TW400640B - Semiconductor device having a shallow isolation trench - Google Patents

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五、發明説明（ 搿明背暑 ⑸發明領 A7 B7 域 本發明係有關於一種具有淺隔離溝渠之半導體裝置， 種用以形成分隔LSI裝置組件之淺隔離溝渠的 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尤其是一 技術。 ⑹相關技 就淺隔 晶體，之 例如，使 淺溝渠之 製造技術 第1画 製造步驟 成具有一 一厚 0 . 1 5 有遮罩圖 作遮罩， 露出砂基 基板3 1到 隔離溝渠 其次， 渠34及其 利用化學 C V D氧化 術說明 離溝渠（STI)技術而言，形成裝置組件，如電 組件區僳藉由使用淺溝渠而彼此隔離， 用STI技術之動態隨機存取記憶體（DRAM),其 尺寸會逐漸地隨著裝置組件尺寸的減少及LSI 的改善而減少。 和第2圖為在淺隔離溝渠位置之半導體裝置在 中之一例，如第1圖，在矽基板31上，連續形 厚約200A之氧化矽膜（或氧化墊膜）32和具有 //ra之遮罩氮化物（SiN)膜33,然後再形成一具 案之光阻膜（未圖示），接箸，使用該光阻膜當 選擇性蝕刻遮罩氮化物膜3 3和氧化墊膜3 2，以 板3 1之一部份，之後再利用乾式蝕刻法蝕刻矽 某特定的深度，以形成用以隔離裝置組件之淺 3 4 〇 藉由低壓化學氣相沉積法 （LPCVD)，在隔離溝 附近，形成一特定厚度之氧化矽膜35,然後再 機械研磨法（CMP)，將設置在虛線"A"之上的 膜3 5和遮罩氮化物膜33之部分研磨掉，接著， 請 先 閱 讀 背 之 注 意 事 項 頁 訂 丨線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 (> ' 1 1 利 用 濕 式 蝕 刻 法 蝕 刻 C VD 氧 化 膜 3 5 遮 罩 氮 化 物 膜 3 3和 1 熱 氣 化 膜 32 5 移 除 設 置 位 於 虛 線 "B "之上的CVD 氧 化 膜 35 Ί 9 趣 罩 氮 化 物 膜 3 3和 熱 氣 化 膜 3 2之 部 分 ， 以 露 出 矽 基 板 /-—s 請 I 先 卜 1 1的 表 面 > 但 仍 保 留 下 在 淺 隔 離 溝 渠 34 中 之 C VD 氧 化 膜 閱 1 3 5和 熱 氣 化 膜 3 2之 部 分 〇 面 Ι 之 1 之 後 9 如 第 2 圖 所 示 5 在 該 矽 基 板 1 1 曝 露 出 之 表 面 上 注 意 1 I 9 形 成 一 閘 極 氣 化 膜 37 9 然 後 再 藉 由 另 一 C VD 步 驟 9 在 事 項 1 1 該 CVD氧化膜3 5 和 閘 極 氣 化 膜 37之 上 形 成 多 晶 矽 T (P 〇 1 y s i 1 i C 0 11 )膜 38， 也可以形成- -非晶質矽膜， 以取 頁 1 1 代 該 多 晶 W 膜 38 Ο 1 1 百 .a,/. 刖 之 半 導 體 裝 置 之 製 造 技 術 能 夠 形 成 寬 約 0 . 5 >U IQ 之 1 1 淺 隔 離 溝 渠 » 然 而 9 若 在 LS I 中 所 形 成 之 隔 離 溝 渠 的 寬 1 訂 度 小 於 0 - Α μ ίΆ 5 如 0 . 25 β m 設 計 規 則 之 案 例 9 則 依 此 製 1 造 之 LS I具有詳述如下之缺點。 1 I 如 在 第 1 圖 中 所 示 範 地 描 述 9 由 於 有 一 種 不 想 要 的 非 1 1 等 向 性 沉 積 * 所 以 在 C VD 氧 化 膜 3 5的 沉 積 步 驟 中 9 經 常 1 1 産 生 一 種 自 遞 蔽 現 象 9 其 中 9 在 視 線 的 水 平 方 向 之 淺 β )線 隔 離 溝 渠 3 4的 中 央 部 分 9 有 空 隙 在 該 C VD 氧 化 膜 3 5之 1 1 中 9 如 第 2 圔 所 示 5 若 在 濕 式 蝕 刻 之 後 9 仍 有 該 空 隙 3 6 1 1 則 C VD 多 晶 矽 膜 38 被 保 存 於 該 空 隙 3 6中 9 而 形 成 —*- 1 不 想 要 之 矽 區 3 9 9 此 矽 區 3 9可 以 1^ 造 成 閘 極 電 極 之 間 9 1 例 如 形 成 在 矽 區 3 9上 之 相 互 建 接 圖 案 之 短 路 9 總 之 ， 在 1 ι 裝 置 組 件 之 較 佳 圖 案 案 例 中 » 由 於 C V D 氣 化 膜 35所 産 生 I 之 空 隙 9 使 ST I技術會涉及短路。 -4- 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（4 ) 高密度電漿CVD(HDP-CVD)技術是一種藉由同時執行沉 積和蝕刻氧化膜35，解決上述目前STI技術之問題的新 期待技術，此HDP- CVD技術通常僳使用低壓電漿，其中 電子密度約設在10 12和10 14之間，以增加電子之平均自 由行徑，而外加到基板之偏壓可以進一步増加電子平均 自由行徑之垂直分量。 對本技術而言，較厚之沉積氣化膜的厚度減較薄之蝕 刻氧化膜的厚度，能提供一種密度高於普通CVD膜之蕞 終氣化膜（此後稱為偏壓氣化膜）的適當沉積，此適用於 寬度較小之淺隔離溝渠，感應耦合電漿或電子迴旋加速 電漿可用以當作HDP- CVD製程之電漿源。 雖然所提出之HDP- CVD技術可以提供一種有效沉積在 高長寬比之隔離溝渠中的較高密度偏壓氧化膜，但是如 此形成具有隔離溝渠之MOS裝置 >有時會有M0S電晶體之電 流-電壓特性改變的缺點。 發明總沭 考慮上文，本發明之目的傜要提供一種利用改良過的 HDP- CVD製程，製造一種包含寬度較小之隔離溝渠的半 導體裝置之方法。 本發明另一目的偽要提供一種具有改良式隔離溝渠之 半導體裝置，此改良式隔離溝渠能抑制電晶體之電流-電壓特性改變。 本發明所提供之半導體裝置製造方法包含：蝕刻矽基 板之表面區，以形成一隔離溝渠；在該隔離溝渠之内壁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -裝-- (請先閱讀背面之注意事項舄本頁)

、1T _線， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 4 ) 1 I 上 ， 形 成 一 熱 氣 化 膜 9 至 少 在 該 熱 氧 化 膜 之 上 沉 積 一 1 1 C V D氧化膜； 利用高密度電漿CVD技術 5 在 包 含 隔 離 溝 渠 -1 r 内 部 之 矽 基 板 上 9 沉 積 一 偏 壓 氧 化 膜 » 至 少 要 移 除 留 在 /--N 請— j 先 矽 基 板 特 定 準 位 以 上 之 偏 壓 氣 化 膜 的 部 分 保 留 至 少 由 閱 1 讀 I 偏 懸 氣 化 膜 填 滿 之 隔 離 溝 渠 9 及 形 成 多 値 由 隔 離 溝 渠 彼 背 .面 1 1 之 1 此 相 互 分 隔 之 組 件 區 等 連 績 步 驟 〇 注 意 1 1 本 發 明 亦 提 供 一 種 半 導 體 ns 裝 置 9 其 包 含 ： 一 具 有 隔 離 事 項 1 溝 渠 在 其 上 之 矽 基 板 9 和 多 個 由 隔 離 溝 渠 彼 此 相 互 隔 離 本 之 組 件 區 9 該 隔 離 溝 渠 其 中 包 含 白 隔 離 溝 渠 底 部 表 面 連 頁 '--- 1 I 鑛 沉 積 之 熱 氣 化 膜 9 C VD 氧 化 膜 和 偏 壓 氧 化 膜 該 偏 壓 1 1 氧 化 膜 之 密 度要高於該CVD氣化膜。 1 l 根 據 本 發 明 之 半 導 體 裝 置 和 由 本 發 明 之 方 法 製 造 的 半 1 訂 導 體 裝 置 > 因為在HDP- CVD步驟期間， HDP -CVD步驟會保 1 護 依 次 保 護 矽 表 面 之 熱 氧 化 膜 9 在 此 之 前 9 傺 由 C VD 步 1 1 驟 沅 積 氧 化 膜 9 因 此 不 iSit 曝 露 矽 基 板 9 且 受 到 保 護 » 而 1 I 不 會 受 到 HD P 的 影 m ， 所 以 可 以 改 善 電 晶 體 的 電 流 — 電 1 1 壓 特 性 〇 \ :線 由 下 面 參 考 附 圖 之 說 明 9 本 發 明 以 上 和 其 他 之 目 的 9 1 1 1 特 性 及 優 點 將 ί&Ρ 更 明 瞭 〇 1 1 圖 簡 單 說 明 1 I 第 1 画 為 具 有 隔 離 溝 渠 之 傳 統 半 導 體 裝 置 的 製 造 步 驟 1 V 横 截 面 圖 9 1 1 第 2 圖 為 第 1 圖 之 下 一 步 驟 的 半 導 am 體 裝 置 横 截 面 圖 ； Ί I 第 3 圖 為 另 藉 由 HDP--6 CVD製程製造之傳統半導體裝 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（y ) 置的橫截商圔； 第4圖為第3圖之下一步驟的半導體裝置透視圖； 第5A到5D圔為根據本發明之半導體裝置連續製程步驟 的横截面圔； 第6 A到6 D圖為第5A到5 D圔之半導體裝置在特定步驟之 部分横截面圖；及 第7 A到7B_為第5A到5 D圖之半導體裝置在特定步驟之 細部橫截面圖。 僭撰窨敝钏誰诚 在説明本發明之實施例前，為了要能更瞭解本發明， 將先說明傳統HDP- CVD技術所産生之缺點。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 參考第3圖，HDP- CVD製程步驟包含·.在矽基板31之 上，連續形成一氧化矽墊膜32和一氮化矽遮罩膜33，然 後再在該氮化物遮罩膜33之上，形成一光阻國案（未圖 示），在藉由利用光胆圖案當作遮罩之乾式蝕刻，選擇 性蝕刻氧化物墊膜3 2和氮化物遮罩膜3 3之後，再藉由利 用氤化物遮罩膜33之乾式蝕刻，在該矽基板31上形成一 隔離溝渠34，接著，完成熱氧化，使在該隔離溝渠34之 中形成一氧化矽膜45,此熱氧化膜45自矽基板31之頂上 之氧化物墊膜32的邊緣延伸覆蓋隔離溝渠34之側壁和底 壁。 因此，藉由HDP-CVD製程所沉積之偏壓CVD氣化膜 (8102>膜44會覆蓋包含隔離溝渠34内部的整個表面，在 此HDP-CVD製程中，會沉積偏壓氧化膜44,而蝕刻熱氧 -7 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 (^ ' 1 1 化 膜 4 5 9 尤 其 在 HD P- C VD 製 程 期 間 » 該 熱 氣 化 膜 4 5 強 1 1 力 侵 蝕 在 隔 離 溝 渠 3 4之 上 角 區 4 3 9 因 此 > 矽 基 板 3 1 的 表 r 面 區 域 會 白 在 上 角 區 4 3的 隔 離 溝 渠 34中 之 熱 氧 化 膜 4 5 曝 /--N 請、 1 kj 露 出 來 Ο 閱 I 讀 1 參 考 圖 示 使 用 HD P- C VD 製 程 形 成 半 導 體 裝 置 之 第 4 画 背 1 I 之 1 5 該 半 導 體 裝 置 包 含 - M0 S 電 晶 體 46 9 其 具 有 —" 沿 著 隔 注 意 1 1 離溝_ 34 , 彼 此 相 互 間 隔 設 置 之 聞極42及源極和汲棰 電 極 40 事 項 1 1 和 4 1 在 電 晶 體 46附 近 之 隔 離 溝 渠 3 4的 位 置 具 有 該 遮 So )1 裝 馬 本 罩 氤 化 物 膜 33 9 氧 化 物 墊 膜 3 2和 偏 壓 氣 化 物 膜 44均 被 回 頁 ^ 1 1 蝕 〇 1 1 對 於 所 得 之 MOS 電 晶 體 4 6 9 發 現 ： 因 為 由 於 在 隔 離 溝 1 I 渠 3 4上 角 區 4 3所 曝 露 之 矽 基 板 3 1的 表 面 * 而 造 成 閘 極 電 1 訂 壓 S&7 隨 汲 極 電 流 變 化 » 所 以 會 破 壊 該 電 晶 體 之 特 性 » 詳 1 述 於 下 之 本 發 明 > 將 防 止 矽 表 面 曝 露 在 隔 離 溝 渠 中 〇 1 1 現 在 參 考 附 圖 詳 逑 本 發 明 之 實 施 例 9 參 考 圖 示 本 實 施 1 1 1 例 製 程 步 驟 之 第 5 A 圖 I 先 在 矽 基 板 11 上 連 績 成 長 厚 2 0 〇 A I 1 之 氧 化 物 墊 膜 1 2和 厚 0 . 15 Μ 19之遮罩氮化物膜1 3 , 然後 )線 再 在 該 m 罩 氮 化 物 膜 1 3之 上 » 形 成 一 光 阻 圖 案 1 9 9 接 著 1 1 使 用 此 光 阻 圖 案 1 9 當 作 遮 罩 9 選 擇 性 蝕 刻 該 魃 罩 氮 化 物 1 1 膜 1 3和 氣 化 物 墊 膜 12 9 使 曝 露 出 矽 基 板 1 1 之 表 面 區 9 再 1 I 者 9 藉 由 乾 式 蝕 刻 該 矽 基 板 1 1之 曝 露 區 9 以 形 成 一 深 1 0 . 4 /i m ， 寬 0 . 4 ; JL Ώ1 或 更 窄 之 隔 離 溝 渠 1 4 9 此 步 驟 所 成 長 I 之 膜 細 部 圖 示 於 第 6 A 圖 9 其 中 該 氣 化 物 墊 膜 1 2 9 趣 罩 氮 | 化 物 膜 1 3和 光 阻 圖 案 1 9定 -fi 義 實 質 上 充 滿 隔 離 溝 渠 1 4的 1 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） A7 B7 ^—-- ----- 五、發明説明（7 ) 側壁之邊緣。 因此，如第6B圖所示，例如以1 D°C之溫度，在該隔 離溝渠14之表面上，形成一具有良好披镜特性*而厚 ioooA熱氧化物膜15，此熱氧化物膜15自氣化物塾膜12 之切緣延伸，且覆蓋隔離溝渠14之側壁和底部’該熱氧 化物膜15之厚度最好介於和600A之間’以有效保護 該矽基板，且不會形成鳥嘴效應。 其次，如第5B圖所示，藉由結合高溫氧化技術之LPCVD 技術，在包含熱氧化物膜15和遮罩氮化物膜13表面之晶 _的整個表面上，沉積一薄的CVD氧化物膜16，第6(：圖 為此薄CV.D氧化物膜16之細部圔，其中該CVD氧化物膜16 覆蓋晶圓的整掴表面，也就是直接覆蓋該熱氣化物膜15 和遮罩氮化物膜1 3 〇 再者，藉由使用偏壓沉積条統之HDP_ CVD技術，在介 於約2GQ和約400。0之間的溫度下，及在介於約1和約 lOTorr之間的真空壓力下，在隔離溝渠14中和晶國的其 他部分之上，沉積一镉壓氣化物膜在此步驟中，會 裝— I (請先閲讀背面之注意事項I寫本頁) 訂

-旅- C 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ，上成上率00處 法本形13功50> 刻基傺膜壓而磨 0 ，17物镐，研 漿角膜化之。械 電斜物氮瓦45機 壓傾化罩00為學 低之氧遮15約化 由。 壓之於度p( 藉45偏近對角C-M 而約該附，之 ， ，緣 ，14率率此 17邊1C渠功功因 · 膜之膜溝壓瓦 ，-p 物17物離偏00。 化膜化隔於3550 氧物氣和決，為 壓化 D 中取。約 偏氧CV14度40度 該壓該渠角為角 積偏除溝斜約之 .沉斜移離傾度率 度傾金隔而角功 適以完在，，瓦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（ ) 理 後 之 偏壓 氣 化物膜 1 7，可以得 到表 面大 致平 担之 偏壓 氣 化 物 膜Π 9 如第5D 圖所示，其 中要 形成 M0S 電晶 體之 組 件 區 2 0僳 由 隔離溝 渠34分隔。 第 7 A 圖為 半 導體裝 置在第6D圖 之步 驟的 細部 國， 其圏 示 C VD 氣化 物 膜16除 了隔離溝渠 14底 部以 外， 幾乎 全部 移 除 > 然而 熱 氧化物 膜1 5因受到 CVD 氣化 物膜 16保 Μ 護9 所 以 基 本上 被 保留下 來，該保留 下來 之熱 氣化 物膜 1 5可 以 有 效 地保 護 矽表面 ，抵抗在〇 P- CVD製 程期 間之 電漿 破 壞 所 沉 積之 CV!)氣化物膜16之厚度最好介於約1 0 0和 約 60 〇 A之間， 尤其是最好介於約2 0 0和 約 4 00 A 之間 ，雖 然 厚 度 較厚 可 以使熱 氧化物膜15有較 佳之 保護 ，且 M0S 電 晶 體 或其 閘 極氣化 物膜能有很 好之 特性 ，但 是厚 約 600A 之 CVD氣 化 物膜16可以得到有 較高 外觀 比之 隔離 溝渠 使 退 化該 偏 壓氧化 物膜17之覆 蓋。 在 第 7 A圖 步 驟之後 ，藉由使用 熱磷 酸之 濕式 蝕刻 法， 蝕 罩 氤化 物 膜13, 然後再使用 氫氟 酸濕 式蝕 刻氣 化物 墊 膜 1 2 ，因 此 最後可 以得到示於 第7B 圖之 結構 對於 此結 構 9 在半導體裝 ;置之隔_溝渠14中， 包含熱氧化物膜 15， CVD氣 化 物 膜 1 6和 偏 壓氧化 物膜1?,這 些膜 都是 建鑕 成長 在隔 離 溝 渠 1 4之 底 部表面 上，該CVD氧化物膜1 5—般傺藉由 HD P - C V 1)製程 自隔離溝渠14的其他部分移除， 如側壁。 如 上 所逑 ， 在本發 明之實施例 中， HDP- CVD製程能在 隔 離 溝 渠14之 中，提 供一具有較 高密 度之 偏壓 氣化 物膜 -10- 請 先 閱 讀 背 之 注 項 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐〉 裝 訂 丨線 五、發明説明（9 A7 B7 1 7 ,而C V D氣化物膜1 6能保護熱氣化物膜1 5 ,以保護矽 表而，使其免於HDP-CVD之電漿的傷害，藉由此種技術， 卽使在隔離溝渠之外觀比高達1 . 5或更高的案例中， Η I) P - C V 1)製程也不會使電晶體的特性退化，本實施例之 製程也可以應用到0 . 2 5 # m或1 . 1 8 // si設計規則之半導體 裝置。 CVI)氧化物膜16能提供另一優點，即晶圓在製程間傳 送時，遮罩氮化物膜13可保護而不會吸收靜電，一般而 言，晶圓僳利用載送架傳送，而其上表面傺在載送架之 上，若氮化矽膜沒有被CVD氧化物膜覆蓋，則會造成： 晶圖在傳送期間，由於累積在氤化矽膜上之靜電荷，而 産生靜電的吸收。 本發明之方法亦可應用到除了 MOS裝置以外之雙極電 晶體裝置，快閃式記憶體，DRAM。 因為上述之實施例僅僅是一個範例，所以本發明並不 僅侷限於上述之實施例，而利用那些技術之技藝自其作 簡易修正或改變之各種實施例都在本發明之範圍中。 請 先 閱 讀 背

I 裝 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（、。） 參考符號説明 11 .....矽基板 12 .....氧化物墊膜 13 .....遮罩氮化物膜 14 .....隔離溝渠 15 .....熱氧化物膜 1 6.....CVD氧化物膜 17.....偏壓氣化物膜 19.....光阻圖案 3 1.....矽基板 32.....氧化矽膜 3 3.....遮罩氮化矽膜 34 .....隔離溝渠 35 .....CVD氧化物膜 36 (3a).....空隙 37 .....閘極氧化物膜 38 .....多晶矽 4 0.....源極電極 4 1.....汲極電極 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 42.....閘極 4 3.....上角區 44 .....偏懸氣化物膜 45 .....氧化矽膜 46 .....Μ 0 S電晶體 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 5 I I 1. 一 種 製 造 半 導 體 裝 置 之 方 法 9 包 含 : 蝕 刻 矽 基 板 之 表 1 商 區 t 以 形 成 隔 離 溝 渠 在 該 隔 離 溝 渠 之 内 壁 上 形 成 1 1 _ 一 熱 氣 化 膜 5 至 少 在 該 熱 氧 化 物 膜 上 沉 積 一 C VD 氣 化 S 請 1 先 |- 物 膜 ； 在 包 含 該 隔 離 溝 渠 内 部 之 該 矽 基 板 上 9 利 用 高 聞 讀 1 密 度 電 漿 C VD技 術 9 沉 積 一 偏 壓 氧 化 物 膜 9 移 除 至 少 嘴 1 1 之 1 保 留 在 該 矽 基 板 某 特 定 準 位 以 上 之 該 偏 壓 氣 化 物 膜 的 注 意 1 I 部 分 9 而 留 下 至 少 由 該 偏 壓 氧 化 物 膜 填 滿 之 該 隔 離 溝 事 項 1 I 再 I 渠 的 部 分 ; 及 形 成 多 個 由 該 隔 離 溝 渠 彼 此 相 互 分 隔 之 寫k 本 組 件 區 等 連 續 之 步 驟 〇 頁 1 1 2 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 9 其 中 該 熱 氧 化 物 膜 之 1 1 厚 度 係 介 於 約 2 0 0和約6 00 之 間 〇 1 1 3. 如 申 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 9 其 中 該 CVD氧化物膜 訂 之 厚 度 偽 介 於 約 1 0 0和約6 0 0 之 間 〇 4. 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 更 包 含 一 步 驟 ； 加 熱 1 I 該 矽 基 板 9 使 在 該 矽 基 板 上 形 成 一 熱 氣 化 物 墊 膜 〇 Ί 5. 如 申 請 專 利 範 圍 第 4 項 之 方 法 9 其 中 該 C V D氣化膜沿 1 1 伸 白 在 該 隔 離 溝 渠 上 角 區 之 該 熱 氣 化 物 墊 膜 的 邊 緣 〇 Μ 1 藝'線 W ί 6. 如 串 請 專 利 範 圍 第 1 項 之 方 法 9 其 中 該 膜 之 移 除 步 驟 1 1 包 含 ： 化 學 機 械 研 磨 和 濕 式 蝕 刻 〇 1 1 7. —- 種 半 導 p 裝 置 包 含 : 一 有 隔 離 溝 渠 在 其 上 之 矽 基 板 1 5 及 多 個 由 該 隔 離 溝 渠 彼 此 相 互 隔 絶 之 組 件 區 9 在 該 _ ί 1 隔 離 溝 渠 之 中 包 含 連 續 沉 積 在 該 隔 離 溝 渠 底 部 表 面 上 卜 1 之 熱 氣 化 物 膜 9 CVD氧化物膜和偏壓氧化物膜， 該偏 I 壓 氧 化 物 膜 之 密 度 較 該 CVD氧化物膜高。 1 1 -1 3- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中該隔離溝 渠之長寬比高於約1.5β 9. 如申請專利範圍第7項之半導體裝置，其中該隔離溝 渠之寬度小於約1 . 4 # in。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）