TW389947B

TW389947B - Directionally deposited silicide on transistor electrodes and method for same

Info

Publication number: TW389947B
Application number: TW086114591A
Authority: TW
Inventors: Jer-Shen Maa; Sheng Teng Hsu
Original assignee: Sharp Kk; Sharp Microelect Tech Inc
Priority date: 1996-12-18
Filing date: 1997-10-06
Publication date: 2000-05-11
Also published as: KR100327513B1; US5814537A; DE69736460T2; EP0849783A2; KR19980063533A; JP3609242B2; MY118300A; EP0849783A3; JPH10178179A; EP0849783B1; DE69736460D1

Description

五、發明説明（1 ) 發明背景及概述本發明係有關於半導體技術，尤其是在如MOS電晶禮之主動半導體元件中的矽化電極的形成。在半導體工業中所進行研究的一重要目的是在縮小使用在積體電路中的元件之尺寸。諸如金屬氧化物半導體 (MOS )電晶體的平面電晶體特別適合應用在高密度積體電路。當MOS電晶體和其他主動元件的尺寸減小時，源極/ 汲極/閘極的尺寸，及每一元件的通道區域會相對地減小〇習用具短通道長度的較小平面電晶體設計，使它必需提供非常淺的源極/汲極之接合區域。淺接合應避免植入之摻雜劑橫向擴散至通道，因為此擴散會產生漏電流及不良的崩溃效應。舉例來說，低於1000埃（人）厚而最好低於 500埃厚度之淺源極/汲極接合區域，在獲致短通道元件之令人滿意的性能上，是有必要的。經濟部中央橾準局貝工消费合作社印装 (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 當淺接合電極使用在電晶體時，它便更難以提供至元件的源極/汲極區域之可信賴及低的電阻連接。金屬矽化物接點是一典型之執行接至源極/汲極/閘極的機構。在如此之接點中，導電金屬係沉積在矽電極上並經退火，在電極的表面上形成一金屬一矽化合物。稱之為矽化物的化合物係電氣及物理接合至電極，並具有一實質上低於其下所形成之摻雜梦的薄層電阻。在小元件中梦化物接點的一個重要優點是只有在沉積的金屬接觸麥的部位，矽化物才會形成。藉由一選擇性蝕刻，金屬易於從非矽化區域移除β如本紙張尺度適用中國國家揉率（CMS ) Α4規格（210Χ297公釐）經濟部中央橾準局貝工消费合作社印裝 A7 _B7_ 五、發明説明（2 ) 此，矽化物區域只會在電極表面上自動校準。此自我校準矽化物的製程通常稱之為"Salicide"製程。在淺接合源極和汲極區域上實施Salicide製程時，所出現的困難是它會消耗一部分的表面矽。在退火步驟中，當沉積金屬與下方之矽起反應時，會由一化學反應形成金屬矽化物。具非常薄接合深度的電極只有較少的矽可供犧牲形成矽化物，且只能允許形成一非常薄的矽化物層。但是薄的矽化物層被認為是熱不安定且具有一不令人滿意的高薄層電阻。一種用以增加矽化物接點厚度的先前技藝技術，是在經換雜之源極與波極區域的表面上沉積額外的妙。在隆起之源極和汲極的額外矽然後可使用在與沉積的金屬起反應，以形成較厚的矽化物層。此方式有缺點，因為额外的矽沉積會產生攙雜物的額外擴散及其他效應，而降低元件的效率β 如果有一種改良的矽化物製程可在一 MOS元件的淺接合電極中提供低薄層電阻矽化物層時，這是會有助益的。在一淺接合矽電極上形成矽化物層時，如果能藉著從一源而非電極本身提供所需的大部份矽來降低表面矽的消耗，也將是有利的。如果碎化物所需的矽可以電晶體的電極上沉積形成之矽化物層供給，而實質上能消除任何電極表面上的矽消耗的話’將會有所助益》 — 因此，本發Β月提供一種在M〇s電晶體的製造過程中， -5- 本紙&度^"^國家揉準（CNS >八4驗（21〇謂公釐) ' -------------C------1Τ------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印袈 A7 B7 五、發明説明（3 ) 會形成覆蓋不同矽化物厚度的積體電路（1C)結構》積體電路結構包括在形成電晶體的主動區中包含絕緣材料的一基底。積體電路也包括在基底上的源極和汲極。源極和汲極是由植入攙雜物並經擴散的矽所形成，而源極和汲極是由一梦通道區域所分離。積體電路也包括一閘極，其包含在通道區域上之中心設置之閘絕緣層、在閘絕緣層上的閘極、及在閘絕緣層上的閘絕緣邊壁，該邊壁通常圍繞在閘極附近。閘絕緣層係使源極和汲極與閘極相互隔絕。最後’積體電路包括來自準直路徑之矽化物沉積所形成的一金屬矽化物，此路徑通常係垂直於源極、汲極、及閘極延伸，並平行於閘邊壁。矽化物層在電極上有一矽化物的第一厚度’及較小在閘邊壁上之第二厚度.在後續的處理步驟中’大於第二厚度而小於第一厚度的一矽化物層預定厚度之各向同性移除會導致覆蓋源極、汲極、及閘極的一秒化物第三厚度，以改良電極的傳導性。在較佳具體實施例中’積體電路結構是一完整的M0S 電晶體，額外地包括一具有近乎覆蓋源極、汲極、及閘極之第二厚度的第一金屬二矽化物層^第一金屬二矽化物層是從一矽化物層的第一厚度各向同性地蝕刻一預定厚度而形成，而形成的第一厚度係在通常垂直於電極的一準直路徑中沉積金屬矽化物的結果。電晶體也包括一中間的金屬矽化物層，其具有在閘絕緣邊壁上的一第二厚度，而在_ 準直路徑上的矽化物沉積所形成^第二厚度通常平行於閉邊壁絕緣層。中間層是從第二厚度做各向同性地蚀刻預定 I— QIT------ο, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明（4 ) 的厚度所移除，該預定厚度係大於第二厚度而小於第一厚度。準直沉積和各向同性蝕刻使得源極、汲極、及閘極能作選擇性梦化物處理。在一具體實施例中，一突出結構是在閘極上。該突出結構延伸超過閘極，在當矽化物沉積在通常垂直於突出結構而平行於閘邊壁的準直路徑時，可遮蔽閘邊壁免於矽化物沉積。突出結構的附加使矽化物沉積在積體電路的區域上時更有選擇性。基底包括通常圍繞積體電路結構或電晶體的一絕緣材料的場區域。金屬矽化物的第三厚度是在場區域及電極上。隨後的製程步驟，屏罩電晶體的電極，並蝕刻積體電路來移除任何在場區上域所遺留的矽化物，將只殘留覆蓋矽化物的屏罩區域。較佳的是’場區域包括一在場區域上的多晶矽化物傳導線’以將積體電路結構的一電極連接至另一積體電路的區域。傳導線包括在場區域上的一層多晶矽，及在多晶矽傳導線層上的一層矽化物〆一矽化物層會殘留在傳導線多晶石夕層上’即使在隨後製程步驟中積體電路被蝕刻以從場區域蚀刻移除矽化物之後，使得包含傳導線、以及源極、汲極、與閘極的積體電路的傳導區域上覆有一層矽化物，以改良傳導性。在一積雜電路上的一絕緣材料基底上形成一 MOS電晶體的方法所包括的步驟：a)在基·I上形成矽的源極和汲極’在源極和汲極之間形成具有絕緣邊壁之一閘極，及在 -7- 本紙張尺度適用中國时標丰（CNS) Α4· (21GX297公羡） ------------Q-------1T------Q, (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁)

經濟部中央橾準局負工消费合作社印装閘極下方形成絕緣材料，藉以使源極和汲極與閘極間電隔絕，b )以準直路控沉積金屬梦化物，而路徑通常垂直於源極、汲極、及閘極延伸，且平行於閘邊壁，矽化物可選擇性地施於電晶體上形成—矽化物層，其在電極上具有第一厚度，及在閘邊壁絕緣材料上之小於第_厚度之第二厚度’及c)將在步驟b)所沉積的矽化物層予以各向同性地蝕刻一預定厚度，其大於第二厚度但小於第一厚度，以移除在閘邊壁絕緣材料上的碎化物層，並殘留覆有具第三厚度的矽化物層之電極，藉以使電極表面上選擇性構成的矽化物増加其電極傳導性人圖式之簡單說明圖1至4係顯示在電晶體電極上形成覆蓋之矽化物的步驟（先前技藝）。圖5和6係顯示在M0S電晶體的製造過程中形成一覆蓋不同厚度矽化嫩之積體電路結構的步驟。圖7至9係顯示利用一閘突出結構來形成覆蓋矽化物之電極的步驟。圖10至12係顯示在隨後積體電路製程中保護在圖6中所t蓋矽化物電極使其免於蝕刻的步驟。圖丨3係顯示在圖1〇中沿著具有參考標示符號c_c i平面所定義之一元件的截面圖。圖1 4 a和1 4 b係顯示在兩蝕刻製程之後在周！ 3中的傳導’'泉，该蚀刻係用以從場區域移療不必要的梦化物。圖15係顯示在圖1〇中的積體電路結、m〇s電晶 I— G! (請先《讀背面之注f項再填寫本頁)

*1T a -8 -

經濟部中央標準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6 ) 體’其場區域包括一在場區域上的多晶矽化物傳導線，以將積雜電路結構的一電極連接到積體電路的另一區域。圖1 6 a和1 6 b係顯示以蝕刻法處理，以從場區域移除不必要的矽化物後之圖1 5傳導線。圖17係顯示具有多晶矽化物閘極的一積禮電路結構、或MOS電晶體。圖18係顯示在積體電路上的—絕緣材料基底上形成一 MOS電晶體的方法中之步驟。較佳具體實施例之詳細說明圖1至4係顯示在電晶體電極形成覆蓋矽化物的步驟（先前技藝）。圖1是一典型MOS電晶體10的整體概觀。電晶體10包括一閘極12、一源極14、及沒極16。源極14和沒極16的位置是任意的，而且是可改變，源極Μ和汲極 16可置入在圖丨中所顯示的相反位置上。閘極Η係接於在點20中斷的一傳導線18。舉例來說，傳導線is是連接至一驅動器電晶體（在圖中並未標示出）的輸出，或連接至一外部介面》另一連接線22是將閘12連接至一連接整 24。連接塾24將閘12連接到在積體電路（在圖中並未標示出）的其他基底上的電路。圖2是一在圖1中沿著參考標示符號Α_Αι的平面所顯示之電晶體10的橫截面圖。源極14和波極16是由一通道區域26所隔開，其通常設在源極14和汲極16之間，及在閘極12下方。源極14、汲極16 T及通道區域26典型是由一共通的矽晶片所形成。就如在此項技藝中所知的，源 -9 - 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) Α4規格（210X297公着） II------------QI, (請先Μ讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 Q.. A7 B7 經濟部中央樣隼局貝工消费合作社印裝五、發明説明（7 極和级極16的特性是經由植入攙雜物所形成。在源極 Η、沒極16、及通道區域26之間的隔離是以虛線表示、閘12在閘極12的兩邊有一絕緣問邊壁及在問極u下方的-閘絕緣層3G。迻壁28和絕緣層3G從源極14和沒極1 6將閘極1 2作電氣絕緣，圖3係顯示覆蓋一金屬層32的圖2電晶體1〇。金屬層 32在閘極12、源極14 '汲極16、邊壁28、及通常園繞電晶體10四周區域上，具有一實質相同的厚度。金屬層 3 2係沉積在電晶體丨〇上，用以在源極14、汲極、及閘極12上形成一矽化物表面。圖4係顯示在矽表面上形成二矽化物之後的圖3電晶體 10 。舉例來說，金屬層32的钴（c〇)會在可形成二矽化物的溫度之下與電極12、14、及16的矽起反應，以形成二矽化物》二矽化物表面由於它所增加的傳導性，是必要的。即是，跨於二秒化物表面上的電阻是小於跨於一單晶石夕、或多晶矽、電極表面上的電阻。二矽化物表面會減少積體電路連接至電極12、14、及16，諸如傳導線及導孔的阻抗’並允許積體電路元件能以較高的速度操作。圖4係顯示覆蓋閘極1 2的二矽化物表面3 4、覆蓋源極 14的二矽化物表面36、及覆蓋汲極16的二矽化物表面 38。形成二矽化物表面34、36 '及38方法的一問題是在電極12 ' 14、及1 6裡的矽部分必須使用在製程上。即是’電極12、14、及1 6的表*^會在形成二矽化物層 34、36、及38中消耗。當在電極12、14、及16的碎厚 10- 本紙乐尺度適用中國國家橾準（CNS > A4規格（21〇Χ297公釐） I-r Q —— (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 9. 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印袈 A7 B7 五、發明説明（8 ) 度開始接近大約500人時，矽的安定性會是—主要的問題。相當薄的源極1 4和汲極1 6是為人所期望，以縮減通道區域26的大小及整個電晶體10的大小，因此，& 薄的電極上自我校準矽化製程之實用性受到限制。本發明是用來在矽電極上形成二矽化物層，而不會消耗電極裡的矽，所以矽化物能應用到即使是相當薄的電極上。圖5和6係顯示在MOS電晶體的製造過程中，覆蓋不同矽化物厚度而形成一積體電路結構的步驟。另外，圖5和 6又顯示一完整的MOS電晶體的矽化作用.在此所用的 MOS電晶體是最典槊的一積體電路結構形式。因此，用語"積體電路結構"，在製造程序中通常係指M〇S電晶體。圖5係顯示積體電路結構40的橫截面圖，類似於在圖2中先前技藝晶體1〇的橫截面圖。積體電路結構4〇包括一基底42 ，其包含在一形成有電晶體之主動區域的絕緣材料。基底4 2典型上係氧化物，如矽氧化物。積趙電路結構40也包括在基底42上的源極44和汲極46。源極44和汲極46是由植入有攙雜物的矽所形成，換雜物係在矽中擴散而形成η型或p型半導體材料。源極44 和汲極46是由一矽通道區域48所分隔，且典型上是從一共通的碎晶片所形成。源極44、沒極46、及通道區域 48之間的邊界如在圖5中大致由虚線區分。積體電路結構40也包括一閘極，其包含一在通道區域48上偏中央设置的閘絕緣層5 0、一在閘絕緣*廣50上的閘極52、及在閘絕緣層5 0上的通常圍繞在閘極5 2的之周圍的閘絕 -11 - 本紙乐尺度適用中國國家揉準（CNS )八4规格（210Χ297公釐) —' --- — q-------Q! (請先閲讀背面之注#^項再填寫本頁) .丁 9. 經濟部中央樣準局負工消费合作社印掣 A7 B7 五、發明説明（9 ) 緣邊壁5 4，閘極的絕緣是使閘極與源極4 4和汲極4 6隔絕。如在囷5中所顯示的積體電路結構40是從SIMOX晶圓所形成。SIMOX 是"Separation by IMplanted Oxygen"的縮窝’並提供源極44和沒極46的一具有適當薄之厚度的單晶矽層。積體電路結構40的製程包括隔離一主動區域’其中元件是藉由移除在基底42上形成電極44和46 的矽層部分而形成。一閘藉由適當的建立一閘極52和絕緣層50和54的光微影及触刻步鄉而在主動區域上的中央形成。就本發明的目的而言，源極和汲極的區域44和 46的設計是任意的而且可互換。換句話說，區域46可指定為源極區域’而區域44可指定為汲極區域，或是反之亦然。積體電路結構40也包括從準直路徑的碎化物沉積所形成的一金屬矽化物層5 6 ，此路徑通常係垂直於源極 44 、汲極46 '及閘極52作延伸，且平行於閘邊壁 54。準直路徑的方向是由一連串帶有參考符號58之箭號所指示。矽化物層56在電極44、46、及52上有—矽化物的第一厚度6 0 ，且在閘邊壁5 4上有第二而較小的厚度62 。第一厚度60和第二厚度62係由自矽化物層 5 6所延伸的虛線所標示。在隨後的處理步驟中，大於第二厚度62而小於第一厚度60的一預定矽化物層56厚度的各向同性移除會造成覆蓋該源極·44 、汲極46 、及閉極52的第三矽化物厚度64 (在圖中並未標示出），以改良本纸悵尺度適用中國國家樣準（CNS )八4規格 II------b------T-----9 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（1〇 ) 電極的傳導性。準直或方向性的沉積在此係定義為一物理沉積，其會自源以實質直線的方式來沉積材料，並經由一準直化而垂直於一標的的表面。達成此矽化物沉積的最普遍的方法是藉著從個別的金屬和梦源使用e_光束蒸發的真空蒸發處理方式《另一方式是，相同的結果可從雷射蒸發、閃蒸、或光束濺射的處理方式而獲得。在另一方式中，準直是藉由一足夠大的距離來分隔源和標的而達成的，使得到達的材料實質會垂直於標的之表面。大體上，更均勻的方向性沉積可在低壓環境中獲得。因此，低壓離予光束濺射會提供比直流電（D C )、射頻（R F )、或磁控管濺射更佳的準直沉積。 ’ 圖6係顯示圖5的積體電路結構4〇，其矽化物層56在電極44、46、及52上具有第三厚度64 ^在一矽化物層 56的各向同性蝕刻之後，覆蓋源極44、汲極46、和閘極52 ，及通常圍繞積體電路結構4〇四周的區域之矽化物層56的厚度實質上是相同的。如圖5所示，在邊壁54 上的第二厚度6 2是藉由各向同性蝕刻法而移除。在較佳具體實施例中，積體電路結構40是一額外包含第一金屬二矽化物層（在圖中並未標示出）的一完整 MOS電晶體，其在源極44、汲極46、閘極52上具有第三厚度64 。第一的二矽化物層藉由從矽化物層56第一厚度60而做各向同性蝕刻一預定厚度而形成。如在上圖 5中第一厚度60的形成，係由來於在通常垂直於電極 13 II-------Q------.玎------ο. (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙张尺度逋用Φ团困宏提A，〜\ me认/________ -T- - I - 釐公 7 9 2 五、發明説明（《η ) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 44、46、及52之準直路徑58上沉積金屬矽化物。圖6 中，第一金屬二矽化物層是退火製程後的矽化物層56。完整的電晶體也包括中間金屬矽化物層56 ，其具有覆蓋在圖5中的閘邊壁絕緣層54上的第二厚度62。如圖5 所示，第二厚度62是從通常從平行於閘邊壁54的準直路徑58中沉積矽化物而形成。中間層56是從第二厚度做各向同性蚀刻預定的厚度而移除，其預定的厚度是大於第二厚度62 ,但小於第一厚度6〇，如圖6所示。準直沉積和各向同性蝕刻法允許源極4 4 、汲極* 6 、閘極5 2的選擇性矽化作用。在一具禮實施例中，MOS電晶體40是在一SIMOX晶圓上形成’該晶圓包含一層氧化物薄膜，及在氧化物薄膜上的—層單晶矽薄膜。源極44和汲極‘46是從單晶矽薄膜層而形成’且基底42是從氧化物層而形成，藉以提昇元件的隔絕、減少寄生電容、及減少漏洩電流。請再新參考圖5 ，積體電路結構40具有第一矽化物厚度60，通常是介於100和500入之間的範圍，而第二矽化物厚度62通常是介於20和100入之間的範圍。請參考圖 6 ’第三矽化物厚度6 4通常是介於8 0和400 Λ之間的範圍。圖7至9係顯示使用一閘突出結構而形成以矽化物覆蓋之電極的步驟《圖7係顯示在閘極52上有一突出結構72 的積體電路結構4 0 。當矽化物沉積在通常垂直於突出結構72和平行於閘邊壁54的一準直路徑上時，突出結構 -14 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2lOX297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) ic. ,V5 ο— 經濟部中央橾準局—工消费合作社印製 A 7 -- -- B7 五、發明説明（12 ) 72從閘極5 12延伸越過閘極52而保護閘邊壁M免於矽化物沉積。如圖5所示，準直路徑的方向是以帶有參考符號58的箭號所顯示。突出結構72的増加使沉積在源極 44和汲極46上的矽化物之沉積更有選擇性。即是，雖然矽化物層56的第一厚度6〇實質上保持與在圖5中相同的第-厚度60，在圖7中的第二厚度62因突出結構72 的使用而減小。在使用突出結構72之狀況下，第二厚度 62通常是介於〇和5〇人之間的範圍。由於第二厚度62 已減少，且預定厚度之各向同性蝕刻也減少並經簡化，其會隨 < 使第三的厚度64較大以改良熱穩定度及在電極 44、46、及52上的矽化物層56的薄層電阻。圖8係顯示圖7在各向同性地蚀刻除一矽化物層5 6之預定厚度後的積體電路結構40 »突出結構72延伸超過閘極52的距離是以虛線表示並有參考標示符號74 。突出結構72延伸超過閘極52的距離74通常是在2〇〇和 1000入的範圍之間。圖9係顯示一多晶矽化物閘極突出結構。閘極5 2包括在閘絕緣層5 0上的一多晶梦7 6層。突出結構7 2是在多晶矽層上的一矽化物層7 6 ，藉以更增加閘極5 2的傳導性。一較厚的矽化物層會降低表面電阻通常為真。形成突出結構7 2的一方法現說明如下。舉例來說，在閘氧化的步驟形成絕緣層5 0及沉積多晶矽層7 6之後，係以LPCVD(低壓化學汽相沉積式沉積法來沉積矽化僞。在製程的此時點，矽化物層72會疊置在多晶矽層76 -15- 本紙張尺度適用中國國家梂率（CNS ) Α4规格（210X297公釐） J-------Q------1Τ------Q, (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 上。製程的下-步驟是要運用—光軍，錢各向異性地將間極堆疊物㈣至最後。在㈣的過㈣，係減敍刻條件’使得多晶矽層76有略為傾向侧向蝕刻。舉例來說，這可藉由增加包括i SF6 5戈NF3之含氟氣體的流量而達成。另—可行的方式是，將環境中的壓力予以增加而降低蝕刻的各向異性，或降低底部電極的偏壓。最後，所蝕刻成的堆疊結構會受到氧化而形成邊壁54 ，並使突出結構 72在邊緣上更顯著地延伸，且越過多晶矽層76。在突出結構72邊緣處理步驟之後所餘留的氧化物也增入距離 7 4 ,使得突出結構7 2延伸超過閘極5 2。邊壁氧化物$ 4 也可由一額外的氧化物沉積而形成，如電漿促進的化學汽相沉積及間隔具止蝕術。圖1 〇至1 2係顯示在隨後的積體電路製程的蝕刻中保護圖6覆蓋矽化物之電極的步驟。圖1〇係顯示在圖5和6 中所敘述的積體電路40上視圖。在源極44、汲極46、及閘極52下方是基底42 ，其包括一絕緣材料的場區域經濟部中央樣隼局貝工消费合作杜印製 8〇 ’通常圍繞積體電路結構40的四周。圖11係顯示在固10中由具參考標示符號b_b 1之平面切成的一積體電路構4 0截面圖。請再參考圖6 ，金屬矽化物5 6的第三厚度64是在場區域go、及電極44、46、及52上。在隨後的製程步驟中’ 一罩幕8 2係施於電極44、46、及5 2 上予以覆蓋。圖1 1係顯示在電極44 ' 46、友-5 2上的罩幕8 2。在圖丨0中’罩慕82是覆蓋陰影線的積體電路結構40的區 -16- 本紙張尺度適财關家縣（CNS ) A4規格 (210X297公釐） A7B7 五、發明説明（14 ) 域。移除在場區域80上之任何剩餘矽化物56的積體電路結構4 0之蝕刻，只會殘留以矽化物屏罩的區域。在電極上44、46、及52上的矽化物層56構造是有用於增加這些電極的傳導性，然而，矽化物層50在場區域80上的區域中並不必要。場區域8〇是要自其它的積體電路結構和在積體電路中的電晶體，將積體電路結構4〇電絕緣°在場區域8 0上的金屬矽化物層5 6必須要移除，以防止不必要的短路，或在各種不同的積體電路結構之間的傳導路徑。圖12係顧示圖丨丨積體電路構造4〇在經由蝕刻處理而從場區域8〇移除矽化物層56，且罩幕82已從積體電路結構4 0移除之後的狀態。矽化物層5 6會殘留在電極 44、46、及52上。當積體電路結構4〇是一 M〇s電晶體時’二硬化物中間層（在圖中並未標示出）大致具有在圖6 場區域80上的第三厚度64 。中間的二矽化物層是藉由從石夕化物層5 6的第一厚度6 〇做各向同性蝕刻一預定的厚度所形成的。第一厚度60的形成是在一準直路徑上沉積金屬矽化物’通常係垂直於場區域8 〇作沉積之結果。隨後之屏罩電晶體電極44 ' 46、及5 2 (圖1 0和1丨），及触刻電晶體4 0用以移除在場區域8 〇上殘留之矽化物5 6 的步驟只會留置如圖12所示之覆蓋矽化物的屏罩區域。請再參考圖10，一傳導線84係連接至閘極52及—傳毕塾86 。在此方式中’積體電路-結構4 〇的—電極係介由傳導塾86和傳導線84而連接至在積體電路中之另— -17- II-------QITQ1 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕經濟部中央標準局貝工消费合作社印袈

經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 A7 B7___ 五、發明説明（15) 區域。在下面所提出的範例中，傳導線8 4係連接至閘極 5 2 。另一方式是，傳導線8 4係連接至源極4 4或汲極 4 6 . 囷13係顯示在圖1〇中由沿著具參考標示符號C-C!的平面所切成的元件橫截面圖。一邊壁90通常圍繞著傳導線 84並電隔離傳導線84 。矽化物層56覆蓋著場區域 80 ’及傳導線84。最初，由於通常垂直於上述已定義表面的準直沉積而使秒化物層56有第一厚度60 ，及沿著邊壁90之第二厚度，準直沉積通常係平行於邊壁9〇。圖14和14b係顯示圖13在兩蝕刻處理從場區域80移除不必要的矽化物之後的傳導線8 4 。首先，在圖1 4 a 中’一各向同性蝕刻法係經執行而在場區域8 〇和傳導線 84上形成矽化物層56的第三厚度64，並移除在傳導線邊壁90上的第二厚度62。其次，在圖丨41)中，在將罩幕8 2施於電極44、μ '及5 2 (參考圖i i )之後，一蝕刻法係被執行而移除在場區域8 〇上的所殘留的矽化物層 56。在此第二的處理步驟中，f傳導線84上的矽化物層 56^也會被移除。因此，傳導線會實質保持與矽化物製程前相同的狀態。即是，雖然上述的矽化作用的製程會增加積體電路結構4 0的傳導性，但是連接傳導線8 4的傳導性仍未改進。若要矯正此傳導線的問題，本發明介紹使用如下所示的一多晶矽化物傳導線。圖丨5係顯示圖10的積體電路結構4〇，其場區域8〇包括在場區域8〇上的一多晶石夕化物傳導線Μ，以便將 • 18- I紙伕尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4^^7T〇x297公着·----- II-------G------ir------〇- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 A7 __________B7_____ 五、發明説明（16 ) 積雜電路結構40的一電極連接至在積體電路中的另一區域。傳導線92包括在場區域8〇上的一多晶矽94層，及在多晶矽傳導線層94上的一矽化物96層。圖15也顯示覆蓋具有第一厚度60和第二厚度62之矽化物層50的傳導線92及場區域8〇，其係由在上述圖13中的準直沉積万法形成。矽化物層96會殘留在傳導線多晶矽層94 上’甚至在隨後的製程步驟中，蚀刻積體電路而從場區域 8〇移除矽化物之後，使得包含傳導線92，及源極44、沒極46 、閘極52的積體電路傳導區域覆蓋著一層矽化物，以增加其傳導性。圖16a和i6b係顯示圖15中從場區域8〇蝕刻除去不必要的矽化物的傳導線9 2 。矽化物層5 6是以兩分別的蚀刻處理而從傳導線92和場區域80移除。首先，在碎化物的一準直沉積和各向同性蝕刻之後，在圖1 6 a中的石夕化物層56的第三厚度64會在矽化物層96和場區域 80上形成◎其次，在圖i6b中，一蚀刻步驟會被執行而移除第三厚度64。當積體電路結構40係在一處理步驟中供完成MOS電晶體時’一中間的二矽化物層（在圖中並未標示出）會在圖 16a内的傳導線92上。中間的二矽化物層是由退火處理矽化物的第三厚度64而形成。然而，如圖16b所示，_ 石夕化物層9 6殘留在傳導線多晶梦層9 4上，即使是在電晶體4 0經蝕刻以從場區域8 0嗦—去矽化物5 6之後，如此，包含傳導線92，及源極44、汲極46、和閘極52 -19- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ' ~~ ! Q1T------0— (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁} A7 _____B7_ 五、發明説明（17 ) 的電晶體40傳導區域覆蓋一矽化物層56 ，以増加傳導性。即是，多晶矽化物傳導線9 2保有它最初的矽化物9 6 層。自傳導性多晶矽化物線9 2之選擇性移除矽化物，可利用不同的矽化物材料，及調整蝕刻化學，以增加蝕刻選擇性而獲得促進。圖1 7係顯示具多晶矽化物閘極5 2的積體電路結構 40 ^多晶矽化物電極52包括在閘絕緣層5〇上的一多晶妙98層，及在多晶矽層98上的一矽化物1〇〇層。典型上’當秒化物層56從圍繞場區域8〇四周移除時，因電極4 4、4 6及5 2被屏罩（圖1 〇 )，故多晶矽化物閘極5 2 並不需要。然而，多晶矽化物閘極5 2因矽化物較厚層確實具有較低之電阻之故，可具有進一步提高傳導特性。圖18係顯示在積體電路的一絕緣材料基底上形成一 MOS電晶體的方法步驟。步驟12〇在一積體電路上提供— 絕緣材料的基底。步驟122在基底上形成矽的源極和汲極，在源極和汲極之間使用絕緣邊壁而形成一閘極，及在 Μ極下方形成絕緣材料，藉以從源極和汲極隔離閘極。經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 {請先閲讀背面之注意事項再填ΜΤ本頁) 步驟1 2 4係以一準直路徑沉積金屬矽化物，而此路徑通常係延伸垂直於源極、汲極、及閘極，並平行於閘邊壁。矽化物係選擇性地施覆在電晶體上，以形成在電極上具有名一厚度，及在閘邊壁絕緣材料上方具有小於第一厚度的第二厚度之矽化物層。步驟126係各向同性地蝕刻在步驟丨24中沉積成預定厚度的大於-第二厚度但小於第一厚度之矽化物層，以移除在閘邊壁絕緣材料上的一矽化物 -20- 本纸汝尺度適用中關家標準（CNS (加χ297公釐）經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（18 ) 層，並殘留覆蓋具第三厚度的矽化物層之電極。步驟128 提供一 MOS電晶體產品，其在電極表面上會選擇性的形成石夕化物，以増加電極的傳導性。在一具體實施例中’ 一突出結構係形成在閘極上，當矽化物以通常垂直於突出結構和平行於閘邊壁之準直路徑沉積時，此突出結構會延伸超過閘極，以保護閘邊壁免遭秒化物沉積。以此方式，在源極和沒極上的♦化物沉積會更有選擇性。突出結構延伸越過閘極的距離通常是在200和 1000入之間的範圍，而第二厚度通常是在0和50入之間範圍。最好能提供進一步之步驟，在步驟126中形成之具第三厚度的矽化物層退火之後，建立大致具有第三厚度的二矽化物層。在電極上選擇性地沉積矽化物會增加源極汲極、及閘極表面的傳導性。步驟126包括通常以5〇〇至 900 °C之間的溫度迅速熱退火（RTA)的製程來形成二矽化物。形成二矽化物的RTA製程是在一段時間内完成通常是在1 0至5 0秒之間的範圍内。在步驟124中的矽化物層可為如矽化鈷之單一金屬矽化物的均一層，或為由多於一種矽化材料所形成之層。舉例來說，矽化物層可包括矽化鈦的一下層，和矽化姑的—上層。其他的用以在半導體電極上建立秒化物接點之層化、或合金化之適當的矽化作用材料的組合係此界人士所知者。 · 退火是在-溫度實行，且有一段時間，其會使矽化材料 -21 - 本纸張尺度適财國國家揉準（CNS) α^7 210χ297公幻 I— QΤΓ9 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明（19 ) 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印裝 =應而產生…物一化物相秒化物係xsi2，其 X是選擇的經矽化材料。X所类- 、 ^ Λ所表不的矽化物金屬可從包括^ m、㈣群組1與姑和鎳的組合、及其他特殊金屬中選取。丹可確實知道的是’如果-溫度接近於RTA的特定範圍 :最低限，舉例來說是·。CB#，其持績時間應較一較高 aa度的範圍’例如9〇〇。匚時為長。基底包括通常園繞電晶體的一絕緣材料場區域。步驟 24匕括〃 $直路徑在場區域上沉積金屬矽化物的第— 厚度’其路徑通常延伸垂直於場區域。步$ 126包括在步驟124的以-大於第二厚度但是小於第一厚度之預厚度在所沉積的場區域上各向同性地蝕刻矽化物層而留覆蓋著具有第三厚度的一矽化物層之場區域。進一步步驟包括冑場區域上的矽化物退火以形&二矽化物層，罩包含源極、汲極、及閘極的電晶體主動區域，並從場政域蝕除矽化物層。場區域裡之矽化物會被移除，以防止跨越積體電路的不必要傳導路徑。 ^ 一較佳具體實施例中，一多晶矽化物傳導線係覆蓋在场區域上，以將—電晶體的電極連接到積體電路的另一域。傳導線包括在場區域上的一多晶矽層，及在多晶矽q 上的第一矽化物層，步驟124包括以一準直路徑在傳導線上沉積金屬矽化物的第一厚度，其路徑通常延伸垂直傳導線。步驟120包括將步驟124中沉積於傳導線上石夕化物層各向同性地蝕刻一預定厚度，該厚度大於第二定殘的屏區區層於之厚 I,--------Q------.Τ-----CT (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁〕 22- 本紙張尺度iAif]中關家縣（CNS ) A4^ ( 2_297公羡）經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（2〇 ) 度但是小於第一厚度，而殘留覆蓋著具第三厚度的一矽化物（來自方向性沉積）層的矽化物之第一層（原在傳導線上）。進一步的步驟包括將在傳導線的多晶矽層上之兩矽化物層退火，及將在傳導線上之矽化物蝕刻第三厚度以露出第一梦化物層《包含電極和傳導線的電晶體傳導表面仍覆有矽化物，以増加其傳導性。不同的矽化物層的選擇性移除係受得自不同金屬的矽化物之使用的協助，此等矽化物會與所使用的蝕刻劑起不同的反應。步驟1 2 6之各向同性蝕刻製程可選自一濕溶液蝕刻法，及在高壓之含氯電漿中進行之乾式蝕刻法的組合，藉以在閘邊壁上形成一最小量的聚合物。梦化作用材料的移除係藉由使用濕蝕刻或類似的製程來進行選擇性地蝕刻晶圓而完成，其會蝕刻矽化作用材料，但不會蝕刻矽化作用材料的矽化合物。舉例來說，鈦矽化物的一適當蝕刻劑是 ΝΗ4〇Η/Η2〇2。HF的稀釋液也能使用於鈦矽化物和鈕矽化物。在此第一蝕刻步驟中所使用之蝕刻劑的另一所採用的術語是"矽化作用材料蝕刻劑"，其係指從表面移除矽化作用材料的任何適當的蝕刻化合物。在一具體實施例中，源極和汲極是從在一塊狀基底上所沉積的塊狀矽而形成，且源極和汲極是經由離子植入及而後之擴散所形成的在塊狀矽中的井而形成。即是，本發明的方法可在取代在SIM〇x晶圓中，而在塊狀矽中所形成的元件上以另一方式執行。一塊狀矽晶圓（在圖中並未標 π出）在矽裡有一適當摻雜的P -型井或η -型井區域。主動 -23- 本纸張尺度财118|家#準（〔NS ) 格（21GX297公釐） II------ύ------IT!----9 (請先Μ讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印褽發明说明（21 區域是由場氧化區域所隔離和定義，其傳統上係使用週知的處理步驟而形成。類似於圖5中的—閘結構在通道區域48上的主動區域的中心。典型上，在閘邊壁54形成之前，係實施摻雜材料之輕度植入以^輕度摻雜或 LDD之rtfc連元件通道區域48的接合區域。然後在形成邊壁54之後，一較多量而適當的摻雜用雜質係植入源極/汲極區域。此結構所需之細節及步驟的進一步之步驟細此技藝中之人士已廣為所知，而不在此做更詳盡的顯示。’ 類似於上述之供塊狀矽用的區域，也可在SlM〇x晶圓元件中選擇性地形成輕度摻雜區域，但是這些區域在圖5和其它的簡化圖中省略。在另一具體實施例中，源極和汲極是從在一氧化物基底上的主動區域上的磊晶矽所形成的隆起結構。矽化作用及源極和汲極的隆起二者，可使電極之間的通道長度縮短，而因此形成一較小尺寸的電晶體。本發明藉著在RTA過程中主要減少矽的消耗而可將單品♦厚度的良好控制，較先前技藝的矽化作用的方法上已搜得非常大的改進。它允許超薄的厚度是100 - 200人之源極/沒極接合區域的形成。在商業晶片製造著手之前，控制源極/汲極厚度的精確製程可從經驗獲得。精確的溫度和退火的期間，及所需的電極厚度和在其上的矽化物的厚度可容易地藉由調整退火的期間長和溫度而控制。本發明的範圍内可實施各種變呕具體實施例。如上之敘述’雖係專注於在SIM〇X基底上形成之MOS電晶體，但是該製程同樣地適用於在塊狀矽中形成主動元件。本發明 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（ 210X297公釐〉 I, QII (諸先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -I/ — A7 B7 五、發明説明（22 ) 範圍内的其它可變方法對於熟諳此技藝者可自行推想得到。經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閩讀背面之注意事項再填寫本頁) -25- 本纸張尺度適用_國國家標準（〇阳）六4規格（210乂297公釐）

Claims

經濟部中央橾隼局貞工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 中請專利範圍 L 一種積體電路結構，係在一MOS電晶體的製造中所形成’其覆蓋有不同厚度的矽化物，該積體電路結構勺括：、口匕一在一形成有電晶體之主動區域中包含絕緣材料的基底；在該基底上的源極和汲極，係由植入攙雜物並經擴散之矽所形成，該源極和汲極是由一矽通道區域所隔離；閘’包括設在該通道區.域中央上的一閘絕緣層、 —在該閘絕緣層上之閘極、及在該閘絕緣層上的通常圍繞在該閘極四周之閘絕緣邊壁，藉由該閘絕緣層使源極和汲極與該閘極間相互隔絕，·且一在通常垂直於該源極、汲極、及閘極延伸，且平行於該閘邊壁之準直路徑中由矽化物沉積所形成的金屬秒化物層’該矽化物層具有在上述電極上之矽化物的第一厚度，及在該閘邊壁上之第二較小的厚度；藉由在隨後的處理步驟中彳各向同性地移除大於該第二厚度而小於第一厚度的該矽化物層的預定厚度，形成覆蓋上述源極、沒極、及閘極之第三厚度的矽化物，以改良上述電極的傳導性。 2.如申請專利範圍第1項之積體電路結構，其中該第一矽化物厚度通常是在100至500個埃（入）之間的範圍，該第二秒化物厚度通常是在2 〇至100人之間的範圍，且該第三的矽化物厚度通常是在80至400入之間的範圍。 3_如申請專利範圍第1項之積體電路結構，其中有一突出 26- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） (請先W讀背面之注事項再填寫本頁)

A8 B8 C8 D8 申請專利範園結構覆蓋在該閘極上，該突出結構係延伸越過閘極，以在當梦化物以通常垂直於該突出結構和平行於該閘邊壁之準直路徑沉積時，從梦化物的沉積中保護該閘邊壁，藉以使在該源極和汲極上的矽化物沉積更有選擇性。 4·如申請專利範圍第3項之積體電路結構，其中該突出結構係延伸超過該閘極，的一距離，其通常是在2〇〇至 1000人之間的範圍，且其中的該第二厚度通常是在〇至 5 0入之間的範園。 5. 如申請專利範園第4項之積體電路結構，其中該閘極是一多晶矽化物電極，其包含在該閘絕緣層上的一多晶矽層，且其中該突出結構是在該多晶矽層上的一矽化物層，藉以進一步增加該閘極的傳導性。 6. 如申請專利範圍第1項之積體電路結構其中該矽化物金屬是從包括钴、鈇、錄、H艇所組合的群組，鈦與姑和鎳的組合，及其他耐火金屬中選取。 7. 經濟部中央標率局貝工消費合作社印1t C请先明讀背面之注意事項再填寫本頁) 灯如申請專利範園第1項之積體電路結構，其中該基底包括通常圍繞積體電路結構四周的一絕緣材料場區域且其中金屬梦化物的該第三厚度係覆蓋在該場區域及該電極上，藉而在屏罩該電極，録刻去除積體電路中任何在場區域上所殘留的矽化物之隨後的製程步驟中，只殘留覆蓋矽化物的該已屏罩區域。 / 8.如申請專利㈣第7項之積禮電路結構，其中包括覆於該場區域上的—多晶發化物傳導線，以將該積體電路結構的一電極連接至積體電路中的另—區域，該 27- 經濟部中央標準局肩工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍傳導線包括在該場區域上的一多晶矽層，及在該多晶矽傳導線層上的一矽化物層，藉以使一矽化物層即使在隨後，驟中積體電路被蝕刻以從上述場區域除去矽化物，仍能殘留在該傳導線多晶矽層上，使包含該傳導線及該源極、汲極、和閘極的積體電路傳導區域被覆蓋一矽化物層，以增加其傳導性。 9· 一種MOS電晶體，包括：一在一形成有電晶體的主動區域包含絕緣材料的基底；一在該基底上的源極和汲極，係由植入攙雜物並經擴散之石夕所形成’該源極和沒極是由一 ji夕通道區域所隔離；一閘’包含設在該通道區域中心上的一閘絕緣層，一在該閘絕緣層上之閘極’及在該閘絕緣層上通常圍繞在該閘極的四周之閘絕緣邊壁，藉由該閘絕緣層使該源極和汲極與間極間相互隔絕；一弟一金屬一發化物層’在該源極、没極、及間極上’大致具有一第三厚度，該第一的二矽化物層是從一矽化物層的第一厚度做各向同性地蝕刻一預定厚度而形成，該第一厚度係以一通常垂直於該電極之準直路徑沉積金屬珍化物所形成；一中間金屬矽化物層，具有覆蓋在該閘絕緣邊壁上的一弟一厚度，该第二厚度係在通常垂直於該電極之— 準直路徑中沉積矽化物所形成，該中間層是從該第二厚度做各向同性地蝕刻該預定的厚度而移除，而該預定厚 -28- 本紙伕尺度適用中國國家標準（CNS ) A4«L格（210X297公» ) (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ίτ οι. A8 B8 C8 08 申請專利範圍 f大於該第二厚度’但是小於該第一厚度，藉以使準直 /儿積和各向同性的蝕刻能容許該源極汲極、及閘極之選擇性的梦化作用。 ίο.如申請專利範園第9項之M〇s電晶體，其中該第一矽化物厚度的範圍通常是在100至500個埃（人）之間，該第二的矽化物厚度的範園通常是在20至ιοοΛ.之間，而該第二的矽化物厚度的範圍通常是在8〇至400入之間❶ 11.如申請專利範圍第9項之M〇s電晶體，其中該突出結構係延伸超過該閘極’而當矽化物以通常垂直於突出結構且平行於該閘邊壁之準直路徑沉積時，可保護該閘邊壁免受矽化物之沉積，藉以使在該源極和汲極上的矽化物沉積更有選擇性。 12·如申請專利範圍第1 1項之MOS電晶體，其中該突出結構係延伸超過該閘極—距離，而該距離範圍通常是在 200至ΙΟΟΟΑ之間’且其中該第二厚度的範圍通常是在〇至5 0人之間。 13.如申請專利範圍第9項之嶋電晶體，其中該沉積的金屬秒化物是從包括钴、欽、鎳、鎮'4目，纽的群組飲與鈷和鎳組合、及其他耐火金屬的組合中選取。 M.如申請專利範圍第9項之刪電晶體，其中該基底包括通常圍繞電晶趙四周之絕緣材料的場區域，且其中該電 .晶體還包括：大致具有在該|區域上的策_三厚度《二石夕化物中間層，該中間層是從一矽化物層的第一厚度做各向同性蝕 -29- 表紙法尺度適用中國國家標準（CNS)A4«[i：'( 210X297^ (請先聞讀背面之注f項再4寫本頁) 訂經濟部中央標準局負工消費合作社印製經濟部中央橾準局貝工消费合作社印聚 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍刻一預定的厚度而形成的，該所形成的第一厚度係在通常垂直於該場區域之一準,直路徑中沉積金屬矽化物而成’藉以在隨後的製程步驟中屏罩該電晶體的電極，並蚀刻電晶體，以移除任何遗留在該場區域上的矽化物後’只殘留覆蓋矽化物的該屏罩區域。 15.如申請專利範圍第1 4項之m〇s電晶體，其中該場區域包括在該場區域上的多晶矽化物傳導線，以將電晶體的 —電極連接到另一區域；該傳導線包括在該場區域上的一多晶矽層，且一矽化物層覆蓋在該多晶矽層上，且其中該中間二矽化物層係覆蓋在該傳導線上，藉以即是在蚀刻電晶體以從場區域去除矽化物後，仍能使一矽化物層保留在該傳導線多晶矽層上，使包含該傳導線，及該源極、汲極、和閘極的電晶體傳導-區成被覆蓋矽化物，以增加其傳導性。 K如申請專利範圍第1 5項之MOS電晶體，其中該閘極是一多晶矽化物電極’其包含在該閘絕緣層上之一多晶碎層，及在該多晶矽層上的一矽化物層。丨7·如申請專利範圍第9項之MOS電晶體，其中該電晶禮是在一 SIMOX晶圓上形成，其包含一氧化物薄膜層，及在氧化物層上的一單晶矽薄膜層’上述襌極和汲極是從單晶石夕薄膜層形成，且該基底是從氧化物層形成，藉以増加元件ν隔絕、減少寄生電容、及減少漏洩電流。 18. —種在積體电路上之絕緣材料的基底上形成m〇S電晶體的方法，包括以下之步驟： -30- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ：297公釐） ! ο1Τ和 (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 經濟部中央梂準扃貝工消费合作社印製 ~、申請專利範圍 a) 在基底上形成矽的源極和汲極，在源極和汲極之間形成具有絕緣邊壁之閘極’及在閘極下方形成絕緣材料’藉以使源極和汲極與閘極隔絕； b) 在準直路徑上沉積金屬矽化物，該路徑通常延伸垂直於源極、汲極、及閘極，且平行於閘邊壁，該矽化物係選擇地施加在電晶體上以形成在電極上的具有第一厚度及覆蓋在閘邊壁絕緣材料上的一小於第一厚度之第二厚度；且 c) 各向同性地蚀刻在步驟b)中沉積之大於第二厚度但是小於第一厚度的預定厚度的矽化物層，以移除在閘邊壁絕緣材料上的該矽化物層，並殘留覆蓋具有一第二厚度的一矽化物層的電極，藉以使在電極表面上選擇性的形成矽化物，以增加電極傳導性。 19. 如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該突出結構係覆蓋在閘極上，該突出結構係延伸超過閘極，而當矽化物以通常垂直於突出結構及平行於閘邊壁之準直路徑上沉積時’可保護閘邊壁免於矽化物的沉積，藉以使在源極和汲極上的矽化物沉積更有選擇性。 20. 如申請專利範圍第1 9項之方法’其中該突出結構係延伸超過閘極一距離’該距離範圍通常在2〇〇至1〇〇〇人之間’且其中該第二厚度的範圍通常是在〇至5〇入之間。 21_如申請專利範圍第.1.8項.之方法，包括進一步的步驟： d) 將在步驟c)中所形成具岁第三厚度的該矽化物層退火，以產生大致具有第三厚度的二矽及物層，藉0 使在該電極上矽化物的選擇性形成增加源極、汲極〜、及 -31 - 本紙張尺度逍用中國國家揉準（CNS > Α4现格（210X297公釐）請先 Η 面之注 % ύ 訂 ►η 經濟部中央標率局負工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範園閘極的傳導性。 22. 如申請專利範園第21項之方法，其中步驟d)包括以通 ‘常500至900 C之間的溫度作迅速熱退火（RTA)的製程形成二矽化物。 23. 如申請專利範圍第22項之方法，其中在步驟中形成二矽化物的RTA製程是在一段時間内完成，其範圍是在 1 0至5 0秒之間。 24_如申請專利範圍第18項之方法，其中該基底包括通常圍繞電晶體四周的絕緣材料乏場區域，其中步驟b)包括在通常延伸垂直於場區域之準直路徑中的場區域上沉積金屬矽化物的一第一厚度，其中步驟c)包括各向同性地蝕刻在步驟b)中以大於第二厚度但小於第—厚度之一預定厚度在場區域上沉積的矽化物層，而殘留覆蓋具有一第三厚度矽化物層的場區域，其中步驟d)包括將在場區域上的矽化物退火，以形成二矽化物層，且包括進一步的步驟是： e) 屏罩包含源極、汲極、及閘極的電晶體之主動區域；且 f) 從場區域蝕刻矽化物層，藉以使在場區域裡的矽化物移除，以防止跨越積體電路上之不必要的傳導路徑。 25.如申請專利範圍第2 4項之方法，其中該多晶矽化物傳導線係在場區域上，以將該電軎禮的—電極連接至該積體電路的另一區域，該傳導線包含覆蓋在場區域上的多 -32- 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > A4規格（210X297公瘦） (请先《讀背面之注f項再填寫本覓)

經濟部十央標準局貝工消费合作社印製 if ____ C8 --*--— D8__ *、申請~ 明矽層，及復蓋在多晶矽層上的矽化物層；其中步驟b) 包括以一準直路徑在傳導線上沉積金屬矽化物的一第一厚度，而該路徑通常延伸垂直於傳導線；其中步驟幻包括各向同性地蝕刻在步驟b)中所沉積的在傳導線上的矽化物層一預定厚度，該預定厚度大於該第二厚度但是小於第一厚度，而殘留覆蓋具有第三厚度的矽化物層之第矽化物層，其中步驟d)包括將在傳導線的多晶矽層上兩矽化物層退火；且其中步驟〇包括將在傳導線上之矽化物的該第三厚度蝕刻，藉以使包含該電極和該傳導線的電晶體之傳導表面仍以矽化物覆蓋，以增加其傳導性。 26. 如申請專利範圍第18項之方法，其中該第—厚度的範圍通常是在100至500入之間，第二厚度是在2〇至100入之間’且其中該第三厚度的範圍是在8〇至4〇〇人之間。 27. 如申請專利範園第1 8項之方法，其中該步驟c )的各向同性蝕刻製程是從濕溶液蝕刻法、在高壓含氣電漿中的乾蝕刻法所組合的群組中選取，藉以在閘邊壁上形成一最小量的聚合物。 28. 如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該源極和汲極是從沉積在一塊狀基底上的塊狀矽所形成，且其中該源極和汲極是經由離子植入及隨後之擴散在塊狀石夕中所形成的井。 29_如申請專利範圍第1 8項之方法，其中該源極和汲極是從在一氧化物基底上的主動區域上的系晶碎所形成的隆 -33 - -------ϋ------^------ί (婧先閱讀背面之注f項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ~ A8 B8 C8 D8 申請專利範園起結構，藉以使矽化作用及源極和汲極的隆起二者容許在電極之間通道長度之降低，而因此形成一較小尺寸的電晶體。 3〇·如申請專利範圍第丨8項之方法，其中該沉積的金屬矽化物是從包括钴、鈦、鎳、鎢、鉬，钽的群組、鈦與钴和鎳的組合、及其他耐火金屬的組合中選取。 31.如申請專利範圍第18項之方法，其中該閘極是—多晶矽化物電極，其包含在閘絕緣層上的一多晶矽層，及: 遠多晶梦層上的一珍化物層。 I 1^1 HI t^i I i. imtt 0 -' - (請先M讀背面之注項再填寫本頁}

經濟部中央標隼局貝工消費合作社印装 -34- 本紙伕尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4洗格（210X297公釐）