TW312865B - - Google Patents

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TW312865B TW085104717A TW85104717A TW312865B TW 312865 B TW312865 B TW 312865B TW 085104717 A TW085104717 A TW 085104717A TW 85104717 A TW85104717 A TW 85104717A TW 312865 B TW312865 B TW 312865B
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Description

經濟部中央標举局員工消費合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(J ) <技術範赌> 本發明係有關一種作為半導體之曝光裝置或光加工用 之光源之窄頻帶雷.射裝置之改良。 <背景技術> K往,半導體曝光裝置之光源,隨著半導體元件之高 密度化,為獲得高解析度,必須使焦點深度更深,故朝向 短波長化發展。亦即,半導體曝光裝置之光源,係自高懕 水銀燈之g線發展為i線,且朝向K r F激勵雷射發展, 即順次移行至短波長化。 , 惟•像KrF激勵雷射(248nm)或者ArF激 勵雷射(913nm)之深紫外系,在作為震盪雷射光使 用時,因作為投影鏡之光學材科之種類甚少,故色象差( chromatic aberration)之修正甚 •難。因此,肚種激勵雷射係使用不實行色象差修正之單色 鏡作為投影鏡,而實行激勵雷射自身之窄頻帶化,Μ提高 單色性*而作為曝光裝置之光源使用。 惟,如第十九圖所示,將雷射震盪部i 6 0所產生之 輸出光全部入射至窄頻帶化元件之所謂窄頻帶雷射,因窄 頻帶化元伴所造成之損失甚大,雷射光之輸出將變小,而 有增大窄頻帶化元件之負荷之耐久性上之問題·。此傾向在 波長較短之A r F窄頻帶激勵雷射上尤為顯著。又’在第 • 十九圖中,160為雷射震盪部,161為窄頻帶化元件 ,162為全反射鏡,163為半透明反射鏡。 -4- 本紙诛尺度適用中國國家榣率(CNS) A4规格(210X297公釐〉 -1-------Γ! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 312865 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A7 B7___ 五、發明説明(/) 在此,於特開平3 — 2 5 9 5 8 3號公報所揭之激勵 雷射之技術中,係Μ分割鏡將雷射光束分割,而將分割所 得之一部份震盪雷射光入射至窄頻帶化元件,而剩餘的則 作為輸出雷射而取出,第二十圖及第二-I--圖所示之搆成 即為解決上述課題所完成者。 第二十園中,在收容有霄射媒體之雷射管1 3 1之一 端側,設有具備窗部1 3 4及長溝1 3 6 a之規制板1 3 6及高反射鏡1 3 5,又雷射管1 3 1之他端側則設有窗 部1 34、分割鏡1 37、第1干涉儀1 38、第2校準 器139、高反射折返鏡141 、光束分離器142、散 射板143、監控干涉儀144、集光鏡145及線性感 應器146與示波器147。 上述構成中,自左側窗部1 34射出之雷射光,其一 •部份被分割鏡1 3 7所分割反射,而回到雷射管1 3 1内 之雷射激勵部1 32,在雷射激勵部1 37被放大,再度 經由與前述相冏之光路*而Μ角度Θ擴張,並經由左側窗 部1 34射出。又,射出之雷射光中之一部份被分割鏡1 37所反射,再度設入第1干涉儀138、第2干涉儀1 3 9,而剩餘的即作為輸出雷射光L輸出。又,輸出雷射 先L之一部份(1%程度)被光束分雛器142所反射, 而入射至線性感應器146,而根據此感應器輸出將雷射 _ 光之強度分布予Κ監控者。 亦即,在習知技術中,係不使用光束擴大器等之產生 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中夬樣隼局貝工消費合作社印裝 A7 B7___, 五、發明説明(j ) 散射光之原因之光學元件,Μ獲得AS E (放大之自然放 出光)成份較少之光譜纯度較高之輸出光’同時以分割鏡 1 3 7分割雷射光而將分割出之一部份雷射光射入窄頻帶 化元件,K減輕窄頻帶化元件之負荷。 如此,使用干涉儀作為窄頻帶化元件及波長選擇元件 時,因干涉儀本身即是選擇入射角度用之元件’故不會造 成光譜分布形狀之惡化,而可獲得A S E成份較少之光譜 純度較高之輸出光。惟,干涉儀之場合,若為A r F般之 短波長(1 9 3 n m )時,則有Μ下之問題。 a、 如第二十圖所示之共振器,雖可減低某程度之校 準器之負荷,但將造成干涉儀之耐久性產生問題。 b、 為將光譜寬度降低至1 pmK下*必須配置複數 個干涉儀,將提高成本。 c、 因干涉儀之選擇波長將因熱而大變動,故欲將負 複數個干涉儀控制成無熱變動者,則甚難。 此時,作為窄頻帶化元件及波長選擇元件,與其使用 千涉儀般之非為角度分散式之元件,不如採用稜鏡光束擴 大器及繞射柵(diffract ion g r a t in S )等所構成之角度分散型之窄頻帶及波長選擇元件,則 更能解決上述問題。 . 第二十一圖為上述特開平3 — 2 5 9 5 8 3號公報所 示之其他實施例,此習知技術中,取代上述第二十圖之作 為窄頻帶化元件之第1干涉儀1 38、第2干涉儀1 39 -6 - 本紙張尺度適用中國國家棣準< CNS ) A4规格(2丨0 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) > mV i^n —^m n^· 裝------訂--- k • n^i ml ml a^n 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明(十) 、高反射折返鏡141 ,係使用由稜鏡光束擴大器156 及繞射棚1 5 7所構成之角度分散型窄頻帶化元件。 惟,如第二十一圖般,使用角度分散型之物品作為窄 頻帶化元件時,角度分散型窄頻帶化元件在分散方向之面 内,因光回折至所有方向,故將發生第二圖之虛線所示之 多數寄生震盪,而使光束之光譜分布形狀顯著惡化。 又,'在第二十圖及第二十一圖所示之特開平3-25 9583號公報之技術中,其有下述之共通性問題。 •因共振器之光路被分割鏡1, 3 7所折曲,故共振器 不安定,因振動及熱量之杻曲將K多數波長共振。而角度 分散元件尤其易受振動之影響。 •因使用分割鏡1 3 7之邊緣部筻行光束之分割,故 在邊緣部之面精度較差時,因光束之波面K扭曲狀態進入 窄頻帶化元件,故光譜之分布形狀將惡化。 第二十二圖為採用可減少窄頻帶化元件之負荷之共振 器構成之習知技術例(特開平2 — 21 3 178號)。 在此第二十二圖所示之習/知技術中,雷射放電管1 5 1之一方設置有全反射鏡1 5 2並於另方設全反射鏡1 5 3,在雷射放電管1 5 1與全反射鏡1 52間置有半透過 鏡1 54。如此,將半透過鏡1 54所反射之光作為輸出 先1 5 6使用於半導體曝光等上,而將通過半透過鏡1 5 • 4之光Μ光柵1 5 5窄頻帶化後,以使之回到雷射放電管 1 5 1之內部之方式,實琨雷射光之窄頻帶化。 本紙張尺度適用中國國家標率(CNS〉八4規格(210X29?公嫠〉 ~ i - - - - _·..... - I —I. »^^1 —ί ! - - j^— · ^^^1 nn--aJn (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) mV flip Ki u,------」L---- 五、發明説明(<) A7 B7 惟,此習知技術中,被光柵1 5. 5所窄頻帶化而以全 反射鏡1 52所反射之光’僅一部份通過半透過鏡1 54 回到雷射放電管1 5 1而被放大,剩餘之光則被反射至相 反方1¾而被捨棄,故將造成光能之浪費。 做為半導髏曝光裝置之光源,若使用激勵雷射時,在 將雷射窄頻帶化之同時,亦須將放電管内部所產生之光能 有效利用,Μ獲得較大之輸出,故必須避免捨棄一部分光 之擧動。 如此,習知之窄頻帶化装置,,係具有寄生震盪多,光 譜分布形狀扭曲,共振器不安定,窄頻帶化元件之耐久性 上之問題,成本高,易受熱變動影響,造成光能浪費等缺 點。 本發明即為改菩此等缺點,而Κ提供一種雷射光束之 光譜分布均整,且安定性、耐久性佳,不浪費光能之窄頻 帶雷射裝置為其目的者。 <發明之開示> 為前述目的,本發明為: 一種窄頻帶雷射装置,其包括有:一雷射產生部,其 具有雷射活性,可產生雷射光束;一窄頻帶化手段,被配 設於前述雷射產生部所產生之雷射光之光铀上之前述雷射 產生部之一端廁,並以至少一個角度分散型波長選擇元件 將前述雷射光束窄頻帶化,並將窄頻帶化之雷射光束折返 回射至前述雷射產生部;一光束折返手段》其係配設於前 -δ- * nfl^i ^11 «^nv --..------A 裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標隼局員工消費合作杜印裝 -nf— lmt n tvm m 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4规格(210X297公釐} Α7 Β7 經濟部中央標準局工消費合作杜印裝 五、發明説明(^) 述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷射產生部 之另端,其將入射之雷射光束折返,而反射至前述雷射產 生部;一雷射分光單元’其係配設於前述雷射產生部與窄 頻帶化手段間,可將前述雷射產生部所入射之雷射光之— 部份予Μ透過而入射至前述窄頻帶化手段,同時將剩餘部 份予Κ偏向而作為輸出光取出。 依本'發明,因將直直地透過雷射分光簞元之光,入射 至窄頻帶化手段,故共振器之光路不會曲折,而可使共振 系統安定化,並消除振動所引起之多波長震邇。其結果, 智頻帶化效率上昇,而可獲得具有均整之光譜分布之雷射 輸出。 又,本發明亦可為: 一種窄頻帶雷射裝置,其包括有:一雷射產生部,其 '具有雷射活性’可產生雷射光束;一窄頻帶化手段,被配 設於前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷射 產生部之一端側,並Κ至少一個角度分散型波長選擇元件 將前述雷射光束窄頻帶化,並將窄頻帶化之雷射光束折返 回射至前述雷射產生部;一光束折返手段,其係配設於前 述雷射產生部所產生之雷射光,之光軸上之前述雷射產生部 之另端’其將人射之雷射光束折返,而反射至前述雷射產 生部;一雷射分光單元*其係配設於前述雷射產生部與窄 頻帶化手段間,可將前述雷射產生部所入射之雷射光之一 部份入射至前述窄頻帶化手段,同時將剩餘部份作為輸出 -n^i —J --- nnl n^l · (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -- *- It -----訂 I—I --- h 4-- 本纸張尺度逍用中國國家#準(CNS > A4规格(210X297公釐} 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 _B7五、發明説明(1 ) 光取出;一光束寬度限制手段,其可將人射至前述窄頻帶 化手段之雷射光束之寬度’限制於前述角度分散型波長選 擇元件之角度分散方向。 依上述發明,藉由光束寬度限制手段,可將光束限制 於窄頻帶化手段之角度方散方向,故可獲得無寄生共振之 具有均整之光譜分布之雷射輸出光。 <實施發明之最佳形態> Μ下,參照附圖,詳细說明本發明之實施例。 第一圖為本發明之窄頻帶化霄射裝置之實施例,其係 Μ下所示各實施例中之最基本之構成。 第一画中,1為角度分散型波長選擇元件單元,2為 包含雷射媒體之雷射管,3為將雷射光束折返至入射方向 之光束折返單元> 4為使雷射光束之一部份透過而入射至 -角度分散型波長選擇元件單元1 ,並將剩餘者反射而作為 輸光取出之分光軍元,5為將光束限制於角度分散型波長 '選擇元件單元1之角度分散方向(圖中Α方向)之光束限 制部,6為跟制輸出光之光束之光束限制部。 第一腫之構成中,雷射管2所產生之雷射光,在透過 分光單元4後,將通過具有長溝或周圍部設有遮光部之窗 狀裝置之光束限制部5,而射入配置有角度分散型之波長 選擇元件之角度分散型波長選擇元件單元。雷射光束被角 度分散型波長選擇元件單元1所折返及窄頻帶化後*再次 通過光束限制部5及分光單元4,而K既定之擴大角度’ -10- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) f裝------訂丨
"I ^—ti u t i nt · -In vm - -- —1- - 1 - 本紙法尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 312665五、發明説明(?) A7 B7 •t 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 通過雷射管2而被放大。通遇雷射管2之光束在光束折返 單元3被折返》而再次為雷射管2所放大。自雷射管2輸 出之輸出光之一部份,透過分光單元4及光束限制部5, 再度入射至角度分散型波長選擇元件軍元1。一方面,剩 餘之光被分光單元4所反射而彎折,而作為輸出光被取出 〇 第二圖為第一圖所示之本發明之窄頻帶雷射装置之光 譜分布與先前之第二十圖所示之習知例窄頻帶雷射裝置之 光譜分布相比較之示意圖。從此寫二圖中即可知,本發明 之窄頻帶雷射裝置之輸出光之光譜分布並無寄生震盪而為 非常均整之分布。 如此之輸出光之先譜分布中無有寄生震盪之理由為: a、 因以光束限制部5將光束限制於窄頻帶化手段1之角 度分散方向,故無寄生振盪。 b、 因使直直透過分光單元4之光入射至窄頻帶化手段1 中,故共振器之光路無曲折,共振糸統安定,而無振動所 伴隨之多波長籐盪。 c、 因角度分散型波長選擇元件1比起干涉儀,對熱能之 反應較為安定,故無波畏變化。 第三圖所示者為第一圖之角度分散型波長選擇元件1 之具體構成例。 第三圖(a)中,係Μ分光稜鏡100與高反射鏡1 0 1作為角度分散型波長選擇元件單元1。又,亦可利用 -11- ~ —^n ml f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f #vn^— —^—1« n °ml —l^i • m n^—
I訂I ml i (m -h • «li^i n-n mi m It· nd 本紙法尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央揉準局負工消费合作社印製 A7 _B7_____ 五、發明説明(y) 複數個稜鏡及光束擴大器之組合,作為角度分散型波長選 擇元件單元1者。 第三圖(t>)中,係組合高反射鏡102及繞射光柵 103,而將之配設於斜入射位置者。又,對此構成,亦 可再組入光束擴大器。 第三圖(c)中,係組合稜鏡光束擴大器104與繞 射光栅1Ό 5,而繞射光柵1 05為反向配置。又,做為 Μ射光柵105可使用激發角較大之分級光柵(eche lie) •則更可改菩窄頻帶彳b软率。 第三圖(d)中,係以稜鏡光束擴大器10S與分光 鏡107及高反射鏡108構成角度分散形波長選擇元件 單元1 。 第四圖為第一圖之光束折反覃元3之具體構成例。 第四圖(a)中,係使用平面鏡30 1作為光束折返 單元3,並使該平面鏡3 0 1之光軸與角度分散型波長選 擇元件單元1之光軸約一致。 第四圖(b)中,係使用平面鏡302作為光束折返 單元3,其光軸與角度分散型波長選擇元件軍元1之光軸 係成某適當角度。 第四圖(c)為使用凸面鏡303之場合之例,第四 圖(d)為使用凹面鏡304之例。若使用凸面或凹面鏡 ,則可調整光樹之擴大角*而可使入射至角度分散型波長 選擇元件單元1之光,與作為輸出光之取出光之比例為最 -1 2- Ϊ·紙浪尺度適用中國菌家樣準(CNS ) A4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 __B7 _ 五、發明説明(/ β) 佳化,其結果,可取出高能量率且光譜分布整齊之雷射光 0 又,取代上述凸面鏡303、凹面鏡304,而配置 凸或凹面之圓柱鏡,並將該鏡之機械軸配置於與角度分散 型波長選擇元件之分光平面成垂直之方向上,可得到有效 率且光譜分布情況良好之輸出光。 其次’,第五圃為本發明之較具體之一賁施例之上視圖 0 本實施例中,係使用平面之高反射鏡3 1作為光束折 返單元3,如中心線所示,係使高反射鏡3 1之光軸與角 度分散型波長選擇元件單元1之光軸為一致。一方面,為 達到第一圖之分光單元4及光束限制部5之雙方機能*係 使用形成有長溝開口之有孔鏡4 2。此場合,有孔鏡4 2 2係配置成與前述先軸約成45度角。而作為此有孔鏡4 2,可使用中央部設有長溝狀之無反射膜而於其它部份塗 裝高反射膜所成之物品。又,為達成第一圖之光束限制部 5、6之機能,可配置嗜片4 1 。 惟,上述有孔鏡4 2可配置光透過領域及高反射領域 ,而使在自放電激勵領域23所射出之雷射光束斷面內部 存在有雷射光透過領域,並在該光透過領域之外側領域存 在有可反射雷射光之高反射領域。 亦即,此實施例中,Μ有孔鏡4 2之開口 (或無反射 膜)Κ外之領域,將入射至角度分散型波長選擇元件單元 -1 3 _ 本紙張尺度適用中®國家株準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) -n^ip 311 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' m· I - -i -二I I =-1 —sit n - ml--'SJ- - - --- I - -- =1— n 經濟部中央橾準局貝工消费合作社印製 • Kn m >^ll · -m l I— t^l nn · 〇12S65 A7 B7 五、發明説明(") 1之光束,限制於角度分散型波長選擇元伴單元1之分光 方向。又,此實施例中,與第一圖之實施例相同,係將直 直透過有孔鏡42之光入射至窄頻帶化手段1中。 又,在此實施例中,為提高上述角度分散型波長選擇 元件單元1之分光方向上之光束限制效果,可在有孔鏡4 2與雷射管2間配置窄片41。又,此窄片41苏可設於 有孔鏡4 '1之光束輸出光側(與第一圖中6相同)。 又,此場合,角度分散型波長選擇元件單元1係由反 向配置之繞射光柵1 1與四個稜_光束擴大器1 2〜1 5 所構成,藉此構成,在Ar F窄頻帶雷射之場合,可實現 1 p m Μ下之光譜線寬。依此角度分散型波長選擇元件單 元i ,僅回轉繞射光柵1 1及稜鏡1 2〜1 5中之一者, 即可控制波長,而可實現高速波長控制。 經濟部中夬標準局員工消费合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,若為激勵雷射之場合,因雷射媒體之增益甚高, 而調整有孔鏡42之長溝狀開口或無反射膜之大小、有孔 鏡42之配置角度等,使輸出取出光董之比率為6 0〜9 0%時,則可有效率地震盪雷射。又,第五圖中,2 1 、 22為視窗,23為放電激撕領域。 依上述實施例,因Μ中央具開口或形成有無反射膜之 有孔鏡4 2取出輸出光,故輸出光之光束斷面形狀,如第 六圖(a )所示,其中心部成穿孔狀。亦即*自第五圖之 B方向觀看時,如第六圃(b)所示,因雷射管2内之放 電電極24、24’間存在有放電激勵領域,故輸出光之 "14- 本紙伕尺度逍用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央樣準局W;工消費合作社印裝 A 7 B7_____五、發明説明( 光束斷面形狀成為如第六圖(a)所示之中穿孔狀。 又,第五圖之實施例之場合,輸出光之光束斷面形狀 如前述係為中穿孔狀 > 但此影響藉由將光束射遠即可消除 。又,曝光装置之照明光學系統為獲得高解析度,而實行 帶狀照射(ζ ο n a 1 )或斜入射照明時,直接使用該光 束即可達到高效率之照明。 第七'圖(a )〜(e )為第五圖實施例之變形例,此 葚施例中,取代第五圖之有孔鏡4 2 >係使用第t圖(a )〜(e)所示之分光單元4,釋此,可取出無中穿孔部 之光束斷面形狀之雷射光束。 第七腫(a)中所示之分光軍元4中,係使兩全反射 鏡7 1 、72 (表面塗裝有反射膜73)非在同一平面而 係配設於不同平面上,且藉由調整其配設位置•可使輸出 -光中不發生中穿孔。又,一方之全反射鏡72之前端74 ,其角部形成為漸细狀,K使其前端部不致反射射入波長 選擇元件單元1之雷射光束。 第七麵(b)之分光單元4中,與第七圖(a)相同 ,其一側(雷射管2側)之表面形狀相對於被加工之光學 元件75,係為第ir圖(b)所示之漾態,而藉由塗裝反 射膜73及反射防止膜7 6,可使輸出光中不發生中穿孔 〇 •第ir圖(c)之分光單元4中,與第t圃(b)相反 (波長選擇元件軍元1側)之表面,相對於加工成與第七 -1 5- • n^l i J · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
I-^-. -. I i —- I、1T l^i «n·— m^i ltn« · • -i - 1 81.- - n —^n nn 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央樣準局貝工消费合阼枉印敦 A7 ____ B7_____ 五、發明説明(/ ·)) 園(a)相同之形狀之光學元件75 *係為第七圖(c) 所示之樣態,而藉由塗裝反射膜7 3及反射防止膜76 ’ 可使輸出光中不產生中穿孔。又,此場合,輸出光係通過 先學元件7 5而射出。 第t;圖之分光單元4中,光學元件7 5之雷射管2側 .之衷面中,其相對於未塗裝反射膜7 3之中央部領域7 7 之入射角>,藉由設定前述中央領域7 7之角度,可與布 魯斯特角(Brewster’s angle) —致’ 如此可不須要在前述中央部領域7, 7塗裝反射防止膜7 6 。又,此場合,光學元件75之背面側(波長選擇元件單 元1側),可在中央部設以反射防止膜7 6。 第t圖(e)之分光單元4中,有關光學元件75之 表面中央部領域7 7與裡面中央部領域7 8之雙方,為使 •其入射角4與布魯斯特角一致,可設定此中央部領域77 、78之角度。因此,此場合,表裡兩面均不須塗裝反射 防止膜。 接著*第八圖中,係將先前第七圖(a)之光束輸出 鏡7 0之兩個全反射鏡7 1、72連结至線性可動機構9 5 < Μ此線性可動機構95可將全反射鏡7 1 、72向C 方向移動,藉此可自由調整分光單元4之開口寬度W。為 此,依此構成,可容易實行雷射光之光譜線寬、光譜分布 形狀之最佳化。又,線性可動機構9 5可為使反射鏡7 1 1及7 2個別移動者,又,使之連動而向相反方向一體移 -16- 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210x297公釐) (请先聞讀背面之注意事項再填寫本育)
經濟部中央揉準局員工消費合作社印裂 A7 B7 _ 五、發明説明(if) 動亦可。 其次,第九圖(a)〜(e)為第五圖實施例之變形 例,此實施例中,取代第五圖之光束折返簞元3之高反射 鏡3 1 ,可使用第九圖(a)〜(e)所示之其它光束折 返單元3 ,藉此,可減低AS E光,而提高輸出光之光譜 纯度。 第九圖(a)中,係K稜鏡80與反射鏡8 1構成光 束折返單元3。亦即,因ASE光係向各方向行進,故Μ 稜鏡8 0將A S Ε光擴展至窄頻希化雷射光以外,而Μ反 射鏡81將之反射而除去。 第九圖(b )中,係使用表面形成凹凸之反射鏡8 2 * K此四凸反射鏡82可將ASE光射向不回到雷射管2 之方向。 第九圖(c)中,係Μ鏡片83、空間裝置84及凹 面反射鏡8 5構成光束折返單元3,而Κ空間裝置84之 孔以外之處所,將A S Ε光切斷。 第九圖(d)中,係Μ鏡片86、空間裝置84、鏡 片87及平面鏡8 8構成光束折返單元3,而Κ空間裝置 84之孔Κ外之處所,將ASE光切斷。又,鏡片86、 空間裝置84及鏡片8 7可配設於雷射管2及有孔鏡4 2 間。 第九圖(e)中 >係以圓柱鏡89、窄片90、圓柱 鏡9 1及平面鏡92構成光束折返單元3,而以窄片90 -17- 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I —·'______-fr------1T! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -HI ml 1— 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 312865 ab77 五、發明説明((<) 之孔K外之處所將ASE光切斷。又,圓柱鏡89、窄片 90及圓柱鏡91亦可設於雷射管2與有孔鏡42間。 在此,於上述第九圖(c )〜(e )中,係將空間裝 置84等設於雷射共振器中之光路上。因此,在此等構成 中,比起例如將空間裝置等設於被有孔鏡4 2所反射後之 輸出光之光路上之場合,可更有效率地除去更多之AS E 成份。 又,第九圖之構成中,藉由將有孔鏡42置換成第七 圖所示之分光單元4,可防止輸_光中之中穿孔現像。 第十画為本發明之其他實施例。 在此第十圖之實施例中,取代第五画之有孔鏡42, 乃設置有孔鏡4 3 防止輸出光中之中穿孔現像。 亦即,前述第五圖之有孔鏡42,係於中央部設置具 有長溝狀開口之有孔鏡42,而第十圖之有孔鏡43,其 長溝狀開口 96係形成於有孔鏡4 3之圖面上之下方部( 因此第十圖為上視圖*正確的開口 9 6係形成於自中心偏 向側邊處)。其结果,在此實施例中,放電激勵領域23 所發生之雷射光束中之圖面上之下側之領域中之光,將入 射至角度分散型波長選擇元件單元1。 又,此場合,做為光束折返單元3之高反射鏡3 1之 光軸,像在角度分散型波長選擇元件單元1之光軸η、有 孔鏡4 3之上部之高反射領域之中心與實際反射高反射鏡 3之雷射光之領域之中心所連结之線q間,或者設定高反 -1 8 - 本紙張尺度遑用中國國家標準(CMS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央揉準局男工消費合作社印裝 A7 _B7_ _五、發明説明(4) 射鏡3 1角度,而與兩軸η、q之任一者一致。 在此第十圖之實施例中,因係Κ有孔鏡4 3與窄片4 1將光束限制於窄頻帶化手段1之角度分散方向,故無寄 生震盪,且因直直透過有孔鏡43之光,射入窄頻帶化手 段1 ,故共振器之光路不彎折,而使共振系統安定*而可 消除振動所伴隨之多波長震通。又,其輸出雪射光之光束 斷面形狀將無中穿孔現像。 其次,第十一圖(a)為適用第十圖所示之實施例之 放電激勵型激勵雷射之場合之構成例之上視圖。 此實施例之分光單元4,係於透光性基板i 8之一脚 (圖面上之上側)塗裝K反射膜73 ·而另一側(圖面上 之下側)則做為透光領域而達到與第十圖之有孔鏡4 3相 同之機能。又,為與此分光單元4 一起作動而限制光之擴 大Μ防止寄生震盪*可沿光束設置兩遮光板5 1、52。 因此,此實施例中,基板18如第十一圖(b)所示 ,係K與放電方向(沿放電霄極24、24’所連結之線 之方向)相平行之線作為境界線,而分割出反射領域與透 光領域。 亦即,此實施例中*與第十圖之實施洌相同,自基板 1 9之正中央起,在一側設K透光領域,而在另側設以光 反射領域,且作為光束折返單元3之高反射鏡31之光軸 ,係在角度分散型波長選擇元件單元1之光軸,與有孔鏡 4 3之高反射領域之中心及高反射鏡3之中心所連结之線 -19- • n^i 111 .- -- ml —^n · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
--、裝---I-—訂------C V m·· an— nn · 本紙伕尺度適用中國國家標率(CNS ) A4规格(210X297公釐) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7 . ____ 五、發明説明(ί飞) 之間,或者藉由設定高反射鏡3 1之角度使其與兩軸之任 一者一致,以防止輸出光中發生中穿孔規像。 當然,此第十一週之實施例中,亦為K分光單元4之 反射膜7 3與遮光板5 1及5 2將光束限制於窄頻帶化手 段1之角度分散方向,故無寄生籐盪。又,因將直直透過 分光單元4之光射入窄頻帶化手段1中,故共振器之光路 無曲折,’而共振糸統安定,且無振動所伴随之多波長震蕩 0 又 > 此場合,基板1 8像構成為可利用線性載台44 移動於與放電方向圼垂直之方向(圖示E方向),藉此, 可調整輸出光與人射至角度分散型波長選擇元件單元1之 光之比例。 又,此實施例中,雷射光束之擴大角較小之方向(雷 射光束中,與放電方向成垂直之方向係較放電方向之光束 擴大角為小)與角度分散型波長選擇元件之角度分散方向 約一致,且因光束分割方向與放電方向係成直角,故可獲 得光譜線寬非常窄之光譜分布。 又,此實施例中,藉由在基板1 8之一部份上塗裝反 射膜,而可在*板上形成反射部及透光部,第十一圖(a )之基板18之圖面上之下側之透光領域被刪除,此領域 可僅為單純之空間。 第十二画(a)〜(c)係為此發明之其他實施例, 此實施例中,構成分光單元4之基板1 8,如第十二圖( -20- 本紙張尺度逍用中國國家梂準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中央揉率局貝工消費合作社印製 A7 87 五、發明説明(U) b)所示,係以與放電方尙(沿連结放電霄極24、24 ^之線之方向)成垂直之線作為境界線,而二分割出反射 領域與透光領域。又,在分光單元4與波長選擇元件單元 1間設Μ窄片6 1 ,且在光束輸出側亦設置窄片62。因 此,上逑二分割之透光領域側,係由Μ窄片6 1使光透過 之透光領域與散射·吸收光之領域所構成。 亦即',此實施例中,係Κ分光單元4之反射膜7 3及 窄Η 6 1 、6 2將光束限制於窄頻帶化手段1之角度分散 方向*故可抑制寄生震盪。 , 又*此實施例中,基板1 8係Μ線性載台44而可移 動於與放電方向成平行之方向(第十一圖(c)之F方向 ) >藉此可調整輸出光與射入角度分散型波長選擇元件單 元1之光之比例。 又,此實施例中,折返鏡3之姿勢角,係被設成高反 射鏡3 1之光軸,位於角度分散型波長選擇元件單元1之 光軸,與有孔鏡43之反射領域中心與高反射鏡3之中心 所連结成之線之間,或者與該兩軸任一者一致者。 第十三圖為本發明之其他實施例。 第十三圖中,構成角度分散型波長選擇元件單元1之 稜鏡1 2〜1 5上,係施有Ρ偏光用的導電體多層膜1 9 ,藉此等Ρ偏光用之導電體多層膜1 9,角度分散型波長 選擇元件單元1內,僅可通過Ρ偏光波(具有與角度分散 型波長選擇元件單元1之角度分散方商為相同方向之偏光 -2 1- 本纸張尺度適用中國國家樣準(CNS ) Α4规格(210 X 297公釐) (請先閏讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) -裝-- ml i 11 ti^i— · -n mi mt n m^i A7 ___B7 __ 五、發明説明(f/) 面,即其偏光面與紙面平行)。亦即,被角度分散型波長 選擇元件單元1所窄頻帶化之光,係為P偏光。 一方面,有孔鏡43.之鏡面,僅全反射p偏光,而吸 收或使S偏光透過。 因此,在放電激勵領域所發生之P偏光與S偏光,係 介以有孔鏡4 3之開孔窄片,射入波長選擇元件1 ,在此 ,僅P偏'光波被窄頻帶化而再次回到放電激勵領域而被放 大。此被放大之光被鏡3所折返而再次通過放電激勵領域 ,再度被放大。又,射出雷射管2,之窄頻帶化光之中,僅 射入有孔鏡4 3之鏡面之P偏光波被反射而輸出,同時射 入有孔鏡4 3之長溝之光,再度射入波長選擇元件1。一 方面,S偏光波係被有孔鏡4 3之鏡面所吸收或透過,同 時被波長選擇元件單元1内之各稜鏡12〜15之P偏光 用之導電體多層膜所亂反射。 如此,依上述實施例,放電激勵領域所產生之P偏光 波及S偏光波中之S偏光波,因未被窄頻帶化,故S偏光 波全部成為A S E先。又,此S偏光波係被各稜鏡1 2〜 1 5中之導電體多曆膜所亂反射,並被有孔鏡4 3之鏡面 所吸收或透過,結果可大幅削減ASE光。 第十四圃為第十三圖之構成中,使用有孔鏡4 3將P S兩偏光全反射之場合,及使用僅反射p偏光之有孔鏡4 ' 3之場合中之各雷射光譜之波形。 從此画中即可了解,使用第十三函之實施例之僅反射 -22- 本紙伕尺度逋用中國國家榡準(CNS ) Μ规格(210X297公嫠) • m -J ---1 I» ml · .κ^" - 1 - · (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梯準局員工消费合作社印製 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 3ΐ£8β5 A7 ____B7_______ 五、發明説明(/) Ρί爲光之有孔鏡4 3之場合,比起使用將P s兩偏光全反 射之有孔鏡43之場合,可使AS Ε成份減至一半左右。 又,使S偏光波透過有孔鏡43之鏡面之場合,係配 置與有孔鏡4 3之長溝約有相同長溝寬度之窄片45,而 Μ此窄片4 5線限制透過鏡面之S偏光波之光束寬度。 又,藉由使用具有垂直(〇度)Κ外之入射角之透過 型光學元件之表面上之反射率中之Ρ偏光較S偏光之反射 率為少之物品,及配置具有垂直Μ外之入射角或布魯斯特 角之入射角之透過型光學元件於共振器內,可使窄頻帶光 為Ρ偏光。因此,若使用此方法,即使波長選擇元件單元 内之稜鏡上未施以導電體多層膜,亦可實現某程度之Ρ偏 光。 又,作為僅將Ρ偏光窄頻帶化之手法,亦有在雷射輸 •岀側之視窗21至繞射光柵i1間(例如射出側之視窗2 1與有孔鏡43間),配置僅可透過P偏光之光學元件, 或者在視窗21施Μ僅可透過P偏光之塗層等之手法。 第十五圖為第十三圖之實施例之變形例,此簧施例中 ,係檢知AS Ε成份,而當檢知值超過既定值時,判斷為 異常,而報知半導體曝光裝置99。
亦即,此實施例中,係對稜鏡1 2〜1 5施KP偏光 珂透過之塗層1 9,Μ使被窄頻帶化之光全部成為P偏光 ,又,有孔鏡43上係使用Ρ偏光及S偏光均可反射之物 品。又,在輸出光之通過光路中,可配設Ρ偏光透過而S -23- 本紙張尺度適用中園國家標準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -Im (ϋ tm · 訂---- - --n^i mV ^im 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A 7 _B7__ 五、發明説明(/|) 偏光反射之偏光鏡4 6。 因此*此場合中,係僅取出P偏光作為最終之輸出光 ,並將之輸入曝光装置9 9。 ~方面,Μ偏向鏡46所反射之S偏向波被射入光電 感應器97。控制器98則根據光電感應器之檢知值*檢 知輪出雷射光之強度及波長,而根據此等檢知值,判斷輸 出雷.射光之異常,若判定為異常,則通知瞜光裝置9 3。 又,第十三圖或第十五圖之實施例中,亦可將S偏光 成份窄頻帶化,而將S偏光成份當作輸出光而取出。 其次,第十六圖為本發明之其他實施例。 此簧施例中,係將雷射輸出光沿配置成一直線之共振 器之光軸方®予以取出,而可將共振器及其上所附設之動 力監視器、波長監視器等外部光學糸統等之構成予以小型 化及簡單化。 為此*此實施例中,係將分光單元8所取出之輸出光 ’通過雷射管2而輸出。又,此場合,於通過雷射管2時, 為使之不稍微或全部掠過放電激勵領域,可調整光束折返 簞元3及分光單元3之設置角度。又,此場合*自放電激 勵領域24射入分光單元3之雷射光與此分光單元3所反 射之雷射光所包含之面,為與和放電方向成垂直之平面( ‘此場合為與紙面平行之面)成平行,必須調整光束折返單 元3及分光單元3之設置角度。 在此,此實施例中,係將直直透過分宄單元8之光射 -2 4 - 本紙乐^1適用中國國家標準((:阳)六4规格(210父297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝I 訂 ml —^1 ·1* —Lr n^— I- ml ----- 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 A 7 _____B7_ 五、發明説明(Μ 入智頻帶化手段1 ,故共振器之光路不折曲,而使共振糸 統安定*並可消除振動所伴釀之多波長震蜃。 其次,第十七圖為第+六圓之實施例之變形例,此場 合’分光單元8所反射之輸出光係透過放電激勵領域24 而被放大,之後,被輸出,藉此雷射光之輸出更增大,而 可提高窄頻帶輸出效率。又,因將輸出光傾斜通過放電激 勵領域24,故輸出光中幾無AS E成份,而不會有光束 模式變差之倩形。 又,在第十六鼴及第十七圖之實施例中,在輸出光係 通適折返鏡3之附近.而被輸出之場合*可使用二分割成全 反射領域與透過領域之光學元件K代替折返鏡3 *而在此 光學元件之全反射領域實行雷射光之折返,並在透過領域 實行先之透過亦可。 其次,第十八圖為第十七匾之實施例之變形例》此實 施例中,亦將分光單元8所反射之輸出'光透過放電激勵領 域24而擴大,惟,此實施例中,分光單元.8其中央部設 有反射防止膜,而其外側則設有反射膜7 3 *又*分光單 元8係設成與雷射光束之光軸成垂直者。 一方面,在雷射管2與光束折返元件3間*配設有先 前第ΐ:圖(a)所示之全反射鏡72及73所構成之分光 單元4,K此分光單元4將自雷射管2射入之雷射光分成 朝向光束折返單元3之霤射光及輸出光。 如此,在此實施例中,因K分光單元8將光束限制於 -25- 本紙殊尺度適用t國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閏讀背面之注意事項再填寫本f ) « n^— immt —an —c. 裝------訂 -nn am k^nff
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五、發明説明(vW 窄頻帶化手段1之角度分散方向’故可消除寄生震盪,同 時因將直直透過分光覃元8之光射入至窄頻帶化手段1, 故共振器之光路不曲折’而共振糸統安定,並且無有振動 所伴陲之多波長震盪。又,此實施例中,因使雷射光束再 度通過放電激勵領域2 3而放大,故可增大雷射輸出並提 高窄頻帶輸出效率。 •又,第十八圖之分光單元8,可為具開孔之鏡所構成 ,或由兩個鏡所構成亦可。 又,Μ上之實施例中,係使用稜鏡、繞射光柵等之角 度分散型之光學元件做為窄頻帶化元件,但亦可使用例如 利用干涉儀等之重覆反射之波長選擇元件。 <產業上之利用可能性> 本發明係適用於作為半導體之曝光装置及光加工用光 源之激勵雷射裝置等之窄頻帶雷射裝置等上。 〈圖示之簡單說明〉 第一圖為本發明之一實施例之窄頻帶雷射裝置之上視圖。 第二圖為第一圃之實施例之窄頻帶雷射裝置所輸出之雷射 光之輸出光譜及習知裝置所輸出之雷射光之輸出光譜之示 意圖。 第三圖為簧施例所用之角度分散型波長選擇元件之具體構 成例。 第四圖為實施例所用之光束折返覃元之具體構成例。 第五圈為本發明之另一實施例。 -26- 本紙張尺度ii用中國國家樣準(CNS ) A4^)L格(21〇Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) η 裝 訂 A7 B7 五、發明说明(y^) 第六β為第五圖之實施例之雷射裝置所輸出之中穿孔雷射 a 種 各 之 鏡 出 輸 束 光 之 用 使 而 鏡 孔 有 之 圃 五 第 〇 代 _ 取 意為 示圖 之七 光第 -例 形 變 tf 1 〇 例各 成之 構元 之單 動返 移折 可束 為光 鏡之 孔例 有施 之實 圖之 。五圖 園第五 意使第 示為為 之圖圖 式八九 型第第 〇 例 例施 施實 實一 1 另 另之 之 明 明發 發本 本為 為圖 匾一 +.十 第第 光 射 雷 之 出 輸 所 置 裝 射 Ο 〇 雷 例例之 施施例 實實施 一 一 實 另另之 之之圖 明 明三 發發十 本本第 為為為 圖圃 二 三 四 十十十 第第第 例 例例例 施施施施 實實寅 實 ήϊ- rtTJ -ill 。.另 另另另 圔之 之之之 意明明明明 示發發發發 之本 本本本 布為 為為為 分圖圖圖圖 _ 五 六七八 光十十十十 之第 第第第 ί ....——I— m I: --- 111 1--- - - - -1 丨丨^—« i ! -1—- I i —1 -ί— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —Hi HH · 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 第 第第第 圖圖 意意 示示 之之 術術 技 技 I D 矢 矢 習 習 為為 圖圖 九十 圖圖 意意 示示 之之 術術 技技 知知 習 習 為為 圖圖 一 二 十 十 I準 標 一家 國 國 中 用 一遴 一釐 公 7 9 2 { • If at m Du —In ml*! ·

Claims (1)

  1. 5 ΰ δ s ίΛ 3 ABCD 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 · 一種窄頻帶雷射裝置,其包括有:一雷射產生部,其 具有雷射活性,可產生雷射光束;一窄頻帶化手段,被配 設於前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷射 產生部之一端側,並Μ至少一個角度分散型波長選擇元件 將前述雷射光束窄頻帶化,並將窄頻帶化之雷射光束折返 回射至前述雷射產生部;一光束折返手段,其係配設於前 述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷射產生部 之另端,其將入射之雷射光束折返,而反射至前逑雷射產 生郜;一雷射分先軍元,其係配設於前述雷射產生部與窄 頻帶化手段間,可將前述雷射產生部所入射之雷射光之一 部份予以透過而入射至前逑窄頻帶化手段*同時將剰餘部 份予以偏向而作為輸出光取出。 2 ·依申請專利範圍第i項所述之窄頻帶雷射裝置,其中 前述窄頻帶化手段之光軸,與前述光束折返手段所折返之 雷射光之光軸,係被設定成略一致*同時,前述雷射分光 單元係配置有光透過領域與偏向領域,其使前述雷射產生 部所射出之雷射光束之斷面内部存在有雷射光透過領域, 且使該光透過領域之外側領域存在有使雷射光偏向之偏向 領域者。 3 ·依申請專利範圍第1項所述之窄頻帶雷射装置*其中 前述雷射分光單元之前述偏向領域,係K兩平行之不同面 -1 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) > ftn 1 mf fm ii τ .裝-- —訂— —Γ 線------^--- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Α4规格(21 〇 X 297公釐) 經濟部中夹標準局員工消費合作社印製 A8 Βδ C8 D8六、'申請專利範圍 ,構成包夾前述光透過領域之一方側之面與他方側之面, 同時將前逑一方之面之光透過領域側之端部之前逑雷射光 之偏向方向所垂直之方向之栢關位置,與前述他方面之光 透過領域側之端部之前述雷射光之偏向方向所垂直之方向 之相關位置,設定成一致。 4 ·依申請專利範圍第3項所述之窄頻帶雷射裝置,其中 更具有可將前述角度分散型波長選擇元件之角度分散方向 上之前述光透過領域之寬度予以改變之光透過領域可變手 段。 5 ·依申請專利範圍第1項所述之窄頻帶雷射装置,其中 前述雷射分光單元,一方側形成有光透過領域,而他方側 形成有使雷射光偏光之偏向領域,且前述光束折返手段所 折返之雷射光之光軸係被設定成存在於前述窄頻帶化手段 之光軸,與前述雷射分光單元之偏向領域之中心和前述光’ 束折返手段之光束折返領域中心所連结之線之間者。 β ·依申請專利範圍第5項所述之窄頻帶雷射裝置,其中 更具有可將前述角度分散型波長選擇元件之角度分散方向 上之前述光透過領域之寬度予Κ改變之光透過領域可變手 段。 -2 - ms nnfl nn vim. · (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A, —裝------訂1 nn ml nn · I I _ I n^— _ 本紙法尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ规格(210X297公釐) 經濟部中夬橾準局員工消費合作社印製 Αδ Βδ C8 D8 六、申請專利範圍 7 .依申譆專利範圍第5項所述之窄頻帶雷射裝置,其中 前述雷射產生部係K放電電槿之放電產生雷射,而區分前 述雷射分光軍元之光透適領域與偏向領域之境界線,係與 前述放電電極之故電方向成平行,而分割出雷射分光單元 之光透過領域與偏向領域者。 8 ·'依申請專利範圍第5項所述之窄頻帶雷射裝置,其中 前述雷射產生部係Μ放電電極之放電產生雷射,而區分前 述雷射分光單元之光透過領域與偏向領域之境界線,係與 前逑放電電極之放電方向成垂直,而分割出雷射分光單元 之光透過領域與偏向領域者。 9 ·依申請專利範圍第1項所述之窄頻帶雷射裝置,其中 前述窄頻帶化手段係具有一偏光光通過手段,其僅使具有 與包含前述角度分散型波長選擇元件之角度分散方向之平 面成平行之儸光平面之偏光成份通過,而前述雷射分光單 元,係Κ偏光通過手段,僅將通過之偏光成份予Κ偏向, 而作為輸出光取出者。 1 0 .依申請專利範圍第1項所述之窄頻帶雷射装置,其 中前述窄頻帶化手段係具有:一偏光光通過手段,其僅使 具有與包含前述角度分散型波長選擇元件之角度分散方向 之平面成平行之偏光平面之偏光成份通過;一雷射光偏光 - 3 _ 本紙張尺度逋用中國國家樣率(CNS ) Α4規格U10X297公釐) (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) "if" * 裝------訂 ’ · · —ιπ - - - I —二-m - - 1— it - i : I 1- 3Γ翔 ^ 5 6 C0 2 1 3 ABCD 經濟部中央揉準局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 分光軍元,其係配設於前述雷射分光單元之輸出光側之光 路中,而區分出可通過前述偏光通過手段之第1偏光成份 *與具有與此第-1偏光成份之偏光面成直角之偏光面之第 2偏光成份;一受光手段,其可接收前述雷射光分光手段 所分出之第2偏光成份;一異常檢知手段,可根據前述受 光手段之輸出,檢知輸出光之異常。 11·依申請專利範圍第1項所逑之窄頻帶雷射裝置,其 中前述雷射分光單元與前述窄頻帶化手段間,或者前述雷 射分光單元與雷射產生部間,設有一光束寬度限制手段, 其可限制雷射光之前述角度分散型波長選擇元件之角度分 散方向上之寬度。 12·依申謓專利範圍第11項所述之窄頻帶《射裝置, 其中前逑雷射分光單元之輸出光側之光路中,設有一第2 光束寬度限制手段*其可限制輸出光之前述角度分散型波 長選擇元件之角度分散方向上之寬度。 1 3 . —種窄頻帶雷射裝置,其包括有:一雷射產生部, 其具有雷射活性,可產生雷射光束;一窄頻帶化手段,被 配設於前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上.之前述雷 射產生部之一端側,並以至少一個角度分散型波長選擇元 件將前述雷射光束窄頻帶化,並將窄頻帶化之雷射光束折 -4- 本'«錄尺度適财麵家鮮(CNS)A4規格(21GX297公董) " '" ^ϋν ml nn m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝-- 、1TIn ί _ 線— 8 8 8 8 ABCD 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 六、申請專利範圍 返回射至前述雷射產生部;一光束折返手段,其係配設於 前述雷射產生部所產生之·雷射光之光軸上之前述雷射產生 部之另端’其將入射之'雷射光束折返,而反射至前述雷射 產生部;一雷射分光單元’其係配設於前逑雷射產生部與 窄頻帶化手段間,可將前述雷射產生部所入射之雷射光之 一部份人射至前述窄頻帶化手段,同時將剩餘者作為輪光 而取·出;一光束寬度限制手段,其可將人射至前述窄頻帶 化手段之雷射光束之寬度,限制於前逑角度分散型波長選 擇元件之角度分散方向。 1 4 · 一種窄頻帶雷射裝置,其包括有:—雷射產生部, 其具有雷射活性,可產生雷射光束;一窄頻帶化手段,被 配設於前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前逑雷 射產生部之一端側 > 並以至少一個角度分散型波長選擇元 件將前述雷射光束窄頻帶化,並將窄頻帶化之雷射光束折 返回射至前述雷射產生部;一光束折返手段,其係配設於 前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷射產生 部之另端’其將入射之雷射光束折返,而反射至前述雷射 產生部;一雷射分光單元,其係配設於前述雷射產生部與 窄頻帶化手段間’可將前述雷射產生部所入射之雷射光之 一部份予K透遇而入射至前述窄頻帶化手段,同時將剩餘 部份予以反射,而經由前述雷射產生部,作為輸出光取出 0 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨OXW7公釐) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-----「線丨 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範園 15·依申講專利範圍第14項所述之窄頻帶雷射裝置, 其中前述雷射產生部係以放電霄極之放電產生雷射,而前 述雷射分光單元,係使反射之雷射光經由前述放電電極間 之放電激勵領域而輸出。 1 6 · —種窄頻帶霤射裝置,其包括有:一雷射產生部, 其具有雷射活性,可產生雷射光束;一窄頻帶化手段,被 配設於前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷 射產生部之一端側,並Μ至少一個角度分散型波長選擇元 件將前述雷射光束窄頻帶化,並將窄頻帶化之雷射光束折 返回射至前述雷射產生部;一光束折返手段,其係配設於 前述雷射產生部所產生之雷射光之光軸上之前述雷射產生 部之另端,其將入射之雷射光束折返,而反射至前述雷射 產生部;一第1分光單元,其係配設於前述雷射產生部與 (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) X、 -裝------訂-- 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 之餘放束之同 光剩之光射 , 射將間述入段 雷時極前所手 之同電於部返 射,電設生折 。 入 段放配 產束出 所手之係射光取 部化部其雷述光 生帶生-述前出 產頻產元前至輸 射窄射單 將射為 ΙΒ 述雷光可入作 述前述分,而而 前至前射間過 , 將射入雷部透向 可入射 2 生Μ偏 , 而而第產予Μ 間過- 一 射份予 段透射,,雷部份 手 Μ 反域與 一 部 .化予Κ領段之餘 帶份 予勵手光剩 頻部份激 返射將 窄一 部電折雷時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐)
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