極電極呈部分重疊，且對應於源極配線（信號線） •汲極配線（畫素電極）、和含上述部分掃描線的掃描線電極端子、和在畫像顯示部以外的區域由部分信號線所構成的信號線電極端子，而形成掃描線和信號線之電極端子上的膜厚比其他區域更厚的感光性樹脂圖案的步驟；以上述感光性樹脂圖案作爲光罩，選擇性地去除可陽極氧化的金屬層，而形成源極·汲極配線、和掃描線與信號線之電極端子的步驟；減少上述感光性樹脂圖案的膜厚，而露出源極·汲極配線的步驟；及一邊保護上述電極端子上，一邊將源極·汲極配線和源極·汲極配線間的非晶質矽層施以陽極氧化的步驟。 2 7 如申請專利範圍第1 5、1 6、1 7、1 8、1 9、2 0、2 1 、22、23、24、25或26項所記載之液晶顯示裝置的製造方法，其中，形成於掃描線側面的絕緣層是有機絕緣層，且藉由電鍍而形成者。 -140- (35) 1305288 28.如申請專利範圍第15、19、20、25或26項所記載之液晶顯示裝置的製造方法，其中，第1金屬層是由可陽極氧化的金屬層所構成，而形成於掃描線側面的絕緣層是藉由陽極氧化形成者。