JPH03214680A - エキシマレーザ装置 - Google Patents
エキシマレーザ装置Info
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- JPH03214680A JPH03214680A JP828190A JP828190A JPH03214680A JP H03214680 A JPH03214680 A JP H03214680A JP 828190 A JP828190 A JP 828190A JP 828190 A JP828190 A JP 828190A JP H03214680 A JPH03214680 A JP H03214680A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
- H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
この発明は、エキシマレーザ装置に関し、さらに詳しく
いうと、光共振器中に少なくとも1個のプリズムを配置
することにより、波長選択の機能を有するエキシマレー
ザ装置に関するものてある。
いうと、光共振器中に少なくとも1個のプリズムを配置
することにより、波長選択の機能を有するエキシマレー
ザ装置に関するものてある。
1
[従来の技術]
狭帯域エキシマレーサは波長が短く、大出力であるとい
う利点があるため、集積回路を製造するための縮小投影
露光装置(ステツパ)用光源として使用される。
う利点があるため、集積回路を製造するための縮小投影
露光装置(ステツパ)用光源として使用される。
第6図は米国物理学会の応用物理誌( 八ppPhys
. Lett.)3 2巻、3号、p、1 7 1 (
1978)に示された従来のエキシマレーザ装置を示し
、図において(1)は圧力容器(放電室) 、(2)は
圧力容器と外気とをへたてるための窓、(3)はレーザ
ビーム取出し鏡(部分反射鏡)、〈4)は全反射鏡、(
5)はプリズム、(6〉はレーザビームである。
. Lett.)3 2巻、3号、p、1 7 1 (
1978)に示された従来のエキシマレーザ装置を示し
、図において(1)は圧力容器(放電室) 、(2)は
圧力容器と外気とをへたてるための窓、(3)はレーザ
ビーム取出し鏡(部分反射鏡)、〈4)は全反射鏡、(
5)はプリズム、(6〉はレーザビームである。
次に動作について説明する。一般に、希ガス(例えば、
Kr, Xe)とハロゲンガス(例えは、F2HCN)
を圧力容器(1)に封じ込め、このガス中で放電をおこ
し、エネルギー注入を行うと紫外線が発生ずる。この紫
外線を取出し鏡(3)と全反射鏡(4)からなる光共振
器内て増幅することにより強いレーザビームを得る。し
かし、レーザビームを分光してみると、4 0 0 p
mから5QQpmもの非常に広2 い波長幅を持っている。
Kr, Xe)とハロゲンガス(例えは、F2HCN)
を圧力容器(1)に封じ込め、このガス中で放電をおこ
し、エネルギー注入を行うと紫外線が発生ずる。この紫
外線を取出し鏡(3)と全反射鏡(4)からなる光共振
器内て増幅することにより強いレーザビームを得る。し
かし、レーザビームを分光してみると、4 0 0 p
mから5QQpmもの非常に広2 い波長幅を持っている。
ところで、縮小投影露光装置には多数のレンズが使われ
ているために、波長幅の広いエキシマレーザを光源とし
て用いると色収差により像がぼけるという問題が生じる
。色収差の問題をなくすなめにはエキシマレーザの波長
幅を3p+nまで狭くする必要がある。
ているために、波長幅の広いエキシマレーザを光源とし
て用いると色収差により像がぼけるという問題が生じる
。色収差の問題をなくすなめにはエキシマレーザの波長
幅を3p+nまで狭くする必要がある。
従来例では、光共振器中に波長選択素子であるプリズム
〈5〉を2個挿入し1 0 0 Bまで狭帯域化してい
る。
〈5〉を2個挿入し1 0 0 Bまで狭帯域化してい
る。
[発明が解決しようとする課題]
従来のエキシマレーザ装置は、分散能力の低いプリズム
を用いていたので、100pmまでしか狭帯域化できな
かった。これを3pmまで狭くするには、従来例中にも
示されたようにグレーティングやエタロンを併用したり
、あるいは、第7図に示すように、共振器に入れるプリ
ズムの数を増やさなければならなかった。
を用いていたので、100pmまでしか狭帯域化できな
かった。これを3pmまで狭くするには、従来例中にも
示されたようにグレーティングやエタロンを併用したり
、あるいは、第7図に示すように、共振器に入れるプリ
ズムの数を増やさなければならなかった。
第8図はプリズムの数を増したときの波長幅とレーザ出
力を示したものである。プリズムの数を3 増すと波長幅が狭くなる様子がわかる。ところが、レー
ザ出力もまた、単調に減少している。これはプリズムを
挿入することにより光共振器内にロスを挿入したのと同
じ効果が生じたなめで、効率の良い狭帯域のエキシマレ
ーザ装置を構成する妨げとなる。
力を示したものである。プリズムの数を3 増すと波長幅が狭くなる様子がわかる。ところが、レー
ザ出力もまた、単調に減少している。これはプリズムを
挿入することにより光共振器内にロスを挿入したのと同
じ効果が生じたなめで、効率の良い狭帯域のエキシマレ
ーザ装置を構成する妨げとなる。
第7図の装置では、発振器はフッ化カルシウムからなる
窓(2)を備えた放電室(1〉と全反射鏡(4)と部分
反射鏡(3)からなる共振器て構成される。
窓(2)を備えた放電室(1〉と全反射鏡(4)と部分
反射鏡(3)からなる共振器て構成される。
全反射鏡(4)と部分反射鏡(3)は石英基板に誘電体
多層膜を蒸着したものからなる。
多層膜を蒸着したものからなる。
この構成でレーザ発振さぜると、KrFエキシマレーザ
の場合、発振波長248.3nm ,半値幅約500p
anの光が得られる。
の場合、発振波長248.3nm ,半値幅約500p
anの光が得られる。
放電室(1)と全反射鏡(4)の間に複数個のプリズム
(5)を配置すると半値幅は数1.opmに狭くなる。
(5)を配置すると半値幅は数1.opmに狭くなる。
この発明は上記の問題を解消するためになされたもので
、プリズムを挿入することによる出力減少を少なくし、
効率のよいエキシマレーザ装置を4 得るこどを目的とする。
、プリズムを挿入することによる出力減少を少なくし、
効率のよいエキシマレーザ装置を4 得るこどを目的とする。
[課題を解決するための手段]
この発明の第一の発明に係るエキシマレーザ装置は、共
振器内に挿入するプリズムに反射防止膜が施されている
。
振器内に挿入するプリズムに反射防止膜が施されている
。
また、第二の発明に係るエキシマレーザ装置は、反射防
止膜が、空気側から数えて第1層が号波長の光学膜厚を
有するフッ化マグネシウム、第2層が1/4波長の光学
膜厚を有する酸化アルミニウムからなっている。
止膜が、空気側から数えて第1層が号波長の光学膜厚を
有するフッ化マグネシウム、第2層が1/4波長の光学
膜厚を有する酸化アルミニウムからなっている。
[作 用]
この発明の第一の発明においては、光がプリズムを通過
する際に発生するロスを低減することにより出力低下が
なくなる。
する際に発生するロスを低減することにより出力低下が
なくなる。
第二の発明では、設計中心波長を260〜330nmと
したとき、波長248runにおける斜方入射時の反射
率が2%程度となる。
したとき、波長248runにおける斜方入射時の反射
率が2%程度となる。
[実施例コ
以下、第一の発明の一実施例を図について説明する。第
1図において、符号(1)から(6)は従来5 例と同じ機能を持つもの、(7〉はエタロン、(8)は
反射防止膜である。
1図において、符号(1)から(6)は従来5 例と同じ機能を持つもの、(7〉はエタロン、(8)は
反射防止膜である。
次に動作について説明する。従来例と同様、放電により
発生した紫外線を光共振器により増幅1,、レーザビー
ム(6)として取出す,,ただし、波長幅が広いので、
光共振器中に波長選択素子を挿入する。この例では2個
のプリズム(5)と1個のエタロン(7)を用いた。
発生した紫外線を光共振器により増幅1,、レーザビー
ム(6)として取出す,,ただし、波長幅が広いので、
光共振器中に波長選択素子を挿入する。この例では2個
のプリズム(5)と1個のエタロン(7)を用いた。
2個のプリズム(5)により波長を1 5 0 1)I
I+程度まで荒く選択し、さらにエタロンク7)により
波長を3pmまで狭くしている。エキシマレーザては光
の増幅が始まってからレーザ出力として取出されるまで
同し波長選択素子を6回程度通るので5レーザの波長幅
は波長選択素子自身が持つ選択波長幅に較べて3分の1
以下になる。そこで、エタロン(7)の仕様としては1
50叶をIOI)III程度にてきさえすればよいこと
になる。このような仕様のエタロン(7)の透過率は8
0%以上ある。一方、プリズムを全く用いずに波長を選
択ずる場合、エタロンの透過率は30%を越えることが
てきない。
I+程度まで荒く選択し、さらにエタロンク7)により
波長を3pmまで狭くしている。エキシマレーザては光
の増幅が始まってからレーザ出力として取出されるまで
同し波長選択素子を6回程度通るので5レーザの波長幅
は波長選択素子自身が持つ選択波長幅に較べて3分の1
以下になる。そこで、エタロン(7)の仕様としては1
50叶をIOI)III程度にてきさえすればよいこと
になる。このような仕様のエタロン(7)の透過率は8
0%以上ある。一方、プリズムを全く用いずに波長を選
択ずる場合、エタロンの透過率は30%を越えることが
てきない。
6
このレーザの出力は狭帯域化前140mJであったのに
対し、80mJであった。出力の減少は、主にプリズム
(5)のロスにより発生している。第8図によるとプリ
ズム1個当りのロスは12%程度である。第9図はガラ
スへの入射角と反射率の関係を示したものであるが、入
射角57度の場き、P偏光に対しては反射率はほとんど
Oであるが、S偏光に対しては14%の反射率を持つ。
対し、80mJであった。出力の減少は、主にプリズム
(5)のロスにより発生している。第8図によるとプリ
ズム1個当りのロスは12%程度である。第9図はガラ
スへの入射角と反射率の関係を示したものであるが、入
射角57度の場き、P偏光に対しては反射率はほとんど
Oであるが、S偏光に対しては14%の反射率を持つ。
狭帯域化しなレーザ出力を調べてみると円偏光に近いの
で、平均的な反射率7%がロスとして作用したことにな
る。プリズム1個当りでは空気からガラス、ガラスから
空気への2回の反射があるので、14%のロスが生じる
ことになる。
で、平均的な反射率7%がロスとして作用したことにな
る。プリズム1個当りでは空気からガラス、ガラスから
空気への2回の反射があるので、14%のロスが生じる
ことになる。
これがプリズム挿入による出力低下の原因となる。この
ようなことはエキシマレーザなど発振時間の短いレーザ
に特有のことて、発振時間が20nS程度と短いために
波長選択素子をせいぜい6回しか通過しない。そのなめ
偏光の選択が行われないと考えられる。それに対して、
例えば連続発振の色素レーザの場合、繰り返し波長選択
素子を通7 遇するうちにP偏光成分のみが選択されることが知られ
ている。P偏光に対しては反射ロスは0であるから、偏
光が選択された後は出力低下はない、そのなめ、エキシ
マレーザ以外のレーザの波長を選択ずるときには反射防
止膜のないプリズムが使われるのが普通であった。
ようなことはエキシマレーザなど発振時間の短いレーザ
に特有のことて、発振時間が20nS程度と短いために
波長選択素子をせいぜい6回しか通過しない。そのなめ
偏光の選択が行われないと考えられる。それに対して、
例えば連続発振の色素レーザの場合、繰り返し波長選択
素子を通7 遇するうちにP偏光成分のみが選択されることが知られ
ている。P偏光に対しては反射ロスは0であるから、偏
光が選択された後は出力低下はない、そのなめ、エキシ
マレーザ以外のレーザの波長を選択ずるときには反射防
止膜のないプリズムが使われるのが普通であった。
この発明では、プリズムに対してP偏光だけではなく、
S偏光に対しても反射ロスがOになるよう反射防止膜を
施した。すなわち、円偏光に対して反射がなくなるよう
にした。その結果、110Jの出力を得ることができた
。
S偏光に対しても反射ロスがOになるよう反射防止膜を
施した。すなわち、円偏光に対して反射がなくなるよう
にした。その結果、110Jの出力を得ることができた
。
同じ理由で、窓(2)による反射ロスを防ぐなめ、一方
の窓にも反射防止膜を施し、また、他方の窓は8%の反
射を利用して取出し鏡として用いることにすればさらに
出力の向」二を望むことができる。
の窓にも反射防止膜を施し、また、他方の窓は8%の反
射を利用して取出し鏡として用いることにすればさらに
出力の向」二を望むことができる。
なお、上記実施例ではエタロン(7)を併用する場合に
ついて示したが、第2図にあるように、グレーティング
(9)と併用してもよい。この場き、プリズム(5)と
併用することによりグレーティング(9)の仕様が楽に
なるばかりてはなく、ブリズ8 ム(5)によりビームを広げると、グレーティング(9
)の波長選択能力を高めることができる。
ついて示したが、第2図にあるように、グレーティング
(9)と併用してもよい。この場き、プリズム(5)と
併用することによりグレーティング(9)の仕様が楽に
なるばかりてはなく、ブリズ8 ム(5)によりビームを広げると、グレーティング(9
)の波長選択能力を高めることができる。
さらに、実施例ではプリズム2個の場合を示したが、よ
り沢山のプリズムを用いれば、エタロンやグレーティン
グの仕様はさらに容易になる。また、プリズムのみを複
数個用いても狭帯域化することができる。
り沢山のプリズムを用いれば、エタロンやグレーティン
グの仕様はさらに容易になる。また、プリズムのみを複
数個用いても狭帯域化することができる。
次に、第二の発明の一実施例にー)いて説明する。
第3図において、電子ビーム蒸着法によって、約300
℃に加熱された合成石英からなるプリズム(5)の光の
入射面<10)と出射面(11)に、まず酸化アルミニ
ウム(8a)を設計波長300n++で光学膜1/4波
長(この場合、波長は300nm)蒸着し、引き続きフ
ッ化マグネシウム(8b)を設計波長300旧◎で光学
膜厚暑波長くこの場合、波長は300nm)で蒸着する
。このようにして得られた反射防止膜(8)の分光反射
率は第4図に示すとおりて、P波の反射率0.29%、
S波の反射率0.94%、平均反射率0.62%が得ら
れる。これは、反射防止膜を施さないときの反射率4.
1%に比べて9 十分に小さい。第7図のプリズムの構成において、反射
防止膜を施していない場合、全体の反射率28%が、上
記の反射防止膜を施したことにより4.9%に改善され
る。
℃に加熱された合成石英からなるプリズム(5)の光の
入射面<10)と出射面(11)に、まず酸化アルミニ
ウム(8a)を設計波長300n++で光学膜1/4波
長(この場合、波長は300nm)蒸着し、引き続きフ
ッ化マグネシウム(8b)を設計波長300旧◎で光学
膜厚暑波長くこの場合、波長は300nm)で蒸着する
。このようにして得られた反射防止膜(8)の分光反射
率は第4図に示すとおりて、P波の反射率0.29%、
S波の反射率0.94%、平均反射率0.62%が得ら
れる。これは、反射防止膜を施さないときの反射率4.
1%に比べて9 十分に小さい。第7図のプリズムの構成において、反射
防止膜を施していない場合、全体の反射率28%が、上
記の反射防止膜を施したことにより4.9%に改善され
る。
第1表は、24Snm用プリズムに対し斜方入射(10
゜〜80゜の入射角)の場き、設計波長を260〜34
0nmとし、第3図のような反射防止膜(8)を施した
ときの各波長での反射率を示す。
゜〜80゜の入射角)の場き、設計波長を260〜34
0nmとし、第3図のような反射防止膜(8)を施した
ときの各波長での反射率を示す。
第1表
248nm反射率の入射角、設計波長依存性(膜構成
air/0.25λMyF 2 / 0 . 25λ^
LO+/石英)10 第1表に従えば、入射角60゜で使用する場合、設計波
長300nmで前記の反射防止膜を製作すれば反射率を
0.73%におさえることができる。
air/0.25λMyF 2 / 0 . 25λ^
LO+/石英)10 第1表に従えば、入射角60゜で使用する場合、設計波
長300nmで前記の反射防止膜を製作すれば反射率を
0.73%におさえることができる。
第5図は設計波長による反射率の変化を示す。
[発明の効果コ
以上のように、この発明の第一の発明によれば、波長選
択素子として用いるプリズムに反射防止膜を施したので
、レーザの効率が向上した。その結果、従来例に較べて
少ない電力により同じ波長幅と出力が得られるので、電
源、電極等の長寿命化をはかることもできる。
択素子として用いるプリズムに反射防止膜を施したので
、レーザの効率が向上した。その結果、従来例に較べて
少ない電力により同じ波長幅と出力が得られるので、電
源、電極等の長寿命化をはかることもできる。
また、第二の発明によれば、斜方入射による反射防止膜
の最適設計、すなわち設計波長を透過波長より長くし、
かつ、空気側第1層にフッ化マグネシウム、第2層に酸
化アルミニウムでなる反射防止膜を形成しなので、有効
な反射防止効果を得ることがてき、レーザの発振効率を
高めることができる。
の最適設計、すなわち設計波長を透過波長より長くし、
かつ、空気側第1層にフッ化マグネシウム、第2層に酸
化アルミニウムでなる反射防止膜を形成しなので、有効
な反射防止効果を得ることがてき、レーザの発振効率を
高めることができる。
第1図は第一の発明の一実施例の概略側面図、第2図は
他の実施例の概略側面図、第3図は第一の発明の一実施
例の要部側面図、第4図は第二の発明の当該実施例にお
ける反射防止膜の分光透過率特性線図、第5図は同じく
設計波長による反射率の変化を示す特性線図、第6図、
第7図はそれぞれ従来のエキシマレーザ装置の概略側面
図、第8図は同じくプリズム挿入数に対する波長幅およ
びレーザ出力の特性線図、第9図は同じくガラスの反射
率と入射角の特性線図である。 (1)・・・圧力容器(放電室) . (3)・・・取
出し鏡(部分反射鏡)、(4) ・・全反射鏡、(5
)・・・プリズム、(8)・・・反射防止膜、(8a)
・・・第1層、(811)・・第2層。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照第 1 図 第 2 図 1 第 3 図 8R 8a:第2層 8b=第1層 第 8 図 0 1 2 3 4 5 6 アレノズム○個I文 第 9 図 入到寸角 (度)
他の実施例の概略側面図、第3図は第一の発明の一実施
例の要部側面図、第4図は第二の発明の当該実施例にお
ける反射防止膜の分光透過率特性線図、第5図は同じく
設計波長による反射率の変化を示す特性線図、第6図、
第7図はそれぞれ従来のエキシマレーザ装置の概略側面
図、第8図は同じくプリズム挿入数に対する波長幅およ
びレーザ出力の特性線図、第9図は同じくガラスの反射
率と入射角の特性線図である。 (1)・・・圧力容器(放電室) . (3)・・・取
出し鏡(部分反射鏡)、(4) ・・全反射鏡、(5
)・・・プリズム、(8)・・・反射防止膜、(8a)
・・・第1層、(811)・・第2層。 なお、各図中、同一符号は同一又は相当部分を示す。 代 理 人 曽 我 道 照第 1 図 第 2 図 1 第 3 図 8R 8a:第2層 8b=第1層 第 8 図 0 1 2 3 4 5 6 アレノズム○個I文 第 9 図 入到寸角 (度)
Claims (2)
- (1)光共振器中に少なくとも1個のプリズムを設けて
波長を選択する機能を有するエキシマレーザ装置におい
て、反射防止膜を施した前記プリズムを備えてなること
を特徴とするエキシマレーザ装置。 - (2)空気側から数えて第1層が1/4波長の光学膜厚
を有するフッ化マグネシウム、第2層が1/4波長の光
学膜厚を有する酸化アルミニウムからなる反射防止膜を
備えた請求項(1)記載のエキシマレーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP828190A JPH03214680A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | エキシマレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP828190A JPH03214680A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | エキシマレーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03214680A true JPH03214680A (ja) | 1991-09-19 |
Family
ID=11688798
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP828190A Pending JPH03214680A (ja) | 1990-01-19 | 1990-01-19 | エキシマレーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03214680A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02105565A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO1996031929A1 (fr) * | 1995-04-03 | 1996-10-10 | Komatsu Ltd. | Laser a bande etroite |
US6181724B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Komatsu Ltd. | Narrow-band oscillation excimer laser and optics thereof |
-
1990
- 1990-01-19 JP JP828190A patent/JPH03214680A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02105565A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO1996031929A1 (fr) * | 1995-04-03 | 1996-10-10 | Komatsu Ltd. | Laser a bande etroite |
US6101211A (en) * | 1995-04-03 | 2000-08-08 | Komatsu, Ltd. | Narrow-band laser apparatus |
US6181724B1 (en) | 1997-12-12 | 2001-01-30 | Komatsu Ltd. | Narrow-band oscillation excimer laser and optics thereof |
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