KR19980703204A - 협대역 레이저 장치 - Google Patents

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KR19980703204A
KR19980703204A KR1019970706607A KR19970706607A KR19980703204A KR 19980703204 A KR19980703204 A KR 19980703204A KR 1019970706607 A KR1019970706607 A KR 1019970706607A KR 19970706607 A KR19970706607 A KR 19970706607A KR 19980703204 A KR19980703204 A KR 19980703204A
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오사무 와까바야시
히로시 고모리
하까루 미조구찌
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안자끼 사토루
고마쯔 리미티드
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Abstract

레이저 활성을 지속시키며 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부와, 이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과, 상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과, 상기 레이저 발생부 및 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 투과하여 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에 나머지 광선을 편향시켜 출력 광선으로서 취출하는 레이저 분기 광학 유니트를 구비하여, 레이저 분기 광학을 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단에 입사되도록 하여, 공진계를 안정시키고, 진동에 따른 다파장 발진을 제거한다.

Description

협대역 레이저 장치
종래, 반도체 노광장치의 광원은 반도체 소자의 고정밀도화에 따라 해상도가 더욱 높아지고, 초점의 심도는 더욱 깊어져야 할 필요가 있었기 때문에, 단파장화가 진행되어 왔다. 즉, 반도체 노광장치의 광원은, 고압 수은 램프의 g선에서 i선으로, 게다가 KrF 엑시머와 같이, 보다 단파장의 형태로 순차 이행되어 왔다.
그러나, KrF 엑시머 레이저(248nm) 또는 ArF 엑시머 레이저(193nm)와 같은 심자외영역을 발진 레이저 광선으로 이용하는 것으로는, 투영 렌즈에 이용되는 광학 재료의 종류가 적고 색수차 보정이 곤란하다. 그 때문에, 이러한 유형의 엑시머 레이저에서는, 투영 렌즈로서 색수차 보정을 행하지 않는 단색 레이저를 사용하고, 엑시머 레이저 자체의 협대역화를 행하여 단색성을 높여서 노광장치의 광원으로 이용하도록 하고 있었다.
그러나, 예를 들어 도 19에 도시한 바와 같은 레이저 발진부(160)에서의 출력 광선을 모두 협대역화 소자에 입사시키는 협대역 레이저에서는, 협대역화 소자에 의한 손실이 크기 때문에 레이저 광선의 출력이 적어지고, 협대역화 소자의 부하가 커져서 내구성의 문제가 발생하는 등의 결점이 있었다. 이러한 경향은, 특히 파장이 짧은 ArF 협대역 엑시머 레이저에서 현저하다. 또한, 도 19에 있어서, 160은 레이저 발진부, 161은 협대역화 소자, 162는 전반사 미러, 163은 하프 미러이다.
그래서, 일본국 특개평 3-259583호 공보에 도시된 엑시머 레이저의 기술에 있어서는, 레이저 빔을 분할 미러에 의해 분할되고, 그 분할된 일부의 발진 레이저 광선을 협대역화 소자에 입사하고, 나머지는 출력 레이저로서 취출되도록 하여, 상기 문제점을 해결하고자 하고 있다. 도 20 및 도 21은 그 구성을 보인 것이다.
도 20에 있어서는, 레이저 매질이 수용된 레이저 관(131)의 한쪽에는, 창(134), 슬릿(136a)을 갖춘 규제판(136), 고반사 미러(135)가 설치되어 있고, 또한 레이저 관(131)의 다른 한쪽에는 창(134), 분할 미러(137), 제 1 에타론(138), 제 2 에타론(139), 고반사 복귀 미러(141), 빔 슬릿(142), 산란판(143), 관측 에타론(144), 집광 렌즈(145), 리니어 라인 센서(146), 오실로스코우프(147)가 설치되어 있다.
이러한 구성에 있어서, 좌측의 창(134)에서 출사된 레이저 광선은, 그 일부가 분할 미러(137)에 의해 분할 반사되고, 제 1 에타론(138), 제 2 에타론(139)을 통과하여 협대역화된다. 협대역화된 레이저 광선은, 고반사 복귀 미러(141), 분할 미러(137)에서 반사되고 레이저 관(131) 내의 레이저 여기부(132)로 되돌아가고, 레이저 여기부(132)에서 증폭되어 재차 상기와 같은 광로를 통해 각도 θ로 넓어지면서 좌측의 창(134)을 통해 출사된다. 그리고, 출사된 레이저 광선중, 일부가 분할 미러(137)에서 반사되고 재차 제 1 에타론(138), 제 2 에타론(139)에 입사되고, 나머지는 출력 레이저 광선으로서 출력된다. 또한, 출력 레이저 광선 L의 일부(1% 정도)는 빔 슬릿(142)에서 반사되고, 리니어 라인 센서(146)에 입사되며, 이 센서 출력에 기초하여 레이저 광선의 강도 분포가 관측되도록 되어 있다.
즉, 이 종래 기술에서는, 빔 신장기 등의 산란 광선의 발생 원인이 되는 광학 부품을 사용하지 않음으로써, ASE(증폭된 자연 방출 광선) 성분이 적은 스펙트럼 순도가 높은 출력 광선을 얻도록 함과 더불어, 분할 미러(137)에 의해 레이저 광선을 분할하여 그 분할된 일부의 레이저 광선을 협대역화 소자에 입사되도록 함으로써, 협대역화 소자의 부하를 경감시킨다.
이와 같이, 협대역화 소자 및 파장 선택 소자로서 에타론을 사용하는 경우에는, 에타론 자체가 입사 각도를 선택하는 소자이기 때문에, 스펙트럼 분포 형상의 악화는 일어나지 않고, ASE 성분이 적은 스펙트럼 순도가 높은 출력 광선을 얻을 수 있다. 그러나, 에타론의 경우는 ArF 레이저와 같은 단파장(193nm)이 되면, 다음과 같은 문제점이 발생한다.
(가) 도 20에 도시한 바와 같은 공진기에서는 에타론의 부하를 어느 정도까지는 저감할 수는 있으나, 에타론의 내구성에는 문제가 남아 있다.
(나) 스펙트럼 폭을 1pm 이하로 하기 위해서는, 복수개의 에타론을 배치할 필요가 있어서, 비용이 많이 들게 된다.
(다) 에타론의 선택 파장은 열에 의해 크게 변동하기 때문에, 복수개의 에타론을 열변동되지 않도록 제어하기에는 어려운 점이 많다.
그래서, 협대역화 소자 및 파장 선택 소자로서는, 에타론과 같은 각도 분산형이 아닌 소자보다도, 프리즘 빔 신장기와 회절 격자 등으로 구성된 각도 분산형 협대역 및 파장 선택 소자를 이용하는 쪽이 상기한 문제점을 해결하는 점에서는 유리하다.
도 21은, 상기 일본국 특개평 3-259583호 공보에 도시된 다른 실시예를 보인 것으로, 이 종래 기술에서는, 상기한 도 20의 협대역화 소자로서의 제 1 에타론(138), 제 2 에타론(139), 고반사 복귀 미러(141) 대신에, 프리즘 빔 신장기(156)와 회절 격자(157)로 구성되는 각도 분산형 협대역화 소자를 이용하도록 하고 있다.
그러나, 도 21과 같이, 협대역화 소자로서 각도 분산형의 것을 이용하는 경우, 각도 분산형 협대역화 소자는 분산 방향의 면내에서 광선이 모든 방향으로 회절하기 때문에, 도 2에서 점선으로 표시한 바와 같은 기생 발진이 다수 발생하고, 빔의 스펙트럼 분포 형상이 현저히 악화된다.
또한, 도 20 및 도 21에 도시한 일본국 특개평 3-259583 호 공보의 기술에 있어서는, 다음과 같은 공통의 문제점을 가지고 있다.
-공진기의 광로가 분할 미러(137)에 의해 절곡되기 때문에, 공진기가 안정되지 않고, 진동이나 열적인 왜곡에 의해 다수의 파장으로 공진된다. 각도 분산 소자는 특히 진동에 대해 영향을 받기 쉽다.
-분할 미러(137)의 에지부를 사용하여 빔의 분할을 행하기 때문에, 에지부의 면정도가 나쁘고, 빔의 파면이 왜곡된 상태로 협대역화 소자에 들어감으로써 스펙트럼 분포 형상이 악화된다.
도 22는 협대역화 소자의 부하를 줄일 수 있는 공진기 구성이 채용된 다른 종래 기술을 보인 것이다(일본국 특개평 2-213178).
이 도 22에 도시한 종래 기술에 있어서는, 레이저 방전관(151)의 한쪽에 전반사경(152)을 설치하고, 다른 한쪽에는 전반사경(153)을 설치하며, 레이저 방전관(151)과 전반사경(152)의 사이에 반투과경(154)을 둔다. 그리고, 반투과경(154)에서 반사되는 광선을 출력광(156)으로서 반도체 노광 등에 이용하고, 반투과경(154)을 통하는 광선을 격자(155)에 의해 협대역화한 후에, 레이저 방전관(151) 내부로 되돌림으로써 레이저 광선의 협대역화를 실현하고 있다.
그러나, 이 종래 기술에서는, 격자(155)에 의해 협대역화되고 전반사경(152)에서 반사되는 광선의 일부만이 반투과경(154)을 통과하여 레이저 방전관(151)으로 되돌아가 증폭되고, 나머지 광선은 레이저 출력 광선(156)과는 반대 방향으로 반사하여 버려지고 말기 때문에, 광 에너지가 헛되이 낭비된다.
반도체 노광장치의 광원으로서, 엑시머 레이저를 이용하는 경우에는, 레이저의 협대역화와 동시에 방전관 내부에서 발생하는 광 에너지를 유효하게 이용하여 큰 출력을 얻도록 하는 것이 필요하기 때문에, 이와 같이 광선의 일부가 버려지도록 하는 것은 피하여야 한다.
이와 같이, 종래의 협대역 레이저 장치에서는, 기생 발진이 자주 스펙트럼 분포의 형상을 왜곡시키고, 공진기가 불안정해지고, 협대역화 소자의 내구성에 문제가 있고, 비용이 많이 들고, 열변동의 영향을 받기 쉽고, 광 에너지를 헛되이 낭비하는 등의 결점이 있었다.
본 발명은 반도체의 노광장치 및 광가공용 광원으로서 사용되는 협대역 레이저 장치의 개량에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예의 협대역 레이저 장치의 평면도.
도 2는 도 1에 도시한 실시예의 협대역 레이저 장치로부터 출력되는 레이저 광전의 출력 스펙트럼 및 종래 장치로부터 출력되는 레이저 광선의 출력 스펙트럼의 도시도.
도 3은 실시예에서 이용되는 각도 분산형 파장 선택 소자의 구체 구성예의 도시도.
도 4는 실시예에서 이용되는 빔 복귀 유니트의 구체 구성예의 도시도.
도 5는 본 발명의 다른 실시예의 구성도.
도 6은 도 5의 실시예의 레이저 장치에서 출력되는 중공 레이저 광선의 도시도.
도 7은 도 5의 실시예의 구멍이 형성된 미러 대신에 사용되는 빔 출력 미러의 각종 형태의 도시도.
도 8은 도 5의 구멍이 형성된 미러를 이동 가능하게 한 경우의 구성예의 도시도.
도 9는 도 5의 실시예의 빔 복귀 유니트의 각종 변형예의 도시도.
도 10은 본 발명의 다른 실시예의 도시도.
도 11은 본 발명의 다른 실시예의 도시도.
도 12는 본 발명의 또다른 실시예의 도시도.
도 13은 본 발명의 또다른 실시예의 도시도.
도 14는 도 13의 실시예의 레이저 장치에서 출력되는 레이저 광선의 스펙트럼 분포의 도시도.
도 15는 본 발명의 또다른 실시예의 도시도.
도 16은 본 발명의 다른 실시예의 도시도.
도 17은 본 발명의 다른 실시예의 도시도.
도 18은 본 발명의 다른 실시예의 도시도.
도 19는 종래 기술의 도시도.
도 20은 종래 기술의 도시도.
도 21은 종래 기술의 도시도.
도 22는 종래 기술의 도시도.
본 발명은 상기한 결점을 개량하여, 레이저 빔의 스펙트럼 분포를 균일하게 하고, 또한 안정성, 내구성이 우수하고, 에너지를 헛되이 낭비하지 않는 협대역 레이저 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
따라서, 본 발명에서는, 레이저 활성을 지속시키며 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부와, 이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과, 상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과, 상기 레이저 발생부 및 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 투과하여 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에 나머지 광선을 편향시켜 출력 광선으로서 취출하는 레이저 분기 광학 유니트를 구비한다.
이러한 본 발명에 의하면, 레이저 분기 광학 유니트를 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단에 입사시키기 때문에, 공진기의 광로가 절곡되지 않고, 공진계가 안정되며, 진동에 의한 다파장 발진이 없어진다. 그 결과, 협대역화 효율이 상승된 스펙트럼 분포를 갖는 레이저 출력을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 레이저 활성을 지속시키며 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부와, 이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과, 상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과, 상기 레이저 발생부와 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에, 나머지 광선을 출력 광선으로서 취출하는 레이저 분기 광학 유니트와, 상기 협대역화 수단에 입사되는 레이저 빔의 폭을 상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향에 대해 제한하는 빔 폭 제한 수단을 구비한다.
이러한 본 발명에 의하면, 빔 폭 제한 수단에 의해서 협대역화 수단의 각도 분산 방향에 대해 빔을 제한하기 때문에, 기생 발진이 없는 균일한 스펙트럼 분포를 갖는 레이저 출력 광선을 얻을 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 협대역 레이저 장치의 실시예를 보인 것으로, 이하에 도시하는 각 실시예 구성 중에서 가장 기본적인 구성을 보인 것이다.
도 1에 있어서, 도면 부호 1은 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트를 가리키며, 2는 레이저 매질이 포함되는 레이저 관, 3은 레이저 빔을 입사 방향으로 복귀시키는 복귀 유니트, 4는 레이저 빔의 일부를 투과하여 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트에 입사시키고, 나머지 광선을 반사시켜 출력 광선으로서 취출할 수 있도록 동작하는 빔 분기 유니트, 5는 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 각도 분산 방향(도면중 A 방향)에 대해서 빔을 제한하는 빔 제한부, 6은 출력 광선의 빔을 제한하는 빔 제한부이다.
이러한 도 1의 구성에 있어서는, 레이저 관(2)에서 발생된 레이저 광선은, 빔 분기 유니트(4)를 투과한 후에, 슬릿 또는 주위에 광차단부를 갖춘 창 모양의 구멍을 갖춘 빔 제한부(5)를 통과하고, 각도 분산형 파장 선택 소자를 배치한 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사된다. 레이저 빔은 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에서 복귀되고 협대역화된 후에 재차 빔 제한부(5) 및 빔 분기 유니트(4)를 통과하고, 소정의 광각(廣角)을 가지고 레이저 관(2)을 통과하여 증폭된다. 레이저 관(2)을 통과한 빔은 빔 복귀 유니트(3)에서 복귀되고, 재차 레이저 관(2)에서 증폭된다. 레이저 관(2)으로부터 출력된 출력 광선의 일부는 빔 분기 유니트(4) 및 빔 제한부(5)를 투과하고 재차 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사된다. 한편, 나머지 광선은 빔 분기 유니트(4)에서 반사됨으로써 구부러지고, 출력 광산으로 취출된다.
도 2는, 도 1에 도시한 본 발명의 협대역 레이저 장치의 스펙트럼 분포를 앞서 설명한 도 20에 도시한 종래예의 협대역 레이저 장치의 스펙트럼 분포와 비교하여 도시한 것이다. 이 도 2에서도 알 수 있듯이, 본 발명의 협대역 레이저 장치의 출력 광선의 스펙트럼 분포는 기생 발진이 없이 매우 균일해진다.
이와 같이 출력 광선의 스펙트럼 분포에 기생 발진이 없는 이유는,
(가) 빔 제한부(5)에 의해 협대역화 수단(1)의 각도 분산 방향에 대해 빔을 제한하고 있기 때문에, 기생 발진이 없어졌고,
(나) 빔 분기 유니트(4)를 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단(1)에 입사하도록 하고 있기 때문에, 공진기의 광로가 절곡되지 않고, 공진계가 안정되며, 진동에 따르는 다파장 발진이 없어졌고,
(다) 각도 분산형 파장 선택 소자(1)는 에타론과 비교하여, 열에 대해 안정되어서, 파장 변도잉 없어졌기 때문이다.
도 3은 도 1에 도시한 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 구체 구성예를 보인 것이다.
도 3(a)에서는, 분산 프리즘(100)과 고반사 미러(101)에 의해 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)를 실현하도록 하고 있다. 또한, 복수개의 프리즘과 빔 신장기를 조합함으로써 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)를 구성하도록 하여도 좋다.
도 3(b)에서는, 고반사 미러(102)와 회절 격자(103)를 조합하고, 이들을 경사 입사 배치로 하고 있다. 또한, 이들의 구성에 대해 빔 신장기를 조합하여도 좋다.
도 3(c)에서는, 프리즘 빔 신장기(104)와 회절 격자(105)를 조합하고, 회절격자(105)를 리트로 배치로 하고 있다. 또한, 회절 격자(105)로서 버팀각이 큰 에쉘 격자를 사용함으로써, 협대역화 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.
도 3(d)에서는, 프리즘 빔 신장기(106)와 분산 프리즘(107)과 고반사 미러(108)에 의해 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)를 구성하고 있다.
도 4는 도 1의 빔 복귀 유니트(3)의 구체 구성예를 보인 것이다.
도 4(a)에서는, 빔 복귀 유니트(3)로서 평면 미러(301)를 사용하고 있고, 그 평면 미러(301)의 광축을 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 광축과 거의 일치시키고 있다.
도 4(b)에서는, 빔 복귀 유니트(3)로서 평면 미러(302)를 사용하고 있고, 그 광축과 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 광축에 각도를 두도록 하고 있다.
도 4(c)에서는, 철면(凸面) 미러(303)를 사용한 경우의 예이고, 도 4(d)은 요면(凹面) 미러(304)를 사용한 경우의 예이다. 철면 또는 요면 미러를 사용하면, 빔의 광각을 조정할 수 있고, 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사되는 광선과 출력 광선으로서 취출되는 광선과의 비율을 최적화할 수 있고, 그 결과, 높은 능률로 스펙트럼 분포가 깨끗한 레이저 광선을 취출할 수 있다.
게다가, 상기 철면 미러(303), 요면 미러(304) 대신에, 철면 또는 요면의 원통형 미러를 설치하고, 이 미러의 기계축을 각도 분산형 파장 선택 소자의 분산 평면에 대해 거의 수직 방향으로 배치함으로써, 보다 효율적으로 스펙트럼 분포 형성이 좋은 출력 광선을 얻을 수 있다.
도 5는 본 발명의 보다 구체적인 일실시예를 보인 평면도이다.
본 실시예에 있어서는, 빔 복귀 유니트(3)로서 평면의 고반사 미러(31)를 이용하고, 일점쇄선 m으로 표시된 바와 같이, 고반사 미러(31)의 광축을 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 광축과 일치시키고 있다. 한편, 도 1의 빔 분기 유니트(4) 및 빔 제한부(5)의 쌍방의 기능을 달성할 수 있는 구성으로서, 슬릿 형상의 개구가 형성된 구멍을 갖춘 미러(42)를 사용하고 있다. 이 경우, 구멍을 갖춘 미러(42)는 상기 광축에 대해 거의 45°의 각도를 두고 설치되어 있다. 이 구멍을 갖춘 미러(42)로서는, 중앙부에 슬릿 형상의 무반사막을 설치하고, 그 이외의 부분에 고반사막을 피복한 것을 사용하여도 좋다. 또한, 도 1의 빔 제한부(5)(6)의 기능을 달성하는 구성으로서, 슬릿(41)을 배치하고 있다.
단, 상기 구멍을 갖춘 미러(42)는, 방전 여기 영역(23)에서 출사된 레이저 빔 단면 내부에 레이저 광투과 영역이 존재하고, 그 광투과 영역의 외측 영역에 레이저 광전을 반사하는 고반사 영역이 존재하도록 하여, 광투과 영역 및 고반사 영역을 배치하도록 하면 좋다.
즉, 이 실시예에 있어서는, 구멍을 갖춘 미러(42)의 개구(또는 무반사막) 이외의 영역에 의해, 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사되는 빔을 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 분산 방향에 대해 제한하고 있다. 또한, 이 실시예에 있어서는, 앞서 설명한 도 1의 실시예와 마찬가지로, 구멍을 갖춘 미러(42)를 곧바로 투과한 광선이 협대역화 수단(1)에 입사되도록 하고 있다.
또한, 이 실시예에 있어서는, 상기한 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 분산 방향에 있어서의 빔 제한 효과를 높이기 위해, 구멍을 갖춘 미러(42)와 레이저 관(2)의 사이에 슬릿(41)이 배치되어 있다. 또한, 이 슬릿(41)을, 구멍을 갖춘 미러(41)의 빔 출력광선 측에 설치되도록 하여도 좋다(도 1의 6과 동일).
또한, 이 경우, 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)는 리트로 배치의 회절 격자(11)와 4개의 프리즘 빔 신장기(12~15)로 이루어지고, 이들 구성에 의해 ArF 협대역 레이저의 경우에 1pm 이하의 스펙트럼 선폭을 실현할 수 있다. 이 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 의하면, 회절 격자(11) 및 프리즘(12~15)중 어느 것인가 1축을 회전시키는 것만으로, 파장을 제어할 수 있고, 고속의 파장 제어를 달성할 수 있다.
또한, 엑시머 레이저의 경우에는, 레이저 매질의 게인이 높기 때문에, 구멍을 갖춘 미러(42)의 슬릿 형상의 개구 또는 무반사막의 크기, 구멍을 갖춘 미러(42)의 배치 각도 등을 조정하고, 출력 취출 광량의 비율은 60~90%로 하면, 효율좋게 레이저를 발진시킬 수 있다. 또한, 도 5에 있어서, 21, 22는 창이고, 23은 방전 여기 영역이다.
이러한 실시예에 의하면, 중앙부에 개구 또는 무반사막이 형성된 구멍을 갖춘 미러(42)에 의해 출력 광선을 취출하기 때문에, 출력 광선의 빔 프로파일(빔의 단면 형상)은, 도 6(a)에 도시한 바와 같이, 그 중심부가 비어 있는 형태로 되어 있다. 즉, 구멍을 갖춘 미러(42)를 도 5의 B방향으로 보았을 때, 도 6(b)에 도시한 바와 같이, 레이저 관(2) 내의 방전 전극(24)(24') 사이에 방전 여기 영역이 존재하기 때문에, 출력 광선의 빔 프로파일은, 도 6(a)에 도시한 바와 같이 중공 형태로 된다.
또한, 도 5의 실시예의 경우, 출력 광선의 빔 프로파일은, 전술한 바와 같이, 중공 형태로 되어 있으나, 이 영향은 빔을 멀리 주사함으로써 해소될 수 있다. 또한, 노광장치의 조명 광학계가 고해상력을 갖기 위해 윤대(輪帶) 조명 또는 경사입사 조명을 행하는 경우에는, 이 빔을 그대로 사용하여 고효율의 조명이 가능해진다.
도 7(a)~(e)는, 도 5의 실시예의 변형예를 보인 것으로, 이 실시예에서는, 도 5의 구멍을 갖춘 미러(42) 대신에, 도 7(a)~(e)에 도시한 빔 분기 유니트(4)를 사용함과 동시에, 중공의 빔 프로파일을 갖는 레이저 빔을 출력 광선으로서 취출하도록 하고 있다.
도 7(a)에 도시한 빔 분기 유니트(4)에 있어서는, 2개의 전반사 미러(71)(72)(표면에 반사막 73이 피복되어 있음)를 동일 평면 위에서는 없고, 다른 평면위에 배치되고 또한 그들의 배치 위치를 조정하도록 하여, 출력 광선에 중공부가 발생하지 않도록 하고 있다. 또한, 한쪽의 전반사 미러(72)의 선단(74)은, 그 선단부에서 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사되어야 할 레이저 빔이 반사되지 않도록 그 각이 테이퍼 형태로 되어 있다.
도 7(b)의 빔 분기 유니트(4)에 있어서는, 도 7(a)와 동일한 형상에 그 한쪽(레이저 관 2의 쪽)의 표면 형상이 가공된 광학 부재(75)에 대해, 도 7(b)에 도시한 바와 같은 형태로, 반사막(73) 및 반사 방지막(76)을 피복함으로써, 출력 광선에 중공부가 발생되지 않도록 하고 있다.
도 7(c)의 빔 분기 유니트(4)에 있어서는, 도 7(b)와 반대쪽(파장 선택 소자 유니트 1의 쪽)의 표면을 도 7(a)과 동일한 형상으로 가공한 광학 부재(75)에 대해, 도 7(c)에 표시한 바와 같은 형태로, 반사막(73) 및 반사 방지막(76)을 피복함으로써, 출력 광선에 중공부가 발생하지 않도록 하고 있다. 또한, 이 경우에는, 출력 광선은 광학 부재(75)의 가운데를 통과하여 출사된다.
도 7(d)의 빔 분기 유니트(4)에 있어서는, 광학 부재(75)의 레이저 관(2) 쪽의 표면중 반사막(73)이 피복되어 있지 않은 중앙부 영역(77)에 대한 입사각 φ가 브루스터 각에 일치하도록 하고, 상기 중앙부 영역(77)의 각도를 설정하도록 하여, 상기 중앙부 영역(77)에 반사 방지막(76)을 피복하는 것이 불필요해진다. 또한, 이 경우, 광학 부재(75)의 배면 쪽(파장 선택 소자 유니트 1의 쪽)에는 그 중앙부에 반사 방지막(76)이 설치되어 있다.
도 7(e)의 빔 분기 유니트(4)에 있어서는, 광학 부재(75)의 표면 중앙부 영역(77) 및 이면 중앙부 영역(78)의 쌍방에 대해서, 그 입사각 φ가 브루스터 각에 일치하도록 하고, 이들 중앙부 영역(77)(78)의 각도를 설정하도록 하고 있다. 이 때문에, 이 경우에는, 표면과 이면 모두 반사 방지막을 피복할 필요가 없어진다.
도 8에 있어서는, 앞서 설명한 도 7(a)의 빔출력 미러(70)의 2개의 전반사 미러(71)(72)를 리니어 가동 기구(95)에 연결하고, 이들 리니어 가동 기구(95)에 의해 전반사 미러(71)(72)를 C방향으로 이동 가능하게 구성하고, 이에 의해 빔 분기 유니트(4)의 개구폭 W를 자유자재로 조정할 수 있다. 이로 인해, 이 구성에 의하면, 레이저 광선의 스펙트럼 선폭, 스펙트럼 분포 형상의 최적화를 용이하게 실행할 수 있다. 또한, 리니어 가동 기구(95)는, 반사 미러(71) 및 (72)가 각각 독립적으로 이동할 수 있도록 하여도 좋고, 이들이 연동하여 역방향으로 일체적으로 이동할 수 있도록 하여도 좋다.
도 9(a)~(e)는, 도 5의 실시예의 변형예를 보인 것으로, 이 실시예에서는, 도 5의 빔 복귀 유니트(3)의 고반사 미러(31) 대신에, 도 9(a)~(e)에 도시한 다른 빔 복귀 유니트(3)를 이용함으로써, ASE광선을 저감하여 출력 광선의 스펙트럼 순도를 향상시킬 수 있도록 하고 있다.
도 9(a)에 있어서는, 프리즘(80)과 반사 미러(81)에 의해 빔 복귀 유니트(3)를 구성하고 있다. 즉, ASE 광선은 여러 방향으로 진행하기 때문에, ASE 광선을 프리즘(80)에서 협대역화 레이저 광선의 밖으로 확대시키고, 이것을 반사 미러(81)에서 반사시켜 제거하도록 하고 있다.
도 9(b)에 있어서는, 표면에 요철이 형성된 반사 미러(82)를 사용하고, 이 요철 반사 미러(82)에서 ASE 광선을 레이저 관(2)으로 되돌아가지 않는 방향으로 주사하도록 하고 있다.
도 9(c)에 있어서는, 렌즈(83), 공간 구멍(84), 및 요면 반사 미러(85)에 의해 빔 복귀 유니트(3)가 구성되고, 공간 구멍(84)의 구멍 이외의 장소에서 ASE 광선을 차단하도록 하고 있다.
도 9(d)에 있어서는, 렌즈(86), 공간 구멍(84), 렌즈(87) 및 평면 미러(88)에 의해 빔 복귀 유니트(3)가 구성되고, 공간 구멍(84)의 구멍 이외의 장소에서 ASE 광선을 차단하도록 하고 있다. 또한, 렌즈(86), 공간 구멍(84), 렌즈(87)를 레이저 관(2)과 구멍을 갖춘 미러(42) 사이에 설치하여도 좋다.
도 9(e)에 있어서는, 원통형 렌즈(89), 슬릿(90), 원통형 렌즈(91) 및 평면 미러(92)에 의해 빔 복귀 유니트(3)가 구성되고, 슬릿(90)의 구멍 이외의 장소에서 ASE 광선을 차단하도록 하고 있다. 또한, 원통형 렌즈(89), 슬릿(90) 및 원통형 렌즈(91)를 레이저 관(2)과 구멍을 갖춘 미러(42) 사이에 설치하여도 좋다.
여기서, 상기한 도 9(c)~(e)에 있어서는, 공가 구멍(84) 등을 레이저 공진기중의 광로 위에 설치하고 있다. 이 때문에, 이들 구성에 있어서는, 예를 들어 공간 구멍 등을 구멍을 갖춘 미러(42)에서 반사한 후의 출력 광선의 광로 위에 설치하는 경우와 비교하여, 보다 많은 ASE 성분을 효율 좋게 제거할 수 있다.
또한, 도 9의 구성에 있어서, 구멍을 갖춘 미러(42)를 도 7에 도시한 바와 같은 빔 분기 유니트(4)로 치환하고, 출력 광선에 중공부가 발생하는 것을 방지하도록 하여도 좋다.
도 10에는 본 발명의 다른 실시예가 도시되어 있다.
도 10의 실시예에 있어서는, 도 5의 구멍을 갖춘 미러(42) 대신에, 구멍을 갖춘 미러(43)를 설치하여, 출력 광선에 중공부가 형성되는 것을 방지하고 있다.
즉, 앞서 설명한 도 5의 구멍을 갖춘 미러(42)에 있어서는, 그 슬릿 형상의 개구를 구멍을 갖춘 미러(42)의 거의 중앙부에 설치하고 있으나, 도 10의 구멍을 갖춘 미러(43)에 있어서는, 그 슬릿 형상의 개구(96)를 구멍을 갖춘 미러(43)의 도면상의 아래쪽 부분(도 10은 평면도이기 때문에, 정확하게는 개구(96)가 중심에서 측방으로 벗어나 형성되어 있다)에 형성되도록 하고 있다. 그 결과, 이 실시예에서는, 방전 여기 영역(23)에서 발생된 레이저 빔 중 도면상에서 아래쪽의 영역의 광선이 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사되게 된다.
또한, 이 경우, 빔 복귀 유니트(3)로서 고반사 미러(31)의 광축이 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 광축 n과, 구멍을 갖춘 미러(43)의 상부 고반사 영역의 중심과 고반사 미러(3)의 레이저 광선을 실제로 반사하고 있는 영역의 중심을 연결하는 선 q 사이에 있던지, 아니면 양축 n, q 중 어느 쪽인가에 일치하도록, 고반사 미러(31)의 각도가 설정되어 있다.
이 도 10의 실시예에 있어서도, 구멍을 갖춘 미러(43) 및 슬릿(41)에 의해 협대역화 수단(1)의 각도 분산 방향에 대해 빔을 제한하고 있기 때문에, 기생 발진이 없어짐과 동시에, 구멍을 갖춘 미러(43)를 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단(1)에 입사하도록 하고 있기 때문에, 공진기의 광로가 절곡됨이 없이, 공진계가 안정되고, 진동에 따른 다파장 발진이 없어진다. 또한, 그 출력 레이저 광선의 빔 프로파일을 중공부가 없는 것으로 할 수 있다.
도 11(a)는 도 10에 도시한 실시예를 방전 여기형 엑시머 레이저에 적용한 경우의 구성예를 보인 평면도이다.
이 실시예의 빔 분기 유니트(4)에 있어서는, 광투과성의 기판(18)의 한쪽(도면에서 위쪽)에 반사막(73)을 피복하고, 또 한쪽(도면에서 아래쪽)을 광투과 영역으로 함으로써 도 10의 구멍의 갖춘 미러(43)와 동등한 기능을 달성하고 있다. 또한 이 빔 분기 유니트(4)와 공동 작용하여, 광선의 확대를 제한하여 기생 발진을 방지하기 위해서, 광 빔을 따라 2개의 차광판(51)(52)이 설치되어 있다.
따라서, 이 실시예에서, 기판(18)은, 도 11(b)에 도시한 바와 같이, 방전 방향(방전 전극 24, 24'을 연결하는 선에 따른 방향)에 평행한 선을 경계선으로 하여 반사 영역과 광투과 영역으로 분할되어 있다.
즉, 이 실시예에 있어서도, 도 10의 실시예와 마찬가지로, 기판(18)의 한가운데에서 한쪽으로 광투과 영역을 배치하고, 반대쪽에 광반사 영역을 배치하고, 또한 빔 복귀 유니트(3)로서의 고반사 미러(31)의 광축이, 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 광축과, 구멍을 갖춘 미러(43)의 고반사 영역의 중심과 고반사 미러(3)의 중심을 연결하는 선 사이에 있든지, 아니면 양축의 어느 쪽인가에 일치하도록, 고반사 미러(31)의 각도를 설정하도록 하여, 출력 광선에 중공부가 발생하지 않도록 하고 있다.
물론, 이 도 11의 실시예에 있어서도, 빔 분기 유니트(4)의 반사막(73)과 차광판(51) 및 (52)에 의해 협대역화 수단(1)의 각도 분산 방향에 대하여 빔을 제한하고 있기 때문에, 기생 발진이 없어진다. 또한, 빔 분기 유니트(4)를 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단(1)에 입사하도록 하고 있기 때문에, 공진기의 광로가 절곡됨이 없이 공진계가 안정되고, 진동에 의한 다파장 발진이 없어진다.
또한, 이 경우, 기판(18)은 리니어 스테이지(44)에 의해 방전 방향에 수직한 방향(도면에서 E 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 이에 의해 출력 광선과 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사되는 광선과의 비율을 조정할 수 있다.
더욱이, 이 실시예에서는, 레이저 빔의 광각이 적은 방향(레이저 빔은 방전 방향에 대해 수직한 방향 쪽이 방전 방향과 비교하여 빔의 광각이 적다)과 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향이 거의 일치하고, 게다가 빔 분할 방향과 방전 방향과 수직으로 되어 있기 때문에, 스펙트럼 선폭이 매우 좁은 스펙트럼 분포를 얻을 수 있다.
또한, 이 실시예에서는, 기판(18)의 일부에 반사막을 피복함으로써 기판 위에 반사부와 투과부를 설치하고 있찌만, 도 11(a)의 기판(18)의 도면상에서 아래쪽의 광투과 영역을 삭제하고, 이 영역을 단순한 공간으로 하여도 좋다.
도 12(a)~(c)는 본 발명의 또다른 실시예를 보인 것으로, 이 실시예에 있어서는 빔 분기 유니트(4)를 구성하는 기판(18)은, 도 12(b)에 도시한 바와 같이, 방전 방향(방전 전극 24, 24'를 연결하는 선에 따른 방향)에 수직한 선을 경계선으로 하여 반사 영역과 광투과 영역으로 분할하고 있다. 또한, 빔 분기 유니트(4)와 파장 선택 소자 유니트(1) 사이에는 슬릿(61)이 설치되어 있고, 또한 빔 출력 광선 쪽에도 슬릿(62)이 설치되어 있다. 따라서, 상기 분할된 광투과 영역 쪽은, 슬릿(61)에 의해 광선을 투과하는 광투과 영역과, 광선을 산란 흡수하는 영역으로 구성된다.
즉, 이 실시예에서는, 빔 분기 유니트(4)의 반사막(73)과 슬릿(61)(62)에 의해 협대역화 수단(1)의 각도 분산 방향에 대해 빔을 제한하도록 하여, 기생 발진을 억제하도록 하고 있다.
또한, 이 실시예에 있어서도, 기판(18)은 리니어 스테이지(44)에 의해 방전 방향에 평행한 방향(도 11(c)의 F 방향)으로 이동 가능하게 구성되어 있고, 이에 의해 출력 광선과 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에 입사되는 광선의 비율을 조정하도록 하고 있다.
또한, 이 실시예에 있어서도, 복귀 미러(3)의 자세각은 고반사 미러(31)의 광축이 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 광축과 구멍을 갖춘 미러(43)의 반사 영역의 중심과 고반사 미러(3)의 중심을 연결하는 선 사이에 있던지, 또는 양축의 어느 쪽인가에 일치하도록 설정되어 있다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예를 보인 것이다.
도 13에 있어서, 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)를 구성하는 프리즘(12~15)에는 P 편광용 AR 피복층(유전체 다층막)(19)이 도포되어 있고, 이들 P 편광용 AR 피복층(19)에 의해 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1) 내에는 P 편광파(각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)의 각도 분산 방향과 동일한 방향의 편광면을 갖는다. 즉, 그 편광면은 지면과 평행하다)만이 통과할 수 있도록 되어 있다. 즉, 각도 분산형 파장 선택 소자 유니트(1)에서 협대역화된 광선은 P 편광이 된다.
한편, 구멍을 갖춘 미러(43)의 미러면은 P 편광만을 전반사시키고, S 편광을 흡수 또는 투과하도록 되어 있다.
따라서, 방전 여기 영역에서 발생한 P 편광파 및 S 편광파는, 구멍을 갖춘 미러(43)의 구멍이 열린 슬릿을 통해 파장 선택 소자(1)에 입사되고, 여기서 P 편광파만이 협대역화되어 재차 방전 여기 영역으로 되돌아가 증폭된다. 이 증폭된 광선은, 미러(3)에 의해 복귀되고, 재차 방전 여기 영역을 통과하고 또한 증폭된다. 그리고, 레이저 관(2)을 나온 협대역화 광선 중에서 구멍을 갖춘 미러(43)의 미러면에 입사된 P 편광파만이 반사되어 출력됨과 동시에, 구멍을 갖춘 미러(43)의 슬릿에 입사된 광선은 재차 파장 선택 소자(1)에 입사된다. 한편, S 편광은 구멍을 갖춘 미러(43)의 미러면에서 흡수 또는 투과됨과 동시에, 파장 선택 소자 유니트(1)내의 각 프리즘(12~15)의 P 편광용 AR 피복층에서 산란 반사된다.
이와 같이, 상기한 실시예에 의하면, 방전 여기 영역에서 발생한 P 편광파 및 S 편광파는 협대역화되지 않기 때문에, S 편광파는 모드 ASE 광선이 된다. 또한, 이 S 편광파는 각 프리즘(12~15)의 AR 피복층에서 산란 반사되고, 또한 구멍을 갖춘 미러(43)의 미러면에서 흡수 또는 투과되기 때문에, 결과적으로 ASE 광선을 대폭 삭감하는 것이 가능하다.
도 14는, 도 13의 구성에 있어서, P 편광 및 S 편광을 모두 전반사하는 구멍을 갖춘 미러(43)를 사용한 경우와, P 편광만을 반사하는 구멍을 갖춘 미러(43)를 사용한 경우에 있어서의 각각의 레이저 스펙트럼 파형을 보인 것이다.
이 도면으로부터 알 수 있는 바와 같이, 도 13의 실시예와 같이 P 편광만을 반사하는 구멍을 갖춘 미러(43)를 사용한 경우에는, P 편광 및 S 편광을 모두 전반사하는 구멍을 갖춘 미러(43)를 사용한 경우보다 ASE 성분을 거의 반분할 수 있다.
또한, 구멍을 갖춘 미러(43)의 미러면을 S 편광파가 투과되도록 한 경우에는, 구멍을 갖춘 미러(43)의 슬릿과 거의 동일한 슬릿 폭을 갖는 슬릿(45)을 배치하고, 이 스릿(45)에 의해 미러면을 투과하는 S 편광파의 빔 폭을 제한할 필요가 있다.
또한, 수직(0°)이외의 입사각을 갖는 투과형 광학 소자의 표면에서의 반사율은, P 편광 쪽이 S 편광보다도 적은 것을 이용하여, 수직 이외의 입사각 또는 브루스터 각의 입사각을 갖는 투과형 광학 소자를 공진기 내에 배치함으로써 협대역 광선을 P편광시킬 수 있다. 따라서, 이 방법을 이용하면, 파장 선택 소자 유니트 내의 프리즘에 AR 피복층을 도포하지 않아도, P 편광을 어느 정도 실현할 수 있다.
또한, P 편광만을 협대역화하는 방법으로서는, 그밖에, 레이저의 출력 쪽의 창(21)에서 회절 격자(11)까지의 사이에 (예를 들어 출사쪽의 창(21)과 구멍을 갖춘 미러(43) 사이에), P 편광만을 투과시키는 광학 소자를 배치하거나 P 편광만을 투과시키는 피복층을 창(21)에 도포하는 등의 방법이 있다.
도 15는, 도 13의 실시예의 변형예를 보인 것으로, 이 실시예에서는, ASE 성분치를 검출하고, 검출치가 소정의 값을 초과하면 이상이 있는 것으로 판단하여 반도체 노광장치(99)에 알리도록 하고 있다.
즉, 이 실시예에서는, 협대역화된 광선이 전부 P 편광이 되도록, 프리즘(12~15)에 P 편광 투과 피복층(19)을 도포하고, 또한 구멍을 갖춘 미러(43)에는 P 편광, S 편광 모두 반사하는 것을 사용한다. 게다가, 출력 광선이 통과하는 광로중에, P 편광을 투과하고 S 편광은 반사하는 편광 미러(46)를 배치한다.
따라서, 이 경우에는, 최종적인 출력 광선으로서는, P 편광파만이 취출되고, 이것이 노광장치(99)에 입력되게 된다.
한편, 편향 미러(46)에서 반사된 S 편광파는 포토센서(97)에 입사된다. 제어기(98)는, 포토센서(97)의 검출치에 기초하여 출력 레이저 광선의 광강도, 파장 등을 검출하고, 이들의 검출치에 기초하여 출력 레이저 광선의 이상을 판정하고, 이상이 있는 것으로 판정된 경우에는 노광장치(93)에 이를 알린다.
또한, 도 13 또는 도 15의 실시예에 있어서, S 편광 성분을 협대역화하여 S 편광 성분을 출력 광선으로서 취출하도록 하여도 좋다.
도 16에는 본 발명의 다른 실시예가 도시되어 있다.
이 실시예에 있어서는, 레이저 출력 광선을, 일직선상으로 배치한 공진기의 광축 방향에 따른 방향으로 취출하도록 하여, 공진기 및 그에 부착된 파워 모니터, 파장 모니터 등의 외부 광학계 등의 구성을 소형화 및 간단화한다.
이를 위해, 이 실시예에 있어서는, 빔 분기 유니트(8)에 의해 취출되는 출력광선을 레이저 관(2)을 통과시켜 출력하도록 하고 있다. 또한, 이 경우, 레이저 관(2)을 통과시킬 때에는, 방전 여기 영역(24)을 약간 스쳐 지나가거나 아니면 전부 스쳐 지나가지 않도록, 빔 복귀 유니트(3) 및 빔 분기 유니트(8)의 설치 각도를 조정하도록 하고 있다. 또한, 이 경우, 방전 여기 영역(24)으로부터 빔 분기 유니트(8)에 대해 입사되는 레이저 광선과 이 빔 분기 유니트(8)에서 반사되는 레이저 광선을 포함하는 면이, 방전 방향에 수직한 평면(이 경우, 지면과 평행한 면)과 평행하게 되도록, 빔 복귀 유니트(3) 및 빔 분기 유니트(8)의 설치 각도를 조정하는 것도 필요하다.
여기서, 이 실시예에 있어서도, 빔 분기 유니트(8)를 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단(1)에 입사시키도록 하고 있기 때문에, 공진기의 광로가 절곡됨이 없이 공진계가 안정되고, 진동에 따른 다파장 발진이 없어진다.
도 17은 도 16의 실시예의 변형예를 보인 것으로, 이 경우에는, 빔 분기 유니트(8)에서 반사된 출력 광선을 방전 여기 영역(24)을 투과시켜서 증폭한 후에, 출력하도록 하고 있고, 이에 의해 레이저의 출력이 더욱 증대되고 협대역 출력 효율이 향상된다. 게다가, 방전 여기 영역(24)에 대해 출력 광선을 경사지게 하여 통과시키기 때문에, 출력 광선에 ASE 성분이 거의 발생하지 않고, 빔 모드의 저하가 발생하는 일이 없다.
또한, 도 16 및 도 17의 실시예에 있어서, 출력 광선이 복귀 미러(3)의 근방을 통과하여 출력되는 경우에는, 복귀 미러(3) 대신에, 전반사 영역과 투과 영역으로 분할된 광학 부재를 이용하고, 이 광학 부재의 전반사 영역에서 레이저 광선의 복귀를 행하고, 투과 영역에서 출력 광선의 투과를 행하도록 하여도 좋다.
도 18은 도 17의 실시예의 변형예를 보인 것으로, 이 실시예에 있어서는, 빔 분기 유니트(8)에서 반사된 출력 광선을 방전 여기 영역(24)을 투과시켜 증폭하도록 하고 있다. 단, 이 실시예에 있어서는, 빔 분기 유니트(8)는 그 중앙부에 반사 방지막이 설치되고, 그 외측에 반사막(73)이 설치되어 있고, 또한 빔 분기 유니트(8)는 레이저 빔의 광축에 대해 거의 수직이 되도록 설치되어 있다.
한편, 레이저 관(2)과 빔 복귀 유니트(3) 사이에는, 앞서 설명한 도 7(a)에 도시한 2개의 전반사 미러(72) 및 (73)으로 이루어지는 빔 분기 유니트(4)가 설치되어 있고, 이 빔 분기 유니트(4)에서 레이저 관(2)으로부터 입사된 레이저 광선을 빔 복귀 유니트(3)쪽으로 들어가는 레이저 광선과 출력 광선으로 분기한다.
이와 같이, 본 실시예에 있어서는, 빔 분기 유니트(8)에 의해 협대역화 수단(1)의 각도 분산 방향에 대해 빔을 제한하고 있기 때문에, 기생 발진이 없어짐과 더불어, 빔 분기 유니트(8)를 곧바로 투과한 광선을 협대역화 수단(1)에 입사하도록 하고 있기 때문에, 공진기의 광로가 절곡됨이 없이, 공진계가 안정되고, 진동에 따른 다파장 발진이 없어진다. 게다가, 이에 더하여, 이 실시예에서는, 레이저 빔이 재차 방전 여기 영역(24)을 통과하여 증폭되기 때문에, 레이저의 출력이 더욱 증대되고 협대역 출력 효율이 향상된다.
또한, 도 18의 빔 분기 유니트(8)는, 열린 구멍이 있는 미러로 구성하여도 좋고, 또한 2개의 미러로 구성하여도 좋다.
그러나, 이상의 실시예에서는, 협대역화 소자로서 프리즘, 회절 격자 등의 각도 분산형 광학 소자를 사용하고 있으나, 에타론과 같은 반복적인 반사를 이용한 파장 선택 소자를 이용하여도 좋다.
본 발명은 반도체의 노광장치 및 광가공용의 광원으로서 이용될 수 있는 엑시머 레이저 장치 등의 협대역 레이저 장치에 적용할 경우, 매우 유용하다.

Claims (16)

  1. 레이저 활성을 지속시키며 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부와,
    이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과,
    상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과,
    상기 레이저 발생부 및 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 투과하여 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에 나머지 광선을 편향시켜 출력 광선으로서 취출하는 레이저 분기 광학 유니트를 구비한 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 협대역화 수단의 광축과 상기 빔 복귀 수단에 의해 복귀되는 레이저 광선의 광축이 거의 일치하도록 설정함과 동시에, 상기 레이저 분기 광학 유니트는, 상기 레이저 발생부에서 출사되는 레이저 빔 단면 내부에 레이저 광투과 영역이 존재하고, 그 광투과 영역의 외측 영역에 레이저 광선을 편향시키는 편향 영역이 존재하도록, 광투과 영역 및 편향 영역이 배치된 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 분기 광학 유니트의 상기 편향 영역은, 상기 광투과 영역을 사이에 둔 한쪽 면과 다른 쪽 면을 평행한 2개의 다른 면으로 구성함과 동시에, 상기 한쪽 면의 광투과 영역 쪽의 단부의 상기 레이저 광선의 편향 방향에 직각인 방향에 대한 위치와, 상기 다른쪽 면의 광투과 영역 쪽의 단부의 상기 레이저 광선의 편향 방향에 직각인 방향에 대한 위치가 일치하도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향에 대한 상기 광투과 영역의 폭을 변경할 수 있는 광투과 영역 가변 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 분기 광학 유니트는, 한쪽에 광투과 영역이 형성되고, 다른 한쪽에 레이저 광선을 편향시키는 편향 영역이 형성되고,
    상기 빔 복귀 수단에서 복귀되는 레이저 광선의 광축이, 상기 협대역화 수단의 광축과, 상기 레이저 분기 광학 유니트의 편향 영역의 중심 및 상기 빔 복귀 수단의 빔 복귀 영역의 중심을 연결하는 선과의 사이에 존재하도록 설정되는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향에 대한 상기 광투과 영역의 폭을 변경시킬 수 있는 광투과 영역 가변 수단을 또한 구비한 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 레이저 발생부는 방전 전극에 의한 방전에 의해 레이저를 발생시키고,
    상기 레이저 분기 광학 유니트의 광투과 영역과 편향 영역을 나누는 경계선이, 상기 방전 전극의 방전 방향과 평행한 레이저 분기 광학 유니트의 광투과 영역과 편향 영역을 분할하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 레이저 발생부는 방전 전극에 의한 방전에 의해 레이저를 발생시키고,
    상기 레이저 분기 광학 유니트의 광투과 영역과 편향 영역을 나누는 경계선이, 상기 방전 전극의 방전 방향과 직각을 이루는 레이저 분기 광학 유니트의 광투과 영역과 편향 영역을 분할하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 협대역화 수단은,
    상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향을 포함하는 평면과 평행한 편광 평면을 갖추어 편광 성분만을 통과시키는 편광 통과 수단을 구비하며,
    상기 레이저 분기 광학 유니트는, 상기 편광 통과 수단에서 통과된 편광 성분만을 편향시켜 출력 광선으로서 취출하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 협대역화 수단은,
    상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향을 포함하는 평면과 평행한 편광 평면을 갖추어 편광 성분만을 통과시키는 편광 통과 수단을 구비하며,
    상기 레이저 분기 광학 유니트의 출력 광선 쪽의 광로중에 설치되고, 상기 편광 통과 수단을 통과할 수 있는 제 1 편광 성분과, 이 제 1 편광 성분의 평광면과 직각인 편광면을 갖춘 제 2 편광 성분을 분기하는 레이저 광선 편광 분기 유니트와,
    이 레이저 광선 편광 분기 유니트에서 분기된 제 2 편광 성분을 수광하는 수광 수단과,
    이 수광 수단의 출력에 기초하여 출력 광선의 이상을 검출하는 이상 검출 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 분기 광학 유니트와 상기 협대역화 수단 사이에, 또는 상기 레이저 분기 광학 유니트와 레이저 발생부 사이에, 레이저 빔의 상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향에 대한 폭을 제한하는 빔 폭 제한 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 레이저 분기 광학 유니트의 출력 광선 쪽의 광로중에, 출력 광선의 상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향에 대한 폭을 제한하는 제 2 빔 폭 제한 수단을 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  13. 레이저 활성을 지속시키며 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부와,
    이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과,
    상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과,
    상기 레이저 발생부와 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에, 나머지 광선을 출력 광선으로서 취출하는 레이저 분기 광학 유니트와,
    상기 협대역화 수단에 입사되는 레이저 빔의 폭을 상기 각도 분산형 파장 선택 소자의 각도 분산 방향에 대해 제한하는 빔 폭 제한 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  14. 레이저 활성을 지속시키며 레이저 빔을 발생시키는 레이저 발생부와,
    이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과,
    상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과,
    상기 레이저 발생부와 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에, 나머지 광선을 반사시키고 상기 레이저 발생부를 경유하여 출력 광선으로서 취출하는 레이저 분기 광학 유니트를 구비한 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 레이저 발생부는 방전 전극에 의한 방전에 의해 레이저를 발생시키며,
    상기 레이저 분기 광학 유니트는, 반사된 레이저 광선을 상기 방전 전극 사이의 방전 여기 영역을 경유하여 출력되는 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
  16. 방전 전극에 의한 방전에 의해 레이저를 발생시키는 레이저 발생부와,
    이 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 한쪽에 설치되고, 적어도 1개의 각도 분산형 파장 선택 소자에 의해 상기 레이저 빔을 협대역화하고, 협대역화된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 출사하는 협대역화 수단과,
    상기 레이저 발생부에서 발생되는 레이저 광선의 광축 위에서 상기 레이저 발생부의 다른 한쪽에 설치되고, 입사된 레이저 빔을 복귀시켜 상기 레이저 발생부에 반사시키는 빔 복귀 수단과,
    상기 레이저 발생부와 상기 협대역화 수단 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 투과하여 상기 협대역화 수단에 입사시킴과 동시에, 나머지 광선을 반사시켜 상기 레이저 발생부의 방전 전극 사이의 방전 여기 영역에 입사하는 제 1 빔 분기 유니트와,
    상기 빔 복귀 수단과 레이저 발생부 사이에 설치되고, 상기 레이저 발생부에서 입사된 레이저 광선의 일부를 투과하여 상기 빔 복귀 수단에 입사시킴과 동시에, 나머지 광선을 편향시켜 출력 광선으로서 취출하는 제 2 레이저 분기 광학 유니트를 구비한 것을 특징으로 하는 협대역 레이저 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7426229B2 (en) 2005-08-05 2008-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Line narrowing module, light source of exposure apparatus comprising the same, and method of producing exposure light using line narrowing

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6322220B1 (en) * 1994-02-14 2001-11-27 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and device manufacturing method using the same
JP4102457B2 (ja) * 1997-05-09 2008-06-18 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US5852627A (en) * 1997-09-10 1998-12-22 Cymer, Inc. Laser with line narrowing output coupler
US5978409A (en) * 1998-09-28 1999-11-02 Cymer, Inc. Line narrowing apparatus with high transparency prism beam expander
US6162495A (en) * 1997-09-29 2000-12-19 Cymer, Inc. Protective overcoat for replicated diffraction gratings
JP3654401B2 (ja) * 1997-10-23 2005-06-02 横河電機株式会社 外部共振器型光源
JP3690632B2 (ja) * 1998-03-17 2005-08-31 株式会社小松製作所 狭帯域モジュールの検査装置
US6792023B1 (en) 1998-06-04 2004-09-14 Lambda Physik Ag Method and apparatus for reduction of spectral fluctuations
US6381256B1 (en) * 1999-02-10 2002-04-30 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6469827B1 (en) * 1998-08-06 2002-10-22 Euv Llc Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser
US6546037B2 (en) 1999-02-10 2003-04-08 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6463086B1 (en) 1999-02-10 2002-10-08 Lambda Physik Ag Molecular fluorine laser with spectral linewidth of less than 1 pm
US6515741B1 (en) * 1999-03-17 2003-02-04 Lambda Physik Ag Optical device and method for line-narrowed excimer or molecular fluorine laser
US6556612B2 (en) * 1999-05-10 2003-04-29 Cymer, Inc. Line narrowed laser with spatial filter
EP1240694B1 (en) * 1999-12-22 2006-11-22 Cymer, Inc. Line narrowed laser with bidirection beam expansion
US6542243B2 (en) 2000-01-27 2003-04-01 Lambda Physik Ag Resonator optics monitoring method
US6763048B2 (en) 2000-06-19 2004-07-13 Lambda Physik Ag Line narrowing of molecular fluorine laser emission
US6577663B2 (en) 2000-06-19 2003-06-10 Lambda Physik Ag Narrow bandwidth oscillator-amplifier system
JP2002151776A (ja) * 2000-11-13 2002-05-24 Gigaphoton Inc 真空紫外レーザ装置
JP3781982B2 (ja) * 2000-12-06 2006-06-07 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
US6760358B1 (en) 2001-06-07 2004-07-06 Lambda Physik Ag Line-narrowing optics module having improved mechanical performance
US7154928B2 (en) * 2004-06-23 2006-12-26 Cymer Inc. Laser output beam wavefront splitter for bandwidth spectrum control
US6930822B2 (en) * 2001-11-20 2005-08-16 Spectra Physics, Inc. Wavelength locker
TWI291274B (en) * 2002-07-04 2007-12-11 Arima Optoelectronics Corp Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers
US20070104231A1 (en) * 2002-08-30 2007-05-10 Jochen Schwarz Wavelength tunable resonator with a prism
JP5393725B2 (ja) * 2004-11-09 2014-01-22 株式会社小松製作所 多段増幅型レーザシステム
JP2006179600A (ja) * 2004-12-21 2006-07-06 Komatsu Ltd 多段増幅型レーザシステム
DE102009020501A1 (de) * 2009-05-08 2010-12-23 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Bandbreiteneinengungsmoduls zur Einstellung einer spektralen Bandbreite eines Laserstrahls
CN112865876B (zh) * 2020-12-31 2021-11-02 武汉邮电科学研究院有限公司 一种微波光子滤波器及带宽调谐方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4127828A (en) * 1976-04-12 1978-11-28 Molectron Corporation Optical beam expander for dye laser
JPS62123788A (ja) * 1985-11-22 1987-06-05 Toshiba Corp 波長可変形レ−ザ発振装置
US5166941A (en) * 1986-09-25 1992-11-24 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Single mode pulsed dye laser oscillator
JP2661147B2 (ja) * 1988-06-13 1997-10-08 株式会社島津製作所 エキシマレーザ装置
US4873692A (en) * 1988-08-12 1989-10-10 Spectra-Physics Pulsed tunable solid state laser
EP0402570B1 (en) * 1989-06-14 1998-01-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Narrow-band laser apparatus
JPH03259583A (ja) * 1990-03-09 1991-11-19 Toshiba Corp 狭帯域レーザ装置
JPH03214680A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Mitsubishi Electric Corp エキシマレーザ装置
JP2961428B2 (ja) * 1990-02-28 1999-10-12 株式会社小松製作所 狭帯域発振エキシマレーザ
JP2957637B2 (ja) * 1990-05-18 1999-10-06 株式会社東芝 狭帯域レーザ装置
JPH0426173A (ja) * 1990-05-22 1992-01-29 Toshiba Corp レーザ発振装置
JPH04262588A (ja) * 1991-02-18 1992-09-17 Toshiba Corp レ−ザ装置およびレ−ザ露光装置
US5177750A (en) * 1991-07-30 1993-01-05 Hewlett-Packard Company Misalignment-tolerant, grating-tuned external-cavity laser with enhanced longitudinal mode selectivity
JP2967623B2 (ja) * 1991-10-07 1999-10-25 日本電気株式会社 狭帯域化レーザ発振装置
JPH0541164U (ja) * 1991-10-31 1993-06-01 三菱重工業株式会社 狭帯域化レーザー発振装置
US5230005A (en) * 1991-11-05 1993-07-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic tuning of a broadband laser
US5181222A (en) * 1992-02-04 1993-01-19 Eastman Kodak Company Laser oscillator
US5524018A (en) * 1993-10-04 1996-06-04 Adachi; Yoshi Superior resolution laser using bessel transform optical filter
JPH07239273A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd 外部共振器型可変波長光源
JPH07240558A (ja) * 1994-02-28 1995-09-12 Ando Electric Co Ltd 波長可変半導体レーザ光源
JPH07318996A (ja) * 1994-03-28 1995-12-08 Matsushita Electron Corp 波長変換導波路型レーザ装置
US5559816A (en) * 1994-10-26 1996-09-24 Lambda Physik Gesellschaft Zur Herstellung Von Lasern Mbh Narrow-band laser apparatus

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7426229B2 (en) 2005-08-05 2008-09-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Line narrowing module, light source of exposure apparatus comprising the same, and method of producing exposure light using line narrowing

Also Published As

Publication number Publication date
TW312865B (ko) 1997-08-11
WO1996031929A1 (fr) 1996-10-10
US6101211A (en) 2000-08-08

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